KR20010012053A - Method for fabricating ceramic device using composite with photosensitive resin - Google Patents

Method for fabricating ceramic device using composite with photosensitive resin Download PDF

Info

Publication number
KR20010012053A
KR20010012053A KR1019990057027A KR19990057027A KR20010012053A KR 20010012053 A KR20010012053 A KR 20010012053A KR 1019990057027 A KR1019990057027 A KR 1019990057027A KR 19990057027 A KR19990057027 A KR 19990057027A KR 20010012053 A KR20010012053 A KR 20010012053A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ceramic
mixture
photosensitive resin
piezoelectric
metal
Prior art date
Application number
KR1019990057027A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100364408B1 (en
Inventor
윤상경
김동훈
박성준
Original Assignee
이형도
삼성전기 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이형도, 삼성전기 주식회사 filed Critical 이형도
Priority to KR1019990057027A priority Critical patent/KR100364408B1/en
Publication of KR20010012053A publication Critical patent/KR20010012053A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100364408B1 publication Critical patent/KR100364408B1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
    • G03F7/0022—Devices or apparatus
    • G03F7/0032—Devices or apparatus characterised by heat providing or glossing means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

PURPOSE: A process for producing a ceramic device of a high precision structure in a simple manufacturing process by patterning a device of a desired form having a multilayered structure using a mixture of metals or ceramic and photosensitive resin by using only an exposing process is provided, which can manufacture a ceramic device having a high shape ratio and has an effect on preventing a short circuit. CONSTITUTION: This process comprises the steps of providing a ceramic substrate; forming a lower electrode at the upper part of the substrate; forming a piezoelectric/electrostrictive layer by using a mixture of metals or ceramic and photosensitive resin at the upper side of the lower electrode; forming an upper electrode using the mixture of metal and photosensitive resin at the upper side of the piezoelectric/electrostrictive layer; and patterning the piezoelectric/electrostrictive layer and the upper electrode by masking the upper electrode in a desired pattern and exposing.

Description

감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법{Method for fabricating ceramic device using composite with photosensitive resin}Method for fabricating ceramic device using composite with photosensitive resin

본 발명은 세라믹 디바이스의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 감광성 수지와의 혼합체를 사용하여 노광공정에 의하여 세라믹 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic device, and more particularly, to a method of manufacturing a ceramic device by an exposure step using a mixture with a photosensitive resin.

세라믹 디바이스를 제조하기 위하여 종래에는 기판의 상부 또는 기판에 성형된 하부전극의 상부에 압전/전왜층을 형성한 후 형성된 압전/전왜층을 원하는 패턴으로 패터닝하고, 패터닝된 압전/전왜층의 상부에 상부전극을 형성하는 방법을 사용하여 왔다.In order to manufacture a ceramic device, a piezoelectric / distortion layer is formed on a substrate or on a lower electrode formed on the substrate, and then the formed piezoelectric / distortion layer is patterned into a desired pattern, and the patterned piezoelectric / distortion layer is formed on top of the patterned piezoelectric / distortion layer. The method of forming the upper electrode has been used.

이러한 방법에서 압전/전왜층을 패터닝하는데 감광성 필름이 많이 사용되고 있다.In this method, a photosensitive film is widely used for patterning piezoelectric / distortion layers.

감광성 필름을 이용한 마이크로 패터닝은 자외선의 파장에 해당하는 해상도를 가지고 있어서 서브미크론 수준의 정밀도를 가지는 형상제어방법으로서, 광에의 노출여부에 따른 물성변화를 이용하여 불필요한 부분을 화학적으로 제거하는 방법이다.Micro-patterning using a photosensitive film is a shape control method with submicron-level precision with a resolution corresponding to the wavelength of ultraviolet rays. It is a method of chemically removing unnecessary parts by using physical property changes depending on whether or not it is exposed to light. .

노광에 의하여 일부가 제거된 후 남아있는 부분은 다음 공정에서 마스크나 몰드로 사용하는 것이 일반적이다.After the part is removed by exposure, the remaining part is generally used as a mask or a mold in the next step.

그러나 전자제품이 점점 소형화됨에 따라 전자제품에 사용되는 세라믹 디바이스도 소형화 및 고집적화되고 있다.However, as electronic products become smaller, ceramic devices used in electronic products are becoming smaller and more integrated.

세라믹 디바이스를 집적화 및 소형화하기 위해서는 종래의 성형법과 차별되는 새로운 성형법의 적용이 요구되며, 특히 디바이스의 소형화와 함께 디바이스형상을 고도로 정밀하게 하는 것이 필수적으로 요구되고 있다.In order to integrate and downsize the ceramic device, it is required to apply a new molding method that is different from the conventional molding method, and in particular, it is essential to make the device shape highly precise with the miniaturization of the device.

상기의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 금속 또는 세라믹과 감광성 수지와의 혼합체를 이용하여 노광공정만으로 다층구조를 가진 원하는 형태의 디바이스를 패터닝함으로써 공정이 단순하고 구조의 정밀도가 매우 높은 세라믹 디바이스를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention for solving the above problems by using a mixture of a metal or ceramic and photosensitive resin to produce a ceramic device having a simple process and a very high precision of the structure by patterning the desired type of device having a multi-layer structure only by the exposure process It aims to provide a way to.

도 1은 본 발명의 방법의 일실시예를 개략적으로 도시한 공정도,1 is a process diagram schematically showing one embodiment of the method of the present invention;

도 2는 본 발명의 방법의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 공정도,2 is a process diagram schematically showing another embodiment of the method of the present invention;

도 3은 본 발명의 방법의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 공정도,3 is a process diagram schematically showing another embodiment of the method of the present invention;

도 4는 본 발명의 방법의 다른 실시예를 대략적으로 도시한 공정도,4 is a process diagram schematically showing another embodiment of the method of the present invention;

도 5는 본 발명의 방법의 다른 실시예를 대략적으로 도시한 공정도,5 is a process diagram schematically showing another embodiment of the method of the present invention;

도 6은 본 발명의 방법의 다른 실시예를 대략적으로 도시한 공정도.6 is a process diagram schematically illustrating another embodiment of the method of the present invention.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

10, 20, 30, 40, 50, 60 : 기판10, 20, 30, 40, 50, 60: substrate

12, 22, 32, 42 : 하부전극12, 22, 32, 42: lower electrode

14, 24, 34, 44, 54, 64 : 압전/전왜층14, 24, 34, 44, 54, 64: piezoelectric / electric distortion layer

16, 26, 36, 46, 56, 66 : 상부전극16, 26, 36, 46, 56, 66: upper electrode

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판의 상부에 감광성 수지와 금속 또는 압전/전왜 세라믹과의 혼합체를 이용하여 하부전극, 압전/전왜층, 상부전극을 적층하여 형성한 후 한번에 노광하여 패터닝을 함으로써 세라믹 디바이스를 제조하거나, 각 층을 형성하고 노광하여 패터닝하는 단계를 반복함으로써 세라믹 디바이스를 제조하는 방법에 그 특징이 있다.The present invention for achieving the above object is formed by laminating a lower electrode, a piezoelectric / electrodistortion layer, the upper electrode using a mixture of a photosensitive resin and a metal or piezoelectric / electrodistortion ceramic on the substrate and then exposed at a time patterning Thereby, the method of manufacturing a ceramic device or the method of manufacturing a ceramic device by repeating the steps of forming, exposing and patterning each layer, is characterized.

또한 본 발명은 금속기판의 상부에 감광성 수지와 금속 또는 압전/전왜 세라믹과의 혼합체를 이용하여 압전/전왜층, 상부전극을 적층하여 형성한 후 한번에 노광하여 패터닝을 함으로써 세라믹 디바이스를 제조하거나, 각 층을 형성하고 노광하여 패터닝하는 단계를 반복함으로써 세라믹 디바이스를 제조하는 방법에 그 특징이 있다.In addition, the present invention is formed by laminating a piezoelectric / electrodistortion layer, the upper electrode using a mixture of a photosensitive resin and a metal or piezoelectric / electrostrictive ceramic on the upper portion of the metal substrate and then exposed and patterned at one time to produce a ceramic device, or A feature of the method of manufacturing a ceramic device is to repeat the steps of forming, exposing and patterning a layer.

이하 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법은 크게 각 층을 차례로 형성한 후 한번에 노광하여 패터닝을 함으로써 세라믹 디바이스를 제조하는 방법과 각 층을 형성하고 노광하여 패터닝하는 단계를 반복함으로써 세라믹 디바이스를 제조하는 방법으로 나눌 수 있다.In the method of manufacturing a ceramic device using the mixture with the photosensitive resin of the present invention, a method of manufacturing a ceramic device is formed by forming each layer in turn and then exposing and patterning at a time by repeating the steps of forming and exposing and patterning each layer. It can be divided into a method of manufacturing a ceramic device.

먼저 각 층을 형성한 후 한번에 노광하여 패터닝을 하는 본 발명의 방법에 대하여 설명한다.First, the method of the present invention in which each layer is formed and then exposed and patterned at a time will be described.

기판으로는 금속 또는 세라믹을 사용할 수 있다. 금속으로는 니켈(Ni) 또는 스테인레스 스틸(Stainless Steel)을 사용하는 것이 바람직하며, 세라믹으로는 산화알루미늄(Al2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 규소(Si), 탄화규소(SiC), 질화규소(SiNx), 이산화규소(SiO2), 유리(glass) 등을 사용하는 것이 바람직하다.The substrate may be a metal or a ceramic. Nickel (Ni) or stainless steel (Stainless Steel) is preferably used as a metal.Aluminum oxide (Al 2 O 3 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), silicon (Si), and silicon carbide (SiC) are used as ceramics. , Silicon nitride (SiN x ), silicon dioxide (SiO 2 ), glass, or the like is preferably used.

금속을 기판으로 사용하는 경우에는 금속자체가 전도성을 가지므로 별도의 하부전극을 형성할 필요가 없으나, 세라믹을 기판으로 사용하는 경우에는 기판에 하부전극층을 형성하여야 한다.When the metal is used as the substrate, the metal itself is conductive, so it is not necessary to form a separate lower electrode. However, when the ceramic is used as the substrate, the lower electrode layer must be formed on the substrate.

하부전극을 패터닝하지 않고 그대로 사용하고자 하는 경우에는 하부전극으로 감광성 수지가 포함되지 않은 금속을 사용하고, 하부전극도 패터닝하고자 하는 경우에는 하부전극으로 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용한다.When the lower electrode is to be used without patterning, a metal containing no photosensitive resin is used as the lower electrode, and when the lower electrode is to be patterned, a mixture of the photosensitive resin and the metal is used as the lower electrode.

금속과 혼합체를 형성하기 위한 감광성 수지로는 전도성 UV 접착제를 사용하거나 금속과 킬레이트를 이루는 유기물을 변형시킨 변형물을 사용하는 것이 바람직하다.As the photosensitive resin for forming the mixture with the metal, it is preferable to use a conductive UV adhesive or to use a modification of the organic material forming the chelate with the metal.

성형된 하부전극은 열처리하거나, 자연건조 또는 열처리에 의하여 경화시켜 하부전극을 형성한다.The molded lower electrode is heat treated or cured by natural drying or heat treatment to form the lower electrode.

하부전극층의 상부에 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹의 혼합체를 사용하여 압전/전왜층을 성형한다.The piezoelectric / distortion layer is formed on the lower electrode layer by using a mixture of photosensitive resin and piezoelectric / distortion ceramic.

감광성 수지와 압전/전왜 세라믹의 혼합체로는 감광성 복합제(complexing agent)를 포함하는 세라믹졸 용액, 자외선 경화형 수지와 세라믹분말의 혼합체, 자외선 경화성 수지와 세라믹분말의 혼합체에 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액을 혼합한 것, 또는 자외선 경화성 수지와 세라믹분말과 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액 혼합체에 물성조절용 유기용매를 추가로 혼합한 것을 사용하는 것이 바람직하다.As a mixture of photosensitive resin and piezoelectric / electric distortion ceramic, a ceramic sol solution containing a photosensitive complexing agent, a mixture of ultraviolet curable resin and ceramic powder, and a mixture of ultraviolet curable resin and ceramic powder have the same or similar composition as the ceramic powder. It is preferable to use a mixture of a ceramic sol solution or a mixture of an ultraviolet curable resin, a ceramic powder and a ceramic sol solution mixture having the same or similar composition as that of the ceramic powder.

자외선 경화성 수지와 세라믹분말과 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액 혼합체의 물성을 조절하기 위한 유기용매로는 점도조절제, 바인더 등이 사용된다.Viscosity regulators, binders and the like are used as organic solvents for controlling the physical properties of the ultraviolet curable resin, the ceramic powder and the ceramic sol solution mixture having the same or similar composition as the ceramic powder.

특히 세라믹분말에 세라믹졸 용액을 혼합하면 혼합체의 점도와 분산성, 세라믹분말의 표면특성을 제어할 수 있다.In particular, when the ceramic sol solution is mixed with the ceramic powder, the viscosity and dispersibility of the mixture and the surface characteristics of the ceramic powder can be controlled.

감광성 수지와 압전/전왜 세라믹물질을 혼합하는데 있어서 가장 중요한 것은 압전/전왜 세라믹물질과 감광성 수지가 균일하게 혼합된 혼합체를 제조하고 성형에 적당한 점도를 부여하는 것이다.The most important thing in mixing the photosensitive resin and the piezoelectric / electric warp ceramic material is to prepare a mixture in which the piezoelectric / electric warp ceramic material and the photosensitive resin are uniformly mixed and impart proper viscosity to the molding.

균일한 혼합체를 제조하고 성형에 적당한 점도를 부여하기 위해서는 압전/전왜 세라믹물질과 감광성 수지의 적절한 혼합비가 확정되어야 한다.In order to produce a homogeneous mixture and to impart a suitable viscosity to the molding, an appropriate mixing ratio of the piezoelectric / electric distortion ceramic material and the photosensitive resin should be determined.

감광성 수지 자체가 다양한 점도를 가지고 있으므로 압전/전왜 세라믹물질과 감광성 수지의 혼합비를 일률적으로 결정할 수는 없으며, 경화 후 우수한 미세구조와 우수한 기계적/전기적 특성을 가지도록 하기 위해서는 감광성 수지의 점도를 고려하여 혼합되는 압전/전왜 세라믹물질의 양을 조절하여야 한다.Since the photosensitive resin itself has various viscosities, it is not possible to uniformly determine the mixing ratio of the piezoelectric / electric warp ceramic material and the photosensitive resin, and in order to have excellent microstructure and excellent mechanical / electrical properties after curing, The amount of piezoelectric / electric warp ceramic material to be mixed should be controlled.

감광성 수지가 압전/전왜 세라믹물질간의 연결을 저해하지 않는 범위에서 압전/전왜 세라믹물질의 입자사이의 공극을 효과적으로 채워 경화 후에 전체적인 구조 및 강도를 유지할 수 있는 혼합비를 선택하는 것이 가장 이상적이다.It is most ideal to select a mixing ratio that can effectively maintain the overall structure and strength after curing by filling the voids between the particles of the piezoelectric / electrostrictive ceramic material in a range in which the photosensitive resin does not inhibit the connection between the piezoelectric / electrostrictive ceramic material.

이때 압전/전왜층은 감광성 수지와 혼합한 압전/전왜 세라믹 페이스트를 프린팅이나 코팅 등의 방법으로 하부전극의 상부에 직접 도포하여 막을 성형한다. 성형된 압전/전왜층은 자연건조시키거나 열처리하여 경화시켜 압전/전왜층을 형성한다.At this time, the piezoelectric / distortion layer forms a film by directly applying the piezoelectric / electrical distortion ceramic paste mixed with the photosensitive resin to the upper portion of the lower electrode by printing or coating. The formed piezoelectric / distortion layer may be cured by air drying or heat treatment to form a piezoelectric / electric distortion layer.

또한 감광성 수지와 혼합한 압전/전왜 세라믹 페이스트를 별도로 막의 형태로 성형하여 경화시킨 후 상부전극위에 라미네이팅시켜 압전/전왜층을 형성할 수도 있다.In addition, the piezoelectric / distortion ceramic paste mixed with the photosensitive resin may be formed and cured separately in the form of a film, and then laminated on the upper electrode to form the piezoelectric / electric distortion layer.

형성된 압전/전왜층의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극을 성형한다.The upper electrode is formed by using a mixture of photosensitive resin and metal on top of the formed piezoelectric / distortion layer.

이때에도 금속에 혼합하는 감광성 수지로는 전도성 UV 접착제를 사용하거나, 금속과 킬레이트를 이루는 유기물을 변형시킨 변형물을 사용하는 것이 바람직하다.At this time, as the photosensitive resin to be mixed with the metal, it is preferable to use a conductive UV adhesive, or to use a modified product in which the organic material forming the chelate with the metal is modified.

성형된 상부전극은 자연건조시키거나 열처리하여 경화시켜 상부전극을 형성한다.The molded upper electrode is naturally dried or hardened by heat treatment to form the upper electrode.

상기와 같이 형성된 상부전극을 원하는 패턴으로 마스킹하여 필요한 부분이 노광에 의하여 제거되지 않도록 한다. 이때 마스킹수단으로는 섀도우 마스크나 포토레지스터를 사용하는 것이 바람직하다.The upper electrode formed as described above is masked in a desired pattern so that necessary portions are not removed by exposure. In this case, it is preferable to use a shadow mask or a photoresist as the masking means.

마스킹을 한 후 노광을 하여 압전/전왜층 및 상부전극 중 광에 노출되는 부분을 제거하여 세라믹 디바이스를 완성한다. 하부전극으로 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용한 경우에는 하부전극도 패터닝될 것이나 하부전극으로 금속만을 사용한 경우에는 하부전극은 제거되지 않고 잔존하게 된다.After masking and exposing, the ceramic device is completed by removing portions of the piezoelectric / distortion layer and the upper electrode exposed to light. When the mixture of the photosensitive resin and the metal is used as the lower electrode, the lower electrode is also patterned. However, when only the metal is used as the lower electrode, the lower electrode is not removed but remains.

상기의 공정에 의하여 제조된 세라믹 디바이스는 그대로 사용할 수도 있으며, 세라믹 디바이스를 열처리하여 하부전극, 압전/전왜층 및 상부전극 내에 존재하는 유기물을 소성한 후 사용할 수도 있다. 금속기판의 경우에는 금속의 특성상 고온에서의 열처리가 어려우므로 200-500℃에서 열처리를 하는 것이 바람직하며, 세라믹기판의 경우에는 500-1200℃에서 열처리를 하는 것이 바람직하다.The ceramic device manufactured by the above process may be used as it is, or may be used after the ceramic device is heat-treated to sinter organic materials present in the lower electrode, piezoelectric / distortion layer, and upper electrode. In the case of a metal substrate, heat treatment at a high temperature is difficult due to the characteristics of the metal, so heat treatment is preferably performed at 200-500 ° C., and in the case of a ceramic substrate, heat treatment at 500-1200 ° C. is preferable.

다음으로 각 층을 형성하고 패터닝하는 단계를 반복하여 세라믹 디바이스를 제조하는 본 발명의 방법에 대하여 설명한다.Next, the method of the present invention for producing a ceramic device by repeating the steps of forming and patterning each layer will be described.

이 경우에도 금속을 기판으로 사용하는 경우에는 별도의 하부전극을 형성할 필요가 없으나, 세라믹을 기판으로 사용하는 경우에는 기판에 하부전극층을 형성한다.Also in this case, when using a metal as a substrate, it is not necessary to form a separate lower electrode, when using a ceramic as a substrate to form a lower electrode layer on the substrate.

하부전극을 패터닝하지 않고 그대로 사용하고자 하는 경우에는 하부전극으로 감광성 수지가 포함되지 않은 금속을 사용하고, 하부전극도 패터닝하고자 하는 경우에는 하부전극으로 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용한다.When the lower electrode is to be used without patterning, a metal containing no photosensitive resin is used as the lower electrode, and when the lower electrode is to be patterned, a mixture of the photosensitive resin and the metal is used as the lower electrode.

하부전극으로 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용한 경우에는 하부전극을 상기에서 설명한 바와 같은 방법으로 마스킹하고 노광하여 불필요한 부분을 제거한다.When a mixture of photosensitive resin and metal is used as the lower electrode, the lower electrode is masked and exposed in the same manner as described above to remove unnecessary portions.

성형된 하부전극은 열처리하거나, 자연건조 또는 열처리에 의하여 경화시켜 하부전극을 형성한다.The molded lower electrode is heat treated or cured by natural drying or heat treatment to form the lower electrode.

하부전극층의 상부에 감광성 수지를 포함한 압전/전왜 세라믹 혼합체를 사용하여 압전/전왜층을 성형한다. 성형된 압전/전왜층은 자연건조시키거나 열처리에 의하여 경화시켜 압전/전왜층을 형성한다.The piezoelectric / distortion layer is formed on the lower electrode layer by using a piezoelectric / electrical distortion ceramic mixture including a photosensitive resin. The molded piezoelectric / distortion layer is naturally dried or cured by heat treatment to form a piezoelectric / electric distortion layer.

감광성 수지와 압전/전왜 세라믹의 혼합체로는 상기에서 설명한 바와 같은 물질들을 사용한다.As the mixture of the photosensitive resin and the piezoelectric / distortion ceramic, the materials described above are used.

이때에도 압전/전왜층은 감광성 수지와 혼합한 압전/전왜 세라믹 페이스트를 프린팅이나 코팅 등의 방법으로 하부전극의 상부에 직접 도포하여 막을 성형한다. 성형된 압전/전왜층은 자연건조시키거나 열처리하여 경화시켜 압전/전왜층을 형성한다.At this time, the piezoelectric / distortion layer forms a film by directly applying the piezoelectric / distortion ceramic paste mixed with the photosensitive resin to the upper portion of the lower electrode by printing or coating. The formed piezoelectric / distortion layer may be cured by air drying or heat treatment to form a piezoelectric / electric distortion layer.

또한 감광성 수지와 혼합한 압전/전왜 세라믹 페이스트를 별도로 막의 형태로 성형하여 경화시킨 후 상부전극위에 라미네이팅시켜 압전/전왜층을 형성할 수도 있다.In addition, the piezoelectric / distortion ceramic paste mixed with the photosensitive resin may be formed and cured separately in the form of a film, and then laminated on the upper electrode to form the piezoelectric / electric distortion layer.

형성된 압전/전왜층을 마스킹하고 노광하여 불필요한 부분을 제거한다.The formed piezoelectric / distortion layer is masked and exposed to remove unnecessary portions.

패터닝된 압전/전왜층의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극을 성형한다. 성형된 상부전극은 자연건조시키거나 열처리하여 경화시켜 상부전극을 형성한다.The upper electrode is formed by using a mixture of photosensitive resin and metal on top of the patterned piezoelectric / distortion layer. The molded upper electrode is naturally dried or hardened by heat treatment to form the upper electrode.

이때 사용하는 상부전극용 물질도 상기에서 설명한 바와 같은 물질을 사용할 수 있다.In this case, the material for the upper electrode may be used as described above.

형성된 상부전극을 원하는 패턴으로 마스킹하고 노광하여 불필요한 부분을 제거하여 세라믹 디바이스를 완성한다.The formed upper electrode is masked and exposed in a desired pattern to remove unnecessary portions to complete the ceramic device.

상기의 공정에 의하여 제조된 세라믹 디바이스는 그대로 사용할 수도 있으며, 세라믹 디바이스를 열처리하여 하부전극, 압전/전왜층 및 상부전극 내에 존재하는 유기물을 소성한 후 사용할 수도 있다. 금속기판의 경우에는 금속의 특성상 고온에서의 열처리가 어려우므로 200-500℃에서 열처리를 하는 것이 바람직하며, 세라믹기판의 경우에는 500-1200℃에서 열처리를 하는 것이 바람직하다.The ceramic device manufactured by the above process may be used as it is, or may be used after the ceramic device is heat-treated to sinter organic materials present in the lower electrode, piezoelectric / distortion layer, and upper electrode. In the case of a metal substrate, heat treatment at a high temperature is difficult due to the characteristics of the metal, so heat treatment is preferably performed at 200-500 ° C., and in the case of a ceramic substrate, heat treatment at 500-1200 ° C. is preferable.

이하 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 각 층을 형성한 후 한번에 노광하여 패터닝을 함으로써 세라믹 디바이스를 제조하는 방법을 나타낸 것이다.1 shows a method of manufacturing a ceramic device by exposing and patterning at one time after forming each layer.

먼저 기판(10)의 상부에 감광성 수지를 포함하지 않은 금속으로 하부전극(12)을 형성한다. 형성된 하부전극(12)의 상부에 감광성 수지와 세라믹의 혼합체를 사용하여 압전/전왜층(14)을 형성한다.First, the lower electrode 12 is formed of a metal that does not contain photosensitive resin on the substrate 10. The piezoelectric / electric strain layer 14 is formed on the lower electrode 12 by using a mixture of photosensitive resin and ceramic.

형성된 압전/전왜층(14)의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극(16)을 형성한다.The upper electrode 16 is formed on the formed piezoelectric / distortion layer 14 by using a mixture of photosensitive resin and metal.

상부전극(16)을 원하는 패턴으로 마스킹한 후 노광한다. 노광에 의하여 감광성 수지가 포함된 압전/전왜층(14)과 상부전극(16)이 원하는 패턴으로 패터닝되어 세라믹 디바이스가 완성된다.The upper electrode 16 is masked in a desired pattern and then exposed. By the exposure, the piezoelectric / electric strain layer 14 and the upper electrode 16 containing the photosensitive resin are patterned in a desired pattern to complete the ceramic device.

도 2는 각 층을 형성한 후 한번에 노광하여 패터닝을 함으로써 세라믹 디바이스를 제조하는 다른 방법을 나타낸 것이다.FIG. 2 shows another method of manufacturing a ceramic device by patterning by exposing once and then forming each layer.

기판(20)의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 하부전극(22)을 형성한다. 형성된 하부전극(22)의 상부에 감광성 수지와 세라믹의 혼합체를 사용하여 압전/전왜층(24)을 형성한다.The lower electrode 22 is formed on the substrate 20 using a mixture of photosensitive resin and metal. The piezoelectric / electric strain layer 24 is formed on the lower electrode 22 by using a mixture of photosensitive resin and ceramic.

형성된 압전/전왜층(24)의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극(26)을 형성한다.The upper electrode 26 is formed on the formed piezoelectric / distortion layer 24 by using a mixture of photosensitive resin and metal.

형성된 상부전극(26)을 원하는 패턴으로 마스킹한 후 노광한다. 노광에 의하여 감광성 수지가 포함된 하부전극(22), 압전/전왜층(24) 및 상부전극(26)이 원하는 패턴으로 패터닝되어 세라믹 디바이스가 완성된다.The formed upper electrode 26 is masked in a desired pattern and then exposed. By exposure, the lower electrode 22 containing the photosensitive resin, the piezoelectric / electric strain layer 24 and the upper electrode 26 are patterned in a desired pattern to complete the ceramic device.

도 3은 각 층을 형성하고 노광하여 패터닝하는 단계를 반복함으로써 세라믹 디바이스를 제조하는 방법을 나타낸 것이다.3 shows a method of manufacturing a ceramic device by repeating the steps of forming, exposing and patterning each layer.

기판(30)의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 하부전극(32)을 형성한 후 마스킹하고 노광하여 패터닝한다.The lower electrode 32 is formed on the substrate 30 using a mixture of photosensitive resin and metal, and then masked and exposed and patterned.

패터닝된 하부전극(32)의 상부에 감광성 수지와 세라믹의 혼합체를 사용하여 압전/전왜층(34)을 형성한 후 마스킹하고 노광하여 패터닝한다.The piezoelectric / electric strain layer 34 is formed on the patterned lower electrode 32 by using a mixture of photosensitive resin and ceramic, and then patterned by masking and exposing.

패터닝된 압전/전왜층(34)의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극(36)을 형성한 후 마스킹하고 노광하여 패터닝함으로써 세라믹 디바이스를 완성한다.The ceramic device is completed by forming the upper electrode 36 using a mixture of photosensitive resin and metal on the patterned piezoelectric / electric strain layer 34 and then masking and exposing it.

도 4는 각 층을 형성하고 노광하여 패터닝하는 단계를 반복함으로써 세라믹 디바이스를 제조하는 다른 방법을 나타낸 것이다.4 illustrates another method of making a ceramic device by repeating the steps of forming, exposing and patterning each layer.

기판(40)의 상부에 감광성 수지를 포함하지 않은 금속으로 하부전극(42)을 형성한다.The lower electrode 42 is formed of a metal that does not contain the photosensitive resin on the substrate 40.

형성된 하부전극(42)의 상부에 감광성 수지와 세라믹의 혼합체를 사용하여 압전/전왜층(44)을 형성한 후 마스킹하고 노광하여 패터닝한다.The piezoelectric / electric strain layer 44 is formed on the lower electrode 42 by using a mixture of photosensitive resin and ceramic, and then patterned by masking and exposing.

패터닝된 압전/전왜층(44)의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극(46)을 형성한 후 마스킹하고 노광하여 패터닝함으로써 세라믹 디바이스를 완성한다.The ceramic device is completed by forming an upper electrode 46 using a mixture of photosensitive resin and metal on the patterned piezoelectric / electric strain layer 44, and masking and exposing the pattern.

도 5는 각 층을 형성한 후 한번에 노광하여 패터닝을 함으로써 세라믹 디바이스를 제조하는 다른 방법을 나타낸 것이다.FIG. 5 shows another method of manufacturing a ceramic device by patterning by exposing once and then forming each layer.

금속기판(50)의 상부에 감광성 수지와 세라믹의 혼합체를 사용하여 압전/전왜층(54)을 형성한다.The piezoelectric / distortion layer 54 is formed on the metal substrate 50 using a mixture of photosensitive resin and ceramic.

형성된 압전/전왜층(54)의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극(56)을 형성한다.The upper electrode 56 is formed on the formed piezoelectric / distortion layer 54 by using a mixture of photosensitive resin and metal.

형성된 상부전극(56)을 원하는 패턴으로 마스킹한 후 노광한다. 노광에 의하여 감광성 수지가 포함된 압전/전왜층(54) 및 상부전극(56)이 원하는 패턴으로 패터닝되어 세라믹 디바이스가 완성된다.The formed upper electrode 56 is masked in a desired pattern and then exposed. By the exposure, the piezoelectric / electric strain layer 54 and the upper electrode 56 containing the photosensitive resin are patterned in a desired pattern to complete the ceramic device.

도 6은 각 층을 형성하고 노광하여 패터닝하는 단계를 반복함으로써 세라믹 디바이스를 제조하는 방법의 일실시예를 나타낸 것이다.Figure 6 illustrates one embodiment of a method for manufacturing a ceramic device by repeating the steps of forming, exposing and patterning each layer.

금속기판(60)의 상부에 감광성 수지와 세라믹의 혼합체를 사용하여 압전/전왜층(64)을 형성한 후 마스킹하고 노광하여 패터닝한다.The piezoelectric / distortion layer 64 is formed by using a mixture of photosensitive resin and ceramic on the upper portion of the metal substrate 60, and then masked and exposed and patterned.

패터닝된 압전/전왜층(64)의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극(66)을 형성한 후 마스킹하고 노광하여 패터닝함으로써 세라믹 디바이스를 완성한다.The upper electrode 66 is formed by using a mixture of photosensitive resin and metal on the patterned piezoelectric / electric distortion layer 64, and then masked, exposed and patterned to complete the ceramic device.

이하 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 그러나 다음의 실시예들은 본 발명을 예시하는 것으로 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the following examples are illustrative of the invention and do not limit the scope of the invention.

(실시예 1)(Example 1)

실리콘 기판 위에 은 본드(Ag bond)를 스크린 프린팅하고 열처리하여 하부전극을 성형하였다.The bottom electrode was formed by screen printing and heat treatment of an Ag bond on a silicon substrate.

비폭발성 산화/환원 연소반응에 의하여 제조한 입경 0.5㎛ 이하의 PZT-PMN계 압전/전왜 미세분말과 글리콜계 PZT졸과 자외선 경화형 수지와 점도조절제를 7:1:1:1의 중량비로 혼합하여 제조한 압전/전왜 세라믹 복합체를 하부전극 위에 전면도포하였다.PZT-PMN piezoelectric / electric distortion micropowder with a particle size of 0.5 μm or less prepared by non-explosive oxidation / reduction combustion reaction, glycol-based PZT sol, ultraviolet curable resin, and viscosity modifier were mixed in a weight ratio of 7: 1: 1: 1. The prepared piezoelectric / distortion ceramic composite was coated over the lower electrode.

이때 점도조절제로는 알파터피네올에 에틸셀룰로즈를 용해시킨 것을 사용하였다.At this time, as the viscosity modifier was used was dissolved ethyl cellulose in alpha terpineol.

건조된 압전/전왜 세라믹 복합체층위에 자외선 경화성 은 본드를 스크린프린팅으로 전면도포하고 건조하여 상부전극을 형성하였다.The UV curable silver bond was applied onto the dried piezoelectric / electric warp ceramic composite layer by screen printing and dried to form an upper electrode.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세 패터닝된 세라믹 디바이스를 제조하였다.The micropatterned stainless steel mask was attached to the top, irradiated with ultraviolet light to cure the exposed portion, and then the uncured portion was washed with a solvent to prepare a fine patterned ceramic device.

(실시예 2)(Example 2)

실리콘 기판 위에 은 본드를 스크린 프린팅하고 열처리하여 하부전극을 성형하였다.A silver bond was screen printed on the silicon substrate and heat treated to form a lower electrode.

비폭발성 산화/환원 연소반응에 의하여 제조한 입경 0.5㎛ 이하의 PZT-PMN계 압전/전왜 미세분말과 글리콜계 PZT졸과 자외선 경화형 수지와 점도조절제를 7:1:1:1의 중량비로 혼합하여 제조한 압전/전왜 세라믹 복합체를 하부전극 위에 전면도포하였다.PZT-PMN piezoelectric / electric distortion micropowder with a particle size of 0.5 μm or less prepared by non-explosive oxidation / reduction combustion reaction, glycol-based PZT sol, ultraviolet curable resin, and viscosity modifier were mixed in a weight ratio of 7: 1: 1: 1. The prepared piezoelectric / distortion ceramic composite was coated over the lower electrode.

이 때 점도조절제로는 트리에틸렌글리콜을 사용하였다.At this time, triethylene glycol was used as a viscosity regulator.

건조된 압전/전왜 세라믹 복합체층위에 자외선 경화성 은 본드를 스크린프린팅으로 전면도포하고 건조하여 상부전극을 형성하였다.The UV curable silver bond was applied onto the dried piezoelectric / electric warp ceramic composite layer by screen printing and dried to form an upper electrode.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세 패터닝된 세라믹 디바이스를 제조하였다.The micropatterned stainless steel mask was attached to the top, irradiated with ultraviolet light to cure the exposed portion, and then the uncured portion was washed with a solvent to prepare a fine patterned ceramic device.

상기 제조한 세라믹 디바이스를 800℃에서 열처리하여 압전/전왜층과 상부전극에 포함된 유기물들을 소성하였다.The prepared ceramic device was heat-treated at 800 ° C. to sinter organic materials included in the piezoelectric / distortion layer and the upper electrode.

(실시예 3)(Example 3)

산화알루미늄 기판 위에 자외선 경화형 은 본드를 스크린 프린팅으로 전면도포하고 건조하여 하부전극을 형성하였다.The UV-curable silver bond was coated on the aluminum oxide substrate by screen printing and dried to form a lower electrode.

비폭발성 산화/환원 연소반응에 의하여 제조한 입경 0.1㎛ 이하의 압전/전왜 미세분말과 글리콜계 PZT 졸과 자외선 경화형 수지를 7:1:2의 중량비로 혼합하고 하부전극 위에 전면도포하고 건조하여 압전/전왜층을 형성하였다.A piezoelectric / electric distortion micropowder with a particle size of 0.1 μm or less prepared by non-explosive oxidation / reduction combustion reaction, a glycol-based PZT sol, and an ultraviolet curable resin are mixed in a weight ratio of 7: 1: 2, coated on the lower electrode, dried, and piezoelectric. / An electric distortion layer was formed.

형성된 압전/전왜층 위에 자외선 경화형 은 본드를 스크린 프린팅으로 전면도포하여 상부전극을 형성하였다.The UV-curable silver bond was coated on the piezoelectric / distortion layer by screen printing to form an upper electrode.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 세라믹 디바이스를 제조하였다.The micropatterned stainless steel mask was attached to the top, irradiated with ultraviolet light to cure the exposed portion, and then the uncured portion was washed with a solvent to prepare a micropatterned ceramic device.

(실시예 4)(Example 4)

산화알루미늄 기판 위에 자외선 경화형 은 본드를 스크린 프린팅으로 전면도포하고 건조하여 하부전극을 형성하였다.The UV-curable silver bond was coated on the aluminum oxide substrate by screen printing and dried to form a lower electrode.

비폭발성 산화/환원 연소반응에 의하여 제조한 입경 0.1㎛ 이하의 압전/전왜 미세분말과 글리콜계 PZT 졸과 자외선 경화형 수지를 7:1:2의 중량비로 혼합하고 하부전극 위에 전면도포하고 건조하여 압전/전왜층을 형성하였다.A piezoelectric / electric distortion micropowder with a particle size of 0.1 μm or less prepared by non-explosive oxidation / reduction combustion reaction, a glycol-based PZT sol, and an ultraviolet curable resin are mixed in a weight ratio of 7: 1: 2, coated on the lower electrode, dried, and piezoelectric. / An electric distortion layer was formed.

형성된 압전/전왜층 위에 자외선 경화형 은 본드를 스크린 프린팅으로 전면도포하여 상부전극을 형성하였다.The UV-curable silver bond was coated on the piezoelectric / distortion layer by screen printing to form an upper electrode.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 세라믹 디바이스를 제조하였다.The micropatterned stainless steel mask was attached to the top, irradiated with ultraviolet light to cure the exposed portion, and then the uncured portion was washed with a solvent to prepare a micropatterned ceramic device.

상기 제조한 세라믹 디바이스를 1000℃에서 열처리하여 압전/전왜층과 상부전극에 포함된 유기물들을 소성하였다.The ceramic device was heat-treated at 1000 ° C. to sinter organic materials included in the piezoelectric / distortion layer and the upper electrode.

(실시예 5)(Example 5)

실리콘 기판 위에 자외선 경화형 은 본드를 스크린 프린팅하고, 패터닝된 마스크를 부착한 상태에서 자외선에 노출시켰다.UV-curable silver bonds were screen printed on the silicon substrate and exposed to ultraviolet light with the patterned mask attached.

용매로 세척하여 경화되지 않은 부분을 제거하여 미세패터닝된 하부전극을 성형하고 열처리하였다.After washing with a solvent to remove the uncured portion to form a fine patterned lower electrode and heat treatment.

비폭발성 산화/환원 연소반응에 의하여 제조한 입경 0.5㎛ 이하의 PZT-PMN계 압전/전왜 미세분말과 자외선 경화형 본드와 바인더를 7:2:1의 중량비로 혼합하여 제조한 압전/전왜 세라믹 복합체를 하부전극 위에 전면도포하였다.PZT-PMN-based piezoelectric / electric distortion micropowders manufactured by non-explosive oxidation / reduction combustion reactions having a particle size of 0.5 μm or less, an ultraviolet curable bond, and a binder in a weight ratio of 7: 2: 1 Full coating was applied on the lower electrode.

이때 바인더로는 알파터피네올에 에틸셀룰로즈를 용해시킨 것을 사용하였다.In this case, ethyl cellulose was dissolved in alpha terpineol.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 압전/전왜층을 제작하였다.A micropatterned stainless steel mask was attached to the top, and the exposed portion was cured by ultraviolet irradiation, and then the uncured portion was washed with a solvent to prepare a micropatterned piezoelectric / electric distortion layer.

건조된 압전/전왜층 위에 은 페이스트를 스크린 프린팅으로 전면도포하고, 마스크를 부착하여 자외선에 노출시켰다. 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 제거하고 건조하여 세라믹 디바이스를 제조하였다.The silver paste was overcoated by screen printing on the dried piezoelectric / electric distortion layer, and a mask was attached and exposed to ultraviolet rays. The uncured portion was removed by washing with solvent and dried to prepare a ceramic device.

(실시예 6)(Example 6)

실리콘 기판 위에 자외선 경화형 은 본드를 스크린 프린팅하고, 패터닝된 마스크를 부착한 상태에서 자외선에 노출시켰다.UV-curable silver bonds were screen printed on the silicon substrate and exposed to ultraviolet light with the patterned mask attached.

용매로 세척하여 경화되지 않은 부분을 제거하여 미세패터닝된 하부전극을 성형하고 열처리하였다.After washing with a solvent to remove the uncured portion to form a fine patterned lower electrode and heat treatment.

비폭발성 산화/환원 연소반응에 의하여 제조한 입경 0.5㎛ 이하의 PZT-PMN계 압전/전왜 미세분말과 자외선 경화형 본드와 바인더를 7:2:1의 중량비로 혼합하여 제조한 압전/전왜 세라믹 복합체를 하부전극 위에 전면도포하였다.PZT-PMN-based piezoelectric / electric distortion micropowders manufactured by non-explosive oxidation / reduction combustion reactions having a particle size of 0.5 μm or less, an ultraviolet curable bond, and a binder in a weight ratio of 7: 2: 1 Full coating was applied on the lower electrode.

이때 바인더로는 디부틸프탈레이트가 소량 첨가된 폴리에틸렌글리콜을 사용하였다.In this case, polyethylene glycol to which a small amount of dibutyl phthalate was added was used.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 압전/전왜층을 제작하였다.A micropatterned stainless steel mask was attached to the top, and the exposed portion was cured by ultraviolet irradiation, and then the uncured portion was washed with a solvent to prepare a micropatterned piezoelectric / electric distortion layer.

건조된 압전/전왜층 위에 은 페이스트를 스크린 프린팅으로 전면도포하고, 마스크를 부착하여 자외선에 노출시켰다. 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 제거하고 건조하여 세라믹 디바이스를 제조하였다.The silver paste was overcoated by screen printing on the dried piezoelectric / electric distortion layer, and a mask was attached and exposed to ultraviolet rays. The uncured portion was removed by washing with solvent and dried to prepare a ceramic device.

상기 제조한 세라믹 디바이스를 800℃에서 열처리하여 압전/전왜층과 상부전극에 포함된 유기물들을 소성하였다.The prepared ceramic device was heat-treated at 800 ° C. to sinter organic materials included in the piezoelectric / distortion layer and the upper electrode.

(실시예 7)(Example 7)

실리콘 기판 위에 백금 페이스트를 스크린 프린팅하여 미세패터닝하고 소결하여 하부전극을 형성하였다.A platinum paste was screen printed on the silicon substrate to fine pattern and sinter the bottom electrode to form a lower electrode.

비폭발성 산화/환원 연소반응에 의하여 제조한 입경 0.5㎛ 이하의 PZT-PMN계 압전/전왜 미세분말과 자외선 경화형 본드를 8:2의 중량비로 혼합하여 제조한 압전/전왜 세라믹 복합체를 하부전극 위에 전면도포하였다.A piezoelectric / electrically distorted ceramic composite prepared by mixing a PZT-PMN-based piezoelectric / electric distortion micropowder having a particle diameter of 0.5 μm or less and an ultraviolet curable bond in a weight ratio of 8: 2 prepared by non-explosive oxidation / reduction combustion reaction on the lower electrode Applied.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 압전/전왜층을 형성하였다.The micropatterned stainless steel mask was attached to the top and irradiated with ultraviolet rays to cure the exposed portion, and then the uncured portion was washed with a solvent to form a micropatterned piezoelectric / electric distortion layer.

건조된 압전/전왜층 위에 은 페이스트를 스크린 프린팅으로 전면도포하고 마스크를 부착하여 자외선에 노출시켰다. 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 제거하고 건조하여 세라믹 디바이스를 제조하였다.The silver paste was overcoated by screen printing on the dried piezoelectric / electric distortion layer and exposed to ultraviolet rays by attaching a mask. The uncured portion was removed by washing with solvent and dried to prepare a ceramic device.

(실시예 8)(Example 8)

실리콘 기판 위에 백금 페이스트를 스크린 프린팅하여 미세패터닝하고 소결하여 하부전극을 형성하였다.A platinum paste was screen printed on the silicon substrate to fine pattern and sinter the bottom electrode to form a lower electrode.

비폭발성 산화/환원 연소반응에 의하여 제조한 입경 0.5㎛ 이하의 PZT-PMN계 압전/전왜 미세분말과 자외선 경화형 본드를 8:2의 중량비로 혼합하여 제조한 압전/전왜 세라믹 복합체를 하부전극 위에 전면도포하였다.A piezoelectric / electrically distorted ceramic composite prepared by mixing a PZT-PMN-based piezoelectric / electric distortion micropowder having a particle diameter of 0.5 μm or less and an ultraviolet curable bond in a weight ratio of 8: 2 prepared by non-explosive oxidation / reduction combustion reaction on the lower electrode Applied.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 압전/전왜층을 형성하였다.The micropatterned stainless steel mask was attached to the top and irradiated with ultraviolet rays to cure the exposed portion, and then the uncured portion was washed with a solvent to form a micropatterned piezoelectric / electric distortion layer.

건조된 압전/전왜층 위에 은 페이스트를 스크린 프린팅으로 전면도포하고 마스크를 부착하여 자외선에 노출시켰다. 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 제거하고 건조하여 세라믹 디바이스를 제조하였다.The silver paste was overcoated by screen printing on the dried piezoelectric / electric distortion layer and exposed to ultraviolet rays by attaching a mask. The uncured portion was removed by washing with solvent and dried to prepare a ceramic device.

상기 제조한 세라믹 디바이스를 800℃에서 열처리하여 압전/전왜층과 상부전극에 포함된 유기물들을 소성하였다.The prepared ceramic device was heat-treated at 800 ° C. to sinter organic materials included in the piezoelectric / distortion layer and the upper electrode.

(실시예 9)(Example 9)

실리콘기판 위에 은 페이스트를 스크린 프린팅하고 열처리하여 하부전극을 형성하였다.The silver paste was screen printed on the silicon substrate and heat-treated to form a lower electrode.

비폭발성 산화/환원연소반응을 이용하여 제조한 입경 0.5㎛ 이하의 PZT-PMN계 압전/전왜 미세분말과 자외선 경화형 본드를 8:2의 중량비로 혼합하여 제조한 압전/전왜 세라믹 복합체를 니켈기판 위에 전면도포하였다.A piezoelectric / electric distortion ceramic composite prepared by mixing a PZT-PMN-based piezoelectric / electric distortion micropowder having a particle diameter of 0.5 μm or less and an ultraviolet curing bond in a weight ratio of 8: 2 using a non-explosive oxidation / reduction combustion reaction on a nickel substrate. Full coating.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고, 자외성을 조사하여 노출된 부분을 경화시켰다. 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 압전/전왜층을 형성하고, 형성된 압전/전왜층을 건조시켰다.A micropatterned stainless steel mask was attached on top, and the exposed portion was cured by ultraviolet irradiation. After curing, the uncured portion was washed with a solvent to form a micropatterned piezoelectric / distortion layer, and the formed piezoelectric / distortion layer was dried.

건조된 압전/전왜층 위에 증착마스크를 부착하고 알루미늄을 진공증착하여 상부전극을 형성하여 세라믹 디바이스를 제조하였다.A ceramic mask was manufactured by attaching a deposition mask on the dried piezoelectric / electric distortion layer and vacuum deposition of aluminum to form an upper electrode.

(실시예 10)(Example 10)

실리콘기판 위에 은 페이스트를 스크린 프린팅하고 열처리하여 하부전극을 형성하였다.The silver paste was screen printed on the silicon substrate and heat-treated to form a lower electrode.

비폭발성 산화/환원연소반응을 이용하여 제조한 입경 0.5㎛ 이하의 PZT-PMN계 압전/전왜 미세분말과 자외선 경화형 본드를 8:2의 중량비로 혼합하여 제조한 압전/전왜 세라믹 복합체를 니켈기판 위에 전면도포하였다.A piezoelectric / electric distortion ceramic composite prepared by mixing a PZT-PMN-based piezoelectric / electric distortion micropowder having a particle diameter of 0.5 μm or less and an ultraviolet curing bond in a weight ratio of 8: 2 using a non-explosive oxidation / reduction combustion reaction on a nickel substrate. Full coating.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고, 자외성을 조사하여 노출된 부분을 경화시켰다. 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 압전/전왜층을 형성하고, 형성된 압전/전왜층을 건조시켰다.A micropatterned stainless steel mask was attached on top, and the exposed portion was cured by ultraviolet irradiation. After curing, the uncured portion was washed with a solvent to form a micropatterned piezoelectric / distortion layer, and the formed piezoelectric / distortion layer was dried.

건조된 압전/전왜층 위에 증착마스크를 부착하고 알루미늄을 진공증착하여 상부전극을 형성하여 세라믹 디바이스를 제조하였다.A ceramic mask was manufactured by attaching a deposition mask on the dried piezoelectric / electric distortion layer and vacuum deposition of aluminum to form an upper electrode.

상기 제조한 세라믹 디바이스를 800℃에서 열처리하여 압전/전왜층과 상부전극에 포함된 유기물들을 소성하였다.The prepared ceramic device was heat-treated at 800 ° C. to sinter organic materials included in the piezoelectric / distortion layer and the upper electrode.

(실시예 11)(Example 11)

스테인레스 스틸 기판 위에 비폭발성 산화/환원 연소반응에 의하여 제조한 입경 0.1㎛ 이하의 PZT계 압전/전왜 미세분말과 글리콜계 PZT졸과 자외선경화형 본드를 7:1:2의 중량비로 혼합하고, 스크린 프린팅으로 하부전극 위에 전면도포하여 건조하였다.A PZT piezoelectric / electric distortion micropowder having a particle size of 0.1 μm or less, a glycol-based PZT sol, and an ultraviolet curing bond, prepared by non-explosive oxidation / reduction combustion reaction, were mixed on a stainless steel substrate in a weight ratio of 7: 1: 2 and screen printing. It was applied to the entire surface over the lower electrode and dried.

건조된 압전/전왜 세라믹 복합체 층 위에 자외선 경화형 은 본드를 스크린 프린팅으로 전면도포하고 건조하였다.The UV curable silver bond was overcoated by screen printing on the dried piezoelectric / distortion ceramic composite layer and dried.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 세라믹 디바이스를 제조하였다.The micropatterned stainless steel mask was attached to the top, irradiated with ultraviolet light to cure the exposed portion, and then the uncured portion was washed with a solvent to prepare a micropatterned ceramic device.

(실시예 12)(Example 12)

스테인레스 스틸 기판 위에 비폭발성 산화/환원 연소반응에 의하여 제조한 입경 0.1㎛ 이하의 PZT계 압전/전왜 미세분말과 글리콜계 PZT졸과 자외선경화형 본드를 7:1:2의 중량비로 혼합하고, 스크린 프린팅으로 하부전극 위에 전면도포하여 건조하였다.A PZT piezoelectric / electric distortion micropowder having a particle size of 0.1 μm or less, a glycol-based PZT sol, and an ultraviolet curing bond, prepared by non-explosive oxidation / reduction combustion reaction, were mixed on a stainless steel substrate in a weight ratio of 7: 1: 2 and screen printing. It was applied to the entire surface over the lower electrode and dried.

건조된 압전/전왜 세라믹 복합체 층 위에 자외선 경화형 은 본드를 스크린 프린팅으로 전면도포하고 건조하였다.The UV curable silver bond was overcoated by screen printing on the dried piezoelectric / distortion ceramic composite layer and dried.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 세라믹 디바이스를 제조하였다.The micropatterned stainless steel mask was attached to the top, irradiated with ultraviolet light to cure the exposed portion, and then the uncured portion was washed with a solvent to prepare a micropatterned ceramic device.

상기 제조한 세라믹 디바이스를 500℃에서 열처리하여 압전/전왜층과 상부전극에 포함된 유기물들을 소성하였다.The ceramic device was heat-treated at 500 ° C. to sinter organic materials included in the piezoelectric / distortion layer and the upper electrode.

(실시예 13)(Example 13)

비폭발성 산화/환원 연소반응을 이용하여 제조한 입경 0.5㎛ 이하의 PZT-PMN계 압전/전왜 미세분말과 자외선 경화형 본드를 8:2의 중량비로 혼합하여 제조한 압전/전왜 세라믹 복합체를 니켈기판 위에 전면도포하였다.A piezoelectric / electric distortion ceramic composite prepared by mixing a PZT-PMN-based piezoelectric / electric distortion micropowder having a particle diameter of 0.5 μm or less and an ultraviolet curing bond in a weight ratio of 8: 2 using a non-explosive oxidation / reduction combustion reaction on a nickel substrate. Full coating.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후, 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 압전/전왜층을 성형하고 건조하였다.After the micropatterned stainless steel mask was attached to the top and irradiated with ultraviolet rays to cure the exposed portions, the uncured portions were washed with a solvent to form and dry the micropatterned piezoelectric / electric distortion layer.

건조된 압전/전왜층 위에 자외선 경화형 은 본드를 전면도포하고, 마스크를 부착하여 자외선에 노출시켰다. 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 세라믹 디바이스를 제조하였다.The UV-curable silver bond was completely coated on the dried piezoelectric / distortion layer and exposed to ultraviolet rays by attaching a mask. The uncured portion was washed with a solvent to produce a micropatterned ceramic device.

(실시예 14)(Example 14)

비폭발성 산화/환원 연소반응을 이용하여 제조한 입경 0.5㎛ 이하의 PZT-PMN계 압전/전왜 미세분말과 자외선 경화형 본드를 8:2의 중량비로 혼합하여 제조한 압전/전왜 세라믹 복합체를 니켈기판 위에 전면도포하였다.A piezoelectric / electric distortion ceramic composite prepared by mixing a PZT-PMN-based piezoelectric / electric distortion micropowder having a particle diameter of 0.5 μm or less and an ultraviolet curing bond in a weight ratio of 8: 2 using a non-explosive oxidation / reduction combustion reaction on a nickel substrate. Full coating.

미세패터닝된 스테인레스 스틸 마스크를 상부에 부착하고 자외선을 조사하여 노출된 부분을 경화시킨 후, 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 압전/전왜층을 성형하고 건조하였다.After the micropatterned stainless steel mask was attached to the top and irradiated with ultraviolet rays to cure the exposed portions, the uncured portions were washed with a solvent to form and dry the micropatterned piezoelectric / electric distortion layer.

건조된 압전/전왜층 위에 자외선 경화형 은 본드를 전면도포하고, 마스크를 부착하여 자외선에 노출시켰다. 경화되지 않은 부분을 용매로 세척하여 미세패터닝된 세라믹 디바이스를 제조하였다.The UV-curable silver bond was completely coated on the dried piezoelectric / electric distortion layer, and a mask was attached and exposed to ultraviolet rays. The uncured portion was washed with a solvent to produce a micropatterned ceramic device.

상기 제조한 세라믹 디바이스를 500℃에서 열처리하여 압전/전왜층과 상부전극에 포함된 유기물들을 소성하였다.The ceramic device was heat-treated at 500 ° C. to sinter organic materials included in the piezoelectric / distortion layer and the upper electrode.

상기와 같은 본 발명의 방법에 의하면 종래의 난이도가 높은 가공법을 이용하지 않고도 형상비가 높은 세라믹 디바이스를 제조할 수 있으며, 수율, 리드 타임 등의 생산성도 우수하다.According to the method of the present invention as described above, a ceramic device having a high aspect ratio can be manufactured without using a conventional high difficulty processing method, and also has excellent productivity such as yield and lead time.

또한 빛을 패터닝 소스로 사용하므로 정밀도가 매우 높아 각 층간이나 하부구조와의 정렬이 매우 정확하며, 상/하부전극간의 쇼트(short)를 구조적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, since light is used as a patterning source, the accuracy is very high, and the alignment between each layer and the substructure is very accurate, and the short between the upper and lower electrodes is structurally prevented.

Claims (30)

세라믹기판을 제공하는 단계와;Providing a ceramic substrate; 상기 기판의 상부에 하부전극을 형성하는 단계와;Forming a lower electrode on the substrate; 상기 하부전극의 상부에 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹 혼합체를 사용하여 압전/전왜층을 형성하는 단계와;Forming a piezoelectric / electric distortion layer on the lower electrode by using a photosensitive resin and a piezoelectric / electric distortion ceramic mixture; 상기 압전/전왜층의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극을 형성하는 단계와;Forming an upper electrode using a mixture of a photosensitive resin and a metal on top of the piezoelectric / distortion layer; 상기 상부전극을 원하는 패턴으로 마스킹하고 노광하여 압전/전왜층과 상부전극을 패터닝하는 단계를 포함하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.Masking and exposing the upper electrode in a desired pattern to pattern the piezoelectric / electrically distorted layer and the upper electrode, the method of manufacturing a ceramic device using a mixture of photosensitive resin. 제 1 항에 있어서, 제조된 세라믹 디바이스를 500-1200℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method of claim 1, further comprising heat-treating the manufactured ceramic device at 500-1200 ° C. 제 1 항에 있어서, 세라믹으로는 산화알루미늄, 산화지르코늄, 규소, 탄화규소, 질화규소, 이산화규소, 유리 중 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin according to claim 1, wherein the ceramic is selected from aluminum oxide, zirconium oxide, silicon, silicon carbide, silicon nitride, silicon dioxide, and glass. 제 1 항에 있어서, 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹의 혼합체로는 감광성 복합제(complexing agent)를 포함하는 세라믹졸 용액, 자외선 경화형 수지와 세라믹분말의 혼합체, 자외선 경화성 수지와 세라믹분말의 혼합체에 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액을 혼합한 것, 또는 자외선 경화성 수지와 세라믹분말과 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액 혼합체에 물성조절용 유기용매를 추가로 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The ceramic powder of claim 1, wherein the mixture of the photosensitive resin and the piezoelectric / electric distortion ceramic is a ceramic sol solution containing a photosensitive complexing agent, a mixture of an ultraviolet curable resin and a ceramic powder, and a mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder. Or a mixture of a ceramic sol solution having the same or similar composition as that of the mixture, or a mixture of an ultraviolet curable resin, a ceramic powder, and a ceramic sol solution having the same or similar composition as the ceramic powder. The manufacturing method of the ceramic device using the mixture with photosensitive resin to make. 제 1 항에 있어서, 금속과 혼합체를 형성하기 위한 감광성 수지로는 전도성 UV접착제, 또는 금속과 킬레이트를 이루는 유기물의 변형물을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin according to claim 1, wherein a photosensitive resin for forming a mixture with a metal is used as a conductive UV adhesive or a modified substance of an organic substance chelating with the metal. . 세라믹기판을 제공하는 단계와;Providing a ceramic substrate; 상기 기판의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 하부전극을 형성하는 단계와;Forming a lower electrode on the substrate by using a mixture of photosensitive resin and metal; 상기 하부전극의 상부에 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹 혼합체를 사용하여 압전/전왜층을 형성하는 단계와;Forming a piezoelectric / electric distortion layer on the lower electrode by using a photosensitive resin and a piezoelectric / electric distortion ceramic mixture; 상기 압전/전왜층의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극을 형성하는 단계와;Forming an upper electrode using a mixture of a photosensitive resin and a metal on top of the piezoelectric / distortion layer; 상기 상부전극을 원하는 패턴으로 마스킹하고 노광하여 하부전극과 압전/전왜층과 상부전극을 패터닝하는 단계를 포함하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.Masking and exposing the upper electrode in a desired pattern to pattern the lower electrode, the piezoelectric / distortion layer, and the upper electrode. 제 6 항에 있어서, 제조된 세라믹 디바이스를 500-1200℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method of claim 6, further comprising heat-treating the manufactured ceramic device at 500-1200 ° C. 7. 제 6 항에 있어서, 세라믹으로는 산화알루미늄, 산화지르코늄, 규소, 탄화규소, 질화규소, 이산화규소, 유리 중 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin according to claim 6, wherein the ceramic is selected from aluminum oxide, zirconium oxide, silicon, silicon carbide, silicon nitride, silicon dioxide, and glass. 제 6 항에 있어서, 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹의 혼합체로는 감광성 복합제를 포함하는 세라믹졸 용액, 자외선 경화형 수지와 세라믹분말의 혼합체, 자외선 경화성 수지와 세라믹분말의 혼합체에 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액을 혼합한 것, 또는 자외선 경화성 수지와 세라믹분말과 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액 혼합체에 물성조절용 유기용매를 추가로 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The mixture of the photosensitive resin and the piezoelectric / electric distortion ceramic according to claim 6, wherein the ceramic sol solution containing the photosensitive composite agent, the mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder, the mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder are the same as or similar to the ceramic powder. A photosensitive resin comprising a mixture of a ceramic sol solution having a composition or an ultraviolet curable resin and a ceramic sol solution mixture having the same or similar composition as that of the ceramic powder and the ceramic powder. Method for producing a ceramic device using a mixture of. 제 6 항에 있어서, 금속과 혼합체를 형성하기 위한 감광성 수지로는 전도성 UV접착제, 또는 금속과 킬레이트를 이루는 유기물의 변형물을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.7. The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin according to claim 6, wherein a photosensitive resin for forming a mixture with a metal is used as a conductive UV adhesive or a modification of an organic material chelating with the metal. . 세라믹기판을 제공하는 단계와;Providing a ceramic substrate; 상기 기판의 상부에 하부전극을 형성하는 단계와;Forming a lower electrode on the substrate; 상기 하부전극의 상부에 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹 혼합체를 사용하여 압전/전왜층을 형성하는 단계와;Forming a piezoelectric / electric distortion layer on the lower electrode by using a photosensitive resin and a piezoelectric / electric distortion ceramic mixture; 상기 압전/전왜층을 마스킹하고 노광하여 패터닝하는 단계와;Masking and exposing the piezoelectric / distortion layer to patterning; 상기 압전/전왜층의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극을 형성하는 단계와;Forming an upper electrode using a mixture of a photosensitive resin and a metal on top of the piezoelectric / distortion layer; 상기 상부전극을 마스킹하고 노광하여 패터닝하는 단계를 포함하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.Masking, exposing and patterning the upper electrode, a method of manufacturing a ceramic device using a mixture with photosensitive resin. 제 11 항에 있어서, 제조된 세라믹 디바이스를 500-1200℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.12. The method of claim 11, further comprising heat-treating the manufactured ceramic device at 500-1200 ° C. 제 11 항에 있어서, 세라믹으로는 산화알루미늄, 산화지르코늄, 규소, 탄화규소, 질화규소, 이산화규소, 유리 중 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin according to claim 11, wherein the ceramic is selected from aluminum oxide, zirconium oxide, silicon, silicon carbide, silicon nitride, silicon dioxide, and glass. 제 11 항에 있어서, 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹의 혼합체로는 감광성 복합제를 포함하는 세라믹졸 용액, 자외선 경화형 수지와 세라믹분말의 혼합체, 자외선 경화성 수지와 세라믹분말의 혼합체에 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액을 혼합한 것, 또는 자외선 경화성 수지와 세라믹분말과 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액 혼합체에 물성조절용 유기용매를 추가로 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.12. The mixture of the photosensitive resin and the piezoelectric / electric distortion ceramic according to claim 11, which is the same as or similar to the ceramic powder in the ceramic sol solution containing the photosensitive composite agent, the mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder, and the mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder. A photosensitive resin comprising a mixture of a ceramic sol solution having a composition or an ultraviolet curable resin and a ceramic sol solution mixture having the same or similar composition as that of the ceramic powder and the ceramic powder. Method for producing a ceramic device using a mixture of. 제 11 항에 있어서, 금속과 혼합체를 형성하기 위한 감광성 수지로는 전도성 UV접착제, 또는 금속과 킬레이트를 이루는 유기물의 변형물을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.12. The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin according to claim 11, wherein a photosensitive resin for forming a mixture with a metal is used as a conductive UV adhesive or a modification of an organic material chelating with a metal. . 세라믹기판을 제공하는 단계와;Providing a ceramic substrate; 상기 기판의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 하부전극을 형성하는 단계와;Forming a lower electrode on the substrate by using a mixture of photosensitive resin and metal; 상기 하부전극을 마스킹하고 노광하여 패터닝하는 단계와;Masking, exposing and patterning the lower electrode; 상기 하부전극의 상부에 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹 혼합체를 사용하여 압전/전왜층을 형성하는 단계와;Forming a piezoelectric / electric distortion layer on the lower electrode by using a photosensitive resin and a piezoelectric / electric distortion ceramic mixture; 상기 압전/전왜층을 마스킹하고 노광하여 패터닝하는 단계와;Masking and exposing the piezoelectric / distortion layer to patterning; 상기 압전/전왜층의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극을 형성하는 단계와;Forming an upper electrode using a mixture of a photosensitive resin and a metal on top of the piezoelectric / distortion layer; 상기 상부전극을 노광하여 패터닝하는 단계를 포함하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.A method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin comprising the step of exposing and patterning the upper electrode. 제 16 항에 있어서, 제조된 세라믹 디바이스를 500-1200℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method of claim 16, further comprising heat-treating the manufactured ceramic device at 500-1200 ° C. 18. 제 16 항에 있어서, 세라믹으로는 산화알루미늄, 산화지르코늄, 규소, 탄화규소, 질화규소, 이산화규소, 유리 중 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin according to claim 16, wherein the ceramic is selected from aluminum oxide, zirconium oxide, silicon, silicon carbide, silicon nitride, silicon dioxide, and glass. 제 16 항에 있어서, 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹의 혼합체로는 감광성 복합제를 포함하는 세라믹졸 용액, 자외선 경화형 수지와 세라믹분말의 혼합체, 자외선 경화성 수지와 세라믹분말의 혼합체에 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액을 혼합한 것, 또는 자외선 경화성 수지와 세라믹분말과 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액 혼합체에 물성조절용 유기용매를 추가로 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.17. The mixture of the photosensitive resin and the piezoelectric / electric distortion ceramic according to claim 16, which is the same as or similar to the ceramic powder in the ceramic sol solution containing the photosensitive composite agent, the mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder, and the mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder. A photosensitive resin comprising a mixture of a ceramic sol solution having a composition or an ultraviolet curable resin and a ceramic sol solution mixture having the same or similar composition as that of the ceramic powder and the ceramic powder. Method for producing a ceramic device using a mixture of. 제 16 항에 있어서, 금속과 혼합체를 형성하기 위한 감광성 수지로는 전도성 UV 접착제, 또는 금속과 킬레이트를 이루는 유기물의 변형물을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin according to claim 16, wherein a photosensitive resin for forming a mixture with a metal is used as a conductive UV adhesive or a modification of an organic material chelating with the metal. . 금속기판을 제공하는 단계와;Providing a metal substrate; 상기 금속기판의 상부에 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹 혼합체를 사용하여 압전/전왜층을 형성하는 단계와;Forming a piezoelectric / electric strainer layer on the metal substrate by using a photosensitive resin and a piezoelectric / distortion ceramic mixture; 상기 압전/전왜층의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극을 형성하는 단계와;Forming an upper electrode using a mixture of a photosensitive resin and a metal on top of the piezoelectric / distortion layer; 상기 상부전극을 원하는 패턴으로 마스킹하고 노광하여 압전/전왜층과 상부전극을 패터닝하는 단계를 포함하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.Masking and exposing the upper electrode in a desired pattern to pattern the piezoelectric / electrically distorted layer and the upper electrode, the method of manufacturing a ceramic device using a mixture of photosensitive resin. 제 21 항에 있어서, 제조된 세라믹 디바이스를 200-500℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.22. The method of claim 21, further comprising heat-treating the manufactured ceramic device at 200-500 ° C. 제 21 항에 있어서, 금속기판으로는 니켈 또는 스테인레스 스틸을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method for manufacturing a ceramic device using a mixture with photosensitive resin according to claim 21, wherein nickel or stainless steel is used as the metal substrate. 제 21 항에 있어서, 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹의 혼합체로는 감광성 복합제를 포함하는 세라믹졸 용액, 자외선 경화형 수지와 세라믹분말의 혼합체, 자외선 경화성 수지와 세라믹분말의 혼합체에 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액을 혼합한 것, 또는 자외선 경화성 수지와 세라믹분말과 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액 혼합체에 물성조절용 유기용매를 추가로 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.22. The method of claim 21, wherein the mixture of photosensitive resin and piezoelectric / electric warp ceramic is the same or similar to the ceramic powder in the ceramic sol solution containing the photosensitive composite, the mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder, and the mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder. A photosensitive resin comprising a mixture of a ceramic sol solution having a composition or an ultraviolet curable resin and a ceramic sol solution mixture having the same or similar composition as that of the ceramic powder and the ceramic powder. Method for producing a ceramic device using a mixture of. 제 21 항에 있어서, 금속과 혼합체를 형성하기 위한 감광성 수지로는 전도성 UV 접착제, 또는 금속과 킬레이트를 이루는 유기물의 변형물을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.22. The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin according to claim 21, wherein a photosensitive resin for forming a mixture with a metal is used as a conductive UV adhesive or a modification of an organic substance chelating with the metal. . 금속기판을 제공하는 단계와;Providing a metal substrate; 상기 금속기판의 상부에 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹 혼합체를 사용하여 압전/전왜층을 형성하는 단계와;Forming a piezoelectric / electric strainer layer on the metal substrate by using a photosensitive resin and a piezoelectric / distortion ceramic mixture; 상기 압전/전왜층을 마스킹하고 노광하여 패터닝하는 단계와;Masking and exposing the piezoelectric / distortion layer to patterning; 상기 압전/전왜층의 상부에 감광성 수지와 금속의 혼합체를 사용하여 상부전극을 형성하는 단계와;Forming an upper electrode using a mixture of a photosensitive resin and a metal on top of the piezoelectric / distortion layer; 상기 상부전극을 마스킹하고 노광하여 패터닝하는 단계를 포함하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.Masking, exposing and patterning the upper electrode, a method of manufacturing a ceramic device using a mixture with photosensitive resin. 제 26 항에 있어서, 제조된 세라믹 디바이스를 200-500℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.27. The method of claim 26, further comprising heat-treating the manufactured ceramic device at 200-500 占 폚. 제 26 항에 있어서, 금속기판으로는 니켈 또는 스테인레스 스틸을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with photosensitive resin according to claim 26, wherein nickel or stainless steel is used as the metal substrate. 제 26 항에 있어서, 감광성 수지와 압전/전왜 세라믹의 혼합체로는 감광성 복합제를 포함하는 세라믹졸 용액, 자외선 경화형 수지와 세라믹분말의 혼합체, 자외선 경화성 수지와 세라믹분말의 혼합체에 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액을 추가로 혼합한 것, 또는 자외선 경화성 수지와 세라믹분말과 세라믹분말과 동일 또는 유사한 조성을 가진 세라믹졸 용액 혼합체에 물성조절용 유기용매를 추가로 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.27. The mixture of the photosensitive resin and the piezoelectric / electric distortion ceramic according to claim 26, which is the same as or similar to the ceramic powder in the ceramic sol solution containing the photosensitive composite, the mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder, and the mixture of the ultraviolet curable resin and the ceramic powder. Photosensitive characteristics characterized by using a mixture of a ceramic sol solution having a composition, or a mixture of an ultraviolet curable resin and a ceramic sol solution mixture having the same or similar composition as that of the ceramic powder and the ceramic powder. The manufacturing method of the ceramic device using the mixture with resin. 제 26 항에 있어서, 금속과 혼합체를 형성하기 위한 감광성 수지로는 전도성 UV접착제, 또는 금속과 킬레이트를 이루는 유기물의 변형물을 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지와의 혼합체를 이용한 세라믹 디바이스의 제조방법.27. The method of manufacturing a ceramic device using a mixture with a photosensitive resin according to claim 26, wherein a photosensitive resin for forming a mixture with a metal is used as a conductive UV adhesive or a modified substance of an organic substance chelating with the metal. .
KR1019990057027A 1999-07-13 1999-12-13 Method for fabricating ceramic device using composite with photosensitive resin KR100364408B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990057027A KR100364408B1 (en) 1999-07-13 1999-12-13 Method for fabricating ceramic device using composite with photosensitive resin

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990028240 1999-07-13
KR19990028240 1999-07-13
KR1019990057027A KR100364408B1 (en) 1999-07-13 1999-12-13 Method for fabricating ceramic device using composite with photosensitive resin

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010012053A true KR20010012053A (en) 2001-02-15
KR100364408B1 KR100364408B1 (en) 2002-12-26

Family

ID=26635811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990057027A KR100364408B1 (en) 1999-07-13 1999-12-13 Method for fabricating ceramic device using composite with photosensitive resin

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100364408B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100871826B1 (en) * 2007-10-05 2008-12-03 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원) Manufacturing method of micro-patterned electrodes
WO2011068884A2 (en) * 2009-12-01 2011-06-09 University Of Massachusetts A system for producing patterned silicon carbide structures
KR20220005226A (en) * 2020-07-06 2022-01-13 부경대학교 산학협력단 Method for manufacturing laminated material for semiconductor test socket having excellent heat dissipation and durability, and laminated material manufactured thereby

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100871826B1 (en) * 2007-10-05 2008-12-03 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원) Manufacturing method of micro-patterned electrodes
WO2011068884A2 (en) * 2009-12-01 2011-06-09 University Of Massachusetts A system for producing patterned silicon carbide structures
WO2011068884A3 (en) * 2009-12-01 2011-11-17 University Of Massachusetts A system for producing patterned silicon carbide structures
US8609323B2 (en) 2009-12-01 2013-12-17 University Of Massachusetts System for producing patterned silicon carbide structures
KR20220005226A (en) * 2020-07-06 2022-01-13 부경대학교 산학협력단 Method for manufacturing laminated material for semiconductor test socket having excellent heat dissipation and durability, and laminated material manufactured thereby

Also Published As

Publication number Publication date
KR100364408B1 (en) 2002-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2597453B2 (en) How to make patterns on organic polymer membranes
TWI471071B (en) Manufacturing method of conductive line, and device comprising conductive line
JP2006133808A (en) Method for thick-film circuit patterning
KR102144134B1 (en) Photosensitive paste
JPS5915394B2 (en) Thick film fine pattern generation method
JP3267957B2 (en) Method for manufacturing ceramic device using mixture with photosensitive resin
KR100364408B1 (en) Method for fabricating ceramic device using composite with photosensitive resin
JP4789299B2 (en) Multilayer substrate manufacturing method
JPH05114504A (en) Metallo-organic compound paste and manufacture using said metallo-organic compound paste
JP4044830B2 (en) Composite sheet manufacturing method and laminated part manufacturing method
JP3231987B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic circuit board
JP2003264361A (en) Circuit board manufacturing method
DE2012031A1 (en) Process for the production of chromium or molybdenum contact metal layers in semiconductor components
KR20020026162A (en) Ceramic blank with a photostructurable functional layer containing platinum and method for production thereof
KR20030051415A (en) Photostructured paste
JPS62232990A (en) Conductor circuit and manufacture of the same
JP2004230471A (en) Ceramic fine pattern forming method
JP3707216B2 (en) Method for forming thick film wiring
KR100871826B1 (en) Manufacturing method of micro-patterned electrodes
CN106941760A (en) A kind of ceramic multilayer circuit based on photosensitive material and preparation method thereof
JP5814054B2 (en) Method for producing quartz glass article having minute hollow channel
JPS62247587A (en) Manufacture of ceramic substrate
JPH1140548A (en) Mold film for forming ceramic fine pattern and method for manufacturing it
JPH0434808A (en) Composition for conductor paste
JPH04196007A (en) Manufacture of electroconductive paste and laminated electronic component

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080930

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee