KR20010085504A - Transfer Film for Forming Dielectric Layer and Process for Preparing Plasma Display Panel - Google Patents
Transfer Film for Forming Dielectric Layer and Process for Preparing Plasma Display Panel Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010085504A KR20010085504A KR1020010009159A KR20010009159A KR20010085504A KR 20010085504 A KR20010085504 A KR 20010085504A KR 1020010009159 A KR1020010009159 A KR 1020010009159A KR 20010009159 A KR20010009159 A KR 20010009159A KR 20010085504 A KR20010085504 A KR 20010085504A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- dielectric layer
- material layer
- forming material
- meth
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/38—Dielectric or insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J2211/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
- H01J2211/366—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like characterized by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a transfer film and a plasma display panel.
최근, 평판 상의 형광 표시 장치로서 플라즈마 디스플레이가 주목받고 있다. 도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널 (이하, 「PDP」라고도 한다)의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 이 도면에서, 기호 1 및 2는 상호 대향 배치된 유리 기판이고, 3은 격벽이며, 이들 유리 기판 1, 유리 기판 2와 격벽 3에 의해 구획된 셀이 형성되어 있다. 기호 4는 유리 기판 1에 고정된 투명 전극이고, 기호 5는 투명 전극 4의 저항을 저하시키기 위해 상기 투명 전극 4 상에 형성된 버스 전극이며, 기호 6은 유리 기판 2에 고정된 어드레스 전극이며, 기호 7은 셀 내에 유지된 형광 물질이며, 기호 8은 투명 전극 4와 버스 전극 5를 피복하도록 유리 기판 1의 내면에 형성된 유전체층이며, 기호 9는 어드레스 전극 6을 피복하도록 유리 기판 2의 내면에 형성된 유전체층이며, P은 예를 들면 산화마그네슘으로 이루어진 보호막이다.In recent years, plasma displays have attracted attention as flat panel fluorescent displays. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel (hereinafter also referred to as "PDP"). In this figure, symbols 1 and 2 are glass substrates arranged opposite to each other, 3 is partition walls, and cells partitioned by these glass substrates 1, 2 and 3 are formed. Symbol 4 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 1, symbol 5 is a bus electrode formed on the transparent electrode 4 to lower the resistance of the transparent electrode 4, symbol 6 is an address electrode fixed to the glass substrate 2, symbol 7 is a fluorescent material retained in the cell, symbol 8 is a dielectric layer formed on the inner surface of the glass substrate 1 to cover the transparent electrode 4 and the bus electrode 5, and symbol 9 is a dielectric layer formed on the inner surface of the glass substrate 2 to cover the address electrode 6 P is a protective film made of, for example, magnesium oxide.
유전체층 8의 형성 방법으로서는 유리 분말, 결착 수지 및 용제를 함유하여 이루어진 페이스트상의 유리 페이스트 조성물을 조제하고, 이 유리 페이스트 조성물을 예를 들면 스크린 인쇄법에 의해 유리 기판 1의 표면에 도포하고 건조시킴으로써 막형성 재료층을 형성하고, 이 막형성 재료층을 소성함으로써 유기 물질을 제거하여 유리 분말을 소결시키는 방법이 알려져 있다.As a method for forming the dielectric layer 8, a paste-like glass paste composition containing glass powder, a binder resin and a solvent is prepared, and the glass paste composition is applied to the surface of the glass substrate 1 by screen printing, for example, and dried to form a film. A method of forming an forming material layer and firing the film forming material layer to remove an organic substance and sintering the glass powder is known.
여기서, 유전체층 8이 양호한 투명성, 즉, 높은 광투과율을 갖도록 하기 위해서는 소성 공정에서 막형성 재료층을 충분히 탈포시킬 필요가 있다.Here, in order for the dielectric layer 8 to have good transparency, that is, high light transmittance, it is necessary to deflate the film forming material layer sufficiently in the baking process.
또, 소성 공정에서 막형성 재료층을 충분히 탈포시키기 위해서는, 유리 페이스트 조성물의 유리 분말로서 연화점이 낮은 것을 사용하고 동시에 높은 온도로 장시간에 걸쳐 소성시킴으로써, 소성 공정에서 막형성 재료층의 유동성을 높이는 것이 바람직하다.In addition, in order to fully deflate the film forming material layer in the baking step, by using a low softening point as the glass powder of the glass paste composition and baking at a high temperature for a long time, it is possible to increase the fluidity of the film forming material layer in the baking step. desirable.
그리고, 유리 기판 1 상에 형성시킬 막형성 재료층의 두께는 소성 공정에서 유기 물질의 제거에 수반되는 막 두께의 감소량 (눈 감량)을 고려하여, 형성해야 할 유전체층 8의 막 두께의 1.3 내지 2.0배 정도로 할 필요가 있으며, 예를 들어 막 두께 20 내지 50 ㎛의 유전체층 8을 형성하기 위해서는 막형성 재료층의 두께를 30 내지 1OO ㎛ 정도로 할 필요가 있다.The thickness of the film forming material layer to be formed on the glass substrate 1 is 1.3 to 2.0 of the thickness of the dielectric layer 8 to be formed in consideration of the amount of reduction (eye loss) of the film thickness accompanying the removal of the organic material in the firing process. The thickness of the film forming material layer needs to be about 30 to 100 mu m, for example, in order to form the dielectric layer 8 having a thickness of 20 to 50 mu m.
한편, 유리 페이스트 조성물의 도포를 스크린 인쇄법으로 수행하는 경우, 1회 도포 공정에 의해 형성되는 도막 두께는 15 내지 25 ㎛ 정도이다. 이 때문에, 필요한 두께의 막형성 재료층을 형성하기 위해서는 다중 인쇄, 즉, 유리 기판 표면에 대해 해당 유리 페이스트 조성물을 다수회, 예를 들어 2 내지 7회에 걸쳐 반복 도포할 필요가 있다.On the other hand, when the application of the glass paste composition is carried out by the screen printing method, the coating film thickness formed by the one coating process is about 15 to 25 µm. For this reason, in order to form the film forming material layer of the required thickness, it is necessary to apply the said glass paste composition to multiple printing, ie, the glass substrate surface repeatedly, many times, for example, 2 to 7 times.
그러나, 스크린 인쇄법을 이용하는 다중 인쇄에 의해 막형성 재료층을 형성하는 경우에는, 이 막형성 재료층을 소성하여 형성되는 유전체층이 균일한 막 두께를 갖지 않으며, 평균 막 두께에 대한 막 두께 분포를 ±5% 이내로 할 수 없다. 이는 스크린 인쇄법에 의한 다중 인쇄로는 유리 기판의 표면에 대하여 유리 페이스트 조성물을 균일하게 도포하는 것이 곤란하기 때문이며, 도포 면적(패널 사이즈)이 클수록, 또한 도포 횟수가 많을수록 유전체층에 있어서 막 두께의 불균일 정도가 커진다. 또한, 다중 인쇄에 의한 도포 공정을 거쳐 얻어진 패널 재료, 즉, 해당 유전체층을 갖는 유리 기판에는 그 면내에 막 두께의 불균일성에 기인하여 유전 특성에 불균일성이 생기기 때문에 PDP에 있어서 휘도 얼룩 등의 표시 결함의 원인이 된다.However, in the case of forming the film forming material layer by multiple printing using the screen printing method, the dielectric layer formed by firing the film forming material layer does not have a uniform film thickness, and the film thickness distribution with respect to the average film thickness is obtained. It cannot be set within ± 5%. This is because it is difficult to uniformly apply the glass paste composition to the surface of the glass substrate by multiple printing by the screen printing method. The larger the coating area (panel size) and the higher the number of coatings, the more uneven the film thickness in the dielectric layer. The degree increases. In addition, the panel material obtained through the application process by multiple printing, ie, the glass substrate having the dielectric layer, causes nonuniformity in dielectric properties due to the nonuniformity of the film thickness in the plane thereof. Cause.
또한, 스크린 인쇄법에서는 스크린판의 메쉬 형상이 막형성 재료층 표면에 전사되는 일이 있어서, 이러한 막형성 재료층을 소성하여 형성되는 유전체층은 표면 평활성이 떨어지게 된다.In the screen printing method, the mesh shape of the screen plate may be transferred to the surface of the film forming material layer, so that the dielectric layer formed by firing the film forming material layer is inferior in surface smoothness.
스크린 인쇄법에 의해 막형성 재료층을 형성하는 경우에 있어서 상기와 같은 문제를 해결하는 수단으로서, 본 발명자들은 유리 페이스트 조성물을 지지 필름 상에 도포하고 도막을 건조시켜 막형성 재료층을 형성하여, 지지 필름 상에 형성된 막형성 재료층을 전극이 고정된 유리 기판의 표면에 전사하고, 전사된 막형성 재료층을 소성함으로써 상기 유리 기판의 표면에 유전체층을 형성하는 공정을 포함하는, PDP의 제조 방법을 제안하였다 (일본 특허 공개(평) 제9-102273호 공보 참조).As a means of solving the above problems in the case of forming the film forming material layer by the screen printing method, the present inventors apply the glass paste composition onto the support film and dry the coating film to form the film forming material layer, Transferring the film forming material layer formed on the support film to the surface of the glass substrate on which the electrode is fixed, and baking the transferred film forming material layer to form a dielectric layer on the surface of the glass substrate. (See Japanese Patent Laid-Open No. 9-102273).
이러한 제조 방법에 의하면 기본적으로 막 두께의 균일성과 표면의 균일성이 우수한 유전체층을 형성하는 것이 가능하다.According to this manufacturing method, it is possible to form a dielectric layer which is basically excellent in uniformity of film thickness and uniformity of surface.
또한, 본 발명자들은 PDP의 유전체층을 형성하기 위해 적합하게 이용할 수 있는 전사 필름으로서, 지지 필름과 유리 페이스트 조성물로부터 얻어지는 막형성 재료층과 이 막형성 재료층 표면에 용이하게 박리되도록 설치된 커버 필름을 적층시켜 이루어진 복합 필름에 대해서도 제안하였다 (일본 특허 출원(평) 제9-101653호 명세서 참조).In addition, the inventors of the present invention are laminating a film forming material layer obtained from a support film and a glass paste composition and a cover film provided to be easily peeled off the surface of the film forming material layer as a transfer film that can be suitably used for forming a dielectric layer of a PDP. Also proposed was a composite film obtained by the above method (see Japanese Patent Application No. Hei 9-101653).
이러한 구성의 복합 필름 (전사 필름)은 이를 롤 형상으로 권취하여 보존할수 있는 점에서도 유리하다.The composite film (transfer film) of such a structure is also advantageous in that it can be wound up and preserve | saved in roll shape.
상술한 바와 같이, 종래의 스크린 인쇄법으로는 그 공정의 특성상 막 두께의 균일성이 높은 유전체층을 형성하는 것이 곤란하다.As described above, in the conventional screen printing method, it is difficult to form a dielectric layer having high uniformity in film thickness due to the characteristics of the process.
또, 막 두께의 균일성이 낮은 유전체층을 구비한 PDP에서는 유전률, 휘도, 절연 내압(耐壓) 등이 불균일해지는 결과로 예를 들어 표시 동작에서 휘도 얼룩이 발생하는 등의 품질상의 문제가 일어나기 쉽다. 또한, 막 두께의 균일성은 막형성 재료층의 표면 상태에 크게 의존하지만, 특히 유전체층 표면의 국소적인 오목부는 패널 점등시의 표시 결함이 되기 쉽고, 또한 오목부의 정도에 의해서는 그 보다 절연 파괴가 일어나는 등의 품질상 또는 성능상의 문제가 되기 쉽다.Further, in PDPs having dielectric layers with low uniformity in film thickness, quality problems such as luminance unevenness are likely to occur in display operation as a result of uneven dielectric constant, brightness, dielectric breakdown voltage, and the like. In addition, the uniformity of the film thickness largely depends on the surface state of the film forming material layer, but in particular, the local recesses on the surface of the dielectric layer tend to become display defects when the panel is lit, and the degree of recession causes more dielectric breakdown. It tends to be a problem in quality or performance.
본 발명은 이상과 같은 사정에 기인하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 막 두께 분포의 균일성이 높고, 휘도 얼룩 등의 표시 결함이 생기지 않으며, 절연 파괴가 일어나기 어려운 유전체층을 형성할 수 있는 유전체층 형성용 전사 필름을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to form a dielectric layer capable of forming a dielectric layer having a high uniformity in film thickness distribution, no display defects such as luminance unevenness, and in which dielectric breakdown is unlikely to occur. It is to provide a transfer film.
본 발명의 다른 목적은 상기 유전체층을 구비한 PDP를 효율적으로 제조할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for producing a PDP that can efficiently produce a PDP having the dielectric layer.
도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 단면 형상을 나타내는 모식도.1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel.
도 2a는 본 발명의 전사 필름을 나타내는 개략 단면도이고, 도 2b는 상기 전사 필름의 층 구성을 나타내는 단면도.Fig. 2A is a schematic cross sectional view showing a transfer film of the present invention, and Fig. 2B is a cross sectional view showing a layer structure of the transfer film.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1, 2: 유리 기판 3: 격벽1, 2: glass substrate 3: partition wall
4: 투명 전극 5: 버스 전극4: transparent electrode 5: bus electrode
6: 어드레스 전극 7: 형광 물질6: address electrode 7: fluorescent material
8, 9: 유전체층 P: 보호층8, 9: dielectric layer P: protective layer
F1: 지지 필름 F2: 막형성 재료층F1: support film F2: film-forming material layer
F3: 커버 필름F3: cover film
본 발명의 유전체층 형성용 전사 필름은 유리 페이스트 조성물을 포함하는 막형성 재료층을 지지 필름 상에 형성하여 이루어진 유전체층 형성용 전사 필름이며, 이 전사 필름으로부터 기판 표면에 전사된 막형성 재료층을 소성하면 막 두께분포가 평균 막 두께에 대하여 ±2 ㎛ 범위에 있는 유전체층이 형성되는 것을 특징으로 한다.The transfer film for forming a dielectric layer of the present invention is a transfer film for forming a dielectric layer formed by forming a film forming material layer containing a glass paste composition on a support film, and when the film forming material layer transferred to the substrate surface is fired from the transfer film, The film thickness distribution is characterized in that a dielectric layer is formed in the range of ± 2 μm relative to the average film thickness.
또한, 본 발명의 유전체 형성용 전사 필름은 유리 페이스트 조성물을 포함하는 막형성 재료층을 지지 필름 상에 형성하여 이루어진 유전체층 형성용 전사 필름이며, 이 전사 필름으로부터 기판 표면에 전사된 막형성 재료층을 소성하면 얻어진 유리 소결체의 표면에서 깊이 1O ㎛ 이상의 국소적인 오목부의 수가 1 ㎡당 3개 이하인 유전체층이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the transfer film for forming a dielectric of the present invention is a transfer film for forming a dielectric layer formed by forming a film forming material layer containing a glass paste composition on a support film, wherein the film forming material layer transferred from the transfer film to the substrate surface is formed. When firing, it is characterized in that a dielectric layer having a number of local concave portions having a depth of 10 mu m or more at three or less per square meter is formed on the surface of the obtained glass sintered body.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 상기 전사 필름의 막형성 재료층을 유전체층을 형성시킬 플라즈마 디스플레이 패널용 기판 표면에 전사하고, 이를 소성함으로써 기판 상에 유전체층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a plasma display panel of the present invention includes transferring a film forming material layer of the transfer film to a surface of a plasma display panel substrate on which a dielectric layer is to be formed, and baking the same to form a dielectric layer on the substrate. do.
<작용><Action>
상기 전사 필름에 의하면 막 두께 균일성이 매우 우수한 유전체층이 형성되기 때문에, 이 전사 필름을 사용하여 형성된 유전체층을 구비한 PDP는 유전률, 휘도, 절연 내압 등이 우수하고, 막 두께 분포의 불균일에 의한 휘도 얼룩 등의 표시 결함이 생기지 않으며, 절연 파괴가 일어나기 어려운 고품질을 갖는다.According to the transfer film, since a dielectric layer having excellent film thickness uniformity is formed, a PDP having a dielectric layer formed by using the transfer film is excellent in dielectric constant, brightness, dielectric breakdown voltage, and the like, and is caused by unevenness in film thickness distribution. Display defects such as unevenness do not occur, and have high quality in which dielectric breakdown is unlikely to occur.
본 발명의 전사 필름은 기판에 전사하여 소성함으로써 얻어진 유전체층의 막 두께 분포 범위가 평균 막 두께에 대하여 ±2 ㎛ 이하가 되는 상태로 막형성 재료층이 형성되는 것이 필요하다.In the transfer film of the present invention, the film-forming material layer needs to be formed in a state where the film thickness distribution range of the dielectric layer obtained by transferring to the substrate and baking becomes ± 2 μm or less with respect to the average film thickness.
유전체층의 막 두께 분포는 ① 소성시의 막 감소량, 및 ② 막형성 재료층의막 두께 분포에 의존한다. 즉, 소성시의 막 감소량이 클수록 소성후의 유전체층의 막 두께가 균일해 진다. 소성시의 막 감소량을 크게 하기 위해서는 막형성 재료층 중의 결착 수지의 양을 증가시키는 것이 효과적이지만, 결착 수지의 양이 지나치게 많으면 소성 잔사 등에 의해 유전체층의 품질을 손상시키는 경우가 있다. 얻어진 유전체층의 품질을 유지하면서 막 두께 분포를 양호하게 하기 위해서는 ① 소성시의 막 감소량과 ② 도포 방법 등에 의한 막형성 재료층의 막 두께 제어의 양방의 조건이 중요하다. 예를 들어 결착 수지의 양에 의해 변동하는 소성시의 막 감소량이 약 50%인 경우에는 막형성 재료층의 막 두께 분포는 평균 막 두께에 대하여 약 ±4 ㎛ 이하이고, 상기 막 감소량이 약 55%인 경우에는 막형성 재료층의 막 두께 분포는 평균 막 두께에 대하여 약 ±4.5 ㎛ 이하이며, 상기 막 감소량이 약 70%인 경우에는 막형성 재료층의 막 두께 분포는 평균 막 두께에 대하여 약 ±6.7 ㎛ 이하인 것이 필요하다.The film thickness distribution of the dielectric layer depends on the film reduction amount at the time of baking and the film thickness distribution of the film forming material layer. That is, the larger the film reduction amount during firing, the more uniform the film thickness of the dielectric layer after firing. It is effective to increase the amount of the binder resin in the film-forming material layer in order to increase the amount of film reduction during firing. However, when the amount of the binder resin is too large, the quality of the dielectric layer may be impaired by the firing residue or the like. In order to improve the film thickness distribution while maintaining the quality of the obtained dielectric layer, both conditions of film thickness control of the film forming material layer by (1) the film reduction amount at the time of baking and (2) the coating method are important. For example, when the film reduction amount at the time of firing fluctuated by the amount of the binder resin is about 50%, the film thickness distribution of the film forming material layer is about ± 4 µm or less with respect to the average film thickness, and the film reduction amount is about 55 In the case of%, the film thickness distribution of the film forming material layer is about ± 4.5 μm or less with respect to the average film thickness, and when the film reduction amount is about 70%, the film thickness distribution of the film forming material layer is about the average film thickness. It should be less than ± 6.7 μm.
또한, 본 발명의 전사 필름은 얻어진 유리 소결체의 표면에서 깊이 10 ㎛ 이상의 국소적인 오목부의 수가 1 ㎡당 3개 이하인 것이 필수적이다. 유리 소결체의 표면에서 국소적인 오목부의 크기는 직경이 5 ㎜ 이하이고 깊이가 1O ㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 깊이 1O ㎛ 이상의 국소적인 오목부의 수를 적게 함으로써 절연 내전압이 높은 유전체층, 즉, 표시 결함이 적고 절연 파괴가 일어나기 어려운 유전체층을 얻을 수 있다.Moreover, it is essential for the transfer film of this invention that the number of local recessed parts 10 micrometers or more in depth in the surface of the obtained glass sintered compact is 3 or less per m <2>. The size of the local recesses on the surface of the glass sintered body is particularly preferably 5 mm or less in diameter and 10 m or less in depth. By reducing the number of local concave portions having a depth of 10 µm or more, a dielectric layer having a high dielectric breakdown voltage, that is, a dielectric layer having a small display defect and less likely to cause dielectric breakdown can be obtained.
유리 소결체의 표면의 오목부의 크기는 해당하는 부분을 레이저식 비접촉 3차원 측정기 등을 사용하여 구할 수 있다. 또한, 전사 필름 단계에서도 검사용CCD 카메라를 사용하여 일정 면적당 오목부의 수와 크기를 구할 수 있으며, 소성시의 막형성 재료층의 눈 감량과 레벨링성을 고려하여 소성후의 오목부의 수와 크기를 추측할 수 있다.The magnitude | size of the recessed part of the surface of a glass sintered compact can obtain | require the corresponding part using a laser type non-contact three-dimensional measuring instrument etc .. In addition, in the transfer film step, the number and size of recesses per predetermined area can be obtained by using an inspection CCD camera, and the number and size of recesses after firing are estimated in consideration of eye loss and leveling of the film-forming material layer during firing. can do.
유리 소결체에서 국소적인 오목부의 수와 크기를 감소시키기 위해서는, 유리 소결체 형성(소성) 전의 막형성 재료층의 표면 상태가 양호한 것이 재료에 있어서 중요하다. 즉, 국소적인 오목부가 없는 양호한 표면 성상의 막형성 재료층으로 얻어진 유전체층 표면에는 그에 유래하는 오목부가 없다.In order to reduce the number and size of local recesses in the glass sintered body, it is important for the material that the surface condition of the film forming material layer before glass sintered body formation (firing) is good. That is, the surface of the dielectric layer obtained from the film forming material layer having good surface properties without local recesses has no recesses derived therefrom.
막형성 재료층 표면의 국소적인 오목부의 유무는 유리 페이스트 조성물을 도포할 때의 환경에서 미세 더스트의 유무에도 크게 의존한다. 제조 환경 중의 미세 더스트에 의한 막형성 재료층 표면의 오목부는 주로 다음과 같은 원인으로 발생한다. ① 도포 헤드의 백 롤에 미세 더스트가 부착한 경우, 그 요철이 기재 필름에 전파되어, 균일한 도포면이 얻어지지 않고 그 흔적이 오목부로서 남는다. ② 가이드 롤 또는 닙 롤 등의 각종 롤에 미세 더스트가 부착한 경우, 이들과 접하는 필름 상에 더스트의 눌린 흔적이 오목부로서 남는다. ③ 도포 공정의 최종 단계로서 필름을 롤 형상으로 권취할 때 미세 더스트가 롤 중에 감겨진 경우, 이 미세 더스트에 의한 눌린 흔적이 오목부로서 남는다.The presence or absence of local recesses on the surface of the film-forming material layer greatly depends on the presence or absence of fine dust in the environment when the glass paste composition is applied. The depressions on the surface of the film-forming material layer due to fine dust in the production environment mainly occur due to the following causes. ① When fine dust adheres to the back roll of an application head, the unevenness propagates to a base film, and a uniform coating surface is not obtained but the trace remains as a recessed part. (2) When fine dust adheres to various rolls, such as a guide roll or a nip roll, the pressed trace of dust remains as a recessed part on the film which contact | connects these. (3) When the fine dust is wound in the roll when the film is wound into a roll shape as the final step of the coating process, the pressed trace by the fine dust remains as a recess.
이상과 같이, 제조 환경 중의 미세 더스트는 막형성 재료층 표면의 오목부의 발생 원인이 된다. 특히, 막형성 재료층이 드라이화시킨 유리 페이스트층에서 형성되는 전사 필름에서는 그 성질상 막질이 부드럽기 때문에 미세 더스트의 밀어넣기에 의해 오목부가 발생하기 쉽다. 따라서, 이러한 제조 환경 중의 미세 더스트에 의한 막형성 재료층의 표면의 오목부를 억제하기 위해서, 제조 환경의 청정도를 클래스 10000 이하, 바람직하게는 클래스 1000 이하, 더욱 바람직하게는 클래스 100 이하로 관리하는 것이 바람직하다. 여기서 말하는 "클래스"는 미국 연방 규격 FS 209B에 기준한 청정도의 규격을 나타낸다. 또한, 이러한 청정도를 확보하는 것 이외에도, 필름과 직접 접하는 각종 롤을 활실히 청소하는 것도 유용하다.As mentioned above, fine dust in a manufacturing environment becomes a cause of generation | occurrence | production of the recessed part in the film formation material layer surface. In particular, in the transfer film formed from the glass paste layer dried by the film forming material layer, the film quality is soft due to the nature thereof, and concave portions easily occur due to the pushing of fine dust. Therefore, in order to suppress the recessed part of the surface of the film formation material layer by the fine dust in such a manufacturing environment, it is desirable to manage the cleanliness of a manufacturing environment to class 10000 or less, Preferably class 1000 or less, More preferably, class 100 or less. desirable. As used herein, "class" represents a standard of cleanliness based on the US Federal Standard FS 209B. In addition to ensuring such cleanliness, it is also useful to clean various rolls directly in contact with the film.
또한, 청정도의 관리에 더하여, 미세 더스트에 의한 막형성 재료층의 표면의 오목부를 억제하기 위해서는, 막형성 재료층을 끼우는 지지 필름, 커버 필름의 막 두께를 두껍게 함으로써 그 영향을 적게 할 수도 있다.In addition to the management of cleanliness, in order to suppress the recessed part of the surface of the film formation material layer by fine dust, the influence can be reduced by making the film thickness of the support film and cover film which sandwich the film formation material layer thick.
이하, 본 발명의 전사 필름의 구성에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the structure of the transfer film of this invention is demonstrated in detail.
<전사 필름><Transfer film>
도 2a는 롤 형상으로 권취된 본 발명의 전사 필름을 나타내는 개략 단면도이며, 도 2b는 상기 전사 필름의 층 구성을 확대하여 나타내는 단면도 [(X)의 부분 상세도]이다.It is a schematic sectional drawing which shows the transfer film of this invention wound up in roll shape, and FIG. 2B is sectional drawing [partial detail view of (X)] which expands and shows the laminated constitution of the said transfer film.
도 2에 나타낸 전사 필름은 PDP를 구성하는 유전체층을 형성하기 위해 사용되는 복합 필름으로서, 지지 필름 F1과 이 지지 필름 F1의 표면에 박리가능하게 형성된 막형성 재료층 F2와 이 막형성 재료층 F2의 표면에 설치된 박리성 커버 필름 F3과의 적층체로 구성되어 있다. 커버 필름 F3은 막형성 재료층 F2의 성질에 따라, 또는 전사 필름을 권취한 롤 중량을 감소시키기 위한 목적으로 사용하지 않는 경우도 있다.The transfer film shown in Fig. 2 is a composite film used for forming the dielectric layer constituting the PDP, and is formed of a support film F1 and a film forming material layer F2 formed on the surface of the support film F1 so as to be peelable. It consists of a laminated body with the peelable cover film F3 provided in the surface. Cover film F3 may not be used depending on the property of film formation material layer F2, or for the purpose of reducing the roll weight which wound the transfer film.
또한, 지지 필름 F1과 커버 필름 F3의 막형성 재료층 F2 접촉면에는 이형 처리가 실시되어 있어도 좋다.Moreover, the mold release process may be given to the film formation material layer F2 contact surface of support film F1 and cover film F3.
전사 필름을 구성하는 지지 필름 F1은 내열성과 내용제성을 갖는 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름 F1이 가요성을 가짐으로서, 해당 전사 필름을 롤 형상으로 권취할 수 있고, 따라서 막형성 재료층의 보존과 공급이 용이해진다.It is preferable that the support film F1 which comprises a transfer film is a resin film which has heat resistance and solvent resistance, and has flexibility. Since the support film F1 has flexibility, this transfer film can be wound up in roll shape, and therefore preservation and supply of a film forming material layer become easy.
지지 필름 F1을 형성하는 수지로서는 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다.Examples of the resin forming the supporting film F1 include fluorine-containing resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, nylon, cellulose, and the like. Can be mentioned.
지지 필름 F1의 두께는 특히 한정되는 것은 아니지만 예를 들어 20 내지 100 ㎛이다.Although the thickness of support film F1 is not specifically limited, For example, it is 20-100 micrometers.
전사 필름을 구성하는 막형성 재료층 F2는 소성에 의해 유전체층을 형성하는 유리 소결체가 되는 층으로, 유리 분말과 결착 수지를 필수 성분으로서 함유하며, 또한 필요에 따라 각종 첨가제를 함유한다.The film-forming material layer F2 constituting the transfer film is a layer which becomes a glass sintered body which forms a dielectric layer by firing, and contains glass powder and binder resin as essential components, and also contains various additives as necessary.
막형성 재료층 F2의 두께는 유리 분말의 함유율, 제작되는 패널의 종류나 사이즈 등에 따라 다르지만, 예를 들어 5 내지 200 ㎛, 바람직하게는 10 내지 1OO ㎛이며, 그 두께가 1O 내지 1OO ㎛이면 대형 패널에 요구되는 유전체층의 막 두께를 충분히 확보할 수 있다.The thickness of the film-forming material layer F2 varies depending on the content of the glass powder, the type and size of the panel to be produced, and the like, but is, for example, 5 to 200 μm, preferably 10 to 100 μm, and the thickness thereof is 10 to 100 μm. The film thickness of the dielectric layer required for a panel can fully be ensured.
그 두께가 5 ㎛ 미만인 경우에는 최종적으로 형성된 유전체층의 막 두께가 지나치게 작고, 소정의 유전 특성을 확보할 수 없게 될 수 있다.If the thickness is less than 5 mu m, the film thickness of the finally formed dielectric layer may be too small, and the predetermined dielectric properties may not be secured.
전사 필름을 구성하는 커버 필름 F3은 막형성 재료층 F2의 표면, 즉, 유리 기판과의 접촉면을 보호하기 위한 필름이다. 이 커버 필름 F3도 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 커버 필름 F3을 형성하는 수지로서는 지지 필름 F1을 형성하는 것으로 예시한 수지를 들 수 있다. 또한, 커버 필름 F3의 두께는 예를 들어 20 내지 100 ㎛이다.The cover film F3 constituting the transfer film is a film for protecting the surface of the film forming material layer F2, that is, the contact surface with the glass substrate. It is preferable that this cover film F3 is also a resin film which has flexibility. As resin which forms cover film F3, resin illustrated by forming support film F1 is mentioned. In addition, the thickness of cover film F3 is 20-100 micrometers, for example.
상기와 같은 구성의 전사 필름은 지지 필름 (F1) 상에 막형성 재료층 (F2)을 형성하고, 이 막형성 재료층 (F2) 상에 커버 필름 (F3)을 설치함으로써 제조할 수 있다.The transfer film of the above structure can be manufactured by forming a film forming material layer F2 on the support film F1, and providing a cover film F3 on this film forming material layer F2.
막형성 재료층 형성 방법으로는 유리 분말, 결착 수지, 필요에 따라 첨가되는 첨가제 및 용제를 함유하여 이루어진 유리 페이스트 조성물을 지지 필름 F1 상에 도포하고, 도막을 건조시켜 용제의 일부 또는 전부를 제거하는 방법을 들 수 있다.As a film formation material layer forming method, the glass paste composition which consists of glass powder, a binder resin, the additive added as needed, and a solvent is apply | coated on support film F1, and a coating film is dried, and a part or all of a solvent is removed. A method is mentioned.
이하에 본 발명의 전사 필름을 제조하기 위해 적절하게 사용할 수 있는 유리 페이스트 조성물에 관하여 설명한다.Hereinafter, the glass paste composition which can be used suitably for manufacturing the transfer film of this invention is demonstrated.
<유리 분말><Glass powder>
유리 페이스트 조성물을 구성하는 유리 분말로서는 특히 한정되는 것은 아니지만 연화점이 400 내지 600℃ 범위 내에 있는 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a glass powder which comprises a glass paste composition, It is preferable that a softening point exists in the 400-600 degreeC range.
유리 분말의 연화점이 400℃ 미만인 경우에는, 해당 유리 페이스트 조성물에의한 막형성 재료층의 소성 공정에서 결착 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않은 단계에서 유리 분말이 용융되기 때문에, 형성되는 유전체층 내에 유기물질의 일부가 잔류하고, 그 결과 유전체층이 착색되어 투명성 (고투과율)이 저하되는 경향이 있다. 한편, 유리 분말의 연화점이 600℃를 초과하는 경우에는, 해당 연화점보다 높은 온도로 소성해야할 필요가 있기 때문에 유리 기판에 비틀림 등이 발생하기 쉽다.In the case where the softening point of the glass powder is less than 400 ° C, the dielectric layer is formed because the glass powder is melted at a stage in which the organic material such as the binder resin is not completely decomposed and removed in the firing step of the film forming material layer by the glass paste composition. Part of the organic substance remains in the material, and as a result, the dielectric layer tends to be colored, leading to a decrease in transparency (high transmittance). On the other hand, when the softening point of glass powder exceeds 600 degreeC, since it needs to bake at temperature higher than this softening point, a distortion etc. are easy to generate | occur | produce in a glass substrate.
적합한 유리 분말 성분계의 구체적인 예로서는 ① 산화납, 산화붕소, 산화규소 (PbO-B2O3-SiO2계)의 혼합물질계, ② 산화아연, 산화붕소, 산화규소 (ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물질계, ③ 산화납, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄 (PbO-B2O3-SiO2-A12O3계)의 혼합물질계, ④ 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소 (PbO-ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물질계 등을 예시할 수 있다.Specific examples of suitable glass powder component systems include (1) lead oxide, boron oxide, a mixture of silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 based), (2) zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO). 2 ) mixture mixture, ③ lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -A1 2 O 3 system), ④ lead oxide, zinc oxide, boron oxide, And a mixture of silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 system).
<결착 수지><Binder Resin>
유리 페이스트 조성물을 구성하는 결착 수지는 아크릴 수지인 것이 바람직하다.It is preferable that the binder resin which comprises a glass paste composition is an acrylic resin.
결착 수지로서 아크릴 수지가 함유되어 있기 때문에, 형성된 막형성 재료층에는 기판에 대한 우수한 가열 접착성이 발휘된다. 따라서, 유리 페이스트 조성물을 지지 필름 상에 도포하고 전사 필름을 제조하는 경우에, 얻어진 전사 필름은 막형성 재료층의 전사성, 즉, 기판으로의 가열 접착성이 우수하다.Since an acrylic resin is contained as a binder resin, the formed film formation material layer exhibits the outstanding heat adhesiveness with respect to a board | substrate. Therefore, in the case of applying the glass paste composition on the support film and producing the transfer film, the obtained transfer film is excellent in the transferability of the film forming material layer, that is, the heat adhesion to the substrate.
유리 페이스트 조성물을 구성하는 아크릴 수지로서는 적절한 점착성을 갖고 유리 분말을 결착시킬 수 있으며, 통상 400℃ 내지 600℃에서 수행되는 막형성 재료의 소성 처리에 의해 완전히 소실 제거되는 (공)중합체 중에서 선택된다.As the acrylic resin constituting the glass paste composition, it is possible to bind the glass powder with appropriate adhesiveness, and is usually selected from (co) polymers that are completely lost by firing of the film forming material carried out at 400 ° C to 600 ° C.
이러한 아크릴 수지에는 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 단독 중합체, 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 2종 이상의 공중합체, 및 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물과 공중합성 단량체와의 공중합체가 포함된다.Such acrylic resins include homopolymers of (meth) acrylate compounds represented by the following formula (1), two or more copolymers of (meth) acrylate compounds represented by the following formula (1), and (meth) acryl represented by the following formula (1): Copolymers of late compounds with copolymerizable monomers are included.
식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 1가의 유기기를 나타낸다.In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents a monovalent organic group.
상기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 구체적인 예로서는As a specific example of the (meth) acrylate compound represented by the formula (1)
메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트;Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) Acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth ) Acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, Alkyl (meth) acrylates, such as lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, and isostearyl (meth) acrylate;
히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트;Hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate;
페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 페녹시알킬(메트)아크릴레이트;Phenoxyalkyl (meth) acrylates such as phenoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate;
2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메트)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-메톡시부틸(메트)아크릴레이트 등의 알콕시알킬(메트)아크릴레이트;2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-propoxyethyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) acrylate, 2-methoxybutyl ( Alkoxyalkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate;
폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메트)아크릴레이트;Polyethylene glycol mono (meth) acrylate, ethoxy diethylene glycol (meth) acrylate, methoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, Polyalkylene glycols such as polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, ethoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, and nonylphenoxy polypropylene glycol (meth) acrylate ( Meth) acrylates;
시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트 등의 시클로알킬(메트)아크릴레이트;Cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentadienyl (meth) acrylate, bor Cycloalkyl (meth) acrylates such as niel (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate and tricyclodecanyl (meth) acrylate;
벤질(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Benzyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, etc. are mentioned.
이들 중, 상기 화학식 1에서 R2로 나타내는 기가 알킬기 또는 옥시알킬렌기를 함유하는 기인 것이 바람직하고, 특히 바람직한 (메트)아크릴레이트 화합물로서는 부틸(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트 및 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.Of these, the group represented by R 2 in the general formula (1) is preferably a group containing an alkyl group or an oxyalkylene group, and particularly preferred (meth) acrylate compounds include butyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, and Uryl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate and 2-ethoxyethyl (meth) acrylate.
다른 공중합성 단량체로서는 상기 (메트)아크릴레이트 화합물과 공중합가능한 화합물이면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 (메트)아크릴산, 비닐벤조산, 말레인산, 비닐프탈산 등의 불포화 카르복실산류; 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다.The other copolymerizable monomer is not particularly limited as long as it is a compound copolymerizable with the (meth) acrylate compound. Examples thereof include unsaturated carboxylic acids such as (meth) acrylic acid, vinylbenzoic acid, maleic acid and vinylphthalic acid; And vinyl group-containing radically polymerizable compounds such as vinyl benzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether, styrene, α-methyl styrene, butadiene and isoprene.
이 아크릴 수지에 있어서 상기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 함유량은 적어도 70 질량% 이상, 바람직하게는 90 질량% 이상이다. 특히, 상기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물만에 의한 (공)중합체가 바람직하다.In this acrylic resin, content of the (meth) acrylate compound represented by the said General formula (1) is at least 70 mass% or more, Preferably it is 90 mass% or more. In particular, the (co) polymer by only the (meth) acrylate compound represented by the said General formula (1) is preferable.
여기에서 바람직한 아크릴 수지의 구체적인 예로서는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트-부틸메타크릴레이트 공중합체 등을 예시할 수 있다.Specific examples of preferred acrylic resins here include polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, methyl methacrylate-butyl methacrylate copolymer, and the like.
이 아크릴 수지의 분자량은 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (이하, 단순히 "중량 평균 분자량"이라고 함)으로서 4,000 내지 300,000인 것이 바람직하고, 10,000 내지 200,000인 것이 더욱 바람직하다.As for the molecular weight of this acrylic resin, it is preferable that it is 4,000-300,000 as polystyrene conversion weight average molecular weight by GPC (henceforth simply a "weight average molecular weight"), and it is more preferable that it is 10,000-200,000.
유리 페이스트 조성물에 있어서 결착 수지의 함유 비율은 유리 분말 100 중량부에 대하여 5 내지 40 중량부인 것이 바람직하고, 10 내지 30 중량부인 것이 더욱 바람직하다. 결착 수지의 비율이 너무 적은 경우에는 유리 분말을 확실하게 결착 유지시킬 수 없으며, 한편, 비율이 너무 많은 경우에는 소성 공정에 장시간을 요하거나, 형성된 유리 소결체에 의한 유전체층이 충분한 강도를 갖지 않으며, 또한 막 두께 분포의 균일성이 떨어질 우려가 있다.It is preferable that it is 5-40 weight part with respect to 100 weight part of glass powder, and, as for the content rate of binder resin in a glass paste composition, it is more preferable that it is 10-30 weight part. If the ratio of the binder resin is too small, the glass powder cannot be reliably bound and maintained. On the other hand, if the ratio is too large, the baking process requires a long time, or the dielectric layer by the formed glass sintered body does not have sufficient strength. There exists a possibility that the uniformity of a film thickness distribution may fall.
<용제><Solvent>
유리 페이스트 조성물에는 용제가 함유된다. 이러한 용제로서는 유리 분말과의 친화성, 결착 수지의 용해성이 양호하고, 얻어진 유리 페이스트 조성물에 적절한 점성을 부여할 수 있으며, 건조에 의해 쉽게 증발제거할 수 있는 것이 바람직하다.The glass paste composition contains a solvent. As such a solvent, it is preferable that the affinity with glass powder and the solubility of a binder resin are favorable, the suitable viscosity can be provided to the obtained glass paste composition, and it can evaporate easily by drying.
이러한 용제의 구체적인 예로서는 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; n-펜타놀, 4-메틸-2-펜타놀, 시클로헥산올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산 에스테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 예시할 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of such a solvent include ketones such as diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone, and cyclohexanone; alcohols such as n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol and diacetone alcohol; Ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether; Saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl esters such as acetic acid-n-butyl and amyl acetate; Lactic acid esters such as ethyl lactate and lactic acid-n-butyl; Ether-based esters such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl-3-ethoxypropionate, and the like can be exemplified, and these can be used alone or in combination of two or more thereof. Can be used.
유리 페이스트 조성물에 있어서 용제의 함유 비율은 조성물의 점도를 적합한 범위로 유지하는 관점에서, 유리 분말 100 중량부에 대하여 40 중량부 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5 내지 30 중량부이다.It is preferable that it is 40 weight part or less with respect to 100 weight part of glass powder from a viewpoint of maintaining the viscosity of a composition in a suitable range in a glass paste composition, More preferably, it is 5-30 weight part.
유리 페이스트 조성물에는 상기 필수 성분 이외에 가소제, 분산제, 점착성 부여제, 표면 장력 조정제, 안정제, 소포제 등의 각종 첨가제가 임의 성분으로 함유될 수 있다.The glass paste composition may contain, in addition to the above essential components, various additives such as plasticizers, dispersants, tackifiers, surface tension modifiers, stabilizers, and antifoaming agents as optional components.
유리 페이스트 조성물의 한 예로서, 바람직한 유전체층 형성용 조성물의 예를 나타내면, 산화납 50 내지 80 질량%, 산화붕소 5 내지 20 질량%, 산화규소 10 내지 30 질량를 함유하여 이루어진 유리 분말 1O0 중량부와, 폴리부틸메타크릴레이트 10 내지 30 중량부, 폴리에틸렌글리콜 (가소제) 0 내지 5 중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (용제) 10 내지 50 중량부를 함유하는 조성물을 들 수 있다.As an example of a glass paste composition, when the example of the composition for dielectric layer formation is shown, 100 weight part of glass powders containing 50-80 mass% of lead oxide, 5-20 mass% of boron oxide, and 10-30 mass of silicon oxide, And 10 to 30 parts by weight of polybutyl methacrylate, 0 to 5 parts by weight of polyethylene glycol (plasticizer), and 10 to 50 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether (solvent).
유리 페이스트 조성물은 유리 분말, 결착 수지 및 용제와 임의 성분을 롤 혼련기, 믹서, 호모-믹서 등의 혼련기를 사용하여 혼련시킴으로써 조제할 수 있다.A glass paste composition can be prepared by kneading a glass powder, a binder resin, and a solvent and optional components using a kneader such as a roll kneader, a mixer, a homo-mixer, and the like.
이렇게 하여 조제된 유리 페이스트 조성물은 도포에 적합한 유동성을 갖는 페이스트상일 필요가 있으며, 그 점도는 통상 1,000 내지 30,000 cp이며, 바람직하게는 3,000 내지 10,000 cp이다.The glass paste composition thus prepared needs to be in the form of a paste having fluidity suitable for application, and its viscosity is usually 1,000 to 30,000 cp, preferably 3,000 to 10,000 cp.
유리 페이스트 조성물을 지지 필름 상에 도포하는 방법으로서는 도포 장치의 상태가 기계적인 요소에 기초한 진동 등의 영향을 도포 헤드에 미치지 않는 것이 바람직하고, 예를 들면 롤 코터에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법,와이어 코터에 의한 도포 방법, 파운튼 코터에 의한 도포 방법 등을 적합하게 이용할 수 있다. 이들 중에서, 특히 파운튼 코터에 의한 도포 방법은 소정량의 도포액을 재순환하지 않으면서 지지 필름 상에 직접 도포 설치할 수 있기 때문에, 표면의 평활성과 막 두께의 균일성이 우수한 도막이 형성된다는 점에서 바람직하다. 파운튼 코터에 의한 도포에 있어서 예를 들어 도공(塗工) 속도 4 내지 30 m/분으로, 목적하는 막 두께를 얻는데 필요한 페이스트 토출량으로 도포한다.As a method of apply | coating a glass paste composition on a support film, it is preferable that the state of an application apparatus does not have an influence, such as a vibration based on a mechanical element, on a coating head, For example, by the coating method by a roll coater, the curtain coater A coating method, the coating method by a wire coater, the coating method by a fountain coater, etc. can be used suitably. Among them, in particular, the coating method using a fountain coater is preferable in that a coating film having excellent surface smoothness and uniformity in film thickness can be formed because the coating method can be applied directly onto the supporting film without recycling a predetermined amount of the coating liquid. Do. In application | coating with a fountain coater, it apply | coats with the paste discharge amount required for obtaining a target film thickness, for example at a coating speed of 4-30 m / min.
지지 필름 상에 형성된 유리 페이스트 조성물에 의한 도막은 건조시킴으로써 용제의 일부 또는 전부를 제거하여, 전사 필름을 구성하는 막형성 재료층을 형성한다. 여기서, 도막의 건조 조건은 예를 들어 40 내지 150℃에서 0.1 내지 30분 정도이다. 건조 후의 용제의 잔존 비율, 즉, 막형성 재료층의 용제 함유 비율은 통상 10 질량% 이하이고, 기판에 대한 점착성과 적절한 형상 유지성을 막형성 재료층에 발휘시키는 점에서 특히 1 내지 5 질량%인 것이 바람직하다.The coating film by the glass paste composition formed on the support film removes one part or all part of a solvent by drying, and forms the film formation material layer which comprises a transfer film. Here, the drying conditions of a coating film are about 0.1 to 30 minutes at 40-150 degreeC, for example. The residual ratio of the solvent after drying, that is, the solvent content ratio of the film-forming material layer is usually 10% by mass or less, and is particularly 1 to 5% by mass in terms of exhibiting adhesion to the substrate and proper shape retention to the film-forming material layer. It is preferable.
상기 전사 필름은 예를 들어 지지 필름 상의 막형성 재료층을 유전체층을 형성시킬 PDP용 유리 기판 표면에 전사하여 사용한다. 따라서, 간단한 조작에 의해 막형성 재료층을 유리 기판 상에 확실하게 형성할 수 있기 때문에 PDP를 구성하는 유전체층의 형성 공정에서 효율을 향상시킬 수 있고, 동시에 안정한 유전 특성을 갖는 유전체층을 형성할 수 있다.The transfer film is used by transferring, for example, a film forming material layer on a support film to the surface of a glass substrate for PDP to form a dielectric layer. Therefore, since the film forming material layer can be reliably formed on the glass substrate by a simple operation, the efficiency can be improved in the process of forming the dielectric layer constituting the PDP, and a dielectric layer having stable dielectric characteristics can be formed at the same time. .
이상과 같이, 상기 전사 필름에 있어서 막형성 재료층을 기판 상에 전사하여 소성함으로써, 막 두께 분포가 평균 막 두께에 대하여 ±2 ㎛ 범위 내에 있는 유전체층 또는 유리 소결체의 표면에서 깊이 1O ㎛ 이상의 국소적인 오목부의 수가 1㎡당 3개 이하인 유전체층이 확실하게 형성시키는 결과, 이러한 전사 필름을 사용하여 형성된 유전체층을 구비한 PDP는 유전률, 휘도, 절연 내압 등이 우수하여, 표시 동작에 있어서 예를 들어 휘도 얼룩 등의 표시 결함이 없고, 절연 파괴가 일어나기 어려운 고품질로 된다.As described above, in the transfer film, the film-forming material layer is transferred onto a substrate and fired so that the film thickness distribution is localized at a depth of 10 μm or more at the surface of the dielectric layer or the glass sintered body within a range of ± 2 μm with respect to the average film thickness. As a result of reliably forming a dielectric layer having three recesses or less per square meter, a PDP having a dielectric layer formed using such a transfer film is excellent in dielectric constant, luminance, dielectric breakdown voltage, and the like. There is no display defect such as this, and high quality is unlikely to cause dielectric breakdown.
또한 상기 전사 필름에 있어서 파운튼 코터에 의한 도포 방법에 의해 지지 필름 상에 막형성 재료로 되는 유리 페이스트 조성물을 도포한 경우에 복잡한 제어 없이 막 두께 분포의 균일성이 높은 막형성 재료층을 확실하게 형성할 수 있어서, 따라서 상기와 같은 작용 효과를 갖는 전사 필름을 용이하게 제조할 수 있다.In the transfer film, when the glass paste composition of the film forming material is applied onto the supporting film by the coating method by a fountain coater, the film forming material layer having high uniformity in the film thickness distribution is reliably without complicated control. It can be formed, and therefore, a transfer film having the above-described effects can be easily produced.
<PDP의 제조 방법 (유전체층의 형성)><Production Method of PDP (Formation of Dielectric Layer)>
본 발명에 따르면, 상기와 같은 구성의 전사 필름을 사용하여 그 막형성 재료층을 유전체층을 형성시킬 유리 기판의 표면에 전사하고, 이 전사된 막형성 재료층을 소성함으로써 기판 표면에 유전체층을 형성한다.According to the present invention, using the transfer film having the above structure, the film forming material layer is transferred to the surface of the glass substrate on which the dielectric layer is to be formed, and the dielectric film is formed on the substrate surface by firing the transferred film forming material layer. .
도 2에 나타낸 구성의 전사 필름을 사용하는 경우의 막형성 재료층의 전사 공정의 한 예를 나타내면 다음과 같다.An example of the transfer process of the film formation material layer in the case of using the transfer film of the structure shown in FIG. 2 is as follows.
① 롤 형상으로 권취시킨 상태의 전사 필름을 기판 면적에 대응하는 크기로 재단한다.① The transfer film of the state wound up to roll shape is cut out to the magnitude | size corresponding to a board area.
② 재단한 전사 필름에 있어서 막형성 재료층 (F2)의 표면에서 커버 필름 (F3)를 박리한 후, 기판 표면에 막형성 재료층 (F2)의 표면이 접촉하도록 전사 필름을 중합시킨다.(2) In the cut transfer film, after peeling off the cover film (F3) from the surface of the film forming material layer (F2), the transfer film is polymerized so that the surface of the film forming material layer (F2) is in contact with the substrate surface.
③ 기판에 중첩된 전사 필름 상에 가열 롤러를 이동시켜 열 압착시킨다.(3) Move the heating roller onto the transfer film superimposed on the substrate to perform thermal compression.
④ 열 압착에 의해 기판에 고정된 막형성 재료층 (F2)으로부터 지지 필름 (F1)을 박리 제거한다.(4) The support film F1 is peeled off from the film forming material layer F2 fixed to the substrate by thermocompression bonding.
상기와 같은 조작에 의해, 지지 필름 (F1) 상의 막형성 재료층 (F2)이 기판 상에 전사된다. 여기서, 전사 조건으로서는 예를 들어, 가열 롤러의 표면 온도가 60 내지 120℃이고, 가열 롤러에 의한 롤 압이 1 내지 5 ㎏/㎠이며, 가열 롤러의 이동 속도가 0.2 내지 10.0 m/분이다. 이러한 전사 조작은 통상의 라미네이터 장치에 의해 실시할 수 있다. 또 기판은 예열하여도 좋으며, 예열 온도로는 예를 들면, 40 내지 100℃로 할 수 있다.By the above operation, the film forming material layer F2 on the support film F1 is transferred onto the substrate. Here, as transfer conditions, the surface temperature of a heating roller is 60-120 degreeC, the roll pressure by a heating roller is 1-5 kg / cm <2>, for example, and the moving speed of a heating roller is 0.2-10.0 m / min. Such a transfer operation can be performed by an ordinary laminator device. The substrate may be preheated, and the preheating temperature may be, for example, 40 to 100 ° C.
기판 표면에 전사된 막형성 재료층 (F2)을 소성시키면 무기 소결체로 변환되어 유전체층을 형성한다. 여기서, 소성 방법으로서는 막형성 재료층 (F2)이 전사 형성된 기판을 고온 분위기 하에 배치하는 방법을 들 수 있다. 이에 따라 막형성 재료층 (F2)에 함유되어 있는 유기 물질, 예를 들면 결착 수지, 잔류 용제, 각종 첨가제가 분해 제거되고, 유리 분말이 용융 소결한다. 여기서, 소성 온도로서는 기판의 용융 온도, 막형성 재료층 중 구성 물질 등에 따라서 다르지만, 예를 들면 300 내지 800℃이고, 더욱 바람직하게는 400 내지 600℃이다.When the film-forming material layer F2 transferred to the substrate surface is fired, it is converted into an inorganic sintered body to form a dielectric layer. Here, as a baking method, the method of arrange | positioning the board | substrate with which film formation material layer F2 was formed in high temperature atmosphere is mentioned. Thereby, the organic substance contained in the film forming material layer F2, for example, a binder resin, a residual solvent, and various additives is decomposed and removed, and glass powder melt-sinters. Here, the firing temperature varies depending on the melting temperature of the substrate, the constituent material in the film forming material layer, and the like, but is, for example, 300 to 800 ° C, more preferably 400 to 600 ° C.
이상에 있어서, 전사 필름의 막형성 재료층의 막 두께 분포의 균일성이 매우 높은 것만을 소정의 크기에 재단하여, PDP용 유리 기판 표면에 전사하여 소성함으로써 유전체층을 형성하여도 좋다.In the above, only the very high uniformity of the film thickness distribution of the film forming material layer of the transfer film may be cut to a predetermined size, transferred to the surface of the glass substrate for PDP and baked to form a dielectric layer.
실시예Example
이하, 본 발명의 실시예에 대해 설명하지만, 본 발명은 이에 의해 한정되는것은 아니다. 또 이하에서 "부"는 "중량부"를 나타낸다.Hereinafter, although the Example of this invention is described, this invention is not limited by this. In addition, "part" represents a "weight part" below.
<실시예 1><Example 1>
(1) 유리 페이스트 조성물의 조제:(1) Preparation of Glass Paste Composition:
산화납 7O 질량%, 산화붕소 10 질량%, 산화규소 2O 질량%의 조성의 PbO-B2O3-SiO2계 유리 분말 (연화점 500℃) 100부, 폴리부틸메타크릴레이트로 이루어진 결착 수지 (중량 평균 분자량: 50,000) 20부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르로 이루어진 용제 20부를 분산기를 사용하여 혼련함으로써, 점도 4,000 cp의 유리 페이스트 조성물을 조제하였다.Binder resin consisting of 100 parts of PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -based glass powder (softening point 500 ° C) having a composition of 7% by mass of lead oxide, 10% by mass of boron oxide, and 500% by mass of silicon oxide ( Weight average molecular weight: 50,000) 20 parts and 20 parts of solvents which consist of a propylene glycol monomethyl ether were knead | mixed using a dispersing machine, and the glass paste composition of the viscosity 4,000cp was prepared.
(2) 전사 필름의 제조:(2) Preparation of the transfer film:
상기 (1)에서 조제한 조성물을 미리 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET)로 이루어진 지지 필름 (폭 800 ㎜, 길이 1000 m, 두께 38 ㎛) 상에 파운튼 코터를 사용하여 연속적으로 도포하고, 형성된 도막을 40 내지 110℃의 온도 범위에서 단계적으로 승온하면서 5분간 건조함으로써 용제를 제거하고, 이에 따라 평균 막 두께 50 ㎛의 막형성 재료층을 지지 필름 상에 형성하였다. 이 막형성 재료층의 막 두께 분포는 평균 막 두께에 대하여 ±1 ㎛ 범위에 있었다. 여기서, 유리 페이스트 조성물의 도포 조건으로는 도공 속도 1O m/분으로, 목적하는 막 두께를 얻는데 필요한 페이스트 토출량으로 도포하였다.The coating film formed by using a fountain coater continuously on a support film (800 mm in width, 1000 m in length, 38 μm in thickness) made of polyethylene terephthalate (PET) in which the composition prepared in the above (1) was released in advance. The solvent was removed by drying for 5 minutes while gradually raising the temperature in the temperature range of 40 to 110 ℃, thereby forming a film forming material layer having an average film thickness of 50 ㎛ on the support film. The film thickness distribution of this film forming material layer was in the range of ± 1 μm relative to the average film thickness. Here, as application conditions of the glass paste composition, it apply | coated with the paste discharge amount required in order to obtain a target film thickness at a coating speed of 10 m / min.
이어서, 해당 막형성 재료층 상에 미리 이형 처리한 PET로 이루어진 커버 필름 (폭 800 ㎜, 길이 1000 m, 두께 25 ㎛)를 접착시켜, 도 2에 나타낸 구성을 갖는본 발명의 전사 필름을 제조하였다.Subsequently, a cover film (width 800 mm, length 1000 m, thickness 25 μm) made of PET previously released on the film-forming material layer was adhered to prepare a transfer film of the present invention having the structure shown in FIG. 2. .
(3) 막형성 재료층의 전사:(3) transfer of the film-forming material layer:
상기 (2)에 의해 얻어진 전사 필름으로부터 커버 필름를 박리한 후, 20 인치 패널용 유리 기판의 표면에 막형성 재료층의 표면이 접촉되도록 해당 전사 필름 (지지 필름과 막형성 재료층과의 적층체)를 중합시켜, 이 전사 필름을 가열 롤로 열 압착하였다. 여기서, 압착 조건으로는 가열 롤의 표면 온도를 110℃, 롤 압을 3 ㎏/㎠, 가열 롤의 이동 속도를 1 m/분으로 하였다.After peeling a cover film from the transfer film obtained by said (2), the said transfer film (laminated body of a support film and a film forming material layer) so that the surface of a film forming material layer may contact the surface of the glass substrate for 20-inch panels. Was superposed | polymerized, and this transfer film was thermally crimped with the heating roll. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roll was 110 degreeC, the roll pressure was 3 kg / cm <2>, and the moving speed of the heating roll was 1 m / min.
열 압착 처리를 종료한 후, 유리 기판의 표면에 고정(가열 접착)된 막형성 재료층에서 지지 필름을 박리 제거하여, 해당 막형성 재료층의 전사를 완료하였다.After completion of the thermocompression treatment, the support film was peeled off from the film forming material layer fixed (heat-bonded) to the surface of the glass substrate, thereby completing the transfer of the film forming material layer.
(4) 막형성 재료층의 소성 (유전체층의 형성):(4) Firing of Film Forming Material Layer (Formation of Dielectric Layer):
상기 (3)에 의해 막형성 재료층을 전사 형성시킨 유리 기판을 소성로 내에 배치하고, 로 내의 온도를 상온으로부터 10℃/분의 승온 속도로 590℃까지 승온시켜, 590℃의 온도 분위기 하에서 30분에 걸쳐 소성 처리함으로써, 유리 기판의 표면에 유리 소결체로 이루어진 유전체층을 형성하였다.The glass substrate which transfer-formed the film formation material layer by said (3) is arrange | positioned in a baking furnace, the temperature in a furnace is heated up to 590 degreeC with the temperature increase rate of 10 degree-C / min from normal temperature, and it is 30 minutes in 590 degreeC temperature atmosphere. By baking over, the dielectric layer which consists of glass sintered compacts was formed on the surface of a glass substrate.
이렇게 하여 얻은 패널 재료에서 유전체층의 막 두께 분포는 그 평균치 (20 ㎛)에 대해 최대에서도 0.5 ㎛의 오차였다. 또한, 이 패널 재료를 PDP용 유전체층으로서 사용하여 패널화하여도, 표시 동작에 있어서 막 두께의 불균일에 의한 휘도 얼룩이 발생하는 등의 품질상의 문제는 확인되지 않았다. 또한 형성된 유전체층의 광 투과율 (측정 파장 550 ㎚)을 측정하면 85%이며, 이 패널 재료는 무색 투명성이 우수하였다.The film thickness distribution of the dielectric layer in the panel material thus obtained was an error of 0.5 mu m even at the maximum with respect to the average value (20 mu m). In addition, even when this panel material was panelized using as a dielectric layer for PDP, the quality problem, such as a luminance unevenness by the film thickness nonuniformity, was not recognized in display operation. Moreover, the light transmittance (measurement wavelength 550 nm) of the formed dielectric layer was 85%, and this panel material was excellent in colorless transparency.
<실시예 2><Example 2>
(1) 유리 페이스트 조성물의 조제:(1) Preparation of Glass Paste Composition:
산화납 70 중량%, 산화붕소 10 중량%, 산화규소 20 중량%의 조성의 PbO-B2O3-SiO2계 유리 분말 (연화점 500℃) 100부, 폴리부틸메타크릴레이트로 이루어진 결착 수지 (중량 평균 분자량: 50,000) 20부, 폴리에틸렌글리콜로 이루어진 가소제 (중량 평균 분자량: 400) 4부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르로 이루어진 용제 20부를 분산기를 사용하여 혼련함으로써, 점도 4,000 cp의 유리 페이스트 조성물을 조제하였다.Binder resin consisting of 100 parts of PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -based glass powder (softening point 500 ° C.) having a composition of 70% by weight of lead oxide, 10% by weight of boron oxide, and 20% by weight of silicon oxide (polybutyl methacrylate) Weight average molecular weight: 50,000) 20 parts, plasticizer consisting of polyethylene glycol (weight average molecular weight: 400) 4 parts, 20 parts of a solvent consisting of propylene glycol monomethyl ether was kneaded using a dispersing machine to prepare a glass paste composition having a viscosity of 4,000 cp. It was.
(2) 전사 필름의 제조:(2) Preparation of the transfer film:
상기 (1)에서 조제한 조성물을 클래스 1000 이하의 환경 하에서 미리 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)로 이루어진 지지 필름 (폭 1550 ㎜, 길이 1000 m, 두께 38 ㎛) 상에 파운튼 코터를 사용하여 도공폭 1500 ㎜로 연속적으로 도포하고, 형성된 도막을 40 내지 110℃의 범위에서 단계적으로 승온하면서 3 내지 10분간 건조함으로써 용제를 제거하고, 이에 따라 두께 60 ㎛의 막형성 재료층을 지지 필름 상에 형성하였다. 이어서, 해당 막형성 재료층 상에 미리 이형 처리한 PET로 이루어진 커버 필름 (폭 1550 ㎜, 길이 1000 m, 두께 25 ㎛)를 접착시켜, 본 발명의 전사 필름을 제조하였다.Coating by using a fountain coater on a support film (1550 mm wide, 1000 m long, 38 μm thick) made of polyethylene terephthalate (PET) in which the composition prepared in the above (1) is pre-release treated in an environment of class 1000 or less. The coating was continuously applied to a width of 1500 mm and the solvent was removed by drying the formed coating film for 3 to 10 minutes while gradually raising the temperature in the range of 40 to 110 ° C., thereby forming a layer of a film forming material having a thickness of 60 μm on the supporting film. It was. Subsequently, the cover film (width 1550 mm, length 1000 m, thickness 25 micrometers) which consists of PET prerelease-processed on the film formation material layer was adhere | attached, and the transfer film of this invention was produced.
(3) 막형성 재료층의 전사:(3) transfer of the film-forming material layer:
상기 (2)에 의해 얻어진 전사 필름으로부터 커버 필름를 박리한 후, 20 인치패널용 유리 기판의 표면에 막형성 재료층의 표면이 접촉되도록 해당 전사 필름 (지지 필름과 막형성 재료층과의 적층체)를 중합시켜, 이 전사 필름을 가열 롤로 열 압착하였다. 여기서, 압착 조건으로는 가열 롤의 표면 온도를 90℃, 롤 압을 3 ㎏/㎝, 가열 롤의 이동 속도를 1 m/분으로 하였다.After peeling a cover film from the transfer film obtained by said (2), the said transfer film (lamination body of a support film and a film formation material layer) so that the surface of a film formation material layer may contact the surface of the glass substrate for 20-inch panels. Was superposed | polymerized, and this transfer film was thermally crimped with the heating roll. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roll was 90 degreeC, the roll pressure was 3 kg / cm, and the moving speed of the heating roll was 1 m / min.
열 압착 처리를 종료한 후, 유리 기판의 표면에 고정(가열 접착)된 막형성 재료층에서 지지 필름을 박리 제거하여, 해당 막형성 재료층의 전사를 완료하였다.After completion of the thermocompression treatment, the support film was peeled off from the film forming material layer fixed (heat-bonded) to the surface of the glass substrate, thereby completing the transfer of the film forming material layer.
(4) 막형성 재료층의 소성 (유전체층의 형성):(4) Firing of Film Forming Material Layer (Formation of Dielectric Layer):
상기 (3)에 의해 막형성 재료층을 전사 형성시킨 유리 기판을 소성로 내에 배치하고, 로 내의 온도를 상온으로부터 10℃/분의 승온 속도로 590℃까지 승온시켜, 590℃의 온도 분위기 하에서 30분에 걸쳐 소성 처리함으로써, 유리 기판의 표면에 유리 소결체로 이루어진 막 두께 30 ㎛의 유전체층을 형성하였다.The glass substrate which transfer-formed the film formation material layer by said (3) is arrange | positioned in a baking furnace, the temperature in a furnace is heated up to 590 degreeC with the temperature increase rate of 10 degree-C / min from normal temperature, and it is 30 minutes in 590 degreeC temperature atmosphere. By baking over, the dielectric layer with a film thickness of 30 micrometers which consists of a glass sintered compact was formed on the surface of a glass substrate.
(5) 유전체층의 표면 성상의 검사:(5) Examination of the surface properties of the dielectric layer:
상기 (4)에서 얻어진 유전체층 표면의 오목부를 육안으로 검사하여 해당 부분의 일정 면적당의 수를 세었다. 오목부의 크기에 대해서는 해당 부분을 레이저식 비접촉 3차원 측정기 (미따까고기(三鷹光器) 제품, NH3)를 사용하여 표면 상태를 3차원적으로 처리하여, 그 직경이나 깊이를 구하였다.The recessed part of the surface of the dielectric layer obtained in said (4) was visually inspected, and the number per fixed area of the said part was counted. As for the size of the recess, the portion was subjected to a three-dimensional surface condition using a laser-type non-contact three-dimensional measuring instrument (manufactured by Mitaka Co., Ltd., NH3), and the diameter and depth thereof were determined.
이렇게 하여 얻은 유전체층 표면의 오목부는 깊이 10 ㎛ 이상의 것이 1 ㎡당으로 환산하면 0.1개였다. 또한, 직경 5 ㎜ 이하, 깊이 10 ㎛ 이하의 것 중 90%가 직경 2 ㎜ 이하, 깊이 3 ㎛ 이하였다.The concave portions on the surface of the dielectric layer thus obtained were 0.1 in terms of 1 m 2 or more in depth. In addition, 90% of diameter 5 mm or less and depth 10 micrometers or less were 2 mm or less in diameter, and 3 micrometers in depth.
(6) 절연 내전압의 측정:(6) Measurement of insulation withstand voltage:
절연 내전압 측정용으로서 15 ㎝ 각기판에 Ag 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 라인 형상으로 인쇄하고 (L/S=100 ㎛/400 ㎛), 600℃에서 10분간 소성함으로서 Ag 라인 (Ag 전극을 상정)이 패터닝된 기판을 제작하였다 (높이 약 5 ㎛). 이어서, 상기 (3)과 마찬가지 방법으로 해당 전사 필름을 열 압착하고, 상기 (4)와 마찬가지 방법으로 막형성 재료층을 소성시켜, Ag 라인 상에 유전체층을 형성하였다. Ag 라인과 직결하는 단부와, 유전체층을 통하여 라인 상의 사이에 교류 전압을 인가하여, 절연 파괴가 일어나기 직전의 전압을 그 측정 포인트에서의 절연 내전압으로 하였다. 15 ㎝각으로 제작한 측정용 기판에 대해, 25점의 동일한 측정을 수행하여 그 평균치를 그 유전체층으로서의 절연 내전압으로 하였다. 다만, 1 ㎸ 이하에서 절연 파괴가 일어나는 포인트가 25점 중 6점 이상 있는 경우에는, 그 최소치를 유전체층으로서의 절연 내전압으로 하였다.Ag paste (L / S = 100 μm / 400 μm) is printed in line shape by screen printing on each 15cm substrate for measuring the dielectric breakdown voltage, and the Ag line (assuming the Ag electrode) is baked by baking at 600 ° C for 10 minutes. Patterned substrates were made (about 5 μm in height). Subsequently, the transfer film was thermally compressed in the same manner as in the above (3), and the film forming material layer was fired in the same manner as in the above (4) to form a dielectric layer on the Ag line. An alternating voltage was applied between the end portion directly connected to the Ag line and the line through the dielectric layer, and the voltage immediately before the breakdown occurred was taken as the dielectric breakdown voltage at the measurement point. The same measurement of 25 points was performed with respect to the measurement board | substrate produced by the 15 cm angle, and the average value was made into the dielectric breakdown voltage as the dielectric layer. However, when there were 6 or more points out of 25 points at which dielectric breakdown occurred at 1 mA or less, the minimum value was made an insulation breakdown voltage as a dielectric layer.
이렇게 하여 얻은 유전체층으로서의 절연 내압이 2.1 ㎸이고, 1 ㎸ 이하에서의 절연 파괴가 전혀 없으며, PDP용으로서 양호한 절연 내압을 갖는 유전체층이 얻어졌다.The dielectric breakdown voltage as obtained in this manner was 2.1 kPa, no dielectric breakdown at 1 kPa or less, and a dielectric layer having good dielectric breakdown voltage for PDP was obtained.
<비교예>Comparative Example
(1) 유리 페이스트 조성물의 조제:(1) Preparation of Glass Paste Composition:
상기한 실시예의 (1)과 마찬가지 방법으로 유리 페이스트 조성물을 조제하였다.The glass paste composition was prepared by the method similar to (1) of the said Example.
(2) 전사 필름의 제조:(2) Preparation of the transfer film:
상기 (1)에서 조제한 조성물을 클래스 100,000 이하의 환경 하에서 미리 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)로 이루어진 지지 필름 (폭 1550 ㎜, 길이 1000 m, 두께 38 ㎛) 상에 파운튼 코터를 사용하여 도공폭 1500 ㎜로 연속적으로 도포하고, 형성된 도막을 40 내지 110℃의 범위에서 단계적으로 승온하면서 3 내지 10분간 건조함으로써 용제를 제거하고, 이에 따라 두께 60 ㎛의 막형성 재료층을 지지 필름 상에 형성하였다. 이어서, 해당 막형성 재료층 상에 미리 이형 처리한 PET로 이루어진 커버 필름 (폭 1550 ㎜, 길이 1000 m, 두께 25 ㎛)를 접착시켜, 전사 필름을 제조하였다.Coating by using a fountain coater on a support film (1550 mm wide, 1000 m long, 38 μm thick) made of polyethylene terephthalate (PET) in which the composition prepared in the above (1) was previously released in a class 100,000 or less environment. The coating was continuously applied to a width of 1500 mm and the solvent was removed by drying the formed coating film for 3 to 10 minutes while gradually raising the temperature in the range of 40 to 110 ° C., thereby forming a layer of a film forming material having a thickness of 60 μm on the supporting film. It was. Subsequently, the cover film (width 1550 mm, length 1000 m, thickness 25 micrometers) which consists of PET prerelease-processed on the film formation material layer was adhere | attached, and the transfer film was produced.
(3) 막형성 재료층의 전사 및 소성 (유전체층의 형성):(3) Transfer and Firing of Film Forming Material Layer (Formation of Dielectric Layer):
이어서, 해당 전사 필름에 의해 상기한 실시예의 (3)과 마찬가지 방법으로 막형성 재료층을 유리 기판 표면에 열 압착하였다. 또한, 상기 실시예의 (4)와 마찬가지 방법으로 소성함으로써, 유리 기판의 표면에 유리 소결체로 이루어진 막 두께 3O ㎛의 유전체층을 형성하였다.Next, the film forming material layer was thermocompression-bonded to the glass substrate surface by the said transfer film in the same manner as (3) of the said Example. In addition, by baking in the same manner as in (4) of the above embodiment, a dielectric layer having a film thickness of 30 탆 made of a glass sintered body was formed on the surface of the glass substrate.
(4) 유전체층의 표면 성상의 검사:(4) Examination of the surface properties of the dielectric layer:
이렇게 하여 얻은 유전체층 표면의 오목부의 수과 그 정도를 상기 실시예의 (4)와 마찬가지 방법으로 검사하였다.The number and extent of the recesses on the surface of the dielectric layer thus obtained were examined in the same manner as in (4) of the above embodiment.
그 결과, 깊이 10 ㎛ 이상의 것이 1 ㎡당 6개 존재하고, 또한 직경 5 ㎜ 이하이고 깊이 10 ㎛ 이하인 것들 중 직경 2 ㎜ 이하이고 깊이 3 ㎛ 이하인 것의 비율은 약 30%로, 실시예와 비교하면 오목부의 수와 그 정도가 증대하였다.As a result, the ratio of 6 or more having a depth of 10 μm or more per 1 m 2, and having a diameter of 5 mm or less and a depth of 10 μm or less is 2 mm or less in diameter and 3 μm or less in depth is about 30%. The number and extent of the recesses increased.
(5) 절연 내전압의 측정:(5) Measurement of insulation withstand voltage:
상기 실시예의 (6)과 마찬가지 방법으로 유전체층으로서의 절연 내전압을 측정하였다. 그 결과, 1 ㎸ 이하에서 절연 파괴가 일어나는 포인트가 25점 중 10점이고 (최소치: 0.3 ㎸), 또한 이들을 포함시킨 25점의 평균치는 0.8 ㎸로, 실시예와 비교하면 유전체층으로서의 절연 내압이 저하하였다.Insulation withstand voltage as the dielectric layer was measured in the same manner as in (6) of the above embodiment. As a result, 10 out of 25 points (min .: 0.3 kV) occurred at 1 kPa or less, and the average value of 25 points including these was 0.8 kPa, and the dielectric breakdown voltage as the dielectric layer was lowered as compared with the example. .
본 발명의 전사 필름에 의하면, 막 두께 분포의 불균일성에 의한 휘도 얼룩 등의 표시 결함이 생기지 않으며, 절연 파괴가 일어나기 어려운 유전체층을 얻을 수 있다.According to the transfer film of the present invention, display defects such as luminance unevenness due to nonuniformity of the film thickness distribution do not occur, and a dielectric layer hardly causes insulation breakdown can be obtained.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의하면, 표시 동작에 있어서 휘도 얼룩 등의 표시 결함이 생기지 않으며, 절연 파괴가 일어나기 어려운 고품질의 PDP를 효율적으로 제조할 수 있다.According to the method of manufacturing the plasma display panel of the present invention, a display defect such as luminance unevenness does not occur in the display operation, and a high quality PDP which is hard to cause dielectric breakdown can be efficiently produced.
Claims (3)
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-47700 | 2000-02-24 | ||
| JP2000047700A JP2001236888A (en) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | Transfer film for forming dielectric layer, and manufacturing method for plasma display panel |
| JP2000165144A JP2001351533A (en) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | Film for forming dielectric and manufacturing method for plasma display panel |
| JP2000-165144 | 2000-06-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010085504A true KR20010085504A (en) | 2001-09-07 |
Family
ID=34082214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010009159A KR20010085504A (en) | 2000-02-24 | 2001-02-23 | Transfer Film for Forming Dielectric Layer and Process for Preparing Plasma Display Panel |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20010085504A (en) |
| TW (1) | TW594821B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720525B1 (en) * | 2005-12-28 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Integrated circuit including aes core and wrapper for validating of aes core |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114380509B (en) * | 2022-03-24 | 2022-07-08 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | High-corrosion-resistance medium slurry |
-
2001
- 2001-02-23 TW TW090104226A patent/TW594821B/en not_active IP Right Cessation
- 2001-02-23 KR KR1020010009159A patent/KR20010085504A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720525B1 (en) * | 2005-12-28 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Integrated circuit including aes core and wrapper for validating of aes core |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW594821B (en) | 2004-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100444915B1 (en) | Inorganic Particles-Containing Compositions, Transfer Films Using the Same and Processes for Preparing Plasma Display Panels | |
| KR100448430B1 (en) | Glass Paste Compositions | |
| KR100600662B1 (en) | Glass Paste Compositions, Transfer Films Using the Same, and Plasma Diplay Panels | |
| KR20060042969A (en) | Glass powder-containing resin composition, transfer film and plasma display panel production process using the same | |
| JP3852155B2 (en) | Transfer film | |
| KR20010085504A (en) | Transfer Film for Forming Dielectric Layer and Process for Preparing Plasma Display Panel | |
| KR20060051068A (en) | Glass powder-containing resin composition, transfer film, and process for producing plasma display panel using the same | |
| JP2000169764A (en) | Glass paste composition, transfer film, and manufacture of plasma display panel using the composition | |
| JP4078686B2 (en) | Transfer film for plasma display panel dielectric layer formation | |
| JP2004002164A (en) | Composition for dielectric layer of plasma display panel, green sheet, and plasma display member | |
| JP2005011579A (en) | Transfer film for plasma display panel, the plasma display panel and manufacturing method therefor | |
| JP3845949B2 (en) | Glass paste composition, transfer film, and method for producing plasma display panel | |
| JP2002249667A (en) | Dielectric layer forming transfer film and plasma display panel | |
| JPH10324541A (en) | Glass paste composition | |
| JPH1171132A (en) | Glass paste composition | |
| JP2001351533A (en) | Film for forming dielectric and manufacturing method for plasma display panel | |
| JP4140838B2 (en) | INORGANIC POWDER-CONTAINING RESIN COMPOSITION, TRANSFER SHEET, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC LAYER-FORMING SUBSTRATE, AND DIELECTRIC LAYER-FORMING BOARD | |
| JP4267295B2 (en) | Inorganic powder-containing resin composition, transfer sheet, and method for producing dielectric layer-formed substrate | |
| JP4006777B2 (en) | Glass paste composition for forming dielectric layer of plasma display panel | |
| JP4239238B2 (en) | Glass paste composition for forming glass sintered body and transfer film | |
| JP2001236888A (en) | Transfer film for forming dielectric layer, and manufacturing method for plasma display panel | |
| JPH10291834A (en) | Transfer film for forming dielectric layer and dielectric layer forming composition | |
| KR20060031630A (en) | Transfer film for plasma display panel, plasma display panel, and method for producing same | |
| KR100495020B1 (en) | A transfer film for preparing dielectric substance layer of the plasma display panel | |
| JP2005232357A (en) | Resin composition containing inorganic particle, transfer film and method for producing dielectric layer for plasma display panel |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |