KR19990069280A - Method of manufacturing protective film for semiconductor device - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 보호막 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 몰딩막 형성 이전에 반도체 장치의 표면에 보호막을 형성하기 위해 폴리이미드를 형성한 후, 공정조건이 각각 다른 제1단계, 제2단계 및 제3단계에 걸친 열처리 공정을 실시하여 상기 폴리이미드를 경화시킨다. 이와 같이 폴리이미드를 경화하는 과정에서 다단계에 걸친 열처리 공정을 실시함으로써 보호막으로서의 특성이 향상되어 반도체 장치의 외부 영향으로부터 보다 완벽하게 보호할 수 있게 된다.The present invention relates to a method for producing a protective film of a semiconductor device. According to the present invention, after forming the polyimide to form a protective film on the surface of the semiconductor device before forming the molding film, a heat treatment process is carried out through the first step, the second step and the third step having different process conditions, respectively. The polyimide is cured. Thus, by performing a multi-step heat treatment process in the process of hardening a polyimide, the characteristic as a protective film is improved and it can fully protect from the external influence of a semiconductor device.

Description

반도체 장치의 보호막 제조 방법Method of manufacturing protective film for semiconductor device

본 발명은 반도체 장치의 보호막 제조 방법에 관한 것으로, 특히 보호막으로서의 특성을 보다 향상시킬 수 있는 개선된 보호막 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a protective film of a semiconductor device, and more particularly, to an improved method for manufacturing a protective film that can further improve characteristics as a protective film.

최근 반도체 메모리 장치의 제조 분야에 있어서, 제조 기술이 발달되고 응용분야가 확장됨에 따라 대용량의 메모리 장치의 개발이 활발히 진행되고 있다. 이러한 반도체 메모리 장치는 크게 휘발성과 비휘발성 메모리 장치로 분류되어지는데, 파워(power)의 오프(off)에 따라 데이터가 지워지는 특성이 있는 스테이틱 랜덤 억세스 메모리(Static Random Access Memory ; 이하 SRAM이라 칭함) 또는 다이나믹 랜덤 억세스 메모리(Dynamic Random Access Memory ; 이하 DRAM이라 칭함)등은 휘발성 메모리 장치에 속하며, 일단 한번 입력된 데이터는 파워 오프시에도 계속 유지되는 롬(Read Only Memory ; 이하 ROM이라 칭함), 이피롬(Erasable and Programmable ROM ; 이하 EPROM이라 칭함), 또는 이이피롬(Electrically Erasable and Programmable ROM ; 이하 EEPROM이라 칭함)등은 비휘발성 메모리 장치에 속한다.Recently, in the field of manufacturing a semiconductor memory device, development of a large-capacity memory device is actively progressed as manufacturing technology is developed and application fields are expanded. Such semiconductor memory devices are classified into volatile and nonvolatile memory devices, which are referred to as static random access memories (SRAMs), which are characterized by data being erased when power is turned off. ) Or dynamic random access memory (hereinafter referred to as DRAM) belongs to a volatile memory device, and once input data is kept in ROM even after power off (Read Only Memory; referred to as ROM), Epyrom (Erasable and Programmable ROM, hereinafter referred to as EPROM), or Epyrom (Electrically Erasable and Programmable ROM, hereinafter referred to as EEPROM) and the like belong to a nonvolatile memory device.

상기 휘발성 메모리 장치들중에서 특히 DRAM은 내장된 캐패시터에 데이터를 일시적 또는 영구적으로 저장하는 메모리 장치로서, 이 캐패시터의 용량에 따라 데이터의 저장유지능력이 좌우된다. 반도체 메모리 장치가 고집적화됨에 따라 캐패시터의 면적이 점차로 감소되고 있다. 그 결과 캐패시터의 용량 또한 감소되고 있다. 용량의 여유를 크게 가지지 아니한 상태에서 메모리 셀이 동작하는 동안 외부로부터의 영향, 예컨대 α입자나 방사선과 같은 우주선의 영향을 받으면 메모리 셀의 캐패시터에 저장된 데이터는 쉽게 변화되어 소프트 에러를 빈번히 유발하게 된다. 따라서 본 분야의 제조 메이커들은 반도체 메모리 장치의 동작불량을 최소화하고 신뢰성을 향상시키기 위해, 통상적으로 칩을 완성하고 리드 프레임을 결합시킨 후, 에폭시(Epoxy) 몰딩 수지등을 이용하여 패키징(packaging) 공정을 실시하였다. 이러한 에폭시 몰딩 수지막으로 인해 외부로부터 전달되는 물리적인 힘이나 충격은 어느정도 완충되어 반도체 메모리 장치가 보호되는 효과가 있지만, α입자나 방사선과 같은 우주선은 완벽히 차단되지 못하는 단점이 발견되었다. 뿐만 아니라, 상기 패키징 공정시 발생되는 수분으로 인해 반도체 회로가 손상되거나, 에폭시 몰딩 수지로 패키징하는 과정에서 발생된 스트레스로 인해 반도체 장치의 동작특성 및 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.Among the volatile memory devices, in particular, DRAM is a memory device that temporarily or permanently stores data in an embedded capacitor, and the storage capacity of the data depends on the capacity of the capacitor. As the semiconductor memory device is highly integrated, the area of the capacitor is gradually reduced. As a result, the capacity of the capacitor is also decreasing. When the memory cell is operated without a large amount of capacity, the data stored in the capacitor of the memory cell is easily changed when the memory cell is affected by external influences such as α particles or a spacecraft such as radiation, causing frequent soft errors. Therefore, in order to minimize the malfunction of the semiconductor memory device and improve the reliability, manufacturers in the art typically use a epoxy molding resin or the like after packaging a chip and bonding a lead frame to a packaging process. Was carried out. The physical force or impact transmitted from the outside due to the epoxy molding resin film is buffered to some extent to protect the semiconductor memory device, but it has been found that a spaceship such as α particles or radiation is not completely blocked. In addition, the semiconductor circuit is damaged due to moisture generated during the packaging process, or there is a problem in that operation characteristics and reliability of the semiconductor device are deteriorated due to stress generated during packaging with an epoxy molding resin.

따라서, 본 분야에서는 상기의 문제점을 해소하고자 폴리이미드를 이용하여 상기 몰딩막 하부에 일정한 두께로 보호막을 형성하고 있다. 이러한 폴리이미드를 이용한 보호막을 형성할 경우, 외부의 물리적인 힘이나 충격이 보다 완화되어 반도체 장치가 보호됨은 물론, α입자등과 같은 하전된 우주선이 상기 폴리이미드막에 흡수되어 반도체 장치 내로의 침투가 방지된다. 또한 패키징 공정시 발생되는 수분이 반도체 회로내로 침투되는 것이 방지되며, 몰딩 보호막을 형성하는 과정에서 발생되는 스트레스가 상기 폴리이미드에 의해 완화되므로 반도체 장치의 동작 특성 및 신뢰성이 향상되는 장점이 있다.Therefore, in the present field, in order to solve the above problems, a protective film is formed to a predetermined thickness under the molding film by using polyimide. When the protective film using the polyimide is formed, external physical forces or shocks are alleviated to protect the semiconductor device, and charged cosmic rays such as α particles or the like are absorbed by the polyimide film and penetrated into the semiconductor device. Is prevented. In addition, the moisture generated during the packaging process is prevented from penetrating into the semiconductor circuit, and the stress generated in the process of forming the molding protective film is alleviated by the polyimide, thereby improving the operating characteristics and reliability of the semiconductor device.

그러나 상기한 폴리이미드 보호막을 형성하는 공정에 있어서, 폴리이미드를 설정된 영역에 일정 두께로 코팅한 후, 약 350℃ 이상의 고온에서 장시간에 걸친 열처리 공정을 실시하여 경화시켰다. 이처럼 고온에서 장시간 실시된 열처리 공정에서 발생된 열적 스트레스(thermal stress)로 인해 폴리이미드 보호막에 불량, 또는 강직(degradation) 현상이 발생되었다. 따라서 열적 스트레스가 발생된 폴리이미드 보호막을 반도체 장치를 보호하기 위한 보호막으로서의 기능을 다하지 못하고 오히려 반도체 장치에 악영향을 미치게 되는 문제점이 발생되었다. 따라서, 본 분야에서는 열처리 공정에서 열적 스트레스가 발생되지 않는 폴리이미드 보호막 제조 방법이 절실히 요구되어 지고 있는 실정이다.However, in the above-mentioned process of forming the polyimide protective film, the polyimide was coated to a predetermined thickness to a predetermined thickness, and then cured by performing a heat treatment process for a long time at a high temperature of about 350 ° C or more. The thermal stress generated in the heat treatment process performed for a long time at a high temperature caused defects or degradation in the polyimide protective film. Therefore, a problem arises in that the polyimide protective film in which the thermal stress is generated does not function as a protective film for protecting the semiconductor device, but rather adversely affects the semiconductor device. Therefore, there is an urgent need for a method of manufacturing a polyimide protective film in which thermal stress does not occur in the heat treatment process.

따라서 본 발명의 목적은, 상기한 종래의 문제점을 해소할 수 있는 반도체 장치의 보호막의 제조 방법을 제공하는데 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a method for producing a protective film for a semiconductor device which can solve the above-mentioned conventional problems.

본 발명의 다른 목적은, 열적 스트레스로 인해 불량이 발생되지 않는 반도체 장치의 보호막 제조 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a protective film for a semiconductor device in which a defect does not occur due to thermal stress.

본 발명의 다른 목적은, 열적 스트레스로 인해 강직 현상이 발생되지 않는 반도체 장치의 보호막 제조 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a protective film for a semiconductor device in which no stiffness occurs due to thermal stress.

본 발명의 또 다른 목적은, 반도체 장치를 보호하기 위한 보호막으로서의 특성이 보다 향상된 보호막 제조 방법을 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a method for manufacturing a protective film having improved characteristics as a protective film for protecting a semiconductor device.

상기 목적들을 달성하기 위해 본 발명에서는, 반도체 장치를 외부 영향으로부터 보다 완벽하게 보호하기 위해 몰딩막 형성 이전에 반도체 장치의 보호막을 제조하는 방법에 있어서: 상기 반도체 장치에 대한 리드 프레임이 연결될 본딩 패드로서 기능하는 금속 패드를 포함하여 상기 반도체 장치의 전체를 덮고 있는 절연막의 상부에 보호막 형성을 위한 물질막을 도포하는 단계와; 상기 물질막을 개구형성용 마스크로서 패터닝하고 상기 절연막의 일부를 식각하여 상기 금속 패드의 표면을 설정된 본딩영역 만큼 노출시키는 개구를 형성하는 단계와; 상기 개구가 형성되어 있는 물질막을 경화시, 열적 스트레스를 최소화하기 위해 공정조건을 각각 다르게 하여 열처리를 연속적으로 행하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법을 제공한다.In order to achieve the above objects, the present invention provides a method of manufacturing a protective film of a semiconductor device prior to forming a molding film in order to more fully protect the semiconductor device from external influences, comprising: a bonding pad to which a lead frame for the semiconductor device is to be connected; Applying a material film for forming a protective film on top of the insulating film covering the entirety of the semiconductor device including a functioning metal pad; Patterning the material film as an opening forming mask and etching a portion of the insulating film to form an opening exposing the surface of the metal pad by a predetermined bonding region; In the case of curing the material film having the opening, the method may include continuously performing heat treatment with different process conditions in order to minimize thermal stress.

또한 상기 목적들을 달성하기 위해서 본 발명은, 하전된 입자들이 칩내의 소자영역으로 침투되는 것을 방지하고, 패키징시 발생되는 수분 및 스트레스로부터 반도체 장치를 보호하기 위해 몰딩막을 형성하기 전에 반도체 장치의 보호막을 제조하는 방법에 있어서: 상기 반도체 장치에 대한 리드 프레임이 연결될 본딩 패드로서 기능하는 금속 패드를 포함하여 상기 장치의 전체를 덮고 있는 절연막의 상부에 보호막 형성을 위한 물질막을 도포하는 단계와; 상기 도포된 물질막을 개구형성용 마스크로서 패터닝하고 상기 절연막의 일부를 식각하여 상기 금속 패드의 표면을 설정된 본딩영역 만큼 노출시키는 개구를 형성하는 단계와; 상기 개구가 형성되어 있는 물질막의 휘발성분을 제거하기 위한 제1 열처리 공정을 실시하는 단계와; 상기 제1 열처리 공정을 실시한 뒤, 상기 물질막을 경화시키기 위한 제2 열처리 공정을 실시하는 단계와; 상기 제2 열처리 공정을 실시한 뒤, 상기 물질막을 보다 경화시킴과 동시에 투명도를 향상시키기 위한 제3 열처리 공정을 실시하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 보호막 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention also provides a protective film of the semiconductor device before forming the molding film to prevent the charged particles from penetrating into the device region in the chip, and to protect the semiconductor device from moisture and stress generated during packaging. A method of manufacturing, comprising: applying a material film for forming a protective film on top of an insulating film covering the entirety of the device, including a metal pad serving as a bonding pad to which a lead frame for the semiconductor device is to be connected; Patterning the coated material film as an opening forming mask and etching a portion of the insulating film to form an opening exposing the surface of the metal pad by a predetermined bonding region; Performing a first heat treatment process to remove volatile components of the material film in which the opening is formed; Performing a second heat treatment process for curing the material film after performing the first heat treatment process; And after performing the second heat treatment process, performing a third heat treatment process to cure the material film and to improve transparency, and to provide a method of manufacturing a protective film for a semiconductor memory device.

도 1a 내지 도1d는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 보호막 제조 단계를 순서대로 나타낸 단면도들1A to 1D are cross-sectional views sequentially illustrating steps of manufacturing a protective film of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 본 발명의 완전한 이해를 돕기 위해서, 첨부한 도면들을 참조하여 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다. 첨부된 도면들중 동일한 부분에 대해서는 가능한한 동일한 부호를 사용하기로 한다. 그리고, 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위하여 이미 널리 알려진 공지의 사항들, 예컨대 칩상부의 절연막 형성 및 다이본딩, 패키징공정에 관한 세부적인 공정조건 및 사용장비들은 상세히 설명되지 않을 것이다.Hereinafter, preferred embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to help a thorough understanding of the present invention. Like reference numerals will be used to refer to like elements throughout the accompanying drawings. In addition, in order not to obscure the gist of the present invention, well-known matters such as detailed process conditions and equipment used for forming and die-bonding and packaging processes on the chip will not be described in detail.

도 1a 내지 도1d는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 보호막 제조 단계를 순서대로 나타낸 단면도들이다.1A to 1D are cross-sectional views sequentially illustrating steps of fabricating a protective film of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 1a는 반도체 기판 100상에 폴리이미드106을 코팅하는 단계를 나타낸다. 반도체 기판 100에 금속막을 형성한 뒤, 상기 금속막에 사진 및 식각공정을 실시하여 후속의 공정에서 리드 프레임이 연결될 본딩 패드로서 기능하는 금속 패드 102를 형성한다. 그리고 나서, 상기 금속 패드 102를 포함하여 상기 반도체 기판 100의 전체가 덮이도록 절연막 104를 형성한 뒤, 이어서 상기 절연막 104의 상부에 폴리이미드막 106을 코팅한다. 바람직하게는, 상기 폴리이미드막 106은 약 10μm(micro-meter)의 두께로 형성한다. 또한 바람직하게는, 상기 폴리이미드막 106은 감광성 또는 비감광성 폴리이미드중 어느 하나를 사용하여도 무관하다.First, FIG. 1A illustrates coating polyimide 106 on a semiconductor substrate 100. After the metal film is formed on the semiconductor substrate 100, the metal film is subjected to a photolithography and an etching process to form a metal pad 102 functioning as a bonding pad to which the lead frame is connected in a subsequent process. Then, an insulating film 104 is formed to cover the entirety of the semiconductor substrate 100 including the metal pad 102, and then a polyimide film 106 is coated on the insulating film 104. Preferably, the polyimide film 106 is formed to a thickness of about 10 μm (micro-meter). Also preferably, the polyimide film 106 may be used either photosensitive or non-photosensitive polyimide.

도 1b는 상기 폴리이미드막 106에 사진공정 108을 실시하는 단계를 나타낸다. 상기 폴리이미드막 106의 상부에 마스크 107를 덮은 후, 상기 금속 패드 102의 상부에 코팅된 폴리이미드막 106이 현상될 수 있도록 사진공정 108을 실시하여 부분 노광한다.1B illustrates a step of performing a photographic process 108 on the polyimide film 106. After the mask 107 is covered on the polyimide film 106, a photo process 108 is performed to partially develop the polyimide film 106 coated on the metal pad 102.

도 1c는 상기 폴리이미드막 106이 상기 사진공정 108에 의해 현상되는 단계를 나타낸다. 상기 폴리이미드막 106중에서, 노광된 부분은 별도의 현상액을 사용함이 없이도 기체화되어 현상되고, 상기 마스크 107에 의해 가려졌던 부분은 그대로 남게된다. 계속해서 상기 폴리이미드막 106이 현상된 부분에 노출된 상기 절연막 104을 식각하여 제거한다. 그 결과, 상기 금속 패드 102의 표면이 부호 "A"로 나타낸 부분만큼 노출된다. 이 부호 "A"부분이 바로 후속의 공정에서 리드 프레임이 연결된 본딩 패드부분이다.1C illustrates a step in which the polyimide film 106 is developed by the photo process 108. The exposed portion of the polyimide film 106 is vaporized and developed without using a separate developer, and the portion covered by the mask 107 is left as it is. Subsequently, the insulating film 104 exposed to the developed portion of the polyimide film 106 is etched and removed. As a result, the surface of the metal pad 102 is exposed by the portion indicated by the symbol "A". This portion "A" is the bonding pad portion to which the lead frame is connected in the subsequent process.

도 1d는 상기 개구부 "A"가 형성되어 있는 폴리이미드막 106에 열처리 공정 110을 실시하여 경화하는 단계를 나타낸다. 상기 폴리이미드막 106에 개구부 "A"를 형성한 후, 이를 경화시키기 위해서 본 발명에서는 제1단계, 제2단계 및 제3단계로 나누어 열처리 공정 110을 실시한다. 먼저, 제1 열처리 단계는 솔벤트(solvent)성분을 휘발시키기 위한 단계로서, 약 80℃ 내지 120℃의 온도에서 약 5분 내지 30분 동안 실시한다. 보다 바람직하게는 상기 제1 열처리 단계는 약 80℃ 내지 120℃의 온도에서 약 10분 동안 실시한다. 상기 폴리이미드막 106은 스핀 코팅하는 동안에도 약간의 솔벤트 성분이 휘발되므로, 제1 열처리 단계에서는 낮은 온도에서 짧은 시간동안 프리 베이크를 실시하여 솔벤트가 보일링(boiling)되는 것을 방지한다. 이어서 상기 제1 열처리 단계에서 완전히 제거되지 못한 솔벤트를 휘발시킴과 동시에 상기 폴리이미드막 106를 경화하기 위해 제2 열처리 단계는 약 200℃ 내지 250℃도의 온도에서 약 30분 내지 60분 동안 실시한다. 보다 바람직하게는 약 200℃ 내지 250℃도의 온도에서 약 60분 동안 실시한다. 그리고 마지막 제3 열처리 단계는 상기 폴리이미드막 106의 특성 및 투명도를 결정짓는 단계로서, 적정 온도를 유지하여 주는 것이 무엇보다도 중요하다. 마지막 제3 열처리 단계에서 온도를 너무 낮게 설정하게 되면, 패키징 재료인 에폭시 몰딩 수지와의 접착력이 저하되어 폴리이미드막 106와 에폭시 몰딩 수지 사이에서 계면 박리되어 패키지 크렉이 발생하게 된다. 그러므로 제3 열처리 단계는 약 350℃ 내지 400℃사이에서 약 5분 내지 30분 동안, 보다 바람직하게는 약 350℃에서 약 5분 내지 30분 동안 실시한다. 이와 같은 열처리 공정 110을 통해 상기 폴리이미드막 106은 경화되어 반도체 장치의 보호막으로서 기능하는 폴리이미드 보호막 106-1로 변화된다. 이때 상기 폴리이미드 보호막 106-1은 공정 조건이 각각 다른 제1단계, 제2단계 및 제3단계의 열처리 공정 110으로 인해 열적 스트레스가 발생되지 않아 보호막으로서의 특성이 보다 향상된다.FIG. 1D illustrates a step of performing a heat treatment step 110 on the polyimide film 106 having the opening “A” formed thereon to cure. After the opening “A” is formed in the polyimide film 106, the heat treatment step 110 is performed in the present invention by dividing it into a first step, a second step, and a third step. First, the first heat treatment step is to volatilize the solvent component, and is performed at a temperature of about 80 ° C. to 120 ° C. for about 5 to 30 minutes. More preferably, the first heat treatment step is performed for about 10 minutes at a temperature of about 80 ℃ to 120 ℃. Since the solvent component is volatilized even during spin coating, the polyimide film 106 may be prebaked at a low temperature for a short time to prevent the solvent from boiling. Subsequently, the second heat treatment step is performed for about 30 to 60 minutes at a temperature of about 200 ° C. to 250 ° C. in order to volatilize the solvent which was not completely removed in the first heat treatment step and to cure the polyimide film 106. More preferably, it is carried out for about 60 minutes at a temperature of about 200 ℃ to 250 ℃. And the final third heat treatment step is to determine the characteristics and transparency of the polyimide film 106, it is most important to maintain the proper temperature. If the temperature is set too low in the third heat treatment step, the adhesive force with the epoxy molding resin, which is a packaging material, is lowered, thereby causing the interface crack between the polyimide film 106 and the epoxy molding resin to generate a package crack. The third heat treatment step is therefore carried out between about 350 ° C. and 400 ° C. for about 5 to 30 minutes, more preferably at about 350 ° C. for about 5 to 30 minutes. Through such a heat treatment step 110, the polyimide film 106 is cured to change to a polyimide protective film 106-1 functioning as a protective film of a semiconductor device. In this case, the polyimide protective film 106-1 does not generate thermal stress due to the heat treatment process 110 of the first, second, and third steps having different process conditions, thereby improving characteristics as a protective film.

상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 반도체 장치의 보호막을 형성함에 있어, 폴리이미드막을 도포한 후 이를 경화시키기 위해 각각 공정 조건이 다른 제1단계, 제2단계 및 제3단계에 걸친 열처리 공정을 실시한다. 이처럼 공정 조건을 달리한 다단계의 열처리 공정을 실시함으로써 열적 스트레스로 인한 불량 및 강직 현상이 발생되지 않는, 보호막으로서의 특성이 보다 향상된 폴리이미드 보호막이 형성된다.As described above, according to the present invention, in forming the protective film of the semiconductor device, in order to cure the polyimide film after coating, a heat treatment process is performed through the first, second and third steps having different process conditions, respectively. do. By performing a multi-stage heat treatment process with different process conditions as described above, a polyimide protective film having better characteristics as a protective film, in which defects and stiffness due to thermal stress are not generated, is formed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 본 분야의 전문가라면 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will understand that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. Could be.

Claims (11)

반도체 장치를 외부 영향으로부터 보다 완벽하게 보호하기 위해, 몰딩막 형성 이전에 반도체 장치의 보호막을 제조하는 방법에 있어서:In order to more fully protect the semiconductor device from external influences, in the method of manufacturing the protective film of the semiconductor device prior to the molding film formation: 상기 반도체 장치에 대한 리드 프레임이 연결될 본딩 패드로서 기능하는 금속 패드를 포함하여 상기 반도체 장치의 전체를 덮고 있는 절연막의 상부에 보호막 형성을 위한 물질막을 도포하는 단계와;Applying a material film for forming a protective film on top of an insulating film covering the entirety of the semiconductor device, including a metal pad serving as a bonding pad to which the lead frame for the semiconductor device is to be connected; 상기 물질막을 개구형성용 마스크로서 패터닝하고 상기 절연막의 일부를 식각하여 상기 금속 패드의 표면을 설정된 본딩영역 만큼 노출시키는 개구를 형성하는 단계와;Patterning the material film as an opening forming mask and etching a portion of the insulating film to form an opening exposing the surface of the metal pad by a predetermined bonding region; 상기 개구가 형성되어 있는 물질막을 경화시, 열적 스트레스를 최소화하기 위해 공정조건을 각각 다르게 하여 열처리를 연속적으로 행하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법.And curing the material film in which the opening is formed, continuously performing heat treatment with different process conditions in order to minimize thermal stress. 제 1항에 있어서, 상기 물질막은 약 10μm로 형성함을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1, wherein the material film is formed at about 10 μm. 제 2항에 있어서, 상기 물질막은 감광성 폴리이미드 또는 비감광성 폴리이미드임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 2, wherein the material film is photosensitive polyimide or non-photosensitive polyimide. 제 1항에 있어서, 상기 다단계의 열처리 공정은 상기 물질막의 휘발성분을 제거하기 위한 제1 열처리 공정, 상기 물질막을 경화하기 위한 제2 열처리 공정 및 상기 물질막을 경화함과 동시에 물질특성 및 투명도를 향상시키기 위해 증가시키기 위한 제3 열처리 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1, wherein the multi-step heat treatment process comprises: a first heat treatment process for removing volatile components of the material film, a second heat treatment process for curing the material film, and curing of the material film while improving material properties and transparency And a third heat treatment process for increasing to reduce the temperature. 제 4항에 있어서, 상기 제1 열처리 공정은 약 80℃ 내지 120℃의 온도에서 약 5분 내지 30분 동안 실시하며, 상기 제2 열처리 공정은 약 200℃ 내지 250℃의 온도에서 약 30분 내지 60분 동안 실시하며, 상기 제3 열처리 공정은 약 350℃ 내지 400℃의 온도에서 약 5분 내지 30분 동안 실시함을 특징으로 하는 방법.The method of claim 4, wherein the first heat treatment process is performed for about 5 minutes to 30 minutes at a temperature of about 80 ° C. to 120 ° C., and the second heat treatment process is about 30 minutes to about 200 ° C. to 250 ° C. 6. 60 minutes, wherein the third heat treatment process is performed at a temperature of about 350 ° C. to 400 ° C. for about 5 to 30 minutes. 하전된 입자들이 칩내의 소자영역으로 침투되는 것을 방지하고, 패키징시 발생되는 수분 및 스트레스로부터 반도체 장치를 보호하기 위해 몰딩보호막을 형성하기 전에 반도체 장치의 보호막을 제조하는 방법에 있어서:A method of manufacturing a protective film of a semiconductor device before forming a molding protective film to prevent charged particles from penetrating into the device region in the chip and to protect the semiconductor device from moisture and stress generated during packaging: 상기 반도체 장치에 대한 리드 프레임이 연결될 본딩 패드로서 기능하는 금속 패드를 포함하여 상기 장치의 전체를 덮고 있는 절연막의 상부에 보호막 형성을 위한 물질막을 도포하는 단계와;Applying a material film for forming a protective film on top of an insulating film covering the entirety of the device, including a metal pad serving as a bonding pad to which the lead frame for the semiconductor device is to be connected; 상기 도포된 물질막을 개구형성용 마스크로서 패터닝하고 상기 절연막의 일부를 식각하여 상기 금속 패드의 표면을 설정된 본딩영역 만큼 노출시키는 개구를 형성하는 단계와;Patterning the coated material film as an opening forming mask and etching a portion of the insulating film to form an opening exposing the surface of the metal pad by a predetermined bonding region; 상기 개구가 형성되어 있는 물질막의 휘발성분을 제거하기 위한 제1 열처리 공정을 실시하는 단계와;Performing a first heat treatment process to remove volatile components of the material film in which the opening is formed; 상기 제1 열처리 공정을 실시한 뒤, 상기 물질막을 경화시키기 위한 제2 열처리 공정을 실시하는 단계와;Performing a second heat treatment process for curing the material film after performing the first heat treatment process; 상기 제2 열처리 공정을 실시한 뒤, 상기 물질막을 보다 경화시킴과 동시에 투명도를 향상시키기 위한 제3 열처리 공정을 실시하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 보호막 제조방법.And after performing the second heat treatment process, performing a third heat treatment process to further cure the material film and to improve transparency of the material film. 제 6항에 있어서, 상기 물질막은 약 10μm로 형성함을 특징으로 하는 방법.7. The method of claim 6, wherein the material film is formed at about 10 μm. 제 7항에 있어서, 상기 물질막은 감광성 폴리이미드 또는 비감광성 폴리이미드임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 보호막 제조방법.8. The method of claim 7, wherein the material film is photosensitive polyimide or non-photosensitive polyimide. 제 6항에 있어서, 상기 제1 열처리 공정은 약 80℃ 내지 120℃의 온도에서 약 5분 내지 30분 동안 실시함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 보호막 제조방법.The method of claim 6, wherein the first heat treatment process is performed at a temperature of about 80 ° C. to 120 ° C. for about 5 minutes to about 30 minutes. 제 6항에 있어서, 상기 제2 열처리 공정은 약 200℃ 내지 250℃의 온도에서 약 30분 내지 60분 동안 실시함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 보호막 제조방법.The method of claim 6, wherein the second heat treatment is performed at a temperature of about 200 ° C. to 250 ° C. for about 30 to 60 minutes. 제 6항에 있어서, 상기 제3 열처리 공정은 약 350℃ 내지 400℃의 온도에서 약 5분 내지 30분 동안 실시함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 보호막 제조방법.The method of claim 6, wherein the third heat treatment process is performed at a temperature of about 350 ° C. to 400 ° C. for about 5 to 30 minutes.