KR20010010825A - ion beam uniformity control system - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A uniformity control system of an ion beam is to prevent a process defective accident by sensing that the ion beam is moved to left and right edges of a wafer and rapidly stopping an operation of equipment when an X-scanning on entire surface of the wafer is impossible. CONSTITUTION: A system for controlling uniformity of an ion beam from an ion implantation device comprises: a scan plate(20) for X-scanning the ion beam; an acceleration column(30) for increasing an energy of the ion beam; a travelling faraday cup(40) for sensing the ion beam processed at the acceleration column at one side of a wafer(1); an ion beam sensor(70) for sensing the ion beam processed at the acceleration column at an opposite side of the wafer; and a dose integrator(41) for inputting the signal transmitted from the ion beam sensor and the travelling faraday cup and sensing an inflow amount of ion beam. The wafer is moved vertically by a linear motor(50) to Y-scan the ion beam on entire surface of the wafer.

Description

이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템{ion beam uniformity control system}Ion beam uniformity control system of ion implanter

본 발명은 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이온빔이 웨이퍼의 좌, 우 양측 가장자리까지 이동하는 지를 감지하여 웨이퍼의 특정 일부분만을 이온주입할 때 설비의 가동을 중지하여 공정불량을 방지하도록 한 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an ion beam uniformity control system of an ion implanter, and more particularly, it detects whether the ion beam moves to the left and right edges of the wafer, and stops the operation of the equipment when only a specific portion of the wafer is ion implanted. It relates to an ion beam uniformity control system of an ion implanter to prevent the damage.

일반적으로, 불순물을 도핑하는 방법으로는 이온주입법과 확산법 등이 있다. 확산법은 1970년대 초반까지 지배적으로 이용되어 왔으나 몇 가지의 문제점을 가지고 있어 최근에는 이온주입법으로 대체되고 있다. 상기 확산법의 문제점으로는 낮은 농도영역에서의 농도조절이 어렵고, 불순물이 웨이퍼에 파고드는 접합깊이의 조절이 어렵고, 고온에서의 확산이 진행되는 동안 먼저 주입되었던 불순물이 웨이퍼내에서 수직, 수평방향으로 확산되어 반도체 소자상의 실제로 원하는 확산영역보다 더 큰 영역이 형성되는 문제점을 갖고 있다.In general, methods of doping impurities include ion implantation and diffusion. Diffusion has been dominant until the early 1970s, but has been replaced by ion implantation in recent years due to some problems. As a problem of the diffusion method, it is difficult to control the concentration in a low concentration region, difficult to control the depth of bonding of impurities into the wafer, and impurity previously injected during diffusion at high temperature is vertically and horizontally in the wafer. The diffusion has a problem in that a region larger than the actually desired diffusion region on the semiconductor element is formed.

이에 비하여, 이온주입법은 확산법의 상기 문제점을 보완할 수 있을 뿐 아니라 웨이퍼상에서 원하지 않는 영역으로 들어오는 불순물을 막기 위한 마스크로서 실리콘 산화막 이외에 감광막을 사용할 수도 있으며, 균일성 또한 확산법에 비해 훨씬 양호하다는 장점을 갖고 있다. 그래서, 이온주입법은 웨이퍼 내에 반도체 소자를 형성시키는데 있어서, 그 적용범위가 점차 증대되고 있는 추세에 있다.On the other hand, the ion implantation method can supplement the above problems of the diffusion method and also use a photoresist film in addition to the silicon oxide film as a mask for preventing impurities from entering an unwanted area on the wafer, and uniformity is much better than that of the diffusion method. Have Therefore, the ion implantation method has a tendency that the application range is gradually increasing in forming a semiconductor element in a wafer.

이에 따라, 이온주입장치도 고에너지와 고전류의 이온빔를 발생시킬 수 있는 능력을 갖추도록 고급화되고 있다. 이온주입법의 적용범위는 여러 가지 있으나 모스 트랜지스터 소자의 제조에 적용되는 일반적이고 대표적인 몇 가지를 요약하면 다음과 같다.Accordingly, the ion implantation apparatus has also been advanced to have the ability to generate high energy and high current ion beams. Although the application range of the ion implantation method is various, the following is a summary of some typical and representative applications for the fabrication of MOS transistor devices.

a. 필드영역에서의 문턱전압을 조절한다.a. Adjust the threshold voltage in the field area.

b. 게이트 영역아래에 채널 부분을 형성시킨다.b. A channel portion is formed below the gate region.

c. 게이트 영역아래에서의 문턱전압을 조절한다.c. Adjust the threshold voltage under the gate region.

d. 모스 트랜지스터의 소오스와 드레인 부분을 형성시킨다.d. Source and drain portions of the MOS transistor are formed.

이외에도 이온주입법은 바이폴라 트랜지스터 소자의 제조에 있어서 저항이나 에미터, 베이스 등을 형성시키는데 적용되고 있다.In addition, the ion implantation method is applied to form a resistor, an emitter, a base, and the like in the manufacture of a bipolar transistor device.

통상적으로 웨이퍼의 전면에 이온을 균일하게 주입하기 위해 X축 방향의 스캔(이하, X-스캔이라 함)과 Y축 방향의 스캔(이하, Y-스캔이라 함)을 진행하는데, X-스캔은 전기적 특성을 이용하여 웨이퍼의 좌, 우측 방향으로 연속 이동하면서 이온빔을 주사하는 것이고, Y-스캔은 기계적인 특성을 이용하여 웨이퍼의 상, 하 방향으로 주사하는 것이다. X-스캔 및 Y-스캔 범위는 웨이퍼의 전면을 충분히 커버할 수 있을 정도로 결정된다.In general, scans in the X-axis direction (hereinafter referred to as X-scan) and scans in the Y-axis direction (hereinafter referred to as Y-scan) are performed to uniformly inject ions into the front surface of the wafer. The electrical beam is used to scan the ion beam while continuously moving in the left and right directions of the wafer, and the Y-scan is used to scan the wafer in the vertical direction using the mechanical properties. The X-scan and Y-scan ranges are determined to sufficiently cover the front side of the wafer.

종래에는 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템이 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼지지용 어셈블리(10) 상에 지지된 웨이퍼(1)의 전면에 스캔 플레이트(20)가 이온빔(3)을 X-스캔하고, 가속 컬럼(30)이 이온빔(3)의 운동 에너지를 높이고, 트래벌링 파라데이 컵(40)이 이온빔(3)의 유입을 감지하며 그 유입량을 감지하고, 리니어 모터(50)가 웨이퍼(1)를 상, 하방측으로 이동하여 웨이퍼(1)의 전면에 이온빔(3)을 Y-스캔하도록 구성된다.Conventionally, as shown in FIG. 1, the ion beam uniformity control system of the ion implanter, the scan plate 20 X-scans the ion beam 3 in front of the wafer 1 supported on the wafer support assembly 10. In addition, the acceleration column 30 increases the kinetic energy of the ion beam 3, the traveling Faraday cup 40 detects the inflow of the ion beam 3, and detects the inflow thereof, and the linear motor 50 is connected to the wafer ( 1) is moved upward and downward to Y-scan the ion beam 3 on the entire surface of the wafer 1.

또한, 스캔 제어부(21)가 스캔 플레이트(20)를 정전기적/자기적으로 제어하고, 가속 전원부(31)가 가속 컬럼(30)에 전원을 인가하고, 도우즈 인테그레이터(41)가 이온빔(3)의 유입량을 감지하고, 서보 증폭기(51)가 리니어 모터(50)의 회전속도를 가감하거나 리니어 모터(50)를 정방향이나 역방향으로 회전하도록 하여 Y-스캔을 제어한다. 이온빔 균일도 제어부(60)가 도우즈 인테그레이터(41)의 이온빔 유입량 감지 결과에 따라 상기 각부를 제어한다.In addition, the scan control unit 21 controls the scan plate 20 electrostatically and magnetically, the acceleration power supply unit 31 supplies power to the acceleration column 30, and the dose integrator 41 receives the ion beam. The flow rate of (3) is sensed, and the servo amplifier 51 controls the Y-scan by adjusting the rotation speed of the linear motor 50 or by rotating the linear motor 50 in the forward or reverse direction. The ion beam uniformity control unit 60 controls the respective units according to the ion beam inflow amount detection result of the dose integrator 41.

여기서, 웨이퍼지지용 어셈블리(10)는 웨이퍼(1)에 기울기를 주는 틸트(tilt) 어셈블리와, 웨이퍼를 회전시키는 회전플래트 어셈블리 및 정전기를 이용하여 웨이퍼를 잡아주는 정전기 척(electrostatic chuck)으로 구성된다.Here, the wafer support assembly 10 is composed of a tilt assembly for tilting the wafer 1, a rotating plate assembly for rotating the wafer, and an electrostatic chuck for holding the wafer using static electricity. .

이와 같이 구성되는 종래의 이온빔 균일도 제어시스템에서는 웨이퍼(1)에 이온빔(3)을 이온주입하는 도중에 스캔 제어부(21)의 갑작스런 이상이 발생하는 경우, 트래벌링 파라데이 컵(40)이 웨이퍼(1)에 이온주입되는 이온빔을 모니터링하고 모니터링의 결과가 정상이 아닌 이상으로 판정되면 이온주입공정의 에러라는 표식을 여러 가지 수단, 예를 들어 모니터를 통하여 에러 메시지를 디스플레이하거나 경광등이나 경고음을 통하여 에러 메시지를 출력한다.In the conventional ion beam uniformity control system configured as described above, when a sudden abnormality occurs in the scan control unit 21 during the ion implantation of the ion beam 3 into the wafer 1, the traveling Faraday cup 40 is connected to the wafer 1. If the ion beam is injected into the ion beam and the result of the monitoring is judged to be abnormal, the error message of the ion implantation process may be indicated by various means such as displaying an error message through a monitor, or through an alarm or warning sound. Outputs

그런데, 종래에는 트래벌링 파라데이 컵(40)이 이온빔(3)의 주입방향에서 웨이퍼(1)의 좌, 우 양측부에 모두 위치하지 않고 단지 우측부에만 위치하기 때문에 이온빔(3)이 웨이퍼(1)의 좌측 가장자리까지 완전히 이동하면서 정상적인 X-스캔을 할 수 없는 경우가 발생하더라도 이를 감지할 수가 없다. 이로써, 이온주입기의 가동 이 중단되지 않고 웨이퍼의 특정 일부분이 집중적으로 이온주입되므로 대량의 공정불량사고가 유발될 수 있다.However, since the conventional faraday cup 40 is not located at both the left and right sides of the wafer 1 in the injection direction of the ion beam 3, the ion beam 3 is located only at the right side. Even if there is a case where normal X-scan cannot be performed while completely moving to the left edge of 1), it cannot be detected. As a result, a large amount of process failure may be caused because a certain portion of the wafer is intensively implanted without stopping the operation of the ion implanter.

따라서, 본 발명은 웨이퍼의 전면에 이온빔을 X-스캔할 수 없을 때 설비의 가동 중지를 신속히 이루어 공정불량사고를 방지하도록 한 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention is to provide an ion implant uniformity control system of an ion implanter that prevents process failure by quickly stopping the installation when the ion beam cannot be X-scanned on the front surface of the wafer.

도 1은 종래 기술에 의한 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템을 나타낸 구성도.1 is a block diagram showing an ion beam uniformity control system of an ion implanter according to the prior art.

도 2는 본 발명에 의한 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템을 나타낸 구성도.Figure 2 is a block diagram showing an ion beam uniformity control system of the ion implanter according to the present invention.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템은The ion beam uniformity control system of the ion implanter according to the present invention for achieving the above object

이온빔을 X-스캔하는 스캔 플레이트;A scan plate for X-scanning the ion beam;

상기 이온빔의 에너지를 높이는 가속 컬럼;An acceleration column for raising energy of the ion beam;

상기 가속 컬럼에서 처리된 이온빔을 웨이퍼의 일측에서 감지하는 트래벌링 파라데이 컵;A traveling Faraday cup for sensing the ion beam processed in the acceleration column on one side of a wafer;

상기 가속 컬럼에서 처리된 이온빔을 상기 웨이퍼의 대향하는 타측에서 감지하는 이온빔 감지기; 그리고An ion beam detector for sensing the ion beam processed in the acceleration column on the other side of the wafer; And

상기 이온빔 감지기 및 상기 트래벌링 파라데이 컵으로부터 전송된 신호를 입력하여 이온빔의 유입량을 감지하는 도우즈 인테그레이터를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a dose integrator configured to detect a flow rate of the ion beam by inputting a signal transmitted from the ion beam detector and the traveling faraday cup.

따라서, 본 발명은 웨이퍼의 좌, 우 가장자리까지 이온빔이 이동하는 것을 감지하여 웨이퍼의 특정 일부분만을 X-스캔하는 공정불량을 방지할 수 있다.Therefore, the present invention can detect the movement of the ion beam to the left and right edges of the wafer, thereby preventing a process defect of X-scanning only a specific portion of the wafer.

이하, 본 발명에 의한 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일한 부분에는 동일 구조 및 동일 작용의 부분에는 동일 보호를 부여한다.Hereinafter, the ion beam uniformity control system of the ion implanter according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same structure and the same operation part are given the same protection to the same part as the conventional part.

도 2는 본 발명에 의한 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템을 나타낸 구성도이다.Figure 2 is a block diagram showing an ion beam uniformity control system of the ion implanter according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼지지용 어셈블리(10) 상에 지지된 웨이퍼(1)의 전면에 스캔 플레이트(20)가 이온빔(3)을 X-스캔하고, 가속 컬럼(30)이 이온빔(3)의 운동 에너지를 높이고, 트래벌링 파라데이 컵(40) 및 이온빔감지기(70)가 이온빔(3)의 유입을 감지하며 그 유입량을 감지하고, 리니어 모터(50)가 웨이퍼(1)를 상, 하방측으로 이동하여 웨이퍼(1)의 전면에 이온빔(3)을 Y-스캔하도록 구성된다. 여기서, 이온빔 감지기(70)로서 트래벌링 파라데이 컵(40)이 사용 가능하다.As shown in FIG. 2, the scan plate 20 X-scans the ion beam 3 on the front surface of the wafer 1 supported on the wafer support assembly 10, and the acceleration column 30 is the ion beam ( 3) to increase the kinetic energy, the traveling Faraday cup 40 and the ion beam sensor 70 detects the inflow of the ion beam (3) and detects the inflow amount, the linear motor (50) on the wafer (1) And move downward, and Y-scan the ion beam 3 on the entire surface of the wafer 1. Here, the traveling Faraday cup 40 can be used as the ion beam detector 70.

또한, 스캔 제어부(21)가 스캔 플레이트(20)를 정전기적/자기적으로 제어하고, 가속 전원부(31)가 가속 컬럼(30)에 전원을 인가하고, 도우즈 인테그레이터(41)가 트래벌링 파라데이 컵(40) 및 이온빔감지기(70)로부터 이온빔(3)의 유입량을 감지하고, 서보 증폭기(51)가 리니어 모터(50)의 회전속도를 가감하거나 리니어 모터(50)를 정방향이나 역방향으로 회전하도록 하여 Y-스캔을 제어한다. 이온빔 균일도 제어부(60)가 도우즈 인테그레이터(41)의 이온빔 유입량 감지 결과에 따라 상기 각부를 제어한다.In addition, the scan controller 21 controls the scan plate 20 electrostatically and magnetically, the acceleration power supply 31 applies power to the acceleration column 30, and the dose integrator 41 traverses. The amount of inflow of the ion beam 3 is sensed from the burling Faraday cup 40 and the ion beam sensor 70, and the servo amplifier 51 decelerates the rotational speed of the linear motor 50 or moves the linear motor 50 in the forward or reverse direction. To control the Y-scan. The ion beam uniformity control unit 60 controls the respective units according to the ion beam inflow amount detection result of the dose integrator 41.

이와 같이 구성된 본 발명의 이온빔 균일 제어시스템에서는 트래벌링 파라데이 컵(40)이 이온빔의 주입방향에 대해 웨이퍼(1)의 우측부에 위치하고 아울러 이온빔 감지기(70)가 웨이퍼(1)의 좌측부에 위치한다.In the ion beam uniformity control system of the present invention configured as described above, the traveling Faraday cup 40 is positioned at the right side of the wafer 1 with respect to the ion beam injection direction, and the ion beam detector 70 is positioned at the left side of the wafer 1. do.

따라서, X-스캔 도중에 스캔 제어부(21)의 이상으로 인하여 이온빔(3)이 웨이퍼(1)의 좌측 가장자리부까지 이동하지 못하는 경우가 발생하면, 이온빔이 이온빔 감지기(70)에 의해 감지되지 않는다. 이에 따라, 도우즈 인테그레이터(41) 또한 이온빔 감지기(70)로부터 일정시간동안 이온빔을 감지한 신호를 입력받지 못한다. 그 결과, 도우즈 인테그레이터(41)가 이에 해당하는 신호를 중앙처리장치(CPU)(도시 안됨)로 전송하고 중앙처리장치는 이온주입공정의 에러가 발생한 것으로 판정하고 이온주입공정의 에러라는 표식을 여러 가지 수단, 예를 들어 모니터를 통하여 에러 메시지를 디스플레이하거나 경광등이나 경고음을 통하여 에러 메시지를 출력한다. 더욱이 본 발명은 트래벌링 파라데이 컵과 이온빔 감지기를 통하여 주입되는 이온빔의 양을 모니터링하여 X-스캔의 속도를 조절함으로써 웨이퍼의 전면에 대한 이온빔 균일도를 향상시킬 수 있다.Therefore, if the ion beam 3 cannot move to the left edge of the wafer 1 due to an abnormality of the scan control unit 21 during the X-scanning, the ion beam is not detected by the ion beam detector 70. Accordingly, the dose integrator 41 also does not receive a signal for detecting the ion beam for a predetermined time from the ion beam detector 70. As a result, the dose integrator 41 transmits the corresponding signal to the CPU (not shown), and the CPU determines that an error of the ion implantation process has occurred, The marker displays the error message via various means, for example a monitor, or outputs the error message via a warning light or beep. Furthermore, the present invention can improve the ion beam uniformity on the front side of the wafer by monitoring the amount of ion beam injected through the traveling Faraday cup and the ion beam detector to adjust the speed of the X-scan.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 좌, 우 양측에 주입되는 이온빔을 감지하도록 웨이퍼의 우측부에 위치한 기존의 트래벌링 파라데이 컵에 외에 추가로 웨이퍼의 좌측부에 이온빔감지기를 설치한다.As described above, according to the present invention, in addition to the existing traveling Faraday cup located on the right side of the wafer to detect ion beams injected to both the left and right sides of the wafer, an ion beam detector is further provided on the left side of the wafer. .

따라서, 본 발명은 X-스캔 때에 이온빔이 웨이퍼의 좌측 가장자리까지 이동하는 가를 감지하고 이온빔이 웨이퍼의 특정 일부분만을 이동할 때 설비를 중지하여 공정불량을 방지한다.Therefore, the present invention detects whether the ion beam moves to the left edge of the wafer during X-scan and stops the facility when the ion beam moves only a certain portion of the wafer to prevent process defects.

또한, 본 발명은 트래벌링 파라데이 컵과 이온빔감지기로부터 이온빔의 양을 감지하여 X-스캔의 속도를 조절함으로써 이온빔 균일도를 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can improve the ion beam uniformity by controlling the speed of the X-scan by detecting the amount of ion beam from the traveling Faraday cup and the ion beam sensor.

한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.On the other hand, the present invention is not limited to the contents described in the drawings and detailed description, it is obvious to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. .

Claims (2)

이온빔을 X-스캔하는 스캔 플레이트;A scan plate for X-scanning the ion beam; 상기 이온빔의 에너지를 높이는 가속 컬럼;An acceleration column for raising energy of the ion beam; 상기 가속 컬럼에서 처리된 이온빔을 웨이퍼의 일측에서 감지하는 트래벌링 파라데이 컵;A traveling Faraday cup for sensing the ion beam processed in the acceleration column on one side of a wafer; 상기 가속 컬럼에서 처리된 이온빔을 상기 웨이퍼의 대향하는 타측에서 감지하는 이온빔 감지기; 그리고An ion beam detector for sensing the ion beam processed in the acceleration column on the other side of the wafer; And 상기 이온빔 감지기 및 상기 트래벌링 파라데이 컵으로부터 전송된 신호를 입력하여 이온빔의 유입량을 감지하는 도우즈 인테그레이터를 포함하는 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템.And a dose integrator configured to detect a flow rate of the ion beam by inputting a signal transmitted from the ion beam detector and the traveling faraday cup. 제 1 항에 있어서, 상기 이온빔 감지기가 상기 트래벌링 파라데이 컵과 동일한 것을 특징으로 하는 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템.The ion beam uniformity control system of claim 1, wherein the ion beam detector is the same as the traveling Faraday cup.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900019123A (en) * 1989-05-15 1990-12-24 고마쓰신 Ion Injection Device
JPH04277458A (en) * 1991-03-06 1992-10-02 Sony Corp Ion implanting device
JPH07153401A (en) * 1993-11-26 1995-06-16 Nec Corp Ion implanting device
KR19980078293A (en) * 1997-04-28 1998-11-16 윤종용 Ion Dose Measurement Device and Faraday Cage Used Here

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900019123A (en) * 1989-05-15 1990-12-24 고마쓰신 Ion Injection Device
JPH04277458A (en) * 1991-03-06 1992-10-02 Sony Corp Ion implanting device
JPH07153401A (en) * 1993-11-26 1995-06-16 Nec Corp Ion implanting device
KR19980078293A (en) * 1997-04-28 1998-11-16 윤종용 Ion Dose Measurement Device and Faraday Cage Used Here

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