KR20030006784A - An exposure system for forming circuit, and a process of exopsure using the thereof - Google Patents

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KR20030006784A
KR20030006784A KR1020010042696A KR20010042696A KR20030006784A KR 20030006784 A KR20030006784 A KR 20030006784A KR 1020010042696 A KR1020010042696 A KR 1020010042696A KR 20010042696 A KR20010042696 A KR 20010042696A KR 20030006784 A KR20030006784 A KR 20030006784A
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Abstract

PURPOSE: An exposure apparatus for forming patterns and an exposure method using the same are provided to reduce a price of the exposure apparatus by installing a transparent uneven sheet between a light source and a fixing portion for pattern forming substrate. CONSTITUTION: A light source(1) is used for generating scattered light. A fixing portion(10) is installed at a lower portion of the light source(1) in order to support a pattern forming substrate(3). One or more transparent uneven sheets(4) are located between the fixing portion(10) and the light source(1). One ore more reflective mirrors can be installed between the light source(1) and the transparent uneven sheet(4). The transparent uneven sheet(4) has an uneven portion having a section of a semicircular shape or a triangular shape or a trapezoidal shape. The transparent uneven sheet(4) is formed with acryl resin or polyester resin or polycarbonate resin or glass.

Description

패턴형성용 노광장치 및 이를 이용한 노광방법 {An exposure system for forming circuit, and a process of exopsure using the thereof}Exposure apparatus for pattern formation and exposure method using the same {An exposure system for forming circuit, and a process of exopsure using the IEC}

본 발명은 패턴형성용 노광장치 및 이를 이용한 노광방법에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure apparatus for pattern formation and an exposure method using the same.

패턴형성용 노광장치는 패턴형성용 기판(3) 상에 형성된 감광성 수지층(3a)에 광을 조사하여 광이 조사된 부분(패턴형성 부분)의 감광성 수지들을 광중합시키는데 사용되는 장치이다.The exposure apparatus for pattern formation is an apparatus used for photopolymerizing the photosensitive resin of the part (pattern formation part) to which light was irradiated by irradiating light to the photosensitive resin layer 3a formed on the pattern formation substrate 3.

패턴형성용 노광장치는 반도체, 인쇄회로기판(이하 "PCB"라고 한다), 플라즈마 디스플레이 페널(이하 "PDP"라고 한다) 등에 회로, 전극 또는 격벽을 형성하기 위해 일정 패턴을 형성하는 리소그라피 공정에서 회로형성에 매우 중요한 역할을 한다.A pattern forming exposure apparatus is a circuit in a lithography process in which a pattern is formed to form a circuit, an electrode, or a partition wall in a semiconductor, a printed circuit board (hereinafter referred to as "PCB"), a plasma display panel (hereinafter referred to as "PDP"), or the like. Plays a very important role in formation.

특히 회로의 집적도를 높이기 위해 요구되는 높은 해상도는 노광장치의 성능에 많은 영향을 받는다.In particular, the high resolution required to increase the integration of the circuit is greatly affected by the performance of the exposure apparatus.

종래 패턴형성용 노광장치로는 도 1과 같이 광원(1)에서 나오는 산란광(6)을 반사경(2)을 통해 그대로 패턴형성용 기판(3)의 감광성 수지층(3a)에 조사해주는 장치와, 도 2와 같이 집광렌즈(5)와 평행반사경(2b)을 사용하여 광원(1)에서 나오는 산란광(6)을 평행광(7)으로 전환시킨 다음 이를 패턴형성용 기판(3)의 감광성 수지층(3a)에 조사해 주는 장치가 널리 사용되어 왔다.As a conventional pattern forming exposure apparatus, an apparatus for irradiating the photosensitive resin layer 3a of the pattern forming substrate 3 with the scattered light 6 emitted from the light source 1 through the reflecting mirror 2 as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the scattered light 6 emitted from the light source 1 is converted into the parallel light 7 by using the condenser lens 5 and the parallel reflector 2b, and then the photosensitive resin layer of the pattern forming substrate 3 is converted. Apparatus for irradiating (3a) has been widely used.

도 1과 같이 산란광(6)을 그대로 조사해 주는 종래 노광장치는 평행광(7)을 조사해주는 노광장치에 비해 해상도가 떨어져 회로의 집적도가 저하되어 미세회로를 형성하기 어렵다. 이로인해 제품의 크기 및 무게를 줄일수 없게되고 제조비용도 증가하게 된다.As shown in FIG. 1, the conventional exposure apparatus that irradiates the scattered light 6 as it is, has a lower resolution than the exposure apparatus that irradiates the parallel light 7, and thus, the degree of integration of the circuit is lowered, making it difficult to form a fine circuit. This makes it impossible to reduce the size and weight of the product and increases the manufacturing cost.

도 9 및 도 10에는 평행광(7)을 조사하는 것에 비해 산란광(6)을 그대로 조사하면 라인 폭이 증가하고, 스페이스 폭은 좁아져 회로집적도가 저하되고 미세회로 형성에 불리하게 되는 원리가 상세하게 도시되어 있다.9 and 10 show the principle that when the scattered light 6 is irradiated as it is, the line width increases, the space width becomes narrower, the circuit density decreases, and the microcircuit is disadvantageous. Is shown.

한편, 도 2와 같이 집광렌즈(5)와 평행반사경(2b)을 사용하여 산란광(6)을 평행광(7)으로 전환시켜주는 종래 노광장치는 미세패턴 형성에는 유리하나, 집광렌즈(5)와 평행반사경(2b)이 고가인 단점이 있다. 또한 상기 노광장치는 집광렌즈(5)와 평행반사경의 위치 및 각도 등의 조정에 필요한 설비 및 진동방지 설비 등이 필요하며, 조작도 복잡한 문제가 있었다.Meanwhile, a conventional exposure apparatus for converting the scattered light 6 into parallel light 7 using the condenser lens 5 and the parallel reflector 2b as shown in FIG. 2 is advantageous for forming a fine pattern, but the condenser lens 5 There is a disadvantage that the parallel reflector 2b is expensive. In addition, the exposure apparatus requires a facility for adjusting the position and angle of the condenser lens 5 and the parallel reflector, an anti-vibration facility, and the like, and has a complicated operation.

본 발명의 목적은 이와 같은 종래 패턴형성용 노광설비의 문제점들을 해결하기 위하여, 산란광(6)을 평행광(7)으로 보다 용이하게 전환시킬 수 있는 수단을 갖는 노광설비를 제공하기 위한 것이다. 또다른 본 발명의 목적은 상기 노광장치를 사용하여 패턴형성용 기판 상에 미세회로를 용이하게 형성하는 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an exposure apparatus having means capable of more easily converting scattered light 6 into parallel light 7 in order to solve such problems of the conventional exposure apparatus for pattern formation. Another object of the present invention is to provide a method for easily forming a microcircuit on a pattern forming substrate using the exposure apparatus.

본 발명은 광원(1)과 패턴형성용 기판의 고정수단(10) 사이에 산란광(6)을 평행광(7)으로 전환시키는 투명요철시트(4)가 설치되어 설비가 간단하고, 저렴하고, 조작이 용이하며, 미세회로 형성이 가능한 패턴형성용 노광장치를 제공하고자 한다. 아울러, 본 발명은 상기 패턴형성용 노광장치를 사용하여 패턴형성용 기판(3)을 노광시키는 방법을 제공하고자 한다.In the present invention, the transparent concave-convex sheet 4 for converting the scattered light 6 into parallel light 7 is installed between the light source 1 and the fixing means 10 of the pattern forming substrate, so that the facility is simple and inexpensive. An object of the present invention is to provide a pattern forming exposure apparatus that is easy to operate and that can form a fine circuit. In addition, the present invention is to provide a method for exposing the pattern forming substrate 3 using the pattern forming exposure apparatus.

도 1 ~ 도 2는 종래 패턴형성용 노광장치의 개략도1 to 2 are schematic views of a conventional exposure apparatus for pattern formation

도 3 ~ 도 4는 본 발명의 패턴형성용 노광장치의 개략도3 to 4 are schematic views of a pattern forming exposure apparatus of the present invention.

도 5 (a)~(d)는 투명요철시트의 길이방향 단면 예시도5 (a) to (d) is an exemplary cross-sectional view in the longitudinal direction of the transparent uneven sheet

도 6은 실시예 1 ~ 실시예 3에서의 투명요철시트들의 배열 상태도6 is a state diagram of the arrangement of the transparent uneven sheets in Embodiments 1 to 3

도 7은 실시예 4 ~ 실시예 9에서 사용하는 투명요철시트 내 요철 배열 상태를 나타내는 평면도7 is a plan view showing an uneven arrangement state in the transparent uneven sheet used in Examples 4 to 9.

도 8은 실시예 10 ~ 실시예 12에서의 투명요철시트들의 배열 상태도8 is an arrangement state diagram of transparent concave-convex sheets in Example 10 to Example 12

도 9는 산란광을 사용한 노광공정의 모식도9 is a schematic view of an exposure step using scattered light;

도 10은 평행광을 사용한 노광공정의 모식도10 is a schematic view of an exposure step using parallel light;

도 11(a)~(c)는 반원형 요철 단면 형태를 나타내는 예시도11 (a) to 11 (c) are exemplary views showing a semicircular uneven cross-sectional shape.

※ 도면중 주요부분에 대한 부호설명※ Explanation of Codes of Major Parts

1 : 광원 2 : 반사경 2a : 광원반사경DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light source 2 Reflector 2a Light source reflector

2b : 평행반사경(Collimating mirror) 2c : 평면반사경2b: collimating mirror 2c: plane reflecting mirror

3 : 패턴형성용 기판 3a : 패턴형성용 기판의 감광성 수지층3: substrate for pattern formation 3a: photosensitive resin layer of substrate for pattern formation

4 : 투명요철시트 5 : 집광렌즈(Fly eye lens) 6 : 산란광4 transparent concave-convex sheet 5 fly eye lens 6 scattered light

7 : 평행광 9 : 패턴마스크 10 : 패턴형성용 기판의 고정수단7 parallel light 9 pattern mask 10 fixing means of substrate for pattern formation

L1,L2: 라인 폭(Line width) S1,S2: 스페이스 폭(Space width)L 1 , L 2 : Line width S 1 , S 2 : Space width

h : 반원형 요철의 높이 r : 원형구의 반경h: Height of semicircular irregularities r: Radius of circular sphere

이와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 패턴형성용 노광장치는, 광원(1)과 패턴형성용 기판의 고정수단(10)을 포함하는 패턴형성용 노광장치에 있어서, 상기 광원(1)과 패턴형성용 기판의 고정수단(10) 사이에 일측면 또는 양측면에 요철이 형성되어 있는 1개 이상의 투명요철시트(4)가 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.The pattern forming exposure apparatus of the present invention for achieving such a problem comprises a light source 1 and a pattern forming exposure apparatus comprising a fixing means 10 of a pattern forming substrate, wherein the light source 1 and the pattern It is characterized in that at least one transparent concave-convex sheet (4) having irregularities formed on one or both sides between the fixing means (10) of the forming substrate.

또한, 본 발명의 노광방법은 감광성수지(3a)가 라미네이팅된 패턴형성용 기판(3)을 노광시켜 회로를 형성함에 있어서, 일측면 또는 양측면에 요철이 형성되어 있는 1개 이상의 투명요철시트(4)를 사용하여 광원(1)으로 부터 발산되는 산란광(6)을 평행광(7)으로 전환시킨 후, 이를 패턴형성용 기판(3) 상의 감광성수지(3a)에 조사시킴을 특징으로 한다.In addition, in the exposure method of the present invention, in forming a circuit by exposing the pattern-forming substrate 3 on which the photosensitive resin 3a is laminated, at least one transparent concave-convex sheet 4 having unevenness on one or both sides is formed. And converts the scattered light 6 emitted from the light source 1 into parallel light 7 and then irradiates the photosensitive resin 3a on the substrate 3 for pattern formation.

이하, 첨부된 도면 등을 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 도 3과 같이 상단부에는 산란광을 내는 광원(1), 하단부에는 패턴형성용 기판(3)을 지지하는 고정수단(10) 및 상기 광원(1)과 고정수단(10) 사이에 위치하는 1개 이상의 투명요철시트(4)로 구성된다. 또한 본 발명은 도 4와 같이상기 광원(1)과 투명요철시트(4) 사이에 1개 이상의 반사경이 추가 될 수도 있다.3 is a light source 1 emitting scattered light at an upper end portion, a fixing means 10 supporting a pattern forming substrate 3 at a lower end portion thereof, and a position between the light source 1 and the fixing means 10, as shown in FIG. It consists of one or more transparent concavo-convex sheets 4. In addition, in the present invention, one or more reflecting mirrors may be added between the light source 1 and the transparent uneven sheet 4 as shown in FIG. 4.

이때 반사경으로는 광원반사경(2a)과 평면반사경(2c)을 함께 사용하는 것이 보다 유리하다. 그 이유는 광원반사경(2a)이 광원으로부터 나오는 산란광(6) 모두를 평면 반사경(2c)으로 반사 할 수 있도록 유도하면 보다 많은 광량을 감광성 수지층(3a)에 노광시킬 수 있어서 전력소모를 감소시킬 수 있다.In this case, it is more advantageous to use the light source reflecting mirror 2a and the planar reflecting mirror 2c together. The reason is that if the light source reflector 2a is able to reflect all the scattered light 6 from the light source to the planar reflector 2c, more light can be exposed to the photosensitive resin layer 3a, thereby reducing the power consumption. Can be.

본 발명에서는 하기의 투명요철시트(4)를 사용하기 때문에 고가의 평행반사경(2b) 대신에 저렴한 평면반사경(2c)를 사용할 수 있는 장점이 있다.In the present invention, since the transparent uneven sheet 4 described below is used, an inexpensive planar reflector 2c can be used instead of the expensive parallel reflector 2b.

상기 투명요철시트(4)는 투명하면서도 광의 흡수를 줄일 수 있는 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리카보네이트계 수지 또는 유리 등의 재질로 제조한다. 또한 요철부분은 아크릴계수지로 제조하고 나머지 본체부분은 폴리에스테르 수지로 제조 할 수도 있다.The transparent concave-convex sheet 4 is made of a material such as acrylic resin, polyester resin, polycarbonate resin or glass that is transparent and can reduce light absorption. In addition, the uneven portion may be made of acrylic resin and the remaining body portion may be made of polyester resin.

일측면에만 요철이 형성된 투명요철시트(4)를 사용하는 경우에는 요철이 형성되지 않은 면이 광원방향을 향하도록 설치하여야 산란광을 평행광으로 전환시킬 수 있다.In the case of using the transparent concave-convex sheet 4 having irregularities formed on only one side thereof, the surface where the concave-convex is not formed should be installed so as to face the light source so that scattered light can be converted into parallel light.

또한 요철부분을 제외한 나머지 투명요철시트(4)의 두께는 5mm 이하가 적당하다. 두께가 5mm를 초과하여도 평행광을 만드는 성능은 저하되지 않으나, 시트(4)가 광을 많이 흡수하여 감광수지층(3a)에 동일 광량을 주기 위해서는 더 많은 광량을 조사해 주어야 하므로 제조비용이 상승하는 문제가 발생된다.In addition, the thickness of the remaining transparent uneven sheet (4) except the uneven portion is suitable 5mm or less. Even if the thickness exceeds 5mm, the performance of producing parallel light does not deteriorate. However, since the sheet 4 absorbs a lot of light and gives the same amount of light to the photosensitive resin layer 3a, the manufacturing cost increases. The problem arises.

요철부분을 제외한 나머지 투명요철시트의 두께는 바람직하기로는 1mm 이하, 더욱 바람직하기로는 0.05mm~0.3mm인 것이 좋다. 투명요철시트(4)가 플라스틱재질로 제조되는 경우 두께가 0.05mm 미만이면 시트가 평면을 유지하는데 필요한 기계적 성질이 부족해 질 수도 있다. 만약 투명요철시트(4)가 평면을 유지하지 못하면 광의 평행성을 유지 할 수 없게 된다. 그러나, 두께를 얇게하여도 투명요철시트(4)가 평면상태를 유지 할 수 있다면 그 두께는 얇을수록 유리하다.The thickness of the remaining transparent uneven sheet except the uneven portion is preferably 1 mm or less, and more preferably 0.05 mm to 0.3 mm. When the transparent concave-convex sheet 4 is made of a plastic material, if the thickness is less than 0.05 mm, the mechanical properties required to keep the sheet flat may be insufficient. If the transparent concave-convex sheet 4 does not maintain a plane, the parallelism of the light cannot be maintained. However, the thinner the thickness is advantageous if the transparent concave-convex sheet 4 can maintain a flat state even if the thickness is thin.

상기 투명요철시트(4)의 요철 단면형태는 도 5 (a) ~ 도 5 (d)와 같이 반원형, 삼각형 또는 사다리형 이다. 요철 단면형태가 반원형인 것이 가장 바람직 하다. 여기서 반원형 요철이란 요철의 최대높이(h)가 원형구의 반경(r) 이하인 도 11(a) ~ 도 11(c) 등과 같은 형태들을 포함한다.Concave-convex cross-sectional shape of the transparent concave-convex sheet 4 is a semi-circular, triangular or ladder type as shown in Figs. 5 (a) to 5 (d). Most preferably, the uneven cross section is semicircular. Here, the semi-circular irregularities include shapes such as FIGS. 11A to 11C in which the maximum height h of the irregularities is less than or equal to the radius r of the circular sphere.

또한 요철부분이 삼각형인 경우에는 꼭지각 부분을 조금 라운드지게 형성하면 평행광 효과가 더욱 증진된다. 상기 요철의 크기는 작을수록 빛을 일정한 한방향으로 진행시키는 능력과 빛을 고르게 분산하는 능력이 우수하다. 따라서 요철의 크기는 작을수록 좋다.In addition, in the case where the uneven portion is triangular, the angle of the vertex is slightly rounded to further enhance the parallel light effect. The smaller the size of the unevenness, the better the ability to propagate the light in one direction and the ability to evenly distribute the light. Therefore, the smaller the size of the unevenness, the better.

삼각형 요철의 경우 밑면의 길이가, 반원형 요철의 경우 호의 밑면의 길이가 1㎛~1cm, 더욱 바람직하기로는 20㎛~2mm인 것이 좋다. 삼각형 요철의 경우 상부 꼭지각은 120°~170°수준인 것이 바람직 하다. 요철의 크기가 상기 범위를 초과하는 경우에는 빛의 평행성이 저하될 수 있고, 상기 범위보다 작을 경우에는 빛의 평행성 측면에서는 큰 차이가 없지만 제조비용이 상승하게 된다.In the case of triangular irregularities, the length of the base is preferably 1 µm to 1 cm, more preferably 20 µm to 2 mm, in the case of semicircular irregularities. In the case of triangular irregularities, the upper corner angle is preferably 120 ° to 170 °. If the size of the unevenness exceeds the above range, the parallelism of the light may be lowered. If the size of the unevenness is smaller than the above range, there is no significant difference in terms of the parallelism of the light, but the manufacturing cost increases.

투명요철시트(4) 내에는 도 6 및 도 8과 같이 골을 형성하도록 일정방향으로 삼각기둥형 또는 반원기둥형 요철들이 형성될 수도 있고, 도 7과 같이 반원형 요철들이 서로 교차되면서 배열 될 수도 있다.6 and 8, triangular prism or semi-cylindrical irregularities may be formed in a predetermined direction to form a valley, or semicircular irregularities may be arranged while crossing each other, as illustrated in FIG. 7. .

본 발명의 투명요철시트(4)는 표면에 요철이 형성된 엠보싱로울러 사이로 투명시트를 통과시키면서 압착하여 형성할 수도 있고, 투명시트 상에 포시티브타입 감광성 수지를 라미네이팅한 후 패튼마스크로 명암을 조절(요철깊이 조절)하면서 노광시키는 방법으로 제조할 수도 있다.Transparent concave-convex sheet 4 of the present invention may be formed by pressing while passing the transparent sheet between the embossing roller formed with concave-convex on the surface, and after controlling the contrast type photosensitive resin on the transparent sheet to adjust the contrast (pattern mask) It can also manufacture by the method of exposing, adjusting depth of concavities and convexities.

평행광이라도 빛의 방향이 이상적인 한 방향으로만 직진하는 것은 아니므로 투명요철시트(4)와 패턴형성용 기판(3)과의 거리가 멀어질수록 빛이 중심으로 부터 벗어나는 정도가 점점 심해져 해상도가 저하 될 수 있다.Even with parallel light, the direction of light does not go straight in one ideal direction. As the distance between the transparent concave-convex sheet 4 and the pattern forming substrate 3 increases, the distance from the center of the light becomes more severe and the resolution becomes higher. Can be degraded.

따라서 투명요철시트(4)의 설치위치는 가능한 패턴형성용 기판(3)과 가깝게 할수록 해상도 향상에 더욱 유리하다. 바람직하기로는 투명요철시트(4)와 패턴형성용 기판(3)과의 거리를 2m 이하, 더욱 바람직하기로는 1m 이하로 조정하는 것이 좋다.Therefore, the closer the installation position of the transparent concave-convex sheet 4 is, the closer to the pattern forming substrate 3 is, the more advantageous it is for improving the resolution. Preferably, the distance between the transparent uneven sheet 4 and the pattern forming substrate 3 is adjusted to 2 m or less, more preferably 1 m or less.

상기 투명요철시트(4)의 개수는 많을수록 더욱 일정한 평행광을 얻을 수 있어 더욱 미세한 패턴형성에 유리하다. 그러나, 제조비용 및 설비공간 상의 문제들을 고려할때 투명요철시트(4)를 6개 이하로 사용하는 것이 바람직 하다.The larger the number of the transparent concave-convex sheet 4 is, the more uniform parallel light can be obtained, which is advantageous in forming a finer pattern. However, in consideration of manufacturing costs and equipment space problems, it is preferable to use six or more transparent uneven sheets 4.

또한 설비공간과 제조비용 절감을 위해 양면에 요철이 형성된 투명요철시트(4)를 사용하는 것이 바람직 하다. 양면에 요철이 형성된 투명요철시트(4)로는 상면과 하면에 각각 형성되어 있는 요철기둥의 방향이 서로 수직인 것이 더욱 바람직 하다.In addition, it is preferable to use the transparent concave-convex sheet (4) formed on both sides in order to reduce the installation space and manufacturing cost. As the transparent concave-convex sheet 4 on which the concave-convex is formed on both sides, it is more preferable that the directions of the concave-convex columns respectively formed on the upper and lower surfaces are perpendicular to each other.

반원기둥형 또는 삼각기둥형 요철이 형성된 투명요철시트(4) 2개 이상을 사용할때에는 각 시트(4)의 요철기둥 방향들이 서로 직각이 되도록(도 6 및 도 8 참조) 투명요철시트(4)들을 겹쳐 설치하는 것이 더욱 바람직 하다.When using two or more transparent concave-convex sheets (4) having semi-cylindrical or triangular cylindrical concavo-convex shapes, the concave-convex columns of each sheet (4) are perpendicular to each other (see FIGS. 6 and 8). It is more desirable to install them.

본 발명에서는 패턴형성용 기판의 고정수단(10)을 특별하게 한정하지 않는다. 통상의 노광장치와 같은 고정수단(10)을 사용하여도 무방하다. 구체적으로 불연속식인 경우에는 도 3과 같이 유리 등의 고정수단(10) 사이에 패턴형성용 기판(3)을 끼워두고, 연속적인 경우에는 도 4와 같이 앤드레스 벨트 타입의 고정수단(10)을 사용한다.In the present invention, the fixing means 10 of the substrate for pattern formation is not particularly limited. Fixing means 10 such as a conventional exposure apparatus may be used. Specifically, in the case of the discontinuous type, the pattern forming substrate 3 is sandwiched between the fixing means 10 such as glass as shown in FIG. 3, and in the case of the continuous case, the endless belt type fixing means 10 is used as shown in FIG. 4. do.

상기 노광장치를 이용한 본 발명의 노광방법은 하기 실시예를 통하여 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 하기 실시예에만 한정되는 것은 아니다.The exposure method of the present invention using the exposure apparatus will be described in detail with reference to the following examples. However, the present invention is not limited only to the following examples.

실시예 1Example 1

두께가 30㎛인 감광성의 드라이필름(듀폰사 제품)을 연마, 산세 및 수세한 동판위에 100℃의 가열고무로울러로 라미네이션 시킨 후, 상기 드라이필름 위에 배선회로패턴 마스크를 올려놓고, 그 위에 다시 커버필름을 덮고, 진공을 걸어 패턴 마스크와 드라이필름을 서로 밀착시킨다. 계속해서 상기 커버필름의 상단 30cm 지점에 요철부위를 제외한 나머지 시트(4)의 두께(이하 "시트 본체 두께"라고 한다)가 0.15mm이고, 밑면의 길이가 50㎛이고, 꼭지각이 120°인 삼각기둥형의 요철이 시트 하면에 한 방향으로 규칙적으로 배열된 도 6의 투명요철시트(4) 2장을 도 6과 같이 삼각기둥형 요철의 배열 방향이 서로 직각이 되도록 겹쳐 설치한다. 계속해서 5KW의 초고압 수은등으로 감광성 수지층(드라이필름)이 30mJ/㎠의 노광량을 받도록 광을 조사하여 감광성 수지를 경화시킨 다음 감광성 수지층을 덮고 있는 폴리에스테르 베이스 필름을 벗겨 낸다. 다음으로 현상 브레이크 포인트 60%의조건 하에서 노광처리된 감광성 수지층에 30℃의 1중량% 탄산나트륨 수용액을 30psi의 압력으로 스프레이하여 미노광 부위의 감광성 수지를 제거(현상)하여 동판위에 레지스트 패턴을 얻었다. 이들의 회로물성을 평가한 결과는 표 2와 같다.After laminating a photosensitive dry film (manufactured by DuPont) having a thickness of 30 μm with a heated rubber roller at 100 ° C. on a copper plate polished, pickled and washed, a wiring circuit pattern mask is placed on the dry film, and the cover is again covered thereon. The film is covered, and a vacuum is applied to bring the pattern mask and the dry film into close contact with each other. Subsequently, the thickness of the remaining sheet 4 (hereinafter referred to as "sheet body thickness") except for the uneven portion at the top 30 cm of the cover film is 0.15 mm, the base length is 50 µm, and the vertex angle is 120 °. The two uneven sheets of transparent concave-convex 4 of FIG. 6 regularly arranged in one direction are arranged on the lower surface of the column so that the arrangement direction of the triangular prism-shaped unevenness is perpendicular to each other. Subsequently, the photosensitive resin layer (dry film) is irradiated with light such that the photosensitive resin layer (dry film) receives an exposure dose of 30 mJ / cm 2 with an ultra-high pressure mercury lamp of 5 KW, and then the polyester base film covering the photosensitive resin layer is peeled off. Next, a 1 wt% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. was sprayed at a pressure of 30 psi to a photosensitive resin layer exposed to light under conditions of a developing break point of 60% to remove (developed) the photosensitive resin at an unexposed portion, thereby obtaining a resist pattern on the copper plate. . The result of evaluation of these circuit physical properties is shown in Table 2.

실시예 2 ~ 실시예 12Example 2 to Example 12

노광량, 투명요철시트의 요철형태, 투명요철시트의 개수 및 투명요철시트의 배열 형태를 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정 및 조건으로 동판위에 레지스트 패턴을 얻었다. 이들의 회로물성을 평가한 결과는 표 2와 같다.The resist pattern was obtained on the copper plate by the same process and conditions as Example 1 except having changed the exposure amount, the uneven | corrugated form of a transparent uneven | corrugated sheet, the number of transparent uneven | corrugated sheets, and the arrangement | positioning form of a transparent uneven | corrugated sheet as shown in Table 1. The result of evaluation of these circuit physical properties is shown in Table 2.

제조조건Manufacture conditions 구분division 노광량(mJ/㎠)Exposure amount (mJ / ㎠) 투명요철시트 스펙Transparent uneven sheet specification 요철형태Irregularities 요철직경 또는밑변길이(㎛)Uneven diameter or base length (㎛) 꼭지각각도(°)Tip angle (°) 사용개수Number of use 요철 및 시트배열형태Uneven and sheet arrangement 실시예1Example 1 3030 삼각기둥형Triangular prism type 50(밑변길이)50 (base length) 120120 2개2 도 66 실시예2Example 2 4040 삼각기둥형Triangular prism type 30(밑변길이)30 (base length) 120120 2개2 도 66 실시예3Example 3 5050 삼각기둥형Triangular prism type 20(밑변길이)20 (base length) 120120 2개2 도 66 실시예4Example 4 3030 반원형Semicircular 50(직경)50 (diameter) -- 1개One 도 77 실시예5Example 5 4040 반원형Semicircular 50(직경)50 (diameter) -- 1개One 도 77 실시예6Example 6 5050 반원형Semicircular 50(직경)50 (diameter) -- 1개One 도 77 실시예7Example 7 3030 반원형Semicircular 50(직경)50 (diameter) -- 2개2 도 77 실시예8Example 8 4040 반원형Semicircular 50(직경)50 (diameter) -- 2개2 도 77 실시예9Example 9 5050 반원형Semicircular 50(직경)50 (diameter) -- 2개2 도 77 실시예10Example 10 3030 반원기둥형Semi-cylindrical 50(직경)50 (diameter) -- 2개2 도 88 실시예11Example 11 4040 반원기둥형Semi-cylindrical 50(직경)50 (diameter) -- 2개2 도 88 실시예12Example 12 5050 반원기둥형Semi-cylindrical 50(직경)50 (diameter) -- 2개2 도 88

※ 노광량은 패턴마스크 밑에서 감광수지층(3a)이 받는 광량이다.※ The exposure amount is the amount of light received by the photosensitive resin layer 3a under the pattern mask.

※ 실시예 7 ~ 실시예 9에서는 도 7의 시트 2장을 각 시트의 요철들이 서로 어긋나서 교차하도록 배열 하였다.* In Examples 7 to 9, two sheets of FIG. 7 were arranged such that the irregularities of the sheets alternated with each other.

비교실시예 1Comparative Example 1

삼각형요철을 갖는 투명요철시트를 설치, 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정 및 조건으로 동판위에 레지스트 패턴을 얻었다. 이들의 회로물성을 측정한 결과는 표 2와 같다.The resist pattern was obtained on the copper plate by the same process and conditions as Example 1 except not having provided and used the transparent uneven | corrugated sheet which has triangular unevenness | corrugation. The result of measuring these circuit physical properties is shown in Table 2.

비교실시예 2Comparative Example 2

삼각형요철을 갖는 투명요철시트를 설치, 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 공정 및 조건으로 동판위에 레지스트 패턴을 얻었다. 이들의 회로물성을 측정한 결과는 표 2와 같다.The resist pattern was obtained on the copper plate by the same process and conditions as Example 2 except the transparent uneven | corrugated sheet which has triangular irregularities was not installed and used. The result of measuring these circuit physical properties is shown in Table 2.

비교실시예 3Comparative Example 3

삼각형요철을 갖는 투명요철시트를 설치, 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 공정 및 조건으로 동판위에 레지스트 패턴을 얻었다. 이들의 회로물성을 측정한 결과는 표 2와 같다.The resist pattern was obtained on the copper plate by the same process and conditions as Example 3 except the transparent uneven | corrugated sheet which has triangular irregularities was not installed and used. The result of measuring these circuit physical properties is shown in Table 2.

비교실시예 4Comparative Example 4

투명요철시트 대신에 도 2와 같이 집광렌즈와 평행반사경을 설치, 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정 및 조건으로 동판위에 레지스트 패턴을 얻었다. 이들의 회로물성을 측정한 결과는 표 2와 같다.A resist pattern was obtained on the copper plate under the same processes and conditions as in Example 1 except that a condensing lens and a parallel reflector were installed and used instead of the transparent concave-convex sheet. The result of measuring these circuit physical properties is shown in Table 2.

비교실시예 5Comparative Example 5

투명요철시트 대신에 도 2와 같이 집광렌즈와 평행반사경을 설치, 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 공정 및 조건으로 동판위에 레지스트 패턴을 얻었다. 이들의 회로물성을 측정한 결과는 표 2와 같다.A resist pattern was obtained on the copper plate under the same process and conditions as in Example 2 except that a condensing lens and a parallel reflector were installed and used instead of the transparent concave-convex sheet. The result of measuring these circuit physical properties is shown in Table 2.

비교실시예 6Comparative Example 6

투명요철시트 대신에 도 2와 같이 집광렌즈와 평행반사경을 설치, 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 공정 및 조건으로 동판위에 레지스트 패턴을 얻었다. 이들의 회로물성을 측정한 결과는 표 2와 같다.A resist pattern was obtained on the copper plate under the same processes and conditions as in Example 3 except that instead of the transparent concave-convex sheet, a condenser lens and a parallel reflector were installed and used. The result of measuring these circuit physical properties is shown in Table 2.

회로물성평가 결과Circuit property evaluation result 구 분division 세선밀착력(㎛)Fine wire adhesion (㎛) 해상도(㎛)Resolution (μm) 실시예1Example 1 3131 2626 실시예2Example 2 2525 3232 실시예3Example 3 2121 4040 실시예4Example 4 3030 2323 실시예5Example 5 2525 3030 실시예6Example 6 2121 4040 실시예7Example 7 3232 2121 실시예8Example 8 2626 2929 실시예9Example 9 2121 3838 실시예10Example 10 3131 2222 실시예11Example 11 2626 3030 실시예12Example 12 2121 3939 비교실시예1Comparative Example 1 3030 3535 비교실시예2Comparative Example 2 2525 4343 비교실시예3Comparative Example 3 2020 5454 비교실시예4Comparative Example 4 3131 2424 비교실시예5Comparative Example 5 2626 3131 비교실시예6Comparative Example 6 2222 4040

※ 상기 해상도는 회로라인 사이의 최소폭을 나타낸 값이고, 세선밀착력은 동판위에 붙어있는 최소 회로폭을 나타낸 값이다.※ The above resolution is the minimum width between circuit lines, and the thin wire adhesion is the minimum circuit width on the copper plate.

본 발명의 노광장치는 가격이 저렴하고, 조작이 용이하다. 또한 본 발명의 노광방법은 저렴한 비용으로 보다 회로집적도를 높여 미세회로를 형성 할 수 있다.The exposure apparatus of the present invention is inexpensive and easy to operate. In addition, the exposure method of the present invention can increase the circuit density at a low cost to form a fine circuit.

Claims (8)

광원(1)과 패턴형성용 기판의 고정수단(10)을 포함하는 패턴형성용 노광장치에 있어서, 상기 광원(1)과 패턴형성용 기판의 고정수단(10) 사이에 일측면 또는 양측면에 요철이 형성되어 있는 1개 이상의 투명요철시트(4)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 노광장치.In the pattern forming exposure apparatus including the light source 1 and the fixing means 10 of the pattern forming substrate, irregularities on one side or both sides between the light source 1 and the fixing means 10 of the pattern forming substrate. At least one transparent concave-convex sheet (4) having this formed thereon is provided. 1항에 있어서, 투명요철시트(4)의 요철 단면형태가 반원형, 삼각형 또는 사다리형인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 노광장치.The exposure apparatus for pattern formation according to claim 1, wherein the uneven cross-sectional shape of the transparent uneven sheet (4) is semicircular, triangular, or ladder-shaped. 1항에 있어서, 광원(1)과 투명요철시트(4) 사이에 1개 이상의 반사경(2)이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 노광장치.The exposure apparatus for pattern formation according to claim 1, wherein at least one reflector (2) is provided between the light source (1) and the transparent uneven sheet (4). 1항에 있어서, 요철기둥을 갖는 2개 이상의 투명요철시트(4)들이 요철기둥 방향이 서로 직각이 되도록 겹쳐 배열된 것을 특징으로 하는 패턴형성용 노광장치.2. The exposure apparatus for pattern formation according to claim 1, wherein at least two transparent concave-convex sheets having concave-convex columns are arranged so that the concave-convex column directions are perpendicular to each other. 1항에 있어서, 일측면에 요철이 형성된 투명요철시트(4) 중 요철이 형성된 면이 광원 반대방향으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 노광장치.The exposure apparatus for pattern formation according to claim 1, wherein the surface of which the unevenness is formed in the transparent unevenness sheet (4) having the unevenness formed on one side thereof is provided in a direction opposite to the light source. 감광성수지(3a)가 라미네이팅된 패턴형성용 기판(3)을 노광시켜 회로를 형성함에 있어서, 일측면 또는 양측면에 요철이 형성되어 있는 1개 이상의 투명요철시트(4)를 사용하여 광원(1)으로 부터 발산되는 산란광(6)을 평행광(7)으로 전환시킨 후, 이를 패턴형성용 기판(3) 상의 감광성수지(3a)에 조사시킴을 특징으로 하는 노광방법.In forming the circuit by exposing the pattern forming substrate 3 on which the photosensitive resin 3a is laminated, the light source 1 is formed by using one or more transparent concave-convex sheets 4 having unevenness formed on one or both sides thereof. And converting the scattered light (6) emitted from the light into parallel light (7), and then irradiating the photosensitive resin (3a) on the pattern forming substrate (3). 6항에 있어서, 투명요철시트(4)의 요철 단면형태가 반원형, 삼각형 또는 사다리형인 것을 특징으로 하는 노광방법.The exposure method according to claim 6, wherein the uneven cross-sectional shape of the transparent uneven sheet (4) is semicircular, triangular or ladder-shaped. 6항에 있어서, 요철기둥을 갖는 투명요철시트(4) 2개 이상을 요철기둥 방향이 서로 직각이되도록 겹쳐 사용하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.The exposure method according to claim 6, wherein two or more transparent uneven sheets (4) having uneven pillars are used so that the uneven pillar directions are perpendicular to each other.
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