KR20000071716A - 범프본딩에 있어서의 불착검사방법 및 장치 - Google Patents

범프본딩에 있어서의 불착검사방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000071716A
KR20000071716A KR1020000020225A KR20000020225A KR20000071716A KR 20000071716 A KR20000071716 A KR 20000071716A KR 1020000020225 A KR1020000020225 A KR 1020000020225A KR 20000020225 A KR20000020225 A KR 20000020225A KR 20000071716 A KR20000071716 A KR 20000071716A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ball
wire
semiconductor chip
signal
voltage
Prior art date
Application number
KR1020000020225A
Other languages
English (en)
Inventor
데라카도요시미츠
가토후미히코
Original Assignee
후지야마 겐지
가부시키가이샤 신가와
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지야마 겐지, 가부시키가이샤 신가와 filed Critical 후지야마 겐지
Publication of KR20000071716A publication Critical patent/KR20000071716A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/742Apparatus for manufacturing bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/742Apparatus for manufacturing bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268Discharge electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/786Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/851Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

범프본딩에 있어서의 볼 불착을 단시간에 검출할 수 있다.
볼(3a)을 반도체칩(5)에 접속한 후로부터 와이어(3)를 볼(3a)의 부착부분으로부터 절단하기까지의 기간에, 와이어(3)에 전압을 인가하는 전원(16, 17)과, 볼 불착의 유무에 의한 상기 기간중의 전압의 변화를 검출함으로써 볼 불착의 유무를 판정하는 컴퓨터(20)를 구비한다.

Description

범프본딩에 있어서의 불착검사방법 및 장치{BONDING FAILURE INSPECTION METHOD AND APPARATUS FOR BUMP BONDING}
본 발명은 캐필러리에 끼워통하는 와이어의 선단에 볼을 형성하고, 이 볼을 범프로서 반도체칩 상에 본딩하는 범프본딩에 있어서의 불착 검사방법 및 장치에 관한 것이다.
범프본딩방법은, 일반적으로 도 4에 도시하는 공정에 의해 행해진다. 먼저 클램퍼(1)가 닫힌 상태에서, 캐필러리(2)에 끼워통하게 된 와이어(3)의 선단에 방전전극(4)으로부터의 방전에 의하여 볼(3a)을 형성한다. 계속해서 도 4(a)에 도시하는 바와 같이, 클램퍼(1)가 개방되면, 와이어(3)가 도시하지 않은 백텐션기구에 의해 적당한 힘으로 상방으로 되돌려진다. 다음에 도 4(b)에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(2)가 하강하여 볼(3a)을 반도체 칩(5)의 패드전극(6) 표면을 누르게 한다. 그 후는 캐필러리(2)를 유지한 초음파 혼(도시 생략)에 의해 초음파를 인가하면서 캐필러리(2)로 볼(3a)을 가압하고, 변형시켜서 패드전극(6)에 접속한다.
다음에 도 4(c)에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(2) 및 클램퍼(1)가 함께 상승하여, 다음 볼(3a)을 형성하기 위한 와이어(3)(테일)을 풀어내면서 클램퍼(1)가 폐쇄된다. 다시 캐필러리(2) 및 클램퍼(1)가 함께 상승하고, 도 4(d)에 도시하는 바와 같이 와이어(3)가 볼(3a)의 부착부분으로부터 절단된다. 이것에 의해 범프(7)가 형성된다. 더우기 이 종류의 범프본딩방법으로서, 예를 들면 일본 특개소 54 - 2662호 공보, 일본 특공평 4 - 41519호 공보, 일본 특개평 7 - 86286호 공보 등에 표시되는 것을 들을 수 있다.
범프본딩에 있어서의 범프(7)의 불착(볼(3a)과 패드전극(6) 사이의 불착)으로서, 도 5 (a),도 5 (b)에 도시하는 현상이 있다. 도 5(a)는 상기한 도 4(c)의 공정에 있어서의 불착, 도 5(b)는 도 4(d)의 공정에 있어서의 불착을 도시한다. 즉 도 4(c)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(2)가 상승할 때, 도 5(a)에 도시하는 바와 같이 볼(3a)이 벗겨진 상태(볼(3a)이 패드전극(6)에 접속되지 않는 상태), 또 도 4(d)와 같이 와이어(3)을 절단할 때, 도 5(b)와 같이 볼(3a)이 벗겨져버린 상태가 있다.
범프본딩의 경우에는 와이어(3)의 재질로서 땜납 등과 같이 금선보다 연한 것도 사용된다. 와이어(3)의 땜납재질과 반도체칩(5)의 패드전극(6) 표면의 재질이 익숙해지지 않으면(접합성이 부량), 도 5(b)의 현상보다 도 5(a)의 현상이 발생하기 쉽다. 도 5(a), 도 5(b)와 같은 불착은, 도 4(d)와 같이 테일(3b)이 형성되지 않으므로, 예를 들면 일본국 특개공 54 - 35065호 공보에 표시하는 방법에 의해, 도 4(a)에 도시하는 볼(3a)의 형성시에 검출할 수가 있다. 그러나 범프본딩에 있어서는 상기한 바와 같이 도 5(b)의 현상보다 도 5(a)의 현상이 발생되기 쉽다. 이 도 5(a)의 현상은, 상기 방법으로는 즉시 검출할 수 없다. 종래 범프본딩에 있어서의 범프의 불착을 검출하는 방법 및 장치는 존재하지 않는다.
와이어본딩에 있어서는, 와이어의 불착검출방법으로서, 일본국 특공평1- 58868 호 공보, 일본국 특허 제 2617351호 공보 등에 표시되는 것이 알려져 있다. 이 와이어본딩에 의한 불착검출의 장치를 도 6에 도시한다. 도 6은 반도체칩(5)이 은페이스트 등의 도전성(導電性) 접착제로 리드프레임(10)에 고착된 공작물에 적용한 예를 표시한다. 반도체칩(5)이 고착된 리드프레임(10)은 시료대(11)에 위치결정 고정되고, 반도체칩(5)의 패드전극(6)은, 반도체칩(5)의 내부저항(Rd), 리드프레임 (10)을 겨쳐서 어스에 접속된다. 또한 반도체칩(5)이 절연물로 이루어지는 기판등에 고착되어 있는 경우에는, 반도체칩(5)은 미리 기판상에 설치된 배선패턴에 도통접속되고, 이 배선패턴을 통하여 어스에 접속된다.
반도체칩(5)과 리드프레임(10)에 접속되는 와이어(3)는 스풀(12)에 감아돌려져 있으며, 일단은 캐필러리(2)에 끼워통하고, 타단은 단자(13)에 접속되어 있다. 단자(13)는 스위치(SW1)의 공통접점(C)에 접속되고, 스위치(SW1)의 상시폐쇄접점 (NC)은 어스되어 있다. 스위치(SW1)의 상시개방접점(NO)은 검출기(14) 및 저항(15)의 일단에 접속되어 있으며, 저항(15)의 타단은 스위치(SW2)에 의해 2개의 전원(16, 17)에 선택적으로 접속된다. 2개의 전원(16, 17)을 설치한 것은 반도체칩 (5)의 패드전극(6)과 어스 사이에 다이오드특성이 있기 때문에 반도체칩(5)에 의해 극성(순차 이송인지 반대이송인지에 따른 극성)이 상이하기 때문이고, 스위치(SW2)에 의해 극성을 반전시켜서 대응시킨다.
상기 스위치(SW1)의 변환의 타이밍은, 도 7에 도시하는 본딩상태에서 행해진다. 먼저, 캐필러리(2)의 하단에 설치된 와이어(3)의 선단에 방전전극(4)로부터의 방전에 의해 볼(3a)이 형성된다. 다음에 캐필러리(2)가 하강하고, 볼(3a)은 반도체칩(5)의 패드전극(6)에 제 1 본딩된다. 그 후 캐필러리(2)는 상승하고, 리드 (10a)의 제 2 본드점의 상방에 이동하고, 재차 하강한다. 이 사이에 스위치(SW1)는 상시개방접점(NO)에 접속된다. 이 경우, 볼(3a)이 패드전극(6)에 접속되어 있으면, 상기한 바와 같이 패드전극(6)은 저항(Rd), 리드프레임(10)을 거쳐서 어스되어 있으므로, 전원(16 또는 17)으로부터 스위치(SW2), 저항(15), 스위치(SW1), 단자(13)을 통과하여 와이어(3)에 전류가 흐르고, 검출기(14)에는 전류가 흐르지 않는다. 혹시, 볼(3a)이 패드전극(6)에 접속되어 있지 않으면, 와이어(3)에는 전류가 흐르지 않으며, 검출기(14)에 전류가 흘러, 검출기(14)로부터 와이어 접속불량신호가 출력된다.
지금, 전원(16, 17)으로부터 스위치(SW2)에 의해 선택된 전압을 Vr, 반도체칩(5)의 저항을 Rd(정확하게는 패드전극(6)으로부터 어스까지의 사이의 전기적 저항), 저항(15)을 Rs로 한다. 이 Rs는, Rd와 조합하여 반도체칩 (5)에 유입되는 전류(Id)의 량을 제한하는 저항(보호저항)이다. 또 검출기(14)에 입력되는 전압을 Vd, 이 Vd의 정의 전압 및 부의 전압의 임계값 전압을 Vt로 한다. 불착검출시에 흐르는 전류(Id) 및 검출기(14)에 입력되는 전압(Vd)은 [수 1] 및 [수 2]로 표시된다.
[수 1]
Id=Vr/(Rs + Rd)
[수 2]
Vd = Rd × Id=Rd×Vr/(Rs + Rd)
[수 2]로부터 명백한 바와 같이, Rd가 크게 될 수록 Vd는 Vr에 근접한다. 불찰 발생시에는 Rd=∞로 생각되므로, Vd≒Vr로 된다. 도 8(a)는 Rd가 비교적 작은 경우로, 도 8(b)는 Rd가 비교적 큰 경우이다.
종래의 와이어본딩에 의한 불착검출방법에 있어서는, 반도체칩(5)의 전기적 저항(Rd)이 크게 될수록, Vr와 Vd 사이의 전위차가 좁게 되고, 임계값 전압(Vt)의 설정이 곤란하게 된다. 즉, 불착검출이 곤란하게 된다.
또 와이어본딩에 있어서는, 패드전극(6)으로의 불착검출은, 도 7에 도시하는 바와 같이 와이어(3)를 리드(10a)에 접속할 때까지의 사이에 행하면 되므로, 와이어(3)를 풀어내는 시간(루핑시간)만큼 시간적으로 여유가 있다. 그러나, 도 4에 도시하는 범프본딩에 있어서는, 볼(3a)을 패드전극(6)에 접속후, 즉시 볼(3a)의 부착부분으로부터 와이어(3)을 절단하므로, 즉 루핑시간이 없으므로, 도 4(b)로부터 도 4(c) 사이에 겨우 캐필러리(2)가 이동하는 거리(50 ∼100㎛) 사이에 불착검출을 행하지 않으면 안되고, 시간적으로 여유가 없다.
한편, 도 6에 도시하는 검출기(14)의 입력에 접속된 회로에는 부유용량성분 (Cd)(도 1 참조)이 존재하기 때문에, 불착이 생긴 경우에도 검출전류(Id)가 흐르고 만다. 이때의 검출전류(Id)의 전류량은, 부유용량성분(Cd)에 전하를 충전하는 사이 전류가 일정시간 계속 흐르면서 서서히 0으로 되어간다. 종래는 그 후가 아니면 불착검출의 판정이 이 될 수 없었다. 따라서 범프본딩의 경우에는, 와이어본딩과 같은 와이어 풀어내기 시간이 존재하지 않는 분만큼, 시간적으로 제한이 엄하다.
본 발명의 과제는, 범프본딩에 있어서의 볼 불착을 단시간에 검출할 수 있는 불착검사방법 및 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 범프본딩에 있어서의 불착검사장치의 한 실시형태를 도시하는 설명도,
도 2는 도 1의 컴퓨터의 구성을 도시하는 블록도,
도 3의 (a)는 정상으로 본딩된 경우의 타이밍도, (b)는 볼 불착이 발생한 경우의 타이밍도,
도 4의 (a) 내지 (d)는 범프본딩공정을 도시하는 설명도,
도 5의 (a), (b)는 볼 불착상태의 설명도,
도 6은 종래의 와이어본딩에 있어서의 불착검사장치의 설명도,
도 7은 종래의 와이어본딩에 있어서의 불착검출 타이밍시의 본딩상태의 설명도, 및
도 8의 (a), (b)는 반도체칩의 저항의 대소에 의해 검출기에 입력되는 전압의 변화를 도시하는 설명도,
(부호의 설명)
1 : 클램퍼 2 : 캐필러리
3 : 와이어 3a : 볼
4 : 방전전극 5 : 반도체 칩
6 : 패드전극 7 : 패드
10 : 리드프레임 10a : 리드
11 : 시료대 16, 17 : 전원
20 : 컴퓨터 21 : 입력단자
22 : 소음제거회로 23 : 변위추출회로
24 : 비교회로 25 : 제어회로
26 : 기준신호 발생회로 27 : 자기유지회로
Vd : 입력전압 + V0, - V0 : 변위신호
Vt : 임계값 전압 + Vth, - Vth : 임계값신호
R : 클리어신호 S : 세팅신호
U : 이상검출신호
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 방법은, 와이어의 선단에 형성된 볼을 반도체칩에 접속한 후, 와이어를 볼의 부착부분에서 절단하여 반도체칩에 범프를 형성하는 범프본딩방법에 있어서, 볼을 반도체칩에 접속한 후, 와이어를 볼의 부착부분에서 절단하기까지의 기간에 와이어에 전압을 인가하고, 볼 불착의 유무에 의한 상기 기간중의 전압의 변화를 검출함으로써 볼 불착의 유무를 판정하는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제 1 장치는, 와이어의 선단에 형성된 볼을 반도체칩에 접속한 후, 와이어를 볼의 부착부분에서 절단하여 반도체칩에 범프를 형성하는 범프본딩장치에 있어서, 볼을 반도체칩에 접속한 후, 와이어를 볼의 부착부분에서 절단하기까지의 기간에, 와이어에 전압을 인가하는 전원과, 볼 불착의 유무에 의한 상기 기간중의 전압의 변화를 검출함으로써 볼 불착의 유무를 판정하는 컴퓨터를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제 2의 장치는, 상기 제 1의 장치에 있어서, 상기 컴퓨터는, 상기 기간중의 전위의 변화를 추출하여 변위신호로서 꺼내서 표시하는 변위추출회로와, 상기 변위신호와 기준신호를 비교하여, 변위신호의 절대값이 기준신호를 표시하는 임계값전압의 절대값보다 큰 경우에 세팅신호를 출력하는 비교회로와, 상기 기준신호를 상기 비교회로에 입력함과 동시에, 상기 세팅신호에 의해 이상검출신호를 출력하는 제어회로를 구비한 것을 특징으로 한다.
(실시형태)
본 발명의 한 실시형태를 도 1 내지 도 5에 의해 설명한다. 또한, 도 6과 동일 또는 상당부재에는 동일한 부호를 붙여서 설명한다. 도 1은 반도체칩(5)이 예를 들면 은페이스트 등의 도전성 접착제로 리드프레임(10)에 고착된 공작물에 적용한 예를 표시한다. 반도체칩(5)이 고착된 리드프레임(10)은, 시료대(11)에 위치결정 고정되고, 반도체칩(5)의 패드전극(6)은, 반도체칩(6)의 내부저항(Rd), 리드프레임 (10)을 거쳐서 어스에 접속된다. 더구나 반도체칩(5)이 절연물로 이루어지는 기판 등에 고착되어 있는 경우에는, 반도체칩(5)은 미리 기판상에 설치된 배선패턴에 도통접속되고, 이 배선패턴을 통과하여 어스에 접속된다.
반도체칩(5)에 범프를 형성시키기 위한 와이어(3)는 스풀(12)에 감아돌려져 있으며, 일단은 캐필러리(2)에 끼워통하게 되고, 타단은 단자(13)에 접속되어 있다. 단자(13)는 스위치(SW1)의 공통접점(C)에 접속되며, 스위치(SW1)의 상시폐접점 (NO)은 어스되어 있다. 스위치(SW1)의 상시개접점(NO)는 저항(15)의 일단에 접속되어 있고, 저항(15)의 타단은 스위치(SW2)에 의해 2개의 전원(16, 17)에 선택적으로 접속된다. 2개의 전원(16, 17)을 설치한 것은, 반도체칩(5)의 패드전극(6)과 어스 사이에 다이오드특성이 있기 때문에, 반도체칩(5)에 의해서 극성(순차이송인지 또는 반대이송인지에 의한 극성)이 상이하기 때문에, 스위치(SW2)에 의해 극성을 반전시켜서 대응시킨다. 이상은, 도 6에 도시하는 종래예와 대략 동일한 구성이다. 또한, 도 1에 있어서, Cd는 컴퓨터(20)의 인력단자(21)에 접속된 회로의 부유용량성분을 표시한다.
상기 스위치(SW1)의 상시개방접점(NO)은 컴퓨터(20)의 인력단자(21)에 접속되어 있다. 또 스위치(SW1, SW2)에는, 도 3에 도시하는 타이밍에서 컴퓨터(20)에 의해 변환신호(SW1SEL,SW2SEL)가 출력된다.
컴퓨터(20)는 도 2에 도시하는 바와 같은 구성으로 되어 있다. 입력단자(21)에 입력되는 신호에는, 배선경로나 와이어(3)로부터의 노이즈성분이 포함되어 있으므로, 노이즈제거회로(22)를 통과시켜 평활화하여 노이즈성분을 제거하고 다음의 변위추출회로(23)를 통과시켜 과도적인 전압의 변화를 추출하여 정부의 변위신호(+VO, -VO)로서 꺼내어, 이 정부의 변위신호(+VO, -VO)는 비교회로(24)에 입력된다.
제어회로(25)에는 미리 불착을 판정하기 위한 전압레벨을 표시하는 정부의 임계값이 교시되어 있고, 이 정부의 임계값은 기준신호 발생회로(26)에 입력된다. 기준신호 발생회로(26)는, 정부의 임계값을 근거로 하여 정의 임계값신호(+Vth)와 부의 임계값신호(-Vth)를 생성하고, 이 정부의 임계값신호(+Vth, -Vth)는 비교회로(24)에 입력된다. 비교회로(24)는 상기 정의 변위신호(+VO)와 상기 정의 임계값신호(+Vth) 또는 상기 부의 변위신호(-VO)와 상기부의 임계값 신호(-Vth)를 비교하고, 상기 정의 변위신호(+VO)의 값이 상기 정의 임계값신호(+Vth)를 표시하는 임계값을 초과하는 경우, 또는 상기 부의 변위신호(-VO)의 값이 상기부의 임계값신호(-Vth)를 표시하는 임계값을 하회하는 경우, 즉 변위신호의 값이 정 또는 부의 임계값을 초과하는 경우에, 비교회로(24)는 세팅신호(S)를 출력한다. 이 세팅신호(S)가 자기유지회로(27)에 입력되면, 자기유지회로(27)는 불착판별신호 (Q)를 온 (ON)상태로 유지하고, 이 불착판별신호(Q)가 제어회로(25)에 입력된다. 제어회로 (25)에 불착판별신호(Q)가 입력되면, 이상검출신호(U)가 본딩장치에 출력된다.
다음에 작용에 관하여 설명한다. 도 1에 도시하는 스위치(SW2)는, 반도체칩(5)의 극성에 의해 전압레벨 및 그 극성이 결정되어 있으므로, 미리 +측 또는 -측의 어느 한쪽의 방향으로 변환되어 있다(컴퓨터(20)로부터의 변환신호 (SW2SEL)에 의해 그 극성이 결정된다). 스위치(SW1)는 미리 폐쇄접점(NC)측으로 되어 있다. 그래서 먼저, 도 4(a)에 도시하는 바와 같이, 클램퍼(1)가 폐쇄된 상태에서, 캐필러리(2)에 끼워통하게된 와이어(3)의 선단에 방전전극(4)으로부터의 방전에 의해 볼(3a)을 형성한다. 계속해서 클램퍼(1)가 열린다. 다음에 도 4(b)에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(2)가 하강하여 볼(3a)을 반도체칩(5)의 패드전극(6) 표면에 눌러 붙인다.
그 후는 캐필러리(2)를 유지한 초음파혼(horn:경적)(도시 생략)에 의해 초음파를 인가하면서 캐필러리(2)로 볼(3a)을 가압하고, 볼(3a)을 가압변형시켜서 패드전극(6)에 볼(3a)을 접속한다. 이때, 컴퓨터(20)에서 변환신호(SW1SEL)이 출력하고, 스위치( SW1)는 개방접점(NO)측으로 변환되고(도 1, 도 3 참조), 볼(3a)이 정상으로 패드전극(6)에 접속되어 있으면, 상기 한 바와 같이 패드전극(6)은, 저항 (Rd), 리드프레임(10)을 거쳐서 어스되어 있으므로, 전원(16 또는 17)에서 스위치(SW2), 저항(15), 스위치(SW1), 단자(13)을 거쳐서 와이어(3)에 전류(Id)가 흐른다. 또 도 3(a)에 도시하는 바와 같이 불착판별신호(Q)가 온상태의 경우에는, 도 2에 도시하는 제어회로(25)로부터의 클리어신호(R)에 의해, 자기유지회로(27)의 불착판별신호(Q)를 오프(OFF) 상태로 복귀시킨다. 또한 도 3에는, 스위치(SW1)가 상시 폐쇄접점(NC)측으로부터 상시개방접점(NO)측으로 변환했을 때에 클리어신호 (R)가 출력하는 경우를 도시하고 있는데, 이 클리어신호(R)는, 다음의 세팅신호(S)가 출력되기 까지에 출력되면 된다.
다음에 도 4(c)에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(2) 및 클램퍼(1)가 함께 상승하고, 다음의 볼(3a)을 형성하기위한 와이어(3)(테일)를 풀어내면서 어느 시점에서 클램퍼(1)가 폐쇄된다. 다시 캐필러리(2) 및 클램퍼(1)가 상승하고, 도 4(d)에 도시하는 바와 같이 와이어(3)가 볼(3a)의 부착부분에서 절단된다. 이것에 의해 범프(7)가 형성된다.
상기한 동작에 있어서, 캐필러리(2)가 상승하여 클램퍼(1)가 폐쇄되기 까지, 비교회로(24)는 정의 변위신호(+VO)와 정의 임계값신호(+Vth), 또는 부의 변위신호(-VO)와 부의 임계값신호(-Vth)를 비교한다. 도 4(c)와 같이 정상인 경우에는 와이어(3)로부터 어스까지의 사이는 전기적 경로가 확립되므로, 와이어(3)에 전류(Id)가 흐른다. 와이어(3)에 전류(Id)가 흐르면 도 3(a)에 도시하는 바와 같이, 입력단자(21)에는 전류가 흐르지 않고, 즉 전압(Vd)이 발생하지 않고, 도 2 및 도 3(a)에 도시하는 비교회로(24)로부터 세팅신호(S)는 출력하지 않고, 볼(3a)의 불착이 발생하지 않은 것을 판단하게 된다.
캐필러리(2)가 상승하여 클램퍼(1)가 폐쇄되기까지에, 도 5(a)에 도시하는 바와 같이 볼(3a)의 불착이 발생한 경우에는, 와이어(3)로부터 어스까지의 사이는 전기적 경로가 확립되지 않으므로, 입력단자(21)의 전압값(Vd)은 부유용량성분(Cd)에 의해 전하가 축적되어 가므로, 도 3(b)에 도시하는 바와 같이 과도적인 전압의 변화를 표시한다. 입력단자(21)에 인가된 전압은, 도 2 및 도 3(b)에 도시하는 노이즈제거회로(22)에 의해 평활화되고, 변위추출회로(23)에 의해 과도적인 전압의 변화를 추출하여 변위신호(+VO 또는 -VO)로서 비교회로(24)에 입력된다.
그래서, 비교회로(24)는, 정의 변위신호(+VO)의 값이 정의 임계값신호(+Vth)를 표시하는 값을 초과하는 경우, 또는 부의 변위신호(-VO)의 값이 부의 임계값신호(-Vth)를 표시하는 값을 하회하는 경우, 즉 변위신호의 값이 정 또는 부의 임계값을 초월하는 경우, 세팅신호(S)를 자기유지회로(27)에 입력한다. 자기유지회로(27)는 불착판별신호(Q)를 온 상태로 유지하고, 이 불착판별신호 (Q)를 제어회로(25)에 출력한다. 제어회로(25)는 이상검출신호(U)를 출력하고, 이 이상검출신호(U)에 의해 본딩장치가 정지됨과 동시에, 램프, 경보 등에 의해 작업자에게 통보된다. 불착의 요인이 제거되면, 제어회로(25)는 자기유지회로(27)에 클리어신호 (R)를 출력하고, 불착판별신호(Q)를 오프 상태로 회복시킨다.
본 발명에 의하면, 볼을 반도체칩에 접속한 후, 와이어를 볼의 부착부분으로부터 절단하기까지의 기간에, 와이어에 전압을 인가하고, 볼 불착의 유무에 의한 상기 기간중의 전압의 변화를 검출함으로써, 볼 불착의 유무를 판정하므로, 범프본딩에 있어서의 볼 불착을 단시간에 검출할 수 있다.

Claims (3)

  1. 와이어의 선단에 형성된 볼을 반도체칩에 접속한 후, 와이어를 볼의 부착부분으로부터 절단하여 반도체칩에 범프를 형성하는 범프본딩방법에 있어서,
    볼을 반도체칩에 접속한 후, 와이어를 볼의 부착부분으로부터 절단하기까지의 기간에, 와이어에 전압을 인가하고, 볼 불착의 유무에 의한 상기 기간중의 전압의 변화를 검출함으로써 볼 불착의 유무를 판정하는 것을 특징으로 하는 범프본딩에 있어서의 불착검사방법.
  2. 와이어의 선단에 형성된 볼을 반도체칩에 접속한 후, 와이어를 볼의 부착부분으로부터 절단하여 반도체칩에 범프를 형성하는 범프본딩장치에 있어서,
    볼을 반도체칩에 접속한 후, 와이어를 볼의 부착부분으로부터 절단하기까지의 기간에, 와이어에 전압을 인가하는 전원과, 볼 불착의 유무에 의한 상기 기간중의 전압의 변화를 검출함으로써 볼 불착의 유무를 판정하는 컴퓨터를 구비한 것을 특징으로 하는 범프본딩에 있어서의 불착검사장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 컴퓨터는, 상기 기간중의 전위의 변화를 추출해서 변위신호로서 꺼내는 변위추출회로와, 상기 변위신호와 기준신호를 비교하고, 변위신호의 값이 임계값신호를 표시하는 값을 초과한 경우에 세팅신호를 출력하는 비교회로와, 상기 기준신호를 상기 비교회로에 입력함과 동시에, 상기 세팅신호에 의해 이상검출신호를 출력하는 제어회로를 구비한 것을 특징으로 하는 범프본딩에 있어서의 불착검사장치.
KR1020000020225A 1999-04-21 2000-04-18 범프본딩에 있어서의 불착검사방법 및 장치 KR20000071716A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP99-113793 1999-04-21
JP11113793A JP2000306940A (ja) 1999-04-21 1999-04-21 バンプボンディングにおける不着検査方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000071716A true KR20000071716A (ko) 2000-11-25

Family

ID=14621239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000020225A KR20000071716A (ko) 1999-04-21 2000-04-18 범프본딩에 있어서의 불착검사방법 및 장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2000306940A (ko)
KR (1) KR20000071716A (ko)
TW (1) TW454279B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101326098B1 (ko) * 2013-01-21 2013-11-06 주식회사 아이비에스 와이어 본딩 검사방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4106008B2 (ja) 2003-09-22 2008-06-25 株式会社新川 ワイヤボンディング方法及び装置
JP4266369B2 (ja) 2005-02-24 2009-05-20 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
SG11201503849YA (en) 2012-11-16 2015-06-29 Shinkawa Kk Wire-bonding apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP5426000B2 (ja) 2012-11-16 2014-02-26 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
CN104813457B (zh) 2012-11-16 2017-08-04 株式会社新川 打线装置以及打线方法
JP6676748B2 (ja) 2016-03-25 2020-04-08 株式会社新川 ワイヤボンディング装置、ワイヤボンディング装置用回路並びに半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101326098B1 (ko) * 2013-01-21 2013-11-06 주식회사 아이비에스 와이어 본딩 검사방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000306940A (ja) 2000-11-02
TW454279B (en) 2001-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6247629B1 (en) Wire bond monitoring system for layered packages
EP1182460B1 (en) Fritting inspection method and apparatus
KR101596249B1 (ko) 와이어 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101672510B1 (ko) 와이어 본딩 장치 및 와이어 본딩 방법
JPH0141031B2 (ko)
US20070187470A1 (en) Wire bonding apparatus, record medium storing bonding control program, and bonding method
KR20000071716A (ko) 범프본딩에 있어서의 불착검사방법 및 장치
CN106158680A (zh) 一种芯片封装结构检测***
KR100730046B1 (ko) 본딩 장치
US6529011B1 (en) Method and apparatus for inspecting electronic components
EP0575061B1 (en) Method of testing continuity of a connection between an IC and a PCB
US6039234A (en) Missing wire detector
US6568581B2 (en) Detection of wire bonding failures
JPH08201425A (ja) 半導体加速度検出装置
CN109152196A (zh) 一种指纹识别模组安装方法及指纹识别模组
JPH05343487A (ja) 半導体集積回路装置
JPH08264586A (ja) 半導体デバイスの状態判定方法及び状態判定装置
JPH11243119A (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JP3908640B2 (ja) ワイヤボンディング方法及び装置
JPH11176868A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH11191564A (ja) バンプボンディング方法および装置
JPS6384132A (ja) ワイヤボンデイング検査方法および検査装置
US6246073B1 (en) Semiconductor device and method for producing the same
JP2000260808A (ja) ワイヤボンディング装置
KR850002945Y1 (ko) 반도체 연결선의 접착여부 검색장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application