KR20020085242A - Apparatus for fringe field switching liquid crystal display and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 게이트 전극과 카운터 전극간의 쇼트를 방지할 수 있는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a fringe field switching liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a fringe field switching liquid crystal display device and a method for manufacturing the same that can prevent a short between the gate electrode and the counter electrode.
액정표시장치(Liquid Crystal Display: 이하, LCD라 칭한다)는 경량, 박형 및 저소비전력등의 특성을 갖기 때문에 음극선관(CRT: Cathode Ray Tube)을 대신하여 각종 정보기기의 단말기 또는 비디오기기등에 사용되고 있다. 특히, 박막트랜지스(Thin Film Transister: 이하, TFT라 칭한다)가 구비된 TFT-LCD는 응답특성이 우수하고 고화소수에 적합하기 때문에 고화질 및 대형표시장치를 실현할 수 있다.Liquid crystal displays (hereinafter referred to as LCDs) are used for terminals or video devices of various information devices in place of cathode ray tubes (CRTs) because they have characteristics such as light weight, thinness, and low power consumption. . In particular, a TFT-LCD equipped with a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) has excellent response characteristics and is suitable for high pixel numbers, thereby realizing high quality and large display devices.
한편, 상기 TFT-LCD는 트위스트 네마틱(TN: Twisted Nematic) 모드를 채택하여 왔기 때문에 시야각이 협소하다는 단점이 있었지만, 최근 인플레인스위칭(In Plane Switching: 이하, IPS라 칭한다) 액정표시장치가 제안되어 상기 협소한 시야각 문제를 어느정도 해결하였다.On the other hand, the TFT-LCD has a disadvantage in that the viewing angle is narrow because it has adopted a twisted nematic (TN) mode, but recently proposed by In Plane Switching (IPS) liquid crystal display This solved the narrow viewing angle problem to some extent.
그러나, 상기 IPS-LCD는 광시야각을 실현했음에도 불구하고 카운터전극 및 화소전극이 불투명금속으로 이루어진 것에 기인하여 개구율 및 투과율이 낮은 단점을 가지고 있었다.However, the IPS-LCD has a low aperture ratio and a low transmittance due to the counter electrode and the pixel electrode being made of an opaque metal, despite the wide viewing angle.
이에, IPS-LCD가 갖고있는 낮은 개구율 및 투과율을 개선하기 위하여 프린지 필드 스위칭(Fringe Field Switching: 이하, FFS라 칭한다) 액정표시장치가 제안되었다.Accordingly, in order to improve the low aperture ratio and transmittance of the IPS-LCD, fringe field switching (hereinafter referred to as FFS) liquid crystal display has been proposed.
도 1은 종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 하부 어레이기판을 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a lower array substrate of a fringe field switching liquid crystal display according to the related art.
도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(13)과 데이타 라인(12)이 교차 배열되어 단위화소가 한정되고, 상기 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(20)가 배치된다.As shown in FIG. 1, a unit pixel is defined by crossing the gate line 13 and the data line 12, and the thin film transistor 20, which is a switching element, is disposed at the intersection.
투명 전도체로 이루어진 카운터전극(15)이 단위화소내에 배치되고 화소전극(21)이 상기 카운터전극(15)과 중첩되게 단위화소내에 배치된다. 상기 화소전극(21)도 투명 전도체로 이루어지며 상기 카운터전극(15)과 전기적으로 절연된다.A counter electrode 15 made of a transparent conductor is disposed in the unit pixel, and the pixel electrode 21 is disposed in the unit pixel so as to overlap the counter electrode 15. The pixel electrode 21 is also made of a transparent conductor and is electrically insulated from the counter electrode 15.
상기 화소전극(21)은 상기 데이타 라인(12)과 평행하면서 등간격으로 이격 배치되는 빗살 형태로 되어있고 그 일단이 TFT(20)의 소오스전극(부호 표시안됨)과 연결되어 있다.The pixel electrode 21 has a comb tooth shape parallel to the data line 12 and spaced at equal intervals, and one end thereof is connected to a source electrode (not shown) of the TFT 20.
도 2는 종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 하부 어레이기판을 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating a lower array substrate of a fringe field switching liquid crystal display according to the related art.
종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 투명성 절연기판, 예를 들어, 유리기판(11)상에 게이트 전극(13)과 공통전극(13a)이 있고, 상기 공통전극(13a)과 콘택되는 카운터전극(15)과 빗살형태의 화소전극(21)이 게이트절연막(17) 및 보호막(19)을 사이에 두고 상호 중첩되게 배치되어 있다. 또한, 활성층(18)과 소오스/드레인전극(12a)(12b)을 포함한 스위칭소자인 TFT(20)가 배치되어 있다.In the fringe field switching liquid crystal display according to the related art, as illustrated in FIG. 2, a gate electrode 13 and a common electrode 13a are disposed on a transparent insulating substrate, for example, a glass substrate 11. The counter electrode 15 and the comb-tooth shaped pixel electrode 21 contacting the common electrode 13a are disposed so as to overlap each other with the gate insulating film 17 and the passivation film 19 interposed therebetween. Further, a TFT 20 which is a switching element including the active layer 18 and the source / drain electrodes 12a and 12b is disposed.
여기서, 하부 유리기판(11)과 상부 유리기판(23)은 액정층(도시되지 않음)의 개재하에 소정의 거리를 두고 대향배치되어 있다. 이때, 상기 하부 유리기판(11)과 상부 유리기판(23)의 간격을 셀갭(cell gap)이라고 하는데, 상기 셀갭은 카운터전극(15)과 화소전극(21)간의 간격보다 커서 상기 양 전극(15)(21)간에 포물선 형태의 프린지 필드(곡선형 점선)가 형성된다.Here, the lower glass substrate 11 and the upper glass substrate 23 are arranged to face each other at a predetermined distance under the interposition of the liquid crystal layer (not shown). In this case, a gap between the lower glass substrate 11 and the upper glass substrate 23 is called a cell gap, and the cell gap is larger than the gap between the counter electrode 15 and the pixel electrode 21, so that the positive electrode 15 is spaced apart from each other. A parabolic fringe field (curve dotted line) is formed between the (21).
종래의 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는 앞서 설명한 바와 같이, 상기 카운터전극(15)과 화소전극(21)사이에 프린지 필드가 형성되도록 하여 상부 및 하부 유리기판(11)(23)사이에 개재하는 음의 유전율 이방성특성을 갖는 액정분자(도시되지 않음)들이 모두 동작되도록 하여 편광판(도시되지 않음)을 통과하여 온 빛이 진행하게끔 하여 고휘도 및 광시야각을 실현하도록 만든 구조이다.In the conventional fringe field switching liquid crystal display device, as described above, a fringe field is formed between the counter electrode 15 and the pixel electrode 21 so that negative ions interposed between the upper and lower glass substrates 11 and 23. The liquid crystal molecules (not shown) having the dielectric anisotropy of R are all made to operate so that the whole light passes through the polarizer (not shown) to realize high brightness and a wide viewing angle.
한편, 종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는 게이트 전극과 카운터 전극간에는 절연막 없이 동일층에 형성되므로 양 전극간의 쇼트방지를 위해 일정거리를 유지하게 한다. 그러나, 실제적으로 공정진행을 한 후에는 원치 않은 입자 등의 원인으로 양 전극간에 쇼트가 발생하여 상당한 제조수율이 감소한다는 문제점이 있다. 또한, 이러한 쇼트발생 위험으로 양 전극간의 일정간격 유지는 개구율 측면에서도 불리하며, 카운터 전극과 화소전극 사이에 형성되는 게이트 절연막과 보호막의 존재로 인하여 액정층에 걸리는 직류전류(DC) 전압 차단능력이 떨어져 잔상에 취약하다는 문제점도 아울러 가지고 있었다.On the other hand, the fringe field switching liquid crystal display according to the prior art is formed on the same layer without an insulating film between the gate electrode and the counter electrode to maintain a constant distance to prevent short between the two electrodes. However, there is a problem that a short production occurs between the two electrodes due to unwanted particles or the like after the actual progress of the process, so that a significant manufacturing yield is reduced. In addition, maintaining a constant distance between the two electrodes is disadvantageous in terms of the aperture ratio due to the risk of such a short circuit, and the DC current blocking capability of the liquid crystal layer due to the presence of the gate insulating film and the protective film formed between the counter electrode and the pixel electrode is reduced. It also had the problem of falling afterimage.
이에, 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법은 종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법상의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 게이트 전극과 카운터 전극간의 쇼트 발생을 방지하여 제조수율 향상, 개구율 향상 및 잔상 개선을 이룩할 수 있는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, the fringe field switching liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention have been devised to solve the problems in the fringe field switching liquid crystal display device and the manufacturing method according to the prior art, an object of the present invention is a gate electrode and a counter electrode The present invention provides a fringe field switching liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can prevent a short circuit of the liver and improve production yield, improve aperture ratio, and improve afterimage.
도 1은 종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 평면도.1 is a plan view of a fringe field switching liquid crystal display according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 단면도.2 is a cross-sectional view of a fringe field switching liquid crystal display device according to the prior art.
도 3a 내지 3f는 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법을 나타내는 각 공정별 단면도.3A to 3F are cross-sectional views of respective processes illustrating a method of manufacturing a fringe field switching liquid crystal display device according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치를 나타내는 평면도.4 is a plan view showing a fringe field switching liquid crystal display device according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 화소부 구조를 도시한 단면도.5 is a cross-sectional view showing a pixel portion structure of a fringe field switching liquid crystal display device according to the present invention;
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
30; 기판32; 게이트 전극30; A substrate 32; Gate electrode
34; 공통전극36; 게이트 절연막34; Common electrode 36; Gate insulating film
38; 활성층40; 카운터 전극38; Active layer 40; Counter electrode
42; 데이타 라인44; 보호막42; Data line 44; Shield
46,47; 비아홀48; 화소전극46,47; Via hole 48; Pixel electrode
49; 브릿지전극50; 박막트랜지스터49; Bridge electrode 50; Thin film transistor
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법은, 투명성 절연기판상에 게이트 전극과 공통전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극과 공통전극이 형성된 투명성 절연기판상에 게이트 절연막 및 활성층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 및 활성층이 형성된 투명성 절연기판상에 카운터 전극을 형성하는 단계; 상기 카운터 전극이 형성된 투명성 절연기판상에 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소오스/드레인 전극이 형성된 투명성 절연기판상에 보호막을 형성한 후 상기 보호막과 게이트 절연막을 선택적으로 패터닝하여 상기 소오스 전극을 노출시키는 비아홀과 상기 공통전극과 카운터전극을 노출시키는 다수개의 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 보호막상에 상기 비아홀을 통해 상기 소오스 전극과 연결되는 화소전극과, 상기 다수개의 콘택홀을 통해 상기 공통전극과 카운터 전극을 연결하는 브릿지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a fringe field switching liquid crystal display device and a method of manufacturing the same include: forming a gate electrode and a common electrode on a transparent insulating substrate; Forming a gate insulating film and an active layer on the transparent insulating substrate on which the gate electrode and the common electrode are formed; Forming a counter electrode on the transparent insulating substrate on which the gate insulating film and the active layer are formed; Forming a source / drain electrode on the transparent insulating substrate on which the counter electrode is formed; After the passivation layer is formed on the transparent insulating substrate on which the source / drain electrodes are formed, the passivation layer and the gate insulation layer are selectively patterned to form a via hole exposing the source electrode and a plurality of contact holes exposing the common electrode and the counter electrode. Making; And forming a pixel electrode connected to the source electrode through the via hole and a bridge electrode connecting the common electrode and the counter electrode through the plurality of contact holes on the passivation layer.
이하, 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법에 관하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a fringe field switching liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3a 내지 3f는 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법을 나타내는 각 공정별 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치를 나타내는 평면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 화소부 구조를 도시한 단면도이다.3A to 3F are cross-sectional views for each process illustrating a method of manufacturing a fringe field switching liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 4 is a plan view showing a fringe field switching liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. It is sectional drawing which shows the structure of the pixel part of the fringe field switching liquid crystal display device.
본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법은, 도 3a에 도시된 바와 같이, 먼저 유리와 같은 투명성 절연기판(30)상에 게이트 전극(32)과 공통전극(34)을 형성한다. 일반적으로 공통전극이라 함은 화소전극과 더불어 전계를 형성하는데 참여하는 전극으로서 대향전극 또는 상대전극(카운터 전극)이라 불리우지만, 본원에서는 게이트 전극용 메탈(metal)로 형성하며 후술할 카운터 전극으로 공통신호를 인가하는 '공통전극'과, 화소전극과 더불어 전계를 형성하는 '카운터 전극'으로 구분하여 설명하도록 한다.In the method of manufacturing a fringe field switching liquid crystal display device according to the present invention, as shown in FIG. 3A, first, a gate electrode 32 and a common electrode 34 are formed on a transparent insulating substrate 30 such as glass. In general, the common electrode is an electrode that participates in forming an electric field together with a pixel electrode, and is called a counter electrode or a counter electrode (counter electrode). However, the common electrode is formed of a metal for a gate electrode and is commonly used as a counter electrode to be described later. The description will be made of a common electrode for applying a signal and a counter electrode for forming an electric field together with the pixel electrode.
이어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(32)과 공통전극(34)이 형성된 기판(30)상에 게이트 절연막(36)과 활성층으로 사용될 박막, 예를 들어, 비정질 실리콘막을 도포한 후, 상기 비정질 실리콘막을 패터닝하여 활성층(38)을 형성한다. 상기 활성층(38)은 도 3b에는 구체적으로 도시되지는 아니하였지만, 채널층과 오믹층으로 나눌 수가 있으며, 특히 오믹층은 도핑된 비정질 실리콘으로 구성한다.3B, a thin film, for example, an amorphous silicon film, to be used as the gate insulating layer 36 and the active layer is coated on the substrate 30 on which the gate electrode 32 and the common electrode 34 are formed. Thereafter, the amorphous silicon film is patterned to form an active layer 38. Although not specifically illustrated in FIG. 3B, the active layer 38 may be divided into a channel layer and an ohmic layer. In particular, the ohmic layer may be formed of doped amorphous silicon.
그 다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 절연막(36)의 특정부분, 즉 화소부 영역내에 카운터 전극(40)을 형성한다. 상기 카운터 전극(40)으로는 투과율을 고려하여 투명 도전체, 대표적으로는 ITO(Indium Tin Oxide; 인듐주석산화물)로 구성한다. 여기서, 상기 카운터 전극(40)은 수개의 분지로 형성된 슬릿형태로 형성한다. 그 이유는 후술한다.Next, as shown in FIG. 3C, the counter electrode 40 is formed in a specific portion of the gate insulating film 36, that is, the pixel portion region. The counter electrode 40 is composed of a transparent conductor, indium tin oxide (ITO), in consideration of transmittance. Here, the counter electrode 40 is formed in a slit form formed of several branches. The reason is described later.
이어, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 기판(30)상의 활성층(38)을 포함하도록 소오스/드레인 전극(42a)(42b)을 형성한다. 상기 소오스/드레인 전극(42a)(42b)은 데이타 라인(42)으로부터 신장되는 것으로 상기 데이타 라인에 디스플레이 신호가 인가되면 그것을 후술하는 화소전극(48)에 전달하는 역할을 수행한다.3D, the source / drain electrodes 42a and 42b are formed to include the active layer 38 on the substrate 30. The source / drain electrodes 42a and 42b extend from the data line 42, and when the display signal is applied to the data line 42, the source / drain electrodes 42a and 42b are transferred to the pixel electrode 48 which will be described later.
이어, 도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 소오스/드레인 전극(42a)(42b) 및 카운터 전극(40)을 모두 도포할 수 있도록 보호막(44)을 형성한 후, 상기 보호막(44)과 게이트 절연막(36)을 선택적으로 패터닝하여 상기 소오스 전극(42b)을 노출시키는 비아홀(46)과, 도면에는 도시되지는 않았지만, 상기 공통전극(34)과 카운터 전극(40)을 노출시키는 다수개의 콘택홀을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3E, after the passivation layer 44 is formed to apply both the source / drain electrodes 42a, 42b and the counter electrode 40, the passivation layer 44 and the gate insulating layer are formed. The via hole 46 exposing the source electrode 42b by selectively patterning 36 and a plurality of contact holes exposing the common electrode 34 and the counter electrode 40 are not illustrated. Form.
이어, 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(44)상에 상기 비아홀(46)을 통해 상기 소오스 전극(42b)과 연결되는 화소전극(48)과, 상기 다수개의 콘택홀(미도시)을 통해 상기 공통전극(34)과 카운터 전극(40)을 연결하는 브릿지 전극(미도시)을 형성한다. 상기 화소전극(48)의 경우도 이미 상술한 카운터 전극(40)과 마찬가지로 투과율을 고려하여 ITO와 같은 투명 도전체로 형성하며, 수개의 분지를 가진 분지형의 슬릿형으로 형성한다. 여기서, 상기 화소전극(48)의 각각의 분지는 상기 카운터 전극(40)의 각각의 분지와 상하 중첩되지 않게 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유는 후술한다.3F, the pixel electrode 48 connected to the source electrode 42b through the via hole 46 and the plurality of contact holes (not shown) are formed on the passivation layer 44. A bridge electrode (not shown) is formed to connect the common electrode 34 and the counter electrode 40 through. Like the counter electrode 40 described above, the pixel electrode 48 is formed of a transparent conductor such as ITO in consideration of transmittance, and is formed in a branched slit shape having several branches. Here, it is preferable that each branch of the pixel electrode 48 is formed so as not to overlap with each branch of the counter electrode 40. The reason is described later.
그 다음, 공지의 후속공정을 진행하면 스위칭 소자로서 박막트랜지스터를 구비하는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치가 완성된다.Then, the fringe field switching liquid crystal display device having a thin film transistor as a switching element is completed by following well-known subsequent steps.
상기와 같은 제조방법에 의하여 구성되는 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는 다음과 같은 특징을 구비한다.A fringe field switching liquid crystal display device constructed by the above manufacturing method has the following features.
본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는, 도 3f, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(32)과 데이타 라인(42)에 의해 한정되는 단위화소내에 카운터 전극(40)과 화소전극(48)이 상하로 형성되어 있고, 그 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(50)가 배치되어 있으되, 동일층인 기판(30)상에 형성되어 있는 게이트 전극(32)과 공통전극(34); 상기 게이트 전극(32)을 포함한 기판(30)상에 형성된 게이트 절연막(36); 상기 게이트 절연막(36)상에 배치된 카운터 전극(40); 상기 카운터 전극(40)을 포함한 게이트 절연막(36)상에 형성된 보호막(44); 상기 보호막(44)과 게이트 절연막(36)상에 형성된 다수개의 콘택홀(47); 상기 보호막(44)상의 일정부분에 형성된 비아홀(46); 및 상기 보호막(44)상에 상기 비아홀(46)을 통해 상기 소오스 전극(42b)과 연결되는 화소전극(48)과, 상기 다수개의 콘택홀(47)을 통해 상기 공통전극(34)과 카운터 전극(40)에 연결되는 브릿지 전극(49)을 포함하여 구성되어 있다.The fringe field switching liquid crystal display device according to the present invention includes a counter electrode 40 in a unit pixel defined by a gate line 32 and a data line 42, as shown in FIGS. 3F, 4 and 5. The pixel electrode 48 is formed up and down, and at the intersection thereof, a thin film transistor 50 as a switching element is disposed, but the gate electrode 32 and the common electrode (formed on the same layer of the substrate 30) are formed. 34); A gate insulating film 36 formed on the substrate 30 including the gate electrode 32; A counter electrode 40 disposed on the gate insulating film 36; A protective film 44 formed on the gate insulating film 36 including the counter electrode 40; A plurality of contact holes 47 formed on the passivation layer 44 and the gate insulating layer 36; A via hole 46 formed in a predetermined portion on the passivation layer 44; And a pixel electrode 48 connected to the source electrode 42b through the via hole 46 on the passivation layer 44, and the common electrode 34 and the counter electrode through the plurality of contact holes 47. It is comprised including the bridge electrode 49 connected to 40. As shown in FIG.
본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는, 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(32)과 공통전극(34)이 동일층상, 즉 기판(30)상에 형성되어 있다. 이때, 상기 게이트 전극(32)과 공통전극(34)은 동일한 재질 및 동일한 마스크를 사용하여 인라인(In Line)상에서 공정을 진행할 수 있다.In the fringe field switching liquid crystal display according to the present invention, as shown in FIG. 3F, the gate electrode 32 and the common electrode 34 are formed on the same layer, that is, on the substrate 30. In this case, the gate electrode 32 and the common electrode 34 may be processed on an in-line using the same material and the same mask.
또한, 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는, 도 3f 및 도 4에도시된 바와 같이, 게이트 절연막(36)을 사이에 두고 서로 다른 층상에 게이트 전극(32)과 카운터 전극(40)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 게이트 전극(32)은 기판(30)상에 형성되어 있으며, 상기 카운터 전극(40)은 게이트 절연막(36)상에 형성되어 있다.In the fringe field switching LCD according to the present invention, as shown in FIGS. 3F and 4, the gate electrode 32 and the counter electrode 40 are formed on different layers with the gate insulating layer 36 interposed therebetween. Formed. Here, the gate electrode 32 is formed on the substrate 30, and the counter electrode 40 is formed on the gate insulating film 36.
여기서, 상기 게이트 전극(32)과 카운터 전극(40)은 게이트 절연막(36)에 의하여 절연되어 있으므로 양 전극(32)(40)간에 쇼트 발생 위험이 없다. 따라서, 상기 게이트 전극(32)과 카운터 전극(40)간의 거리(l)를 짧게 가져갈 수 있게 된다.Here, since the gate electrode 32 and the counter electrode 40 are insulated by the gate insulating film 36, there is no risk of short circuit between the two electrodes 32 and 40. Therefore, the distance l between the gate electrode 32 and the counter electrode 40 can be shortened.
또한, 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는, 도 3f 및 도 4에 도시된 바와 같이, 보호막(44)을 사이에 두고 있는 화소전극(48)과 카운터 전극(40) 서로 다른 층상에 형성되어 있다. 즉, 상기 카운터 전극은 이미 상술한 바와 같이 게이트 절연막(36)상에 형성되어 있고, 상기 화소전극(48)은 보호막(44)상에 형성되어 있는 바, 상기 카운터 전극(40)과 화소전극(48)간에는 보호막(44)만이 존재한다.In addition, in the fringe field switching liquid crystal display according to the present invention, as illustrated in FIGS. 3F and 4, the pixel electrode 48 and the counter electrode 40 having the passivation layer 44 therebetween are formed on different layers. It is. That is, the counter electrode is formed on the gate insulating film 36 as described above, and the pixel electrode 48 is formed on the passivation film 44. The counter electrode 40 and the pixel electrode ( 48, only the protective film 44 exists.
여기서, 상기 카운터 전극(40)과 화소전극(48)간에는 보호막(44)만이 존재하므로 축적용량값이 너무 크게 형성되어 충전 등의 문제가 야기될 수 있다. 따라서, 상기 카운터 전극(40)과 화소전극(48)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 수개의 분지를 가진 슬릿형으로 형성되되, 각각의 분지가 상하 중첩되지 않도록 하여 축적용량값이 감소되도록 한다. 즉, 상기 카운터 전극(40)과 화소전극(48)간에는 보호막(44)만이 형성되어 있으므로 액정층(미도시)에 걸리는 직류전류(DC) 전압을 용이하게 차단할 수 있다.Here, since only the passivation layer 44 exists between the counter electrode 40 and the pixel electrode 48, the storage capacitance value is formed too large, which may cause a problem such as charging. Accordingly, the counter electrode 40 and the pixel electrode 48 are formed in a slit shape having several branches, as shown in FIG. 5, so that the accumulation capacitance values are reduced by preventing the branches from overlapping up and down. do. That is, since only the protective film 44 is formed between the counter electrode 40 and the pixel electrode 48, the DC current applied to the liquid crystal layer (not shown) can be easily blocked.
또한, 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치는, 도 5에 도시된 바와 같이, 비아홀(46)과 다수개의 콘택홀(47)을 포함하여 구성되어 있는데, 상기 화소전극(48)은 비아홀(46)을 통해 박막트랜지스터부(50)의 소오스 전극과 연결되어 있고, 상기 공통전극(34)과 카운터 전극(40)은 동일층상에 형성되어 있는 것이 아니라, 서로 다른 층상에 각각 형성되어 있으므로 다수개의 콘택홀(47)을 통해 브릿지 전극(49)에 의해 콘택되어 있다. 따라서, 상기 카운터 전극(40)은 상기 공통전극(34)으로부터 오는 공통신호를 상기 다수개의 콘택홀(47)을 통하여 계속적으로 전달받을 수가 있는 것이다.In addition, as illustrated in FIG. 5, the fringe field switching liquid crystal display according to the present invention includes a via hole 46 and a plurality of contact holes 47. The pixel electrode 48 may include a via hole ( 46 is connected to the source electrode of the thin film transistor unit 50, and the common electrode 34 and the counter electrode 40 are not formed on the same layer, but are formed on different layers, respectively. It is contacted by the bridge electrode 49 through the contact hole 47. Therefore, the counter electrode 40 can continuously receive the common signals from the common electrode 34 through the plurality of contact holes 47.
본원에 개시된 실시예는 본 발명의 원리와 정신에 위배되지 않는 범위내에서 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 뿐 아니라 용이하게 실시할 수 있다. 따라서, 본원에 첨부된 특허청구범위는 이미 상술한 것에 한정되지 않고, 당해 발명에 내재되어 있는 특허성 있는 신규한 모든 것을 포함하며, 아울러 당해 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 균등하게 처리되는 모든 특징을 포함한다.The embodiments disclosed herein can be easily carried out as well as obvious to those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the principles and spirit of the present invention. Accordingly, the claims appended hereto are not limited to those already described above, but include all patentable novelties that are inherent in the present invention, and by those skilled in the art to which the invention pertains. Includes all features that are treated evenly.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the fringe field switching liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention have the following effects.
본 발명에 있어서는 카운터 전극을 게이트 전극과 동일층에 형성하지 않고 절연막 형성후에 패터닝함에 따라 게이트 전극과는 절연막을 사이에 두게 되므로 양 전극 상호간 쇼트 발생 위험을 없앨 수 있게 되어 제조수율이 향상된다.In the present invention, since the counter electrode is not formed on the same layer as the gate electrode and is patterned after the insulating film is formed, the insulating film is interposed between the gate electrode and the electrode, thereby eliminating the risk of short circuit between the two electrodes, thereby improving production yield.
또한, 본 발명에 있어서는 게이트 전극과 카운터 전극간의 거리를 짧게 가져갈 수 있어 개구율이 향상되며, 카운터 전극과 화소전극 사이에는 보호막만이 존재하므로 액정층에 걸리는 직류전류(DC) 전압을 차단하는데 유리하여 잔상을 줄일 수 있다.In addition, in the present invention, the distance between the gate electrode and the counter electrode can be shortened, and the aperture ratio is improved, and since only a protective film exists between the counter electrode and the pixel electrode, it is advantageous to block the DC current applied to the liquid crystal layer. Reduce afterimages
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