KR20010025058A - 단안정성 강유전성 활성 매트릭스 디스플레이 - Google Patents

단안정성 강유전성 활성 매트릭스 디스플레이 Download PDF

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KR20010025058A
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아벤티스 레제아르히 운트 테히놀로기스 게엠베하 운트 콤파니 카게
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Abstract

본 발명은 smC*상 층에 수직인 z가 규정된 방향을 갖는 모노도메인 형태의 액정 층을 함유하고, 당해 층에 수직인 z와 네마틱 또는 콜레스테릭 상(N*상)의 바람직한 방향 n이 5°를 초과하는 각도를 형성하는, 단안정성 강유전성 활성 매트릭스 디스플레이에 관한 것이다.

Description

단안정성 강유전성 활성 매트릭스 디스플레이{Monostable ferroelectric active-matrix display}
음극선관(수상관)을 플랫 스크린으로 대체시키는 데는, 높은 화상 분해능, 즉 1000라인 초과, 높은 화상 광도(200Cd/㎡ 초과), 높은 콘트라스트(100:1 초과), 높은 프레임 주파수(60Hz 초과), 적합한 색상 표현(색상 1천6백만가지 초과), 큰 화상 포맷(스크린 경사 40cm 초과), 낮은 전력 소비 및 넓은 시야각을 동시에 달성할 수 있도록 하고, 나아가, 비용 효율적으로 제조할 수 있는 디스플레이 기술을 필요로 한다. 현재까지, 모든 이러한 특성을 동시에 완전히 만족시키는 기술은 없었다.
다수의 제조업자들은 네마틱 액정을 기본으로 하고, 최근에는 노트북 PC, 개인용 디지털 보조장치 및 데스크탑 모니터 분야에서 사용되어 온 스크린을 개발하여 왔다. STN(수퍼트위스트 네마틱), AM-TN(활성 매트릭스 - 트위스트 네마틱), AM-IPS(활성 매트릭스 - 인 플레인 스위칭), AM-MVA(활성 매트릭스 - 수직 정렬된 멀티도메인) 기술이 본원에서 사용되며, 이들 기술은 예를 들면, 문헌[참조: T. Tsukuda, TFT/LCD: Liquid Crystal Displays Addressed by Thin-Film Transistors, Gordon and Breach 1996, ISBN 2-919875-01-9] 및 당해 문헌에 인용된 문헌, 및 문헌[참조: SID Symposium 1997, ISSN-0097-966X, pages 7 to 10, 15 to 18, 47 to 51, 213 to 216, 383 to 386, 397 to 404] 및 당해 문헌에 인용된 문헌에 광범위하게 기재되어 있다. 더욱이, PDP(플라즈마 디스플레이 패널), PALC(플라즈마 어드레싱된 액정), ELD(전계 발광 디스플레이) 및 FED(전장 방출 디스플레이) 기술이 사용되며, 이들 기술도 역시 위의 인용된 SID 보고서에 설명되어 있다.
클락(Clark)과 라저월(Lagerwall)(US 제4,367,924호)은 매우 얇은 셀에 강유전성 액정(FLC)을 사용하면 통상적인 TN("트위스트 네마틱") 셀과 비교하여 스위칭 시간이 1000배 이하로 빠른 광전기적 스위칭 또는 디스플레이 소자를 수득한다는 것을 나타낼 수 있었다. EP-A 제0 032 362호도 또한 참조한다. 이러한 특성 및 다른 바람직한 특성, 예를 들면, 쌍안정성 스위칭 가능성 및 콘트라스트가 사실상 시야각과 무관하다는 사실을 근거로 하여, FLC는, 캐논(Canon)사가 1995년 5월부터 일본에서 판매한 모니터에서 나타나는 바와 같이, 컴퓨터 디스플레이 및 텔레비젼 세트와 같은 적용 영역에 근본적으로 적합하다.
전기광학 또는 완전 광학 부품에 FLC를 사용하는 데는 스멕틱 상을 형성하고, 자체로 광학 활성인 화합물을 필요로 하거나, 이러한 스멕틱 상을 형성하지만 자체로 광학 활성은 아닌 화합물에 광학 활성 화합물을 도핑함으로써 강유전성 스멕틱 상을 유도할 필요가 있다. 이러한 경우, 목적하는 상은 가능한 한 가장 광범위한 온도 범위에 걸쳐 안정해야 한다.
LC 디스플레이 각각의 화소는 통상적으로 디스플레이의 하부면 또는 상부면 위의 행과 열을 따라 각각의 일련의 전극의 배열(반도체 트랙)에 의해 형성된 x-y 매트릭스에서 배열된다. 수평(행) 및 수직(열) 전극의 교차점은 어드레싱 가능한 화소를 형성한다.
화소의 이러한 배열은 통상적으로 패시브 매트릭스(passive matrix)로 언급된다. 어드레싱에 대하여, 예를 들면, 문헌[참조: Displays 1993, vol. 14, No. 2, pp 86-93 and Kontakte 1993(2), pp. 3-14]에 기재된 바와 같이, 다양한 다중 장치(multiplex scheme)가 개발되어 왔다. 패시브 매트릭스 어드레싱은 디스플레이를 간단히 제조할 수 있고 이에 따라 제조 비용이 저렴하다는 이점이 있지만, 패시브 어드레싱이 단지 라인마다 수행될 수 있을 뿐이어서, 라인을 N개 갖는 전체 스크린에 대한 어드레싱 시간이 라인 어드레싱 시간의 N배가 되는 단점이 있다. 이는, 약 50μsec의 통상적인 라인 어드레싱 시간에 대하여, 표준 HDTV(고 해상도 TV, 1152라인)의 스크린 어드레싱 시간이 약 60msec, 즉, 최대 프레임 주파수가 16Hz임을 의미한다. 후자의 주파수는 동영상을 나타내기에 너무 낮다. 또한, 그레이 쉐이드(gray shade)를 나타내는 것이 어렵다. 프랑스의 브레스트에서 열린 FLC 회의[참조: FLC Conference in Brest, France, July 20-24, 1997, Abstract Book 6th International Conference on Ferroelectric Liquid Crystals, Brest/France]에서, 미즈타니(Mizutani) 등은 RGB 화소(RGB = 적색, 녹색, 청색) 각각이 하부화소(sub-pixel)로 세분되어, 부분적 스위칭에 의해 디지털 형태의 그레이 쉐이드를 나타내도록 하는, 디지털 그레이 쉐이드를 갖는 패시브 FLC 디스플레이를 제시하였다. 세 개의 원색(적색, 녹색, 청색)을 사용하는 N개의 그레이 쉐이드로는, 3N개의 색상이 생성된다. 이러한 방법의 단점은 필요한 스크린 드라이버의 수가 현저히 증가되어 이에 따라 비용이 증가된다는 것이다. 브레스트에서 제시된 스크린의 경우, 디지털 그레이 쉐이드가 없는 통상의 FLC 디스플레이의 경우에서 필요한 드라이버보다 세배 많은 수의 드라이버가 필요하다.
이른바 활성 매트릭스 기술(AMLCD)에서, 통상적으로 비조직화 기판을 활성 매트릭스 기판과 합한다. 전기적으로 비선형인 소자, 예를 들면, 박막 트랜지스터는, 활성 매트릭스 기판의 각각의 화소로 집적된다. 비선형 소자는 다이오드, 금속-절연체-금속 및 유사한 소자일 수 있으며. 이들은 유리하게는 박막 가공에 의해 제조되며, 관련 문헌[참조: T. Tsukuda, TFT/LCD: Liquid Crystal Displays Addressed by Thin-Film Transistors, Gordon and Breach 1996, ISBN 2-919875-01-9] 및 당해 문헌에서 인용된 문헌에 기재되어 있다.
활성 매트릭스 LCD는 통상적으로 TN(트위스트 네마틱), ECB(전기 조절 복굴절), VA(수직 정렬) 또는 IPS(인 플레인 스위칭) 방식에서 네마틱 액정으로 작동된다. 각각의 경우, 활성 매트릭스는 각각의 화소에서 개별적인 강도의 전기장을 발생시켜, 배향의 변화 및 이에 따른 복굴절의 변화를 생성하고, 이는 차례로 편광에서 가시적이다. 이들 공정의 심각한 단점은 네마틱 액정의 지나치게 긴 스위칭 시간에 의해 발생되는 불량한 영상 능력이다.
이러한 이유 및 기타의 이유로, 강유전성 액정 물질과 활성 매트릭스 소자의 조합을 기본으로 한 액정 디스플레이가 제안되어 왔다[참조: 예를 들면, WO 제97/12355호, 또는 Ferroelectrics 1996, 179, 141-152, W.J.A.M. Hartmann, IEEE Trans. Electron. Devices 1989, 36, (9; Pt. 1), 1895-9, and Dissertation Eindhoven, the Netherlands 1990].
하트먼(Hartmann)은 이른바 FLC와 TFT(박막 트랜지스터) 활성 매트릭스의 "유사 서가형 기하(quasi-bookshelf geometry)"(QBG) 조합을 이용하는 동시에 고속 스위칭, 그레이 쉐이드 및 높은 투과율을 달성하였다. 그러나, QBG는, 스멕틱 층 두께의 온도 의존성이 전장 유도된 층 구조를 붕괴시키거나 회전시키기 때문에, 광범위한 온도에 걸쳐 안정하지 않다. 더우기, 하트먼은 자발 분극이 20nC/㎠ 초과인 FLC 물질을 이용하며, 이는, 예를 들면, 실제 면적 치수가 0.01㎟인 화소의 경우, 큰 전기 전하를 발생시키고(포화시, Q = 2AP, A = 화소 면적, P = 자발 분극), 이는 예를 들면, 비용 효율적으로 제조할 수 있는 무정형 규소 TFT를 사용하면, TFT의 개구 시간 동안 화소에 이를 수 없다. 이러한 이유로, 이 기술은 지금까지는 추가로 사용되지 않았다.
하트먼이 전하 조절된 쌍안정성을 이용하여 사실상 연속적인 그레이 스케일을 표시한 반면, 니토(Nito) 등은 단안정성 FLC 기하를 제안하였으며[참조: Journal of the SID, 1/2, 1993, pages 163-169], 여기서 FLC 물질은 단지 한 개의 안정성 위치만이 생성되는 방법으로 상대적으로 높은 전압을 사용하여 배향되고, 이로부터 다수의 중간 상태가 박막 트랜지스터를 통한 전기장을 적용함으로써 이어서 발생된다. 이들 중간 상태는 셀 기하가 교차 편광자 사이에 매칭되는 경우 다수의 상이한 광도 수준(그레이 쉐이드)에 상응한다.
그러나, 이러한 공정의 단점은, 디스플레이의 줄무늬 조직이 발생한다는 것으로, 줄무늬 조직은 이 셀의 콘트라스트 및 광도를 제한한다(상기한 인용 문헌의 도 8 참조). 불리한 줄무늬 조직은 네마틱 또는 콜레스테릭 상의 높은 전기 전압(20 내지 50V)으로 처리함으로써 보정할 수 있지만(상기한 인용 문헌의 168면 참조), 이러한 자장 처리는 스크린의 대규모 제조에 적합하지 않고, 또한, 일반적으로 온도 안정성 조직을 생성하지 않는다. 추가로, 이 방법은 니토 등에 의해 사용된 물질의 경우 약 22°인, 이전의 최대 경사각 이하의 각도 범위에서만 스위칭을 생성하여(165면, 도 6 참조), 두 개의 평행 편광자 투과율의 단지 50%만의 최대 투과를 생성한다.
본 발명의 목적은, 단안정성 위치라고 여겨지고, 이로써 줄무늬 조직을 형성하지 않고, 온도 안정성이며, 매우 높은 최대 투과율 및 또한 매우 높은 콘트라스트를 달성할 수 있도록 하는 강유전성 액정 혼합물을 함유하는 강유전성 활성 매트릭스 액정 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은, smC*상의 층에 수직인 z의 방향이 불명확하게 규정된 모노도메인 형태의 액정 층(여기서, 층에 수직인 z 및 네마틱 또는 콜레스테릭 상(N*상)의 바람직한 방향 n은 5°를 초과하는 각도를 형성한다)을 함유하는 단안정성 강유전성 활성 매트릭스 디스플레이에 의하여 달성된다.
본 발명에 따르는 활성 매트릭스 FLCD는 광학 활성 층으로서, 다음의 상 순서,
이소프로픽 - 네마틱 또는 콜레스테릭(N*) - 스멕틱 C*
또는 다음의 상 순서,
이소트로픽 - 네마틱 또는 콜레스테릭(N*) - 스멕틱 A*- 스멕틱 C*
를 갖는 강유전적 액정성 매질(액정 상)[여기서, 스멕틱 A*상은 존재 범위(상 범위)가 2℃ 이하, 바람직하게는 1℃ 이하, 특히 바람직하게는 0.5℃ 이하이고, 상 명칭에 붙은 별표(*)는 키랄 상이 포함됨을 나타낸다]을 함유한다.
디스플레이는 바람직하게는 액정을 러빙된 상부 기판과 러빙된 하부 기판 사이의 공간으로 도입(상부 기판과 하부 기판에서의 러빙 방향이 본질적으로 평행하다)하고, 액정 상을 이소트로픽 상으로부터 냉각(전기 DC 전압을 적어도 N*→ smC*또는 N*→ smA*→ smC*상 전이 동안 디스플레이에 인가한다)시키는 방법에 따라 제조한다.
FLC 혼합물은 활성 매트릭스 디스플레이로 충전된다. 이러한 AM 디스플레이의 제조 및 부품은 위에서 인용한 쓰쿠다(Tsukuda)의 문헌에 광범위하게 기재되어 있다. 그러나, 네마틱 액정에서와는 달리, FLC 층의 두께는 0.7 내지 2.5㎛, 바람직하게는 1 내지 2㎛에 불과하다. 더욱이, 상부 기판과 하부 기판의 러빙 방향은 본질적으로 평행하다. 용어 "본질적으로 평행"은 반(反)평행 러빙 방향 또는 약간 교차된, 즉 10° 이하의 러빙 방향을 포함한다.
이러한 디스플레이의 작동화에 중요한 것은, 디스플레이의 제조 동안, 조절 냉각 동안, 바람직하게는 5V 미만의 전기적 DC 전압을 인가하고, N*→ smC*또는 N*→ smA*→ smC*상 전이 동안 유지시키는 것이며, 이로부터 전체 디스플레이가 교차된 편광자 사이에서 완전히 어둡게 나타나는 단안정성 모노도메인이라고 여겨진다.
일단 도메인이 수득되면, DC 전압은 스위칭 오프(switching off)된다. 이렇게 수득된 조직은 위에서 인용된 하트먼의 연구법과는 대조적으로, 또는 통상적인 쌍안정성 FLCD와는 대조적으로 단안정성이다. 이는, 바람직한 n-방향자(이는 종방향 분자 축의 바람직한 방향을 나타낸다)가 셀의 러빙 방향인 반면, z-방향자(이는 층에 수직인 스멕틱의 바람직한 방향을 나타낸다)는 대략적으로 경사각의 양만큼 러빙 방향과 비례하여 경사져 있다. 이러한 형상은 z-방향자가 러빙 방향인 클락과 라저월에 따르는 통상적인 쌍안정성 셀과 정확히 반대이다.
니토의 연구법과는 대조적으로, 이러한 배향의 경우, 층에 대해 정확히 두 수직이 존재하지 않고, 따라서 궁극적으로 위에서 언급한 방해 줄무늬 조직을 생성하기 보다는, z-방향자의 불명확한 방향 하나만을 생성하여, 한 개의 모노도메인을 생성한다. 더우기, 평행 편광자에 관해 100% 투과를 발생시키는 두배의 경사각이 이제 이용 가능하며, 즉 두배의 광도가 달성된다.
이렇게 수득한 디스플레이는 교차 편광자 사이의 적합한 회전각에서 완전히 어둡게 나타난다. 이는 단지 몇 볼트의 구동 전압만을 인가하는 경우에도 밝게 나타나며, 광도는 전압에 의해 연속적으로 변화될 수 있고, 포화시에는, 사실상 두 개의 평행 편광 시트의 광도를 갖는다. 이러한 디스플레이의 중요한 특성은 네마틱(또는 콜레스테릭) 상의 바람직한 방향과 층에 대한 수직(z-방향자) 사이의 각도가 스멕틱 C 상의 경사각과 이상적으로 동일하거나, 경사각과 적어도 실질적으로는 동일하다는 것이다. 본 발명의 의미에서 "실질적으로"는 바람직하게는 경사각의 반 내지 전체 각도, 바람직하게는 경사각의 0.8 내지 1배, 단 5° 이상의 값의 범위를 의미한다.
본 발명에 따르는 강유전성 활성 매트릭스 액정 디스플레이는, 고 투과율, 짧은 스위칭 시간, 그레이 스케일을 겸비하여, 전체 색상 능력, 비용 효율적 생산성 및 넓은 온도 범위를 가지므로, 실용성이 우수하며, 특히 TV 및 HDTV 또는 멀티미디어에 유용하다. 더욱이, 당해 디스플레이는 10V 이하, 바람직하게는 8V 이하, 특히 바람직하게는 5V 이하의 전압에서 작동할 수 있다.
본 발명에 따르는 활성 매트릭스 FLCD의 자발 분극은 디스플레이의 작동 온도에서, 바람직하게는 15nC/㎠, 바람직하게는 0.01 내지 10nC/㎠ 범위이다.
바람직하게는, 액정 층에서, 스멕틱 상으로의 전이온도를 2℃ 이상 초과하는 온도 범위에서의 키랄-네마틱 또는 콜레스테릭 피치의 길이는 50㎛ 초과이다.
특히, 본 발명의 의미에서의 활성 매트릭스 디스플레이는, 예를 들면, 문헌[참조: D. M. Walba, Science 270, 250-251 (1995)]에 기재된 바와 같이, 두 기판 중의 하나가 IC 칩(IC = 집적 회로)의 후부 면으로 대체된 LCD를 의미하는 것으로도 이해된다.
디스플레이는 예를 들면, TV, HDTV 또는 멀티미디어 분야에서 또는 정보 처리 분야, 예를 들면, 노트북 PC, 개인용 디지털 보조장치 또는 데스크탑 모니터 분야에서 사용될 수 있다.
아래의 실시예는 본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위한 것이다.
실시예
실시예 1
다음 조성을 갖는 FLC 혼합물을 제조한다:
4-(5-도데실피리미딘-2-일)페닐-4-(트랜스-페닐사이클로헥산)카복실산 에스테르 27중량%
2-(4-헥실옥시페닐)-5-옥틸피리미딘 19.7중량%
2-(4-데실옥시페닐)-5-옥틸피리미딘 25.6중량%
(S)-2-플루오로데실-[4-(5-데실피리미딘-2-일)페닐]에테르 3중량%
상 순서는 다음과 같다:
이소트로픽 83.1℃ 콜레스테릭 57.7℃ 스멕틱 A*57.6℃ 스멕틱 C*.
경사각은 30℃에서 25°이다. 자발 분극은 2nC/㎠이다.
실시예 2
투명-전도성 인듐 주석 옥사이드로 피복한 유리 기판을 사진평판법으로 패턴화하여 전극 패턴을 수득한다. 이 전극 구조의 투명한 전도체 트랙을 파형 발생기(function generator)에 의해 디스플레이를 전기적으로 구동시키는 데 사용하여, 박막 트랜지스터의 스위칭 거동을 시뮬레이팅시킨다. 디스플레이의 상부 및 하부면(즉, 지지판)을 형성하는 두 개의 유리판을 이러한 방법으로 패턴화하고, 접착 프레임을 사용하여 함께 접합시킨다. 층 두께는 1.3㎛이다. 접착제를 조심스럽게 가열하여 경화시키고, 실시예 1의 액정 혼합물을 100℃에서 충전시키고, 셀을 서서히 냉각하여 온도를 60℃로 한다. 이 온도에서, 4V의 DC 전압을 인가한 다음, 냉각 공정을 지속하여 22℃로 강하시킨다. DC 전압을 스위칭 오프시킨다. 교차 편광자 사이에서 완전히 어둡게 나타나는 단안정성 모노도메인을 수득한다.
이어서, 셀을 다양한 폭의 방형파(square-wave)에 연결시키고, 투과율을 광다이오드 및 오실로스코프로 측정한다. 다음 투과율 값을 수득한다:
전압(V) 투과율 = 광다이오드 신호(mV)
0 1
2 24
3 79
4 129
5 190
셀을 연결한 후에, 한번 더 어두운 상태(투과율 0%)로 되돌린다.
아래의 표는 인가한 방형파 전압의 함수로서의 0 상태로의 최대 광도의 스위칭 시간 및 완화 시간을 나타낸다.
전압(V) 스위칭 시간(msec) 완화 시간(msec)
2 2.3 0.34
3 1.9 0.33
3 1.7 0.31
5 1.1 0.29
모든 값은 22℃에 대한 것이다.
실시예 3
2-(4-헥실옥시페닐)-5-옥틸피리미딘 18.9중량%
2-(4-데실옥시페닐)-5-옥틸피리미딘 24.5중량%
2-(4-옥틸옥시페닐)-5-옥틸피리미딘 23.6중량%
2-(2,3-디플루오로-4'-펜틸-비페닐-4-일)-5-노닐-피리미딘 30.0중량%
(S)-2-플루오로데실-[4-(5-데실피리미딘-2-일)페닐]에테르 3중량%
상 순서는 다음과 같다:
이소트로픽 80℃ 콜레스테릭 60℃ 스멕틱 C*
자발 분극은 1.7nC/㎠이다.
실시예 4
투명-전도성 인듐 주석 옥사이드로 피복한 유리 기판을 사진평판법으로 패턴화하여 전극 패턴을 수득한다. 이 전극 구조의 투명한 전도체 트랙을 파형 발생기에 의해 디스플레이를 전기적으로 구동시키는 데 사용하여, 박막 트랜지스터의 스위칭 거동을 시뮬레이팅시킨다. 디스플레이의 상부 및 하부면(즉, 지지판)을 형성하는 두 개의 유리판을 이러한 방법으로 패턴화고, 접착 프레임을 사용하여 함께 접합시킨다. 층 두께는 1.3㎛이다. 접착제를 조심스럽게 가열하여 경화시키고, 실시예 3의 액정 혼합물을 100℃에서 충전시키고, 셀을 서서히 냉각하여 온도를 63℃로 한다. 이 온도에서, 4V의 DC 전압을 인가한 다음, 냉각 공정을 지속하여 22℃로 강하시킨다. DC 전압을 스위칭 오프시킨다. 교차 편광자 사이에서 완전히 어둡게 나타나는 단안정성 모노도메인을 수득한다.
이어서, 셀을 다양한 폭의 방형파에 연결시키고, 투과율을 광다이오드 및 오실로스코프로 측정한다. 다음 투과율 값을 수득한다:
전압(V) 투과율 = 광다이오드 신호(mV)
0 1
2 108
3 217
4 306
5 392
셀을 연결한 후에, 한번 더 어두운 상태(투과율 0%)로 되돌린다.
아래의 표는 인가한 방형파 전압의 함수로서의 0 상태로의 최대 광도의 스위칭 시간 및 완화 시간을 나타낸다.
전압(V) 스위칭 시간(msec) 완화 시간(msec)
2 1.9 0.33
3 1.6 0.29
3 1.4 0.25
5 0.94 0.24
모든 값은 22℃에 대한 것이다.

Claims (9)

  1. smC*상의 층에 수직인 z의 방향이 불명확하게 규정된 모노도메인 형태의 액정 층(여기서, smC*상의 층에 수직인 z와 네마틱 또는 콜레스테릭 상(N*상)의 바람직한 방향 n은 5°를 초과하는 각도를 형성한다)을 함유하는 단안정성 강유전성 활성 매트릭스 디스플레이.
  2. 제1항에 있어서, smC*상의 층에 수직인 z와 네마틱 또는 콜레스테릭 상(N*상)의 바람직한 방향 n 사이의 각도 범위가 smC*경사각의 0.5 내지 1.0배인 활성 매트릭스 디스플레이.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 강유전성 액정 층의 상 순서가
    I*- N - smC*[여기서, 존재 범위가 2℃ 이하인 smA*상이 N*상과 smC*상 사이에 존재할 수 있다]인 활성 매트릭스 디스플레이.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 강유전성 액정 상의 자발 분극이 15nC/㎠ 미만인 활성 매트릭스 디스플레이.
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 액정 층에서, 스멕틱 상으로의 전이온도를 2℃ 이상 초과하는 온도 범위에서 키랄-네마틱 또는 콜레스테릭 피치의 길이가 50㎛ 초과인 활성 매트릭스 디스플레이.
  6. 액정 층을 활성 매트릭스 디스플레이의 러빙된 상부 기판과 러빙된 하부 기판 사이의 공간으로 도입(상부 기판과 하부 기판에서의 러빙 방향은 본질적으로 평행하다)하고, 액정 상을 이소트로픽 상으로부터 냉각(전기적 DC 전압은 적어도 N*→ smC*또는 N*→ smA*→ smC*상 전이 동안 디스플레이에 인가된다)시키는, 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 따르는 활성 매트릭스 디스플레이의 제조방법.
  7. 제6항에서 청구한 방법에 따라 제조 가능한 활성 매트릭스 디스플레이.
  8. TV, HDTV 또는 멀티미디어 분야에서 또는 정보 처리 분야에서의 제1항 내지 제5항 및 제7항 중의 어느 한 항에 따르는 활성 매트릭스 디스플레이의 용도.
  9. 제8항에 있어서, 노트북 PC, 개인용 디지털 보조장치 및 데스크탑 모니터에서의 용도.
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