KR20000023860A - Method for generating mesh - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 이동하는 경계 문제를 수치해석적으로 계산하는 과정에서 국부적으로 메쉬를 재생성하는 방법에 관한 것으로, 특히 변화가 심한 경계면 영역의 이동으로 인하여 경계면의 꼬임 현상이 발생하면, 그 주변 영역의 메쉬를 제거한 후에 빈 영역에 대한 메쉬를 생성하여 본래의 경계면 구조를 그대로 복원하는 3차원 메쉬 재생성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of locally regenerating a mesh in the process of numerically calculating a moving boundary problem. Particularly, when the boundary surface is twisted due to the change of the boundary area, the mesh of the surrounding area is generated. The present invention relates to a three-dimensional mesh regeneration method of generating a mesh for an empty area and then restoring the original boundary structure.
반도체 단위 공정 및 소자 특성 등의 물리적인 해석을 위해서는 일반적으로 편미분 방정식을 사용하여 지배방정식을 확립하는데, 이러한 지배방정식을 컴퓨터로 계산하기 위해서는 영역을 분할하게 되고, 영역 내의 유한한 개수의 지점에서 농도, 스트레스, 전기장, 속도 등이 계산된다. 이렇게 영역을 분할하는 구조를 메쉬라고 한다.In order to physically analyze the semiconductor unit process and device characteristics, a partial differential equation is generally used to establish a governing equation. In order to calculate the governing equation by a computer, the domain is divided and the concentration at a finite number of points in the region is calculated. , Stress, electric field and speed are calculated. This structure of dividing the region is called a mesh.
이동하는 경계 문제를 해석하는 종래의 2차원 시뮬레이터에서는 규칙적인 구조를 가지는 구조형 메쉬나 불규칙적인 구조를 가지는 비구조형 메쉬 중에서 어느 것을 사용하더라도 비교적 간단히 메쉬의 국부적인 제거와 재생성 작업을 수행할 수 있었다.In the conventional two-dimensional simulator for analyzing moving boundary problems, it is possible to perform local removal and regeneration of the mesh relatively simply using either a structured mesh having a regular structure or an unstructured mesh having an irregular structure.
2차원 메쉬에서는 이동하는 경계에 따라서 경계면을 넘어가는 노드가 발생하거나, 경계면이 꼬이는 현상이 발생할 경우, 문제가 되는 노드를 제거함으로서 반전된 메쉬 요소를 제거하였다. 그러나, 3차원 메쉬에서는 노드 제거 작업만으로는 메쉬의 본래 형상을 복원할 수 없다는 것이 문제이다.In the 2D mesh, if the node crosses the boundary surface according to the moving boundary or the interface is twisted, the inverted mesh element is removed by removing the problematic node. However, in the 3D mesh, the problem is that the original shape of the mesh cannot be restored by the node removal operation alone.
이동하는 경계 문제를 해석해야 하는 반도체 공정들 중에서 식각 공정과 증착 공정은 메쉬의 꼬인 현상과 역전 현상이 발생하지 않도록 메쉬 구조 대신에 셀 구조를 사용한 방법을 많이 사용하고 있다. 식각과 증착 공정은 경계면을 포함한 내부 영역의 전체 메쉬에 대한 계산을 수행하지 않고 경계면에서만 계산을 수행하면 되므로, 경계면의 꼬임 현상 등이 발생하는 메쉬 구조는 사용하지 않는 편이다.Among semiconductor processes that need to analyze moving boundary problems, etching and deposition processes use cell structures instead of mesh structures to prevent mesh twisting and reversal. Etching and deposition processes do not perform calculations on the entire mesh of the inner region including the interface, but only on the interface, so that the mesh structure that causes twisting of the interface is not used.
그러나, 메쉬 구조를 사용하여 계산을 수행해야 하는 반도체 공정에서는 구조적 변화가 심한 경계면의 노드들이 서로 모여드는 영역에서는 반전되는 메쉬와 경계면의 꼬인 현상이 발생할 수 있게 된다.However, in a semiconductor process in which a calculation is to be performed using a mesh structure, twisting of the inverted mesh and the interface may occur in an area in which nodes of the interface with severe structural changes gather together.
이러한 문제점들을 극복하기 위하여 반도체 공정 시뮬레이터 개발 업계에서 많은 연구가 진행 중이며, 상기 문제점을 피할 수 있는 구조에 대한 계산을 수행하고 있다. P. Fleischmann, et al., "Grid Generation for Three-Dimensional Process and Device Simulation", SISPAD'96, pp. 161-166, 1996 에서는 평평한 기판 구조에 대하여 산화막이 성장하는 3차원 LOCOS 성장 시뮬레이션에서는 규칙적인 구조를 가진 구조형 메쉬와 불규칙적인 비구조형 메쉬를 모두 적용할 수 있음을 개시하고 있다.In order to overcome these problems, many researches are underway in the semiconductor process simulator development industry, and calculations are performed on structures that can avoid the above problems. P. Fleischmann, et al., "Grid Generation for Three-Dimensional Process and Device Simulation", SISPAD'96, pp. 161-166, 1996, discloses that a three-dimensional LOCOS growth simulation in which an oxide film is grown on a flat substrate structure can be applied to both a structured mesh with an irregular structure and an irregular non-structured mesh.
즉, 상기 논문에 개시된 3차원 산화 시뮬레이션을 위한 메쉬 생성 방법은 기판 형상의 변화가 심하지 않은 구조에 대하여 산화막 성장 시뮬레이션을 수행할 경우의 메쉬 생성 방법에 도움을 준다.That is, the mesh generation method for the three-dimensional oxidation simulation disclosed in the paper helps in the mesh generation method when the oxide film growth simulation is performed on a structure in which the shape of the substrate is not severely changed.
한편, 변화가 심한 기판 구조, 즉 부분적으로 식각된 기판 구조 등에 대한 3차원 산화막 성장 시뮬레이션을 수행하는데 있어서는, 경계면의 꼬임 현상이나 메쉬 요소의 반전 현상이 나타날 수 있으므로, 상기 영역에 대한 메쉬 재생성 작업을 수행하는 것이 바람직하다.On the other hand, in performing a three-dimensional oxide film growth simulation on a highly variable substrate structure, that is, a partially etched substrate structure, twisting of an interface or reversal of mesh elements may occur. It is preferable to carry out.
그러나, 종래 기술로는 경계면의 꼬임 현상을 제거하지 못하고 있으며, 경계면 노드 제거 방법을 통하여 경계면 꼬임 현상을 제거하려고 할 경우 경계면의 형상이 변형되는 문제점을 야기 시킬 수 있다. 이하 첨부 도면 제1도와 제2도를 참조하여 종래의 기술이 지니는 문제점을 상술하고자 한다.However, the prior art does not remove the twisting of the interface, and may cause a problem that the shape of the interface is deformed when attempting to remove the interface twisting through the interface node removal method. Hereinafter, the problems of the related art will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
즉, 이동하는 경계 문제를 해석하는 3차원 산화 공정의 경우 평평한 기판 구조보다는 증착 및 식각 공정에 의하여 변형된 기판 구조에 대하여 산화 공정을 수행하는 것이 보통이므로, 기판 구조의 변형되는 모서리 영역(10, 11) 중에서 특히 오목한 영역(10)에서는 메쉬 요소의 역전 현상과 경계면의 꼬임 현상(20)을 유발시킬 수 있다.That is, in the case of the three-dimensional oxidation process that analyzes the moving boundary problem, the oxidation process is usually performed on the substrate structure deformed by the deposition and etching process rather than the flat substrate structure. In particular, in the concave region 10, the inversion phenomenon of the mesh element and the twisting phenomenon 20 of the interface may be caused.
제1도를 살펴보면, 수치해석적으로 계산하고자 하는 영역의 경계면에서 주변 노드들이 모여드는 모서리(10)와 주변 노드들이 퍼져 나가는 모서리(11)가 발생하게 된다. (10)의 경우 경계면 형상의 꼬임 현상이 발생할 수 있는데, 이러한 꼬임 현상을 루핑(Looping)이라고 한다. 루핑이 발생한 영역에서는 경계면과 연결된 메쉬 요소들이 역전되어 수치해석적 계산의 오차를 유발시키는 원인이 되고, 루핑으로 인하여 경계면 형상의 심한 변형이 야기되어 이동하는 경계 문제 해석을 통한 정확한 경계면의 형상을 기대하기 어렵게 된다. (11)의 경우에는 인접한 노드들의 거리가 멀어짐에 따라서 경계면의 기하학적 표현의 정확도가 감소하게 되고, 경계면을 따라서 주변의 메쉬 요소들보다 매우 큰 메쉬 요소들이 존재하게 되므로, 역시 수치해석적 계산의 오차를 유발시킬 수 있다.Referring to FIG. 1, an edge 10 at which peripheral nodes gather and an edge 11 at which peripheral nodes spread out occur at the boundary of an area to be calculated numerically. In the case of (10), twisting of the interface shape may occur, which is called looping. In the looping area, the mesh elements connected to the boundary are reversed, causing errors in numerical calculations, and the looping causes severe deformation of the interface shape, and the accurate boundary shape is expected through the analysis of the moving boundary problem. It becomes difficult to do it. In the case of (11), the accuracy of the geometric representation of the interface decreases as the distance between adjacent nodes increases, and since there are mesh elements that are much larger than the surrounding mesh elements along the boundary, the error of numerical calculation May cause.
한편, 제2도와 같은 평평한 기판 구조에 대하여 산화 시뮬레이션을 수행하는 LOCOS 시뮬레이션에서는 경계면의 이동 방향이 거의 수직 방향으로만 이루어지므로 구조형 메쉬를 사용하여 (40) 영역에 대하여 새로운 노드들을 생성하고, (41) 영역에 대하여는 노드를 생성하지 않는 방법을 사용한다. 그러나, 앞서 지적한 바와 같이 식각된 기판 구조에 대한 산화 시뮬레이션의 경우 기판의 수직 식각면과 수직한 방향으로 경계면이 이동하므로, 상기 산화막의 성장은 여러 방향으로 동시에 이루어진다. 이러한 산화막 성장은 구조형 메쉬를 사용한 노드 삽입 알고리즘으로는 구현하기 어렵게 된다. 또한, 루핑의 발생 형상도 불규칙적으로 이루어지므로 비구조형 메쉬를 사용한 루핑 제거 방법이 필요하게 된다.On the other hand, in LOCOS simulation, which performs oxidation simulation on the flat substrate structure as shown in FIG. 2, since the direction of movement of the interface is almost vertical, the new nodes are generated for the region (40) using the structural mesh, and (41 For nodes, use the method of not creating a node. However, as noted above, in the case of the oxidation simulation of the etched substrate structure, the boundary plane moves in a direction perpendicular to the vertical etching plane of the substrate, so that the growth of the oxide film is simultaneously performed in various directions. Such oxide film growth becomes difficult to implement with a node insertion algorithm using a structured mesh. In addition, since the occurrence shape of the roof is also irregular, a roofing removal method using an unstructured mesh is required.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 종래의 비구조형 메쉬 생성 방법을 사용하여 이동하는 경계 문제를 해석하는데 있어서 발생하는 루핑 문제를 해결할 수 있는 3차원 메쉬 루핑 제거 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide a 3D mesh looping removal method that can solve a looping problem occurring in analyzing a moving boundary problem by using a conventional unstructured mesh generating method.
본 발명의 제2 목적은 상기 제1 목적에 부가하여, 국부적인 영역에 대한 메쉬의 제거로 발생하는 표면 메쉬와 경계면의 교점들로 구성되는 표면 메쉬 생성 방법을 제공하는데 있다.It is a second object of the present invention to provide a surface mesh generation method comprising, in addition to the first object, an intersection of a surface mesh and an interface resulting from removal of the mesh with respect to a local area.
본 발명의 제3 목적은 상기 제1 목적에 부가하여, 국부적으로 비어있는 메쉬 영역에 대하여 메쉬를 재생성하는 방법을 제공하는데 있다.A third object of the present invention is to provide a method for regenerating a mesh with respect to a locally empty mesh area in addition to the first object.
제1도는 이동하는 경계 문제에 대한 수치해석적 계산에서 발생할 수 있는 메쉬의 문제점을 나타낸 도면.1 is a diagram illustrating problems of meshes that may occur in numerical computation of moving boundary problems.
제2도는 구조형 메쉬를 사용한 이동하는 경계 문제 해석에서 발생할 수 있는 메쉬의 문제점을 나타낸 도면.2 is a diagram illustrating a mesh problem that may occur in moving boundary problem analysis using a structured mesh.
제3도는 메쉬 재생성 방법의 순서도.3 is a flow chart of a mesh regeneration method.
제4a도 내지 제4c도는 표면 메쉬를 사용한 메쉬 재생성 개념을 나타낸 도면.4a to 4c is a diagram showing the concept of mesh regeneration using the surface mesh.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
10, 11, 30 : 모서리 노드10, 11, 30: edge node
20, 21 : 새로이 생성될 노드20, 21: newly created node
40, 41 : 구조형 메쉬의 재생성층40, 41: regenerated layer of the structural mesh
50, 51, 52, 53, 54 : 메쉬 재생성 알고리즘50, 51, 52, 53, 54: mesh regeneration algorithm
60, 62, 64 : 표면 메쉬60, 62, 64: Surface Mesh
61 : 새로운 요소61: new elements
63 : 제거된 표면63: removed surface
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 루핑이 발생한 영역에서 경계면 메쉬의 교점을 찾는 단계, 상기 영역의 메쉬를 제거하는 단계, 상기 제거된 영역을 둘러싸는 표면 메쉬를 구성하는 단계, 상기 교점과 모서리 노드들을 중심으로 제거된 경계면의 표면 메쉬를 재생성하는 단계, 상기 표면 메쉬를 사용하여 내부 영역 메쉬를 재생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 메쉬 재생성 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is to find the intersection of the interface mesh in the area where the looping occurs, removing the mesh of the area, constructing a surface mesh surrounding the removed area, the intersection and the corner Regenerating the surface mesh of the boundary surface removed around the nodes, and regenerating an inner area mesh using the surface mesh.
이하, 본 발명에 따른 3차원 메쉬 재생성 방법의 바람직한 실시 예를 첨부 도면 제3도 내지 제4c도를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a three-dimensional mesh regeneration method according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 4c.
제3도는 루핑이 발생하였을 때 루핑을 제거하는 알고리즘의 순서도이다. 루핑 발생으로 꼬인 경계면의 교점 노드 생성 단계(50)는 루핑을 이루고 있는 경계면의 삼각형 요소들이 만나는 교점에 새로운 노드를 생성하고, 생성된 노드들을 모서리 노드에 등록한다.3 is a flowchart of an algorithm for removing looping when looping occurs. The intersection node generation step 50 of the interface twisted by the looping generation creates a new node at the intersection point of the triangular elements of the interface forming the looping, and registers the generated nodes with the edge node.
루핑 발생 영역 메쉬를 제거하는 단계(51)는 메쉬를 재생성하기 위한 영역의 기존 메쉬를 제거하는 단계로서, 루핑이 발생한 영역의 모서리 노드를 포함하는 사면체들과 이와 이웃하여 접하고 있는 사면체들을 제거하면서, 제거되는 사면체들 사이에 놓인 삼각형들과 이를 구성하고 있는 변들 중에서 연결된 사면체가 모두 제거된 변들을 제거한다.The step 51 of removing the looping generating area mesh is to remove an existing mesh of the area for regenerating the mesh, removing tetrahedrons including edge nodes of the looping area and tetrahedrons adjacent to each other, The triangles between the tetrahedrons being removed and the sides that make up the connected tetrahedrons are removed.
제거된 메쉬 영역 둘레의 표면 메쉬를 구성하는 단계(52)는 루핑 발생 영역의 메쉬를 제거하여 생긴 빈 영역의 표면을 구성하는 삼각형들을 따로 추출하여 메쉬 재생성을 수행할 초기 메쉬로 구성하는 단계로서, 메쉬가 제거된 영역 내부에서 표면 삼각형을 볼 때 각 삼각형을 구성하는 세 개의 노드들이 시계 방향으로 순서가 매겨지도록 정렬한다. 모서리 노드 및 생성된 교점 노드들과 연결되는 경계면 메쉬 재생성 단계(53)는 사면체를 사용한 3차원 메쉬 재생성 단계를 수행하기 위한 초기 표면 삼각형들을 구성하고, 제거된 메쉬 영역의 경계면을 정의하는 단계이다. 이 단계에서는 모서리 노드들과 연결된 변, 삼각형, 사면체들이 모두 제거된 상태이므로, 모서리 노드들로 구성되는 변들을 생성하고, 이 변들과 제거된 영역의 표면 삼각형을 구성하는 변들 중에서 경계면에 해당하는 변들로부터 삼각형 메쉬 재생성 작업을 수행한다.Comprising the surface mesh around the removed mesh area 52 is a step of extracting the triangles constituting the surface of the blank area generated by removing the mesh of the roofing generation area to configure the initial mesh to perform mesh regeneration, When you see the surface triangles inside the area where the mesh is removed, the three nodes that make up each triangle are arranged in a clockwise order. The interface mesh regeneration step 53, which is connected to the edge node and the generated intersection nodes, constitutes initial surface triangles for performing the three-dimensional mesh regeneration step using tetrahedrons, and defines the boundary surface of the removed mesh area. In this step, the edges, triangles, and tetrahedrons connected to the edge nodes are all removed, so the edges composed of edge nodes are created, and the edges corresponding to the boundary among the edges and the edges forming the surface triangle of the removed area. Reconstruct the triangular mesh from
메쉬 제거 영역의 표면 메쉬와 경계면 메쉬로부터 내부 영역 메쉬를 재생성하는 단계(54)는 메쉬를 재생성할 영역을 둘러싸는 삼각형들로부터 삼각형의 전방에 있는 노드를 연결하여 사면체를 구성해 나가면서 제거된 메쉬 영역의 빈 영역이 모두 없어질 때까지 사면체를 생성한다.Regenerating the inner area mesh from the surface and interface meshes of the mesh removal area (54) connects the nodes in front of the triangle from the triangles surrounding the area to regenerate the mesh to form a tetrahedron. Create a tetrahedron until all empty areas of the area are gone.
제4a도 내지 제4c도는 상기 (52, 53, 54) 단계를 설명하는 도면으로서, 2차원 및 3차원에서 같이 적용될 수 있는 방법으로서, 도면의 변을 삼각형으로 생각하고 도면의 삼각형은 사면체고 생각하면 3차원 메쉬 생성 알고리즘이 된다. 초기 표면 (60)에서 한 변의 전방으로 가장 가까이 놓인 노드와 연결하여 새로운 메쉬 요소(61)을 생성한다. 새로운 메쉬 요소를 구성하는 새로운 변들이 새로운 초기 표면(62)으로 등록되고, 새로운 메쉬 요소를 연결시킨 기존의 변(63)은 초기 표면에서 제거된다.4A to 4C illustrate the steps (52, 53, and 54), which can be applied together in two and three dimensions. The sides of the figure are considered as triangles and the triangles in the figure are tetrahedral. This results in a 3D mesh generation algorithm. A new mesh element 61 is created by connecting with the node nearest the front of one side on the initial surface 60. New sides constituting the new mesh element are registered with the new initial surface 62, and the existing side 63 connecting the new mesh element is removed from the initial surface.
상기 과정을 초기 표면 구조가 모두 사라질 때(64)까지 반복하여 수행하면서 제거된 표면들이 구성하는 것은 새로운 메쉬 요소들(63)이 된다.The process is repeated until the initial surface structure has all disappeared (64), resulting in new mesh elements (63).
전술한 내용은 후술할 발명의 특허 청구 범위를 보다 잘 이해할 수 있도록 본 발명의 특징과 기술적 장점을 다소 폭넓게 개설하였다. 본 발명의 특허 청구 범위를 구성하는 부가적인 특징과 장점들이 이하에서 상술될 것이다. 개시된 본 발명의 개념과 특정 실시 예는 본 발명과 유사 목적을 수행하기 위한 다른 설계나 수정의 기본으로서 즉시 사용될 수 있음이 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 인식되어야 한다.The foregoing has outlined rather broadly the features and technical advantages of the present invention to better understand the claims of the invention which will be described later. Additional features and advantages that make up the claims of the present invention will be described below. It should be appreciated by those skilled in the art that the conception and specific embodiment disclosed herein may be used immediately as a basis for other designs or modifications for carrying out similar purposes to the present invention.
즉, 본 발명의 바람직한 제2 실시 예로서, 전술한 상기 메쉬의 루핑 제거를 위한 메쉬 재생성 방법은 한 영역의 내부에 생성된 메쉬 요소의 역전 현상이 발생하였을 때, 역전된 메쉬 요소를 제거하기 위하여 사용되어질 수 있을 것이다.That is, in the second preferred embodiment of the present invention, the above-described mesh regeneration method for removing the looping of the mesh may be performed to remove the inverted mesh element when the inversion phenomenon of the mesh element generated in one region occurs. Could be used.
즉, 상기 상술 역전된 메쉬 요소 제거 방법은 역전된 메쉬 요소와 주변 메쉬 요소들을 제거한 후 빈 영역에 대하여 전술한 메쉬 재생성 방법을 사용하여 메쉬를 재생성 할 수 있을 것이다.That is, the above inverted mesh element removal method may remove the inverted mesh element and the surrounding mesh elements and then regenerate the mesh using the mesh regeneration method described above with respect to the empty area.
또한, 본원 발명의 양호한 제3 실시 예로서, 메쉬 영역에 새로운 노드를 삽입하는 경우 새로운 노드 주변의 메쉬 요소를 제거한 후, 새로운 노드를 연결하는 메쉬 요소를 재생성하는 방법으로 사용될 수 있다.In addition, in the third preferred embodiment of the present invention, when a new node is inserted into a mesh region, it may be used as a method of regenerating mesh elements connecting new nodes after removing mesh elements around new nodes.
본 발명에서 개시된 발명 개념과 실시 예가 본 발명의 동일 목적을 수행하기 위하여 다른 구조로 수정하거나 설계하기 위한 기초로서 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 사용되어질 수 있을 것이다. 또한, 당해 기술 분야의 숙련된 사람에 의한 그와 같은 수정 또는 변경된 등가 방법은 특허 청구 범위에서 기술한 발명의 사상이나 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변화, 치환 및 변경이 가능하다.The inventive concepts and embodiments disclosed in the present invention may be used by those skilled in the art as a basis for modifying or designing other structures for carrying out the same purposes of the present invention. In addition, such modifications or altered equivalent methods by those skilled in the art may be variously changed, substituted, and changed without departing from the spirit or scope of the invention described in the claims.
이상과 같이 본 발명에 따른 메쉬의 재생성 방법은 종래의 이동하는 경계 문제에 대한 수치해석적 계산 방법에서 발생하는 경계면의 루핑 현상 및 메쉬 요소의 역전 문제점을 제거하기 위한 메쉬 재생성 방법으로서, 본 발명은 이미 생성된 메쉬 내부에서 국부적으로 역적된 메쉬 요소들이 나타났을 때, 주변 메쉬 요소들을 제거하고 국부적으로 메쉬를 재생성 함으로서 역전된 메쉬 요소를 제거할 수 있다는 장점을 지니고 있다.As described above, the mesh regeneration method according to the present invention is a mesh regeneration method for eliminating the looping phenomenon of the boundary surface and the reversal problem of the mesh element generated in the conventional numerical calculation method for the moving boundary problem. When locally inverted mesh elements appear in an already created mesh, the inverted mesh element can be removed by removing neighboring mesh elements and regenerating the mesh locally.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980042648A KR20000023860A (en) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | Method for generating mesh |
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|---|---|---|---|
| KR1019980042648A KR20000023860A (en) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | Method for generating mesh |
Publications (1)
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|---|---|
| KR20000023860A true KR20000023860A (en) | 2000-05-06 |
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| KR (1) | KR20000023860A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428066B1 (en) * | 2001-02-23 | 2004-04-27 | 한국과학기술원 | Hexahedral Finite Element Mesh To Control The Element Size Modelling Method And Storage Medium Thereof |
-
1998
- 1998-10-13 KR KR1019980042648A patent/KR20000023860A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428066B1 (en) * | 2001-02-23 | 2004-04-27 | 한국과학기술원 | Hexahedral Finite Element Mesh To Control The Element Size Modelling Method And Storage Medium Thereof |
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Legal Events
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| G15R | Request for early opening | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
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