KR19990027872A - Ion Implantation Facility of Semiconductor Device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 일렉트로스태틱 플래튼의 수평을 감지할 수 있는 이온 주입 설비에 관한 것이다. 본 발명에 의한 이온 주입 설비는 타겟 챔버의 플래튼 로드 포지션에 수평 감지 센서를 부착하여 플래튼의 수평 얼라인을 감지한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices, and more particularly to ion implantation equipment capable of sensing the horizontality of an electrostatic platen. The ion implantation apparatus according to the present invention detects the horizontal alignment of the platen by attaching a horizontal sensor to the platen rod position of the target chamber.
Description
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 일렉트로스태틱 플래튼의 수평을 감지할 수 있는 이온 주입 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices, and more particularly to ion implantation equipment capable of sensing the horizontality of an electrostatic platen.
종래에는 로플래트 플래튼(roplat platen)의 수평 정렬(align) 확인을 눈으로만 실시하고 에어 베어링(air bearing) 자체의 로우 리미트 스위치(low limit switch)를 이용하여 수직 스캔 어셈블리(vertical scan assembly)의 높이를 확인하였다. 그러나, 현재는 일렉트로스태틱 플래튼(elecrtostatic platen)을 사용하므로 플래튼의 클램핑(clamping) 방법이 전기장을 이용하는 방식으로 바뀌면서 로플래트 플래튼의 수평 정렬이 조금이라도 틀어지면 공급되는 1000V 라인의 연결 방식이 문제가 되어 전력(power) 공급을 할 수 없게되므로, 웨이퍼의 손실을 초래하는 문제가 발생하였다.Conventionally, the vertical alignment of the roplat platen is only visually verified and the vertical scan assembly is made using a low limit switch of the air bearing itself. Check the height of. However, the current use of electrostatic platens has changed the clamping method of the platens to use the electric field, so that if the horizontal alignment of the low platen platens is slightly misaligned, the connection method of the 1000V line supplied is supplied. Since it becomes a problem and power supply is not possible, the problem which causes loss of a wafer has arisen.
본 발명의 목적은 플래튼의 수평 정렬을 감지할 수 있는 반도체 장치의 이온 주입 설비를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide an ion implantation facility of a semiconductor device capable of sensing the horizontal alignment of the platen.
도 1은 본 발명에 의한 일렉트로스태틱 플래튼(elecrostatic platen)의 수평을 감지하도록 타겟 챔버 내에 수평 감지 센서를 부착한 이온 주입 설비을 보여주는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing an ion implantation facility having a horizontal sensing sensor attached to a target chamber to sense the horizontality of an electrostatic platen according to the present invention.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 반도체 장치의 이온 주입 설비는, 타겟 챔버의 플래튼 로드 포지션에 수평 감지 센서를 부착하여 일렉트로스태틱 플래튼의 수평을 감지하도록 한다.In order to achieve the above object, the ion implantation facility of the semiconductor device according to the present invention, by attaching a horizontal sensor to the platen load position of the target chamber to sense the horizontal of the electrostatic platen.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 반도체 장치의 이온 주입 설비를 더욱 자세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in more detail the ion implantation equipment of the semiconductor device according to the present invention.
도 1은 본 발명에 의한 일렉트로스태틱 플래튼(elecrostatic platen)의 수평을 감지하도록 타겟 챔버 내에 수평 감지 센서를 부착한 이온 주입 설비을 보여주는 개략도로서, 도면부호 100은 타겟 챔버(target chamber)를, 110은 에어 베어링을, 120은 일렉트로스태틱 플래튼을, 10은 발광 소자를, 그리고 20은 수광 소자를 나타낸다.1 is a schematic view showing an ion implantation apparatus in which a horizontal sensing sensor is attached to a target chamber to sense the horizontality of an electrostatic platen according to the present invention, wherein reference numeral 100 denotes a target chamber, and 110 denotes a target chamber. An air bearing, 120 represents an electrostatic platen, 10 represents a light emitting element, and 20 represents a light receiving element.
타겟 챔버(100)의 플래튼 로드 포지션(platen load position)에 수평 감지 센서 (발광 소자(10)와 수광 소자(20)로 구성됨)를 설치한 후, 이들 값이 초기에 설정한 값을 벗어날 때 일렉트로스태틱 플래튼(120)의 수평이 틀어지는 것을 감지함으로써 웨이퍼 손실을 방지할 수 있다.When the horizontal sensing sensor (composed of the light emitting element 10 and the light receiving element 20) is installed in the platen load position of the target chamber 100, when these values deviate from the initially set values. By detecting that the electrostatic platen 120 is displaced, it is possible to prevent wafer loss.
종래에는 플래튼의 수평 감지를 위해서는 육안 및 에어 베어링의 로우 리미트 스위치를 이용하여야 하였으나, 이는 베어링 자체의 위치 문제 발생시만 확인이 가능하게 되어 있으므로 플래튼의 수평 정렬이 틀어짐은 감지할 수 없었다. 그러나, 본 발명에서는 타겟 챔버(100)의 플래튼 로드 포지션에 발광 소자(10)와 수광 소자(20)로 된 수평 감지 센서를 부착함으로써 플래튼(120)의 수평 정력이 틀어짐을 초기에 확인할 수 있다.Conventionally, the low limit switch of the naked eye and the air bearing had to be used for the horizontal sensing of the platen, but it was not possible to detect the horizontal alignment of the platen because it was possible to check only when the position problem of the bearing itself occurred. However, in the present invention, it is possible to initially check that the horizontal force of the platen 120 is distorted by attaching a horizontal sensing sensor including the light emitting device 10 and the light receiving device 20 to the platen rod position of the target chamber 100. have.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.
본 발명에 의한 반도체 장치의 이온 주입 설비에 의하면, 플래튼의 수평 정렬의 틀어짐을 초기에 감지할 수 있으므로 웨이퍼 손실을 방지할 수 있다.According to the ion implantation apparatus of the semiconductor device according to the present invention, since the distortion of the horizontal alignment of the platen can be detected at an early stage, the wafer loss can be prevented.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970050402A KR19990027872A (en) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | Ion Implantation Facility of Semiconductor Device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970050402A KR19990027872A (en) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | Ion Implantation Facility of Semiconductor Device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990027872A true KR19990027872A (en) | 1999-04-15 |
Family
ID=66045005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970050402A KR19990027872A (en) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | Ion Implantation Facility of Semiconductor Device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990027872A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100587665B1 (en) * | 1999-12-01 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | ion implanting apparatus |
-
1997
- 1997-09-30 KR KR1019970050402A patent/KR19990027872A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100587665B1 (en) * | 1999-12-01 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | ion implanting apparatus |
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Legal Events
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