KR20000066921A - Polymer generating equipment and method of forming a pattern of a semiconductor device using the same - Google Patents

Abstract

PURPOSE: An apparatus for manufacturing polymer is provided to maintain a good evaporation uniformity and to minimize a generation of particles, by controlling the temperature of a focus ring by a temperature controller so that the temperature of the focus ring becomes higher than the temperature of a chamber. CONSTITUTION: An apparatus for manufacturing polymer comprises a chamber(11), upper and lower electrode(14a,14b), a high frequency generator(17), a focus ring(15), a temperature controller(18) and a wafer support(16). The chamber has a gas injecting hole and a gas exhausting hole. The upper and lower electrodes are established in the chamber. The high frequency generator supplies a high frequency power to the upper and lower electrodes. The focus ring is provided between the upper and lower electrodes. The temperature controller controls the temperature of the focus ring. The wafer support on which a wafer is positioned is provided between the focus ring and the lower electrode.

Description

폴리머 생성 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법{Polymer generating equipment and method of forming a pattern of a semiconductor device using the same}Polymer generating equipment and method of forming a pattern of a semiconductor device using the same}

본 발명은 폴리머(Polymer) 생성 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 특히, 온도 제어기에 의해 포커스 링(Focus Ring)의 온도가 챔버 내부의 온도보다 높게 제어되도록 하므로써 파티클(Particle)의 발생이 최소화되며 균일한 두께의 폴리머가 증착될 수 있도록 한 폴리머 생성 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polymer generating device and a pattern forming method of a semiconductor device using the same. Particularly, the temperature of the focus ring is controlled to be higher than the temperature inside the chamber by a temperature controller. The present invention relates to a polymer generating device and a method of forming a pattern of a semiconductor device using the same, which minimizes the occurrence of the polymer and enables the deposition of a polymer having a uniform thickness.

일반적으로 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 소자를 구성하는 각 패턴의 크기 및 패턴간의 거리도 미세하게 감소된다. 그런데 현재 사진 공정에 이용되는 광학 장비를 사용하여 형성할 수 있는 패턴의 크기 및 패턴간의 거리는 한계점을 이르렀기 때문에 패턴의 크기 및 패턴간의 거리를 감소시킬 수 있는 새로운 방법의 개발이 요구되는 실정이다. 이에 따라 근래에는 식각 공정시 마스크로 이용될 감광막 패턴을 형성한 후 감광막 패턴의 측벽에 폴리머를 증착하여 패턴간의 거리가 감소되도록 하는 방법을 이용하는데, 이러한 폴리머 증착 공정은 폴리머 생성 장비에서 이루어진다.In general, as semiconductor devices are highly integrated, the size and distance between patterns of each pattern constituting the device are also reduced. However, since the size of the pattern and the distance between the patterns that can be formed using the optical equipment used in the current photographing process have reached a limit point, it is required to develop a new method for reducing the size of the pattern and the distance between the patterns. Accordingly, in recent years, a method of forming a photoresist pattern to be used as a mask during an etching process and depositing a polymer on sidewalls of the photoresist pattern to reduce the distance between the patterns is performed in the polymer generating equipment.

종래의 폴리머 생성 장비는 도 1에 도시된 바와 같이 가스 주입구 및 가스 배기구(2 및 3)가 각각 형성된 챔버(1)내에 상부 및 하부 전극(4a 및 4b)이 각각 설치되고, 상기 상부 및 하부 전극(4a 및 4b)에는 고주파 발생기(7)로부터 고주파 전력이 공급되도록 구성된다. 그리고 상기 상부 및 하부 전극(4a 및 4b)간에는 도 2에 도시된 바와 같이 중앙에 개구부(8)가 형성된 원형의 포커스 링(5)이 설치되며, 상기 포커스 링(5)과 상기 하부 전극(4b)간에는 웨이퍼가 위치될 수 있는 웨이퍼 지지대(6)가 설치된다. 그러면 이와 같이 구성된 폴리머 생성 장비를 이용하여 폴리머를 생성하는 과정을 설명하면 다음과 같다.In the conventional polymer generating equipment, as shown in FIG. 1, upper and lower electrodes 4a and 4b are respectively installed in a chamber 1 in which gas inlets and gas exhaust ports 2 and 3 are formed, respectively. The high frequency power is supplied to the high frequency generator 7 to 4a and 4b. In addition, a circular focus ring 5 having an opening 8 formed in the center is provided between the upper and lower electrodes 4a and 4b, and the focus ring 5 and the lower electrode 4b are provided in the center. Between the wafers, a wafer support 6 on which wafers can be placed is installed. Next, a process of generating a polymer using the polymer generating equipment configured as described above will be described.

먼저, 감광막 패턴이 형성된 웨이퍼를 상기 웨이퍼 지지대(6)상에 위치시킨 후 상기 가스 주입구(2)를 통해 상기 챔버(1)내로 소오스 가스로 이용되는 수소화 브롬(HBr) 가스를 주입시키며 상기 고주파 발생기(7)로부터 상기 상부 및 하부 전극(4a 및 4b)에 고주파 전력이 인가되도록 한다. 그러면 상기 상부 및 하부 전극(4a 및 4b)에 인가된 고주파 전력에 의해 상기 소오스 가스는 플라즈마 상태로 변화되고, 생성된 플라즈마내에 존재하는 고분자 물질인 폴리머가 상기 웨이퍼상에 증착된다. 이때, 생성된 플라즈마는 상기 포커스 링(5) 개구부(8)를 통해 웨이퍼에 집중되어 폴리머가 상기 웨이퍼상에 균일하게 증착된다.First, a wafer on which a photoresist pattern is formed is positioned on the wafer support 6, and then a bromine hydride (HBr) gas, which is used as a source gas, is injected into the chamber 1 through the gas injection hole 2. High frequency power is applied to the upper and lower electrodes 4a and 4b from (7). The source gas is then converted into a plasma state by the high frequency power applied to the upper and lower electrodes 4a and 4b, and a polymer, which is a polymer material present in the generated plasma, is deposited on the wafer. At this time, the generated plasma is concentrated on the wafer through the focus ring 5 opening 8 so that a polymer is uniformly deposited on the wafer.

여기서, 폴리머의 증착 두께는 상기 챔버(1) 내부의 온도와 밀접한 관계를 갖는데, 상기 챔버 내부의 온도가 낮을수록 폴리머의 증착 두께는 증가되며, 상기 챔버 내부의 온도가 높을수록 많은 량의 폴리머가 다른 생성물과 함께 상기 챔버(1) 외부로 배출되기 때문에 폴리머의 증착 두께는 감소하게 된다. 따라서 현재에는 상기 챔버(1) 내부의 온도를 예를들어 15℃ 정도가 되도록 하여 최적의 상태가 유지되도록 하는데, 이 경우 파티클의 발생이 증가되어 소자의 수율이 저하되는 문제점이 발생된다.Here, the deposition thickness of the polymer has a close relationship with the temperature inside the chamber (1). The lower the temperature in the chamber, the higher the deposition thickness of the polymer, and the higher the temperature in the chamber, The deposition thickness of the polymer is reduced because it is discharged out of the chamber 1 with other products. Therefore, at present, the temperature inside the chamber 1 is maintained at, for example, about 15 ° C., so that the optimum state is maintained. In this case, the generation of particles is increased, resulting in a decrease in yield of the device.

그래서 다음과 같은 방법을 이용하여 파티클의 증가를 방지한다.So use the following method to prevent particles from growing.

1. 포커스 링의 제거: 포커스 링은 생성된 플라즈마를 웨이퍼에 집중시켜 폴리머가 웨이퍼상에 균일하게 증착될 수 있도록 하는 역할을 하지만 파티클 생성의 주요 원인으로 작용한다. 그러므로 상기 포커스 링을 제거하여 폴리머 증착 공정시 파티클의 생성이 방지되도록 한다.1. Removal of the focus ring: The focus ring serves to concentrate the generated plasma on the wafer so that the polymer can be deposited uniformly on the wafer, but it is a major cause of particle generation. Therefore, the focus ring is removed to prevent the generation of particles during the polymer deposition process.

2. 챔버 내부의 온도 유지: 챔버 내부의 온도가 높은 경우 포커스 링 및 챔버 내벽에 존재하는 고분자 물질이 떨어져 나와 파티클로 작용하기 때문에 공정이 진행되는 동안과 대기중인 시간동안 챔버 내부의 온도를 예를들어 15℃로 일정하게 유지시켜 파티클의 발생이 방지되도록 한다.2. Maintaining the temperature inside the chamber: If the temperature inside the chamber is high, the polymer inside the focus ring and the inner wall of the chamber will come off and act as particles. For example, it is kept constant at 15 ℃ to prevent the generation of particles.

3. 공정 순서 조정: 폴리머 증착 공정을 실시하기 전에 충분한 시간동안 펌핑(Pumping) 공정을 실시하여 챔버 내부를 정화시키므로써 파티믈 발생의 원인으로 작용하는 고분자 물질의 농도가 감소되도록 한다.3. Process Sequence Adjustment: Prior to the polymer deposition process, the pumping process is performed for a sufficient time to purify the inside of the chamber so that the concentration of the polymer substance which causes the generation of particles is reduced.

실제 상기와 같은 방법을 적용하여 폴리머 증착 공정을 실시한 결과 약 1500장의 웨이퍼를 처리한 후 챔버 세정 공정을 실시하였는데, 이는 포커스 링을 제거한 경우(약 250 내지 500장의 웨이퍼를 처리한 후 챔버 세정공정을 실시)와 비교할 때 파티클 발생 방지면에서 매우 효과가 있음을 알 수 있다.As a result of the polymer deposition process using the same method as described above, after processing about 1500 wafers, the chamber cleaning process was performed, and when the focus ring was removed (after processing 250 to 500 wafers, the chamber cleaning process was performed. It can be seen that it is very effective in preventing particle generation in comparison with the embodiment).

그러나 소자 제조 과정에 상기와 같은 공정을 적용하는 경우 파티클의 발생은 효과적으로 방지할 수 있으나 폴리머의 증착 균일도 및 수율이 저하되는 단점이 있다.However, when the above process is applied to the device manufacturing process, the generation of particles can be effectively prevented, but the deposition uniformity and yield of the polymer are deteriorated.

따라서 본 발명은 폴리머의 증착 균일도를 양호하게 유지하면서 파티클의 발생을 최소화할 수 있도록 하기 위하여 온도 조절기에 의해 포커스 링의 온도가 챔버 내부의 온도보다 높게 조절될 수 있도록 하므로써 상기한 단점을 해소할 수 있는 폴리머 생성 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention can solve the above disadvantages by allowing the temperature of the focus ring to be adjusted higher than the temperature inside the chamber by the temperature controller in order to minimize the generation of particles while maintaining a good deposition uniformity of the polymer. It is an object of the present invention to provide a polymer generating equipment and a pattern forming method of a semiconductor device using the same.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 폴리머 생성 장비는 가스 주입구 및 가스 배기구가 각각 형성된 챔버와, 상기 챔버내에 각각 설치된 상부 및 하부 전극과, 상기 상부 및 하부 전극에 고주파 전력을 공급하기 위한 고주파 발생기와, 상기 상부 및 하부 전극간에 설치된 포커스 링과, 상기 포커스 링의 온도를 제어하기 위한 온도 조절기와, 상기 포커스 링과 상기 하부 전극간에 설치되며 상부에 웨이퍼가 위치될 수 있도록 구성된 웨이퍼 지지대로 이루어지는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 폴리머 생성 장비를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법은 절연막이 형성된 웨이퍼상에 도전층을 형성한 후 상기 도전층상에 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 감광막 패턴이 형성된 웨이퍼를 가스 주입구 및 가스 배기구가 각각 형성된 챔버내에 상부 및 하부 전극이 각각 설치되고, 상기 상부 및 하부 전극에는 고주파 발생기로부터 고주파 전력이 공급되며, 상기 상부 및 하부 전극간에 설치된 포커스 링은 온도 조절기에 연결되어 온도가 제어되도록 구성된 폴리머 생성 장비의 웨이퍼 지지대상에 위치시킨 후 폴리머 증착 공정을 실시하여 상기 감광막 패턴의 측벽에 폴리머가 증착되도록 하는 단계와, 상기 단계로부터 측벽에 폴리머가 증착된 감광막 패턴을 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 도전층을 패터닝한 후 잔류된 상기 감광막 패턴 및 폴리머를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The polymer generating equipment according to the present invention for achieving the above object is a chamber in which a gas inlet and a gas exhaust port are formed, respectively, upper and lower electrodes respectively installed in the chamber, and a high frequency for supplying high frequency power to the upper and lower electrodes. A generator, a focus ring disposed between the upper and lower electrodes, a temperature controller for controlling the temperature of the focus ring, and a wafer support unit disposed between the focus ring and the lower electrode and configured to position the wafer on the upper side. The method for forming a pattern of a semiconductor device using the polymer generating equipment according to the present invention may include forming a conductive layer on a wafer on which an insulating film is formed, and then forming a photosensitive film pattern on the conductive layer; Patterned wafers are provided with a gas inlet and a gas outlet. Upper and lower electrodes are respectively installed in the chambers, respectively, and the upper and lower electrodes are supplied with high frequency power from a high frequency generator, and a focus ring disposed between the upper and lower electrodes is connected to a temperature controller to generate a polymer configured to control temperature. Placing the polymer on the sidewall of the photoresist pattern by placing the polymer on the wafer support object of the equipment and then etching the conductive layer using the photoresist pattern on which the polymer is deposited on the sidewall as a mask. It characterized in that it comprises the step of removing the photoresist pattern and the polymer remaining after the patterning.

도 1은 종래의 폴리머 생성 장비를 설명하기 위한 장비의 구조도.1 is a structural diagram of a device for explaining a conventional polymer production equipment.

도 2는 도 1에 도시된 포커스 링의 평면도.2 is a plan view of the focus ring shown in FIG.

도 3은 본 발명에 따른 폴리머 생성 장비를 설명하기 위한 장비의 구조도.3 is a structural diagram of equipment for explaining a polymer production equipment according to the present invention.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 폴리머 생성 장비를 이용한 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.4A to 4C are cross-sectional views of devices for explaining a pattern forming method using the polymer generating equipment according to the present invention.

＜도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명＞<Brief description of the main parts of the drawings>

1 및 11: 챔버 2 및 12: 가스 주입구1 and 11: chamber 2 and 12: gas inlet

3 및 13: 가스 배기구 4a 및 14a: 상부 전극3 and 13: gas vents 4a and 14a: upper electrode

4b 및 14b: 하부 전극 5 및 15: 포커스 링4b and 14b: lower electrodes 5 and 15: focus ring

6 및 16: 웨이퍼 지지대 7 및 17: 고주파 발생기6 and 16: Wafer supports 7 and 17: High frequency generator

8: 개구부 18: 온도 제어기8: opening 18: temperature controller

21: 반도체 기판 22: 절연막21: semiconductor substrate 22: insulating film

23: 도전층 23A: 패턴23: conductive layer 23A: pattern

24: 감광막 패턴 25: 폴리머24: photosensitive film pattern 25: polymer

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

양호한 폴리머 증착 균일도를 얻기 위해서는 증착 공정시 챔버 내부의 온도는 25℃ 이하로 유지되어야 하며, 또한 파티클의 발생은 25℃ 이상의 온도에서 감소된다는 점을 실험을 통해 얻을 수 있었다. 그러므로 본 발명은 폴리머 생성 장비에 온도 조절기를 구비시키고, 상기 온도 조절기의 동작에 의해 포커스 링의 온도가 챔버 내부의 온도보다 높게 제어되도록 하였다. 따라서 챔버 내부의 온도는 25℃ 이하로 유지되고, 포커스 링의 온도는 25℃ 이상으로 유지되므로써 폴리머 증착 균일도는 향상되며 파티클의 발생은 최소화된다. 그러면 본 발명의 실시예를 도 3을 통해 설명하면 다음과 같다.In order to obtain a good polymer deposition uniformity, it was experimentally found that the temperature inside the chamber should be maintained at 25 ° C. or lower during the deposition process, and the generation of particles was reduced at a temperature of 25 ° C. or higher. Therefore, the present invention includes a thermostat in the polymer production equipment, and the temperature of the focus ring is controlled to be higher than the temperature inside the chamber by the operation of the thermostat. Therefore, the temperature inside the chamber is maintained at 25 ° C. or lower, and the focus ring temperature is maintained at 25 ° C. or higher, thereby improving polymer deposition uniformity and minimizing particle generation. An embodiment of the present invention will now be described with reference to FIG. 3.

도 3은 본 발명에 따른 폴리머 생성 장비를 설명하기 위한 장비의 구조도로서,3 is a structural diagram of equipment for explaining a polymer production equipment according to the present invention,

가스 주입구 및 가스 배기구(12 및 13)가 각각 형성된 챔버(11)내에 상부 및 하부 전극(14a 및 14b)이 각각 설치되고, 상기 상부 및 하부 전극(14a 및 14b)에는 고주파 발생기(17)로부터 고주파 전력이 공급되도록 구성된다. 그리고 상기 상부 및 하부 전극(14a 및 14b)간에는 중앙에 개구부가 형성된 원형의 포커스 링(15)이 설치되는데, 상기 포커스 링(15)은 온도 조절기(18)와 연결되어 온도가 제어될 수 있도록 구성된다. 또한, 상기 포커스 링(15)과 상기 하부 전극(14b)간에는 웨이퍼가 위치될 수 있는 웨이퍼 지지대(16)가 설치된다.Upper and lower electrodes 14a and 14b are respectively installed in the chamber 11 where the gas inlet and the gas exhaust ports 12 and 13 are formed, respectively, and the high and high frequencies are generated from the high frequency generator 17 in the upper and lower electrodes 14a and 14b. Configured to be powered. In addition, a circular focus ring 15 having an opening formed at a center is installed between the upper and lower electrodes 14a and 14b, and the focus ring 15 is connected to a temperature controller 18 so that temperature can be controlled. do. In addition, a wafer support 16 on which a wafer may be positioned is provided between the focus ring 15 and the lower electrode 14b.

그러면 이와 같이 구성된 폴리머 생성 장비를 이용하여 폴리머를 생성하는 과정을 설명하면 다음과 같다.Next, a process of generating a polymer using the polymer generating equipment configured as described above will be described.

먼저, 감광막 패턴이 형성된 웨이퍼를 상기 웨이퍼 지지대(16)상에 위치시킨 후 상기 가스 주입구(12)를 통해 상기 챔버(11)내로 소오스 가스로 이용되는 수소화브롬(HBr) 가스를 주입시키며 상기 고주파 발생기(17)로부터 상기 상부 및 하부 전극(14a 및 14b)에 400 내지 600 W의 고주파 전력이 인가되도록 한다. 이때 상기 챔버(11)내부의 온도는 예를들어 15℃로 유지되도록 하며, 상기 포커스 링(15)의 온도는 상기 온도 조절기(18)에 의해 상기 챔버(11) 내부의 온도보다 높게, 예를들어 25 내지 30℃ 정도로 유지되도록 한다. 그러면 상기 상부 및 하부 전극(14a 및 14b)에 인가된 고주파 전력에 의해 상기 소오스 가스는 플라즈마 상태로 변화되고, 생성된 플라즈마내에 존재하는 고분자 물질인 폴리머가 상기 웨이퍼상에 증착되는데, 이때, 상기와 같이 포커스 링(15)을 이용하므로써 폴리머가 웨이퍼상에 균일하게 증착되며, 상기 포커스 링(15)의 온도를 상기 챔버(11) 내부의 온도보다 높게 유지시키므로써 파티클의 생성이 최소화된다.First, a wafer on which a photoresist pattern is formed is positioned on the wafer support 16, and then a bromide hydride (HBr) gas, which is used as a source gas, is injected into the chamber 11 through the gas injection hole 12, thereby generating the high frequency generator. A high frequency power of 400 to 600 W is applied to the upper and lower electrodes 14a and 14b from (17). In this case, the temperature inside the chamber 11 is maintained at 15 ° C., for example, and the temperature of the focus ring 15 is higher than the temperature inside the chamber 11 by the temperature controller 18. For example, it is maintained at about 25 to 30 ℃. Then, the source gas is changed into a plasma state by high frequency power applied to the upper and lower electrodes 14a and 14b, and a polymer, which is a polymer material present in the generated plasma, is deposited on the wafer. By using the focus ring 15 as described above, the polymer is uniformly deposited on the wafer, and the generation of particles is minimized by keeping the temperature of the focus ring 15 higher than the temperature inside the chamber 11.

그러면 여기서 상기와 같이 구성된 폴리머 생성 장비를 이용하여 패턴을 형성하는 과정을 도 4a 내지 4c를 통해 설명하면 다음과 같다.Next, a process of forming a pattern using the polymer generating equipment configured as described above will be described with reference to FIGS. 4A to 4C.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 폴리머 생성 장비를 이용한 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도로서,4A to 4C are cross-sectional views of devices for explaining a pattern forming method using a polymer generating apparatus according to the present invention.

도 4a는 절연막(22)이 형성된 웨이퍼(21)상에 도전층(23)을 형성한 후 상기 도전층(23)상에 감광막 패턴(24)을 형성한 상태의 단면도로서, 상기 감광막 패턴(24)간의 거리(D1)는 현재 사진 공정에 사용되는 광학 장비로 형성할 수 있는 패턴간의 임계 거리이다.4A is a cross-sectional view of the photosensitive film pattern 24 formed on the conductive layer 23 after the conductive layer 23 is formed on the wafer 21 on which the insulating film 22 is formed. Is the critical distance between the patterns that can be formed by the optical equipment used in the current photographic process.

도 4b는 상기 감광막 패턴(24)이 형성된 웨이퍼(21)를 상기 폴리머 생성 장비의 웨이퍼 지지대(16)상에 위치시킨 후 상기와 같이 폴리머 증착 공정을 실시하여 상기 감광막 패턴(24)의 측벽에 폴리머(25)를 증착한 상태의 단면도로서, 이때 상기 챔버(11) 내부의 온도는 예를들어 10 내지 25℃로 유지되도록 하며, 상기 포커스 링(15)의 온도는 상기 조절기(18)에 의해 상기 챔버(11) 내부의 온도보다 높게, 예를들어 25 내지 30℃ 정도로 유지되도록 하므로써 상기 폴리머(25)가 균일하게 증착되며 파티클의 생성이 최소화된다.4B shows that the wafer 21 on which the photoresist pattern 24 is formed is positioned on the wafer support 16 of the polymer generating equipment, and then a polymer deposition process is performed as described above to form a polymer on the sidewall of the photoresist pattern 24. (25) is a cross-sectional view of the deposition state, wherein the temperature inside the chamber (11) is maintained at, for example, 10 to 25 ℃, the temperature of the focus ring 15 is controlled by the controller 18 The polymer 25 is evenly deposited and the generation of particles is minimized by keeping it above the temperature inside the chamber 11, for example 25 to 30 ° C.

도 4c는 상기와 같이 측벽에 폴리머(25)가 증착된 감광막 패턴(24)을 마스크로 이용하여 노출된 부분의 상기 도전층(23)을 식각한 후 잔류된 상기 감광막 패턴(24) 및 폴리머(25)를 제거한 상태의 단면도로서, 형성된 도전층 패턴(23A)간의 거리의 거리(D2)는 상기 임계 거리(D1)보다 작아진다.4C illustrates the photoresist pattern 24 and the polymer remaining after etching the conductive layer 23 in the exposed portion by using the photoresist pattern 24 having the polymer 25 deposited on the sidewall as a mask. 25 is a cross-sectional view of the removed state, wherein the distance D2 of the distance between the formed conductive layer patterns 23A is smaller than the threshold distance D1.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 온도 조절기에 의해 포커스 링의 온도가 챔버 내부의 온도보다 높게 조절되도록 하므로써 폴리머의 증착 균일도를 양호하게 유지하면서 파티클의 발생을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 소자의 수율을 증대시킬 수 있다. 또한 본 발명에 따른 폴리머 생성 장비를 패터닝 공정에 적용하여 패턴을 형성하면 패턴간의 거리를 현재 사용되는 광학 장비의 임계 거리보다 더 작게 감소시켜 소자의 집적도를 효과적으로 향상시킬 수 있다. 더욱이 본 발명을 이용하면 파티클의 발생이 최소화되어 챔버 세정 주기가 증가되며, 이에 의해 장비 관리 측면에서 생산비 절감이 이루어진다.As described above, according to the present invention, the temperature of the focus ring is controlled to be higher than the temperature inside the chamber by the temperature controller, thereby minimizing particle generation while maintaining good deposition uniformity of the polymer, and increasing the yield of the device. You can. In addition, if the polymer generating equipment according to the present invention is applied to the patterning process to form a pattern, the distance between the patterns may be reduced to be smaller than the critical distance of the optical equipment currently used, thereby effectively improving the device integration. Moreover, the use of the present invention minimizes the generation of particles, thereby increasing the chamber cleaning cycle, thereby reducing production costs in terms of equipment management.

Claims (4)

가스 주입구 및 가스 배기구가 각각 형성된 챔버와,A chamber in which a gas inlet and a gas outlet are respectively formed; 상기 챔버내에 각각 설치된 상부 및 하부 전극과,Upper and lower electrodes respectively installed in the chamber; 상기 상부 및 하부 전극에 고주파 전력을 공급하기 위한 고주파 발생기와,A high frequency generator for supplying high frequency power to the upper and lower electrodes; 상기 상부 및 하부 전극간에 설치된 포커스 링과,A focus ring provided between the upper and lower electrodes, 상기 포커스 링의 온도를 제어하기 위한 온도 조절기와,A temperature controller for controlling the temperature of the focus ring; 상기 포커스 링과 상기 하부 전극간에 설치되며 상부에 웨이퍼가 위치될 수 있도록 구성된 웨이퍼 지지대로 이루어진 것을 특징으로 하는 폴리머 생성 장비.And a wafer supporter installed between the focus ring and the lower electrode and configured to allow the wafer to be positioned thereon. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포커스 링은 중앙부에 개구부가 형성된 원형인 것을 특징으로 하는 폴리머 생성 장비.And the focus ring has a circular opening with a central portion. 반도체 소자의 패턴 형성 방법에 있어서,In the pattern formation method of a semiconductor element, 절연막이 형성된 웨이퍼상에 도전층을 형성한 후 상기 도전층상에 감광막 패턴을 형성하는 단계와,Forming a photosensitive film pattern on the conductive layer after forming a conductive layer on the wafer on which the insulating film is formed; 상기 단계로부터 상기 감광막 패턴이 형성된 웨이퍼를 가스 주입구 및 가스 배기구가 각각 형성된 챔버내에 상부 및 하부 전극이 각각 설치되고, 상기 상부 및 하부 전극에는 고주파 발생기로부터 고주파 전력이 공급되며, 상기 상부 및 하부 전극간에 설치된 포커스 링은 온도 조절기에 연결되어 온도가 제어되도록 구성된 폴리머 생성 장비의 웨이퍼 지지대상에 위치시킨 후 폴리머 증착 공정을 실시하여 상기 감광막 패턴의 측벽에 폴리머가 증착되도록 하는 단계와,From the above step, the wafer having the photoresist pattern formed thereon is provided with upper and lower electrodes, respectively, in a chamber in which a gas inlet and a gas exhaust port are formed, and the upper and lower electrodes are supplied with high frequency power from a high frequency generator, The installed focus ring is connected to a temperature controller and placed on a wafer support object of a polymer generating device configured to control temperature, and then performing a polymer deposition process to deposit a polymer on sidewalls of the photoresist pattern. 상기 단계로부터 측벽에 폴리머가 증착된 감광막 패턴을 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 도전층을 패터닝한 후 잔류된 상기 감광막 패턴 및 폴리머를 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.And removing the remaining photoresist pattern and the polymer after the conductive layer is patterned by an etching process using the photoresist pattern on which the polymer is deposited on the sidewalls as a mask. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 폴리머 증착 공정시 상기 챔버 내부의 온도는 10 내지 25℃로 유지되며, 상기 포커스 링의 온도는 25 내지 30℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.In the polymer deposition process, the temperature inside the chamber is maintained at 10 to 25 ℃, the temperature of the focus ring is maintained at 25 to 30 ℃ pattern pattern forming method of a semiconductor device.