KR20000056518A - 반도체 웨이퍼 세정장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 세정장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000056518A
KR20000056518A KR1019990005909A KR19990005909A KR20000056518A KR 20000056518 A KR20000056518 A KR 20000056518A KR 1019990005909 A KR1019990005909 A KR 1019990005909A KR 19990005909 A KR19990005909 A KR 19990005909A KR 20000056518 A KR20000056518 A KR 20000056518A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical liquid
cleaning
pure water
chemical
tank
Prior art date
Application number
KR1019990005909A
Other languages
English (en)
Inventor
최영근
Original Assignee
김규현
아남반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김규현, 아남반도체 주식회사 filed Critical 김규현
Priority to KR1019990005909A priority Critical patent/KR20000056518A/ko
Publication of KR20000056518A publication Critical patent/KR20000056518A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 서로 다른 종류의 약액으로 세정처리해야 하는 약액처리 및 린스처리를 하나의 세정 용기에서 웨이퍼이동 없이 세정처리를 일괄적으로 처리할 수 있는 반도체 웨이퍼 세정장치를 개시한다.
본 발명은 약액 또는 린스가 저장되며 웨이퍼가 담궈지는 세정조와, 세정조에서 넘치는 약액 또는 린스를 저장할 수 있도록 세정조 바깥쪽 둘레에 설치되는 보조용기와, 세정조에 약액을 공급할 수 있도록 설치되는 다수의 약액 공급부와, 보조용기에 저장된 약액을 세정조로 순환할 수 있도록 세정조와 보조용기 사이에 설치되는 약액 순환부와, 세정조에 순수를 공급할 수 있도록 설치되는 순수 분사부와, 약액 또는 순수를 복귀시키거나 배출하기 위해 세정조 바닥에 설치되는 복귀/배출부를 포함한다.

Description

반도체 웨이퍼 세정장치{EMICONDUCTOR WAFER CLEANER}
본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 서로 다른 종류의 약액으로 세정처리해야 하는 약액처리 및 린스처리를 하나의 세정 용기에서 웨이퍼이동 없이 세정처리를 일괄적으로 처리할 수 있는 세정장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 고밀도화 추세에 따라 실리콘(Si) 웨이퍼가 200㎜에서 300㎜로 커지고 패턴폭도 0.5㎛, 0.35㎛에 0.25㎛, 0.18㎛으로 미세화됨에 따라 세정기술에 있어서도 해결해야할 문제들이 대두되고 있다.
종래에는 주로 일괄처리(batch)형 다조식(多槽式) 세정장치가 이용되고 있으며, 도 1에 종래의 일괄처리형 다조식 세정장치의 배치도가 개략적으로 도시되어 있다.
도시되어 있는 바와 같이, 종래의 일괄처리형 다조식 세정장치는 웨이퍼를 로딩하는 웨이퍼 로딩조(LD), 웨이퍼를 SC-1용액으로 세정하는 SC-1약액조, 퀵 덤프 린스(quick dump linse)를 실시하는 QDR조, 웨이퍼를 불산(HF)으로 세척하는 HF약액조, 다시 퀵 덤프 린스를 실시하는 QDR조, 최종적으로 린스로 세정하는 최종린스조(F/R), 웨이퍼를 건조하는 건조조(DRY), 세정공정을 완료된 웨이퍼를 세정장치로부터 배출시키는 웨이퍼 언로딩조(UL)가 순차적으로 배치되어 있다.
이와 같은 종래의 일괄처리형 다조식 세정장치의 조들은 특히, 약액(chemical)을 사용하는 약액조(chemical bath)와, 순수(DI water)를 사용하는 세척조(rinse bath)로 구분될 수 있다.
종래의 일괄처리형 다조식 세정장치에서 SC-1약액조, HF약액조는 약액조로 속하며, QDR조, 최종린스조는 세척조로 구분된다.
도 2 및 도 3에 종래의 약액조 및 세척조의 일예가 도시되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 약액조(100)는 약액을 공급할 수 있도록 복수개의 약액 공급부(110)가 설치되고, 그 아래에 약액을 저장하는 약액 용기(120)가 마련되고, 약액 용기(120) 바깥쪽 둘레에 약액 용기(120)를 넘치는 약액을 저장하는 약액 저장용기(130)가 마련되고, 약액 저장용기(130)에 저장된 약액을 약액 용기(120)로 순환시킬 수 있도록 배관(140)이 설치되어 있다. 배관(140) 상에는 통상적으로 펌프(141)와 필터(142)가 마련되어 약액의 순환 및 여과기능이 원활하게 이루어진다.
한편, 세척조(200)는 도 3에 도시된 바와 같이, 순수를 저장하는 순수 용기(210)가 마련되고, 이 순수 용기(210) 상부에는 순수를 분사공급할 수 있는 순수 분사기(220)가 설치되고, 순수 용기(210) 하부에는 세척에 사용된 순수를 배출하기 위한 배출구(230)가 설치되며, 통상적으로 순수 용기(210)의 바닥면에서도 순수를 분출할 수 있도록 순수 분사기(240)가 구비되어 있다.
이와 같이 구성된 약액조(100) 및 세척조(200)의 약액 용기(120) 또는 순수 용기(210)에 실리콘 웨이퍼를 담궈 세정공정을 실시하게 된다.
그런데 이와 같은 종래의 약액조(100) 및 세척조(200)를 포함하는 일괄처리 다조식 세정장치는 복수개의 약액조(100) 및 세척조(200)를 구비해야 하므로 장치의 부피가 큰 단점이 있으며, 세정해야 하는 실리콘 웨이퍼의 구경이 커지게 되면 약액조(100) 및 세척조(200)의 가로폭 및 높이가 무조건 커진만큼씩 커진다. 그렇기 때문에 용기 용량도 커지고 장치 외형도 커지는 단점이 있다.
또한, 웨이퍼를 약액조(100) 또는 세척조(200)로 옮겨가면서 세정처리를 수행해야하므로 세정작업의 대량 생산시 쓰루풋(throughput)이 떨어지며, 웨이퍼를 옮기는 캐리어(carrier)의 오염에 의한 불량이 발생될 염려가 있다.
따라서 본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 여러 가지 약액으로 세정처리해야 하는 약액처리를 하나의 세정 용기에서 실시할 수 있을 뿐만 아니라 린스로 세척해야 하는 린스처리 또한 동일한 세정 용기에서 실시할 수 있어 웨이퍼이동 없이 세정처리를 일괄적으로 처리할 수 있는 세정장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
이와같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 약액 또는 린스가 저장되며 웨이퍼가 담궈지는 세정조와, 세정조에서 넘치는 약액 또는 린스를 저장할 수 있도록 세정조 바깥쪽 둘레에 설치되는 보조용기와, 세정조에 약액을 공급할 수 있도록 설치되는 다수의 약액 공급부와, 보조용기에 저장된 약액을 세정조로 순환할 수 있도록 세정조와 보조용기 사이에 설치되는 약액 순환부와, 세정조에 순수를 공급할 수 있도록 설치되는 순수 분사부와, 약액 또는 순수를 복귀시키거나 배출하기 위해 세정조 바닥에 설치되는 복귀/배출부를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정장치를 제공한다.
본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
도 1은 종래의 일괄처리형 다조식 세정장치의 배치도,
도 2는 종래의 약액조의 일예가 도시된 개략도,
도 3은 종래의 세척조의 일예가 도시된 개략도,
도 4는 본 발명에 따른 세정장치를 도시한 개략도,
도 5는 본 발명에 따른 세정장치의 배치도,
도 6는 본 발명의 세정장치를 이용한 공정을 단계별로 나타낸 블록도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
10 ; 세정조 12 ; 보조용기
20 ; 약액 공급부 30 ; 약액 순환부
40 ; 순수 분사부 50 ; 복구/배출부
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치의 일예를 도시한 개략도이다.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치는 여러 가지 약액으로 세정처리해야 하는 약액처리 및 린스처리를 하나의 세정조(10)에서 웨이퍼의 이동 없이 일괄적으로 처리할 수 있도록 세정조(10), 보조용기(12), 약액 공급부(20), 약액 순환부(30), 순수 분사부(40) 및 복귀/배출부(50)를 포함한다.
세정조(10)는 약액 또는 린스를 저장할 수 있으며 다수의 웨이퍼(W)를 담궈 약액처리 할 수 있도록 통상적인 용기로 구성된다. 세정조(10) 바깥쪽 둘레에는 세정조(10)에서 넘치는 약액 또는 린스를 저장할 수 있도록 보조용기(12)가 설치된다. 여기서, 세정조(10)의 측면 높이는 린스처리 시 오버플로우(overflow)를 위해 보조용기(12)보다 높게 형성되는 것이 바람직하다.
세정조(10)에 약액을 공급할 수 있도록 다수의 약액 공급부(20)가 세정조(10) 상부에 설치된다. 예시도면에서는 하나의 약액 공급부(20)만을 도시하고 있으나 실제로는 공급하고자 하는 약액의 종류에 따라 별도로 설치됨을 알려둔다.
한편, 보조용기(12)에 저장된 약액을 세정조(10)로 순환할 수 있도록 세정조(10)와 보조용기(12) 사이에는 약액 순환부(30)가 설치된다.
약액 순환부(30)는 통상적으로 배관상에 약액 조절밸브(31), 펌프(32), 필터(33) 및 히터(34)를 구비하고 있으며, 또한 약액의 온도, 농도, 오염도 등을 모니터링 할 수 있는 감지수단(35)들을 포함하고 있다.
한편, 세정조(10)에서 린스처리를 위해 세정조(10)에 순수를 공급할 수 있도록 순수 분사부(40)가 마련된다. 순수 분사부(40)는 세정조(10) 상부에 설치되어 세정조(10) 상부에서 순수를 분사하는 상부 순수 분사부(41)와, 세정조(10) 내부의 바닥면에 근접하게 설치되어 세정조(10) 하부에서 순수를 분사하는 하부 순수 분사부(42)로 구성되며, 이들을 병렬로 연결하는 배관(43)으로 구성된다.
복귀/배출부(50)는 세정에 사용된 약액을 약액 공급부(20)로 복귀시키거나 순수를 배출하기 위해 세정조(10) 바닥에 설치된다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼(W) 세정장치의 배치도를 도시한 개략도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따르면, 웨이퍼(W)를 로딩하는 웨이퍼(W) 로딩조(LD), 웨이퍼(W)의 약액처리 및 린스처리를 일괄적으로 처리하는 세정조(B), 웨이퍼(W)를 건조하는 건조조(DRY), 세정공정을 완료된 웨이퍼(W)를 세정장치로부터 배출시키는 웨이퍼(W) 언로딩조(UL)가 순차적으로 배치된다.
이하, 본 발명에 따른 작용 및 효과를 설명한다.
도 6는 본 발명의 반도체 웨이퍼(W) 세정장치를 이용한 공정을 단계별로 나타낸 블록도이다.
앞서 언급한 바와 같이, 웨이퍼(W) 로딩부로 웨이퍼(W)가 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼(W) 세정장치에 로딩되며, 캐리어(미도시됨.)에 의해 세정조(10)로 옮겨져 약액처리 및 린스처리가 일괄적으로 수행된다.
일예로 SC-1용 약액 공급부(20)를 통해 SC-1용액이 세정조(10)로 공급되어 약액처리 공정이 이루어진다.
일정이상 SC-1약액이 공급되면 약액은 세정조(10)를 넘쳐 보조용기(12)로 흐르게 된다. 잠시 후 SC-1용 약액 공급부(20)를 통한 SC-1약액의 공급은 중단하고 약액 순환부(30)의 약액 조절밸브(31)를 조작하여 보조용기(12)에 저장된 SC-1약액이 세정조(10)로 순환될 수 있도록 한다. 배관상에 설치된 펌프(32)는 약액이 보조용기(12)에서 세정조(10) 방향으로 흐를 수 있도록 소정 압력을 발생시키며, 필터(33)는 약액에 첨가된 불순물 등을 여과시키며, 히터(34)는 순환하는 약액을 소정 온도로 가열한다. 또한 배관상에 설치된 감지수단(35)은 약액의 온도, 농도, 오염도 등을 모니터링한다.
이와 같이 약액처리 공정을 완료한 후 동일한 세정조(10)에서 린스처리를 하기 위해서는 세정조(10) 및 보조용기(12)에 저장된 SC-1 약액을 모두 제거해야 한다. 이를 위해 SC-1 약액을 복귀/배출부(50)를 통해 SC-1용 약액 공급부(20)로 복귀시켜 세정조(10) 및 보조용기(12)를 비운다.
이어서, 순수 분사부(40)를 통해 세정조(10)에 순수를 분사한다. 즉, 세정조(10) 상부에서는 상부 순수 분사부(41)를 통해 분사되며, 세정조(10) 하부에서는 하부 순수 분사부(42)를 통해 분사된다. 린스처리를 거친 순수는 복귀/배출부(50)를 통해 배출된다. 이처럼 린스처리를 마친후 동일한 세정조(10)에서 웨이퍼(W)의 이동없이 두 번째 약액처리 공정이 수행된다. 두 번째 약액처리 공정의 약액은 별도의 약액 공급부(20)를 통해 공급되므로 첫 번째 약액과 동일한 약액일 필요는 없으며, 예컨대 불산(HF) 약액을 이용한 약액처리 공정을 수행할 수 있다. 약액 공급 및 약액 순환은 앞서 설명한 것과 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 이어서, 두 번째 린스처리 및 최종 린스처리 공정이 수행되나 수행 조건만 다를뿐 앞서 언급한 린스처리 공정과 동일하게 수행되므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
이처럼 본 발명에 따른 세정조(10)에서는 SC-1 약액처리 공정, 퀵 덤프 린스(quick dump linse)공정, 불산(HF) 약액처리 공정, 다시 퀵 덤프 린스 공정 및 최종린스공정을 일괄적으로 웨이퍼(W) 이동없이 처리할 수 있다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시키지 않고 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 하나의 세정조에서 여러 가지 종류의 약액처리 공정 및 린스처리 공정을 수행할 수 있으므로 복수개의 약액조 및 세척조를 구비할 필요가 없어 장치의 부피가 줄어들게 되는 장점이 있다. 특히, 웨이퍼의 대구경화에 따라 더불어 커져야 하는 세정장치의 크기 문제를 해결할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 웨이퍼 이동 없이 세정처리가 일괄적으로 이루어지므로 캐리어로 웨이퍼를 옮길 필요가 없어 웨이퍼를 옮기는 캐리어(carrier)의 오염에 의한 불량이 발생될 염려가 없다.

Claims (3)

  1. 약액 또는 린스가 저장되며 웨이퍼가 담궈지는 세정조와, 상기 세정조에서 넘치는 약액 또는 린스를 저장할 수 있도록 상기 세정조 바깥쪽 둘레에 설치되는 보조용기와, 상기 세정조에 약액을 공급할 수 있도록 설치되는 다수의 약액 공급부와, 상기 보조용기에 저장된 약액을 상기 세정조로 순환할 수 있도록 상기 세정조와 상기 보조용기 사이에 설치되는 약액 순환부와, 상기 세정조에 순수를 공급할 수 있도록 설치되는 순수 분사부와, 약액 또는 순수를 복귀시키거나 배출하기 위해 세정조 바닥에 설치되는 복귀/배출부를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 세정조의 측면 높이는 보조용기보다 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 순수 분사부는 상기 세정조 상부에 설치되는 상부 순수 분사부와, 상기 세정조 내부의 하부에 설치되는 하부 순수 분사부와, 이들을 연결하는 배관으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
KR1019990005909A 1999-02-23 1999-02-23 반도체 웨이퍼 세정장치 KR20000056518A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990005909A KR20000056518A (ko) 1999-02-23 1999-02-23 반도체 웨이퍼 세정장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990005909A KR20000056518A (ko) 1999-02-23 1999-02-23 반도체 웨이퍼 세정장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000056518A true KR20000056518A (ko) 2000-09-15

Family

ID=19574815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990005909A KR20000056518A (ko) 1999-02-23 1999-02-23 반도체 웨이퍼 세정장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000056518A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112599441A (zh) * 2020-11-30 2021-04-02 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 清洗***、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112599441A (zh) * 2020-11-30 2021-04-02 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 清洗***、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7055467B2 (ja) 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置
KR0147043B1 (ko) 세정장치 및 그 방법
US20030136429A1 (en) Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel
KR20000056518A (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치
JP3038449B2 (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JPH11145105A (ja) 洗浄装置
JP3910757B2 (ja) 処理装置及び処理方法
KR101052821B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 방법
KR100949096B1 (ko) 기판 세정 방법
KR100749549B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100543506B1 (ko) 척 세정장치 및 세정방법
KR100675560B1 (ko) 기판 세정 장치 및 처리조 내로 세정액을 공급하는 방법
WO2023282064A1 (ja) 基板処理システム、及び基板処理方法
KR20070030542A (ko) 처리조의 기포 제거장치
JP2000005710A (ja) 基板洗浄装置
JPH11283947A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20000015651A (ko) 반도체장치 제조용 자동세정설비
KR100632044B1 (ko) 웨이퍼의 세정장치 및 방법
KR101394088B1 (ko) 반도체 세정장치
KR100665654B1 (ko) 웨트 스테이션용 웨이퍼 가이드
WO2007077992A1 (ja) 被処理体搬送器の洗浄・乾燥処理方法、及び洗浄・乾燥処理装置、並びに記憶媒体
KR20050061649A (ko) 셀프 클리닝 기능을 갖는 케미컬베쓰 및 그 셀프 클리닝방법
KR20010018600A (ko) 반도체 세정장비의 세정액혼합장치
KR100885240B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20090036019A (ko) 기판 처리 장치, 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application