KR19990073676A - Field emission display device and driving method thereof - Google Patents

Abstract

전계 방출 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로서, 특히 게이트 전극의 양쪽에 캐소드 전극을 분할하여 형성하거나 또는, 2개 이상의 게이트 전극과 2개 이상의 캐소드 전극을 각각 교대로 형성하거나 또는, 2개 이상의 분할된 게이트 전극을 대각선 구조로, 2개 이상의 분할된 캐소드 전극도 대각선 구조로 형성하고, 상기 동일 전극끼리는 같은 전위를 유지하기 위해 연결하며, 각각의 전극상에 전자 방출을 위한 박막을 형성하여 FEA를 구성하거나, 아니면 캐소드 전극과 게이트 전극에 공급되는 전압을 상호 스위칭함에 의해 상기 양 전극에 교류 구동 전압을 인가하여 상기 양 전극에서 스캐터링이 발생하도록 함으로써, 전계 방출 표시 장치의 발광 휘도를 높이고 균등성을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a field emission display device and a driving method thereof, and in particular, a cathode electrode is formed on both sides of a gate electrode, or two or more gate electrodes and two or more cathode electrodes are alternately formed, or two or more divisions. The gate electrode is formed in a diagonal structure, and two or more divided cathode electrodes are also formed in a diagonal structure, and the same electrodes are connected to maintain the same potential, and a thin film for electron emission is formed on each electrode to form FEA. Alternatively, by alternately switching the voltages supplied to the cathode electrode and the gate electrode, an AC driving voltage is applied to the positive electrode so that scattering occurs at the positive electrode, thereby increasing light emission luminance and uniformity of the field emission display device. Can be improved.

Description

전계 방출 표시 장치 및 그 구동 방법Field emission display device and driving method thereof

본 발명은 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display ; FED)의 에미터 구조에 관한 것으로서, 특히 캐소드와 게이트 간에 박막을 여러개 설치하여 평면형 전계 방출 표시 장치의 휘도 성능을 개선할 수 있도록 하는 전계 방출 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an emitter structure of a field emission display (FED), and in particular, a field emission display device for improving the luminance performance of a flat field emission display device by installing a plurality of thin films between a cathode and a gate. And a driving method thereof.

통상, FED는 캐소드(Cathode ; 음극판)와 애노드(Anode ; 양극판)로 구성되어 있다. 상기 캐소드는 전자를 방출하는 마이크로 팁(Field Emitter Array ; FEA)으로 구성되고, 애노드는 형광체가 도포되어 사람이 볼 수 있는 영상을 나타내는 부분이다. 기본적으로 캐소드에서 방출된 전자가 애노드의 형광체에 부딪혀 영상을 나타내도록 설계되어있다. 또한, 작동방식이 기존 브라운관과 유사하면서도 평판으로 되어 있어 차세대 평판 브라운관으로 불린다.Usually, the FED is composed of a cathode (cathode plate) and an anode (anode plate). The cathode is composed of a micro tip (Field Emitter Array (FEA)) that emits electrons, the anode is a portion that represents an image that can be viewed by a person is a phosphor is applied. Basically, the electrons emitted from the cathode are designed to show the image by hitting the phosphor of the anode. In addition, the operation method is similar to the existing CRT, but also made of flat plate is called the next-generation flat CRT.

그리고, FED의 제작공정을 보면 우선 유리기판 위에 전자를 방출하는 마이크로 팁 구조를 반도체 공정으로 제작하고 애노드에 형광체를 도포한 후 스페이서(Spacer)라는 분리층을 만들어 고진공 패키징을 한다. 그리고 FEA 캐소드의 게이트(Gate) 전극과 캐소드 전극에 적절한 양의 전압을 가하면 마이크로 팁에 강한 전기장이 형성되어 양자 역학적 터널효과에 의해 전자가 방출된다. 방출된 전자가 수백볼트의 전압이 가해진 애노드에 끌려 형광체를 때리면 이때 형광체 상에 발광이 된다.In the manufacturing process of FED, first, a micro tip structure emitting electrons on a glass substrate is manufactured by a semiconductor process, a phosphor is coated on an anode, and a high vacuum packaging is made by forming a separation layer called a spacer. When an appropriate amount of voltage is applied to the gate electrode and the cathode electrode of the FEA cathode, a strong electric field is formed at the micro tip, and electrons are emitted by the quantum mechanical tunnel effect. When the emitted electrons are attracted to an anode to which a voltage of several hundred volts is applied and hit the phosphor, light is emitted on the phosphor.

이러한 전계 방출 표시 장치의 에미터(Emitter) 구조에는 SCE(Surface Conductive Emitter) 방식, DLC(Diamond Like Carbon) 방식, MIM(Metal In Metal) 방식, Spindt등 여러 가지가 있다.The emitter structure of the field emission display device includes a surface conductive emitter (SCE) method, a diamond like carbon (DLC) method, a metal in metal (MIM) method, and a spindt.

이중 SCE 방식의 기본 구조는 도 1에 도시된 바와 같이, 평면 전자원을 사용해 에미터 제조 공정을 단순화한 것으로서, 특히 방출(Emission) 방향에 따라 수평 구조로 분류된다. 즉, 캐소드와 게이트 전극에 전압을 인가하면 터널링(Tunneling) 효과에 의해 캐소드에서 수평 방향으로 전자가 방출되는 원리를 이용한 것이다.The basic structure of the dual SCE method is a simplified structure of the emitter manufacturing process using a planar electron source, as shown in FIG. 1, and is classified into a horizontal structure according to the emission direction. That is, when a voltage is applied to the cathode and the gate electrode, electrons are emitted in the horizontal direction from the cathode due to the tunneling effect.

도 2는 도 1의 기본 구조를 이용한 SCE 방식의 발광 원리를 나타내고 있다. 즉, 터널링 효과에 의해 캐소드에서 방출된 전자는 게이트 전극에 충돌하는데 이때 게이트 전극에서 충돌로 인해 스캐터링(Scattering)되는 전자가 애노드 전압에 의해 당겨져서 형광체에 충돌하여 발광을 하게 된다.FIG. 2 illustrates light emission principle of the SCE method using the basic structure of FIG. 1. That is, electrons emitted from the cathode due to the tunneling effect collide with the gate electrode. At this time, electrons scattered due to the collision at the gate electrode are attracted by the anode voltage and collide with the phosphor to emit light.

도 3은 공지되어 있는 SCE 방식의 상세 구조로서, 전압은 캐소드와 게이트 전극에 인가되지만 실제 전계에 의한 터널링 효과는 각 전극 위에 형성된 박막에서 나타난다.3 is a detailed structure of the known SCE method, in which voltage is applied to the cathode and the gate electrode, but the tunneling effect by the actual electric field is shown in the thin film formed on each electrode.

그러나, 이러한 평면 전자 방출 구조인 SCE 방식은 TIP 형태의 방식에 비해 다음과 같은 구조적인 단점을 가지고 있다.However, the SCE method, which is a planar electron emission structure, has the following structural disadvantages compared to the TIP type method.

첫째, 방출 효율이 낮다. 즉, 박막과 박막의 사이는 수십 nm 이하이며, 캐소드에서 방출된 전자는 대부분 게이트 전극에 흡수되고 실제 스캐터링되는 전자는 방출된 전자의 1% 정도에 불과하다. 또한, 애노드 전극에서 스캐터링 된 전자를 당기는데 필요한 전력이 전체 소비전력의 80% 정도를 차지하고 있다.First, the emission efficiency is low. That is, between the thin film and the thin film is tens of nm or less, most of the electrons emitted from the cathode are absorbed by the gate electrode, and only about 1% of the electrons emitted are actually scattered. In addition, the power required to pull the scattered electrons from the anode electrode occupies about 80% of the total power consumption.

둘째, 균등성(Uniformity)이 좋지 않다. 도 3의 구조는 형광체 한 픽셀에 해당하는 에미터이다. 즉, 길게 마주보는 박막 사이에서 방출되는 전자가 사각형의 형광체 한 픽셀을 발광시키기 때문에 형광체 전면에 걸쳐 고른 발광을 기대하기는 어렵다.Second, uniformity is not good. 3 is an emitter corresponding to one pixel of a phosphor. That is, it is difficult to expect even light emission across the entire surface of the phosphor because electrons emitted between the long facing thin films emit a single pixel of the phosphor.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 픽셀당 형성되는 캐소드와 게이트 전극을 분할하고 분할된 각각의 전극상에 박막을 형성하여 한 픽셀당 방출을 일으키는 박막 사이의 틈을 보다 많고 넓게 형성시키는 전계 방출 표시 장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to divide a cathode and a gate electrode formed per pixel, and to form a thin film on each of the divided electrodes to form a gap between the thin films causing emission per pixel. An object of the present invention is to provide a field emission display device having a larger number and width.

본 발명의 목적은 캐소드 전극과 게이트 전극에 공급되는 전압을 상호 스위칭함으로써, 교류 구동 전압을 인가하는 전계 방출 표시 장치의 구동 방법을 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a method of driving a field emission display device which applies an AC driving voltage by mutually switching a voltage supplied to a cathode electrode and a gate electrode.

도 1은 일반적인 전계 방출 표시 장치의 에미터 구조중 SCE 방식의 기본 구조를 나타낸 도면1 is a view showing the basic structure of the SCE method of the emitter structure of a general field emission display device

도 2는 도 1의 SCE 방식의 발광 원리를 나타낸 도면2 is a view illustrating a light emission principle of the SCE method of FIG.

도 3은 도 1의 SCE 방식의 전계 방출 표시 장치의 상세 도면3 is a detailed view of the SCE type field emission display device of FIG.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치의 기본 구조도4 is a basic structural diagram of a field emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치의 구조도5 is a structural diagram of a field emission display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치의 구조도6 is a structural diagram of a field emission display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 도 6의 전자 방출 과정을 나타낸 도면7 is a view showing the electron emission process of FIG.

도 8은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치의 구조도8 is a structural diagram of a field emission display device according to another embodiment of the present invention;

도 9는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치의 구조도9 is a structural diagram of a field emission display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings

91,93 : 캐소드 전극 92 : 게이트 전극91,93 cathode electrode 92 gate electrode

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전계 방출 표시 장치의 특징은, 게이트 전극의 양쪽에 캐소드 전극을 분할하여 형성하고, 상기 양쪽의 캐소드 전극은 같은 전위를 유지하기 위해 연결하며, 각각의 전극상에 전자 방출을 위한 박막을 형성하여 FEA를 구성하는데 있다.A feature of the field emission display device according to the present invention for achieving the above object is formed by dividing the cathode electrode on both sides of the gate electrode, the two cathode electrodes are connected to maintain the same potential, It is to form a FEA by forming a thin film for electron emission on the electrode.

본 발명에 따른 전계 방출 표시 장치의 다른 특징은, 2개 이상의 게이트 전극과 2개 이상의 캐소드 전극을 각각 교대로 형성하고, 상기 동일 전극끼리는 같은 전위를 유지하기 위해 연결하며, 각각의 전극상에 전자 방출을 위한 박막을 형성하여 FEA를 구성하는데 있다.According to another aspect of the field emission display device according to the present invention, two or more gate electrodes and two or more cathode electrodes are alternately formed, and the same electrodes are connected to each other to maintain the same potential, and the electrons on each electrode It is to form FEA by forming a thin film for emission.

본 발명에 따른 전계 방출 표시 장치의 또 다른 특징은, 2개 이상의 분할된 게이트 전극을 대각선 구조로 형성하고 2개 이상의 분할된 캐소드 전극을 대각선 구조로 형성하며, 상기 동일 전극끼리는 같은 전위를 유지하기 위해 연결하며, 각각의 전극상에 전자 방출을 위한 박막을 형성하여 FEA를 구성하는데 있다.Another feature of the field emission display device according to the present invention is to form two or more divided gate electrodes in a diagonal structure, and to form two or more divided cathode electrodes in a diagonal structure, and to maintain the same potential between the same electrodes. To form a thin film for electron emission on each electrode to form FEA.

본 발명에 따른 전계 방출 표시 장치의 또 다른 특징은, 게이트 전극이 캐소드 전극에 의해 둘러싸이도록 게이트 전극의 안팎으로 캐소드 전극을 형성하고, 상기 동일 전극끼리는 같은 전위를 유지하기 위해 연결하며, 각각의 전극상에 전자 방출을 위한 박막을 형성하여 FEA를 구성하는데 있다.Another feature of the field emission display device according to the present invention is to form a cathode electrode in and out of the gate electrode so that the gate electrode is surrounded by the cathode electrode, and the same electrodes are connected to maintain the same potential, and each electrode It is to form a FEA by forming a thin film for electron emission on the phase.

본 발명에 따른 전계 방출 표시 장치의 구동 방법의 특징은, 캐소드 전극과 게이트 전극에 공급되는 전압을 상호 스위칭함에 의해 상기 양 전극에 교류 구동 전압을 인가하여 상기 양 전극에서 스캐터링이 발생하도록 하는데 있다.A characteristic of the driving method of the field emission display device according to the present invention is to apply an alternating current driving voltage to the positive electrode by switching the voltage supplied to the cathode electrode and the gate electrode so that scattering occurs at the positive electrode. .

이러한 에미터 어레이 구조 및 구동 방법에 의해 전계 방출 표시 장치의 발광 휘도를 향상시키고 더불어 균등성을 향상시킬 수 있다.By the emitter array structure and the driving method, the light emission luminance of the field emission display device can be improved and the uniformity can be improved.

본 발명의 다른 목적, 특징 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 전계 방출 표시 장치의 기본 구조를 나타낸 것으로서, 가운데 게이트 전극의 양쪽에 캐소드 전극을 형성하였다. 양쪽의 캐소드 전극은 같은 전위를 유지하기 위해 연결되어 있으며 각각의 전극상에 전자 방출을 위한 박막이 형성되어 있다. 이 구조는 기존의 전자가 방출되는 박막 사이의 틈을 두배로 제공하고 있으며 가운데 게이트 전극은 양쪽의 캐소드 전극에서 발생하는 전자에 의해 양방향에서 스캐터링되는 효과를 얻게된다.4 illustrates a basic structure of the field emission display device according to the present invention, in which cathode electrodes are formed on both sides of a center gate electrode. Both cathode electrodes are connected to maintain the same potential, and a thin film for electron emission is formed on each electrode. This structure doubles the gap between thin films where conventional electrons are emitted, and the center gate electrode is scattered in both directions by electrons from both cathode electrodes.

본 발명의 기본 구조에서는 전자 방출량을 두배로 증가시킴과 동시에 애노드 전극에 의해 형광체에 충돌하는 전자가 두 개의 틈에서 발생을 하므로 두 가지 방향의 충돌 각도를 가지게 되어 보다 좋은 균등성(Uniformity) 효과를 얻을 수 있다.In the basic structure of the present invention, the electron emission amount is doubled and at the same time, electrons colliding with the phosphor by the anode are generated in two gaps, so that the collision angles in two directions are obtained to obtain a better uniformity effect. Can be.

도 5는 상기 도 4의 전계 방출 표시 장치의 응용 구조로서, 기본 구조에서는 캐소드 전극을 게이트 전극의 양쪽에 형성한 것과 같이 응용 구조에서는 캐소드 전극과 게이트 전극을 번갈아 형성시키고, 캐소드 전극끼리 그리고, 게이트 전극끼리는 같은 전위를 유지하기 위해 연결되어 있으며 각각의 전극에 전자 방출을 위한 박막을 형성시킨다.FIG. 5 is an application structure of the field emission display of FIG. 4. In the basic structure, the cathode electrode and the gate electrode are alternately formed in the application structure, and the cathode electrodes and the gate electrode are alternately formed in the application structure. The electrodes are connected to maintain the same potential and form a thin film for electron emission on each electrode.

이 구조는 기존의 전자가 방출되는 박막 사이의 틈을 세배로 제공하고 있으므로 기존 구조에서 보다 3배의 전자 방출 효과를 얻을 수 있다.This structure provides three times the gap between the thin films where conventional electrons are emitted, and can achieve three times the electron emission effect than the existing structure.

이와 같은 응용 방법으로 픽셀당 전극을 분할하여 형성할 경우 분할 전극 수에 비례하는 전자 방출 효과를 얻을 수 있다.In this application method, when the electrodes are formed by dividing the pixel per pixel, an electron emission effect proportional to the number of divided electrodes can be obtained.

도 6과 도 7은 교류 구동을 응용한 방법으로서, 캐소드 전극과 게이트 전극에 공급되는 전압을 상호 스위칭하면 구조 변형없이 전자의 방출 방향을 바꿀 수 있다. 즉, 도 6에서 (a), (b) 전극에는 교류 구동 전압이 인가되어 캐소드와 애노드 전극의 역할을 나누어 하게된다. 이 경우 도 7과 같이 양방향으로 전자를 방출시킬수 있기 때문에 두 전극에서 스캐터링이 발생하여 형광체 방향으로의 전자 충돌각이 두 가지가 된다. 따라서, 여러 각도로 형광체에 충돌하는 전자를 얻을 수 있으므로 균등성이 더욱 향상된다.6 and 7 illustrate a method using an alternating current driving method. When the voltages supplied to the cathode electrode and the gate electrode are switched to each other, the emission direction of electrons can be changed without structural modification. That is, in FIG. 6, the AC driving voltage is applied to the electrodes (a) and (b) to divide the roles of the cathode and the anode electrode. In this case, since electrons can be emitted in both directions as shown in FIG. 7, scattering occurs at two electrodes, resulting in two electron collision angles toward the phosphor. Thus, electrons colliding with the phosphor at various angles can be obtained, so that uniformity is further improved.

도 8은 또 다른 응용예로서, 기존 구조를 4등분 한 모양이다. 즉, 두 개의 게이트 전극과 두 개의 캐소드 전극을 각각 대각선 구조로 형성하고, 대각으로 형성된 동일 전극끼리는 같은 전위가 형성되도록 연결한다. 따라서, 각 캐소드 전극마다 두 개의 게이트 전극 방향으로 전자가 방출되고 스캐터링이 발생하는 위치와 그에 따른 전자의 방출 방향이 상하좌우 네 방향이므로 보다 전면적으로 애노드의 형광체를 발광시킬 수 있다.8 is another application example, the existing structure is divided into four quarters. That is, two gate electrodes and two cathode electrodes are formed in a diagonal structure, and the same electrodes formed diagonally are connected to form the same potential. Therefore, since the electrons are emitted in two gate electrode directions for each cathode electrode and scattering occurs, and the electron emission directions are four directions in the up, down, left, and right directions, the phosphor of the anode can be more fully emitted.

도 9은 또 다른 응용예로서, 박막은 설명의 편의를 위해 생략하였다. 이때, 가운데 캐소드 전극(91)과 외곽의 캐소드 전극(93)은 같은 전위가 공급되는 동일한 전극이고 게이트 전극(92)은 안팎으로 캐소드 전극(91,93)에 둘러싸인 구조이다. 따라서, 상술된 도 8의 경우와 같이 상하좌우로 보다 넓은 면적에서 전자 방출이 일어나며 역시 전자가 애노드의 형광체에 전면적으로 충돌하므로 높은 발광 효율을 얻을 수 있다.9 is another application example, and the thin film is omitted for convenience of description. In this case, the center cathode electrode 91 and the outer cathode electrode 93 are the same electrode supplied with the same potential, and the gate electrode 92 is surrounded by the cathode electrodes 91 and 93 in and out. Therefore, as in the case of FIG. 8 described above, electron emission occurs in a larger area up, down, left, and right, and electrons collide with the phosphor of the anode as a whole to obtain a high luminous efficiency.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 전계 방출 표시 장치 및 그 구동 방법에 의하면, 전자 방출이 일어나는 캐소드 전극과 애노드 전극의 대향면을 늘리는 새롭고 다양한 에미터 구조 즉, 형광체 한 픽셀에 대한 게이트 전극과 캐소드 전극을 분할하고 분할된 각 전극위에 박막을 형성하여 한 픽셀당 방출을 일으키는 박막 사이의 틈을 많고 넓게하거나, 또는 캐소드 전극과 게이트 전극에 공급되는 전압을 상호 스위칭함으로써, 전자 방출 효율의 증대와 더불어 형광체를 전면적으로 균등하게 발광시킬 수 있다.As described above, the field emission display device and the driving method thereof according to the present invention provide a new and diverse emitter structure for increasing the opposing surfaces of the cathode electrode and the anode electrode where electron emission occurs, that is, the gate electrode and the cathode electrode for one pixel of the phosphor. By forming a thin film on each of the divided electrodes and increasing the gap between the thin films causing emission per pixel, or by switching the voltages supplied to the cathode electrode and the gate electrode mutually, the phosphor and the electron emission efficiency are increased. Can emit light uniformly throughout.

Claims (5)

기판상에 형성되는 캐소드, 게이트 전극, 양 전극상에 형성되는 박막으로 구성된 필드 에미터 어레이(FEA)를 형광체 픽셀마다 배치하여 화상을 표시하는 전계 방출 표시 장치에 있어서,A field emission display device for displaying an image by arranging a field emitter array (FEA) composed of a cathode formed on a substrate, a gate electrode, and a thin film formed on both electrodes, for each phosphor pixel. 상기 게이트 전극의 양쪽에 캐소드 전극을 분할하여 형성하고, 상기 양쪽의 캐소드 전극은 같은 전위를 유지하기 위해 연결하며, 각각의 전극상에 전자 방출을 위한 박막을 형성하여 FEA를 구성함을 특징으로 하는 전계 방출 표시 장치.Cathode electrodes are formed on both sides of the gate electrode by dividing, the cathode electrodes on both sides are connected to maintain the same potential, and a thin film for electron emission is formed on each electrode to form FEA. Field emission indicator. 기판상에 형성되는 캐소드, 게이트 전극, 양 전극상에 형성되는 박막으로 구성된 필드 에미터 어레이(FEA)를 형광체 픽셀마다 배치하여 화상을 표시하는 전계 방출 표시 장치에 있어서,A field emission display device for displaying an image by arranging a field emitter array (FEA) composed of a cathode formed on a substrate, a gate electrode, and a thin film formed on both electrodes, for each phosphor pixel. 2개 이상의 게이트 전극과 2개 이상의 캐소드 전극을 각각 교대로 형성하고, 상기 동일 전극끼리는 같은 전위를 유지하기 위해 연결하며, 각각의 전극상에 전자 방출을 위한 박막을 형성하여 FEA를 구성함을 특징으로 하는 전계 방출 표시 장치.Two or more gate electrodes and two or more cathode electrodes are alternately formed, and the same electrodes are connected to maintain the same potential, and a thin film for electron emission is formed on each electrode to constitute FEA. Field emission display device. 기판상에 형성되는 캐소드, 게이트 전극, 양 전극상에 형성되는 박막으로 구성된 필드 에미터 어레이(FEA)를 형광체 픽셀마다 배치하여 화상을 표시하는 전계 방출 표시 장치에 있어서,A field emission display device for displaying an image by arranging a field emitter array (FEA) composed of a cathode formed on a substrate, a gate electrode, and a thin film formed on both electrodes, for each phosphor pixel. 2개 이상의 분할된 게이트 전극을 대각선 구조로 형성하고 2개 이상의 분할된 캐소드 전극도 대각선 구조로 형성하며, 상기 동일 전극끼리는 같은 전위를 유지하기 위해 연결하며, 각각의 전극상에 전자 방출을 위한 박막을 형성하여 FEA를 구성함을 특징으로 하는 전계 방출 표시 장치.Two or more divided gate electrodes are formed in a diagonal structure, and two or more divided cathode electrodes are also formed in a diagonal structure, and the same electrodes are connected to maintain the same potential, and a thin film for electron emission on each electrode is formed. The field emission display device of claim 1, wherein the field emission display device comprises a FEA. 기판상에 형성되는 캐소드, 게이트 전극, 양 전극상에 형성되는 박막으로 구성된 필드 에미터 어레이(FEA)를 형광체 픽셀마다 배치하여 화상을 표시하는 전계 방출 표시 장치에 있어서,A field emission display device for displaying an image by arranging a field emitter array (FEA) composed of a cathode formed on a substrate, a gate electrode, and a thin film formed on both electrodes, for each phosphor pixel. 상기 게이트 전극이 캐소드 전극에 의해 둘러싸이도록 게이트 전극의 안팎으로 캐소드 전극을 형성하고, 상기 동일 전극끼리는 같은 전위를 유지하기 위해 연결하며, 각각의 전극상에 전자 방출을 위한 박막을 형성하여 FEA를 구성함을 특징으로 하는 전계 방출 표시 장치.A cathode electrode is formed in and out of the gate electrode so that the gate electrode is surrounded by the cathode electrode, and the same electrodes are connected to each other to maintain the same potential, and a thin film for electron emission is formed on each electrode to constitute FEA. And a field emission display device. 기판상에 형성되는 캐소드, 게이트 전극, 양 전극상에 형성되는 박막으로 구성된 필드 에미터 어레이(FEA)를 형광체 픽셀마다 배치하여 화상을 표시하는 전계 방출 표시 장치의 구동 방법에 있어서,A method of driving a field emission display device in which a field emitter array (FEA) composed of a cathode formed on a substrate, a gate electrode, and a thin film formed on both electrodes is disposed for each phosphor pixel to display an image. 상기 캐소드 전극과 게이트 전극에 공급되는 전압을 상호 스위칭함에 의해 상기 양 전극에 교류 구동 전압을 인가하여 상기 양 전극에서 스캐터링이 발생하도록 함을 특징으로 하는 전계 방출 표시 장치의 구동 방법.And switching the voltage supplied to the cathode electrode and the gate electrode to apply an alternating current driving voltage to the positive electrode so that scattering occurs at the positive electrode.