KR20020089595A - Method for amending image in process for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 이미지 보정 방법에 관한 것으로써, 자세하게는 노광 장비와 선폭(CD)계측 장비 사이에 구비된 이미지 보정 시스템을 이용하여 각 단계를 자동화하여 작업자에 의한 에라를 줄인 이미지 보정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an image correction method, and more particularly, to an image correction method in which an operator reduces an error by automating each step by using an image correction system provided between an exposure apparatus and a line width (CD) measurement apparatus.
반도체 장치의 고집적화는 공정의 복잡화를 초래하여 수율을 저하시킬 수 있다. 반도체 장치를 고집적화하면서 그에 따른 수율 저하를 방지하기 위해서는 웨이퍼 상에 형성되는 패턴들에 대한 선폭 관리가 더욱 엄격하게 이루어져야 한다. 더욱이, 사진/식각 설비의 특성에 의해 웨이퍼의 가장자리나 특정 영역에 대해서는 동일한 조건으로 정렬을 한다하더라도 선폭차가 나타나게 된다.High integration of semiconductor devices can lead to complexity of the process and lower the yield. In order to achieve high integration of semiconductor devices and to prevent a decrease in yield, the line width management of patterns formed on a wafer must be more strictly performed. Moreover, due to the characteristics of the photographic / etching equipment, line width differences may appear even when the wafers are aligned under the same conditions with respect to the edges or specific areas of the wafer.
예를 들면, 사진 설비에서 웨이퍼 가장자리 부분의 Tpr이 불균일하고, 가장자리 부분의 포커스 및 레벨링의 재현성이 부족한데, 동일한 정렬 조건의 식각 설비는 설비 구조에 따라 특정 영역의 식각률이 다르게 되어 바 패턴의 선폭은 낮은 반면, 홀 패턴의 선폭은 높게 된다.For example, in the photographic equipment, the Tpr of the edge of the wafer is uneven and the reproducibility of the focusing and leveling of the edge is insufficient. In the etching equipment of the same alignment condition, the etching rate of a specific area varies according to the equipment structure, so that the line width of the bar pattern is On the other hand, the line width of the hole pattern becomes high.
이러한 차이를 보상하기 위해 사진 공정에서 영역별로 노광시간 및 포커스 조건을 다르게 하는데, 이것을 이미지 보정이라 한다.In order to compensate for such a difference, the exposure time and the focus condition are different for each region in the photolithography process.
종래 기술에 의한 이미지 보정 방법은 먼저, 작업자에 의해 현상 후 검사에서 감광막 패턴의 풀 샷 선폭이 측정된다. 이후, 상기 감광막 패턴을 이용하여 식각이 진행된다. 상기 감광막 패턴이 제거되고, 세정 후 검사(After Cleaning Inspection)가 실시된다. 이때, 작업자에 의해 풀 샷 선폭이 측정된다. 곧, 상기 식각 공정에서 패터닝되는 상기 웨이퍼 상에 형성된 물질막 패턴의 선폭이 측정된다. 계속해서, 작업자에 의해 샷(shot) 별 스큐(skew) 검증이 이루어진다. 상기 검증을 토대로 작업자에 의해 웨이퍼의 영역별로 이미지 보정이 이루어진다. 이어서, 상기 이미지 보정에 의거 작업자는 노광 장치, 예컨대 스텝퍼(stepper)의 이미지를 변경한다.In the image correction method according to the prior art, first, the full shot line width of the photoresist pattern is measured in post-development inspection by the operator. Thereafter, etching is performed using the photoresist pattern. The photosensitive film pattern is removed, and after cleaning inspection is performed. At this time, the full shot line width is measured by the operator. In other words, the line width of the material film pattern formed on the wafer patterned in the etching process is measured. Subsequently, shot-by-shot skew verification is performed by an operator. Based on the verification, an image correction is performed for each region of the wafer by the operator. The operator then changes the image of the exposure apparatus, such as a stepper, based on the image correction.
이와 같은 종래 기술에 의한 이미지 보정 방법은 모든 과정에 작업자가 관여하므로, 선폭 측정과 관련하여 작업자의 공수가 심하고, 웨이퍼 영역별 이미지 조정시에 스큐 검증된 웨이퍼를 사용하여 대략적 눈 조정을 하기 때문에, 담당 작업자의 실수에 의한 이미지 조정에 에라가 포함될 수 있다. 또, 작업자에 따라 결과가 조금씩 달라질 수 있다. 또한, 사용되는 노광 장비들 및 식각 장비들 각각에 대한 특성이 있기 때문에, 상기 장비들 중 어느 한 장비에 대한 이미지 조정을 실시한 경우에도 그 결과를 다른 장비들에 적용하기 어려울 수 있다. 특히 식각 장비들에 대해서는 더욱 그러하다.Since the image correction method according to the related art is involved in all processes, the operator's labor is severely related to the measurement of the line width, and when the image adjustment for each wafer area is performed, rough eye adjustment is performed using a skew-proven wafer. Erra may be included in the image adjustment by mistake of the operator in charge. In addition, results may vary slightly depending on the operator. In addition, since there are characteristics of each of the exposure apparatuses and etching apparatuses used, it may be difficult to apply the result to other apparatuses even when image adjustment is performed on any one of the apparatuses. This is especially true for etching equipment.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 선폭 균일도를 개선함과 함께 고집적화에 따라 반도체 제조 공정의 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이미지 보정 방법을 제공함에 있다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to improve the above-described problems of the prior art, and provides an image correction method capable of improving the line width uniformity and preventing the yield of the semiconductor manufacturing process from being lowered due to high integration. Is in.
도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 의한 이미지 보정 방법을 단계별로 나타낸 블록도들이다.1 and 2 are block diagrams showing step by step an image correction method according to the first and second embodiments of the present invention, respectively.
도 3은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 의한 이미지 보정 방법에 사용된 이미지 보정 시스템을 포함하는 반도체 장치의 제조 설비의 개략적 구성도이다.3 is a schematic configuration diagram of a manufacturing apparatus of a semiconductor device including an image correction system used in the image correction method according to the first and second embodiments of the present invention.
도 4는 현상 후 측정한 풀 샷 선폭(full shot CD)의 분포를 나타낸다.Figure 4 shows the distribution of full shot CD (full shot CD) measured after development.
도 5는 도 4에 식각 장비의 식각 특성을 반영한 선폭 분포를 나타낸다.FIG. 5 is a line width distribution reflecting an etching characteristic of an etching apparatus in FIG. 4.
도 6은 도 5의 선폭에 따라 이미지 영역을 그룹화한 이미지 맵을 나타낸다.FIG. 6 illustrates an image map in which image regions are grouped according to the line width of FIG. 5.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *
300:노광 장치 350:이미지 보정 시스템300: exposure apparatus 350: image correction system
400:계측 설비400: measurement equipment
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 노광된 웨이퍼를 현상한후, 상기 웨이퍼 상에 형성된 감광막 패턴의 선폭을 측정하고 그 결과를 이미지 보정 시스템에 전송하는 제1 단계; 상기 감광막 패턴을 이용하여 그 하부에 형성된 하부 물질막을 식각하는 제2 단계; 상기 감광막 패턴을 제거한 다음, 상기 식각된 하부 물질막의 세정 후 선폭을 측정하여 상기 이미지 보정 시스템에 전송하는 제3 단계; 및 상기 이미지 보정 시스템의 상기 현상 후의 감광막 패턴 선폭 측정 데이터와 상기 세정 후 선폭 측정 데이터 분석 결과에 따라 노광 조건을 변경하는 제4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 보정 방법을 제공한다. 이때, 제1, 제3 및 제4 단계는 수동 또는 자동으로 이루어진다.In order to achieve the above technical problem, the present invention after the development of the exposed wafer, the first step of measuring the line width of the photosensitive film pattern formed on the wafer and transmitting the result to the image correction system; A second step of etching the lower material layer formed below the photosensitive layer pattern; Removing the photoresist pattern, measuring a line width after cleaning the etched lower material layer, and transmitting the measured line width to the image correction system; And a fourth step of changing an exposure condition according to the photosensitive film pattern line width measurement data after the development of the image correction system and the analysis result of the line width measurement data after cleaning. In this case, the first, third and fourth steps are performed manually or automatically.
또한 본 발명은 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 노광된 웨이퍼를 현상한 후, 상기 웨이퍼 상에 형성된 감광막 패턴의 선폭을 측정하고 그 결과를 식각 장비에 대한 특성 데이터가 저장된 이미지 보정 시스템에 전송하는 제1 단계 및 상기 이미지 보정 시스템의 상기 현상 후의 감광막 패턴 선폭 측정 데이터와 상기 세정 후 선폭 측정 데이터 분석 결과에 따라 노광 조건을 변경하는 제2 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 보정 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention, after developing the exposed wafer, measuring the line width of the photoresist pattern formed on the wafer and transmits the result to the image correction system stored the characteristic data for the etching equipment And a second step of changing exposure conditions according to the photosensitive film pattern line width measurement data after the development of the image correction system and the analysis result of the line width measurement data after the cleaning of the image correction system.
이와 같이, 본 발명은 현상 후의 풀 샷 선폭의 측정에서부터 식각을 실시한 다음 세정 후의 풀 샷 선폭 측정과 상기 두 측정 결과를 비교 분석하는 것과 이에 따른 노광 조건의 변경을 모두 자동화함으로써, 이미지 보정을 자동적으로 실행할 수 있다. 따라서, 작업자에 따른 선폭 변화를 방지할 수 있어, 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 선폭 분포를 개선할 수 있다. 곧, 균일한 선폭 분포를 얻을 수 있다. 또, 식각 설비에 대한 특성 데이터를 이미지 보정 시스템에 기억시켜 둠으로써 해당 식각 장비를 이용할 때는 기 기억된 특성 데이터를 이용하면되므로 선폭 분포를 적극적으로 개선할 수 있다.As described above, the present invention automatically performs image correction by performing the etching from the measurement of the full shot line width after development, and then comparing the two shot results after the full shot line width measurement after cleaning and automating the change of exposure conditions accordingly. You can run Therefore, the line width change according to the operator can be prevented, and the line width distribution of the pattern formed on the wafer can be improved. In other words, a uniform line width distribution can be obtained. In addition, by storing the characteristic data of the etching facility in the image correction system, the line width distribution can be actively improved since the stored characteristic data can be used when using the etching equipment.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 이미지 보정 방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이때, 도면은 설명의 편의를 위해 과장되게 도시한 것이다.Hereinafter, an image correction method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. At this time, the drawings are exaggerated for convenience of description.
<제1 실시예><First Embodiment>
식각에 사용되는 장비들에 대한 특성이 검증되지 않은 경우이다.The characteristics of the equipment used for etching are not verified.
구체적으로, 도 1을 참조하면, 제1 실시예에 의한 이미지 보정 방법의 제1 단계(100)는 현상 후 검사에서 풀 샷 선폭을 측정하는 단계로써, 현상 후 웨이퍼 상에 남아 있는 감광막 패턴의 선폭을 측정한다. 이때, 상기 풀 샷 선폭(full shot CD)은 종래와 마찬가지로 작업자에 의해 측정될 수도 있으나, 자동화된 선폭 측정 설비, 예컨대 자동화된 주사 전자 현미경(SEM)을 이용하여 측정하는 것이 바람직하다.Specifically, referring to FIG. 1, the first step 100 of the image correction method according to the first embodiment is a step of measuring a full shot line width in a post-development inspection, and a line width of a photoresist pattern remaining on a wafer after development. Measure In this case, the full shot CD may be measured by an operator as in the prior art, but is preferably measured using an automated line width measuring apparatus such as an automated scanning electron microscope (SEM).
제2 단계(110)는 식각 단계이다.The second step 110 is an etching step.
구체적으로, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 감광막 패턴의 하부에 형성된 하부 물질막, 예컨대 절연막 또는 도전막 등을 식각한다. 이후, 상기 감광막 패턴을 제거하고, 그 결과물을 세정한다.Specifically, the lower material layer, for example, an insulating film or a conductive film, formed under the photosensitive film pattern is etched using the photosensitive film pattern as an etching mask. Thereafter, the photoresist pattern is removed, and the resultant is washed.
제3 단계(120)는 세정 후 검사(ACI)에서 풀 샷 선폭을 측정하는 단계이다. 이 단계에서 상기 하부 물질막이 상기 감광막 패턴과 동일한 디멘젼(dimension)으로 패터닝되었지를 알 수 있게 된다. 상기 세정 후 검사에서의 풀 샷 선폭은 제1 단계(100)에서의 풀 샷 선폭 측정에서와 마찬가지로 작업자가 측정할 수도 있으나,자동화된 상기 설비를 이용하여 측정하는 것이 바람직하다.The third step 120 is measuring the full shot linewidth in a post-clean inspection (ACI). In this step, it can be seen whether the lower material layer is patterned with the same dimensions as the photoresist pattern. The full shot line width in the post-cleaning inspection may be measured by an operator as in the full shot line width measurement in the first step 100, but is preferably measured using the automated equipment.
제4 단계(130)는 상기 측정 데이터들을 입력하여 분석하는 단계이다.The fourth step 130 is a step of inputting and analyzing the measurement data.
구체적으로, 상기 측정된 상기 감광막 패턴에 대한 풀 샷 선폭 데이터들 및 상기 세정 후 검사에서 측정된 풀 샷 선폭에 대한 데이터들을 모두 도 3에 도시한 바와 같이 노광 장치(300) 및 자동화된 계측 설비(400) 사이에 구비된 이미지 보정 시스템(ICS, 350)에 입력한다. 이미지 보정 시스템(350)에 상기 풀 샷 선폭들에 대한 데이터베이스가 구축되고, 이미지 보정 시스템(350)은 이를 바탕으로 해서 상기 측정된 데이터들에 대한 분석을 수행한다.Specifically, as shown in FIG. 3, the full shot line width data of the measured photosensitive film pattern and the data of the full shot line width measured in the post-cleaning inspection are all exposed to the exposure apparatus 300 and the automated measurement equipment ( And input to an image correction system (ICS) 350 provided between 400. A database for the full shot linewidths is built up in the image correction system 350, and the image correction system 350 performs an analysis on the measured data based thereon.
제5 단계(140)는 이미지 보정을 위한 노광 조건을 변경하는 단계이다.The fifth step 140 is a step of changing an exposure condition for image correction.
구체적으로 이미지 보정 시스템(350)의 상기 선폭 측정 데이터들에 대한 분석 결과를 바탕으로 해서 보정된 이미지 맵(image map)을 노광 장치에 전송하면, 상기 노광 장치는 상기 이미지 맵에 적합하게 노광 시간이나 포커스 등이 자동적으로 조정된다.Specifically, when the image map corrected based on the analysis result of the line width measurement data of the image correction system 350 is transmitted to the exposure apparatus, the exposure apparatus may be configured to have an exposure time or the like suitable for the image map. The focus etc. are adjusted automatically.
이와 같이, 선폭의 측정에서부터 그것의 분석과 이를 통대로 이미지 보정과 노광 조건의 변경이 자동적으로 이루어지므로, 작업자의 공수를 줄임과 함께 작업자에 의한 각 단계에서의 에라 발생을 줄일 수 있다.In this way, the measurement of the line width, the analysis thereof, and the image correction and the exposure conditions are automatically made through the analysis of the line width, thereby reducing the operator's labor and reducing the occurrence of error at each step by the operator.
<제2 실시예>Second Embodiment
식각 장비들 각각에 대한 식각 특성이 검증된 경우의 이미지 보정 방법이다. 곧, 식각 장비들 각각에 대한 식각 특성이 이미지 보정 시스템(도 3의 350)에 이미 기억되어 있으므로, 식각에 따른 세정 후 검사에서의 풀 샷 선폭에 대한 측정 과정을 생략될 수 있다.An image correction method when the etching characteristics of each of the etching equipments are verified. That is, since the etching characteristics of each of the etching equipment are already stored in the image correction system 350 (FIG. 3), the measurement process for the full shot line width in the post-cleaning inspection according to the etching may be omitted.
따라서, 제2 실시예에 의한 이미지 보정 방법은 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제3 단계(200, 210, 220)로 줄일 수 있다. 제2 실시예에 의한 제1 단계(200)는 제1 실시예의 제1 단계(도 1의 100)과 동일한 단계이므로, 그에 대한 설명은 생략한다. 노광 조건을 변경하는 제3 단계(220)도 제1 실시예의 제5 단계(140)와 동일하므로 설명을 생략한다.Accordingly, the image correction method according to the second embodiment can be reduced to the first to third steps 200, 210, and 220 as shown in FIG. 2. Since the first step 200 according to the second embodiment is the same as the first step (100 in FIG. 1) of the first embodiment, description thereof will be omitted. The third step 220 of changing the exposure condition is also the same as the fifth step 140 of the first embodiment, and thus description thereof is omitted.
한편, 제2 실시예의 제2 단계(210)는 제1 실시예의 제4 단계(130)와 마찬가지로 이미지 보정 시스템(350)에 선폭 측정 자료를 입력하고, 이미지 보정 시스템(350)을 이용하여 분석하는 단계이나, 제2 실시예의 경우, 이미지 보정 시스템(350)에 식각 장비에 대한 식각 특성이 이미 기억되어 있으므로, 제2 실시예의 제2 단계(210)에서는 현상 후 검사에서 측정된 감광막 패턴의 선폭에 대한 데이터만 이미지 보정 시스템(350)에 입력된다. 입력된 데이터에 대한 분석은 제1 실시예와 동일하게 이루어진다.Meanwhile, in the second step 210 of the second embodiment, the line width measurement data is input to the image correction system 350 and analyzed using the image correction system 350, similar to the fourth step 130 of the first embodiment. In the step or the second embodiment, since the etching characteristics for the etching equipment are already stored in the image correction system 350, in the second step 210 of the second embodiment, the line width of the photoresist pattern measured in the post-development inspection is measured. Only data is input to the image correction system 350. Analysis of the input data is performed in the same manner as in the first embodiment.
도 3은 이미지 보정 방법에 사용되는 반도체 장치의 제조 설비 구성을 개략적으로 나타낸 도면으로써, 노광 장치(300), 예컨대 스텝퍼와 자동화된 계측 설비(400), 예컨대 SEM과 이미지 보정 시스템(350)으로 구성됨을 알 수 있다.FIG. 3 is a schematic view illustrating a manufacturing facility configuration of a semiconductor device used in an image correction method, and includes an exposure apparatus 300 such as a stepper and an automated measurement facility 400 such as an SEM and an image correction system 350. It can be seen.
이미지 보정 시스템(350)은 자동화된 계측 설비(400)로부터 계측된 데이터, 예를 들면 현상 후 검사에서 감광막 패턴의 선폭을 측정한 데이터 또는 식각을 실시한 다음에 실시되는 세정 후 검사에서 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 선폭을 측정한 데이터를 전송받아 이를 분석하여 이미지 보정을 위한 최적의 이미지 맵을 노광 장치(300)에 전송한다. 노광 장치(300)는 이를 토대로 각 샷에 대한 노광조건을 설정하고 이에 따라 노광을 실시한다.The image correction system 350 is formed on the wafer in the data measured from the automated metrology facility 400, for example, the data of the line width of the photoresist pattern in the post-development inspection or in the post-cleaning inspection performed after etching. The data of measuring the line width of the pattern is received and analyzed to transmit the optimal image map for image correction to the exposure apparatus 300. The exposure apparatus 300 sets exposure conditions for each shot based on this, and performs exposure accordingly.
다음에는 이미지 보정 시스템(350)에서의 데이터 분석 과정을 설명한다.Next, a data analysis process of the image correction system 350 will be described.
계측 설비(400)로부터 전송되는 현상 후 검사에서 측정한 풀 샷 선폭 데이터를 레인지(range) 별로 분리하여 동일한 레인지에 있는 샷들을 분리하여 같은 이미지를 갖도록 이미지 조건을 설정한다.The image condition is set to have the same image by separating the shots in the same range by separating the full shot linewidth data measured in the post-development inspection transmitted from the measurement facility 400 for each range.
예를 들면, 상기 측정한 선폭이 목표치(target) 대비 ±5nm 이내의 샷인 경우, 메인 샷(main shot)으로, +5nm∼+10nm이내의 샷인 경우, 제1 이미지 샷으로, +10nm∼+15nm이내의 샷인 경우, 제2 이미지 샷으로, -5nm∼-10nm이내의 샷인 경우, 제3 이미지 샷으로, -10nm∼-15nm 이내의 샷인 경우, 제4 이미지 샷으로 설정한다.For example, when the measured line width is a shot within ± 5 nm of the target, the main shot is a shot within +5 nm to +10 nm, and the first image shot is +10 nm to +15 nm. In the case of the shot within the range, the second image shot is set as the third image shot when the shot is within the range of -5 nm to -10 nm, and as the fourth image shot when the shot is within the range -10 nm to -15 nm.
이와 함께, 식각 장비의 식각 특성에 의한 이미지 변화에 대한 정보를 반영한다. 예컨대 선택된 어느 식각 장비의 식각 특성이 웨이퍼 중심 영역보다 가장자리에 형성된 패턴의 선폭이 10nm정도 작은 경우, 이를 고려하여 노광에서의 이미지 샷을 설정한다. 이러한 정보를 통해 제5 이미지 이후의 샷을 설정한다. 이어서, 상기 식각 장비에 대한 기준 정보에 의거 상기 각 이미지에 대한 노광 조건, 예컨대 노광 시간이나 노광의 세기를 설정한다.In addition, the information on the image change by the etching characteristics of the etching equipment is reflected. For example, when the line width of the pattern formed at the edge of the selected etching equipment is about 10 nm smaller than the wafer center region, the image shot in exposure is set in consideration of this. Through this information, a shot after the fifth image is set. Subsequently, an exposure condition for each of the images, for example, an exposure time or an intensity of exposure, is set based on the reference information about the etching equipment.
다음에는 도 4 내지 도 6을 참조하여, 이미지 보정 시스템(350)을 통해 이미지가 결정되는 과정을 설명한다.Next, a process of determining an image through the image correction system 350 will be described with reference to FIGS. 4 to 6.
도 4는 계측 설비(400)로부터 이미지 보정 시스템(350)에 전송된 샷 영역별현상 후 검사에서 측정된 선폭 분포를 나타낸다. 여기에 식각 장비의 식각 특성,예컨대 웨이퍼 가장자리에서의 선폭이 다른 영역에 비해 10nm정도 작은 사실을 반영하면, 도 5에 도시한 바와 같이 웨이퍼 가장자리의 선폭을 10nm 정도 증가시킨 선폭 분포가 만들어진다.4 shows the linewidth distribution measured in the post-development inspection for each shot region transmitted from the metrology facility 400 to the image correction system 350. Reflecting the etching characteristics of the etching equipment, such as the fact that the line width at the wafer edge is about 10 nm smaller than other areas, a line width distribution is obtained by increasing the line width of the wafer edge by about 10 nm as shown in FIG. 5.
이어서, 선폭 그룹별로 이미지 샷을 설정함으로써 도 6에 도시한 바와 같은 이미지 맵이 결정된다. 곧, 선폭이 245nm∼255nm인 영역은 메인 샷 영역으로, 256nm∼265nm인 영역은 제1 이미지 샷영역으로, 266nm∼275nm인 영역은 제2 이미지 샷영역으로, 235nm∼244nm인 영역은 제3 이미지 샷영역으로, 225nm∼234nm인 영역은 제4 이미지 샷영역으로 설정한다.Subsequently, an image map as shown in Fig. 6 is determined by setting image shots for each linewidth group. In other words, the region having a line width of 245 nm to 255 nm is the main shot region, the region of 256 nm to 265 nm is the first image shot region, the region of 266 nm to 275 nm is the second image shot region, and the region of 235 nm to 244 nm is the third image As the shot region, the region of 225 nm to 234 nm is set as the fourth image shot region.
이후, 이미지 보정 시스템(350)은 도 6의 이미지 맵에 따라 각 샷영역별 진행 조건을 설정한 다음, 상기 이미지 맵과 상기 진행 조건을 노광 장비(300)로 전송한다.Thereafter, the image correction system 350 sets a progress condition for each shot region according to the image map of FIG. 6, and then transmits the image map and the progress condition to the exposure apparatus 300.
이와 같이, 이미지 보정 시스템(350)은 기본 기능으로써, 입력된 현상 후 측정된 풀 샷 선폭을 적절한 레벨로 구분할 수 있는 기능과, 상기 현상 후 측정된 풀 샷 선폭과 세정 후 측정된 풀 샷 선폭을 갖고 스큐를 검증할 수 있는 기능과, 분석된 이미지 맵을 노광장치에 직접 명령을 내릴 수 있는 기능을 갖고 있다.As described above, the image correction system 350 is a basic function, and is capable of distinguishing the full shot line width measured after the input development into an appropriate level, and the full shot line width measured after the development and the full shot line width measured after the cleaning. It has a function of verifying the skew and directly giving the analyzed image map a command to the exposure apparatus.
또한, 이러한 이미지 보정 시스템(350)은 기본 정보로써 각 노광 장비에 대한 노광 시간에 따른 선폭 변화량에 대한 정보 및 각 식각 장비에 대한 선폭 분포의 특성에 대한 정보에 대한 데이터베이스를 구비하고, 각 노광 장비에 대한 기본 선폭 분포 특성에 대한 정보를 갖고 있다.In addition, the image correction system 350 includes, as basic information, a database of information on linewidth variation according to exposure time for each exposure apparatus and information on characteristics of linewidth distribution for each etching apparatus, and each exposure apparatus. Contains information about the basic linewidth distribution characteristics for.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 노광 장비로써 스텝퍼외에 스캐너를 사용할 수도 있고, SEM외의 다른 선폭 계측 장비를 이용할 수도 있을 것이다. 또, 현상 후 검사에서 측정한 선폭에 대한 데이터와 세정 후 검사에서 측정된 선폭에 대한 데이터를 동시에 이미지 보정 시스템에 전송하지 않고, 각 단계에서의 측정과 동시에 전송할 수도 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.While many details are set forth in the foregoing description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments, rather than to limit the scope of the invention. For example, a person skilled in the art may use a scanner in addition to a stepper as an exposure apparatus, or may use other line width measurement equipment other than SEM. In addition, the data on the line width measured in the post-development inspection and the data on the line width measured in the post-cleaning inspection may be transmitted simultaneously with the measurement at each step without transmitting to the image correction system at the same time. Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.
상술한 바와 같이, 본 발명은 현상 후의 풀 샷 선폭의 측정에서부터 식각을 실시한 다음 세정 후의 풀 샷 선폭 측정과 상기 두 측정 결과를 비교 분석하는 것과 이에 따른 노광 조건의 변경을 모두 자동화함으로써, 이미지 보정을 자동적으로 실행할 수 있다. 따라서, 작업자에 따른 선폭 변화를 방지할 수 있어, 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 선폭 분포를 개선할 수 있다. 곧, 균일한 선폭 분포를 얻을 수 있다. 또, 식각 설비에 대한 특성 데이터를 이미지 보정 시스템에 기억시켜 둠으로써 해당 식각 장비를 이용할 때는 기 기억된 특성 데이터를 이용하면되므로 선폭 분포를 적극적으로 개선할 수 있다.As described above, the present invention performs image correction by performing etching from the measurement of the full shot line width after development, and then comparing the two shot results with the full shot line width measurement after cleaning and automating the change of exposure conditions accordingly. It can run automatically. Therefore, the line width change according to the operator can be prevented, and the line width distribution of the pattern formed on the wafer can be improved. In other words, a uniform line width distribution can be obtained. In addition, by storing the characteristic data of the etching facility in the image correction system, the line width distribution can be actively improved since the stored characteristic data can be used when using the etching equipment.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010028266A KR100714266B1 (en) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | Method for amending image in process for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010028266A KR100714266B1 (en) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | Method for amending image in process for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020089595A true KR20020089595A (en) | 2002-11-30 |
KR100714266B1 KR100714266B1 (en) | 2007-05-02 |
Family
ID=27706051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010028266A KR100714266B1 (en) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | Method for amending image in process for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100714266B1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN111653500A (en) * | 2020-06-19 | 2020-09-11 | 上海华力集成电路制造有限公司 | Method for judging wafer yield loss |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210046905A (en) | 2019-10-18 | 2021-04-29 | 삼성전자주식회사 | method for correcting overlay and manufacturing method of semiconductor device including the same |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2001
- 2001-05-23 KR KR1020010028266A patent/KR100714266B1/en not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100714266B1 (en) | 2007-05-02 |
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