KR19990005904A - Field oxide film formation method of a semiconductor device - Google Patents

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야1. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법에 관한 것임.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a field oxide film forming method for a semiconductor device.

2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제2. Technical problem to be solved by the invention

기존의 고집적도 소자를 위한 로코스 방식이 기판의 결정 결함에 의하여 GOI 치유가 떨어지고, 접합 누설이 증가하여 리프레쉬 시간이 감소하는 등의 문제점이 있음.The conventional LOCOS method for high-integration devices suffers from problems such as poor GOI healing due to crystal defects in the substrate, and reduced refresh time due to increased junction leakage.

3. 발명의 해결 방법의 요지3. Summary of the Solution of the Invention

희생 산화막을 형성할 때 산화 공정 전 또는 후에 고온의 어닐 공정을 실시함.When forming the sacrificial oxide film, a high temperature annealing process is performed before or after the oxidation process.

Description

반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법Field oxide film formation method of a semiconductor device

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 각각의 소자를 격리(절연)시키기 위해 사용되는 로코스(LOCal Oxidation of Silicon; LOCOS) 공정의 희생 산화막 형성 방법을 개선하여 활성 영역 확보 및 게이트 특성을 개선시키기 위한 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and in particular, to improve the method of forming a sacrificial oxide film in a LOCal Oxidation of Silicon (LOCOS) process used to isolate (insulate) each device, thereby securing active regions and gate characteristics A method of forming a field oxide film of a semiconductor device for improving the efficiency.

로코스 방법을 이용한 소자 분리를 위한 필드 산화막 형성 방법은 공정의 단순함과 용이성 때문에 지금까지 많은 소자의 제조 공정에서 사용되어 왔다. 그러나 단순한 로코스 공정은 기판의 응력을 작게하기 위한 패드 산화막의 채용에 따라 버즈 빅(bird's beak)이 증가하는 단점이 존재하여 0.25㎛ 디자인 룰 이하의 256M DRAM급 소자에는 적용하기 힘들다. 이를 극복하기 위하여 패드 산화막으로 캐미컬 산화막을 사용하는 방법을 이용한다. 이 방법을 이용할 경우 소자의 집적도가 증가함에 따라 필요로하는 버즈 빅 감소를 효과적으로 얻어낼 수 있다. 그러나 산화 방지막으로 사용되는 질화막에 의한 스트레스(stress)를 효과적으로 제거하지 못하기 때문에 소자가 형성되어야 할 활성 영역에 많은 스트레스를 가하게 되어 스트레스에 의한 단층(dislocation) 등의 결정 결함(crystal defect)을 기판내에 형성시키게 된다. 256M DRAM급 이상, 즉 디자인 룰이 0.25㎛ 이하인 소자에서는 이들 결함에 의하여 게이트 특성이 심하게 열화될 뿐만 아니라 콘택 접합부(contact junction)에서 기판으로 흐르는 누설 전류가 증가되어 DRAM의 리프레쉬 시간(refresh time)을 감소시키는 등의 문제점이 존재하게 된다.Field oxide film formation methods for device isolation using the LOCOS method have been used in many device manufacturing processes until now because of the simplicity and ease of the process. However, the simple LOCOS process has a disadvantage in that bird's beak increases due to the adoption of a pad oxide film to reduce the stress of the substrate, and thus it is difficult to apply to 256M DRAM devices having a 0.25 µm design rule or less. In order to overcome this problem, a method using a chemical oxide film as a pad oxide film is used. With this method, the required buzz big reduction can be effectively achieved as the device density increases. However, since the stress caused by the nitride film used as the anti-oxidation film cannot be effectively removed, a large amount of stress is applied to the active region where the device is to be formed, and thus crystal defects such as dislocation due to the stress are applied to the substrate. It is formed within. In devices with 256M DRAM or more, i.e., 0.25µm or less, not only the gate characteristics are severely degraded by these defects, but also the leakage current flowing from the contact junctions to the substrate increases, thereby reducing the refresh time of the DRAM. Problems such as reducing.

따라서, 본 발명은 실리콘 기판내에 존재하는 결정 결함을 제거하고 이에 의하여 GOI 특성 및 접합 누설 특성을 개선하여 상술한 문제점을 해결할 수 있는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for forming a field oxide film of a semiconductor device which can solve the above-mentioned problems by removing crystal defects present in a silicon substrate and thereby improving GOI characteristics and junction leakage characteristics.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 실리콘 기판 상부의 선택된 영역에 필드 산화막을 형성하는 단계와, 전체 구조에 산화 공정 및 어닐 공정을 실시하여 상기 실리콘 기판 상부에 희생 산화막을 형성하여 결정 결함을 치유한 후 상기 희생 산화막을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is to form a sacrificial oxide film on the silicon substrate by forming a field oxide film on the selected region of the silicon substrate, the oxidation process and the annealing process on the entire structure to heal crystal defects And then removing the sacrificial oxide film.

도 1(a) 내지 도 1(c)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도.1 (a) to 1 (c) are cross-sectional views of devices sequentially shown to explain a method of forming a field oxide film of a semiconductor device according to the present invention.

도 2는 일반적인 필드 산화막 형성을 위한 레시피도.2 is a recipe view for forming a general field oxide film.

도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 제 1 희생 산화막 형성을 위한 레시피도.3 is a recipe diagram for forming a first sacrificial oxide film according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 제 1 희생 산화막 형성을 위한 레시피도.4 is a recipe diagram for forming a first sacrificial oxide film according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 제 2 희생 산화막 형성을 위한 레시피도.5 is a recipe view for forming a second sacrificial oxide film according to a third embodiment of the present invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 : 실리콘 기판 2 : 패드 산화막1 silicon substrate 2 pad oxide film

3 : 패드 질화막 4 : 필드 산화막3: pad nitride film 4: field oxide film

5 : 제 1 희생 산화막5: first sacrificial oxide film

첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.The present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1(a) 내지 도 1(c)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도이다.1 (a) to 1 (c) are cross-sectional views of devices sequentially shown to explain a method of forming a device isolation film of a semiconductor device according to the present invention.

도 1(a)에 도시된 바와 같이 실리콘 기판(1) 상부에 패드 산화막(2) 및 패드 질화막(3)을 순차적으로 형성한다. 패드 산화막(2)은 후속 패드 질화막(3)에 의한 스트레스를 효과적으로 제어하기 위하여 필요한 것이지만 패드 산화막(2)의 두께가 증가할 경우 버즈 빅이 증가하여 고집적 반도체 소자에 적용할 수 없다. 256M DRAM급 이상의 소자에 적용하기 위한 패드 산화막(2)의 두께는 수십Å 이하를 필요로 하는데 공정을 용이하게 하기 위하여 케미컬 산화막을 사용하는 것이 일반적이다. 이를 형성하기 위해서는 세정 공정의 맨 마지막 공정에 SC-1 세정을 사용는데, NH₄OH:H₂O₂:H₂0=1:4:20의 용액비로서 85℃ 이하의 온도에서 처리하면 이전 공정에서 생긴 파티클 등의 결함 제거에도 용이할 뿐만 아니라 표면 거칠기가 적은 평탄한 케미컬 산화막을 형성시킬 수 있다. 세정 공정의 효율을 증대시키기 위하여 SC-1 공정 이전에 SPM(H₂SO₄:H₂O₂=4:1)과 희석한(diluted) HF(HF:H₂O=1:50) 공정을 사용할 수 있다. 또한, 패드 질화막(3)을 형성하기 위해서는 일반적으로 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법을 사용하고 있으며, NH₃/DCS(SiH₂Cl₂)= 900SCCM/90SCCM 비의 유량을 갖는 반응 가스를 사용하여 약 700∼800℃의 온도와 200∼500mTorr의 압력에서 1000∼1500Å의 두께로 증착한다. 그리고 패드 질화막(3) 상부에 감광막(도시않됨)을 증착한 후 리소그라피 및 식각 공정을 실시하여 소자 분리 영역을 확정한다. 그리고 감광막(도시않됨)을 제거한 후 필드 산화막(4)을 형성한다. 필드 산화막(4)은 산화 공정을 거쳐 형성되는데, 이때 산화 공정을 거치면서 패드 질화막(3)의 스트레스에 의해 생성되는 단층(dislocation) 등의 결정 결함을 최대한으로 억제하기 위하여 1000℃의 온도에서 산소 분위기로, 즉 건식 산화 공정으로 약 1400Å 두께의 필드 산화막(4)을 형성한다. 이후에 1000℃의 온도에서 1400Å 정도의 산화막을 더 성장시켜 총 2800Å의 산화막을 성장시킨다. 이와 같은 필드 산화막(4) 성장 방법을 도 2에 도시하였다.As shown in FIG. 1A, a pad oxide film 2 and a pad nitride film 3 are sequentially formed on the silicon substrate 1. The pad oxide film 2 is necessary to effectively control the stress caused by the subsequent pad nitride film 3, but when the thickness of the pad oxide film 2 is increased, the buzz big increases and cannot be applied to the highly integrated semiconductor device. The thickness of the pad oxide film 2 to be applied to a device of 256M DRAM class or more requires several tens of micrometers or less, and a chemical oxide film is generally used to facilitate the process. To form this, SC-1 cleaning is used in the last step of the cleaning process, and the solution ratio is NH ₄ OH: H ₂ O ₂ : H ₂ 0 = 1: 4: 20, It is not only easy to remove defects such as particles generated in the process, but also a flat chemical oxide film having a low surface roughness can be formed. In order to increase the efficiency of the cleaning process, SPM (H ₂ SO ₄ : H ₂ O ₂ = 4: 1) and dilute HF (HF: H ₂ O = 1: 50) process were used prior to the SC-1 process. Can be used. In addition, in order to form the pad nitride film 3, a chemical vapor deposition (CVD) method is generally used, and a reaction gas having a flow rate of NH ₃ / DCS (SiH ₂ Cl ₂ ) = 900SCCM / 90SCCM ratio is used. Deposition is carried out at a temperature of about 700 to 800 ° C. and a pressure of 200 to 500 mTorr to a thickness of 1000 to 1500 kPa. After the photoresist film (not shown) is deposited on the pad nitride film 3, the device isolation region is determined by performing a lithography and etching process. After removing the photoresist film (not shown), the field oxide film 4 is formed. The field oxide film 4 is formed through an oxidation process. At this time, in order to suppress crystal defects such as dislocations generated by the stress of the pad nitride film 3 during the oxidation process, oxygen at a temperature of 1000 ° C. is maximized. A field oxide film 4 having a thickness of about 1400 kPa is formed in the atmosphere, that is, in a dry oxidation process. Thereafter, an oxide film of about 1400 kPa is further grown at a temperature of 1000 ° C. to grow a total of 2800 kW oxide film. Such a method of growing the field oxide film 4 is shown in FIG.

도 2는 일반적인 필드 산화막 형성을 위한 레시피도로서, 700∼800℃의 온도와 질소 및 미량의 산소의 양이 각각 10SLM, 0.5SLM인 반응로에 웨이퍼를 로딩시킨다. 웨이퍼를 질소와 미량의 산소의 양이 각각 10SLM, 0.5SLM인 상태에서 900∼1050℃까지 반응로의 온도를 상승시킨다. 이 온도 상태에서 5∼16SLM의 산소 양에서 건식 산화를 실시한 후 산소와 수소의 양이 각각 6.67SLM, 8∼12SLM 상태에서 습식 산화를 실시한다. 이때 수소:산소의 비는 1:1∼1:0.6으로 한다. 그리고 질소의 양이 10 SLM인 상태에서 반응로의 온도를 700∼800℃로 하강시킨 후 같은 분위기에서 언로딩시킨다. 이와 같은 방법으로 성장된 필드 산화막은 서서히 산화 속도가 증가하므로 질화막의 스트레스가 발생하더라도 충분히 완충시킬 수 있는 시간이 존재하게 되어 활성 영역의 결정 결함을 효과적으로 줄일 수 있다.FIG. 2 is a recipe for forming a general field oxide film, in which a wafer is loaded into a reactor having a temperature of 700 ° C. to 800 ° C. and nitrogen and a small amount of oxygen of 10 SLM and 0.5 SLM, respectively. The temperature of the reactor is raised to 900 to 1050 ° C in a state where the amounts of nitrogen and trace oxygen are 10 SLM and 0.5 SLM, respectively. At this temperature, dry oxidation is carried out at an oxygen content of 5 to 16 SLM, followed by wet oxidation at an oxygen and hydrogen of 6.67 SLM and 8 to 12 SLM, respectively. At this time, the ratio of hydrogen to oxygen is 1: 1 to 1: 0.6. The temperature of the reactor is lowered to 700 to 800 ° C. while the amount of nitrogen is 10 SLM, and then unloaded in the same atmosphere. Since the oxidation rate of the field oxide film grown in this manner gradually increases, there is a time to fully buffer the nitride film stress, thereby effectively reducing the crystal defects in the active region.

도 1(b)는 인산을 이용하여 패드 질화막(3) 및 패드 산화막(2)을 제거한 후 제 1 희생 산화막(5)을 형성한 단면도이다. 제 1 희생 산화막(5)은 활성 영역에 존재하는 결함 및 손상층을 제거하기 위한 것으로 일정 두께의 실리콘을 산화시킨 후 습식 세정에 의하여 형성한다. 제 1 희생 산화막(5)은 750∼900℃의 습식 산화 공정을 이용하여 150∼300Å으로 형성시키는데 이 공정에서 고온의 어닐 공정을 추가하여 필드 산화막(4) 형성 공정중에 형성된 결정 결함을 효과적으로 제거하게 된다. 이에 대한 공정을 도 3에 도시하였다.FIG. 1B is a cross-sectional view of the first sacrificial oxide film 5 formed after removing the pad nitride film 3 and the pad oxide film 2 using phosphoric acid. The first sacrificial oxide film 5 is formed by wet cleaning after oxidizing silicon of a predetermined thickness to remove defects and damage layers present in the active region. The first sacrificial oxide film 5 is formed at 150 to 300 Pa using a wet oxidation process of 750 to 900 DEG C. In this process, a high temperature annealing process is added to effectively remove crystal defects formed during the field oxide film formation process. do. The process for this is shown in FIG. 3.

도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 희생 산화막 형성을 위한 레시피도이다. 약 800℃의 온도와 질소 및 미량의 산소의 양이 각각 10SLM, 0.5SLM인 수직 반응로(vertical furnace)에 웨이퍼를 로딩시킨다. 같은 분위기에서 약 5℃/min의 온도 기울기로 1000∼1150℃까지 반응로의 온도를 상승시킨다. 이 온도에서 10∼60분 정도 웨이퍼를 유지시키면서 질소를 이용한 어닐 공정을 실시하면 필드 산화막 형성중에 생성된 결정 결함을 효과적으로 제거하게 된다. 이후에 약 3℃/min의 온도 기울기로 800℃까지 온도를 낮추어 산소와 수소의 양이 각각 6.67SLM, 10SLM인 분위기에서 습식 산화 공정을 실시하여 약 150∼300Å 정도의 산화막을 성장시킨다. 이후에 웨이퍼를 언로딩시켜서 제 1 희생 산화막 공정을 마무리한다.3 is a recipe diagram for forming a sacrificial oxide film according to the first embodiment of the present invention. The wafer is loaded into a vertical furnace with a temperature of about 800 ° C. and nitrogen and trace oxygen amounts of 10 SLM and 0.5 SLM, respectively. In the same atmosphere, the temperature of the reactor is increased to 1000 to 1150 ° C with a temperature gradient of about 5 ° C / min. The annealing process using nitrogen while maintaining the wafer at this temperature for 10 to 60 minutes effectively removes the crystal defects generated during the field oxide film formation. Thereafter, the temperature was lowered to 800 ° C. at a temperature gradient of about 3 ° C./min, and a wet oxidation process was performed in an atmosphere in which the amounts of oxygen and hydrogen were 6.67 SLM and 10 SLM, respectively, to grow an oxide film of about 150 to 300 kPa. The wafer is then unloaded to finish the first sacrificial oxide process.

도 1(c)는 제 1 희생 산화막(5)을 제거하여 필드 산화막(4) 형성을 마무리한 상태의 단면도이다. 제 1 희생 산화막(5)을 제거하기 위해서는 희석한(diluted) HF 용액을 이용하는데 결함 제거 등 후속 공정을 용이하게 하기 위하여 SPM이나 SC-1 세정 공정을 먼저 사용할 수 있다. 이후에 제 2 희생 산화막 공정을 실시하게 되는데 두께는 후속 이온 주입 공정을 용이하게 하기 위하여 100∼150Å으로 하며 800℃ 습식 산화를 일반적으로 사용한다.FIG. 1C is a cross-sectional view of the first sacrificial oxide film 5 being removed to finish the formation of the field oxide film 4. To remove the first sacrificial oxide film 5, a diluted HF solution is used. In order to facilitate subsequent processes such as defect removal, an SPM or SC-1 cleaning process may be used first. Thereafter, a second sacrificial oxide film process is performed, and the thickness thereof is 100 to 150 kPa to facilitate the subsequent ion implantation process, and 800 ° C. wet oxidation is generally used.

본 발명의 제 2 실시 예로서 도 4에 도시된 바와 같이 제 1 희생 산화막 형성 공정에서 습식 산화 공정을 실시한 후 고온 어닐 공정을 실시할 수 있다. 도시된 바와 같이 약 800℃의 온도와 질소 및 미량의 산소의 양이 각각 10SLM, 0.5SLM인 수직 반응로(vertical furnace)에 웨이퍼를 로딩시킨다. 웨이퍼를 로딩시킨 후 산소와 수소의 양이 각각 6.67SLM, 10SLM인 상태에서 습식 산화 공정을 실시하여 150∼300Å 정도의 산화막을 성장한 후 약 5℃/min의 온도 기울기로 1000∼1150℃까지 반응로의 온도를 상승시킨다. 이 온도에서 10∼60분 정도 웨이퍼를 유지시키면서 질소를 이용한 어닐 공정을 실시하면 필드 산화막 형성중에 생성된 결정 결함을 효과적으로 제거하게 된다. 이후에 약 3℃/min의 온도 기울기로 800℃까지 온도를 낮추고 웨이퍼를 언로딩시킨다.As a second embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4, a wet oxidation process may be performed in the first sacrificial oxide film forming process, followed by a high temperature annealing process. As shown, the wafer is loaded into a vertical furnace with a temperature of about 800 ° C. and nitrogen and trace amounts of 10 SLM and 0.5 SLM, respectively. After loading the wafer, the wet oxidation process was performed with oxygen and hydrogen of 6.67 SLM and 10 SLM, respectively, to grow an oxide film of about 150 ~ 300Å, and then the reactor was heated to 1000 ~ 1150 ℃ with a temperature gradient of about 5 ℃ / min. Raise the temperature. The annealing process using nitrogen while maintaining the wafer at this temperature for 10 to 60 minutes effectively removes the crystal defects generated during the field oxide film formation. The temperature is then lowered to 800 ° C. with a temperature gradient of about 3 ° C./min and the wafer is unloaded.

또한, 본 발명의 제 3 실시 예로서 도 5에 도시된 바와 같이 제 2 희생 산화막 형성 공정에서 고온 어닐 공정을 추가하여 실시할 수 있다. 도시된 바와 같이 약 800℃의 온도와 질소 및 미량의 산소의 양이 각각 10SLM, 0.5SLM인 반응로에 웨이퍼를 로딩시킨다. 웨이퍼를 로딩시킨 후 같은 분위기에서 1100℃까지 반응로의 온도를 상승시킨다. 1100℃의 온도 상태에서 질소를 이용한 어닐 공정을 실시한 후 800℃까지 반응로의 온도를 하강시킨다. 800℃의 온도와 산소와 수소의 양이 각각 6.67SLM, 10SLM인 상태에서 습식 산화 공정을 실시하여 제 2 희생 산화막을 성장시키고 웨이퍼를 언로딩시킨다.In addition, as a third embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, a high temperature annealing process may be added in the second sacrificial oxide film forming process. As shown, the wafer is loaded into a reactor at a temperature of about 800 ° C. and a nitrogen and trace amount of oxygen of 10 SLM and 0.5 SLM, respectively. After loading the wafer, the temperature of the reactor is raised to 1100 ° C. in the same atmosphere. After performing an annealing process using nitrogen at a temperature of 1100 ° C, the temperature of the reactor is lowered to 800 ° C. The wet sacrificial oxide is grown at a temperature of 800 ° C. and the amounts of oxygen and hydrogen are 6.67 SLM and 10 SLM, respectively, to grow the second sacrificial oxide film and to unload the wafer.

상술한 바와 같이 본 발명에서는 반도체 소자의 필드 산화막 형성을 기존의 로코스 방법을 그대로 사용하면서 256M DRAM 이상의 고집적도 공정을 가능하게 하기 위하여 버즈 빅을 최대한 억제할 수 있는 케미컬 패드 산화막을 사용하였고, 이에 따라 발생되는 스트레스에 의한 활성 영역의 결정 결함 발생을 효과적으로 치유하기 위하여 희생 산화막 형성 공정에서 고온의 어닐 공정을 추가하므로써 GOI 특성 및 접합 누설 특성을 현저하게 향상시킬 수 있다. 기존의 고집적도 소자를 위한 로코스 방식이 기판의 결정 결함에 의하여 GOI 치유가 떨어지고, 접합 누설이 증가하여 리프레쉬 시간이 감소하는 등의 문제점이 대두되고 있으나 희생 산화막의 공정을 개선하므로써 소자 특성을 향상시킬 뿐만 아니라 부수적 공정의 추가 없이 생산성면에서도 많은 향상을 가져올 수 있다.As described above, in the present invention, a chemical pad oxide film capable of suppressing buzz big as much as possible in order to enable a high integration process of 256M DRAM or more while using a conventional LOCOS method for forming a field oxide film of a semiconductor device is used. In order to effectively heal the crystal defects generated in the active region due to the stress generated accordingly, the GOI characteristics and the junction leakage characteristics can be remarkably improved by adding a high temperature annealing process in the sacrificial oxide film forming process. Conventional LOCOS methods for high-integration devices suffer from problems such as poor GOI healing due to crystal defects in the substrate and increased junction leakage, resulting in reduced refresh time, but improved device characteristics by improving the process of sacrificial oxide film. Not only that, but also the productivity can be improved without additional process.

Claims (7)

실리콘 기판 상부의 선택된 영역에 필드 산화막을 형성하는 단계와, 전체 구조에 산화 공정 및 어닐 공정을 실시하여 상기 실리콘 기판 상부에 희생 산화막을 형성하여 결정 결함을 치유한 후 상기 희생 산화막을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법.Forming a sacrificial oxide film on the silicon substrate by forming a field oxide film in a selected region on the silicon substrate, and performing an oxidation process and annealing on the entire structure to heal crystal defects and then remove the sacrificial oxide film. A method of forming a field oxide film of a semiconductor device, characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, 상기 희생 산화막은 800℃ 정도의 온도와 질소 및 산소 분위기의 반응로에 웨이퍼를 로딩시키는 단계와, 상기 반응로의 온도를 1000 내지 1150℃의 온도로 상승시켜 10 내지 60분간 어닐 공정을 실시하는 단계와, 상기 반응로의 온도를 800℃정도로 하강시켜 산소와 수소의 분위기에서 습식 산화 공정을 실시하는 단계로 이루어진 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법.The method of claim 1, wherein the sacrificial oxide film is a step of loading a wafer in a reaction furnace of a temperature of about 800 ℃ and nitrogen and oxygen atmosphere, raising the temperature of the reactor to a temperature of 1000 to 1150 ℃ 10 to 60 minutes And a step of performing an annealing process and performing a wet oxidation process in an atmosphere of oxygen and hydrogen by lowering the temperature of the reactor to about 800 ° C. . 제 2 항에 있어서, 상기 습식 산화시의 반응로 분위기는 산소 및 수소의 양이 각각 6 내지 7SLM, 9 내지 11SLM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법.The method of forming a field oxide film of a semiconductor device according to claim 2, wherein the amount of oxygen and hydrogen is 6 to 7 SLM and 9 to 11 SLM, respectively. 제 1 항에 있어서, 상기 희생 산화막은 800℃ 정도의 온도와 질소 및 산소 분위기의 반응로에 웨이퍼를 로딩시키는 단계와, 상기 반응로에서 산소와 수소 양을 변환하여 습식 산화 공정을 실시하는 단계와, 상기 반응로의 온도를 1000 내지 1150℃의 온도로 상승시켜 10 내지 60분간 어닐 공정을 실시하는 단계로 이루어진 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법.The method of claim 1, wherein the sacrificial oxide film is a step of loading a wafer into a reactor of a temperature of about 800 ℃ and nitrogen and oxygen atmosphere, and performing a wet oxidation process by converting the amount of oxygen and hydrogen in the reactor; And increasing the temperature of the reactor to a temperature of 1000 to 1150 ° C. and performing an annealing process for 10 to 60 minutes. 제 4 항에 있어서, 상기 습식 산화시의 반응로 분위기는 산소 및 수소의 양이 각각 6 내지 7SLM, 9 내지 11SLM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법.The method of forming a field oxide film of a semiconductor device according to claim 4, wherein the reaction furnace atmosphere during the wet oxidation is 6 to 7 SLM and 9 to 11 SLM, respectively. 제 1 항에 있어서, 상기 희생 산화막은 150 내지 300Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법.The method of claim 1, wherein the sacrificial oxide film is formed to a thickness of 150 to 300 GPa. 제 1 항에 있어서, 상기 희생 산화막은 희석한 HF 용액을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법.The method of forming a field oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the sacrificial oxide film is removed using a diluted HF solution.