KR20000027064A - Flash memory - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 플레쉬 메모리에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플레쉬 메모리 칩 내부에 오퍼레이션 정보를 내장하도록 하여 플레쉬 메모리를 일반 데스크탑이나 노트북에 실장할 때 플레쉬 메모리를 구동시키기 위한 장치없이 이 정보를 읽음으로써 구동되도록 하여 호환성 및 구동에 있어 속도를 향상시킬 수 있도록 한 플레쉬 메모리에 관한 것이다.The present invention relates to a flash memory, and more particularly, to embed operation information in a flash memory chip so that it can be driven by reading this information without a device for driving the flash memory when the flash memory is mounted on a general desktop or laptop. The present invention relates to a flash memory capable of improving speed in compatibility and driving.
메모리는 데이터를 저장해 두고 필요할 때에 꺼내어 읽어볼 수 있는 장치를 일컫는 말로서 DRAM을 중심으로 하는 반도체 메모리로부터 마그네틱 디스크, 광학 디스크 등 다양한 종류가 있다. 이중에서도 반도체 메모리는 소형이며 높은 신뢰도 및 저렴한 가격이라는 장점 이외에도 상대적으로 고속 동작이 가능해서 매우 급속히 개발, 보급되고 있는 추세이다.The memory refers to a device that stores data and can be read out when needed. There are various types of memory, such as semiconductor memory based on DRAM, magnetic disks, and optical disks. Among them, semiconductor memory is small, high reliability and low price, and relatively high speed operation is possible, so it is developing and disseminating very rapidly.
마그네틱 메모리나 광학 메모리에 비해 반도체 메모리는 용량면에서는 뒤떨어지지만 동작 속도가 빠르기 때문에 CPU에 더욱 가까이 배치하여 빈번히 사용되는 데이터만을 저장하는 메모리로 사용된다.Compared to magnetic memory and optical memory, semiconductor memory is inferior in capacity but because of its fast operation speed, it is used as a memory for storing only frequently used data by placing closer to the CPU.
반도체 메모리는 RAM(Random Access Memory)과 ROM(Read Only Memory)로 크게 나눌 수 있다. RAM은 데이터를 임의로 써넣고 저장하며 읽어낼 수 있는 메모리로 전원이 끊기면 저장된 데이터가 소멸되는 소위 휘발성 기억소자인 반면에, ROM은 비록 데이터를 읽어낼 수 있을 뿐이지만 사용자가 칩에 데이터를 자유로이 써넣을 수 있는 프로그래밍이 가능한 PROM(Programmable ROM)과 1회만의 프로그래밍만 허용되는 OT-PROM(One Time Programmable ROM)으로 나누어진다.Semiconductor memories can be broadly divided into random access memory (RAM) and read only memory (ROM). RAM is a so-called volatile memory device that randomly writes, stores, and reads data. When the power is cut off, so-called volatile memory device loses data. On the other hand, ROM can read data on the chip freely, even though the user can read data. It is divided into a programmable PROM (Programmable ROM) that can be inserted and an OT-PROM (One Time Programmable ROM) that allows only one programming.
OT-PROM은 공장에서 칩제조 공정시에만 프로그래밍할 수 있는 마스크 ROM과 사용자가 프로그래밍할 수 있는 퓨즈 ROM이 있으며, PROM의 경우는 EPROM(Erasable PROM)과 EEPROM(Electrically Erasable PROM)이 있다.The OT-PROM has a factory-programmable mask ROM and a user-programmable fuse ROM for the chip manufacturing process. The PROM is an erasable PROM (EPROM) and an electrically erasable PROM (EEPROM).
EPROM은 패키지에 부착된 석영 유리창을 통해서 자외선을 쪼여서 칩의 전체 셀을 한꺼번에 소거하는 것이며, EEPROM은 큰 전기장을 인가시 발생하는 터널링현상을 이용하여 소거하는 것을 가르킨다.EPROM refers to erasing the entire cell of a chip at once by irradiating UV light through a quartz glass window attached to the package. EEPROM refers to erasing using tunneling phenomena generated when a large electric field is applied.
특히, 바이트(8비트) 단위로 소거하는 대신 블록단위로 셀을 한꺼번에 소거하는 EEPROM을 플레쉬메모리라고 부르게 된다.In particular, instead of erasing by byte (8-bit) unit, EEPROM that erases cells at once by block unit is called flash memory.
플레쉬 메모리는 플로팅게이트(Floating Gate)를 이용하여 프로그래밍 동작은 아래쪽 플로팅게이트에 전자를 주입시켜서 셀트랜지스터의 문턱전압을 증가시키는 동작이고 소거동작은 플로팅게이트에 있는 전자를 뽑아내어 플로팅게이트를 전자가 없는 상태로 만들어 문턱전압을 낮추는 동작이다.The flash memory uses floating gates to increase the threshold voltage of the cell transistors by injecting electrons into the floating gates, and the erase operation extracts the electrons in the floating gates so that the floating gates have no electrons. It is the operation to lower the threshold voltage by making it into a state.
이와 같이 프로그램이나 소거를 수행한 플래쉬 메모리의 문턱전압이 프로그래밍시 6V라 하고, 소거시 2V로 할 때 위쪽 게이트에 연결된 워드라인에 5V를 인가하면 프로그래밍된 셀은 오프되고 소거된 셀은 턴온되어 흐르는 전류의 차이를 판별하여 프로그래밍된 셀은 "1"로 소거된 셀은 "0"으로 판별하게 된다.When the threshold voltage of the flash memory that has been programmed or erased is 6V during programming and 2V when erased, when 5V is applied to the word line connected to the upper gate, the programmed cell is turned off and the erased cell turns on and flows. The cell programmed by determining the difference in current is determined as "1" and the cell erased as "0".
위와 같은 플레쉬 메모리를 개인용 테스트탑 컴퓨터나 노트북 컴퓨터 등에 실장할 때 서로 다른 오퍼레이션으로 인해 플레쉬 메모리의 오퍼레이션을 위한 구분으로 타입별로 부여된 디바이스 코드를 읽어서 그 디바이스에 맞는 오퍼레인션 프로그램을 필요로 한다.When the flash memory is mounted on a personal test-top computer or a notebook computer, the operation code for each device needs to be read by reading the device code assigned to each type for the operation of the flash memory due to different operations.
이처럼 각기 다른 구동 방법을 갖는 플레쉬 메모리를 실장해서 사용하기에 많은 어려움이 따르고 구동 프로그램을 개발하는 비용 및 시간 등의 제약이 많다는 문제점이 있다.As described above, there are many difficulties in mounting and using a flash memory having different driving methods, and there are many problems such as cost and time for developing a driving program.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 플레쉬 메모리 칩 내에 구동에 필요한 오퍼레이션 정보를 내장하여 플레쉬 메모리 칩을 구동할 때 내부의 오퍼레이션 정보를 읽어 칩을 구동시킬 수 있도록 하는 플레쉬 메모리를 제공함에 있다.The present invention was created to solve the above problems, and an object of the present invention is to embed the operation information necessary for driving in the flash memory chip to drive the chip by reading the operation information inside when the flash memory chip is driven. To provide a flash memory to ensure that.
도1은 본 발명에 의한 플레쉬 메모리를 간략하게 도시한 블록구성도이다.1 is a block diagram schematically illustrating a flash memory according to the present invention.
도2는 본 발명에 의한 플레쉬 메모리의 작동순서를 도시한 흐름도이다.2 is a flowchart showing the operation procedure of the flash memory according to the present invention.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawings-
10 : 오퍼에이션 캠 셀 20 : 코맨드 스테이트 머신10: operation cam cell 20: command state machine
30 : 입출력 버퍼30: I / O buffer
상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 플레쉬 메모리에 있어서, 플레쉬 메모리의 작동을 위한 오퍼레이션 정보를 저장하기 위한 오퍼레이션 캠 셀과, 외부에서 입력되는 신호에 의해 오퍼레이션 캠 셀에 기억된 오퍼레이션 정보를 입출력 버퍼로 출력되도록 하는 코맨드 스테이트 머신을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention for realizing the above object in the flash memory, the operation cam cell for storing the operation information for the operation of the flash memory and the operation information stored in the operation cam cell by the input signal from the outside input and output It further comprises a command state machine to be output to the buffer.
위와 같이 이루어진 본 발명의 작동을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention made as described above are as follows.
플레쉬 메모리의 실장시 플레쉬 메모리의 작동을 위한 오퍼레이션에 대한 정보를 오퍼레이션 캠 셀에 저장된 상태에서 외부에서 신호가 입력되면 코맨트 스테이트 머신에 의해 오퍼레이션 캠 셀의 내용을 읽어 입출력 버퍼로 출력함으로써 플레쉬 메모리 칩을 구동할 수 있도록 하여 시스템의 속도를 높일 수 있게 된다.When the flash memory is mounted, when an external signal is input while the information on the operation for operating the flash memory is stored in the operation cam cell, the contents of the operation cam cell are read by the command state machine and outputted to the input / output buffer to prepare the flash memory chip. It can be run to speed up the system.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, this embodiment is not intended to limit the scope of the present invention, but is presented by way of example only.
도1은 본 발명에 의한 플레쉬 메모리를 나타낸 블록구성도이다.1 is a block diagram showing a flash memory according to the present invention.
여기에 도시된 바와 같이 어드레스 버퍼(40)와 메인셀(50) 사이에 플레쉬 메모리의 작동을 위한 오퍼레이션 정보를 저장하기 위한 오퍼레이션 캠 셀(10)과, 외부에서 입력되는 신호에 의해 오퍼레이션 캠 셀(10)에 기억된 오퍼레이션 정보를 입출력 버퍼(30)로 출력되도록 하는 코맨드 스테이트 머신(20)이 더 구비된다.As shown here, an operation cam cell 10 for storing operation information for operating the flash memory between the address buffer 40 and the main cell 50, and an operation cam cell (by The command state machine 20 is further provided to output the operation information stored in 10) to the input / output buffer 30.
이때 오퍼레이션 캠 셀(10)은 플레쉬 메모리의 칩의 기록과 소거의 명령이 기록된 2바이트의 어드레스와 1바이트의 데이터로 이루어지기 때문에 3바이트로 구성된다.At this time, the operation cam cell 10 is composed of three bytes because the operation of writing and erasing the chip of the flash memory consists of two bytes of address and one byte of data.
따라서, 외부에서 입력되는 신호에 의해 코맨드 스테이트 머신(20) 회로를 이용하여 오퍼레이션 캠 셀(10)의 데이터를 읽어내어 입출력 버퍼(30)로 내보내게 된다.Therefore, the data of the operation cam cell 10 is read out to the input / output buffer 30 by the command state machine 20 circuit by the signal input from the outside.
오퍼레이션 캠 셀(10)의 데이터는 3개의 바이트로 이루어져 첫 번째 바이트는 로우 바이트 코맨드가, 두 번째 어드레스에는 하이 바이트 코맨드가, 세 번째 어드레스는 데이터가 저장된다. 그리고 모든 비트가 "1"로 기록되어 있을때는 하나의 코맨드가 끝이라는 것을 나타낸다.The data of the operation cam cell 10 is composed of three bytes. The first byte stores low byte commands, the second address stores high byte commands, and the third address stores data. And when all bits are written as "1", it indicates that one command is finished.
도2는 본 발명에 의한 플레쉬 메모리의 작동순서를 나타낸 흐름도이다.2 is a flowchart showing an operation procedure of a flash memory according to the present invention.
여기에 도시된 흐름도를 참조하여 본 발명의 작동을 설명하면 다음과 같다.Referring to the flowchart shown here will be described the operation of the present invention.
먼저, 리소스 데이터를 체크하게 된다(S10). 즉, 플레쉬 메모리 칩의 구성을 읽어내는 단계로 어드레스 개수, 입출력 개수, 섹터 개수, 섹터 어드레스등을 읽어낸다.First, the resource data is checked (S10). That is, in the step of reading the configuration of the flash memory chip, the address number, input / output number, sector number, sector address, and the like are read.
이후 버스 오퍼레인션을 체크한다(S20). 기본적으로 쓰기 또는 읽기시에 필요한 제어핀의 상태를 읽어내는 단계로 제어신호가 고전위 상태인가 저전위 상태인가를 읽어낸다.After that, the bus operation is checked (S20). Basically, it reads the state of control pin necessary for writing or reading. It reads whether the control signal is high potential or low potential.
그런다음 프로그램 오퍼레이션을 체크한다(S30). 프로그램시 입력되는 명령어 데이터를 읽어낸다.Then check the program operation (S30). Read command data input during programming.
그리고, 소거 오퍼레이션을 체크한다(S40). 소거시 입력되는 명령어, 데이터를 읽어낸다.Then, the erase operation is checked (S40). Read command and data inputted at erasing.
위와 같이 체크한 후 플레쉬 메모리 칩을 동작시키기 위한 기본적 데이터를 파일로 저장해두거나 RAM에 일시적으로 저장하여 시스템 구성을 작성한다(S50).After checking as above, the system configuration is created by storing basic data for operating the flash memory chip as a file or temporarily storing it in RAM (S50).
그런다음 이미 만들어져있는 파일 또는 RAM에 저장해 둔 내용을 기본으로 플레쉬 메모리 칩을 프로그램하거나 소거하여 플레쉬 메모리를 작동시킨다(S60).Then, the flash memory chip is programmed or erased based on the file or RAM stored in the RAM to operate the flash memory (S60).
상기한 바와 같이 본 발명은 플레쉬 메모리 칩내에 실장시 플레쉬 메모리를 작동시키기 위한 오퍼레이션 정보를 저장할 수 있는 오퍼레이션 캠 셀을 구비함으로써 플레쉬 메모리 칩 구동시 이 정보를 읽어 구동함으로써 호환성 및 구동에 있어 속도를 높일 수 있다는 이점이 있다.As described above, the present invention includes an operation cam cell capable of storing operation information for operating the flash memory when mounted in the flash memory chip, thereby reading and driving this information when driving the flash memory chip to increase the speed in compatibility and driving. There is an advantage that it can.
또한, 실장시 플레쉬 메모리 칩을 CPU의 보조기능이나 데이터 임시 보관 버퍼로서의 역할을 할 수 있어 시스템의 O/S를 저장하여 시스템속도를 높이는 역할을 할 수 있다는 이점이 있다.In addition, the flash memory chip can act as an auxiliary function of the CPU or a temporary buffer for data storage, and thus can store the O / S of the system and increase the system speed.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980044891A KR20000027064A (en) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | Flash memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980044891A KR20000027064A (en) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | Flash memory |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000027064A true KR20000027064A (en) | 2000-05-15 |
Family
ID=19555389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980044891A KR20000027064A (en) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | Flash memory |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000027064A (en) |
-
1998
- 1998-10-26 KR KR1019980044891A patent/KR20000027064A/en not_active Application Discontinuation
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