KR20020088140A - Dry etching equipment - Google Patents

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KR20020088140A
KR20020088140A KR1020010027067A KR20010027067A KR20020088140A KR 20020088140 A KR20020088140 A KR 20020088140A KR 1020010027067 A KR1020010027067 A KR 1020010027067A KR 20010027067 A KR20010027067 A KR 20010027067A KR 20020088140 A KR20020088140 A KR 20020088140A
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이동복
손권
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삼성전자 주식회사
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Abstract

PURPOSE: Dry etching equipment is provided to prevent a shadow ring and connection socket from being loosen by changing the connection method of the shadow ring and the socket for wafer edge. CONSTITUTION: The dry etching equipment comprises a process chamber, a source gas supply, a vacuum generator, a couple of plasma electrodes to generate a plasma gas by applying electric field to the source gas, a wafer shadow ring(720) for protecting the wafer edge, and a shadow ring diving unit(730) for a shadow ring pin(710).

Description

건식 식각 설비{DRY ETCHING EQUIPMENT}Dry etching equipment {DRY ETCHING EQUIPMENT}

본 발명은 건식 식각 설비에 관한 것으로, 특히, 건식 식각 공정을 수행하는데 필요한 플라즈마에 의하여 웨이퍼의 에지(edge)가 손상되는 것을 방지하는 바텀 쉐도우 링(Bottom Shadow Ring)을 구동하는데 필요한 바텀 쉐도우 링 핀(Bottom Shadow Ring pin) 및 바텀 쉐도우 링 핀을 구동시키는 구동 유닛의 결합 방법을 변경하여 바텀 쉐도우 링 핀 및 구동 유닛의 결합 불량에 따른 공정 불량을 방지한 건식 식각 설비에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a dry etching installation, and more particularly, to a bottom shadow ring pin required to drive a bottom shadow ring, which prevents the edge of a wafer from being damaged by a plasma required to perform a dry etching process. (Bottom Shadow Ring pin) and the drive method for driving the bottom shadow ring pin is changed to dry etching equipment that prevents the process failure due to the coupling failure of the bottom shadow ring pin and the drive unit.

최근 들어 반도체 기술 분야의 급속한 기술 개발에 힘입어 방대한 데이터를 단위 면적에 저장 및 단위 시간 동안 방대한 데이터를 처리할 수 있는 반도체 제품이 개발되고 있다.Recently, with the rapid development of technology in the field of semiconductor technology, semiconductor products are being developed that can store massive data in a unit area and process huge data for a unit time.

이와 같은 반도체 제품은 매우 복잡하면서 정밀한 반도체 제조 공정을 통하여 제조된다.Such semiconductor products are manufactured through highly complex and precise semiconductor manufacturing processes.

특히, 처리 속도가 빠르며 집적도가 높은 반도체 제품을 생산하기 위해서는 박막을 패터닝하기 위한 선행 공정인 사진 공정 방법 및 박막을 패터닝하는 식각 공정 방법의 개선 및 이들 공정을 진행하는 공정 설비의 높은 정밀도가 요구된다.In particular, in order to produce a high-density semiconductor product with a high processing speed, improvement of a photolithography process, an etching process for patterning a thin film, and high precision of process equipment for performing these processes are required. .

특히 식각 공정의 경우, 집적도 및 처리 속도가 낮은 반도체 제품에서는 습식 식각(wet etching) 방법으로도 원하는 성능을 갖는 반도체 제품의 생산이 가능하였지만, 처리 속도 및 집적도가 높아짐에 따라 박막 형성 정밀도가 낮은 습식 식각 대신 정밀도가 높은 건식 식각 방법이 사용되고 있다.Particularly in the etching process, semiconductor products having desired performance can be produced by wet etching method in the case of semiconductor products having low integration and processing speed. Instead of etching, a dry etching method with high precision is used.

건식 식각은 소스 가스를 전기장에 노출시켜 최외각 전자가 이탈되도록 함으로써 반응성이 매우 강한 플라즈마 가스를 생성시켜 웨이퍼 또는 웨이퍼에 이미 형성된 박막을 매우 정밀하게 패터닝한다.Dry etching exposes the source gas to an electric field, allowing the outermost electrons to escape, creating a highly reactive plasma gas that patterns the wafer or thin film already formed on the wafer with high precision.

이와 같은 건식 식각을 수행하여 박막 패터닝을 수행할 때, 플라즈마 가스는 플라즈마 가스가 식각할 수 있는 모든 물질을 식각 시킨다.When performing thin film patterning by performing such dry etching, the plasma gas etches all materials that the plasma gas can etch.

이는 실제 박막 패턴이 형성되는 부분과 함께 박막 패턴이 형성되지 않는 웨이퍼의 에지 부분도 플라즈마 가스에 의하여 식각됨을 의미한다.This means that the edge portion of the wafer where the thin film pattern is not formed together with the portion where the actual thin film pattern is formed is also etched by the plasma gas.

이처럼 웨이퍼의 에지가 식각될 경우, 후속 공정인 세정 공정 등에서 식각 과정에서 발생한 파티클에 의한 후속 공정 불량이 빈번하게 발생된다.As such, when the edge of the wafer is etched, subsequent process defects caused by particles generated during the etching process are frequently generated in a subsequent cleaning process.

최근에는 이를 방지하기 위하여 웨이퍼에 건식 식각이 수행될 때에는 웨이퍼의 에지를 “쉐도우 링(shadow ring)”으로 감싸 웨이퍼의 에지가 플라즈마에 의하여 손상 받지 않도록 하는 방법이 개발된 바 있다.Recently, in order to prevent this, a method has been developed in which the edge of the wafer is surrounded by a “shadow ring” when dry etching is performed on the wafer so that the edge of the wafer is not damaged by plasma.

이때, 식각 공정이 종료된 웨이퍼는 후속 공정으로 이송되고 새로운 웨이퍼가 공급되어야 함으로 쉐도우 링은 웨이퍼로부터 소정 거리 이격된다.At this time, the wafer after the etching process is transferred to a subsequent process and a new wafer must be supplied so that the shadow ring is spaced apart from the wafer by a predetermined distance.

이를 위해서 쉐도우 링에는 쉐도우 링 핀(shadow ring pin)이 결합되고, 쉐도우 링 핀에는 쉐도우 링 핀을 구동시키는 유압 실린더와 같은 구동 유닛이 결합된다.To this end, a shadow ring pin is coupled to the shadow ring, and a driving unit such as a hydraulic cylinder for driving the shadow ring pin is coupled to the shadow ring pin.

첨부된 도 1에는 종래 쉐도우 링 핀(10)과 도시되지 않은 구동 유닛에 의하여 변위가 발생되는 결합 소켓(20)의 결합 방법이 도시되어 있다.1, a method of joining a coupling socket 20 in which displacement is generated by a conventional shadow ring pin 10 and a driving unit (not shown) is illustrated.

먼저, 쉐도우 링 핀(10)은 마치 원통 형상을 갖는 로드 형상을 갖으며, 쉐도우 링 핀(10)의 단부에는 구(15)가 용접 등의 방법으로 고정된다.First, the shadow ring pin 10 has a rod shape as if it is a cylindrical shape, the sphere 15 is fixed to the end of the shadow ring pin 10 by welding or the like.

이와 같이 쉐도우 링 핀(10)의 단부에 구(15)를 결합시킬 경우 이들의 결합 부위에서는 소정 이격 공간이 형성된다.As described above, when the spheres 15 are coupled to the ends of the shadow ring pins 10, predetermined spaces are formed at their coupling sites.

한편, 결합 소켓(20)은 내측면에 소정 깊이를 갖는 홈(25)이 형성되고, 홈(25)에는 스프링(30)이 수납되며, 스프링(30)이 홈(25)에 수납된 상태에서 스프링(30)의 단부에는 강구(40)가 결합된다.On the other hand, the coupling socket 20 has a groove 25 having a predetermined depth is formed on the inner surface, the spring 25 is accommodated in the groove 25, the spring 30 is stored in the groove 25 The steel ball 40 is coupled to the end of the spring (30).

이와 같은 구성을 갖는 결합 소켓(20)에 구(15)가 달린 쉐도우 링 핀(10)을 삽입시킬 경우, 쉐도우 링 핀(10)과 구(15)의 결합면에 결합 소켓(20)에 형성된 강구(40)가 걸리게 되어 쉐도우 링 핀(10)은 고정된다.When the shadow ring pin 10 with the sphere 15 is inserted into the coupling socket 20 having such a configuration, the coupling ring 20 is formed on the coupling surface of the shadow ring pin 10 and the sphere 15. The steel ball 40 is caught so that the shadow ring pin 10 is fixed.

그러나, 이와 같은 방법으로 결합 소켓(20)과 쉐도우 링 핀(10)을 결합시킬경우 치명적인 공정 불량이 빈번하게 발생되는 문제점을 갖는다.However, when the coupling socket 20 and the shadow ring pin 10 are coupled in this manner, a fatal process defect frequently occurs.

구체적으로, 문제점은 쉐도우 링 핀(10)이 주기적으로 업/다운되는 과정에서 쉐도우 링 핀(10)에 결합된 구(15)의 마모, 결합 소켓(20)에 결합된 스프링(30)의 탄성력 저하, 결합 소켓(20)의 강구 마모에 의하여 발생된다.Specifically, the problem is that the wear of the sphere 15 coupled to the shadow ring pin 10 in the process of the shadow ring pin 10 is periodically up / down, the elastic force of the spring 30 coupled to the coupling socket 20 It is caused by degradation, steel ball wear of the coupling socket 20.

이처럼, 쉐도우 링 핀(10)에 결합된 구(15)의 마모, 스프링(30)의 탄성력 저하, 스프링(30)에 결합된 강구의 마모가 발생할 경우, 결합 소켓(20)과 쉐도우 링 핀(10)의 결합력이 급격히 감소되어 결합 소켓(20)으로부터 쉐도우 링 핀(10)의 이탈이 빈번하게 발생된다.As such, when the wear of the sphere 15 coupled to the shadow ring pin 10, the elastic force of the spring 30 decreases, and the wear of the steel ball coupled to the spring 30 occurs, the coupling socket 20 and the shadow ring pin ( The coupling force of 10) is drastically reduced so that detachment of the shadow ring pin 10 from the coupling socket 20 frequently occurs.

쉐도우 링 핀(10)이 결합 소켓(20)으로부터 이탈될 경우, 쉐도우 링 핀(10)이 웨이퍼의 에지를 감싸지 못하거나, 부분적으로 감쌀 수밖에 없어 결과적으로 웨이퍼의 에지가 플라즈마 가스에 의하여 손상 받게 되고, 에지가 손상된 웨이퍼는 후속 공정에서 심각한 공정 불량을 발생시키게 된다.When the shadow ring pin 10 is separated from the coupling socket 20, the shadow ring pin 10 may not wrap or partially wrap the edge of the wafer, and as a result, the edge of the wafer is damaged by plasma gas. In addition, wafers with damaged edges can cause serious process failures in subsequent processes.

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 에지를 감싸는 쉐도우 링 핀 및 결합 소켓의 결합 방법을 변경하여 쉐도우 링 핀 및 결합 소켓이 임의로 결합 해제되는 것을 방지함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to change the method of joining the shadow ring pin and the joining socket surrounding the edge of the wafer to prevent the shadow ring pin and the joining socket from being arbitrarily disengaged. have.

도 1은 종래 건식 식각 설비의 웨이퍼 에지 손상 장치의 쉐도우 링 핀 및 결합 소켓의 결합 방법을 설명하기 위한 부분 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view for explaining a method of combining the shadow ring pin and the coupling socket of the wafer edge damage device of the conventional dry etching equipment.

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 건식 식각 설비의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 웨이퍼 에지 손상 장치의 쉐도우 링 핀 및 결합 소켓의 결합 방법을 설명하기 위한 부분 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view for explaining a method of coupling the shadow ring pin and the coupling socket of the wafer edge damage device according to an embodiment of the present invention.

이와 같은 본 발명의 목적을 구현하기 위한 건식 식각 설비는 프로세스 챔버, 프로세스 챔버로 플라즈마 가스 생성용 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 장치, 프로세스 챔버 내부에 진공압을 형성하는 진공압 발생장치, 소스 가스에 소정 전계를 가하여 플라즈마 가스를 생성하며, 어느 하나에 웨이퍼가 안착되는 2 개의 플라즈마 형성용 전극 및 웨이퍼 중 박막 패턴이 형성될 곳은 개구시키고, 나머지는 웨이퍼의 에지를 감싸는 웨이퍼 쉐도우 링, 웨이퍼 쉐도우 링에 결합되는 웨이퍼 쉐도우 링 핀, 웨이퍼 쉐도우 링 핀과 나사 결합되며 웨이퍼 쉐도우 링 핀을 업/다운시키는 쉐도우 링 구동 유닛을 포함하는 웨이퍼 에지 손상 방지 장치를 포함한다.Dry etching equipment for realizing the object of the present invention is a process chamber, a source gas supply device for supplying a source gas for plasma gas generation to the process chamber, a vacuum pressure generator for forming a vacuum pressure inside the process chamber, source gas A plasma gas is generated by applying a predetermined electric field to the wafer, and the two plasma forming electrodes on which the wafer is placed and the wafer shadow ring and the wafer shadow which surround the edge of the wafer are opened while the other part is formed where the thin film pattern is to be formed. A wafer shadow ring pin coupled to the ring, the wafer shadow ring pin screw coupled with the wafer shadow ring pin and including a shadow ring drive unit to up / down the wafer shadow ring pin.

이하, 본 발명의 일실시예에 의한 건식 식각 설비의 보다 구체적인 구성 및 구성에 따른 독특한 작용 및 효과를 첨부된 도 2 이하를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a description will be given with reference to FIG. 2 or less attached to the unique operation and effects of a more specific configuration and configuration of a dry etching facility according to an embodiment of the present invention.

첨부된 도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 건식 식각 설비(950)는 전체적으로 보아 프로세스 챔버(100), 플라즈마 발생용 전극(200,800), 소스 가스 공급 장치(500), 웨이퍼 업/다운 장치(600), 웨이퍼 에지 손상 방지 장치(700) 및 진공압 발생장치(미도시)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the dry etching apparatus 950 according to an exemplary embodiment of the present invention generally includes a process chamber 100, plasma generating electrodes 200 and 800, a source gas supply device 500, and wafer up / Down apparatus 600, wafer edge damage prevention apparatus 700 and vacuum pressure generator (not shown).

구체적으로 프로세스 챔버(100)는 선행 공정이 종료된 웨이퍼(900)에 형성된 박막이 패터닝되는데 필요한 최적의 공정 조건이 형성되도록 프로세스 공간을 제공한다.Specifically, the process chamber 100 provides a process space so that an optimal process condition necessary for patterning a thin film formed on the wafer 900 where the preceding process is completed is formed.

이 프로세스 챔버(100)와 연관하여 소스 가스 공급 장치(500)가 설치된다.In association with this process chamber 100, a source gas supply device 500 is installed.

소스 가스 공급 장치(500)는 소스 가스가 저장된 소스 가스 공급 유닛(미도시), 소스 가스 공급 유닛으로부터 소스 가스가 프로세스 챔버(100) 내부로 공급되도록 하는 소스 가스 공급 배관(510) 및 바텀 가스 인젝션 링(520)으로 구성된다.The source gas supply device 500 includes a source gas supply unit (not shown) in which the source gas is stored, a source gas supply pipe 510, and a bottom gas injection to supply the source gas into the process chamber 100 from the source gas supply unit. Ring 520.

한편, 소스 가스 공급 장치(500)로부터 공급된 소스 가스를 플라즈마 상태로 만들기 위해서 프로세스 챔버(100)의 내부에는 플라즈마 발생용 전극(200,800)이 설치된다.On the other hand, in order to make the source gas supplied from the source gas supply device 500 into a plasma state, plasma generating electrodes 200 and 800 are installed in the process chamber 100.

플라즈마 발생용 전극(200,800)은 소스 가스를 플라즈마 형태로 만들기에 충분한 전계가 형성되도록 하는 제 1 전극(800) 및 제 2 전극(200)으로 구성되는 바, 프로세스 챔버(100)의 내부에 상호 대향하도록 설치된다.Plasma generating electrodes 200 and 800 are composed of a first electrode 800 and a second electrode 200 to form an electric field sufficient to form a source gas into a plasma form, and are opposed to each other inside the process chamber 100. To be installed.

본 발명에서는 일실시예로 프로세스 챔버(100)의 내부 천정에 제 1 전극(800)이 설치되고, 프로세스 챔버(100)의 내부 바닥에 제 2 전극(200)이 설치된다.In the present invention, the first electrode 800 is installed on the inner ceiling of the process chamber 100, and the second electrode 200 is installed on the inner bottom of the process chamber 100.

한편, 제 2 전극(200)의 상면에는 선행공정이 종료된 웨이퍼(900)가 웨이퍼 업/다운 장치(600)의 도움에 의하여 고정된다.On the other hand, on the upper surface of the second electrode 200, the wafer 900, in which the preceding process is completed, is fixed with the help of the wafer up / down apparatus 600.

이와 같이 소스 가스 공급장치(500)에 의하여 프로세스 챔버(100)의 내부에 소스 가스가 공급된 상태에서, 플라즈마 발생용 전극(200,800)에 전원이 인가되어 소스 가스를 플라즈마 상태로 만들기에 충분한 전계가 형성될 경우, 프로세스 챔버(100) 내부의 소스 가스는 반응성이 매우 강한 플라즈마 상태로 이온화되면서, 전자 및 중성자가 발생된다.In the state in which the source gas is supplied to the inside of the process chamber 100 by the source gas supply device 500, electric power is sufficient to supply the plasma generating electrodes 200 and 800 to make the source gas into the plasma state. When formed, the source gas inside the process chamber 100 is ionized to a highly reactive plasma state, generating electrons and neutrons.

이와 같이 프로세스 챔버(100) 내부에서 발생한 플라즈마 가스는 웨이퍼(900)에 형성된 박막을 선택적으로 식각한다.As such, the plasma gas generated in the process chamber 100 selectively etches the thin film formed on the wafer 900.

이때, 플라즈마 가스는 박막 패턴이 형성되어야 할 부분만을 식각 시키고, 박막 패턴이 형성되지 않는 웨이퍼(900)의 에지 부분은 식각 되지 않도록 한다.At this time, the plasma gas etches only the portion where the thin film pattern is to be formed, and prevents the edge portion of the wafer 900 in which the thin film pattern is not formed.

이는 웨이퍼 에지 손상 방지 장치(700)에 의하여 구현된다.This is implemented by the wafer edge damage prevention apparatus 700.

웨이퍼 에지 손상 방지 장치(700)는 웨이퍼(900) 중 박막 패턴이 형성될 부분만이 플라즈마 가스에 노출되도록 하고, 웨이퍼(900)의 에지 부분은 플라즈마 가스에 노출되지 않도록 감싸는 링 형상을 갖는 쉐도우 링(720), 쉐도우 링(720)이 업/다운 될 수 있도록 쉐도우 링(720)과 결합되는 쉐도우 링 핀(710), 쉐도우 링 핀(710)을 구동시키는 쉐도우 링 구동 유닛(730)으로 구성된다.The wafer edge damage prevention apparatus 700 exposes only a portion of the wafer 900 on which the thin film pattern is to be exposed to the plasma gas, and a shadow ring having a ring shape surrounding the edge portion of the wafer 900 so as not to be exposed to the plasma gas. 720, a shadow ring pin 710 coupled with the shadow ring 720 so that the shadow ring 720 may be up / down, and a shadow ring driving unit 730 for driving the shadow ring pin 710. .

이때, 쉐도우 링 핀(710)의 일측 단부는 쉐도우 링(720)과 결합되고, 쉐도우 링 핀(710)의 타측 단부는 쉐도우 링 구동 유닛(730)에 결합된다.At this time, one end of the shadow ring pin 710 is coupled to the shadow ring 720, the other end of the shadow ring pin 710 is coupled to the shadow ring drive unit 730.

이때, 쉐도우 링 구동 유닛(730)은 쉐도우 링 핀(710)을 구동시키는 구동 변위를 제공하는 작동 유닛(미도시), 도 3에 도시된 바와 같이 작동 유닛의 단부에 설치된 결합 소켓(735)으로 구성된다.At this time, the shadow ring drive unit 730 is an operation unit (not shown) that provides a drive displacement for driving the shadow ring pin 710, and a coupling socket 735 installed at an end of the operation unit as shown in FIG. 3. It is composed.

이때, 쉐도우 링 핀(710)과 쉐도우 링 구동 유닛(730)의 구성 요소인 결합 소켓(735)은 어떠한 상태에서도 임의의 이탈을 방지하도록 해야만 한다.At this time, the coupling socket 735, which is a component of the shadow ring pin 710 and the shadow ring driving unit 730, should be to prevent any separation in any state.

이를 구현하기 위하여 본 발명에서는 일실시예로 쉐도우 링 핀(710) 중 쉐도우 링 구동 유닛(730)의 결합 소켓(735)과 결합되는 단부에 수나사부(715)를 형성하고, 쉐도우 링 구동 유닛(730)의 결합 소켓(735)에는 쉐도우 링 핀(710)에 가공된 수나사부(715)와 나사 결합되는 암나사부(737)를 형성한다.In order to implement this, in the present invention, the male thread part 715 is formed at an end of the shadow ring pin 710 that is coupled with the coupling socket 735 of the shadow ring driving unit 730, and the shadow ring driving unit ( The coupling socket 735 of 730 forms a female thread portion 737 which is screwed with the male thread portion 715 processed in the shadow ring pin 710.

이와 같은 방식은 쉐도우 링(720)을 반복하여 업/다운하더라도 쉐도우 링 핀(710)과 결합 소켓(735)의 결합이 임의로 해제되기 어려우며, 쉐도우 링 핀(710)과 결합 소켓(735)의 분해 또한 매우 간편한 장점을 갖는다.In this manner, even if the shadow ring 720 is repeatedly up / down, it is difficult to release the shadow ring pin 710 and the coupling socket 735 arbitrarily and disassemble the shadow ring pin 710 and the coupling socket 735. It also has a very easy advantage.

본 발명에서는 일실시예로 쉐도우 링 핀(710)에 수나사부(715)를 형성하고, 결합 소켓(735)에 암나사부(737)를 형성하는 것 이외에 쉐도우 링 핀(710)과 결합 소켓(735)을 억지 끼워 맞춤하는 방법 등이 폭넓게 사용될 수 있다.In an embodiment of the present invention, in addition to forming the male thread portion 715 in the shadow ring pin 710 and the female thread portion 737 in the coupling socket 735, the shadow ring pin 710 and the coupling socket 735 are provided. ) Can be widely used.

이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 일실시예에 의한 건식 식각 설비의 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, the operation of the dry etching facility according to an embodiment of the present invention having such a configuration is as follows.

먼저, 선행 공정이 종료된 후 건식 식각 공정이 진행될 웨이퍼(900)가 프로세스 챔버(100) 내부로 이송되어 고정되도록 한다.First, after the previous process is completed, the wafer 900 to be subjected to the dry etching process is transferred into the process chamber 100 to be fixed.

이후, 웨이퍼 에지 손상 방지 장치(700)가 프로세스 챔버(100) 내부에서 고정된 웨이퍼(900)의 에지를 가압하도록 한다.Thereafter, the wafer edge damage prevention apparatus 700 pressurizes the edge of the wafer 900 fixed inside the process chamber 100.

이후, 진공압 발생장치(미도시)에 의하여 프로세스 챔버(100) 내부가 고진공압이 되도록 하고, 프로세스 챔버(100) 내부로는 소스 가스 공급 장치(500)로부터 소스 가스가 공급 되도록 한다.Thereafter, the inside of the process chamber 100 is made to have a high vacuum pressure by a vacuum pressure generator (not shown), and the source gas is supplied from the source gas supply device 500 into the process chamber 100.

이후, 플라즈마 발생용 전극(200,800)에 소스 가스가 플라즈마화 되기에 적합한 전원을 인가함으로써 소스 가스가 이온화되어 플라즈마 가스가 생성되도록 한다.Thereafter, the source gas is ionized by applying a power supply suitable for the source gas to be plasmaized to the plasma generating electrodes 200 and 800 to generate the plasma gas.

이로써, 웨이퍼 에지 손상 방지 장치(700)에 의하여 가려지는 웨이퍼(900)의 에지를 제외한 웨이퍼(900)의 전면적에 걸쳐 플라즈마 가스에 의하여 건식 식각이 이루어지도록 한다.As a result, dry etching is performed by plasma gas over the entire surface of the wafer 900 except for the edge of the wafer 900 covered by the wafer edge damage prevention apparatus 700.

이후, 웨이퍼 에지 손상 방지 장치(700)에 의하여 쉐도우 링(720)이 웨이퍼(900)로부터 소정 거리 이격된 상태에서 웨이퍼(900)는 후속 공정 설비로 이송되어 후속 공정이 진행된다.Thereafter, the wafer 900 is transferred to a subsequent process facility while the shadow ring 720 is separated from the wafer 900 by a predetermined distance by the wafer edge damage prevention apparatus 700, and the subsequent process is performed.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면 식각 공정이 진행되어서는 안될 웨이퍼의 에지를 플라즈마로부터 보호하는 쉐도우 링을 구동하는 부분에서의 결합 구조를 변경하여 쉐도우 링이 웨이퍼의 에지를 정확하게 가리지 못함으로써 발생하는 웨이퍼 에지 손상 및 후속 공정 불량을 최소화하는 효과를 갖는다.As described in detail above, the wafer edge generated by changing the coupling structure at the portion driving the shadow ring that protects the edge of the wafer, which should not be etched, from the plasma, is not accurately covered by the edge of the wafer. It has the effect of minimizing damage and subsequent process failures.

Claims (2)

프로세스 챔버;Process chambers; 상기 프로세스 챔버로 플라즈마 가스 생성용 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 장치;A source gas supply device for supplying a source gas for generating plasma gas to the process chamber; 상기 프로세스 챔버 내부에 진공압을 형성하는 진공압 발생장치;A vacuum pressure generator for forming a vacuum pressure inside the process chamber; 상기 소스 가스에 소정 전계를 가하여 플라즈마 가스를 생성하며, 어느 하나에 웨이퍼가 안착되는 2 개의 플라즈마 형성용 전극; 및Two plasma forming electrodes which generate a plasma gas by applying a predetermined electric field to the source gas and on which one wafer is placed; And 상기 웨이퍼 중 박막 패턴이 형성될 곳은 개구시키고, 나머지는 웨이퍼의 에지를 감싸는 웨이퍼 쉐도우 링, 상기 웨이퍼 쉐도우 링에 결합되는 웨이퍼 쉐도우 링 핀, 상기 웨이퍼 쉐도우 링 핀과 나사 결합되며 상기 웨이퍼 쉐도우 링 핀을 업/다운시키는 쉐도우 링 구동 유닛을 포함하는 웨이퍼 에지 손상 방지 장치를 포함하는 건식 식각 설비.Where the thin film pattern of the wafer is to be formed is opened, the rest is a wafer shadow ring surrounding the edge of the wafer, a wafer shadow ring pin coupled to the wafer shadow ring, the wafer shadow ring pin is screwed to the wafer shadow ring pin Dry etching equipment comprising a wafer edge damage prevention device including a shadow ring drive unit to up / down the pressure. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 쉐도우 링 핀 및 상기 쉐도우 링 구동 유닛 중 어느 하나에는 수나사부가 형성되고, 나머지 하나에는 암나사부가 형성되는 건식 식각 설비.The dry etching apparatus of claim 1, wherein a male thread portion is formed on one of the wafer shadow ring pin and the shadow ring driving unit, and a female thread portion is formed on the other.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20180000291A (en) * 2016-06-22 2018-01-02 램 리써치 코포레이션 Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100684901B1 (en) * 2005-05-24 2007-02-20 삼성전자주식회사 Semiconductor manufacturing equipment
KR20180000291A (en) * 2016-06-22 2018-01-02 램 리써치 코포레이션 Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring
KR20220058511A (en) * 2016-06-22 2022-05-09 램 리써치 코포레이션 Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring

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