KR20030033148A - Device for making tantalum condenser - Google Patents
Device for making tantalum condenser Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030033148A KR20030033148A KR1020010063937A KR20010063937A KR20030033148A KR 20030033148 A KR20030033148 A KR 20030033148A KR 1020010063937 A KR1020010063937 A KR 1020010063937A KR 20010063937 A KR20010063937 A KR 20010063937A KR 20030033148 A KR20030033148 A KR 20030033148A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- reactor
- electrolyte
- tantalum
- capacitor
- capacitor element
- Prior art date
Links
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 68
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 8
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 탄탈륨 콘덴서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄탈륨 콘덴서를 제조하는 과정인 화성단계에서 소결소자의 내부에 존재하는 공기 및 수분을 제거하여 소결소자의 내부 및 표면에 전해액이 완벽하게 침투하도록 함으로서 탄탈소자의 용량 및 특성을 향상시킬 수 있는 탄탈륨 콘덴서의 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a tantalum capacitor, and more particularly, by removing the air and moisture present in the interior of the sintering device in the process of manufacturing a tantalum capacitor to completely penetrate the electrolyte solution into the interior and surface of the sintering device. The present invention relates to a tantalum capacitor manufacturing apparatus capable of improving the capacity and characteristics of a tantalum element.
일반적으로 탄탈륨 콘덴서는 반도체작용을 하는 탄탈금속의 산화피막을 콘덴서의 유전체로 이용한 전해 콘덴서이다. 상기 탄탈륨 콘덴서는 양극산화에 의하여 탄탈산화물(Ta2O5)을 유전체로 하고 있다. 탄탈륨의 박과 소결체를 전극으로 양극산화에 의하여 탄탈금속면에 형성된 산화피막은 화성전압 1V당 10 ∼ 16Å으로 형성된 얇은 피막으로서 피막의 두께는 화성전압의 상승에 비례하여 증가하며, 콘덴서의 정전용량과는 반비례 관계를 이루고 있다. 또한, 화성전압은 탄탈전해 콘덴서의 종류에 따라 다르지만 탄탈륨 고체전해 콘덴서에서는 정격전압의 3 ∼ 4배, 탄탈륨 박형전해 콘덴서에서는 1.3 ∼ 1.4배를 기준으로 하고 있고, 유전체인 탄탈산화피막의 유전율= 23으로 유전율이 7에 해당하는 알루미늄산화피막에 비해 약 3배에 해당한다.In general, a tantalum capacitor is an electrolytic capacitor using an oxide film of tantalum metal, which acts as a semiconductor, as the dielectric of the capacitor. The tantalum capacitor uses tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) as a dielectric material by anodization. The oxide film formed on the tantalum metal surface by anodizing the foil and sintered body of tantalum as an electrode is a thin film formed at 10 to 16 Å per 1V of the conversion voltage. Is inversely related to In addition, the formation voltage varies depending on the type of tantalum electrolytic capacitor, but it is based on three to four times the rated voltage in the tantalum solid electrolyte capacitor and 1.3 to 1.4 times in the tantalum thin electrolyte capacitor. The dielectric constant is about three times that of aluminum oxide film having a dielectric constant of 7.
상기와 같은 탄탈륨 콘덴서의 일반적인 제조방법을 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 1에서, 먼저, 성형단계(100)는 탄탈분말에 접착제(binder)역할을 하는 D-Camper를 혼합한 후 용제를 건조 제거시킨 다음 평량하여 원통형 또는 각형 펠릿(Pellet)에 양극 리드선인 탄탈선을 삽입시켜 일정한 밀도로 성형을 한다. 소결단계(200)에서는 성형된 소자를 진공 소결로에 장진후 10-5㎜Hg 정도의 진공중에서 1600℃∼2000℃ 정도로 가열하여 접착제 제거와 동시에 소결을 한다.A general manufacturing method of the tantalum capacitor as described above will be described with reference to FIG. 1. In FIG. 1, first, the forming step 100 is a tantalum wire which is an anode lead wire in a cylindrical or square pellet by mixing the D-Camper, which acts as a binder to tantalum powder, and then drying and removing the solvent. Insert it to mold to a certain density. In the sintering step 200, the molded device is loaded in a vacuum sintering furnace and heated in a vacuum of about 10 -5 mmHg to about 1600 ° C to 2000 ° C to sinter at the same time as removing the adhesive.
화성단계(300)에서는 2개의 전극과 그 사이에 삽설되는 유전체로 구성되는 콘덴서의 유전체를 생성하는 단계로 전해액중에 소결소자를 넣어서 직류전압(화성전압)을 인가하여 탄탈소자의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 생성하게 되며, 이것이 유전체가 된다. 소성단계(400)에서는 화성단계(300)에서 생성된 산화피막의 표면에 전해질의 이산화망간층을 형성한다. 즉, 소자의 기공내부에 있는 산화피막의 표면에 이산화망간층을 부착시키기 위하여 질산망간의 수용액중에 소자를 침적하여 함침시킨 후 가열분해하여 이산화망간층을 얻게 된다.In the chemical conversion step 300, a dielectric of a capacitor composed of two electrodes and a dielectric inserted therebetween is produced. An sintered element is placed in an electrolyte, and a direct current voltage is applied to the surface of the tantalum element. Ta 2 O 5 ), which becomes a dielectric. In the firing step 400, a manganese dioxide layer of an electrolyte is formed on the surface of the oxide film generated in the chemical conversion step 300. In other words, in order to attach the manganese dioxide layer on the surface of the oxide film in the pores of the device, the manganese dioxide layer is obtained by dipping and impregnating the device in an aqueous solution of manganese nitrate.
조립단계(500)에서는 소성단계(400)에서 이산화망간층을 형성한 후의 소자에 대해서 외장까지의 필요한 카본도포, 은페이스트도포 및 리드용접을 함으로써 외장공정까지가 완료된다. 에이징(Aging)단계(600)에서는 외장을 완료한 콘덴서는 목표품질, 또는 요구하는 품종에 만족할 만한 조건으로 에이징을 하여 초기불량을 제거한 다음 신뢰성에 대한 롯(lot)판정을 하여 롯에 해당하는 제품은 폐기처분한다. 마킹단계(700)에서는 콘덴서에 절연슬리브를 피복시키거나 필요한 표시(정격전압, 정전용량, 극성표시)를 함으로써 탄탈콘덴서의 공조공정을 완료하게 된다.In the assembling step 500, necessary carbon coating, silver paste coating, and lead welding to the exterior of the device after forming the manganese dioxide layer in the firing stage 400 are completed until the exterior processing. In the aging step 600, the completed capacitor is aged under conditions satisfying the target quality or required varieties to remove initial defects, and then the lot is determined for reliability. Discard. In the marking step 700, the air conditioning process of the tantalum capacitor is completed by coating an insulating sleeve on the capacitor or by displaying the necessary voltage (rated voltage, capacitance, polarity).
상기 탄탈전해 콘덴서를 제조하는 과정인 화성단계(300)에서는 전해액에 소결소자를 넣어서 탄탈소자의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 생성함으로서 유전체층이 형성된다. 이때 상기 전해액에 소결소자를 넣은 상태에서 밀폐된 반응기의 내부에 존재하는 공기를 배출시킴으로서 반응기의 내부를 진공상태로 변환시킨다. 상기 반응기의 내부가 진공상태로 변환되어도 소결소자가 전해액에 함침된 상태이므로 전해액에 의해 소결소자의 내부에 존재하는 공기나 수분이 외부로 빠져나오지 않게 되어 탄탈소자의 용량 및 내전압특성이 저하되는 문제점이 있다.In the chemical conversion step 300, which is a process of manufacturing the tantalum electrolytic capacitor, a dielectric layer is formed by inserting a sintered device into an electrolyte and generating an oxide film Ta 2 O 5 on the surface of the tantalum device. At this time, the inside of the reactor is converted into a vacuum state by discharging air existing in the sealed reactor in the state in which the sintered element is put in the electrolyte. Even if the inside of the reactor is converted to a vacuum state, since the sintered device is impregnated with the electrolyte, air or moisture existing in the sintered device are not discharged to the outside by the electrolyte, thereby deteriorating capacity and withstand voltage characteristics of the tantalum device. There is this.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 탄탈륨 콘덴서를 제조하는 과정인 화성단계에서 소결소자의 내부에 존재하는 공기 및 수분을 제거하여 소결소자의 내부 및 표면에 전해액이 완벽하게 침투하도록 함으로서 탄탈소자의 용량 및 특성을 향상시킬 수 있는 탄탈륨 콘덴서의 제조장치를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to remove the air and moisture present in the interior of the sintering device in the chemical conversion step of manufacturing a tantalum capacitor to the inside and surface of the sintering device It is to provide a tantalum capacitor manufacturing apparatus that can improve the capacity and characteristics of the tantalum element by allowing the electrolyte to completely penetrate.
도 1은 종래의 탄탈륨 콘덴서 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional tantalum capacitor manufacturing method.
도 2는 본 발명에 따른 탄탈륨 콘덴서의 제조장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a view schematically showing an apparatus for manufacturing a tantalum capacitor according to the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명 ><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>
50 : 반응기 60 : 콘덴서용 소자50 reactor 60 element for condenser
62 : 벨트 70 : 전해액62: belt 70: electrolyte
80 : 전해액저장탱크 82 : 공급파이프80: electrolyte storage tank 82: supply pipe
84 : 공급밸브 90 : 진공펌프84: supply valve 90: vacuum pump
92 : 배출파이프 94 : 배출밸브92: discharge pipe 94: discharge valve
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 탄탈분말을 원통형 또는 각형 펠릿으로 성형하는 성형단계; 상기 성형된 소자를 고온으로 소결을 하는 소결단계; 상기 소결된 콘덴서용 소자의 표면에 유전체를 생성하는 화성단계; 상기 콘덴서용 소자의 표면에 전해질층을 형성하는 소성단계; 상기 콘덴서용 소자의 표면에 카본 및 은페이스트를 도포하는 카본 및 은페이스트 도포단계; 상기 카본 및 은페이스트 도포단계 다음에 리드용접을 함으로써 외장공정까지를 완료하는 조립단계를 통해 제조되는 탄탈륨 콘덴서에 있어서, 상기 화성단계에서 콘덴서용 소자의 표면에 전해액을 주입하기 위해 사용되는 반응기의 내부에 콘덴서용 소자를 위치시키고, 상기 반응기의 일측에 접속되는 진공펌프를 이용하여 반응기의 내부 및 콘덴서용 소자에 존재하는 공기를 배출시켜 반응기 및 콘덴서용 소자의 내부를 진공상태로 변환시킨 후 반응기의 일측에 접속되어 있는 전해액저장탱크에 있는 전해액을 반응기의 내부로 공급하여 콘덴서용 소자의 상부면까지 채우므로서 콘덴서용 소자의 내부로 전해액이 원활하게 주입되도록 하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 콘덴서의 제조장치를 제공한다.The present invention to achieve the above object is a molding step of molding the tantalum powder into a cylindrical or square pellet; A sintering step of sintering the molded device at a high temperature; A chemical conversion step of generating a dielectric on a surface of the sintered capacitor element; Firing an electrolyte layer on the surface of the capacitor element; Carbon and silver paste coating step of coating carbon and silver paste on the surface of the capacitor element; In the tantalum capacitor manufactured by the assembling step of completing the exterior process by the lead welding after the carbon and silver paste coating step, the inside of the reactor used to inject the electrolyte to the surface of the capacitor element in the chemical conversion step The condenser element is placed in the reactor, and the air inside the reactor and the condenser element is discharged by using a vacuum pump connected to one side of the reactor to convert the inside of the reactor and the condenser element into a vacuum state. Apparatus for manufacturing a tantalum capacitor, characterized in that the electrolyte is supplied into the reactor by supplying the electrolyte in the electrolyte storage tank connected to one side to the upper surface of the capacitor element to smoothly inject the electrolyte into the capacitor element To provide.
본 발명에 의하면, 탄탈륨 콘덴서를 제조하는 공정에서 콘덴서용 소자의 표면에 유전체층을 형성시키기 위해서는 소결된 콘덴서용 소자의 내부에 존재하는 공기 및 수분을 완전히 제거한 후 전해액에 콘덴서용 소자를 함침시켜야 한다. 따라서, 상기 콘덴서용 소자를 반응기에 넣은 후 반응기의 내부에 존재하는 공기를 진공펌프를 이용하여 외부로 배출시키게 되면 콘덴서용 소자의 내부에 존재하는 공기 및 수분도 함께 빠져 나오게 된다. 상기 반응기의 내부를 진공상태로 변환시킨 후 전해액저장탱크에 존재하는 전해액을 반응기의 내부로 공급하게 되면 전해액에 콘덴서용 소자가 함침된다. 상기 콘덴서용 소자의 내부에는 공기 및 수분이 존재하지 않으므로 콘덴서용 소자는 전해액에 완벽하게 함침되어 콘덴서용 소자의 표면에 유전체층이 원활하게 형성된다.According to the present invention, in order to form a dielectric layer on the surface of a capacitor element in the process of manufacturing a tantalum capacitor, the capacitor element must be impregnated in the electrolyte after completely removing air and moisture present in the sintered capacitor element. Therefore, when the condenser element is put into a reactor and the air existing in the reactor is discharged to the outside using a vacuum pump, the air and moisture present in the condenser element also come out together. When the inside of the reactor is converted into a vacuum state and the electrolyte solution present in the electrolyte storage tank is supplied into the reactor, the capacitor element is impregnated in the electrolyte solution. Since air and moisture do not exist inside the capacitor element, the capacitor element is completely impregnated with the electrolyte so that a dielectric layer is smoothly formed on the surface of the capacitor element.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 탄탈륨 콘덴서의 제조장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a view schematically showing an apparatus for manufacturing a tantalum capacitor according to the present invention.
도 2를 참조하여 탄탈륨 콘덴서의 제조장치를 설명하면, 먼저, 탄탈륨 콘덴서를 제조하기 위해 사용되는 콘덴서용 소자(60)는 성형단계에서 탄탈분말에 접착제역할을 하는 D-Camper를 혼합한 후 용제를 건조 제거시킨다. 상기 상태에서 탄탈분말을 평량하여 원통형 또는 각형 펠릿으로 성형한 후 양극 리드선인 탄탈와이어(도시 안됨)를 삽입시켜 일정한 밀도로 성형하게 된다. 상기 성형단계에서 성형된 콘덴서용 소자(60)는 소결단계에서 콘덴서용 소자(60)를 진공 소결로(도시 안됨)에 장진후 진공중에서 고온의 열을 인가하여 콘덴서용 소자(60)에 포함되어 있는 접착제를 제거하면서 동시에 콘덴서용 소자(60)를 소결하게 된다. 상기 소결단계 다음에 화성단계에서는 반응기(50)에 콘덴서용 소자(60)를 넣은 후 전해액(70)에 콘덴서용 소자(60)를 함침시키므로서 콘덴서용 소자(60)의 표면에 유전체층을 형성시킨다.Referring to FIG. 2, a tantalum capacitor manufacturing apparatus is described. First, a capacitor element 60 used to manufacture a tantalum capacitor is mixed with a D-Camper that acts as an adhesive to a tantalum powder in a forming step, and then a solvent is used. Remove dry. In this state, the tantalum powder is weighed to form a cylindrical or square pellet, and then a tantalum wire (not shown), which is a positive electrode lead, is inserted into a predetermined density. The capacitor element 60 formed in the molding step is included in the capacitor element 60 by applying a high temperature heat in vacuum after the capacitor element 60 is loaded in a vacuum sintering furnace (not shown) in the sintering step. The condenser element 60 is sintered at the same time while removing the adhesive. In the sintering step and then in the chemical conversion step, the capacitor element 60 is placed in the reactor 50 and then a dielectric layer is formed on the surface of the capacitor element 60 by impregnating the capacitor element 60 in the electrolyte solution 70. .
상기 반응기(50)의 일측에는 배출파이프(92)를 통해 진공펌프(90)가 접속되고, 상기 반응기(50)의 다른 일측에는 공급파이프(82)를 통해 전해액저장탱크(80)가 접속된다. 상기 진공펌프(90)와 반응기(50)의 사이에 위치하도록 배출밸브(94)가 배출파이프(92)에 설치되고, 상기 전해액저장탱크(80)와 반응기(50)의 사이에 위치하도록 공급밸브(84)가 공급파이프(82)에 설치된다. 상기 반응기(50)의 내부에 벨트(62)에 착설된 콘덴서용 소자(60)를 위치시킨 후 배출밸브(94) 및 진공펌프(90)를 이용하여 반응기(50)의 내부에 존재하는 공기를 배출파이프(92)를 통해 외부로 배출시킨다. 상기 진공펌프(90)에 의해 반응기(50)의 내부에 존재하는 공기가 배출파이프(92)를 통해 외부로 배출되면 반응기(50)의 내부가 진공상태로 변환된다. 상기 반응기(50)의 내부가 진공상태로 변환되면 콘덴서용 소자(60)의 내부에 존재하는 공기 및 수분이 외부로 빠져 나오게 되므로 콘덴서용 소자(60)의 내부에는 수분 및 공기가 모두 제거된다.One side of the reactor 50 is connected to the vacuum pump 90 through the discharge pipe 92, the other side of the reactor 50 is connected to the electrolyte storage tank 80 through the supply pipe 82. A discharge valve 94 is installed in the discharge pipe 92 so as to be located between the vacuum pump 90 and the reactor 50, and a supply valve is located between the electrolyte storage tank 80 and the reactor 50. 84 is provided in the supply pipe 82. After placing the condenser element 60 mounted on the belt 62 inside the reactor 50, the air existing in the reactor 50 is discharged using the discharge valve 94 and the vacuum pump 90. Discharge to the outside through the discharge pipe (92). When the air existing in the reactor 50 is discharged to the outside through the discharge pipe 92 by the vacuum pump 90, the inside of the reactor 50 is converted into a vacuum state. When the inside of the reactor 50 is converted to a vacuum state, since the air and moisture present in the condenser element 60 are released to the outside, both the moisture and the air are removed in the condenser element 60.
상기 반응기(50)의 내부가 진공인 상태에서 공급밸브(84)를 조작하여 전해액저장탱크(80)에 있는 전해액(70)이 반응기(50)의 내부로 공급되도록 한다. 상기 전해액(70)이 반응기(50)의 내부로 공급되면 콘덴서용 소자(60)가 전해액(70)에 함침된다. 상기 전해액(70)은 콘덴서용 소자(60)의 상면에 일치하도록 공급된다. 상기콘덴서용 소자(60)가 전해액(70)에 함침되면 전해액(70)은 콘덴서용 소자(60)에 형성된 공극에 원활하게 주입되므로 함침성이 향상된다. 상기 콘덴서용 소자(60)가 전해액(70)에 일정한 시간동안 함침시킨 후 전해액(70)을 반응기(50)로부터 전해액저장탱크(80)측으로 배출시키게 되면 콘덴서용 소자(60)에는 유전체층이 형성되므로 콘덴서용 소자(60)는 내전압 특성 및 용량이 증대된다.By operating the supply valve 84 in a state where the inside of the reactor 50 is a vacuum, the electrolyte 70 in the electrolyte storage tank 80 is supplied to the inside of the reactor 50. When the electrolyte solution 70 is supplied into the reactor 50, the capacitor element 60 is impregnated into the electrolyte solution 70. The electrolyte 70 is supplied to match the upper surface of the capacitor element 60. When the capacitor element 60 is impregnated with the electrolyte 70, the electrolyte 70 is smoothly injected into the pores formed in the capacitor element 60, so that the impregnation property is improved. When the capacitor element 60 is impregnated in the electrolyte 70 for a predetermined time and then discharge the electrolyte 70 from the reactor 50 to the electrolyte storage tank 80 side, a dielectric layer is formed in the capacitor element 60 The capacitor element 60 has increased withstand voltage characteristics and capacity.
이상 설명에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 탄탈륨 콘덴서를 제조하는 공정에서 콘덴서용 소자의 표면에 유전체층을 형성시키기 위해서는 소결된 콘덴서용 소자의 내부에 존재하는 공기 및 수분을 완전히 제거한 후 전해액에 콘덴서용 소자를 함침시켜야 한다. 따라서, 상기 콘덴서용 소자를 반응기에 넣은 후 반응기의 내부에 존재하는 공기를 진공펌프를 이용하여 외부로 배출시키게 되면 콘덴서용 소자의 내부에 존재하는 공기 및 수분도 함께 빠져 나오게 된다. 상기 반응기의 내부를 진공상태로 변환시킨 후 전해액저장탱크에 존재하는 전해액을 반응기의 내부로 공급하게 되면 전해액에 콘덴서용 소자가 함침된다. 상기 콘덴서용 소자의 내부에는 공기 및 수분이 존재하지 않으므로 콘덴서용 소자는 전해액에 완벽하게 함침되어 콘덴서용 소자의 표면에 유전체층이 원활하게 형성된다.As can be seen from the above description, in order to form a dielectric layer on the surface of a capacitor element in the process of manufacturing a tantalum capacitor, the present invention completely removes air and moisture present in the sintered capacitor element and then condenses the electrolyte. The device must be impregnated. Therefore, when the condenser element is put into a reactor and the air existing in the reactor is discharged to the outside using a vacuum pump, the air and moisture present in the condenser element also come out together. When the inside of the reactor is converted into a vacuum state and the electrolyte solution present in the electrolyte storage tank is supplied into the reactor, the capacitor element is impregnated in the electrolyte solution. Since air and moisture do not exist inside the capacitor element, the capacitor element is completely impregnated with the electrolyte so that a dielectric layer is smoothly formed on the surface of the capacitor element.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010063937A KR20030033148A (en) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | Device for making tantalum condenser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010063937A KR20030033148A (en) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | Device for making tantalum condenser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030033148A true KR20030033148A (en) | 2003-05-01 |
Family
ID=29565007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010063937A KR20030033148A (en) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | Device for making tantalum condenser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20030033148A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101251990B1 (en) * | 2011-11-17 | 2013-04-08 | 주식회사 에너솔 | Apparatus and method for manufacturing aluminum polymer capacitor |
-
2001
- 2001-10-17 KR KR1020010063937A patent/KR20030033148A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101251990B1 (en) * | 2011-11-17 | 2013-04-08 | 주식회사 에너솔 | Apparatus and method for manufacturing aluminum polymer capacitor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013145924A (en) | Hermetically sealed capacitor assembly | |
| JPH05121274A (en) | Solid electrolytic capacitor and its manufacture | |
| US3286136A (en) | Fabrication of electrodes from modular units | |
| KR20030033148A (en) | Device for making tantalum condenser | |
| JP4803741B2 (en) | Manufacturing method of solid electrolytic capacitor | |
| KR100280293B1 (en) | Method of manufacturing tantalum capacitor | |
| KR100273390B1 (en) | Method of expanding dielectric surface area of tantalum capacitor | |
| JP2000068160A (en) | Ta SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND ITS MANUFACTURE | |
| RU2790858C1 (en) | Method for manufacturing a cathode coating based on an electrically conductive polymer and a solid-state electrolytic capacitor with improved capacitive characteristics | |
| KR100654998B1 (en) | Method for manufacturing a capacitor using conducting polymer | |
| RU2816258C1 (en) | Method of making cathode coating based on electroconductive polymer and solid-state electrolytic capacitor with low equivalent series resistance and high realization of anode capacitance | |
| JP3763052B2 (en) | Manufacturing method of aluminum solid electrolytic capacitor | |
| JPS63124511A (en) | Aluminum solid electrolytic capacitor | |
| KR20000001137A (en) | Method for drying tantalum element in which dielectric layer is formed | |
| WO2022163400A1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method for producing solid electrolytic capacitor | |
| JP2001155965A (en) | Manufacturing method of solid electrolytic capacitor | |
| KR200277450Y1 (en) | Deeping vessel | |
| KR20020081745A (en) | Method for making tantalum capacitor | |
| KR200368997Y1 (en) | Saturation vessel for manufacturing condenser | |
| KR20030032252A (en) | Condenser | |
| KR20030032251A (en) | Method for making a condenser | |
| KR20000001138A (en) | Capacitor making method using conductive high-polymer | |
| JP5271023B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
| KR100288167B1 (en) | Impreganating Method in MnO2 solution of Tantal electrolytic capacitor | |
| JPH0645201A (en) | Solid electrolytic capacitor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |