KR19990061353A - Method for manufacturing fluorescent film of field effect electron emission display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전계효과 전자방출 표시소자의 형광막 제조방법에 관한 것으로, 애노드 전극이 형성된 양극판 위에 형광막을 형성하는 단계와, 별도의 기판상에 상기 형광막과 동일한 패턴을 갖는 몰리브덴 박막을 형성하는 단계와, 상기 형광막과 몰리브덴 박막을 서로 마주보게 정렬시켜 소정온도로 열처리하는 단계를 포함한다.The present invention relates to a method of manufacturing a fluorescent film of a field effect electron emission display device, the method comprising the steps of forming a fluorescent film on the anode plate on which the anode electrode is formed, and forming a molybdenum thin film having the same pattern as the fluorescent film on a separate substrate And arranging the fluorescent film and the molybdenum thin film to face each other and heat-treating them to a predetermined temperature.
따라서, 본 발명에 따르면 형광막과 애노드 전극 사이에 몰리브덴 화합물이 존재하게 되어 형광막과 애노드 전극의 부착력을 향상시켜 표시소자 작동시 에미터에서 튀어 나온 전자가 형광막에 강하게 충돌하더라도 형광막이 박리되지 않으므로 저전압용 또는 중전압용 형광물질을 표시소자에 적용할 수 있는 효과를 가져올 수 있다.Therefore, according to the present invention, the molybdenum compound is present between the fluorescent film and the anode electrode, thereby improving the adhesion between the fluorescent film and the anode electrode, so that even if the electrons emitted from the emitter collide strongly with the fluorescent film during operation of the display device, the fluorescent film does not peel off. Therefore, a low voltage or a medium voltage fluorescent substance can be applied to the display device.
Description
본 발명은 전계효과 전자방출 표시소자(Field Emission Display)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저전압용 혹은 중전압용 형광막의 부착력을 향상시킬 수 있는 전계효과 전자방출 표시소자의 형광막 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a field emission display device, and more particularly, to a method of manufacturing a fluorescent film for a field effect electron emission display device capable of improving adhesion of a low voltage or medium voltage fluorescent film.
전계효과 전자방출 표시소자(Field Emission Display; 이하 FED로 약칭함.)는 캐소드에서 방출된 전자가 형광막에 충돌하여 발광함으로써 원하는 패턴 또는 문자나 기호를 표시하는 평판 디스플레이의 일종으로서, 최소한의 전력소모로 고해상도, 고휘도의 칼라패턴을 구현할 수 있는 장점이 있다.Field Emission Display (hereinafter, abbreviated as FED) is a flat panel display that displays a desired pattern, letter, or symbol by emitting electrons emitted from the cathode by colliding with a fluorescent film. There is an advantage that can implement a high-resolution, high-brightness color pattern with consumption.
이러한 FED는 전계집중을 위하여 전자를 방출하는 마이크로팁 형상의 캐소드를 형성하며, 그 위에 전계유도를 위한 게이트 전극 및 형광막이 도포된 애노드 전극를 형성하여 다수의 마이크로팁으로부터 전자방출을 유도하여 발생된 전자를 형광막에 충돌시킴으로써 형광막이 자극을 받아 형광막의 최외곽전자들이 여기되고 천이되는 과정에서 발생된 빛을 이용하여 이미지를 구현하게 된다.The FED forms a microtip cathode that emits electrons for field concentration, and forms a gate electrode and an anode electrode coated with a fluorescent film for electric field induction to induce electron emission from a plurality of microtips. By colliding with the fluorescent film, the fluorescent film is stimulated to realize an image using light generated in the process of exciting and transitioning the outermost electrons of the fluorescent film.
이러한 일반적인 FED의 구성이 도 1에 도시되어 있다.This general FED configuration is shown in FIG.
음극판(10) 위에는 절연층(18)에 의해 분리되는 행(column)전극의 캐소드 전극(12)과 열(row)전극의 게이트 전극(16)이 바둑판 형상으로 서로 교차되어 형성되며, 절연층(18) 사이마다 마이크로팁 형상의 에미터(emiter;14)가 캐소드 전극(12)과 일체로 형성되며, 그 상방의 게이트 전극(16)에는 게이트 구멍(20)이 형성되어 개방되어 있다.On the negative electrode plate 10, the cathode electrode 12 of the column electrode separated by the insulating layer 18 and the gate electrode 16 of the row electrode cross each other in a checkerboard shape, and are formed of an insulating layer ( An emitter 14 having a microtip shape is formed integrally with the cathode electrode 12 between the electrodes 18, and a gate hole 20 is formed and opened in the upper gate electrode 16.
한편, 양극판(40) 저면에는 투명전도막(ITO막)의 애노드 전극(42)과 형광막(44)이 형성되며, 양극판(40)과 음극판(10)이 다수의 스페이서(30)를 매개로하여 에미터(14)의 마이크로팁 형상이 형광막(44)을 향하도록 서로 마주보게 형성되어 미소면적에 저전압만을 인가하여도 에미터(14)의 선단에서 전자가 방출되도록 형성된다.On the other hand, the anode electrode 42 and the fluorescent film 44 of the transparent conductive film (ITO film) is formed on the bottom of the positive electrode plate 40, the positive electrode plate 40 and the negative electrode plate 10 via a plurality of spacers 30 through the As such, the microtip shapes of the emitter 14 face each other to face the fluorescent film 44 so that electrons are emitted from the tip of the emitter 14 even when only a low voltage is applied to the micro area.
또한, FED 패널의 최외각부는 봉착제(sealent; 도면상 미도시됨)에 의해 진공패키징되어 있다.In addition, the outermost part of the FED panel is vacuum packaged with a sealant (not shown in the figure).
이와같은 구조로 이루어진 FED는 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16)에 적절한 양의 전압을 인가하면 에미터(14)의 날카로운 마이크로팁에 강한 전기장이 형성되어 양자 역학적 터널효과에 의해 전자가 방출된다. 방출된 전자가 수백볼트의 전압이 가해진 애노드 전극(42)에 끌려 형광막(44)에 충돌되면 형광물질의 최외곽전자들이 여기되고 천이되는 과정에서 발광하게 되는 것이다.In the FED having such a structure, when an appropriate amount of voltage is applied to the cathode electrode 12 and the gate electrode 16, a strong electric field is formed at the sharp microtip of the emitter 14, and electrons are emitted by the quantum mechanical tunnel effect. do. When the emitted electrons are attracted to the anode electrode 42 to which a voltage of several hundred volts is applied and collide with the fluorescent film 44, the outermost electrons of the fluorescent material are excited and emit light in the process of transition.
한편, 형광물질은 표시소자에 인가되는 전압에 따라 고전압용과 저전압용 및 중전압용으로 구분된다. ZnS로 대표되는 고전압용 형광물질은 약 10kV의 고전압에 사용되며, ZnO : Zn 으로 대표되는 저전압용 형광체는 약 100V의 저전압에 사용되며, 중전압용 형광체는 약 500∼5kV의 중전압에 사용된다.On the other hand, the fluorescent material is classified into high voltage, low voltage, and medium voltage according to the voltage applied to the display element. The high voltage phosphor represented by ZnS is used at a high voltage of about 10 kV, the low voltage phosphor represented by ZnO: Zn is used at a low voltage of about 100 V, and the medium voltage phosphor is used at a medium voltage of about 500-5 kV.
한편, 고전압용 형광물질은 수십 kV 정도로 큰 전압이 인가되기 때문에 형광막 위에 추가로 알루미늄 박막을 코팅하는 것이 가능하지만 중전압용 또는 저전압용 형광물질은 표시소자에 인가되는 전압이 5kV 이내로 작기 때문에 형광막(44) 위에 알루미늄 박막을 코팅하는 것이 불가능하다. 즉, 에미터(14)에서 튀어 나온 전자가 알루미늄 박막을 통과하면서 에너지를 잃어 형광막(44)에 강하게 충돌하기가 어려워지므로 적용하기가 힘들다.On the other hand, since a high voltage fluorescent material is applied with a large voltage of about several tens of kV, it is possible to coat an additional aluminum thin film on the fluorescent film. However, a medium voltage or low voltage fluorescent material has a small voltage of 5 kV or less. It is impossible to coat the aluminum thin film on the 44. That is, since the electrons protruding from the emitter 14 pass through the aluminum thin film and lose energy, it is difficult to strongly collide with the fluorescent film 44, so it is difficult to apply the electrons.
따라서, 종래의 중전압용 및 저전압용 형광막(44)은 에미터(14)에서 방출된 전자가 형광막(44)에 직접 충돌하게 되며, 이때 형광막(44)이 애노드 전극(42)에서 박리되어 표시소자를 더 이상 사용하지 못하게 되는 문제가 자주 발생되었다.Therefore, in the conventional medium voltage and low voltage fluorescent film 44, electrons emitted from the emitter 14 directly collide with the fluorescent film 44, wherein the fluorescent film 44 is peeled off from the anode electrode 42. As a result, there was a problem that the display device can no longer be used.
따라서 본 발명은 전술한 종래의 단점을 해결하기 위한 것으로, 애노드 전극과 형광막 사이에 몰리브덴 박막을 개재시키고 열처리하여 몰리브덴 성분이 형광물질 및 투명전도막 성분과 반응해서 형광막과 애노드 전극 사이의 부착력을 향상시키는 전계효과 전자방출 표시소자의 형광막 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages, the molybdenum component reacts with the fluorescent material and the transparent conductive film component by interposing the molybdenum thin film between the anode electrode and the fluorescent film and heat-treated, the adhesion between the fluorescent film and the anode electrode SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a fluorescent film of a field effect electron emission display device for improving the efficiency.
이와같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 전계효과 전자방출 표시소자의 형광막 제조방법에 있어서, 애노드 전극이 형성된 양극판 위에 형광막을 형성하는 단계와, 별도의 기판상에 상기 형광막과 동일한 패턴을 갖는 몰리브덴 박막을 형성하는 단계와, 상기 형광막과 몰리브덴 박막을 서로 마주보게 정렬시켜 소정온도로 열처리하는 단계를 포함하는 전계효과 전자방출 표시소자의 형광막 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a fluorescent film for a field effect electron emission display device, comprising: forming a fluorescent film on a cathode plate on which an anode is formed, and having the same pattern as the fluorescent film on a separate substrate; Forming a molybdenum thin film, and aligning the fluorescent film and the molybdenum thin film facing each other to heat treatment at a predetermined temperature provides a method for manufacturing a fluorescent film of the field effect electron emission display device.
본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above objects and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.
도 1은 일반적인 FED의 구조를 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing the structure of a typical FED,
도 2a 내지 2b는 본 발명에 따른 형광막 제조공정에 선행하는 공정을 간략히 도시한 공정도,2a to 2b is a process diagram briefly showing the process preceding the fluorescent film manufacturing process according to the present invention,
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 형광막 제조공정을 도시한 공정 단면도.3A to 3D are cross-sectional views illustrating a process for manufacturing a fluorescent film according to the present invention.
도면의 주요부분에 대한 부호 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10 ; 음극판 40 ; 양극판10; Negative electrode plate 40; Positive plate
42 ; 애노드 전극 44 ; 형광막42; Anode electrode 44; Fluorescent film
46 ; 몰리브덴 박막46; Molybdenum Thin Film
이하 본 발명에 따른 전계효과 전자방출 표시소자의 형광막 제조방법을 첨부된 도면과 함께 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a fluorescent film of a field effect electron emission display device according to the present invention will be described in detail with the accompanying drawings.
먼저, 본 발명에 따른 전계효과 전자방출 표시소자의 형광막 제조공정에 선행하는 공정을 간단히 설명하면 다음과 같다.First, the process preceding the fluorescent film manufacturing process of the field effect electron emission display device according to the present invention will be briefly described as follows.
도 2a는 음극판을 제조하는 공정을 도시한 공정 단면도로서, 음극판(10)상에 캐소드 전극(12)을 증착하여 열(column)방향으로 패터닝하고, 이 캐소드 전극(12) 위에 SiO2등과 같은 절연층(도면상 미도시됨.)을 증착법으로 형성하며, 이 절연층상에 게이트 전극(16)을 증착하여 상기 캐소드 전극(12)과 직교하는 방향으로 게이트 전극(16)을 패터닝하여 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16)이 절연층에 의해 분리되며 바둑판 형상으로 배열 형성된다.FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a negative electrode plate, in which a cathode electrode 12 is deposited on the negative electrode plate 10 and patterned in a column direction, and insulating such as SiO 2 is formed on the cathode electrode 12. A layer (not shown) is formed by a vapor deposition method, and the gate electrode 16 is deposited on the insulating layer to pattern the gate electrode 16 in a direction orthogonal to the cathode electrode 12 to form the cathode electrode 12. ) And the gate electrode 16 are separated by an insulating layer and arranged in a checkerboard shape.
도 2b는 홀과 캐비티 그리고 에미터를 형성하는 공정을 도시한 공정 단면도로서, 게이트 전극(16)의 일단에 다수의 게이트 구멍(20)을 형성하고, 그 게이트 구멍(20)에 의해 노출된 절연층(18)을 제거하여 캐비티(22)를 형성한다. 이어서, 선행 공정에 의해 음극판(10)상에 캐소드 전극(12), 절연층(18), 게이트 전극(16), 게이트 구멍(20) 및 캐비티(22)가 형성된 구조체를 회전시키면서 소정의 투사각을 갖는 전자빔 증착장치로 금속층을 형성하여 캐비티(22)의 내측에 날카로운 팁을 갖는 에미터(14)를 형성한다.FIG. 2B is a process sectional view showing a process of forming a hole, a cavity, and an emitter, in which a plurality of gate holes 20 are formed at one end of the gate electrode 16, and the insulation exposed by the gate holes 20 is shown. Layer 18 is removed to form cavity 22. Subsequently, a predetermined projection angle is rotated while rotating the structure in which the cathode electrode 12, the insulating layer 18, the gate electrode 16, the gate hole 20, and the cavity 22 are formed on the negative electrode plate 10 by the preceding process. A metal layer is formed by the electron beam evaporation apparatus having the same to form the emitter 14 having a sharp tip inside the cavity 22.
도 3은 본 발명에 따른 양극판을 형성하기 위한 공정을 도시한 공정 단면도이다.3 is a process sectional view showing a process for forming a positive electrode plate according to the present invention.
도 3a에 도시된 바와 같이, 양극판(40)상에 ITO투명도전막으로 형성된 애노드 전극(42)을 형성하고, 그 위에 형광막(44)를 도포하여 소정 형상으로 패터닝한다.As shown in FIG. 3A, an anode electrode 42 formed of an ITO transparent conductive film is formed on the positive electrode plate 40, and a fluorescent film 44 is applied thereon to be patterned into a predetermined shape.
형광막(44)을 도포하는 기술로는 스핀코팅법, 전기영동법 또는 스크린 프린터법 등을 이용한다.As a technique for applying the fluorescent film 44, a spin coating method, an electrophoresis method or a screen printer method is used.
먼저 스핀코팅법은 감광제가 함유된 형광물질 페이스트(paste)를 애노드 전극(42)이 형성된 양극판(40)에 스핀코팅한 후 사진식각 공정에 의해서 원하는 부분만 남기고 제거함으로써 형광막(44)을 패터닝한다.In the spin coating method, the fluorescent film 44 is patterned by spin coating a photoresist-containing phosphor paste onto the positive electrode plate 40 on which the anode electrode 42 is formed, and then removing only a desired portion by a photolithography process. do.
전기영동법은 애노드 전극(42)이 패턴된 양극판(40)을 형광물질을 함유한 용액에 담구고 형광물질을 코팅할 부분에 소정의 전압을 가하므로써 원하는 부분에만 형광물질을 코팅한다.In the electrophoresis method, the anode plate 42 patterned with the anode electrode 42 is immersed in a solution containing the fluorescent material, and the fluorescent material is coated only on a desired portion by applying a predetermined voltage to the portion to be coated with the fluorescent material.
스크린프린터법은 형광막(44)을 도포할 위치에 구멍이 형성된 마스크에 페이스트 상태의 형광물질을 부어서 스크린프린터 함으로써 원하는 모양의 형광막(44)을 패터닝한다.In the screen printing method, a fluorescent film 44 having a desired shape is patterned by pouring a fluorescent material in a paste state into a mask in which a hole is formed at a position where the fluorescent film 44 is to be applied.
이와같은 방법으로 제작한 형광막(44)은 두께가 수미크론에서 수십미크론 범위를 가진다.The fluorescent film 44 produced in this manner has a thickness in the range of several microns to several tens of microns.
이어서 도 3b에 도시된 바와 같이, 별도의 기판(48)상에 상기 형광막(44)에 형성된 패턴과 1 : 1 로 대응하는 몰리브덴 박막(46)의 패턴을 형성한다. 바람직하기로는 상기 몰리브덴 박막(46)의 두께는 500∼3000Å을 유지한다.3B, a pattern of the molybdenum thin film 46 corresponding to 1: 1 with the pattern formed on the fluorescent film 44 is formed on a separate substrate 48. Preferably, the molybdenum thin film 46 has a thickness of 500 to 3000 kPa.
이어서 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 형광막(44)과 몰리브덴 박막(46)을 서로 마주보게 정렬시킨 다음 약 400℃ 이상으로 열처리한다. 바람직하기로는 열처리 온도는 약 450℃∼500℃의 범위를 유지하며, 대기중 혹은 산소가 함유된 열처리 분위기가 적합하다.Subsequently, as shown in FIG. 3C, the fluorescent film 44 and the molybdenum thin film 46 are aligned to face each other and then heat-treated to about 400 ° C. or higher. Preferably, the heat treatment temperature is maintained in the range of about 450 ° C to 500 ° C, and a heat treatment atmosphere containing air or oxygen is suitable.
이때 서로 마주보는 형광막(44)과 몰리브덴 박막(46)의 간격은 100미크론 ∼1000미크론으로 유지한다.At this time, the distance between the fluorescent film 44 and the molybdenum thin film 46 facing each other is maintained between 100 microns and 1000 microns.
한편, 400℃ 이상으로 진행되는 열처리공정에 의해 서로 마주보는 형광막(44)과 몰리브덴 박막(46)은 열적반응을 일으켜 애노드 전극(42)과 형광막(44)의 부착력을 증대시킨다.On the other hand, the fluorescent film 44 and the molybdenum thin film 46 facing each other by the heat treatment process proceeds to 400 ℃ or more causes a thermal reaction to increase the adhesion between the anode electrode 42 and the fluorescent film 44.
상기 열적반응 과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.The thermal reaction process will be described in detail as follows.
형광막(44)과 몰리브덴 박막(46)을 수십미크론 내지 수백미크론 정도의 간격으로 격리시키고 패턴을 1 : 1 로 정렬시켜서 약 400℃의 고온으로 가열하면 형광막(44) 내부에 함유된 바인더 성분이 기화되어 형광막(44)으로부터 빠져나와서 마주보고 있는 몰리브덴 박막(46)쪽으로 이동한다.When the fluorescent film 44 and the molybdenum thin film 46 are isolated at intervals of several tens of microns to several hundred microns, the patterns are aligned at 1: 1 and heated at a high temperature of about 400 ° C., the binder component contained in the fluorescent film 44 The vaporized material exits from the fluorescent film 44 and moves toward the molybdenum thin film 46 facing each other.
상기 바인더 성분과 몰리브덴 원자가 서로 반응하여 몰리브덴 화합물을 형성한다. 이와같이 형성된 몰리브덴 화합물은 형광막(44)쪽으로 다시 이동해서 형광물질과 반응을 일으킨다. 즉, 몰리브덴 화합물 내부에 함유된 몰리브덴 원자와 형광물질은 반응을 일으켜 몰리브덴-형광물질 화합물을 형성한다.The binder component and the molybdenum atom react with each other to form a molybdenum compound. The molybdenum compound thus formed is moved back toward the fluorescent film 44 to react with the fluorescent material. That is, the molybdenum atoms contained in the molybdenum compound and the phosphor react with each other to form a molybdenum-fluorescent compound.
상기 바인더 성분은 몰리브덴 원자의 결합에너지를 낮춰 약 2600℃에서 화학반응을 일으키는 몰리브덴 원자의 반응이 약 450℃에서도 일어날 수 있도록 하는 것으로 밝혀졌다.The binder component has been found to lower the binding energy of molybdenum atoms so that the reaction of molybdenum atoms, which cause chemical reactions at about 2600 ° C., may occur at about 450 ° C.
한편, 몰리브덴-형광물질 화합물은 도 3d에 도시된 바와 같이, 애노드 전극(42)의 투명전도막 성분과 반응해서 형광물질-몰리브덴-투명전도막 화합물을 형성한다. 상기 화합물은 형광막(44)과 애노드 전극(42)과의 부착력을 증가시킨다.On the other hand, the molybdenum-phosphorescent compound reacts with the transparent conductive film component of the anode electrode 42 to form the fluorescent material-molybdenum-transparent conductive film compound, as shown in FIG. 3D. The compound increases the adhesion between the fluorescent film 44 and the anode electrode 42.
상기 형광막(44)에서 발생된 바인더 성분을 몰리브덴 박막(46)쪽으로 효과적으로 이동시키기 위해서 형광막(44)과 몰리브덴 박막(46)의 가장자리에 금속박판 등의 밀봉제를 사용해서 외부와 격리시키는 것이 바람직하다. 이는 형광막(44)에서 빠져나온 바인더 성분이 외부로 빠져나가는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 밀봉제의 제질로는 알루미늄 포일(foil)등이 적당하다.In order to effectively move the binder component generated in the fluorescent film 44 toward the molybdenum thin film 46, it is isolated from the outside by using a sealing agent such as a metal sheet on the edges of the fluorescent film 44 and the molybdenum thin film 46. desirable. This serves to prevent the binder component exiting the fluorescent film 44 from exiting to the outside. Suitable materials for the sealant include aluminum foil and the like.
이어서, 도 1에 도시된 바와 같이, 종래와 마찬가지로 양극판(40)과 음극판(10)이 서로 서로 일정한 간격으로 유지한 채 마주볼 수 있도록 음극판(10) 또는 양극판(40) 상면에 복수개의 스페이서(30)를 형성한 다음 음극판(10) 및 양극판(40)을 접합하여 FED 패널을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1, a plurality of spacers may be disposed on the upper surface of the negative electrode plate 10 or the positive electrode plate 40 so that the positive electrode plate 40 and the negative electrode plate 10 may face each other while being maintained at regular intervals from each other. 30) and then the negative electrode plate 10 and the positive electrode plate 40 are bonded to form an FED panel.
이어서, 어느 일측 기판에 스페이서(30)가 형성된 음극판(10)과 양극판(40)을 정렬시킨 후 진공 패키징 공정으로 접합하여 FED 패널을 형성한다.Subsequently, the negative electrode plate 10 having the spacer 30 formed on one of the substrates and the positive electrode plate 40 are aligned, and then bonded by a vacuum packaging process to form an FED panel.
상기 진공 패키징 공정은 배기공정을 통해 패널의 진공을 유지하면서 이루어지며, 프릿유리 재질의 봉착제(70)를 약 400℃ 이상의 온도에서 소결하여 패널을 밀봉시킨다. 이때 소정 압력으로 양극판(40)과 음극판(10)을 압착하게 되는데 프릿유리 재질로 이루어진 봉착제(70)도 소결온도에서 소성변형이 일어나 패널간의 내부간격이 스페이서(30)와 동일하게 형성된다.The vacuum packaging process is performed while maintaining the vacuum of the panel through the exhaust process, the sealing material 70 of the frit glass material is sintered at a temperature of about 400 ℃ or more to seal the panel. At this time, the positive electrode plate 40 and the negative electrode plate 10 are pressed at a predetermined pressure. The sealing agent 70 made of frit glass material also undergoes plastic deformation at the sintering temperature, so that internal spaces between the panels are the same as the spacers 30.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.The foregoing is merely illustrative of a preferred embodiment of the present invention and those skilled in the art to which the present invention pertains may make modifications and changes to the present invention without changing the subject matter of the present invention.
따라서, 본 발명에 따르면 형광막과 애노드 전극 사이에 몰리브덴 화합물이 존재하게 되어 형광막과 애노드 전극의 부착력을 향상시켜 표시소자 작동시 에미터에서 튀어 나온 전자가 형광막에 강하게 충돌하더라도 형광막이 박리되지 않으므로 저전압용 또는 중전압용 형광물질을 표시소자에 적용할 수 있는 효과를 가져올 수 있다. 또한, 고전압용 형광막에도 알루미늄 박막을 두껍게 코팅할 필요가 없으므로 에미터에서 튀어 나온 전자의 에너지 손실을 최소화할 수 있어 형광막의 특성을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.Therefore, according to the present invention, the molybdenum compound is present between the fluorescent film and the anode electrode, thereby improving the adhesion between the fluorescent film and the anode electrode, so that even if the electrons emitted from the emitter collide strongly with the fluorescent film during operation of the display device, the fluorescent film does not peel off. Therefore, a low voltage or a medium voltage fluorescent substance can be applied to the display device. In addition, the high-voltage fluorescent film does not need to coat a thin aluminum film, so the energy loss of electrons emitted from the emitter can be minimized, thereby improving the characteristics of the fluorescent film.
Claims (6)
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| KR1019970081612A KR100285156B1 (en) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | Method for fabricating of fluorescent film in field emission display |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|---|
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1997
- 1997-12-31 KR KR1019970081612A patent/KR100285156B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100314094B1 (en) * | 1999-08-12 | 2001-11-15 | 김순택 | Method for fabricating a carbon nanotube field emitter using electrophoresis process |
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