KR19990024531A - 액정 표시 장치 제조 방법 및 그 제조 방법에 의한 구조 - Google Patents
액정 표시 장치 제조 방법 및 그 제조 방법에 의한 구조 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990024531A KR19990024531A KR1019970045678A KR19970045678A KR19990024531A KR 19990024531 A KR19990024531 A KR 19990024531A KR 1019970045678 A KR1019970045678 A KR 1019970045678A KR 19970045678 A KR19970045678 A KR 19970045678A KR 19990024531 A KR19990024531 A KR 19990024531A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate
- source
- electrode
- pad
- contact hole
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title abstract description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020781 SixOy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 액정 표시 장치를 제조하는데 있어서, 드레인 전극의 식각 측면과 화소 전극이 접촉하도록 형성한다. 드레인 전극의 식각 측면은 식각 과정을 통해 깨끗하게 형성되기 때문에, 종래 기술에서 표면에 남는 잔여 물질을 거의 전혀 갖지 않는다. 따라서, 드레인 전극과 화소 전극의 전기적 접촉 상태는 매우 양호하게 된다. 물론, 소스 패드 역시 식각된 측면이 소스 패드 연결 단자와 접촉을 이루게 되어 소스 패드와 소스 패드 연결 단자도 양호한 전기적 접촉 상태를 갖는다. 즉, 본 발명에서는 오염 물질이 두 전극 사이에 존재하여 발생하는 접촉 저항이 높아지는 문제점이 생기지 않는다. 따라서, 종래 기술에서 접촉 저항이 높아짐에 의해 발생하는 화면에 얼룩무늬가 생기거나, 화질이 나빠지는 문제점을 개선할 수 있었다.
Description
본 발명은 기판 위에 행렬 배열 방식으로 배열된 박막 트랜지스터(혹은 Thin Film Transistor(TFT))와 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극을 갖는 액티브 패널을 포함하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치(또는 Active Matrix Liquid Crystal Display(AMLCD) 이하, '액정 표시 장치' 라 칭함)를 제조하는 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치의 구조에 관련된 것이다. 특히, 본 발명은 액정 표시 장치를 제조하는데 있어서 도전 물질 사이에 전기적 접촉을 할 때, 양질의 화면을 얻기 위해 접촉 상태를 개선하는 제조 빙법 및 그 방법에 의한 구조에 관련된 것이다.
화상 정보를 화면에 나타내는 화면 표시 장치들 중에서 지금까지 많이 사용되던 브라운관 표시 장치(혹은 Cathode Ray Tube(CRT))는 점차 박막형 평판 표시장치로 대체되고 있다. 그 이유는 박막형 표시 장치가 얇고 가볍기 때문에 어느 장소에서든지 쉽게 사용할 수 있기 때문이다. 특히, 액정 표시 장치는 표시 해상도가 다른 핑판 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관의 것에 비할 만큼 반응 속도가 빠르기 때문에 가장 활발한 개발 연구가 이루어지고 있는 제품이다.
액정 표시 장치의 구동 원리는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한 것이다. 구조가 가늘고 길기 때문에 분자 배열에 방향성과 분극성을 갖고 있는 액정 분자들에 인위적으로 전자기장을 인가하여 분자 배열 방향을 조절할 수 있다. 따라서, 배향 방향을 임의로 조절하면 액정의 광학적 이방성에 의하여 액정 분자의 배열 방향에 따라 빛을 투과 혹은 차단시킬 수 있게 되어 화면 표시 장치로 응용하는 것이다. 현재에는 박막 트랜지스터와 그것에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 매트릭스 액정 표시 장치가 뛰어나 화질과 자연 색상을 제공하기 때문에 가장 주목받고 있는 제품이다. 일반적인 액정 표시 장치의 구조를 자세히 살펴보면 다음과 같다.
액정 표시 장치는 여러 가지 소자들이 설치된 두 개의 패널이 대향하고 그 사이에 액정 층이 끼워진 형태를 갖고 있다. 액정 표시 장치의 한쪽 패널에는 색상을 구현하는 소자들이 구성되어 있다. 이를 흔히 칼라 필터 패널이라고 부른다.
칼라 필터 패널은 투명 기판 위에 행렬 배열 방식으로 설계된 화소의 위치를 따라 빨강(R), 초록(G), 파랑(B)의 칼라 필터가 순차적으로 배열되어 있다. 이들 칼라 필터 사이에는 아주 가는 그물 모양의 블랙 매트릭스가 형성되어 있다. 이것은 각 색상 사이에서 혼합 색이 나타나는 것을 방지한다. 그리고, 칼라 필터 전면에 공통전극이 형성되어 있다. 공통 전극은 액정에 인가하는 전기장을 형성하는 한쪽 전극 역할을 한다.
액정 표시 장치의 다른 쪽 패널에는 액정을 구동하기 위한 전기장을 발생시기는 스위치 소자 및 배선들이 형성되어 있다. 이를 흔히 액티브 패널이라고 부른다. 액티브 패널은 투명 기판 위에 행렬 방식으로 설계된 화소의 위치를 따라 화소 전극이 형성되어 있다. 화소 전극은 칼라 필터 패널에 형성된 공통전극과 마주보며 액정에 인가되는 전기장을 형성하는 다른 쪽 전극 역할을 한다. 화소 전극들의 수평 배열 방향을 따라 신호 배선이 형성되어 있고, 수직 배열 방향을 따라서는 데이터 배선이 형성되어 있다. 그리고, 화소 전극의 한쪽 구석에는 화소 전극에 전기장 신호를 인가하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 신호 배선에 연결되어 있고(따라서, 신호 배선을 게이트 배선'' 이라 부르기도 한다), 소스 전극은 데이터 배선에 연결되어 있다(따라서 데이터 배선을 소스 배선이라 부르기도 한다). 그리고, 박막 트랜지스터의 드레인 전극은 화소전극에 연결되어 있다. 그리고, 게이트 배선과 소스 배선의 끝단에는 외부에서 인가되는 신호를 받아들이는 종단 단자(혹은 Terminal)인 패드(게이트 패드와 소스패드)가 형성되어 있다.
게이트 패드에 인가되는 외부의 전기적 신호가 게이트 배선을 따라 게이트 전극에 인가되면 소스 패드에 인가되는 화상 정보가 소스 배선을 따라 소스 전극에 인가되어 드레인 전극에 도통되거나 단절되기도 한다. 그러므로, 게이트 전극의 신호를 조절함에 따라 드레인 전극에 데이터 신호의 인가 여부를 결정할 수 있다. 따라서, 드레인 전극에 연결된 화소 전극에 데이터 신호를 인위적으로 전달할 수 있게 된다. 즉, 박막 트랜지스터는 화소 전극을 구동하는 스위치 역할을 한다.
이렇게 만들어진 두 개의 패널이 일정 간격(이 간격을 셀 갭(Cell Gap) 이라 부른다)을 두고 대향하여 부착되고, 그 사이에 액정 물질이 채워진다. 그리고, 합착된 패널의 양쪽 면에 편광 판을 부착하여 액정 표시 장치의 한 부분인 액정 패널이 완성된다.
액정 표시 장치를 구성하는 액정 패널을 제조하는 공정은 매우 복잡한 여러 가지 공정 단계들이 복합적으로 이루어져 있다. 특히, 박막 트랜지스터가 형성되는 액티브 패널을 제조하는데는 여러 가지 공정들을 거쳐야 한다. 우선 액티브 패널의 평면도를 나타내는 도 1과 도 1의 절단선 II-II로 자른 단면으로 제조 공정을 나타내는 도 2를 이용하여 종래의 액티브 패널을 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
투명 유리 기판(1)에 알루미늄 혹은 알루미늄 합금을 증착하고, 포토 리소그래피(Photo-Lithography : 사진 식각) 법으로 소정의 형상을 갖는 게이트 전극(11), 게이트 배선(13) 그리고 게이트 패드(l5)를 형성한다. 상기 게이트 전극(11)은 행렬, 배열 방식으로 설계된 화소의 한쪽 구석에 설치된다. 상기 게이트 배선(13)은 상기 행 방향으로 배열된 게이트 전극(11)들을 연결하고 있다. 상기 게이트 패드(15)는 상기 게이트 배선(13)의 끝단에 형성된다(도 2a).
상기 게이트 소자들이(게이트 전극(11), 게이트 배선(13) 그리고 게이트 패드(15)) 형성된 기판 전면에 산화 실리콘이나 질화 실리콘을 증착하여 게이트 절연막(l7)을 형성한다. 그리고, 그 위에 순수 아몰퍼스 실리콘과 같은 진성 반도체 물질과 불순물이 첨가된 아몰퍼스 실리큰과 같은 불순물 반도체 물질을 차례로 증착하고, 포토 리소그래피 법으로 패턴하여 상기 게이트 전극(11) 부분에 반도체 층(33)과 불순물 반도체 층(35)을 형성한다(도 2b).
크롬(Cr)이나 크롬 합금과 같은 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 불순물 반도체 층(35)을 사이에 두고 상기 반도체 층(33)의 한쪽 부분에 접촉하는 소스 전극(21)을 형성한다. 그리고, 상기 게이트 전극(11)을 기준으로 소스 전극(21)과 대향하며 상기 불순물 반도체 층(35)을 사이에 두고 상기 반도체 층(33)의 다른 쪽 부분에 접촉하는 드레인 전극(31)을 형성한다. 여기서, 불순물 반도체 층(35)과 소스 전극(21) 그리고, 드레인 전극(31)은 오믹 접촉을 이루고 있다. 그런데, 소스 전극(21)과 드레인 전극(31) 사이에 불순물 반도체 층(35)이 연속되어 있다면, 소스 전극(21)좌 드레인 전극(31)은 항시 도통된 상태로 되어 스위치 구실을 할 수 없게 된다. 그러므로, 소스 전극(21)과 드레인 전극(31) 사이에 있는 불순물 반도체 층(35)은 식각 법으로 제거한다. 또한, 상기 열 배열 방향으로 나열한 소스 전극(21)들을 연결하는 소스 배선(23)을 형성한다. 상기 소스 배선(23)들을 상기 게이트 배선(13)과 거의 직교하고 있다. 그리고, 소스 배선(23)의 끝 부분에는 소스 패드(25)를 형성한다(도 2c).
산화 실리콘(SiOx)이나 질화 실리콘(SixOy) 등과 같은 절연 물질을 기판 전면에 증착하여 보호막(37)을 형성한다, 포토 리소그래피 법으로 상기 보호막(37)을 패턴하여 상기 게이트 패드(15) 부분에 게이트 큰택 홀(53)을, 소스 패드(25) 부분에는 소스 콘댁 홀(63)을 그리고, 드레인 전극(31) 부분에는 드레인 콘택 홀(73)을 형성한다. 상기 게이트 콘택 홀(53)은 상기 게이트 패드(15) 표면의 일부를, 상기 소스 콘택 홀(63)은 상기 소스 패드(25) 표면의 일부를 그리고, 상기 드레인 콘택홀(73)은 상기 드레인 전극(31) 표면의 일부를 노출시킨다(도 2d).
그리고, ITO(Indium Tin Oxide)를 기판 전면에 증착하고 패턴하여, 화소 전극(41), 게이트 패드 연결 단자(57) 그리고, 소스 패드 연결 단자(67)를 형성한다. 화소 전극(41)은 상기 드레인 큰택 홀(73)을 통하여 상기 드레인 전극(31)에 연결되어 있다. 게이트 패드 연결 단자(57)는 상기 게이트 콘택 홀(53)을 통하여 상기 게이트 패드(15)에 연결되어 있다. 소스 패드 연결 단자(67)는 상기 소스 콘택 홀(63)을 통하여 상기 소스 패드(25)에 연결되어 있다(도 2e).
이와 같은 종래의 액정 패널을 제조하는 방법에 의하먼, 도 3a에 나타난 바와 같이, 드레인 콘택 홀(73)을 통하여 드레인 전극(31)의 표면이 화소 전극(41)과 접촉하는 구조를 갖게된다. 그러나, 드레인 큰택 흘(73)을 형성하기 위해 보호막(37)을 식각하는 공정에서 층분한 공정 진행을 하지 않게 되면, 드레인 전극(31)의 표면에 잔여 물질과 같은 오염 물질(81)이 남는 경우가 있다. 이런 경우에 화소 전극(41)과 드레인 전극(31) 사이에 접촉 상태가 양호하지 않게 된다. 한편, 소스 콘택 홀(63) 역시 드레인 콘택 홀(73)을 형성하는 과정에서 같은 방법으로 형성되기 때문에, 도 3b에 나타난 바와 같이, 소스 패드(25)의 표면에 상기 오염 물질(81)이 남을 수 있다. 따라서, 소스 패드(25)와 소스 패드 연결 단자(67)의 접촉 상태가 양호하지 않게 된다. 특히, 상기 오염 물질(81)로 인하여 접촉 저항이 높아지는 경우가 있는데, 그런 경우 화소 전극(41)에 전달되는 화상 정보의 전압 값에 왜곡이 일어나서 화질이 떨어진다.
도 1은 액정 표시 장치의 종래 구조를 나타내는 평면도이다.
도 2는 액정 표시 장치를 종래의 방법에 의하여 제조하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 3a는 종래의 액정 표시 장치 구조에 있어서, 드레인 전극과 화소 전극이 접촉하는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3b는 종래의 액정 표시 장치 구조에 있어서, 소스 패드와 소스 패드 연결 단자가 접촉하는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명에 의한 액정 표시 장치의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명에 의한 액정 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 6a는 본 발명에 의한 액정 표시 장치에서 드레인 전극과 화소 전극이 접촉하는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 6b는 본 발명에 의한 액정 표시 장치에서 소스 패드와 소스 패드 연결 단자가 접촉하는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 6c는 본 발명에 의한 액정 표시 장치에서 게이트 패드와 게이트 패드 연결 단자가 접촉하는 상태를 나타내는 단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1,101:기판 11,111:게이트 전극
3,113:게이트 배선 15,115:게이트 패드
17,117:게이트 절연막 21,121:소스 전극
23,123:소스배선 25,125:소스 패드
31,131:드레인 전극 33,133:반도체 층
35,l35:불순물 반도체 층 37,137:보호막
41,141:화소 전극
53,153:게이트 콘택 홀 57,157:게이트 패드 연결 단자
63,163: 소스 콘택 홀67, 167: 소스 패드 연결 단자
73,173:드레인 콘택 홀81:오염 물질
우리는 이상 설명한 문제점을 해결하기 의해서 본 발명은 다음과 같은 공정을 포함하는 제조 방법을 제공한다. 제 1 금속 물질과 상기 제 1 금속 물질을 덮는 절연 물질을 포함하는 장치에 있어서, 상기 제 1 금속 물질을 덮는 보호막의 일부를 식각물로 식각하는 공정과, 상기 식각 공정에 의해 상기 보호막에 형성된 콘택홀을 통하여 노출된 제 1 금속 물질을 식각하여 식각 측면이 형성되도록 하는 공정과, 그 위에 상기 제 1 금속 물질과 전기적 접촉을 하기 위한 제 2 금속 물질을 증착하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 절연 물질과 제 1 금속 물질이 같은 형상으로 식각된 콘택 홀이 형성된다. 아울러, 제 1 금속 물질은 식각된 측면이 콘택 홀에 의해 노출된다, 그 후에 전기적 접촉을 위한 제 2 금속 물질을 증착하게 되면, 상기 제 1 금속 물질의 식각 측면과 상기 제 2 금속 물질이 서로 접촉한다. 다음 실시 예를 통하여 본 발명에 의해 액정 패널을 제조하는 방법을 구체적으로 살펴보도록 한다. 이해를 돕기 위해 액정 패널의 평면도를 나타내는 도 4와, 도 4의 절단선 V-V로 자른 단면으로 제조 공정을 나타내는 도 5를 참조한다.
투명 유리 기판(101)에 알루미늄 혹은 알루미늄 합금을 증착하고, 포토 리소그래피(Photo-Lithography:사진 식각) 법으로 소정의 형상을 갖는 게이트 전극(111), 게이트 배선(113) 그리고 게이트 패드(115)를 형성한다. 상기 게이트 전극(111)은 행렬 배열 방식으로 설계된 화소의 한쪽 구석에 설치된다. 상기 게이트 배선(113)은 상기 행 방향으로 배열된 게이트 전극(111)들을 연결하고 있다. 상기 게이트 패드(115)는 상기 게이트 배선(113)의 끝단에 형성된다(도 5a).
상기 게이트 소자들이(게이트 전극(111), 게이트 배선(113) 그리고 게이트 패드(115)) 형성된 기판 전면에 산화 실리콘이나 질화 실리콘을 증착하여 게이트 절연막(117)을 형성한다. 그리고, 그 위에 순수 아몰퍼스 실리콘과 같은 진성 반도체 물질과 불순물이 첨가된 아몰퍼스 실리콘과 같은 불순물 반도체 물질을 차례로 증착하고, 포토 리소그래피 법으로 패턴하여 상기 게이트 전극(111) 부분에 반도체층(133)과 불순물 반도체 층(135)을 형성한다(도 5b).
몰리브덴(Mo)이나 탄탈(Ta) 흑은 몰리브덴 합금이나 탄탈 합금과 같은 금속물질을 증착하고 패턴하여, 상기 불순물 반도체 층(135)을 사이에 두고 상기 반도체 층(133)의 한쪽 부분에 접촉하는 소스 전극(121)을 형성한다. 그리고, 상기 게이트 전극(111)을 기준으로 소스 전극(121)과 대향하며 상기 불순물 반도체 층(135)을 사이에 두고 상기 반도체 층(133)의 다른 쪽 부분에 접촉하는 드레인 전극(131)을 형성한다. 여기서, 불순물 반도체 층(135)과 소스 전극(121) 그리고, 드레인 전극(131)은 오믹 접촉을 이루고 있다. 그런데, 소스 전극(121)과 드레인 전극(131) 사이에 불순물 반도체 층(135)이 연속되어 있다면, 소스 전극(121)과 드레인 전극(131)은 항시 도통된 상태로 되어 스위치 구실을 할 수 없게된다. 그러므로, 소스 전극(121)과 드레인 전극(131) 사이에 있는 불순물 반도체 층(135)을 식각 법으로 제거한다. 또한, 상기 열 배열 방향으로 나열한 소스 전극(121)들을 연결하는 소스 배선(123)을 형성한다. 상기 소스 배선(123)들을 상기 게이트 배선(113)과 거의 직교하고 있다. 그리고, 소스 배선(123)의 끝 부분에는 소스 패드(125)를 형성한다(도 5c).
산화 실리콘(SiOx)이나 질화 실리콘(SixOy) 등과 같은 절연 물질을 기판 전면에 증착하여 보호막(137)을 형성한다. 포토 리소그래피 법으으로 상기 보호막(137)을 패턴하여, 소스 패드(125) 부분에는 소스 콘택 홀(163)을 그리고, 드레인 전극(131) 부분에는 드레인 콘택 홀(173)을 형성한다. 이 때, 상기 소스 콘택 홀(163)과 드레인 콘택 홀(173)에 드러나는 몰리브덴이나 탄탈과 같은 금속의 표면은 산화실리콘이나 질화 실리콘을 식각할 때 사용하는 식각물에 쉽게 식각된다. 그러므로, 드레인 전극(131)과 소스 패드(125)가 식각되어 식각 측면이 깨끗하게 드러나도록 콘택홀들을 형성한다. 동시에 게이트 패드(115)의 표면을 덮는 상기 보호막(13)과 상기 게이트 절연막(117)도 함께 식각하여 게이트 패드(115)를 노출시킨다(도5d).
그리고, ITO(Indium Tin Oxide)를 기판 전면에 증착하고 패턴하여, 화소 전극(141), 게이트 패드 연결 단자(157) 그리고, 소스 패드 연결 단자(167)를 형성한다. 화소 전극(141)은 상기 드레인 콘택 홀(173)을 통하여 상기 드레인 전극(131)에 연결되어 있다. 게이트 패드 연결 단자(157)는 상기 게이트 콘택 홀(153)을 통하여 상기 게이트 패드(l15)에 연결되어 있다. 소스 패드 연결 단자(167)는 상기 소스 콘택 홀(163)을 통하여 상기 소스 패드(125)에 연결되어 있다. 이 때, 드레인 콘택 홀(173)을 통하여 상기 화소 전극(141)은 상기 드레인 전극(131)의 식각 측면과 연결된다. 또한, 소스 콘택 홀(163)을 통하여 상기 소스 패드 연결 단자(167)는 상기 소스 패드(125)의 식각 측면과 연결된다(도 5e).
본 발명에 의한 액정 표시 장치에서는 도 6a에 나타난 바와 같이, 드레인 전극(131)의 식각 측면이 화소 전극(141)과 접촉하게 된다. 드레인 전극(161)의 식각 측면은 식각 과정을 통해 깨끗하게 형성되기 때문에 종래 기술에서 표면에 남게 되는 오염 물질을 거의 전혀 갖지 않는다. 따라서, 드레인 전극(131)과 화소 전극(141)의 접촉 상태는 매우 양호하게 된다. 물론, 소스 패드(125) 역시 식각된 측면이 소스 패드 연결 단자(167)와 접촉을 이루게 되어 소스 패드(125)와 소스 패드 연결 단자(167)도 양호한 접촉 상태를 갖는다(도 6b).
한편, 드레인 콘택 홀(173)과 소스 콘택 홀(163)을 형성하는 부분은 보호막(137), 소스 금속 드레인 전극(131) 흑은 소스 패드(125))이 적층되어 있고, 게이트 콘택 홀(153)이 형성되는 부분에는 보호막(137)과 게이트 절연막(117) 그리고 게이트 패드(115)가 적층되어 있다. 보호막(137)과 게이트 절연막(137)은 비슷한 물질로 식각 속도 비율이 비슷할 것이다. 다만, 소스 금속 물질과의 식각 비율은 다소 차이가 날 수 있다. 그러므로, 사용하는 식각물이 보호막(137)과 소스 금속 그리고 게이트 절연막(117)을 모두 비슷한 비율로 식각하는 물질을 사용하여, 드레인 콘택 홀(173)과 소스 콘택 홀(163) 그리고 게이트 콘택 홀(153)을 동시에 형성하도록 한다. 만일, 게이트 절연막(117) 보다 소스 금속의 식각 속도가 조금 느리다면, 게이트 패드(115)의 표면이 약간 식각될 것이다. 만일 게이트 절연막(117)보다 소스 금속의 식각 속도가 조금 빠르다면, 게이트 패드(115)가 노출 될 수 있도록 식각 시간을 오래하여야 할 것이다. 그렇다면, 소스 패드(125) 밑에 있는 게이트 절연막(117)이 약간 더 식각된 형태를 가질 수 있다. 이 두 경우에 있어서, 게이트 패드(115)와 게이트 패드 연결 단자(157)와의 접촉 상태를 고려한다면, 식각 시간을 적절히 조절하여, 도 6c에 나타난 것과 같이, 게이트 패드(115)의 표면이 약간 식각되도록 하는 것이 가장 바람직 할 것이다.
본 발명은 액정 표시 장치를 제조하는데 있어서, 드레인 전극 및 소스 패드를 화소 전극 및 소스 패드 연결 단자와 전기적 접촉을 하는데 양호한 접촉 상태를 제공하는 방법에 관련된 것이다. 본 발명에서는 콘택 홀을 형성하여 드레인 전극을 노출시기는데 있어서, 드레인 전극을 덮는 보호막만 식각하여 드레인 전극의 표면을 노출시기는 것이 아니라, 드레인 전극까지 함께 식각하여 드레인 전극의 식각측면이 노출 되도록 하였다. 따라서, 종래 기술에서 드레인 전극 표면에 남게되는 잔여 물질이나 오염 물질들이 형성되지 않으므로, 화소 전극과 드레인 전극 사이의 전기 접촉이 매우 양호하게 이루어진다. 즉, 오염 물질이 두 전극 사이에 존재하여 발생하는 접촉 저항이 높아지는 문제점이 발생하지 않는다. 따라서, 종래 기술에서 접촉 저항이 높아짐에 의해 발생하는 화면에 얼룩무늬가 생기거나, 화질이 나빠지는 문제점을 개선할 수 있었다.
또한 본 발명에서는 보호막과 드레인 전극을 식각하는 공정을 한번에 수행하기 위해 보호막 식각물에 쉽게 식각되는 물질인 탄탈, 몰리브덴 등을 사용하게 된다. 이 경우 종래에 사용하던 크롬 보다 전기 전도 저힝이 낮기 때문에 게이트와 소스/드레인을 갖는 물질로 사용할 수 있게 된다. 따라서, 액정 패널 제조 공정 전체에서 사용하는 물질의 수가 단순하게 되어 제조 공정 자체에서 생산성이 향상되는 부수적인 효과도 기대할 수 있다.
Claims (12)
- 기판 위에 제 1 금속을 포함하는 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극이 형성된 기판 위에 제 1 절연 물질로 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 위의 상기 게이트 전극이 형성된 부분에 반도체 물질로반도체 층을 형성하는 단계와;제 2 금속 물질로 상기 반도체 층의 한쪽 부분에 접촉하는 소스 전극과, 상기 소스 전극에 대향하며 상기 반도체 층의 다른 부분에 접촉하는 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 소스 전극 등이 형성된 기판 위에 제 2 절연 물질로 보호막을 형성하는단계와;상기 보호막과 상기 드레인 전극의 일부를 패턴하여 상기 드레인 전극의 측면이 나타나는 드레인 콘택 홀을 형성하는 단계와;상기 보호막 위에 도전 물질로 상기 드레인 콘택 홀을 통하여 상기 드레인전극의 식각 측면과 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제 1 금속 물질로 상기 게이트 전극을 형성하는 단계에서, 상기 게이트 전극을 연결하는 게이트 배선과 상기 게이트 배선의 끝 부분에 연결된 게이트 패드를 더 형성하고;상기 제 2 금속 물질로 상기 소스 전극을 형성하는 단계에서, 상기 소스 전극을 연결하는 소스 배선과 상기 소스 배선의 끝 부분에 연결된 소스 패드를 더 형성하고;상기 보호막을 패턴하는 단계에서, 상기 소스 패드를 덮는 보호막과 상기 소스 패드의 일부분을 식각하여 상기 소스 패드의 측면이 노출되는 소스 패드 콘택 홀을 더 형성하고;상기 도전 물질로 화소 전극을 형성하는 단계에서, 상기 소스 패드 콘택 홀을 통하여 상기 소스 패드의 식각 측면과 접촉하는 소스 패드 연결 단자를 더 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
- 제 2항에 있어서,상기 보호막을 패턴하는 단계에서 상기 게이트 패드를 덮는 상기 보호막과 상기 게이트 절연막을 식각하고, 상기 게이트 패드의 표면 일부를 식각하여 상기 게이트 패드를 노출시키는 게이트 콘택 홀을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시 장치 제조 방법.
- 제 1항 및 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 금속 물질은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치 제조 방법.
- 제 1항 및 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 금속 물질은 몰리브덴과 탄탈 중 선택된 어느 한 금속을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
- 제 1항 및 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전 물질은 Indium Tin Oxide를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
- 기판과;상기 기판 위에 제 1 금속 물질을 포함하는 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 위의 상기 게이트 전극 부분에 순수 반도체 물질을 포함하는 반도체 층과;상기 반도체 층의 한쪽 변에 형성된 제 2 금속 물질을 포함하는 소스 전극과;상기 소스 전극에 대향하며 상기 반도체 층의 다른 쪽 변에 형성된 제 2 금속 물질을 포함하는 드레인 전극과;상기 소스 전극 등을 덮는 보호막과;상기 드레인 전극의 일부와 상기 보호막을 식각하여 상기 드레인 전극의 측면을 노출시기는 드레인 콘택 홀과;상기 드레인 콘택 홀을 통하여 상기 드레인 전극에 연결된 도전 물질을 포함하는 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 제 1 금속 물질을 포함하며 상기 게이트 전극을 연결하는 게이트 배선과;상기 제 1 금속 물질을 포함하며 게이트 배선의 끝 부분에 연결된 게이트 패드와;상기 제 2 금속 물질을 포함하며 상기 소스 전극을 연결하는 소스 배선과;상기 제 2 금속 물질을 포함하며 상기 소스 배선의 끝 부분에 연결된 소스패드와;상기 소스 패드의 일부와 상기 보호막을 식각하여 상기 소스 패드의 측면을 노출시기는 소스 콘택 홀과;상기 도전 물질을 포함하며 상기 소스 콘택 홀을 통하여 상기 소스 전극과 연결된 소스 패드 연결 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 8항에 있어서,상기 보호막과, 상기 게이트 절연막 그리고, 상기 게이트 패드의 표면 일부를 식각하여 상기 게이트 패드를 노출시기는 게이트 콘택 홀과;상기 도전 물질을 포함하며 상기 게이트 콘택 홀을 통하여 상기 게이트 패드에 연결된 게이트 패드 연결 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 7항 및 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 금속 물질은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 7항 및 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 금속 물질은 몰리브덴과 탄탈 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 7항 및 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전 물질은 Indium Tin Oxide를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970045678A KR100262954B1 (ko) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 액정 표시 장치 제조 방법 및 그 제조 방법에 의한 구조 |
| US09/145,752 US6330042B1 (en) | 1997-09-03 | 1998-09-02 | Liquid crystal display and the method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970045678A KR100262954B1 (ko) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 액정 표시 장치 제조 방법 및 그 제조 방법에 의한 구조 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990024531A true KR19990024531A (ko) | 1999-04-06 |
| KR100262954B1 KR100262954B1 (ko) | 2000-08-01 |
Family
ID=19520793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970045678A KR100262954B1 (ko) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 액정 표시 장치 제조 방법 및 그 제조 방법에 의한 구조 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6330042B1 (ko) |
| KR (1) | KR100262954B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020083249A (ko) * | 2001-04-26 | 2002-11-02 | 삼성전자 주식회사 | 배선의 접촉 구조 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100288772B1 (ko) * | 1998-11-12 | 2001-05-02 | 윤종용 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100443831B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조 방법 |
| KR100859521B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2008-09-22 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
| US7037767B2 (en) * | 2003-03-24 | 2006-05-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Thin-film transistor, thin-film transistor sheet and their manufacturing method |
| US11791385B2 (en) * | 2005-03-11 | 2023-10-17 | Wolfspeed, Inc. | Wide bandgap transistors with gate-source field plates |
| US7576359B2 (en) * | 2005-08-12 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| KR101820372B1 (ko) | 2010-11-09 | 2018-01-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| TWI484641B (zh) * | 2011-03-03 | 2015-05-11 | E Ink Holdings Inc | 主動元件陣列基板 |
| US20160190157A1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-06-30 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Pixel structure and manufacturing method thereof |
| JP7109982B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2022-08-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0603866B1 (en) * | 1992-12-25 | 2002-07-24 | Sony Corporation | Active matrix substrate |
| JP3240858B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2001-12-25 | ソニー株式会社 | カラー表示装置 |
| KR100219118B1 (ko) * | 1996-08-30 | 1999-09-01 | 구자홍 | 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| TW409194B (en) * | 1995-11-28 | 2000-10-21 | Sharp Kk | Active matrix substrate and liquid crystal display apparatus and method for producing the same |
| KR100229613B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-11-15 | 구자홍 | 액정 표시 장치 및 제조 방법 |
| KR100271037B1 (ko) * | 1997-09-05 | 2000-11-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법(liquid crystal display device and the method for manufacturing the same) |
-
1997
- 1997-09-03 KR KR1019970045678A patent/KR100262954B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-09-02 US US09/145,752 patent/US6330042B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020083249A (ko) * | 2001-04-26 | 2002-11-02 | 삼성전자 주식회사 | 배선의 접촉 구조 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6330042B1 (en) | 2001-12-11 |
| KR100262954B1 (ko) | 2000-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100271037B1 (ko) | 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법(liquid crystal display device and the method for manufacturing the same) | |
| US6172733B1 (en) | Liquid crystal display including conductive layer passing through multiple layers and method of manufacturing same | |
| US6567150B1 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
| JP4364952B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR100244447B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| US7132305B2 (en) | Method of fabricating an in-plane switching liquid crystal display device | |
| US6614500B2 (en) | Liquid crystal display having a dummy source pad and method for manufacturing the same | |
| JP4162890B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100260532B1 (ko) | 액정 표시 장치의 칼라 필터 패널 구조 및 그 제조방법 | |
| KR100673331B1 (ko) | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치 | |
| JP3258768B2 (ja) | マトリックス型表示装置 | |
| KR100262954B1 (ko) | 액정 표시 장치 제조 방법 및 그 제조 방법에 의한 구조 | |
| CN113467145A (zh) | 阵列基板及制作方法、显示面板 | |
| KR100482167B1 (ko) | 액정표시장치및그제조방법 | |
| JPH09127494A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH028821A (ja) | アクティブマトリックス基板 | |
| KR20000019504A (ko) | 액정 표시 장치 제조 방법 | |
| US6950164B2 (en) | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| KR100926433B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100235594B1 (ko) | 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100243813B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20050065703A (ko) | 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR100514764B1 (ko) | 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치 제조 방법 | |
| KR100268302B1 (ko) | 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조방법 | |
| KR19990073789A (ko) | 액정 표시 장치의 제조 방법 및 그 구조 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150429 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160428 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170413 Year of fee payment: 18 |
|
| EXPY | Expiration of term |