KR20020008684A - 이물질 세척장치를 구비한 반도체 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

이물질 세척장치를 구비한 반도체 제조 장치가 개시되어 있다. 상기 세척 장치는 스테퍼의 웨이퍼 운송 스테이지로 이송된 웨이퍼를 향해 에어를 분사하여 웨이퍼에 묻어있는 이물질을 상기 웨이퍼로부터 이탈시키는 에어 분사장치 및 상기 에어 분사장치에 의해 이탈된 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키는 이물질 흡입장치를 구비한다. 상기 에어 분사장치는 에어 공급원으로부터 에어를 공급받으며, 공급되는 에어의 압력은 레귤레이터에 의해 조절된다. 상기 레귤레이터를 통과한 에어에 포함된 불순물을 여과시킬 수 있도록 필터가 설치되어 있으며, 상기 웨이퍼의 저부에는 상기 웨이퍼의 저면을 향해 에어를 분사하는 에어 샤워부가 배치된다. 상기 이물질 흡입장치는 상기 에어 샤워부에 인접 배치되어 웨이퍼로부터 이탈된 이물질을 흡입하는 진공 덕트를 구비한다. 상기 세척장치는 레티클 세척 스테이지에도 제공되어 레티클에 묻어있는 이물질을 제거한다. 사전 세척 효과로 인해 제품의 불량을 감소시킬 수 있으며, 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

이물질 세척장치를 구비한 반도체 제조 장치{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE HAVING AN IMPURITY CLEANING APPARATUS}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 또는 레티클(reticle)에 묻어있는 이물질 또는 불순물을 제거시킬 수 있는 세척장치를 구비한 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 반도체 칩 등은 일반적으로 실리콘으로 형성되는 웨이퍼를 반도체 장비를 이용하여 처리함으로써 제조된다. 웨이퍼는 통상적으로 리소그래피, 노광, 이온주입, CMP(chemical and mechanical polishing), 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 반도체소자 제조 공정을 거쳐 반도체소자 또는 반도체 칩으로 제조된다.
상기 반도체소자 제조 공정 중, 노광 공정은 웨이퍼에 레티클(reticle)의 패턴이 옮겨질 수 있도록 포토레지스트가 적층된 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지 상에 정렬시킨 후, 상기 웨이퍼를 자외선에 노출시키는 공정으로서, 스테퍼(stepper)로 통칭되는 노광장치를 사용하여 이루어 진다.
이러한 노광공정 및 노광공정을 수행하는 장치(stepper)들은 미합중국 특허 제5,706,076호(issued to Minoru Takeda on Jan. 6, 1998), 제5,781,277호(issued to Kazunori Iwamoto on July 14, 1998), 제5,526,093호(issued to Kazhiro Takahachi on June 11, 1996) 및 제5,842,824호(issued to Kenji Nishi on Dec. 1,1998)에 상세히 개시되어 있다.
최근들어, 상기 노광 공정을 수행함에 있어서, 불순물(particle) 발생이 중요한 문제로 부각되고 있다. 스테퍼에서 가장 중요한 부품이라할 수 있는 레티클 및 웨이퍼에 불순물이 묻어있게 되면 공정상 치명적인 품질저하가 발생하게 된다. 또한, 반도체 소자의 패턴이 점점 소형화되고 있다는 점을 감안할 때, 불순물의 처리는 반도체 소자의 품질향상에 있어서 매우 중요한 해결과제인 것이다.
도1에는 종래 스테퍼에서 웨이퍼가 이송되는 경로를 보여주는 블록도가 도시되어 있다. 도1에 도시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼는 스피너(spinner) 상에서 포토레지스트가 스핀 코팅된다(S1).
상기 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼는 스테퍼 상의 웨이퍼 운송 스테이지로 이송되는데(S2), 이러한 이송작업은 통상적으로 핸들러와 같은 로봇에 의해 이루어 진다.
웨이퍼 운송 스테이지로 이송된 웨이퍼는 다시 핸들러에 의해 웨이퍼 예비 정렬 스테이지로 이송되는데(S3), 여기서 웨이퍼의 얼라인마크 정렬 및 엣지부 정렬이 이루어지게 된다.
이어서, 상기 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지로 이송되는데(S4), 상기 웨이퍼 스테이지에서 웨이퍼 상에 자외선이 조사되므로써 소정의 패턴이 웨이퍼 상면에 형성되게 된다.
그러나, 상기 공정에서는 웨이퍼가 스피너에서 코팅된 후 스테퍼로 이송될 때 계면활성제 등과 같은 이물질이 웨이퍼에 유입되어 제품의 불량을 유발시킨다는문제가 있다.
한편, 도2에는 종래 레티클의 불순물 검사 공정을 보여주는 블록도가 도시되어 있다. 도2에 도시되어 있는 바와 같이, 종래 레티클의 불순물 검사 공정은 진행할 공정을 선택하는 단계(S5), 레티클을 선택하는 단계(S6), 레티클 로더(loader)부에 레티클을 이송시키는 단계(S6), 및 레티클 부위의 불순물을 검사하는 단계(S7)로 구성되어 있다.
상기 공정에서는 스테퍼에서 공정을 진행할 때 먼저 선택된 레티클이 레티클 로더 시스템을 통하여 로딩된다. 이때, 설비는 레이저를 이용하여 레티클 면에 불순물이 있는지를 검사하고, 그 결과를 작업자에게 표시해준다.
이 과정에서 불순물이 많으면 작업자는 레티클을 관리하는 룸(room)에서 세척작업을 실시한 후 재차 공정 진행을 하게 되는데, 이러한 경우 공정 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라 제품의 생산성이 저하된다는 단점이 있다.
본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 노광공정을 진행하는 중에 웨이퍼 또는 레티클에 묻어있는 이물질 또는 불순물을 제거시킬 수 있는 세척장치를 구비한 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
도1은 종래 스테퍼에서 웨이퍼가 이송되는 경로를 보여주는 블럭도이다.
도2는 종래 레티클의 불순물 검사 공정을 보여주는 블럭도이다.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 불순물 세척장치를 구비한 스테퍼를 보여주는 평면도이다.
도4는 도3에 도시된 불순물 세척장치의 정면도이다.
도5는 본 발명에 따른 불순물 세척장치가 레티클의 세척에 적용되는 것을 보여주는 평면도이다.
도6은 본 발명에 따른 웨이퍼 이송공정을 보여주는 블럭도이다.
도7는 본 발명에 따른 레티클 검사공정을 보여주는 블럭도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
300 : 레티클 세척 스테이지 410 : 진공 덕트
420 : 에어 샤워부 425 : 필터
426 : 레귤레이터 500 : 스테퍼
510 : 웨이퍼 운송 스테이지 520 : 웨이퍼 예비정렬 스테이지
530 : 웨이퍼 스테이지 540 : 스피너
550 : 엣지 센서 560 : 얼라인 마크 센서
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 웨이퍼 운송 스테이지, 웨이퍼 예비 정렬 스테이지 및 웨이퍼 스테이지로 구성되는 스테퍼의 웨이퍼 운송 스테이지로 이송된 웨이퍼를 향해 에어를 분사하여 웨이퍼에 묻어있는 이물질을 상기 웨이퍼로부터 이탈시키는 에어 분사수단 및 상기 에어 분사수단에 의해 이탈된 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키는 이물질 흡입수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치를 제공한다.
상기 에어 분사수단은 에어 공급원에 연결되어 상기 에어 공급원으로부터 공급되는 에어의 압력을 조절하는 레귤레이터, 상기 에어 공급원과 레귤레이터 사이에 배치되어 에어의 유입을 개폐하는 제1 솔레노이드 밸브, 상기 레귤레이터를 통과한 에어에 포함된 불순물을 여과시키는 필터 및 상기 웨이퍼의 저부에 배치되어 상기 웨이퍼의 저면을 향해 에어를 분사하는 에어 샤워부를 구비한다.
상기 이물질 흡입수단은 진공 공급원에 연결되어 있으며, 상기 에어 샤워부에 인접 배치되어 웨이퍼로부터 이탈된 이물질을 흡입하는 진공 덕트 및 상기 진공 공급원을 개폐시키기 위한 제2 솔레노이드 밸브를 구비한다.
상기 에어 분사수단과 이물질 흡입수단은 레티클 세척 스테이지에도 제공되어 레티클에 묻어 있는 이물질을 제거한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도3에는 본 발명에 따른 세척장치(400)를 구비한 스테퍼(500)가 도시되어 있다. 본 발명에 따른 세척장치(400)가 스테퍼(500)에 적용되고 있는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 이물질의 세척 및 제거가 필요한 다양한 반도체 장치에 적용될 수 있다.
도3에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 스테퍼(500)는 가공될 웨이퍼(w)를 보관하기 위한 웨이퍼 운송 스테이지(510), 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)로부터 이송된 웨이퍼(w)를 예비 정렬시키기 위한 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520) 및 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(wafer pre-aligning stage; 520)로부터 이송된 웨이퍼(w)를 보다 정밀하게 정렬시키는 웨이퍼 스테이지(main wafer stage; 530)를 구비한다. 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)는 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)와 웨이퍼 스테이지(530) 사이에 배치된다.
상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)에 보관되는 상기 웨이퍼(w)의 상면에는 포토레지스트(photoresist)가 코팅되어 있다. 상기 포토레지스트 코팅 작업은 스피너(spinner; 540)에서 스핀 코팅방식으로 수행되며, 상기 포토레지스트가 스핀코팅된 웨이퍼(w)는 제1 핸들러(512)에 의해 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)로 이송된다.
상기 예비정렬 스테이지(520)에는 제2 및 제3 핸들러(522, 532)가 배치되어 있다. 상기 제2 핸들러(522)는 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)에 보관된 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 이송시킨다. 또한, 상기 제2 핸들러(522)는 노광작업이 완료된 이후 상기 웨이퍼 스테이지(530)로부터 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 이송되는 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)로 복귀시키는 역할을 한다.
상기 제3 핸들러(532)는 상기 제2 핸들러(522)에 의해 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 이송된 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 스테이지(530)로 이송시키며, 또한,상기 웨이퍼 스테이지(530)에서 노광작업이 완료된 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 복귀시킨다. 상기 제3 핸들러(522)는 약 120도의 각도로 선회이동을 한다. 따라서, 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 복귀된 웨이퍼(w)의 위치는 그 초기위치에 대향된다.
상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)에는 엣지 센서(edge sensor; 550)와 얼라인마크 센서(align mark sensor; 560)가 설치되어 있다. 상기 엣지 센서(550)는 웨이퍼(w)의 플랫존(flat zone)을 검출하기 위한 것으로서, 통상적으로 발광소자와 수광소자를 구비하고 있다. 또한, 상기 얼라인마크 센서(560)는 웨이퍼의 측부에 형성된 얼라인마크를 검출하기 위한 것이다. 상기 엣지 센서(550)에 의해 일차적으로 플랫존이 검출된 상태에서, 상기 얼라인마크 센서(560)에 의해 웨이퍼(w)의 얼라인마크를 검출하기 때문에, 상기 웨이퍼(w)의 보다 정밀한 예비정렬이 가능하게 된다.
한편, 상기 웨이퍼 스테이지(530)에는 다수개의 광센서(534)가 설치되어 있다. 상기 광센서(534)는 상기 웨이퍼 스테이지(530) 상의 정위치에 상기 웨이퍼(w)를 위치시키기 위한 것이다. 상기 광센서(534)들에 의해 검출된 신호는 컨트롤러(도시 안됨)로 입력되며, 상기 컨트롤러는 상기 광센서(534)들로부터 입력되는 신호에 근거하여 웨이퍼 위치조정 장치(wafer positioning device)를 작동시키므로써 웨이퍼(w)의 위치를 미세 조정한다. 이러한 위치 조정작업에 의해, 웨이퍼(w) 상에 막질(thin film)이 오버레이(overlay)되는 현상을 방지할 수 있게 된다.
여기서, 오버레이 현상이란 웨이퍼(w) 상에 적층되는 첫 번째 막질층과 상기첫 번째 막질층 상에 적층되는 두 번째 막질층 사이에 옵셋(offset)이 발생하는 것을 의미한다.
도면부호(536)는 자외선 발생장치로서, 정렬이 완료된 웨이퍼(w) 상에 자외선을 조사하므로써 웨이퍼(w) 상에 포토레지스트 패턴을 형성시키는 역할을 한다. 상기 포토레지스트 패턴 형성작업은 마스크를 개재하여 수행된다.
한편, 웨이퍼 세척 장치(400)는 웨이퍼(w)가 운송되는 웨이퍼 운송 스테이지(510)의 저부에 배치된다. 상기 세척 장치는 웨이퍼(w)에 묻어 있는 이물질을 상기 웨이퍼로부터 이탈시키기 위한 에어 분사장치(402) 및 상기 에어 분사장치(402)에 의해 웨이퍼(w)로부터 이탈된 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키기 위한 이물질 흡입장치(401)를 구비한다.
도4에 상세히 도시되어 있는 바와 같이, 상기 에어 분사장치(402)는 에어 공급원(428)에 연결되어 상기 에어 공급원(428)으로부터 공급되는 에어의 압력을 조절하는 레귤레이터(426)를 포함한다. 상기 레귤레이터(426)의 작동은 센서로부터의 신호와 제어부의 제어에 의해 자동으로 이루어지는 것이 바람직하지만, 수동으로 작동시키는 것도 가능하다. 상기 레귤레이터(426)는 효율적인 이물질 제거를 위해 통상적으로 30psi 정도로 에어의 압력을 조절한다.
상기 에어 공급원(428)과 레귤레이터(426) 사이에는 에어의 유입을 개폐하는 제1 솔레노이드 밸브(427)가 배치되며, 상기 레귤레이터(426)를 통과한 에어에 포함된 불순물은 필터(425)에 의해 여과된다. 상기 필터(425)는 대략 0.001㎛의 필터를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 필터(425)를 통과한 에어는 상기 웨이퍼(w)의저부에 배치되어 있는 에어 샤워부(air shower; 420)를 통해 상기 웨이퍼(w)의 저면을 향해 분사된다. 상기 에어 샤워부(420)는 다수개의 홀이 형성되어 있는 분사 덕트의 형태이거나, 또는 하나의 개구부가 상면에 형성되는 분사덕트의 형태일 수 있다. 상기 에어 샤워부(420)의 형상 및 구조는 적용되는 시스템에 따라 적절하게 개조될 수 있다.
상기 이물질 흡입장치(401)는 진공 공급원(414)에 연결되어 있으며, 상기 에어 샤워부(420)에 인접 배치되어 웨이퍼(w)로부터 이탈된 이물질을 흡입하는 진공 덕트(410) 및 상기 진공 공급원(414)을 개폐시키기 위한 제2 솔레노이드 밸브(412)를 구비한다. 상기 진공 덕트(410)를 상기 에어 샤워부(420)에 인접 배치시키는 이유는 상기 웨이퍼(w)로부터 이탈되는 이물질을 효율적으로 포집할 수 있도록 하기 위함이다.
이하, 상기 구성을 갖는 스테퍼(500)의 작동을 도6을 참조하여 설명하기로 한다.
먼저, 웨이퍼(w)는 스피너(540)에서 포토레지스트가 스핀코팅된다(S10). 이렇게 포토레지스트가 스핀 코팅된 웨이퍼(w)는 상기 제1 핸들러(512)에 의해 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)로 이송된다(S20).
상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)에서, 웨이퍼(w)는 다음 공정의 진행을 위해 대기한다. 이 상태에서, 상기 세척장치(400)가 작동하여 웨이퍼(w)에 묻어 있는 이물질을 제거시킨다(S30).
즉, 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510) 상에 웨이퍼(w)가 안착되면, 센서가 이를 감지하여 제어부에 웨이퍼 감지 신호를 전송한다. 센서로부터 웨이퍼 감지 신호가 입력됨에 따라, 제어부는 상기 제1 솔레노이드 밸브(427)에 개방시켜 에어 공급원(428)으로부터 레귤레이터(426)로 에어가 유입된다.
상기 유입되는 에어는 레귤레이터(426)를 통과하는 동안 그 압력이 조절되어 소정의 압력을 갖게 되며, 필터(425)를 통과하여 불순물이 제거된 상태에서 에어 샤워부(420)로 유입된다.
상기 에어 샤워부(420)로 유입된 공기는 상기 웨이퍼의 저면을 향해 분사되므로써 웨이퍼에 묻어있는 이물질을 이탈시킨다.
한편, 상기 에어 분사 공정이 진행됨과 동시에, 상기 제어부는 제2 솔레노이드 밸브(412)에 개방신호를 인가시켜 상기 진공 공급원(414)과 진공 덕트(410)를 연통시킨다. 따라서, 상기 에어 샤워부(420)에 의해 상기 웨이퍼로부터 이탈된 상기 이물질들은 진공 덕트(410)에 형성된 진공에 의해 상기 진공 덕트(410)로 빨려들어가므로, 상기 이물질의 부유에 의해 상기 웨이퍼가 재오염되는 문제가 발생하지 않게 된다.
이렇게 웨이퍼에 묻어있는 이물질이 제거된 상태에서, 상기 제2 핸들러(522)는 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)에 대기하고 있는 웨이퍼(w)를 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 이송시킨다(S40). 이때, 상기 제2 핸들러(522)에 의해 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 이송된 웨이퍼(w)는 상기 엣지센서(550)와 얼라인마크 센서(560) 사이에 위치된다.
상기 위치에서, 웨이퍼(w)는 회전장치(도시 안됨)에 의해 소정속도로 회전하게 되는데, 상기 웨이퍼(w)의 회전은 상기 엣지센서(550)가 상기 웨이퍼(w)의 플랫존을 검출할 때까지 계속된다.
웨이퍼(w)의 플랫존이 검출되면, 얼라인마크 센서(560)가 상기 웨이퍼(w)의 측부에 형성되어 있는 얼라인마크를 검출하는데, 이때 상기 웨이퍼(w)는 얼라인마크 센서(560)에 의해 얼라인마크가 검출될 때까지 상기 회전장치에 의해 미세하게 회전이동을 한다. 웨이퍼(w)에 대한 예비정렬 작업이 완료되면, 상기 제3 핸들러(532)가 작동하여 상기 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 스테이지(530)로 이송시킨다(S50).
상기 웨이퍼(w)가 상기 웨이퍼 스테이지(530)로 이송되면, 상기 웨이퍼 스테이지(530)에 설치되어 있는 다수개의 광센서(534)가 상기 웨이퍼(w)의 위치를 검출한다. 상기 광센서(534)는 정밀 센서장치로서 상기 웨이퍼(w)의 위치에 따른 전기신호를 계속적으로 상기 컨트롤러에 전송한다. 상기 컨트롤러는 상기 광센서(534)들로부터 입력되는 신호에 근거하여 웨이퍼 위치조정 장치를 작동시켜 웨이퍼(w)의 위치를 미세 조정하므로써 상기 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 스테이지(530) 상의 정위치에 위치시킨다.
웨이퍼(w)에 대한 정렬작업이 완료되면, 상기 컨트롤러는 자외선 발생장치(536)에 전기신호를 인가하여 정렬이 완료된 웨이퍼(w) 상에 자외선을 조사한다. 상기 자외선 조사는 소정의 패턴이 형성되어 있는 레티클을 개재하여 수행된다.
이때, 상기 웨이퍼는 이물질이 제거된 상태를 유지하고 있기 때문에, 매우정밀한 패턴의 레티클을 사용할 경우에도 패턴 형성이 매우 용이하게 이루어 질 수 있다.
한편, 도5에는 본 발명에 따른 세척장치(200)가 레티클(R)에 묻어있는 이물질의 제거를 위해 레티클 세척 스테이지(300)에 적용되고 있는 것을 도시하는 것이다. 여기서, 상기 세척장치(200)의 구성 및 작동은 에어 공급원(428) 대신에 질소 공급원(328)을 사용한다는 것을 제외하면, 도5에 도시된 세척장치(400)와 동일하다. 에어에 대신하여 질소를 사용하는 이유는 에어 중에 포함되어 있는 화합물이 레티클(R)을 손상시킬 우려가 있기 때문이다.
도7에는 상기 레티클(R)을 세척시키는 공정이 블록도로 도시되어 있다.
도7에 도시되어 있는 바와 같이, 레티클(R)의 이물질 제거 공정은 진행할 공정을 선택하는 단계(S60), 레티클(R)을 선택하는 단계(S70), 레티클 로더(loader)부에 레티클(R)을 이송시키는 단계(S80), 레티클(R) 세척단계(S90) 및 레티클 부위의 불순물을 검사하는 단계(S100)로 구성되어 있다.
상기 레티클 세척 단계(S90)는 웨이퍼 세척 공정과 동일한 메카니즘으로 진행되므로 그 구체적인 설명은 이하 생략하기로 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 웨이퍼와 레티클을 사전 세척할 수 있기 때문에 레티클 검사 공정에서 레티클의 불량이 발생할 위험이 감소되고, 웨이퍼에 정밀한 레티클 패턴을 형성시킬 수 있다는 장점을 갖는다.
또한, 본 발명에 따르면, 제품의 불량률이 감소되므로 제품의 생산성이 향상될 수 있다는 효과가 있다.
이상 본 발명이 바람직한 실시예를 참고로 설명되었으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서 다양한 개량이나 변형이 가능하고, 이러한 개량이나 변형 또한 본 발명에 속한다는 것은 당업자라면 인지할 수 있을 것이다.

Claims (3)

  1. 웨이퍼 운송 스테이지, 웨이퍼 예비 정렬 스테이지 및 웨이퍼 스테이지로 구성되는 스테퍼의 웨이퍼 운송 스테이지로 이송된 웨이퍼를 향해 에어를 분사하여 웨이퍼에 묻어있는 이물질을 상기 웨이퍼로부터 이탈시키는 에어 분사수단; 및
    상기 에어 분사수단에 의해 이탈된 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키는 이물질 흡입수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에어 분사수단은 에어 공급원에 연결되어 상기 에어 공급원으로부터 공급되는 에어의 압력을 조절하는 레귤레이터, 상기 에어 공급원과 레귤레이터 사이에 배치되어 에어의 유입을 개폐하는 제1 솔레노이드 밸브, 상기 레귤레이터를 통과한 에어에 포함된 불순물을 여과시키는 필터 및 상기 웨이퍼의 저부에 배치되어 상기 웨이퍼의 저면을 향해 에어를 분사하는 에어 샤워부를 구비하며, 상기 이물질 흡입수단은 진공 공급원에 연결되어 있으며, 상기 에어 샤워부에 인접 배치되어 웨이퍼로부터 이탈된 이물질을 흡입하는 진공 덕트 및 상기 진공 공급원을 개폐시키기 위한 제2 솔레노이드 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 레티클 세척 스테이지로 이송된 레티클을 향해 에어를 분사하여 상기 레티클에 묻어있는 이물질을 상기 레티클부터 이탈시키며, 에어 공급원에 연결되어 상기에어 공급원으로부터 공급되는 에어의 압력을 조절하는 레귤레이터, 상기 에어 공급원과 레귤레이터 사이에 배치되어 에어의 유입을 개폐하는 제1 솔레노이드 밸브, 상기 레귤레이터를 통과한 에어에 포함된 불순물을 여과시키는 필터 및 상기 레티클의 저부에 배치되어 상기 레티클의 저면을 향해 에어를 분사하는 에어 샤워부를 포함하는 에어 분사수단; 및
    상기 에어 분사수단에 의해 이탈된 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키며, 상기 에어 샤워부에 인접 배치되어 웨이퍼로부터 이탈된 이물질을 흡입하는 진공 덕트 및 상기 진공 공급원을 개폐시키기 위한 제2 솔레노이드 밸브를 포함하는 이물질 흡입수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
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