KR200174667Y1 - Apparatus for measuring height of wire loop - Google Patents
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Abstract
와이어 루프의 높이 측정 장치를 개시한다. 본 고안에 따르면, 와이어 본딩 장치에 설치된 와이어 클램프로부터 캐피러리의 하단부에 이르는 와이어의 일부 및, 와이어 본딩이 이루어진 와이어 루프의 일부를 연결함으로써 형성되는 폐쇄 회로, 상기 폐쇄 회로를 통해 흐르는 전류를 검출하는 검출부, 상기 검출부에서 검출된 전류를 증폭하는 증폭부, 상기 증폭부로부터 전달된 측정 전류값과 미리 설정된 기준 전류값을 상호 비교하는 비교기, 상기 비교기로부터 전달된 측정 전류값에 따라 상기 캐피러리의 작동을 제어하는 제어부 및, 상기 비교기에서 비교된 값을 연산 처리하여 이를 실제의 길이로 디스플레이하는 중앙 처리 장치를 포함하는 와이어 루프의 높이 측정 장치가 제공된다. 본 고안에 따른 와이어 루프의 높이 측정 장치는 와이어 본딩 장치와 연계되어 사용되므로 측정 작업이 와이어 본딩 위치에서 즉각적으로 수행될 수 있다는 장점을 가진다.Disclosed is a height measuring device of a wire loop. According to the present invention, a closed circuit formed by connecting a part of the wire from the wire clamp installed in the wire bonding device to the lower end of the capillary, and a part of the wire loop in which the wire bonding is made, detecting the current flowing through the closed circuit. A detector, an amplifier for amplifying the current detected by the detector, a comparator for comparing the measured current value transmitted from the amplifying unit with a preset reference current value, and operating the capacitor according to the measured current value transmitted from the comparator There is provided a height measuring apparatus of a wire loop including a control unit for controlling the control unit, and a central processing unit for calculating and displaying a value compared to the comparator in real length. Since the height measuring device of the wire loop according to the present invention is used in connection with the wire bonding device, the measuring operation can be performed immediately at the wire bonding position.
Description
본 고안은 와이어 루프의 높이 측정 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 팩키지의 제조 과정에서 반도체 칩의 전극과 리이드 프레임의 이너 리이드 사이에 와이어 본딩되어 있는 골드 와이어 루프의 높이를 측정할 수 있는 측정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for measuring a height of a wire loop, and more particularly, a measurement capable of measuring a height of a gold wire loop wire-bonded between an electrode of a semiconductor chip and an inner lead of a lead frame during a manufacturing process of a semiconductor package. Relates to a device.
일반적으로 반도체 팩키지의 제조 과정에는 와이어 본딩 작업이 포함된다. 와이어 본딩 작업은 리이드 프레임의 패드에 지지된 반도체 칩 다이의 전극과 이너 리이드의 소정 부위를 골드 와이어로 상호 연결함으로써 전기적인 접속을 이루도록 하는 작업이다. 와이어 본딩 작업은 통상적으로 트랜스듀서(transducer)에 의해 구동되는 캐피러리(capillary)에 의해 수행되는데, 캐피러리는 내부에 골드 와이어가 통과할 수 있는 통공이 형성된 장치이다. 캐피러리는 초음파, 열 및, 본딩 포스를 이용하여 제 1 목표 지점(예를 들면 칩의 전극)에 와이어의 일단부를 본딩시키고, 와이어를 소정의 형상으로 굴곡시킴으로써 루프(loop)를 형성하고, 다시 제 2 목표 지점(예를 들면 이너 리이드의 단부)에 와이어의 타단부를 본딩시킨다. 본딩 작업이 종료된 이후에는 와이어를 절단하게 된다.In general, the manufacturing process of the semiconductor package includes a wire bonding operation. The wire bonding operation is an operation for making an electrical connection by interconnecting a predetermined portion of the inner lead and the electrode of the semiconductor chip die supported by the pad of the lead frame with a gold wire. Wire bonding operations are typically performed by a capillary driven by a transducer, which is a device having a through hole through which a gold wire can pass. The capillary bonds one end of the wire to the first target point (e.g., the electrode of the chip) using ultrasonic waves, heat, and a bonding force, and forms a loop by bending the wire to a predetermined shape. Bond the other end of the wire to a second target point (eg the end of the inner lead). After the bonding operation is finished, the wire is cut.
도 1a 내지 도 1f 에는 통상적인 와이어 본딩 장치를 이용하여 와이어 본딩 작업을 수행하는 것을 개략적으로 설명하는 설명도가 도시되어 있다.1A to 1F are explanatory views schematically illustrating performing wire bonding operations using a conventional wire bonding apparatus.
도 1a를 참조하면, 도시되지 아니한 트랜스듀서에 의해 운동하는 캐피러리(12)는 그 내측에 형성된 중공부에 골드 와이어(14)가 연장되고, 골드 와이어(14)의 단부에는 볼(15)이 형성된다. 볼(15)은 골드 와이어(14)의 단부에 고압 전류를 이용하여 열을 가할때 용융된 재료가 방울처럼 매달려서 형성되며, 볼(15)의 직경은 캐피러리(12)의 중공부를 통과할 수 없는 정도로 형성된다. 이때 와이어(14)의 연장부에는 클램프(13)가 게재되어 있으며, 클램프(13)는 필요에 따라 와이어(14)의 연장부를 고정하는 기능을 가진다.Referring to FIG. 1A, the capital 12 moving by a transducer (not shown) has a gold wire 14 extending in a hollow formed therein, and a ball 15 at an end of the gold wire 14. Is formed. The ball 15 is formed by hanging a molten material like drops when heat is applied to the end of the gold wire 14 by using a high pressure current, and the diameter of the ball 15 may pass through the hollow portion of the capillary 12. It is formed to the extent that it is not. At this time, the clamp 13 is provided in the extension part of the wire 14, and the clamp 13 has a function which fixes the extension part of the wire 14 as needed.
도 1b를 참조하면, 캐피러리(12)는 칩 다이(11)의 표면까지 하강하여 제 1 목표 지점, 예를 들면 칩 다이(11)의 전극에 일치되도록 배치된다. 이때 캐피러리(12)에는 초음파 에너지(B) 및 기계적인 본딩 포스(bonding force)가 전달되며, 칩(11)의 저면으로부터 열(A)이 가해져서 칩 다이(11)의 표면에서 전극 부위에 대한 본딩이 이루어진다.Referring to FIG. 1B, the capacitor 12 is disposed to descend to the surface of the chip die 11 to coincide with the electrode of the first target point, for example, the chip die 11. At this time, the ultrasonic energy B and the mechanical bonding force are transmitted to the capillary 12, and heat A is applied from the bottom of the chip 11 to the electrode portion on the surface of the chip die 11. Bonding is made.
도 1c는 캐피러리(12)가 상승하고 있는 상태를 도시한다. 캐피러리(12)가 상승할 때 골드 와이어(14)의 일 단부는 칩(11)의 표면에 유지된다.1C shows a state in which the capacitive 12 is rising. One end of the gold wire 14 is held on the surface of the chip 11 when the capital 12 rises.
도 1d는 캐피러리(12)의 수직 및 수평 방향 운동에 의해 골드 와이어(14)의 일부에 만곡부(14a)가 형성되는 것을 도시한다. 캐피러리(12)의 수직 및 수평 운동은 캐피러리(12)의 하단부로부터 칩(11)의 표면에 이르기까지 연장된 골드 와이어를 도면에 도시된 바와 같이 만곡시킨다.FIG. 1D shows that the curved portion 14a is formed in a portion of the gold wire 14 by the vertical and horizontal movement of the capillary 12. Vertical and horizontal movement of the capillary 12 curves the gold wire extending from the bottom of the capillary 12 to the surface of the chip 11 as shown in the figure.
도 1e에 도시된 것은 캐피러리(12)가 다시 하강하여 제 2 목표 지점에 골드 와이어를 본딩하는 것을 도시한 것이다. 캐피러리(12)는 와이어를 본딩할 제 2 목표 지점, 예를 들면 리이드 프레임 이너 리이드의 소정 위치에 접근함으로써, 캐피러리(12)의 단부에 위치한 골드 와이어(14)가 제 2 목표 지점(16)에 배치된다. 이때 칩(11)의 표면에 있는 제 1 목표 지점과 제 2 목표 지점(16) 사이에는 골드 와이어의 루프(loop,14b)가 형성된다. 또한 도 1b를 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 캐피러리(12)에 본딩 포스와 초음파 에너지가 가해지고, 이너 리이드 부분에 열이 가해짐으로써 제 2 목표 지점(16)에 대한 와이어 본딩이 이루어진다.Shown in FIG. 1E shows that the capillary 12 descends again to bond the gold wire to the second target point. Capillary 12 approaches a second target point at which the wire is to be bonded, for example a lead frame inner lead, whereby the gold wire 14 located at the end of the capillary 12 has a second target point 16. ) Is placed. At this time, a loop of gold wire 14b is formed between the first target point and the second target point 16 on the surface of the chip 11. In addition, as described with reference to FIG. 1B, the bonding force and the ultrasonic energy are applied to the capillary 12, and heat is applied to the inner lead portion to thereby wire bond the second target point 16.
도 1f는 제 2 목표 지점(16)에 대한 와이어 본딩이 종료된 이후에 골드 와이어가 절단된 상태를 나타낸다. 일단 제 2 목표 지점(16)에 대한 와이어 본딩이 이루어지면 캐피러리(12)는 상승하게 되며, 이때 캐피러리(12)의 하단부와 제 2 목표 지점(16) 사이에는 골드 와이어(14)의 단면적 직경이 감소된 넥크(neck) 부위가 형성된다. 넥크가 형성된 이후에는 클램프(13)가 와이어(14)를 고정시키게 되며, 그 상태에서 캐피러리(12)가 더욱 상승하면 와이어(14)는 절단된다.FIG. 1F shows the state where the gold wire is cut after the wire bonding to the second target point 16 is finished. Once wire bonding to the second target point 16 is made, the capillary 12 rises, with the cross-sectional area of the gold wire 14 between the lower end of the capillary 12 and the second target point 16. Neck areas with reduced diameter are formed. After the neck is formed, the clamp 13 fixes the wire 14, and the wire 14 is cut when the capillary 12 is further raised in that state.
위와 같은 와이어 본딩 작업의 품질은 다양한 변수의 제어를 통해 이루어진다. 즉, 제 1 목표 지점 및 제 2 목표 지점에 대한 본딩시에 가해지는 본딩 포스, 열 및 초음파 에너지의 제어를 통해서 본딩의 품질이 달라질 수 있으며, 캐피러리의 수직 및 수평 운동의 제어를 통해서 루프 형성의 품질이 달라질 수 있다. 따라서 이러한 작업 변수를 측정하고 이를 피드백함으로써 작업의 조정과 개선이 이루어져야만 한다.The quality of the wire bonding operation as described above is achieved through the control of various variables. That is, the quality of the bonding may be changed through the control of the bonding force, heat, and ultrasonic energy applied during bonding to the first target point and the second target point, and the loop is formed through the control of the vertical and horizontal motion of the capillary. The quality of can vary. Therefore, by measuring and feeding back these work variables, adjustment and improvement of the work must be made.
종래 기술에 따르면, 와이어 루프의 높이에 대한 측정은 별도의 측정 장비를 이용하여 수행되어 왔다. 즉, 와이어 본딩 작업이 완료된 리이드 프레임을 별도의 측정 장비로 운반하여 측정을 수행하고, 그 측정값을 근거로 다시 작업 변수를 변경시는 작업을 반복하여야만 하였다. 그러나 이러한 방식은 시간의 낭비뿐만 아니라, 별도의 측정 장비를 구매하여야 하는 문제점이 있었다.According to the prior art, the measurement of the height of the wire loop has been performed using separate measuring equipment. That is, the lead frame after the wire bonding work is carried to a separate measuring equipment to perform the measurement, and the work must be repeated when changing the work variable based on the measured value. However, this method was not only a waste of time, but had a problem of purchasing a separate measurement equipment.
본 고안은 위와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 고안의 목적은 와이어 본딩에 의해 형성되는 와이어 루프의 높이를 측정하기 위한 장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide an apparatus for measuring the height of the wire loop formed by wire bonding.
본 고안의 다른 목적은 기존의 와이어 본딩 장치에 회로를 구성하여 와이어 루프의 높이를 측정하는 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a device for measuring the height of the wire loop by configuring a circuit in the existing wire bonding device.
도 1a 내지 도 1f 는 통상적인 와이어 본딩 장치를 이용하여 와이어 본딩 작업을 수행하는 것을 개략적으로 설명하는 설명도.1A to 1F are explanatory views schematically illustrating performing a wire bonding operation using a conventional wire bonding apparatus.
도 2는 본 고안에 따른 와이어 루프의 높이 측정 장치에 대한 개략적인 구성도.2 is a schematic configuration diagram of a height measuring device of a wire loop according to the present invention.
* 도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명 *Brief description of the main symbols in the drawings
11. 반도체 칩 다이12. 캐피러리Semiconductor Chip Dies 12. Capitol
13. 클램프14. 골드 와이어13. Clamp 14. Gold wire
15. 볼21. 반도체 칩 다이15. Ball 21. Semiconductor chip die
22. 캐피러리23. 클램프22.Capillary 23. clamp
24. 골드 와이어31. 검출부24 gold wire Detector
32. 증폭부33. 비교기32. Amplification unit 33. Comparator
34. 제어부35. 폐쇄 회로34. Control unit 35. Closed circuit
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 고안에 따르면, 와이어 본딩 장치에 설치된 와이어 클램프로부터 캐피러리의 하단부에 이르는 와이어의 일부 및, 와이어 본딩이 이루어진 와이어 루프의 일부를 연결함으로써 형성되는 폐쇄 회로, 상기 폐쇄 회로를 통해 흐르는 전류를 검출하는 검출부, 상기 검출부에서 검출된 전류를 증폭하는 증폭부, 상기 증폭부로부터 전달된 측정 전류값과 미리 설정된 기준 전류값을 상호 비교하는 비교기, 상기 비교기로부터 전달된 측정 전류값에 따라 상기 캐피러리의 작동을 제어하는 제어부 및, 상기 비교기에서 비교된 값을 연산 처리하여 이를 실제의 길이로 디스플레이하는 중앙 처리 장치를 포함하는 와이어 루프의 높이 측정 장치가 제공된다.In order to achieve the above object, according to the present invention, a closed circuit formed by connecting a part of the wire from the wire clamp installed in the wire bonding device to the lower end of the capillary, and a part of the wire loop in which the wire bonding is made, the closed circuit A detector for detecting a current flowing through the amplifier, an amplifier for amplifying the current detected by the detector, a comparator for comparing the measured current value transmitted from the amplifier and a preset reference current value, and a measured current value transmitted from the comparator According to the present invention, there is provided a height measuring apparatus for a wire loop including a control unit for controlling the operation of the capillary and a central processing unit for calculating and displaying a value compared to the comparator in actual length.
본 발명의 일 특징에 따르면, 상기 클램프로부터 상기 캐피러리의 하단부에 이르는 와이어에 의한 저항이 소정의 값이 될 수 있도록 상기 클램프로부터 상기 캐피러리의 하단부에 이르는 상기 와이어의 길이가 소정의 값으로 유지된다.According to one aspect of the invention, the length of the wire from the clamp to the lower end of the capacities is maintained at a predetermined value so that the resistance by the wire from the clamp to the lower end of the capacities becomes a predetermined value. do.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 제어부는 캐피러리의 하단부에 유지된 상기 와이어의 단부가 상기 와이어 루프에 접촉할 때 상기 캐피러리의 하강을 정지시키게 된다.According to another feature of the present invention, the control unit stops the descending of the capillary when the end of the wire held at the lower end of the capillary contacts the wire loop.
이하 본 고안을 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to an embodiment shown in the accompanying drawings.
도 2에는 본 고안에 따른 와이어 루프 높이 측정 장치의 개략적이 설명도가 도시되어 있다.2 is a schematic explanatory diagram of a wire loop height measuring apparatus according to the present invention.
도면을 참조하면, 리이드 프레임의 패드에 지지된 반도체 칩 다이(21)의 전극과 이너 리이드(25)의 소정 위치 사이에는 골드 와이어의 루프(26)에 의해 상호 연결되어 있으며, 즉, 와이어 본딩 작업이 이미 수행되어 완성된 상태이다. 골드 와이어의 루프(26)는 위에서 도 1a 내지 도 1f를 참조하여 설명된 바에 따라서 형성된다. 와이어 루프(26)의 최고 높이는 도 2에서 영문자 H 로 지시되어 있으며, 이것은 칩 다이(21)상의 전극에 본딩된 와이어 루프(26)의 일 단부로부터 와이어 루프(26)가 만곡된 부분의 최상부 지점에 이르는 높이이다.Referring to the drawings, the electrode of the semiconductor chip die 21 supported on the pad of the lead frame and the predetermined position of the inner lead 25 are interconnected by a loop 26 of gold wire, that is, wire bonding operation. This has already been done and completed. Loop 26 of gold wire is formed as described above with reference to FIGS. 1A-1F. The highest height of the wire loop 26 is indicated by the letter H in FIG. 2, which is the highest point of the portion where the wire loop 26 is curved from one end of the wire loop 26 bonded to the electrode on the chip die 21. Is the height to.
본 고안의 특징에 따르면, 와이어 루프의 높이 측정 장치는 와이어 본딩 장치와 연계되어 구성된다. 즉, 와이어 본딩을 수행하는 캐피러리(22)와, 상기 캐피러리(22)로부터 연장되는 와이어(23)를 필요에 따라 클램프시킬 수 있는 와이어 클램프 장치(23)가 와이어 루프의 측정 장치에 포함된다. 또한 와이어 본딩되어 있는 와이어 루프(26)의 일부분과, 캐피러리(22)에 유지되어 있는 와이어(24)의 일부분을 포함하는 폐쇄 회로(35)가 형성된다. 이를 보다 상세하게 설명하면, 폐쇄 회로(35)는 와이어 클램프(35)와, 상기 와이어 클램프(35)로부터 캐피러리(22)의 하단부까지 연장된 와이어(24)의 일부분과, 상기 칩 다이(21) 표면의 전극으로부터 높이 H 로 연장된 와이어 루프(26)의 일부분을 포함하여 형성된다. 이러한 폐쇄 회로에는 도시되지 아니한 전원 인가 수단에 의해 전원이 인가된다.According to a feature of the present invention, the height measurement device of the wire loop is configured in connection with the wire bonding device. That is, the measuring device of the wire loop includes a capillary 22 which performs wire bonding and a wire clamp device 23 capable of clamping the wire 23 extending from the capillary 22 as necessary. . A closed circuit 35 is also formed that includes a portion of the wire loop 26 that is wire bonded and a portion of the wire 24 held in the capillary 22. In more detail, the closed circuit 35 includes a wire clamp 35, a portion of the wire 24 extending from the wire clamp 35 to the lower end of the capacitor 22, and the chip die 21. ) A portion of the wire loop 26 extending to a height H from the electrode on the surface. Power is applied to this closed circuit by a power applying means (not shown).
상기 폐쇄 회로(35)를 통해 흐르는 전류는 검출부(31)에서 검출될 수 있다. 폐쇄 회로(35)를 통해 흐르는 전류 신호는 와이어 루프(26)의 높이(H)에 따라 달라질 것이다. 즉, 동일한 전압의 전원을 인가하였을 경우에, 와이어 루프(26)의 높이(H)가 높으면 저항이 증가하여 전류의 크기가 줄어들 것이고, 반대의 경우에는 저항이 감소할 것이다. 검출부(31)에서 검출된 전류는 매우 미세한 전류 신호이므로 증폭부(32)에서 증폭된다. 다음에, 증폭된 전류 신호는 비교기(33)를 통하여 제어부(34)에 전달된다. 비교기(33)에는 미리 설정된 기준값이 입력되어 있으며, 이것은 예를 들면 와이어 루프(26)의 높이에 대한 전류의 값일 수 있다. 증폭된 신호는 비교기(33)에서 기준값과 비교된다. 제어부(34)에서는 전류 신호를 받아서 캐피러리(22)의 작동을 제어하게 되며, 전류 신호를 다시 중앙 처리 장치(미도시)에 전달한다. 중앙 처리 장치에서는 비교기(33)에서 기준 전류값에 비교된 측정 전류값을 연산 처리함으로써 이를 실제의 높이로 디스플레이 할 수 있다.The current flowing through the closed circuit 35 may be detected by the detector 31. The current signal flowing through the closed circuit 35 will depend on the height H of the wire loop 26. That is, when power of the same voltage is applied, if the height H of the wire loop 26 is high, the resistance will increase to reduce the magnitude of the current, and vice versa. Since the current detected by the detector 31 is a very fine current signal, it is amplified by the amplifier 32. Next, the amplified current signal is transmitted to the controller 34 through the comparator 33. A preset reference value is input to the comparator 33, which may be, for example, a value of current with respect to the height of the wire loop 26. The amplified signal is compared with a reference value in the comparator 33. The controller 34 receives the current signal to control the operation of the capillary 22, and transmits the current signal to the central processing unit (not shown). In the central processing unit, the measured current value compared to the reference current value in the comparator 33 may be calculated and displayed at the actual height.
이하 본 고안에 따른 와이어 루프의 높이 측정 장치의 작용을 설명하기로 한다.Hereinafter, the operation of the height measuring device of the wire loop according to the present invention will be described.
와이어 루프의 높이 측정에 대한 기본적인 원리는 상기와 같이 구성된 폐쇄 회로를 통해 흐르는 전류값을 검출함으로써 해당 전류값을 와이어 루프의 높이로 연산 처리하여 실제의 높이를 구하는 것이다. 즉, 와이어 클램프(23)로부터 캐피러리(22)의 하단에 이르는 와이어(24)의 길이가 일정하게 유지될 수 있다면, 폐쇄 회로(35)를 통해서 흐르는 전류값은 높이(H)에 따라 달라지는 와이어 루프(26)의 일부분에 대한 저항값의 변화에 의해 달라질 것이기 때문이다.The basic principle for the height measurement of the wire loop is to calculate the actual height by calculating the current value as the height of the wire loop by detecting the current value flowing through the closed circuit configured as described above. That is, if the length of the wire 24 from the wire clamp 23 to the bottom of the capillary 22 can be kept constant, the value of the current flowing through the closed circuit 35 depends on the height H. This is because the change in resistance value for a part of the loop 26 will be changed.
와이어 루프의 높이 측정은 와이어 클램프(23)로 와이어(24)의 일부를 클램핑한 상태에서 수행되어야 하며, 이때 와이어 클램프(23)로부터 캐피러리(22)의 하단부에 이르는 와이어(24)의 길이는 미리 설정된 값과 일치되어야 한다. 즉, 해당 부분의 와이어(24)의 저항값이 미리 설정된 값을 가질 수 있도록 그 길이가 미리 설정된 길이와 일치되어야 한다. 와이어(24)의 길이를 미리 설정된 값과 일치시키려면, 와이어(24)가 수직으로 유지되는 상태에서 소정 위치까지 캐피러리(22)를 하강시키고, 해당 위치에서 와이어(24)를 클램프(23)로 클램핑한다. 또한 이후의 측정 작업을 수행하려면, 와이어(24)가 클램프(23)에 클램핑되어 있는 상태에서 캐피러리(22)가 하강하여야 하므로, 캐피러리(22)의 하강 동작에 의해 와이어 클램프(23)로부터 캐피러리(22)의 하단부에 이르는 와이어(24) 부분에서 해당 부분의 단면적이 줄어드는 넥킹(necking) 현상이 발생하지 않도록 충분한 길이가 확보되어 있어야 한다.The height measurement of the wire loop should be performed while clamping a part of the wire 24 with the wire clamp 23, where the length of the wire 24 from the wire clamp 23 to the lower end of the capillary 22 is determined. Must match the preset value. That is, the length must match the preset length so that the resistance value of the wire 24 of the corresponding portion can have a preset value. To match the length of the wire 24 to a preset value, lower the capillary 22 to a predetermined position with the wire 24 held vertically, and clamp the wire 24 at that position. Clamp with. Also, in order to perform a subsequent measurement operation, since the capital 22 must be lowered while the wire 24 is clamped to the clamp 23, the wire 22 is lowered by the lowering operation of the capital 22. In the portion of the wire 24 leading to the lower end of the capillary 22, a sufficient length must be secured so that a necking phenomenon in which the cross-sectional area of the portion is reduced does not occur.
클램프(23)에 와이어(24)가 클램핑 되어 있는 상태에서 캐피러리(22)는 칩 다이(21)의 전극 상부에 위치한 와이어 루프(26)의 상부로 이동한다. 이때 캐피러리(22)는 아직 와이어 루프(26)와 접촉하고 있지 않으므로 폐쇄 회로(35)가 형성되어 있지 않은 상태이다.In the state where the wire 24 is clamped to the clamp 23, the capacitor 22 moves to the upper portion of the wire loop 26 positioned on the electrode of the chip die 21. At this time, since the capacitor 22 is not yet in contact with the wire loop 26, the closed circuit 35 is not formed.
다음에 캐피러리(22)는 와이어 루프(26)를 향해 하강을 개시한다. 캐피러리(22)의 하강은 와이어 루프(26)에 그 단부가 접촉됨으로써 중지되며, 이때 위에 설명된 폐쇄 회로(35)가 형성된다. 즉, 클램프(23)로부터 캐피러리(22)의 하단부까지의 와이어(35)의 일부와, 캐피러리(22)의 하단부로부터 칩 다이(21)의 전극에 이르기까지의 와이어 루프(26)의 일부를 포함하는 회로가 형성되는 것이다. 이와 같이 형성된 폐쇄 회로(35)를 통해 흐르는 전류의 값은 도 2에 도시된 와이어 루프(26)의 높이인 H 의 값에 따라서 달라질 것이다. 즉, 캐피러리(22)의 하단부로부터 칩 다이(21)의 전극에 이르는 와이어 루프(26)의 길이에 따라서 저항값이 달라지게 되며, 그에 따른 전류 신호는 검출부(31)에 검출된다. 이후에는 위에 설명한 바와 같이 증폭부(32), 비교기(33) 및, 제어부(34)를 통해 전달된다. 제어부(34)에 전류 검출이 전달되면 캐피러리(22)의 하강은 중지된다. 위와 같이 검출된 전류 신호는 중앙 처리 장치를 통해 실제의 높이로 디스플레이될 수 있다.Capillary 22 then begins to descend toward wire loop 26. The lowering of the capillary 22 is stopped by its end contacting the wire loop 26, whereby the closed circuit 35 described above is formed. That is, a part of the wire 35 from the clamp 23 to the lower end of the capacitor 22 and a part of the wire loop 26 from the lower end of the capacitor 22 to the electrode of the chip die 21. A circuit comprising a is formed. The value of the current flowing through the closed circuit 35 thus formed will vary depending on the value of H, the height of the wire loop 26 shown in FIG. 2. That is, the resistance value varies depending on the length of the wire loop 26 from the lower end of the capillary 22 to the electrode of the chip die 21, and the current signal is detected by the detector 31. After that, as described above, it is transmitted through the amplifier 32, the comparator 33, and the controller 34. When the current detection is transmitted to the control unit 34, the descending of the capillary 22 is stopped. The current signal detected as described above may be displayed at the actual height through the central processing unit.
본 고안에 따른 와이어 루프의 높이 측정 장치는 와이어 본딩 장치와 연계되어 사용되므로 와이어 본딩 작업의 수행 이후에 동일한 작업 위치에서 즉각적으로 측정 작업을 수행할 수 있다는 장점을 가진다. 또한 별도의 측정 장치를 구비할 필요 없이 용이하게 작업의 수행이 가능하다는 장점을 가진다.Since the height measuring device of the wire loop according to the present invention is used in connection with the wire bonding device, the measuring operation can be performed immediately at the same work position after the wire bonding work is performed. In addition, there is an advantage that the operation can be easily performed without having to provide a separate measuring device.
본 고안은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것이며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 고안의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, which is illustrative, and those skilled in the art may understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. will be. Therefore, the true scope of protection of the present invention should be defined by the appended claims.
Claims (3)
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