KR200156813Y1 - Lpcvd heater system - Google Patents
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Abstract
본 고안은 저압화학 기상증착장치의 히터 조립체에 관한 것으로, 종래에는 그 상단면에 고정형 가이드핀이 구비되어 가용 온도에 따라 히터 조립체가 수축 및 팽창됨과 아울러 상기 고정형 가이드핀에 의해 웨이퍼가 한 쪽으로 쏠리게 되는 경우가 종종 발생되는데, 이 경우에 증착방지용 불활성가스가 웨이퍼의 배면에 골고루 분사되지 않게 되는 것은 물론 웨이퍼가 뒤틀리게 되므로 공정진행이 중단되고, 잦은 에러로 장치가동율 및 작업손실이 발생되는 문제점이 있었던 바, 본 고안에서는 상기 히터 조립체의 상단면에 가변형 가이드핀을 설치하여 웨이퍼의 불안전 안착시 에지 가스분출구로 불활성가스를 토출시켜 재안착시키도록 함으로써, 웨이퍼가 페데스털에 안정되게 안착되도록 하여 웨이퍼의 파손을 방지하는 것은 물론 장치의 가동율을 향상되는 효과가 있다.The present invention relates to a heater assembly of a low pressure chemical vapor deposition apparatus, conventionally provided with a fixed guide pin on the top surface thereof, the heater assembly is contracted and expanded according to the available temperature and the wafer is pushed to one side by the fixed guide pin. In this case, the inert gas for preventing deposition is not evenly sprayed on the back surface of the wafer, and the wafer is warped, so that the process is stopped and the operation rate and work loss are frequently caused by frequent errors. Bar, in the present invention by installing a variable guide pin on the top surface of the heater assembly to discharge the inert gas to the edge gas ejection outlet when the wafer is unstable seating, the seat is stable to the pedestal by the wafer To prevent damage of course, It has the effect that phase.
Description
본 고안은 반도체 제조장비인 저압화학 기상증착장치의 히터 조립체에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 고정하는 가이드핀을 가변형으로 설치하여 웨이퍼가 안정되게 안착될 수 있도록 하는 저압화학 기상증착장치의 히터 조립체에 관한 것이다.The present invention relates to a heater assembly of a low pressure chemical vapor deposition apparatus, which is a semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a heater assembly of a low pressure chemical vapor deposition apparatus for stably seating a wafer by installing a guide pin for fixing a wafer. will be.
종래의 히터 조립체(1)는 제1a 및 제1b도에 도시된 바와 같이, 그 중앙부 상단에 웨이퍼(W)가 안착되는 페데스털(Pedestal)(2)이 웨이퍼(W)의 직경보다 작게 형성되고, 그 페데스털(2)의 내측 사방에는 리프트 핀(3)이 설치되며, 상기 페데스털(2)의 하측에는 웨이퍼 안착용 배쿰로(4)가 형성되고, 상기 페디스털(4)의 외측에는 웨이퍼(W)의 배면이 증착되는 것을 방지하기 위한 에지(Edge) 가스분출구(5)가 웨이퍼 측으로 경사지게 형성되며, 그 에지 가스분출구(5)의 외측에는 웨이퍼가 페데스털(2)에 안착되도록 안내하는 고정형 가이드핀(6)이 통상 3개 형성되어 있다.In the conventional heater assembly 1, as shown in FIGS. 1A and 1B, a pedestal 2 on which the wafer W is seated is formed on the upper portion of the center portion thereof, which is smaller than the diameter of the wafer W. FIG. Lift pins 3 are provided on the inner sides of the pedestal 2, and a wafer seating baculo 4 is formed below the pedestal 2, and the pedestal 4 Outside the edge), an edge gas outlet 5 is formed to be inclined toward the wafer side to prevent the back surface of the wafer W from being deposited, and the outside of the edge gas outlet 5 is a pedestal (2). The fixed guide pins (6) for guiding them to be seated) are usually formed.
상기와 같이 구성된 종래의 히터 조립체에 있어서는, 웨이퍼(W)가 로보트(미도시)에 의해 챔버(미도시)의 내부로 이동하여 고정형 가이드핀(6)을 따라 패데스털(2)의 상측에 안착하게 되고, 그 웨이퍼(W)의 하측에 형성되는 배쿰정도에 따라 웨이퍼가 정확하게 패데스털(2)에 안착되었는지를 판단하여 만약 정확하게 안착되었다면 상기 에지 가스분출구(5)로 증착방지용 불활성가스가 토출되어 웨이퍼(W)의 배면에 증착이 형성되는 것을 방지하는 것과 동시에 별도의 가스공급라인(미도시)으로 증착용 가스가 공급되어 웨이퍼(W)의 증착면에 소정의 증착공정이 진행되는 것이었다.In the conventional heater assembly configured as described above, the wafer W is moved into the chamber (not shown) by a robot (not shown) and is positioned above the pedestal 2 along the fixed guide pin 6. When it is seated, it is judged whether the wafer is accurately seated on the pedestal 2 according to the degree of baggum formed on the lower side of the wafer W, and if it is correctly seated, the inert gas for preventing deposition into the edge gas outlet 5 The deposition was prevented from being formed on the back surface of the wafer W, and the deposition gas was supplied to a separate gas supply line (not shown) so that a predetermined deposition process was performed on the deposition surface of the wafer W. .
반대로, 상기 웨이퍼(W)가 패데스털(2)에 정확하게 안착되지 못하였다면 그 웨이퍼(W)가 안정되게 안착될 때까지 증착방지용 불활성가스는 물론 증착용 가스가 공급되지 않아 증착공정이 중단되는 것이었다.On the contrary, if the wafer W is not correctly seated on the pedestal 2, the deposition process is stopped because the deposition gas is not supplied as well as the deposition inert gas until the wafer W is stably seated. Was.
그러나, 상기와 같이 고정형 가이드핀(6)이 구비된 종래의 히터 조립체(1)에 있어서는, 그 가용 온도에 따라 히터 조립체(1)가 수축 및 팽창됨과 아울러 상기 고정형 가이드핀(6)에 의해 웨이퍼(W)가 한 쪽으로 쏠리게 되는 경우가 종종 발생되는데, 이 경우에 증착방지용 불활성가스가 웨이퍼(W)의 배면에 골고루 분사되지 않게되는 것은 물론 웨이퍼(W)가 뒤틀리게 되므로 공정진행이 중단되고, 잦은 에러로 장치가동율 및 작업손실이 발생되는 문제점이 있었다.However, in the conventional heater assembly 1 provided with the fixed guide pin 6 as described above, the heater assembly 1 is contracted and expanded according to its available temperature and the wafer is fixed by the fixed guide pin 6. (W) is often caused to one side, in this case, the inert gas for preventing deposition is not evenly sprayed on the back surface of the wafer (W), as well as the wafer (W) is twisted, the process progress is stopped, frequent There was a problem that the operation rate and work loss occurs due to the error.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼가 페데스털에 안정되게 안착되도록 하여 웨이퍼의 파손을 방지하는 것은 물론 장치의 가동율을 향상시킬 수 있는 저압화학 기상증착장치의 히터 조립체를 제공하는데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a heater assembly of a low pressure chemical vapor deposition apparatus capable of stably seating a wafer on a pedestal to prevent breakage of the wafer and to improve the operation rate of the apparatus.
제1a 및 제1b도는 종래 히터 조립체의 평면도 및 종단면도.1A and 1B are plan and longitudinal cross-sectional views of a conventional heater assembly.
제2도는 본 고안 히터 조립체의 종단면도.Figure 2 is a longitudinal cross-sectional view of the heater assembly of the present invention.
제3a 내지 제3c도는 본 고안 히터 조립체의 동작을 보인 종단면도.3a to 3c is a longitudinal cross-sectional view showing the operation of the inventive heater assembly.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
11 : 페데스털 12 : 리프트 핀11: pedestal 12: lift pin
13 : 웨이퍼 안착용 베큠로 14 : 에지 가스분출구13: wafer deposition chamber 14: edge gas ejection port
15 : 에어 라인 16 : 가변형 가이드핀15 air line 16 variable guide pin
이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 배쿰으로 웨이퍼의 안착을 확인하는 저압화학 기상증착장치의 히터 조립체에 있어서, 상기 웨이퍼의 안착상태를 가늠하는 진공정도에 따라 에지 가스를 차등,공급하면서 웨이퍼를 부양시키는 에지가스 공급라인과, 그 에지가스 공급라인의 상단에 설치되어 안착되는 웨이퍼를 정상위치로 유도하는 수개의 가변형 가이드핀과, 그 가변형 가이드핀을 수평선상에서 이동가능하게 구동력을 공급하는 에어 라인을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 저압화학 기상증착장치의 히터 조립체가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention, in the heater assembly of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus for confirming the seating of the wafer with a bacum, the wafer while differentially supplying the edge gas in accordance with the degree of vacuum to measure the state of the wafer Edge gas supply line for supporting the gas, a plurality of variable guide pins installed at the upper end of the edge gas supply line to guide the wafer to the normal position, and air supplying a driving force to move the variable guide pins on a horizontal line. Provided is a heater assembly of a low pressure chemical vapor deposition apparatus comprising a line.
이하, 본 발명에 의한 전압화학 기상증착장치의 히터 조립체를 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the heater assembly of the voltage chemical vapor deposition apparatus according to the present invention will be described in detail based on the embodiment shown in the accompanying drawings.
제2도에 도시된 바와 같이 본 발명에 의한 히터 조립체(10)는, 그 중앙부 상단에 웨이퍼(W')가 안착되는 페데스털(Pedestal)(11)이 웨이퍼(W')의 직경보다 작게 형성되고, 그 페데스털(11)의 내측 사방에는 리프트 핀(12)이 설치되며, 상기 페데스털(11)의 하측에는 웨이퍼 안착용 배쿰로(13)가 형성되고, 상기 페디스털(12)의 외측에는 웨이퍼(W')의 배면이 증착되는 것을 방지하는 한편 정상적으로 안착되지 못한 웨이퍼를 부양시키기 위한 에지(Edge) 가스분출구(또는, 에지가스 공급라인)(14)가 웨이퍼 측으로 경사지게 형성되며, 그 에지 가스분출구(14)의 외측에는 웨이퍼가 페데스털(11)에 정상적으로 안착되도록 하기 위하여 별도의 에어 라인(15)에 의해 구동되는 가변형 가이드핀(16)이 통상 3개 형성된다.As shown in FIG. 2, the heater assembly 10 according to the present invention has a pedestal 11 having a wafer W 'seated on the top of a central portion thereof smaller than the diameter of the wafer W'. The lift pin 12 is provided on the inner sides of the pedestal 11, and the wafer seating back cumulro 13 is formed below the pedestal 11, and the pedestal ( An edge gas ejection opening (or edge gas supply line) 14 is formed to be inclined toward the wafer side to prevent the back surface of the wafer W 'from being deposited while supporting the wafer which is not normally seated on the outside of the wafer 12. On the outer side of the edge gas ejection port 14, three variable guide pins 16 driven by a separate air line 15 are normally formed in order to allow the wafer to be normally seated on the pedestal 11.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 의한 히터 조립체는, 먼저 웨이퍼(W')가 로보트(미도시)에 의해 챔버(미도시)의 내부로 이동하게 되면, 그 웨이퍼(W')가 페데스털(11)에 안착되기 전에 가변형 가이드핀(16)을 페데스털(11)의 중심방향으로 소정량만큼 이동시켜 웨이퍼(W')의 정열을 유도하게 되는데, 이때 웨이퍼(W')가 기울어지는 경우에는 제3a 내지 제3c에 도시된 바와 같이, 에지 가스분출구(14)를 통해 에지 가스를 일시에 분사하여 웨이퍼(W')를 공중에 띄운 후에 에지 가스를 점차 줄이면서 페데스털(11)의 상측에 안착하게 되고, 그 안착된 웨이퍼(W')는 웨이퍼 안착용 배쿰로(13)에 의해 흡착되어 고정된 다음에 상기 가변형 가이드핀(16)은 원래의 위치로 복귀하게 되며, 그 웨이퍼(W')의 하측에 형성되는 배쿰상태에 따라 웨이퍼가 정확하게 패데스털(11)에 안착되었는지를 판단하여 만약 정확하게 안착되었다면 상기 에지 가스분출구(14)로 증착방지용 불활성가스가 토출되어 웨이퍼(W')의 배면이 증착되는 것을 방지하는 것과 동시에 별도의 가스공급라인(미도시)으로 증착용 가스가 공급되어 소정의 증착공정이 진행되는 것이다.In the heater assembly according to the present invention configured as described above, when the wafer W 'is first moved into the chamber (not shown) by a robot (not shown), the wafer W' is moved to a pedestal ( 11) before the variable guide pin 16 is moved to the center of the pedestal 11 by a predetermined amount to be seated in order to induce alignment of the wafer (W '), in this case the wafer (W') is inclined As shown in FIGS. 3A to 3C, the edge gas is temporarily injected through the edge gas outlet 14 to float the wafer W 'in the air, and then the edge gas is gradually reduced, It is seated on the upper side, the seated wafer (W ') is adsorbed and fixed by the wafer seating baculo (13) and then the variable guide pin 16 is returned to its original position, the wafer ( The wafer is accurately seated on the pedestal 11 according to the state of the back cumulative state formed under W '). If it is seated correctly, the inert gas for preventing deposition is discharged to the edge gas outlet 14 to prevent the back surface of the wafer W 'from being deposited, and at the same time, it is deposited for a separate gas supply line (not shown). The gas is supplied and a predetermined deposition process is performed.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 저압화학 기상증착장치의 히터 조립체는, 그 상단면에 가변형 가이드핀을 설치하여 웨이퍼의 불안전 안착시 에지 가스분출구로 불활성가스를 토출시켜 재안착시키도록 함으로써, 웨이퍼가 페데스털에 안정되게 안착되도록 하여 웨이퍼의 파손을 방지하는 것은 물론 장치의 가동율을 향상되는 효과가 있다.As described above, in the heater assembly of the low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, a variable guide pin is installed on the upper end surface of the wafer assembly to discharge the inert gas to the edge gas ejection outlet for unstable mounting of the wafer, thereby repositioning the wafer. Is stably seated on the pedestal to prevent breakage of the wafer and to improve the operation rate of the device.
Claims (1)
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