KR20020077241A - 반도체 장치 및 반도체 장치 제조용 마스크 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
유기 EL 디스플레이에서, 유기 발광층의 막 두께를 균일화하여 유효 발광 면적을 증대시킨다. 유기 EL 디스플레이의 각 화소마다 양극(61) 및 공통 음극이 형성되며, 박막 트랜지스터(13, 42)로 스위칭하여 양극(61)과 음극 사이를 통전시켜, 유기 EL 소자를 발광시킨다. 유기 EL 소자는 홀 수송층, 유기 발광층 및 전자 수송층으로 구성되며, 매트릭스 형상으로 배치된 복수 화소 중, 인접하는 동색 화소에 대하여 유기 발광층을 공통화(사선 부분)한다. 공통화함으로써, 증착 시의 섀도 마스크의 단부에서의 유기 발광층의 막 두께 감소를 방지하여, 양극(61) 상의 유기 발광층의 막 두께를 균일화할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 장치 및 반도체 장치 제조법 마스크에 관한 것으로, 특히 유효 발광 면적의 증대에 관한 것이다.
종래부터, 플랫 디스플레이 패널로서 유기 EL(Electro Luminescence) 소자를 이용한 표시 패널이 잘 알려져 있다. 유기 EL 소자는 양극과 음극 사이에 설치된 유기 EL층에 전류를 공급함으로써 유기 EL층을 발광시키는 자연광 디스플레이로서, LCD와 같이 백 라이트가 불필요하기 때문에, 차세대의 플랫 디스플레이 장치 패널의 주류로서 기대되고 있다. 특히, 각 화소에 스위칭 소자를 형성한 액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이에서는, 각 화소마다 표시 데이터를 유지할 수 있기 때문에 대화면화, 고정밀화가 가능하여 유망시되고 있다.
이러한 유기 EL 디스플레이에서, 발광층인 유기 EL층은 일반적으로 회로 기판 상에 섀도 마스크를 이용하여 증착법에 의해 형성되고 있다.
도 6에는, 종래의 컬러 유기 EL 디스플레이(1)의 화소 배열이 모식적으로 도시되어 있다. 유기 EL 디스플레이(1)는, 복수의 화소(1a)가 매트릭스 형상으로 배치되어 구성된다. 각 화소(1a)는 박막 트랜지스터 등의 스위칭 소자를 갖고, 각 화소의 스위칭 소자를 행에 상당하는 게이트 라인 및 열에 상당하는 데이터 라인으로 구동하여 유기 EL 소자를 발광시킨다. R 화소, G 화소 및 B 화소의 배열은 임의이지만, 예를 들면 도면에 도시된 바와 같이 R 화소, G 화소, B 화소를 직선상(열 위)으로 배치(스트라이프 배열)할 수 있다.
도 7에는 도 6에서의 화소(1a)의 상세한 평면도가 도시되어 있고, 도 8의 (a), (b)에는, 각각 도 7에서의 A-A 단면 및 B-B 단면이 도시되어 있다. 양 도면에서, 행 방향으로 연장되는 게이트 라인(51)과 열 방향으로 연장되는 데이터 라인(52)으로 둘러싸인 영역이 하나의 화소 영역(1a)이며, 이 영역 내에 n채널 박막 트랜지스터(13), 보조 용량(70), p채널 박막 트랜지스터(42)가 형성되고, 또한 박막 트랜지스터(42)의 드레인과 드레인 전극(43d)을 통해 접속된 유기 EL 소자(65)가 설치되어 있다. 또한, 박막 트랜지스터(42)의 소스는 소스 전극(43s)을 통해 전원 라인(53)에 접속되어 있다.
박막 트랜지스터(13)의 능동층(9)은, 게이트 라인(51)으로부터 돌출한 게이트 전극(11)을 2회 통과하는 패턴으로 되어 있어, 더블 게이트 구조를 이루고 있다. 박막 트랜지스터(13)의 드레인은 드레인 전극(16)을 통해 데이터 라인(52)에 접속되며, 소스는 보조 용량(70) 및 브리지 구조를 통해 박막 트랜지스터(42)의 게이트(41)에 접속된다. 보조 용량(70)은, 전원 Vsc에 접속된 SC 라인(54)과 능동층(9)과 일체의 전극(55)으로 구성된다.
상술한 바와 같이, 박막 트랜지스터(42)의 드레인은 유기 EL 소자(60)에 접속된다. 유기 EL 소자(60)는, 박막 트랜지스터(13, 42) 상의 평탄화 절연막(17)에 화소마다 형성된 양극(투명 전극: 61)과, 최상층에 각 화소 공통으로 형성된 음극(금속 전극: 66)과, 양극(61) 및 음극(66) 사이에 적층된 유기층(65)으로 구성된다. 양극(61)은 ITO 등으로 구성되며, 박막 트랜지스터(42)의 드레인과 드레인 전극(43d)을 통해 접속된다. 또한, 유기층(65)은 양극(61)측으로부터 홀 수송층(62), 유기 발광층(63), 전자 수송층(64)을 순차 적층하여 구성된다. 유기 발광층(63)은 R 화소, G 화소, B 화소마다 그 재료가 다르지만, 예를 들면 퀴나크리돈 유도체를 포함하는 BeBq2를 포함하여 구성된다.
또, 상술한 각 화소의 구성 요소는 전부 기판(3) 상에 적층 형성된다. 즉, 기판(3) 상에 절연층(4)이 형성되고, 그 위에 반도체층(9)이 패턴 형성된다. 그리고, 반도체층(9) 상에 게이트 산화막(12)을 통해 게이트(11, 41)가 형성된다. 게이트(11, 41) 상에는 층간 절연막(15)이 형성되며, 이 층간 절연막(15)에 형성된 컨택트홀을 통해 양극(61)과 다결정 실리콘 등으로 이루어지는 능동층(9)이 접속된다.
또한, 화소마다 형성된 투명 양극(61) 상에 유기 EL 소자(60)를 형성하기 위해서는, 도 9에 도시된 바와 같이 각 화소에 대응한 개구부(2a)를 갖는 섀도 마스크(2)를 R 화소, G 화소, B 화소마다 이용하여 유기 발광층(63)을 증착하면 된다. 그리고, 양극(61)과 음극(66) 사이에 끼워진 영역에 전류가 주로 공급되기 때문에, 유기 발광층(63)은 양극(61)에 위치가 정해져 형성된다.
이와 같은 구성에서, 게이트 라인(51)으로 선택 신호가 출력되면 박막 트랜지스터(13)가 온 상태로 되고, 그 때에 데이터 라인(52)에 인가되어 있는 데이터 신호의 전압값에 따라서 보조 용량(70)이 충전된다. 박막 트랜지스터(42)의 게이트는 이 보조 용량(70)에 충전된 전하에 따른 전압을 받아, 전원 라인(53)으로부터 유기 EL 소자에 공급되는 전류가 제어되고, 유기 EL 소자는 공급된 전류에 따른 휘도로 발광한다.
그러나, 도 9에 도시된 바와 같이 각 화소에 대응한 개구부(2a)를 구비하는 마스크(2)로 유기 발광층(63)을 증착 형성하면, 개구부(2a)의 단부에서의 섀도잉에 의해 유기 발광층(63)의 두께에 불균일이 생겨, 균일한 발광 특성을 얻을 수 없다고 하는 문제가 있었다.
도 10에는 마스크(2)의 일부 확대도가 도시되어 있다. 마스크(2)의 개구부(2a)는, 상술한 바와 같이 각 화소의 양극(61) 상에 위치 결정하기 위해 양극(61)의 형상에 맞춰 형성되어 있고, 소정 위치에 고정된 증착원으로부터 증발한 유기 발광재를 통과시킨다. 그런데, 도면 중 z 방향에서의 유기 발광층(63)의 막 두께는, 도 11에 도시된 바와 같이 중앙(100)에서는 거의 균일하지만, 개구부(2a)의 단부(102)에서는 섀도윙때문에 막 두께가 중앙보다 작아진다. 이러한 막 두께의 불균일화는, 발광 얼룩, 혹은 유효 발광 면적의 감소를 초래한다고 하는 문제가 있다.
본 발명은, 상기 종래 기술이 갖는 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 화소마다 발광시키면서 유효 발광 면적을 증대시킬 수 있는 반도체 장치 및 반도체 장치 제조용의 마스크를 제공하는 것에 있다.
도 1은 실시예의 마스크 평면도.
도 2는 실시예의 반도체 장치의 평면도.
도 3의 (a)는 도 2의 A-A 단면도이고, 도 3의 (b)는 도 2의 B-B 단면도.
도 4는 종래의 반도체 장치의 평면도.
도 5는 다른 실시예의 마스크 평면도.
도 6은 화소 배열 설명도.
도 7은 종래의 반도체 장치의 평면도.
도 8의 (a)는 도 7의 A-A 단면도이고, 도 8의 (b)는 도 7의 B-B 단면도.
도 9는 종래의 마스크 설명도.
도 10은 종래의 마스크의 일부 확대도.
도 11은 종래의 유기 발광층의 막 두께 분포 설명도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
2 : 마스크
2a : 개구부
61 : 양극
63 : 유기 발광층
66 : 음극
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 발광층을 갖는 화소를 복수개 매트릭스 형상으로 배치하여 구성되는 반도체 장치에 있어서, 상기 제1 전극 혹은 제2 전극 중 적어도 어느 하나는 상기 화소마다 설치되고, 상기 발광층은 복수의 상기 화소 중 인접하는 화소 사이에서 공통화되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 인접하는 화소는 동색(同色)으로 할 수 있어, 동색으로 한 경우, 상기 동색의 화소는 직선 형상으로 인접 배치되며, 상기 발광층은, 상기 직선 형상으로 인접 배치된 화소 사이에서 공통화되는 것이 바람직하다. 또한, 동색으로 한 경우, 상기 동색의 화소는 지그재그 형상으로 인접 배치되며, 상기 발광층은, 상기 지그재그 형상으로 인접 배치된 화소 사이에서 공통화되는 것도 바람직하다.
상기 동색의 화소는 R 화소, G 화소, B 화소 중 적어도 어느 하나로 할 수 있다.
본 장치에서, 상기 발광층은 유기 EL재를 포함할 수 있어, 이에 따라 유기 EL 디스플레이를 구성할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 반도체 장치에서는, 발광층을 화소마다 갖는 것이 아니라, 인접하는 화소 사이에서 공통화 혹은 일체화한다. 발광층을 공통화함으로써, 화소마다 형성할 필요가 없게 되어, 따라서 각 화소에 대응한 섀도 마스크를 이용할 필요도 없고, 마스크 개구부의 단부에서 생기는 섀도윙을 제거하여 발광층의 막 두께를 균일화할 수 있다. 발광층의 막 두께를 균일화함으로써, 발광층에흐르는 전류 강도를 균일화하여 실효 발광 면적을 증대시킬 수 있다. 이 때, 제1 전극 혹은 제2 전극 중 어느 하나는 화소마다 형성되어 있으므로, 발광층을 인접 화소 사이에서 공통화하여도 실제로 전류가 흐르는 것은 제1 전극과 제2 전극 사이에 끼워진 부분만이며, 화소마다 발광을 제어할 수 있다. 제1 전극과 제2 전극의하나의 양태는 양극과 음극이며, 예를 들면 양극을 화소마다 형성하고, 음극을 화소 사이에서 공통으로 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은, 상기한 반도체 장치를 제조하기 위한 상기 발광층 형성용 마스크를 제공한다. 이 마스크는, 상기 복수의 화소 중 인접하는 화소 사이에서 공통되는 개구부를 갖고, 상기 개구부에 의해 상기 발광층의 재료를 통과시켜 상기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 마스크에 의하면, 각 화소에 대응한 개구부를 갖는 경우에 비하여, 인접 화소 사이의 개구부 단부가 제거되고, 이에 따라 발광층 재료가 통과할 때의 섀도윙을 제거할 수가 있어, 발광층의 막 두께를 균일화할 수 있다.
이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시예에 대하여, 유기 EL 디스플레이를 예로 들어 설명한다.
도 1에는, 본 실시예에 따른 유기 발광층(63) 형성용의 섀도 마스크(2)의 구성이 도시되어 있다. 종래에는, 각 화소에 대응한 이산적인 개구부(2a)를 갖고 있지만, 본 실시예에서는 인접하는 화소 사이에서 공통되는 개구부(2a)를 갖고 있다. 구체적으로는, 임의의 색, 예를 들면 R 화소에 주목하면, R 화소군은 열 방향으로 직선 상으로 배치되어 있고, R 화소를 형성하기 위한 개구부(2a)도 열 방향으로 직선 상으로 배치되어 있기 때문에, 인접하는 화소 사이에서 개구부(2a)를 공통화시킴으로써, 결국 도시한 바와 같이 스트라이프 형상의 개구부(2a)가 얻어진다. 개구부(2a)의 폭은 하나의 화소 폭에 대응하며, 길이는 공통화하는 화소 수에 따라서 결정된다. 즉, 인접하는 두개의 화소의 유기 발광층(63)을 공통화하는 경우에는 길이를 화소 길이×2, 인접하는 n개(n=2, 3, …)의 화소의 유기 발광층(63)을 공통화하는 경우에는 길이를 화소 길이×n으로 한다. 도면에서는, 열 방향의 전체 화소수를 k로서, 열 방향으로 배치한 모든 화소의 유기 발광층(63)을 공통화하기 위해 길이를 화소 길이×k로 하고 있다. 스트라이프 형상의 개구부(2a)의 피치는, 행 방향의 동색 화소 피치와 동일하다. 마스크(2)의 두께는, 종래와 마찬가지로 50㎛이다. G 화소용의 마스터 혹은 B 화소용의 마스크에 대해서도 마찬가지로, 개구부(2a)를 스트라이프 형상으로 형성할 수 있다.
이러한 마스크(2)를 이용하여 유기 EL재를 증착함으로써, R 화소용의 유기 발광층(63), G 화소용의 유기 발광층(63), B 화소용의 유기 발광층(63)을 각각 형성한다.
도 2에는, 도 1에 도시된 마스크(2)를 이용하여 유기 발광층(63)을 형성한 경우의 유기 EL 디스플레이의 평면도가 도시되어 있으며, 도 3의 (a), (b)에는 각각 도 2에서의 A-A 단면 및 B-B 단면이 도시되어 있다. 또, 도면에서는 설명의 편의상, 열 방향으로 인접하는 두개의 동색 화소가 도시되어 있다.
각 화소의 구성은 도 7과 거의 마찬가지로, 하나의 화소에는 박막 트랜지스터(13, 42) 및 보조 용량(70)이 형성된다. 박막 트랜지스터(13)의 드레인은 데이터 라인(52)에 접속되며, 박막 트랜지스터(13)의 소스는 보조 용량(70)의 한쪽의 전극에 접속됨과 함께 박막 트랜지스터(42)의 게이트에 접속되고, 박막 트랜지스터(13)의 게이트는 게이트 라인(51)에 접속된다. 또한, 박막 트랜지스터(42)의 소스는 전원 라인(53)에 접속되며, 드레인은 투명한 양극(61)에 접속된다.
여기서, 본 실시예에서는 양극(61) 상에 유기 EL 소자(65)를 형성할 때, 도 1에 도시된 바와 같은 스트라이프 형상의 개구부(2a)를 갖는 마스크(2)를 이용하기 때문에, 유기 발광층(63)은 하나의 화소의 양극(61) 상뿐만 아니라, 열 방향으로 인접하는 화소의 전역(全域), 보다 상세하게는 데이터 라인(52)과 전원 라인(53) 사이에 끼워진 열 영역에 일체적으로 형성된다. 도 2에서, 유기 발광층(63)의 형성 영역이 편의상 사선으로 나타나 있다. 하나의 화소의 양극(61) 뿐만 아니라, 박막 트랜지스터(13, 42)나 보조 용량(70), 게이트 라인(51) 상에도 형성된다. 따라서, 도 3의 (a)에서는 홀 수송층(62)이나 전자 수송층(64), 음극(66)과 마찬가지로 유기 발광층(63)이 형성되며, 도 3의 (b)에서는 유기 발광층(63)이 박막 트랜지스터(42)의 소스 전극(43s) 근방까지 연장되어 있다.
참고를 위해, 도 4에 종래의 유기 발광층(63)의 형성 영역이 사선으로 나타나 있다. 종래에는, 하나의 화소의 양극(61) 상에만 형성되어 있으며, 본 실시예와의 상위는 명백할 것이다.
이와 같이, 본 실시예에서는, 마스크(2)의 개구부(2a)를 스트라이프 형상으로 하고, 동색의 인접 화소에서 유기 발광층(63)을 공통화하고 있기 때문에, 개구부(2a)의 단부가 인접 화소의 경계, 혹은 양극(61)의 경계에서 존재하지 않게 되어, 따라서 유기 발광층(63)을 증착 형성한 경우에서도 단부에서의 섀도윙이 없어져, 열 방향에 대하여 유기 발광층(63)의 막 두께를 균일화할 수 있다.
또, 본 실시예에서는, 도 2에 도시된 바와 같이 박막 트랜지스터(13, 42)가 보조 용량(70) 상에도 유기 발광층(63)이 형성되지만, 유기 발광층(63)은 저항율이 높기 때문에, 양극(61)과 음극(66) 사이에 끼워진 부분으로만 전류가 흐르기 때문에, 종래와 마찬가지로 양극(61) 상에서만 발광하고, 즉 각 화소마다 발광하게 된다.
이상, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니며 다양한 변경이 가능하다.
예를 들면, 본 실시예에서는 동색 화소가 열 방향으로 직선적으로 배치되어 있는 경우에 대하여 설명하였지만, 델타 배열의 경우 등 동색 화소가 열 방향으로 지그재그 형상으로 배치되어 있는 경우에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있다. 도 5에는, 이러한 경우의 마스크(2)가 도시되어 있다. 동색 화소의 배치에 대응하고, 개구부(2a)도 열 방향으로 지그재그 형상으로 형성되어 있다. 이 마스크(2)를 이용함으로써, 지그재그 형상으로 인접하는 동색 화소 사이에서 유기 발광층(63)을 공통화하여, 유기 발광층(63)의 양극(61) 상에서의 막 두께를 균일화할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 증착에 의해 유기 발광층(63)을 형성하는 경우에 대하여 설명하였지만, 잉크젯법에 의해 형성하는 경우에도 마찬가지로 도 1에 도시된 마스크(2)(이 경우에는 잉크를 한정 영역에 떨어뜨리기 위한 틀로서 기능함)를 이용하여 유기 발광층(63)을 공통화할 수 있다.
또한, 한 장의 대형 기판에서 동시에 복수의 패널을 형성하는, 즉 커다란 원판(마더글라스)에서 여러장의 RFT-LCD를 뽑아내는 다화면화의 경우, 각 패널마다 도 1에 도시한 마스크(2)를 이용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 발광층을 공통화함으로써 발광층의 막 두께를 균일화할 수 있다. 이에 따라, 발광 얼룩을 억제하여, 유효 발광 면적을 증대시킬 수 있다.
Claims (7)
- 제1 전극 및 제2 전극 사이에 발광층을 갖는 화소를 복수개 매트릭스 형상으로 배치하여 구성되는 반도체 장치에 있어서,상기 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 어느 하나는 상기 화소마다 설치되며,상기 발광층은 복수의 상기 화소 중 인접하는 화소 사이에서 공통화되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서,상기 인접하는 화소는 동색(同色)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제2항에 있어서,상기 동색의 화소는 직선 형상으로 인접 배치되며,상기 발광층은, 상기 직선 형상으로 인접 배치된 화소 사이에서 공통화되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제2항에 있어서,상기 동색의 화소는 지그재그 형상으로 인접 배치되며,상기 발광층은, 상기 지그재그 형상으로 인접 배치된 화소 사이에서 공통화되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 동색의 화소는 R 화소, G 화소, B 화소 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광층은, 유기 EL(Electro Luminescence)재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치를 제조하기 위한 상기 발광층 형성용 마스크에 있어서,상기 복수의 화소 중 인접하는 화소 사이에서 공통되는 개구부를 갖고,상기 개구부에 의해 상기 발광층의 재료를 통과시켜 상기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001102390A JP4789341B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 半導体装置及び半導体装置製造用マスク |
| JPJP-P-2001-00102390 | 2001-03-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020077241A true KR20020077241A (ko) | 2002-10-11 |
| KR100462514B1 KR100462514B1 (ko) | 2004-12-17 |
Family
ID=18955599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0017323A KR100462514B1 (ko) | 2001-03-30 | 2002-03-29 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조용 마스크 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6975065B2 (ko) |
| EP (1) | EP1246246A3 (ko) |
| JP (1) | JP4789341B2 (ko) |
| KR (1) | KR100462514B1 (ko) |
| CN (1) | CN1384696A (ko) |
| TW (1) | TWI286385B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8013815B2 (en) | 2003-11-29 | 2011-09-06 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electro luminescence display device |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1822385B (zh) * | 2005-01-31 | 2013-02-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及含有其的电子设备 |
| KR100708147B1 (ko) * | 2005-03-14 | 2007-04-16 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 클러스터 및 이를 채용한 직하발광형 백라이트유닛 및 액정표시장치 |
| KR101219036B1 (ko) | 2005-05-02 | 2013-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR100993426B1 (ko) | 2008-11-10 | 2010-11-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101711191B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2017-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| CN102497690B (zh) * | 2011-12-16 | 2016-03-16 | 信利半导体有限公司 | 一种oled照明器件 |
| CN103205687B (zh) * | 2012-01-16 | 2016-03-02 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 蒸镀掩模板及其制作方法 |
| US9190456B2 (en) | 2012-04-25 | 2015-11-17 | Ignis Innovation Inc. | High resolution display panel with emissive organic layers emitting light of different colors |
| KR200492239Y1 (ko) | 2015-04-27 | 2020-09-03 | 코웨이 주식회사 | 휴대용 살균수 분사기 |
| KR102062587B1 (ko) * | 2017-02-08 | 2020-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN111384086B (zh) * | 2018-12-28 | 2023-04-18 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构及显示屏 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5822026A (en) * | 1994-02-17 | 1998-10-13 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate and color liquid crystal display |
| US5952037A (en) * | 1995-03-13 | 1999-09-14 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing the same |
| JP3719743B2 (ja) * | 1995-08-09 | 2005-11-24 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネル |
| JP3539597B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2004-07-07 | ソニー株式会社 | 有機光学的素子及びその製造方法 |
| US5688551A (en) * | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
| JPH10289784A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
| JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
| TW420965B (en) * | 1998-07-14 | 2001-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dispersion-type electroluminescence element |
| DE19916745A1 (de) * | 1999-04-13 | 2000-10-19 | Mannesmann Vdo Ag | Lichtemittierende Diode mit organischen lichtemittierenden Stoffen zur Erzeugung von Licht mit Mischfarben |
| JP4780826B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2011-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置の作製方法 |
| TW480722B (en) | 1999-10-12 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method of electro-optical device |
| JP2001313172A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス白色光源、及びその製造方法 |
| JP4601842B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2010-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| TW495809B (en) * | 2000-02-28 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, thin film forming method, and self-light emitting device |
| JP2001296819A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法 |
| JP4053209B2 (ja) * | 2000-05-01 | 2008-02-27 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| CN1295945C (zh) * | 2000-12-20 | 2007-01-17 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 场致发光彩色显示屏 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001102390A patent/JP4789341B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-06 TW TW091104103A patent/TWI286385B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-27 US US10/109,170 patent/US6975065B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-29 CN CN02104991A patent/CN1384696A/zh active Pending
- 2002-03-29 KR KR10-2002-0017323A patent/KR100462514B1/ko active IP Right Grant
- 2002-04-02 EP EP02252386A patent/EP1246246A3/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8013815B2 (en) | 2003-11-29 | 2011-09-06 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electro luminescence display device |
| EP2790241A1 (en) | 2003-11-29 | 2014-10-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electro luminescence display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4789341B2 (ja) | 2011-10-12 |
| US20020158576A1 (en) | 2002-10-31 |
| CN1384696A (zh) | 2002-12-11 |
| JP2002299052A (ja) | 2002-10-11 |
| US6975065B2 (en) | 2005-12-13 |
| KR100462514B1 (ko) | 2004-12-17 |
| EP1246246A3 (en) | 2005-10-26 |
| TWI286385B (en) | 2007-09-01 |
| EP1246246A2 (en) | 2002-10-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121119 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131119 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141117 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161123 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171114 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181121 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191119 Year of fee payment: 16 |