KR20020022570A - 액정 표시 장치 - Google Patents

Abstract

액정을 사이에 두고 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측의 화소 영역에, 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 구동되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 상기 박막 트랜지스터 및 화소 전극도 피복하여 형성되는 보호막과, 이 보호막의 상면에 형성되는 수지막을 구비함으로써, 얼룩 형상의 불량 발생을 방지한다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 예를 들면 액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치에 관한 것이다.

액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치는, 액정을 사이에 두고 대향 배치되는 각 투명 기판 중 한쪽 투명 기판의 액정측의 면에, x 방향으로 연장되고 y 방향으로 병설되는 게이트 신호선과 y 방향으로 연장되고 x 방향으로 병설되는 드레인 신호선으로 둘러싸인 영역을 화소 영역으로 하고, 이 화소 영역에 편측의 게이트 신호선으로부터의 주사 신호의 공급에 의해서 구동되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 편측의 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극이 구비되어 구성된다.

그리고, 이 화소 전극과 대향 전극 사이에 발생되는 전계에 의해서 액정의 광 투과율이 제어되도록 되어 있지만, 그 대향 전극으로는, 예를 들면 상기 화소 전극이 형성된 투명 기판측에 형성된 것이 알려져 있다.

즉, 화소 전극 및 대향 전극은 각각 상호 맞물리는, 예를 들면 빗살(comb)형의 패턴으로 이루지고, 이들 사이에 발생되는 전계 중 투명 기판과 평행한 성분을 갖는 전계에 의해 액정 분자를 구동시키도록 되어 있다 (소위 횡(橫)전계 방식이라 불림).

여기서, 화소 전극 및 대향 전극은 박막 트랜지스터의 게이트 절연막으로서 기능하는 절연막 및 박막 트랜지스터의 액정과의 직접적인 접촉을 회피시키기 위한 보호막으로 피복되어 있고, 액정과 직접 접촉하지 않는 구성으로 되어 있다.

그러나, 이와 같이 구성된 액정 표시 장치는, 그 표시 영역면(화소 영역의 집합체로 이루어지는 영역면)에 얼룩 형상의 표시 불량이 발생하며, 또한 그것이 진행되는 경우가 있다는 것이 확인되었다.

그리고, 이 표시 불량의 발생의 원인을 추급하였더니, 보호막 등에 있어서 구멍 혹은 크랙 등이 발생하는데, 이에 의해 노출된 신호선 등의 사이에 액정을 통해 누설 전류가 생겨, 전기 화학 반응이 발생함으로써 국소적으로 액정의 이온종 농도가 높아져, 액정 유지율이 저하되기 때문에 발생한다는 것이 판명되었다.

이에 대한 대책으로서는, 상기 보호막을 두껍게 하는 것을 고려할 수 있지만, 그 보호막에 화소 전극과 박막 트랜지스터의 접속을 도모하는 컨택트 홀을 형성하는 경우에 있어서, 그컨택트 홀이 크게 형성되고, 미세화에 방해가 된다고 하는 문제점이 발생한다.

본 발명은 이러한 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은 상기 얼룩 형상의 표시 불량의 발생을 방지하는 액정 표시 장치를 제공하는 데에 있다.

본원에 있어서 개시되는 발명 중, 대표적이지만 개요를 간단히 설명하면, 이하와 같다.

본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 예를 들면, 액정을 사이에 두고 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측의 화소 영역에, 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 구동되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 상기 박막 트랜지스터 및 화소 전극도 피복하여 형성되는 보호막과, 이 보호막의 상면에 형성되는 수지막을구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.

이와 같이 구성된 액정 표시 장치는, 보호막에 흠이나 크랙이 발생하더라도, 이들 흠이나 크랙은 수지막에 의해서 피복되는 구성으로 된다.

이 때문에, 보호막 아래에 있는 신호선 등이 액정측에 노출되는 일이 없어지므로, 그 액정을 통해 누설 전류가 생기고, 전기 화학 반응의 발생에 의해 국소적으로 액정의 이온종 농도가 높아져, 액정 유지율이 저하되는 일이 없어진다.

이로부터, 얼룩 형상의 표시 불량의 발생을 억제할 수 있게 된다.

본 발명의 보다 상세한 수단과 효과는, 이하의 설명에 있어서 분명해질 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 일 실시예를 나타내는 주요부 단면도로, 도 3의 I-I선에 있어서의 단면도.

도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 일 실시예를 나타내는 평면도.

도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 화소의 일 실시예를 나타내는 평면도.

도 4는 도 3의 VI-VI 선에 있어서의 단면도.

도 5는 본 발명에 따른 효과를 나타내는 설명도.

도 6은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>

AR : 액정 표시부

AS : 반도체층

BM : 블랙 매트릭스

BR : 흠이나 크랙

CL : 대향 전압 신호선

Cstg : 용량 소자

CT : 대향 전압 신호선(대향 전극)

DL : 드레인 신호선

FIL : 컬러 필터

GI : 절연막

GL : 게이트 신호선

He : 영상 신호 구동 회로

LC : 액정

OC :평탄화막

ORI : 배향막

PSV : 보호막

PX : 화소 전극

RES : 수지막

SD1 : 소스 전극

SD2 : 드레인 전극

SL : 밀봉재

SUB1, SUB2 : 투명 기판

TFT : 박막 트랜지스터

이하, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 실시예를 도면을 이용하여 설명을 한다.

(실시예 1)

《전체적인 구성》

도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 일 실시예를 나타내는 평면도이다. 동 도면에 있어서 하부 투명 기판 SUB1이 있고, 이 투명 기판 SUB1의 상면에는 액정을 통해 상부 투명 기판 SUB2가 배치되어 있다.

투명 기판 SUB의 액정측의 면에는, 도면 중 x 방향으로 연장되고 y 방향으로 병설되는 게이트 신호선 GL이 형성되고, 그 일단측(도면의 좌측)으로부터는 수직 주사 회로 V에 의해서 각각 주사 신호가 공급되도록 되어 있다.

또한, 도면 중 y 방향으로 연장되고 x 방향으로 병설되는 드레인 신호선이 형성되고, 그 일단측(도면중 상측)으로부터는 영상 신호 구동 회로 He에 의해서 각각 영상 신호가 공급되도록 되어 있다.

각 게이트 신호선 GL의 사이에는, 그 게이트 신호선 GL과 평행하여 대향 전압 신호선 CT가 형성되고, 이들 일단측(도면중 우측)은 공통으로 접속되며, 단자를 통해 대향 전압 신호가 공급되도록 되어 있다.

상호 인접하는 게이트 신호선 GL과 상호 인접하는 드레인 신호선 DL로 둘러싸인 영역은, 화소 영역(도면의 점선 프레임의 영역)으로서 구성되도록 되어 있고, 이 화소 영역의 집합체로 이루어지는 영역은 액정 표시부 AR로서 구성되도록 되어 있다.

이 화소 영역의 구성의 상세는 후술하겠지만, 이 화소 영역 내에는, 게이트 신호선 GL로부터의 주사 신호의 공급에 의해서 구동되는 박막 트랜지스터 TFT와, 이 박막 트랜지스터 TFT를 통해 드레인 신호선 DL로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극 PX와, 이 화소 전극 PX와의 사이에 투명 기판 SUB1과 거의 평행한 전계 성분을 발생시키는 대향 전극 CT가 형성되어 있다.

상기 투명 기판 SUB2는, 수직 주사 회로 V 및 영상 신호 구동 회로 He의 탑재 영역을 피하여 액정 표시부 AR의 부분에 배치되어 있다. 또, 수직 주사 회로 V 및 영상 신호 구동 회로 He는 각각 복수의 반도체 집적 회로로 이루어져 있다.

또한, 투명 기판 SUB1에 대한 투명 기판 SUB2의 고정은, 액정 표시부 AR에 액정을 밀봉하는 기능을 겸하는 밀봉재 SL에 의해서 이루어져 있다.

《화소의 구성》

도 3은 상기 화소 영역(도 2에 나타낸 점선 프레임 내)의 일 실시예의 상세를 나타내는 평면도이다. 또, 도면 중 I-I선에 있어서의 단면도를 도 1에, IV-IV 선에 있어서의 단면도를 도 4에 도시하고 있다.

도 3에 있어서, 투명 기판 SUB1의 액정측의 면에, 도면 중 x 방향으로 주행하는 게이트 신호선 GL이 형성되어 있다.

그리고, 상기 게이트 신호선 GL과, 상방측으로 인접하는 게이트 신호선 GL(도시하지 않음) 사이에는, 도면 중 x 방향으로 주행하는 대향 전압 신호선 CL이 형성되어 있다.

이 대향 전압 신호선 CL은 게이트 신호선 GL과 동일 층에 형성되고, 그 재료도 게이트 신호선 GL의 재료와 동일하게 되어 있다.

대향 전압 신호선 CL은 화소 영역내에서 도면 중 y 방향으로 연장하여 형성되는 대향 전극 CT와 일체로 형성되고, 동 도면에서는 3개의 대향 전극 CT가 형성되어 있다.

이 대향 전극 CT는 그 연장 방향으로 지그재그 형상으로 형성되어 있지만, 이 구성의 상세에 대해서는 후술하는 화소 전극 PX와의 관계로 설명한다.

이와 같이 게이트 신호선 GL, 대향 전압 신호선 CL(대향 전극 CT)이 형성된 투명 기판 SUB1의 면에는, 이들 신호선도 피복하는, 예를 들면 SiN막으로 이루어지는 절연막 GI(도 1, 도 4 참조)가 형성되어 있다.

이 절연막 GI는 후술하는 드레인 신호선 DL에 대해서는 게이트 신호선 GL 및대향 전압 신호선 CL과의 교차부에서의 층간 절연막으로서의 기능을, 후술하는 박막 트랜지스터 TFT에 대해서는 그 게이트 절연막으로서의 기능을, 후술하는 용량 소자 Cstg에 대해서는 그 유전체막으로서의 기능을 갖도록 되어 있다.

이 절연막 GI의 표면에는, 화소 영역의 좌측 하부 부분에서, 게이트 신호선 GL의 일부와 중첩하도록 하여 반도체층 AS가 형성되어 있다.

이 반도체층 AS는 박막 트랜지스터 TFT의 그것으로서 기능하는 것으로, 예를 들면 비정질 실리콘(a-Si)에 의해서 구성되어 있다.

이 반도체층 AS의 상면에 드레인 전극 SD2 및 소스 전극 SD1이 형성됨으로써, 게이트 신호선 GL의 일부를 게이트 전극으로 하는 역 스태거 구조의 MIS형 트랜지스터가 형성되게 되어 있지만, 상기 드레인 전극 SD2 및 소스 전극 SD1은 각각 드레인 신호선 DL 및 화소 전극 PX와 동시에 형성되도록 되어 있다.

즉, 상기 절연막 GI 상에 있어서 도면 중 y 방향으로 연장되는 드레인 신호선 DL이 형성되고, 그 일부가 상기 반도체층 AS 상에까지 연장됨으로써, 그 연장부가 상기 드레인 전극 SD2로서 구성되도록 되어 있다.

또한, 상기 대향 전극 CT의 사이에 있어서 도면 중 y 방향으로 연장하여 형성되는 화소 전극 PX가 2개 형성되는데, 이들 각 화소 전극 PX는 대향 전압 신호선 CL 상에서 공통 접속되어 있음과 함께, 상기 반도체층 AS에 근접하는 화소 전극 PX의 일단부가 상기 반도체층 AS 상에까지 연장됨으로써, 그 연장부가 상기 소스 전극 SD1로서 구성되도록 되어 있다.

여기서, 화소 전극 PX는 대향 전극 CT와 마찬가지로 그 연장 방향을 따라서지그재그 형상으로 되어 있다.

즉, 화소 전극 PX와 대향 전극 CT는 각각 굴곡부를 가지고 평행하게 배치되고, 이에 따라 화소 전극과 대향 전극 CT 사이의 영역에서 발생하는 전계에서 그 방향을 달리하는 2개의 영역을 형성하도록 하고 있다 (소위 멀티 도메인 방식이라고 불림).

이와 같이 한 경우, 액정 표시부와 수직인 방향에 대하여 상호 역 방향에서 관찰해도 색조가 변하지 않도록 구성할 수 있다.

또, 드레인 신호선 DL과 인접하는 대향 전극 CT는, 그 드레인 신호선 DL로부터의 전계가 이 대향 전극 CT로 충분히 종단하고, 화소 전극 PX 측에 영향을 미치게 하지 않도록, 다른 전극보다도 그 폭이 크게 형성되어 있음과 함께, 드레인 신호선 DL과의 사이 영역을 좁히기 위해서, 그 드레인 신호선 DL 측의 변은 직선형으로 되어 있다.

복수(도 3에서는 2개)의 화소 전극 PX를 상호 접속시키기 위한 대향 전압 신호선 CL 상의 접속부는, 그 대향 전압 신호선 CL과의 사이에 용량 소자 Cstg를 형성하기 위해서, 그 면적이 비교적 크게 형성되어 있다.

이 용량 소자 Cstg는, 박막 트랜지스터 TFT가 오프되었을 때에, 화소 전극 PX로 공급된 영상 신호를 오래 축적시키기 위한 목적 등에서 마련되어 있다.

그리고, 이와 같이 구성된 화소 영역의 표면에는, 그 전역에 걸쳐, 예를 들면 SiN으로 이루어지는 보호막 PSV(도 1, 도 4 참조)가 형성되어 있다.

이 보호막 PSV는, 박막 트랜지스터 TFT로의 액정 LC의 직접적인 접촉을 피하게 하기 위해서 마련되어 있으며, 본 실시예에서는 적어도 액정 표시부 AR 내에서(따라서 화소 영역내에서) 컨택트 홀 등의 개구가 마련되어 있지 않은 구성으로 되어 있다.

예를 들면, 이 보호막 PSV 상에 화소 전극 PX를 형성하는 구조도 생각할 수 있지만, 이 화소 전극 PX와 박막 트랜지스터 TFT의 접속을 위한 컨택트 홀을 그 보호막 PSV에 형성하지 않으면 안되고, 이와 같이 한 경우, 단차에 의한 문제점, 혹은 포토리소그래피 기술에 의한 마스크 어긋남에 의한 문제점이 발생하기 때문이다.

그리고, 이 보호막 PSV의 상면에는 예를 들면 폴리이미드, 혹은 실로키산 등으로 이루어지는 수지막 RES(도 1, 도 4 참조)가 형성되어 있다.

이 수지막 RES는, 인쇄에 의해서, 예를 들면 폴리이미드 혹은 실로키산의 모노머 용액을 적어도 액정 표시부의 전역에 걸쳐 전사하고, 그 후, 200∼250℃의 고온하에서 상기 모노머를 중합시킴으로써 형성할 수 있다.

또한, 이 수지막은 인쇄에 한하지 않고, 예를 들면 도포(스핀 도포)에 의해서도 형성할 수 있다. 예를 들면, 폴리이미드, 실로키산, 아크릴, 칼드 등의 수지의 모노머 용액을 전면에 형성한 후, 노광, 현상에 의해서 적어도 액정 표시부의 전역에 걸쳐 형성하고, 그 후, 200∼250℃의 고온하에서 상기 모노머를 중합시킴으로써 형성할 수 있다.

이 수지막 RES는 그 두께를 1000nm 이하로 설정하는 것이 바람직하다. 보호막 PSV에 발생한 흠 혹은 크랙 등을 충분히 피복할 수 있으면 족하며, 또한 광의투과량 감소를 막기 위해서 너무 두껍게 하지 않는 것이 좋기 때문이다.

또, 상술한 폴리이미드 수지는 감광성을 갖는 것이거나 갖지 않는 것의 어느 것이어도 됨은 물론이다. 그러나, 감광성을 갖는 것을 이용한 경우, 그것을 포토리소그래피 기술에 의한 선택 에칭시의 마스크로서 겸용할 수 있고, 그 하층의 보호막 PSV에 있어서, 각 신호선의 단자부(액정 표시부 AR의 외측에 위치함)의 구멍 개방을 행할 수 있게 된다. 그 후, 그 마스크를 제거하지 않고 상기 수지막 RES로서 잔존시킬 수 있다.

또한, 이 수지막의 상면에는 배향막 ORI1이 형성되어 있다. 이 배향막 ORI1은 이것과 직접 접촉하는 액정 LC 분자의 초기 배향 방향을 결정하는 막으로 이루어지며, 예를 들면 인쇄 방법에 의해 형성한 수지막의 액정측의 면에 러빙 처리가 행해져 있다.

이 수지막은 그 막 두께의 얼룩의 발생을 회피하기 위해서 인쇄에 의해서 형성하는 것이 바람직하고, 인쇄에 의해 형성된 배향막 ORI1의 막 두께는 약 50∼100nm로 되어 있다.

또한, 이와 같이 구성되는 투명 기판 SUB1에 액정 LC를 통해 투명 기판 SUB2가 배치되어 있다.

이 투명 기판 SUB2의 액정측의 면에는, 각 화소 영역을 인접하는 다른 화소 영역과 구획되도록 하여 블랙 매트릭스 BM이 형성되어 있다. 이 블랙 매트릭스 BM에 의해서 박막 트랜지스터 TFT로의 외광의 조사를 회피하여, 콘트라스트의 향상을 도모하고 있다.

블랙 매트릭스 BM의 화소 영역에서의 개구부에는 상기 화소 영역에 대응하는 색의 컬러 필터 FIL이 형성되어 있다. 이 컬러 필터 FIL은, 예를 들면 y 방향으로 배열되는 각 화소 영역에는 동일 색의 것이 형성되고, x 방향으로의 각 화소 열에 대하여, 예를 들면 R(적색), G(녹색), B(청색)의 순으로 컬러 필터가 반복 형성되어 있다.

그리고, 블랙 매트릭스 BM, 컬러 필터 FIL을 피복하도록 하여 평탄화막 OC가 예를 들면 수지막으로 형성되고, 이 평탄화막 OC의 상면에는 배향막 ORI2가 형성되어 있다.

이와 같이 구성된 액정 표시 장치는, 도 5에 도시한 바와 같이, 보호막 PSV에 흠이나 크랙 등(도면 중, BR로 나타냄)이 발생해도, 이들 흠이나 크랙은 수지막 RES에 의해서 피복되는 구성으로 된다.

이 때문에, 보호막 아래에 있는 신호선 등이 액정측으로 노출되는 일이 없어지므로, 그 액정을 통해 누설 전류가 발생하고, 전기 화학 반응의 발생에 의해 국소적으로 액정의 이온종 농도가 높아지고, 액정 유지율이 저하되는 일이 없어진다.

이로부터, 얼룩 형상의 표시 불량의 발생을 억제할 수 있게 된다.

(실시예 2)

상술한 실시예는, 게이트 신호선 GL, 드레인 신호선 DL, 및 대향 전압 신호선 CL 중 어느 것에 있어서도 그 재료를 특정하고 있지 않다. 신호선으로서 기능하는 재료이면 특별히 한정되지 않기 때문이다.

그러나, 가공이 용이하기 때문에, 그 각 신호선 중 적어도 하나의 신호선을알루미늄(Al), 혹은 Al을 포함하는 재료로 형성하는 경우가 있는데, 그 단자부에 있어서 전기 부식 등을 회피하기 위해서, 예를 들면 IT0(Indium-Tin-Oxide), 혹은 IZO(Indium-Zinc-Oxide)의 투명 도전막을 피복시키도록 한 것이 있다.

도 6은 도 2의 VI-VI선에 있어서의 단면도로, 예를 들면 영상 신호선 DL을 Al으로 구성하고, 그 단자부에 예를 들면 ITO의 투명 도전막 TL을 형성한 도면이다. 이 경우, 그 ITO막의 포토리소그래피 기술에 의한 선택 에칭시에 이용하는 에칭액에 포함되는 브롬화 수소가, 보호막 PSV에 형성되어 있는 흠 혹은 크랙을 통해서 Al으로 형성된 영상 신호선 DL을 용단시키는 문제점이 있었지만, 이 경우에 있어서 보호막 PSV의 표면에 상기 수지막 RES가 형성되어 있으면, 그 영상 신호선 DL의 용단을 회피시킬 수 있게 된다.

(실시예 3)

본 실시예에서는, 실시예 1의 게이트 신호선 GL, 드레인 신호선 DL, 대향 전압 신호선 CL, 화소 전극 PX, 대향 전극 CT 중, GL, DL, CL을 금속제로 구성하였다. 이 금속제란 금속 단체이어도 좋다. 즉, Al, Cr, Mo, Ta, W, 그 밖에 액정 디바이스용으로서 적용 가능하다고 알려져 있는 일체의 재료이다. 또한, 합금이어도 좋다. 즉, AlTi, AlTiTa, CrMo, MoCr, AlNd, MoSi, MoW, 그 밖의 합금이다. 물론 금속 단체의 적층, 합금의 적층, 금속과 합금의 적층 등이어도 된다.

본 실시예에서는 이에 따라, 수지막이 형성된 기판의 수지막보다 상층에는 화소 영역의 집합체인 표시 영역에 있어서 금속 재료층이 형성되어 있지 않은 구조로 된다.

실시예 1에서 서술한 얼룩 형상 불량은, 액정과 접하는 재료의 안정성이 낮은 경우, 보다 현저해진다는 것을 발견하였다. 따라서, 금속 재료라도 보다 안정성이 높은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 금속 재료보다는 산화물을 이용하는 것이 바람직하다. 이것은, 예를 들면 IT0(Indium-Tin-Oxide), IZ0(Indium-Zinc-Oxide) 외에 다수의 소위 투명 도전체로서 알려진 재료는, 산화물이며, 즉, 금속제의 경우보다 산화될 위험성이 더 적다. 따라서, 더 산화 반응이 생기기 어렵고, 얼룩 형상 불량의 발생 방지를 더욱 확실하게 할 수 있음을 발견하였다.

따라서, 게이트 신호선 GL, 드레인 신호선 DL, 대향 전압 신호선 CL, 화소 전극 PX, 대향 전극 CT 중 하나 혹은 복수개를 투명 도전체로 함으로써, 얼룩 형상 불량의 방지를 보다 확실하게 할 수 있어, 외부로부터의 진동 충격에 의해 보호막에 크랙이 발생했을 때까지도 방지할 수 있게 된다.

또, 상기 수지막이 형성된 기판의 상기 수지막보다 상층에는, 상술한 바와 같이, 상기 표시 영역에 있어서 도전 재료에 의한 전극이 일체 형성되어 있지 않은 구조가 바람직하다. 바꾸어 말하면, 상기 수지막이 형성된 기판의 상기 수지막보다 상층에는, 상기 표시 영역에서 배향막 이외에는 형성되어 있지 않는 것이다.

얼룩 형상의 불량을 방지하는 방법의 근본은, 액정과 도전성 재료의 접촉을 방지하는 것이다. 따라서, 액정을 사이에 두고 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측의 화소 영역에, 금속제의 게이트 신호선과, 그 금속제의 게이트 신호선보다 상층에 절연막을 통해 형성되는 금속제의 드레인 신호선과, 상기 금속제의 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 구동되는 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터를 통해 상기 금속제의 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극과, 상기 박막 트랜지스터, 상기 금속제의 드레인 전극, 상기 화소 전극도 피복하여 형성되는 보호막과, 이 보호막의 상면에 형성되는 수지막을 구비하되,

상기 화소 전극과의 사이에 전계를 발생하게 하는 대향 전극 및 그것에 대향 전압을 공급하는 금속제의 대향 전압 신호선이 상기 한쪽 기판측에 형성되고, 그 금속제의 대향 전압 신호선은 상기 주사 신호선과 동일 층에 형성되며, 적어도 상기 상기 화소 영역의 집합체인 표시 영역에서는 상기 보호막, 수지막, 및 배향막 중 적어도 3층에 의해, 모든 금속층과 액정층을 이격하여, 액정과 금속 재료의 접촉을 방지하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치가 유효하다.

이상 설명으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 얼룩 형상의 표시 불량의 발생을 방지할 수 있다.

Claims (13)

1. 액정을 사이에 두고 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측의 화소 영역에,

   게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 구동되는 박막 트랜지스터;

   상기 박막 트랜지스터를 통해 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극;

   상기 박막 트랜지스터 및 화소 전극도 피복하여 형성되는 보호막; 및

   상기 보호막의 상면에 형성되는 수지막

   을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
2. 제1항에 있어서,

   화소 전극 사이에 전계를 발생하게 하는 대향 전극 및 그것에 대향 전압을 공급하는 대향 전압 신호선이 한쪽 기판측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 화소 전극과 쌍을 이루는 대향 전극이, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막이 되는 절연막의 하층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
4. 제1항에 있어서,

   상기 수지층은 층 두께가 1OO0nm 이하인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
5. 제1항에 있어서,

   보호막은 화소 영역에 있어서 컨택트 홀이 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
6. 제1항에 있어서,

   게이트 신호선 및 드레인 신호선 중 적어도 한쪽이 알루미늄 혹은 그것을 포함하는 재료로 구성되어 있음과 함께, 그 단자부가 상기 보호막으로부터 노출되고, 그 노출부에 투명 도전재층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
7. 제2항에 있어서,

   대향 전압 신호선이 알루미늄 혹은 그것을 포함하는 재료로 구성되어 있음과 함께, 그 단자부가 상기 보호막으로부터 노출되고, 그 노출부에 투명 도전재층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
8. 제6항 또는 제7항에 있어서,

   투명 도전재층은 ITO막을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
9. 액정을 사이에 두고 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측 화소 영역에,

   게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 구동되는 박막 트랜지스터;

   상기 박막 트랜지스터를 통해 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극;

   상기 박막 트랜지스터 및 화소 전극도 피복하여 형성되는 보호막; 및

   상기 보호막의 상면에 형성되는 수지막

   을 포함하며,

   상기 화소 전극 사이에 전계를 발생하게 하는 대향 전극 및 그것에 대향 전압을 공급하는 대향 전압 신호선이 상기 한쪽 기판측에 형성되고,

   상기 수지막이 형성된 기판의 상기 수지막보다 상층에는, 상기 화소 영역의 집합체인 표시 영역에 있어서 금속 재료층이 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
10. 제9항에 있어서,

    상기 수지막이 형성된 기판의 상기 수지막보다 상층에는, 상기 표시 영역에 있어서 도전 재료에 의한 전극이 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
11. 제9항에 있어서,

    상기 수지막이 형성된 기판의 상기 수지막보다 상층에는, 상기 표시 영역에 있어서 배향막 이외에는 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
12. 제9항에 있어서,

    상기 수지막이 형성된 기판의 상기 수지막보다 상층에는, 상기 표시 영역에 있어서 배향막 이외에는 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
13. 액정을 사이에 두고 대향 배치되는 각 기판 중 한쪽 기판의 액정측의 화소 영역에,

    금속제의 게이트 신호선;

    상기 금속제의 게이트 신호선보다 상층에 절연막을 통해 형성되는 금속제의 드레인 신호선;

    상기 금속제의 게이트 신호선으로부터의 주사 신호에 의해서 구동되는 박막 트랜지스터;

    상기 박막 트랜지스터를 통해 상기 금속제의 드레인 신호선으로부터의 영상 신호가 공급되는 화소 전극;

    상기 박막 트랜지스터, 상기 금속제의 드레인 전극, 상기 화소 전극도 피복하여 형성되는 보호막; 및

    상기 보호막의 상면에 형성되는 수지막

    을 포함하며,

    상기 화소 전극 사이에 전계를 발생하게 하는 대향 전극 및 그것에 대향 전압을 공급하는 금속제의 대향 전압 신호선이 상기 한쪽 기판측에 형성되고, 상기 금속제의 대향 전압 신호선은 상기 주사 신호선과 동일 층에 형성되며,

    적어도 상기 화소 영역의 집합체인 표시 영역에서는 상기 보호막, 수지막, 및 배향막 중 적어도 3층에 의해, 모든 금속층과 액정층을 이격하여, 액정과 금속 재료의 접촉을 방지하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.