KR20020032081A - 글로벌 입·출력라인 선택장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 동기식 메모리장치에서 다수의 글로벌 입·출력라인으로부터 일부를 선택하여 구동하기 위한 글로벌 입·출력라인 선택장치에 관한 것으로, 특히 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호에 의해 인에이블 타이밍을 직접 제어하여 모델이나 온도, 전압 등의 공정환경 변화에 따른 영향을 적게 받도록 제어하므로써, 타 신호와의 충분한 타이밍 마진확보를 위해 요구되었던 일정 딜레이시간을 제거할 수 있게 되어 데이터 입·출력 동작시의 고속화를 실현할 수 있을 뿐만 아니라, 회로 내부적으로 요구되던 여러 가지 딜레이 옵션구성이 불필요해지게 되면서 레이-아웃상으로도 큰 이득을 얻을 수 있도록 한 글로벌 입·출력라인 선택장치를 제공하는 기술에 관한 것이다.
Description
본 발명은 동기식 메모리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다수의 글로벌 입·출력라인으로부터 일부를 선택하여 구동하기 위한 글로벌 입·출력라인 선택장치에 관한 것이다.
도 1 은 통상적으로 사용되는 반도체 메모리장치에서의 데이터 출력 경로를 나타낸 블록 구성도로, 동 도면을 참조하며 종래 기술에 따른 글로벌 입·출력라인 선택동작을 자세히 살펴보기로 한다.
우선, 메모리 셀(1)내에 저장된 데이터는 1차 증폭기인 비트라인 센스앰프(2)에 입력되어 1차적으로 증폭된다. 이와 같이 증폭된 데이터 신호는 상보 전위레벨을 갖는 두 신호 전달라인(LIO, /LIO)을 거쳐 데이터 버스라인 스트로브신호(dbsastb)에 의해 활성화 여부가 제어되는 2차 증폭기 데이터 버스라인 센스앰프(4)에 실리게 된다. 상기 데이터 센스앰프 스트로브신호(dbsastb)는 각 뱅크내 데이터 센스앰프 스트로브신호 발생기(3)로부터 발생되는 신호로, 보통 클럭의 상승구간(rising-edge)에 동기하여 인에이블 되는 신호이다. 이때, 상기 데이터 센스앰프 스트로브신호(dbsastb)에 의해 데이터 버스라인 센스앰프(4)가 활성화됨과 동시에, 파이프 입력 스트로브신호 발생기(5)에서는 각 뱅크별 데이터 센스앰프 스트로브신호를 전달받아 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)를 발생시키게 된다.
상기 각 뱅크별 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb<0:3>)들의 조합에 의해 발생되는 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)는 후단의 파이프 입력 제어신호 발생기(6)로 입력되어 각종 외부 제어신호(/RAS, /CAS, /CS, /WE)등의 조합에 의해 발생되는 리드 명령신호가 인에이블 되면 상기 파이프 입력 제어신호 발생기(6)는 비로써 데이터를 받아들일 준비를 하게 된다.
도 2 는 도 1 에 도시된 파이프 입력 제어신호 발생기(6)의 일 예에 따른 회로 구성도를 도시한 것으로, 이의 구성은 이미 공지된 사항이므로 자세한 구성 설명은 생략하기로 한다. 이하, 동 도면을 참조하며 이의 자세한 동작을 살펴보기로 한다.
우선, 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb)가 디스에이블 되어 있으면 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)도 디스에이블 상태가 된다. 이에 따라, 모든 파이프 입력 제어신호(pin<0:2>)를 '로직 하이'의 전위레벨로 유지하게 되면서 후단에 접속된 파이프 입력 스위치(9)내 모든 스위칭소자(SW0내지 SW2)를 턴-오프 시키게 된다.
한편, 처음 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb<0>)가 인에이블되면 상기 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)가 '로직 로우'의 전위레벨로 인에이블 되면서 첫 번째 파이프 입력 제어신호(pin<0>)만을 '로직 로우'의 전위레벨로 전이시킬 뿐, 나머지 파이프 입력 제어신호(pin<1>과 pin<2>)는 그대로 '로직 하이'의 전위레벨을 유지시키게 된다. 이에 따라, 파이프 입력 스위치(9)내 첫 번째 스위칭소자(SW0)는 턴-온 되고, 나머지 스위칭소자(SW1, SW2)는 그대로 턴-오프 상태를 유지하게 되면서, GIO를 거쳐 전달된 데이터신호가 첫 번째 파이프 레지스터(10)에 저장된다.
또한, 두번째 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb<1>)가 인에이블 되면 상기 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)가 '로직 로우'의 전위레벨로 인에이블 되면서 두 번째 파이프 입력 제어신호(pin<1>)만을 '로직 로우'의 전위레벨로 전이시킬 뿐, 나머지 파이프 입력 제어신호(pin<0>과 pin<2>)는 그대로 '로직 하이'의 전위레벨을 유지시키게 된다. 이에 따라, 파이프 입력 스위치(9)내 두 번째 스위칭소자(SW1)는 턴-온 되고, 나머지 스위칭소자(SW0, SW2)는 그대로 턴-오프 상태를 유지하게 되면서, GIO를 거쳐 전달된 데이터신호가 두 번째 파이프 레지스터(11)에 저장된다.
그리고, 세 번째 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb<2>)가 인에이블 되면 상기 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)가 '로직 로우'의 전위레벨로 인에이블 되면서, 세 번째 파이프 입력 제어신호(pin<2>)만을 '로직 로우'의 전위레벨로 전이시킬 뿐 나머지 파이프 입력 제어신호(pin<0>과 pin<1>)는 그대로 '로직 하이'의 전위레벨을 유지시키게 된다. 이에 따라, 파이프 입력 스위치(9)내 세번째 스위칭소자(SW2)는 턴-온 되고, 나머지 스위칭소자(SW0, SW1)는 그대로 턴-오프 상태를 유지하게 되면서, GIO를 거쳐 전달된 데이터신호가 세 번째 파이프 레지스터(12)에 저장된다.
그 다음 번 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호가 인에이블 되면 상기 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)가 역시 '로직 로우'의 전위레벨로 인에이블 되면서, 다시 첫 번째 파이프 입력 제어신호(pin<0>)만을 '로직 로우'의 전위레벨로 전이시킬 뿐 나머지 파이프 입력 제어신호(pin<1>과 pin<2>)는 그대로 '로직 하이'의 전위레벨을 유지시키게 되면서 위의 동작을 반복하게 된다. 이에 따라, 파이프 입력 스위치(9)내 첫 번째 스위칭소자(SW0)가 다시 턴-온 되고 나머지 스위칭소자(SW1, SW2)는 그대로 턴-오프 상태를 유지하게 되면서, GIO를 거쳐 전달된 데이터신호가 다시 첫 번째 파이프 레지스터(10)에 저장되게 된다.
즉, 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb)가 활성화되면서 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)가 활성화되고, 이에 따라 파이프 입력 제어신호(pin<0:2>)가 순차적으로 pin<0>, pin<1>, pin<2>, pin<0>, pin<1>, …가 활성화되어 해당 스위칭소자만을 턴-온 시키게 되면서 멀티 플렉서(7)를 거쳐 전달된 데이터 신호(mxout)를 연결된 해당 파이프 레지스터에 저장하게 된다. 이와 같은 과정을 거쳐 저장된 데이터 신호는 상기 저장과정과 동일한 방법으로 파이프 출력 제어신호 발생기(16)로부터 발생되는 제어신호(pout<0:2>)의 제어하에 파이프 출력 스위치(13)를 거쳐 순차적으로 서로 충돌하는 일 없이 외부입력 클럭신호에 동기되어 데이터 출력버퍼(14)를 거쳐 데이터 출력 패드(DQ pad)로 출력된다. 이때, 상기 파이프 출력 제어신호 발생기(16)로 입력되는 카스 레이턴시 신호(CL)는 리드 명령신호의 입력 이후 얼마 뒤에 파이프 출력 제어신호(pout<0:2>)를 출력할 것인가를 결정하기 위해 외부로부터 입력되는 신호이다.
한편, 각 뱅크내 구비한 데이터 버스라인 센스앰프(4)의 양측 출력라인이 각각 접속된 다수의 글로벌 입·출력라인(이하, 이를 'GIO'라 칭함) 중 일부를 선택하여 구동하기 위해 글로벌 입·출력라인 선택장치(8)를 구비하여 외부입력 선택신호(x4, x8)의 입력에 의해 x4로 데이터를 출력할 지 또는 x8의 상태로 데이터를 출력할 지 여부를 결정하여 각 GIO가 접속된 다수의 멀티플렉서(7) 구동을 제어하게 된다. 예를 들어, x4로 데이터를 출력하는 경우에는 16개의 GIO 중 4개의 GIO가 선택되어 멀티 플렉서(7)의 출력단(mxout)으로 데이터를 출력하게 되는데, 이를 선택하는 신호는 후단에 기술할 gay_d<A>와 gay_d<B>로, 원하는 GIO의 데이터를 외부로 출력하기 위해 외부에서 입력된 어드레스 신호(ext_add<A:B>)를 버퍼링하여 일정 딜레이를 거쳐 지연된 신호가 된다.
도 3 은 도 1 에 도시된 글로벌 입·출력라인 선택장치(8)의 일 예에 따른 블록 구성도를 도시한 것으로, 외부로부터 어드레스신호(ext_add<A:B>)를 입력받아 일정레벨로 버퍼링하는 버퍼링수단(22)과, 상기 버퍼링수단(22)을 거쳐 출력된 어드레스신호(gay<A:B>)를 전달받아 GIO에 실린 데이터가 원하는 전위레벨 수준으로 변화하는데 요구되는 타이밍을 여러 차례의 별도의 시뮬레이션을 거쳐 확인하므로써 그에 따라 요구되는 일정 딜레이를 실현하도록 조절하는 지연수단(24)과, 상기 지연수단(24)으로부터 일정시간 딜레이된 어드레스신호(gay_d<A:B>)를 전달받아 외부로부터 제어되는 x4 또는 x8 선택신호와의 조합에 의해 GIO 선택신호를 출력하는 출력 구동수단(26)을 구비하여 구성된다.
상기 구성을 갖는 종래의 글로벌 입·출력라인 선택장치에서는 상기 지연수단(24)에 의해 실현되는 일정 딜레이 시간만큼의 시간 마진을 갖고 해당 GIO에 연결된 멀티 플렉서(7)를 선택적으로 활성화시켜 GIO의 데이터를 후단의 파이프 입력 스위치(9)를 거쳐 파이프 레지스터(10)에 순차적으로 저장시키게 된다. 따라서, 온도나 공정 변화 등에 따라 달라지는 각종 제어신호의 인에이블 타이밍 차이로 인해 야기되는 GIO의 데이터 전달속도와 GIO 선택 제어신호(gio_sel)의 발생속도 차이를 제거하기 위해서는 상기 지연수단(24)에 의해 실현되는 딜레이 시간마진을 충분히 키우는 것이 요구되어 진다.
결과적으로, GIO 데이터 전달을 위해 상기 멀티 플렉서(7)의 활성화 여부를 제어하는 gio_sel신호의 인에이블 타이밍이 상기 지연수단(24)내 충분한 지연시간의 확보로 인해 그만큼 뒤로 밀리게 되면서 데이터 출력의 고속화를 저하시키게 되는 문제점이 발생한다. 또한, 회로 내부적으로도 여러 가지 딜레이 옵션구성을 별도로 구비하게 되므로써, 고집적화 및 저전력 실현에도 제한이 따르게 되는 문제점이 발생한다.
게다가, 상기 멀티 플렉서(7)를 거쳐 전달된 데이터 신호(mxout)가 후단의 파이프 레지스터(10∼12)에 저장되는 타이밍 또한 상기 GIO 선택 제어신호(gio_sel)가 충분한 지연시간을 확보한 상태에서 인에이블 되는 관계로 인해 더불어 늦추어 지도록 요구되기 때문에, 파이프 입력 스위치(9)의 스위치 여부를 제어하는 파이프 입력 제어신호(pin<0:2>)의 인에이블 타이밍에 있어서도 충분한 타이밍 마진을 확보하도록 요구된다. 따라서, GIO의 데이터 신호가 파이프 레지스터로 입력되는 타이밍이 늦어져 데이터 출력 패드(DQ pad)로의 데이터 출력 타이밍 또한 더불어 늦어지게 되면서 회로 전체적인 고속화 저하를 야기시키는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호에 의해 글로벌 입·출력라인 선택 제어신호의 인에이블 타이밍을 직접 제어하므로써, 타 신호와의 충분한 타이밍 마진확보를 위해 요구되었던 일정 딜레이시간을 제거하여 데이터 입·출력 동작시의 고속화를 실현하도록 한 글로벌 입·출력라인 선택장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 글로벌 입·출력라인 선택장치는 다수의 뱅크를 구비한 동기식 디램에 있어서;
외부로부터 입력되는 어드레스신호를 전달받아 일정 전위레벨로 버퍼링하는 버퍼링수단과,
상기 다수의 뱅크로부터 각각의 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호를 전달받아 이들 신호를 조합하여 발생시킨 파이프 입력 스트로브신호에 의해 활성화여부가 제어되어 상기 버퍼링수단을 거쳐 전달받은 어드레스신호를 선택적으로 전달하여 일정하게 래치시키는 어드레스 선택수단과,
상기 어드레스 선택수단으로부터 전달받은 어드레스 신호에 해당하는 뱅크의 글로벌 입·출력라인을 선택하여 활성화시키도록 제어신호를 발생시키는 출력 구동수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
도 1 은 통상적으로 사용되는 반도체 메모리장치에서의 데이터 출력 경로를 나타낸 블록 구성도
도 2 는 도 1 에 도시된 파이프 입력 제어신호 발생기의 일 예에 따른 회로 구성도
도 3 은 도 1 에 도시된 글로벌 입·출력라인 선택장치의 일 예에 따른 블록 구성도
도 4 는 본 발명에 따른 글로벌 입·출력라인 선택장치의 일 실시예에 따른 블록 구성도
도 5 는 본 발명에 따른 글로벌 입·출력라인 선택장치의 다른 실시예에 따른 블록 구성도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 메모리 셀2: 비트라인 센스앰프
3: 데이터 센스앰프 스트로브신호 발생기 4: 데이터 버스라인 센스앰프
5: 파이프 입력 스트로브신호 발생기6: 파이프 입력 제어신호 발생기
7: 멀티 플렉서8: 글로벌 입·출력라인 선택장치
9: 파이프 입력 스위치10, 11, 12: 파이프 레지스터
13: 파이프 출력 스위치14: 데이터 출력버퍼
15: 명령 디코더16: 파이프 출력 제어신호 발생기
32, 42, 52: 버퍼링수단34: 지연수단
36, 46, 56: 출력 구동수단44, 54: 어드레스 선택수단
상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4 는 본 발명에 따른 글로벌 입·출력라인 선택장치의 일 실시예에 따른 블록 구성도를 도시한 것으로, 외부로부터 입력되는 어드레스신호(ext_add)를 전달받아 일정 전위레벨로 버퍼링하는 버퍼링수단(42)과, 다수의 뱅크로부터 각각의 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호를 전달받아 이들 신호를 조합하여 발생시킨 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)에 의해 활성화여부가 제어되어 상기 버퍼링수단(42)을 거쳐 전달받은 어드레스신호(gay)를 선택적으로 전달하여 일정하게 래치시키는 어드레스 선택수단(44)과, 상기 어드레스 선택수단(44)으로부터 전달받은 어드레스 신호(gay_d)에 해당하는 뱅크의 글로벌 입·출력라인을 선택하여 활성화시키도록 제어신호(gio_sel)를 발생시키는 출력 구동수단(46)을 구비한다.
상기 어드레스 선택수단(44)은 상기 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)의 제어하에 턴-온/턴-오프 상태가 제어되어 입력되는 어드레스신호(gay)를 전달하는 어드레스 전달부(47)와, 상기 어드레스 전달부(47)를 거쳐 전달된 어드레스신호의전위레벨을 일정하게 래치시키는 어드레스 래치부(48)로 구성한다.
본 실시예에서는 상기 어드레스 전달부(47)를 상기 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)의 상보 전위레벨 신호를 각각의 게이트단으로 입력받으며 전원전압 인가단과 접지단 사이에 상호 직렬 연결된 제1 P채널 및 N채널 모스 트랜지스터(MP1, MN1)와, 상기 버퍼링수단(42)을 거쳐 전달된 어드레스신호(gay)가 각각의 게이트단으로 입력되며 상기 제1 P/N채널 모스 트랜지스터(MP1, MN1)의 연결노드 사이에 상호 직렬 연결된 제2 P채널 및 N채널 모스 트랜지스터(MP2, MN2)를 구비하여 구성하고 있다. 또한, 상기 래치부(48)는 상호 입·출력단이 피드백구조로 연결된 2개의 인버터(IV3, IV4)로 구성하고 있다.
상기 구성에 의해, 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)가 활성화 상태로 인가됨과 동시에 해당 어드레스신호를 상기 제2 P채널 및 N채널 모스 트랜지스터(MP2, MN2)로 구성되는 인버터에 의해 반전시켜 전달한 후, 후단의 래치부(48)에서 재반전한 전위상태로 일정하게 유지시키게 된다. 또한, 이렇게 래치된 해당 어드레스신호(gay_d)는 외부 선택신호(x4, x8)의 입력과 함께 후단의 출력 구동수단(46)으로 전달되어 해당 GIO의 선택적 활성화를 제어하는 제어신호(gio_sel)를 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb)의 활성화에 맞추어 즉시 발생시키게 된다.
도 5 는 본 발명에 따른 글로벌 입·출력라인 선택장치의 다른 실시예에 따른 블록 구성도로, 도 4 에 도시된 일 실시예와 동일한 블록 구성으로 단지, 어드레스 선택수단(54)내 어드레스 전달부(57)를 상기 파이프 입력스트로브신호(pin_stb)에 의해 스위칭여부가 제어되어 버퍼링수단(52)을 거쳐 입력된 어드레스신호(gay)를 선택적으로 전달하는 스위칭소자(MT1)를 구비하여 구성하는 차이만이 있다. 동 도면에서는, 상기 스위칭소자(MT1)로 전달 게이트소자를 사용하고 있다.
상기 구성에 의해, 어드레스 선택수단(54)의 활성화여부 제어를 상기 스위칭소자(MT1)에 의해 제어할 뿐 기본 동작은 도 4의 구성을 갖는 실시예에서와 동일하게 수행된다.
이하, 상기 구성을 갖는 본 발명의 글로벌 입·출력라인 선택동작을 도면을 참조하며 자세히 살펴보기로 한다.
우선, 메모리 셀 내에 저장된 데이터 신호가 리드 명령신호의 입력에 의해 각각 비트라인 센스앰프 및 데이터 버스라인 센스앰프를 거쳐 1·2차 증폭된 후 글 로벌 입·출력라인(GIO)에 실리는 과정은 종래 기술에서와 마찬가지로 이루어진다.
또한, GIO의 데이터를 선택하는 글로벌 입·출력라인 선택장치에 외부 선택신호(x4, x8)가 입력되어 데이터신호를 x4의 형태로, 또는 x8의 형태로 출력하게 될 지를 알리게 된다. 이때, 데이터 신호의 선택을 제어하는 신호가 gay_d신호로, 동 신호는 외부로부터 입력된 어드레스신호(ext_add)가 각각의 버퍼링수단(42)을 거쳐 어드레스 선택수단(44)으로 전달된 어드레스신호(gay)가 소정의 시간동안 대기상태에 있다가 각 뱅크별 데이터 버스라인 센스앰프의 구동을 알리는 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb)들의 조합으로 발생되는 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)에 의해 활성화되어 상기 외부 선택신호(x4, x8)와 함께 출력 구동수단(46)으로 입력되어 GIO 선택 제어신호(gio_sel)의 인에이블 여부를 제어하는 신호이다.
상기 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb)는 대기상태에서 '로직 하이' 의 전위상태를 유지하다가 활성화상태가 되어 '로직 로우'의 전위상태로 전이하게 되면, 그에 따라 해당 데이터 센스앰프가 인에이블되면서 글로벌 입·출력라인(GIO)으로 데이터가 전달된다. 또한, 상기 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb)에 의해 활성화되는 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)도 '로직 로우'의 전위레벨로 떨어지게 되면서 즉시 글로벌 입·출력라인 선택장치내 어드레스 선택수단(44)이 활성화되어진다.
이에 따라, 외부입력 어드레스신호(ext_add)가 버퍼링수단(42)을 거쳐 전달된 어드레스신호(gay)를 일정하게 래치시켜 글로벌 입·출력라인 선택 제어신호(gio_sel)를 활성화시켜 발생시키게 된다. 이 후, 상기 활성화 상태로 출력된 글로벌 입·출력라인 선택 제어신호(gio_sel)는 해당 GIO의 데이터를 멀티 플렉서(7)의 출력단(mxout)으로 전달하게 된다. 따라서, GIO의 데이터신호와 GIO를 선택해 해당 데이터신호를 멀티 플렉서(7)의 출력단으로 전달시키는 제어신호(gio_sel)가 모두 하나의 신호 즉 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb)에 의해 제어받아 활성화되기 때문에, 모델이나 온도, 전압 등의 공정환경 변화에 영향 받지 않고 가장 적절한 타이밍을 확보하면서 GIO의 데이터신호를 멀티 플렉서(7)의 출력단(mxout)으로 전달할 수 있게 되는 것이다.
뿐만 아니라, 상기 멀티 플렉서(7)의 출력단(mxout)으로 전달된 데이터신호가 파이프 레지스터에 저장되는 시점을 제어하는 파이프 입력 제어신호(pin<0:2>)도 역시 상기 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호(dbsastb)에 제어하에 활성화되기 때문에, 양측 회로간의 타이밍 정합을 위한 회로 구성이 종래 기술에 비해 월등히 용이해진다. 또한, 모델이나 온도, 전압 등의 공정환경 변화에 따른 영향을 적게 받게 되어 글로벌 입·출력라인 선택 제어신호(gio_sel)와 파이프 입력 제어신호(pin<0:2>)간의 적절한 타이밍 마진의 확보가 가능해지면서 전체적으로 해당 GIO의 데이터신호를 데이터 출력 패드(DQ pad)로 출력하는 동작을 보다 고속으로 수행할 수 있게 되는 것이다.
이때, 상기 어드레스 선택수단(44)내 활성화 제어신호가 되는 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)로는 일반적으로 사용되는 펄스신호를 사용한다. 따라서, 상기 어드레스 선택수단의 후단에는 별도의 래치부(48)를 구비하므로써, 상기 파이프 입력 스트로브신호(pin_stb)가 중간에 '로직 하이'로 전이되더라도 계속해서 데이터신호를 유지할 수 있도록 제어하고 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 글로벌 입·출력라인 선택장치에 의하면, 글로벌 입·출력라인의 선택 제어신호를 데이터 버스라인 센스앰프 구동 제어신호에 의해 직접 타이밍 제어하여 발생시키므로써, 각종 공정환경상의 변화로 인해 야기되는 인에이블 타이밍변화에 따른 타 신호와의 충분한 타이밍 마진확보를 위해 요구되었던 일정 딜레이시간을 제거할 수 있게 되어 데이터 입·출력 동작시의 고속화를 실현할 수 있게 되는 매우 뛰어난 효과가 있다.
또한, 회로 내부적으로 요구되었던 각종 딜레이 옵션 회로구성을 제거할 수 있게 되므로써 이에 따른 저 전력 및 고 집적 실현이 가능해지는 매우 뛰어난 효과가 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
Claims (5)
- 다수의 뱅크를 구비한 동기식 디램에 있어서;외부로부터 입력되는 어드레스신호를 전달받아 일정 전위레벨로 버퍼링하는 버퍼링수단과,상기 다수의 뱅크로부터 각각의 데이터 버스라인 센스앰프 스트로브신호를 전달받아 이들 신호를 조합하여 발생시킨 파이프 입력 스트로브신호에 의해 활성화여부가 제어되어 상기 버퍼링수단을 거쳐 전달받은 어드레스신호를 선택적으로 전달하여 일정하게 래치시키는 어드레스 선택수단과,상기 어드레스 선택수단으로부터 전달받은 어드레스 신호에 해당하는 뱅크의 글로벌 입·출력라인을 선택하여 활성화시키도록 제어신호를 발생시키는 출력 구동수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 글로벌 입·출력라인 선택장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 어드레스 선택수단은 상기 파이프 입력 스트로브신호의 제어하에 턴-온/턴-오프가 제어되어 입력되는 어드레스신호를 전달하는 어드레스 전달부와,상기 어드레스 전달부를 거쳐 전달된 어드레스신호의 전위레벨을 일정하게 래치시키는 어드레스 래치부를 구비하는 것을 특징으로 하는 글로벌 입·출력라인 선택장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 어드레스 전달부는 상기 파이프 입력 스트로브신호의 상보 전위레벨 신호를 각각의 게이트단으로 입력받으며 전원전압 인가단과 접지단 사이에 상호 직렬 연결된 제1 P채널 및 N채널 모스 트랜지스터와,상기 버퍼링수단을 거쳐 전달된 어드레스신호가 각각의 게이트단으로 입력되며 상기 제1 P/N채널 모스 트랜지스터의 연결노드 사이에 상호 직렬 연결된 제2 P채널 및 N채널 모스 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 글로벌 입·출력라인 선택장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 어드레스 전달부는 상기 파이프 입력 스트로브신호에 의해 스위칭여부가 제어되어 상기 버퍼링수단을 거쳐 입력된 어드레스신호를 선택적으로 전달하는 스위칭소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 글로벌 입·출력라인 선택장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 스위칭소자는 전달 게이트소자로 구현하는 것을 특징으로 하는 글로벌 입·출력라인 선택장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000062970A KR20020032081A (ko) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 글로벌 입·출력라인 선택장치 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000062970A KR20020032081A (ko) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 글로벌 입·출력라인 선택장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020032081A true KR20020032081A (ko) | 2002-05-03 |
Family
ID=19695406
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020000062970A KR20020032081A (ko) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 글로벌 입·출력라인 선택장치 |
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- 2000-10-25 KR KR1020000062970A patent/KR20020032081A/ko not_active Application Discontinuation
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