KR19980069197A - Thin film type optical path control device with large driving angle - Google Patents

Abstract

2개의 액츄에이팅부를 가지는 박막형 광로 조절 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 트랜지스터가 내장되고, 양측 상부에 패드가 형성된 액티브 매트릭스, 상기 액티브 매트릭스의 일측 상부에 형성된 제1 하부 전극, 상기 제1 하부 전극의 상부에 형성된 제1 변형층, 상기 제1 변형층의 상부에 형성된 제1 상부 전극 및 상기 제1 상부 전극의 상단에 형성된 제1 지지부를 갖는 제1 액츄에이팅부, 상기 액티브 매트릭스의 타측 상부에 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 형성된 제2 하부 전극, 상기 제2 하부 전극의 상부에 형성된 제2 변형층, 상기 제2 변형층의 상부에 형성된 제2 상부 전극 및 상기 제2 상부 전극의 상단에 형성된 제2 지지부를 갖는 제2 액츄에이팅부, 그리고 거울을 포함한다. 상기 장치는 제1 액츄에이팅부 및 제2 액츄에이팅부가 대칭적으로 형성되어 있으므로 제1 액츄에이팅부 및 제2 액츄에이팅부의 초기 기울어짐에 관계없이 거울을 항상 수평하게 유지할 수 있다. 또한 액츄에이팅부들이 서로 반대 방향으로 구동하므로 2배의 구동 각도로 거울을 구동시켜 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트를 향상시켜 밝고 선명한 화상을 맺을 수 있다.A thin film type optical path adjusting device having two actuating parts is disclosed. The device includes an active matrix having a transistor embedded therein, pads formed on both sides thereof, a first lower electrode formed on one side of the active matrix, a first strained layer formed on the first lower electrode, and a first strained layer. A first actuator having a first upper electrode formed at an upper portion and a first support portion formed at an upper end of the first upper electrode, a second lower electrode formed parallel to the active matrix on the other side of the active matrix, and the second And a second actuator having a second deformed layer formed on the lower electrode, a second upper electrode formed on the second deformed layer, and a second support formed on the upper part of the second upper electrode, and a mirror. . The device is symmetrically formed with the first and second actuating parts so that the mirror is always horizontal, regardless of the initial tilting of the first and second actuating parts. In addition, since the actuators are driven in opposite directions, the mirror can be driven at twice the driving angle to increase the light efficiency, and the contrast can be enhanced to form a bright and clear image.

Description

큰 구동 각도를 가지는 박막형 광로 조절 장치Thin-film optical path control device with large driving angle

본 발명은 AMA(Actuated Mirror Arrays)를 이용한 박막형 광로 조절 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 좁은 면적을 가지면서도 거울의 구동 각도를 크게 할 수 있으며, 액츄에이터의 초기 기울어짐에 관계없이 항상 거울을 수평하게 유지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin-film optical path control apparatus using Actuated Mirror Arrays (AMA), and more particularly, it is possible to increase the driving angle of the mirror while having a small area, and to always mirror the mirror regardless of the initial tilt of the actuator. It relates to a thin film type optical path control device that can be maintained.

광속을 조정할 수 있는 광로 조절 장치 또는 광 변조기는 광통신, 화상 처리, 그리고 정보 디스플레이 장치 등에 다양하게 응용될 수 있다. 일반적으로 그러한 장치는 광학적 특성에 따라 크게 두 종류로 분류된다. 그 한 종류는 직시형 화상 표시 장치로서 CRT(Cathode Ray Tube) 등이 이에 해당하며, 다른 한 종류는 투사형 화상 표시 장치로서 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display：LCD), AMA 또는 DMD(Deformable Mirror Device) 등이 이에 해당한다. 상기 CRT 장치는 화질은 우수하나 화면의 대형화에 따라 장치의 중량과 용적이 증가하고 제조 비용이 상승하게 되는 문제점이 있다. 이에 비하여, 액정 표시 장치(LCD)는 광학적 구조가 간단하여 얇게 형성함으로서 장치의 중량을 가볍게 할 수 있으며 용적을 줄일 수 있는 이점이 있다. 그러나 액정 표시 장치는 광의 편광으로 인하여 1∼2％의 광효율을 가질 정도로 효율이 떨어지고 액정 물질의 응답 속도가 느리며, 그 내부가 과열되기 쉬운 단점이 있다. 따라서, 상기의 문제점을 해결하기 위하여 AMA, 또는 DMD 등의 화상 표시 장치가 개발되었다. 현재, DMD 장치가 5％ 정도의 광효율을 가지는 것에 비하여 AMA는 10％ 이상의 광효율을 가진다.An optical path adjusting device or an optical modulator capable of adjusting the light flux may be variously applied to optical communication, image processing, and information display apparatus. In general, such devices are classified into two types according to their optical properties. One type is a direct view type image display device, such as a CRT (Cathode Ray Tube), and the other type is a projection type image display device, a liquid crystal display (LCD), an AMA, or a deformable mirror device (DMD). And the like. Although the CRT device has excellent image quality, there is a problem that the weight and volume of the device increase and the manufacturing cost increases as the screen is enlarged. On the other hand, the liquid crystal display (LCD) has an advantage in that the optical structure is simple to form a thin layer so that the weight of the device can be reduced and the volume can be reduced. However, the liquid crystal display device is inferior in efficiency to have a light efficiency of 1 to 2% due to the polarized light, the response speed of the liquid crystal material is slow, the inside thereof is easy to overheat. Therefore, an image display device such as AMA or DMD has been developed to solve the above problem. Currently, AMA has a light efficiency of 10% or more, compared to a DMD device having a light efficiency of about 5%.

상기 AMA는 그 내부에 설치된 각각의 거울들이 광원으로부터 입사되는 빛을 소정의 각도로 반사하며, 상기 반사된 빛은 슬릿(slit)을 통과하여 스크린에 투영되어 화상을 맺도록 광속을 조절할 수 있는 장치이다. 따라서 그 구조와 동작 원리가 간단하며, 액정 표시 장치나 DMD 등에 비해 높은 광효율을 얻을 수 있다. 또한 콘트라스트(contrast)가 향상되어 밝고 선명한 화상을 얻을 수 있다. AMA에 내장된 거울들은 각기 슬릿에 대응하여 배열되어 발생하는 전계에 의하여 경사지게 된다. 따라서 광원으로부터 입사되는 광속을 소정의 각도로 조절하여, 스크린에 화상을 맺을 수 있도록 한다. 일반적으로 각각의 액츄에이터(actuator)는 인가되는 전기적인 화상 신호 및 바이어스 전압에 의하여 발생되는 전계에 따라 변형을 일으킨다.The AMA is a device that can adjust the luminous flux so that each of the mirrors installed therein reflects the light incident from the light source at a predetermined angle, and the reflected light passes through a slit and is projected onto the screen to form an image. to be. Therefore, the structure and operation principle thereof are simple, and high light efficiency can be obtained compared to a liquid crystal display device or a DMD. In addition, the contrast is improved to obtain a bright and clear image. The mirrors built into the AMA are inclined by the electric field generated in correspondence with the slits. Therefore, the luminous flux incident from the light source is adjusted at a predetermined angle to form an image on the screen. In general, each actuator causes deformation in accordance with the electric field generated by the applied electric image signal and the bias voltage.

상기 액츄에이터가 변형을 일으킬 때, 상기 액츄에이터의 상부에 장착된 각각의 거울들이 경사지게 된다. 따라서 상기 경사진 거울들은 광원으로부터 입사된 빛을 소정의 각도로 반사시킬 수 있게 된다. 상기 각각의 거울들을 구동하는 액츄에이터로서 PZT(Pb(Zr, Ti)O₃), 또는 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti)O₃) 등의 압전 물질이 이용된다. 또한 PMN(Pb(Mg, Nb)O₃) 등의 전왜 물질로서 상기 액츄에이터를 구성할 수 있다.When the actuator causes deformation, each of the mirrors mounted on top of the actuator is inclined. Accordingly, the inclined mirrors can reflect light incident from the light source at a predetermined angle. Piezoelectric materials such as PZT (Pb (Zr, Ti) O ₃ ), or PLZT ((Pb, La) (Zr, Ti) O ₃ ) are used as actuators for driving the respective mirrors. In addition, the actuator can be configured as a warping material such as PMN (Pb (Mg, Nb) O ₃ ).

이러한 AMA를 이용한 광로 조절 장치는 크게 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다. 상기 벌크형 장치는, 예를 들면 미합중국 특허 제5,085,497호(issued to Gregory Um, et al.), 제5,159,225호(issued to Gregory Um, et al.), 제175,465호(issued to Gregory Um, et al.) 등에 개시되어 있다. 벌크형 장치는 다층 세라믹을 얇게 절단하여 내부에 금속 전극이 형성된 세라믹 웨이퍼(ceramic wafer)를 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(active matrix)에 장착한 후 쏘잉(sawing) 방법으로 가공하고 상부에 거울을 설치하여 이루어진다. 그러나 벌크형 장치는 액츄에이터들을 쏘잉 방법에 의하여 분리하여야 하므로 설계 및 제조에 있어서 높은 정밀도가 요구되며, 변형부의 응답 속도가 느린 단점이 있다. 따라서 반도체 제조 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형 장치가 개발되었다.The optical path control device using AMA is largely classified into a bulk type and a thin film type. Such bulk devices are described, for example, in US Pat. Nos. 5,085,497 (issued to Gregory Um, et al.), 5,159,225 (issued to Gregory Um, et al.), And 175,465 (issued to Gregory Um, et al. And the like. The bulk device cuts a thin layer of multilayer ceramic, mounts a ceramic wafer on which a metal electrode is formed, and mounts it on an active matrix in which a transistor is built, and then processes it by sawing and installs a mirror on the top. Is done. However, bulk devices require high precision in design and manufacture because the actuators must be separated by a sawing method, and the response speed of the deformation part is slow. Therefore, a thin film type device which can be manufactured using a semiconductor manufacturing process has been developed.

이러한 박막형 광로 조절 장치는 본 출원인이 1996년 12월 11일에 특허 출원한 특허 출원 제96-64445호(발명의 명칭：광효율을 향상시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법)에 개시되어 있다.Such a thin film type optical path control device is disclosed in Patent Application No. 96-64445 (name of the invention: a manufacturing method of a thin film type optical path control device which can improve light efficiency) which the applicant applied for a patent on December 11, 1996.

도 1은 상기 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 평면도를 도시한 것이며, 도 2는 도 1에 도시한 장치를 A­A′선으로 자른 단면도를 도시한 것이다.FIG. 1 shows a plan view of the thin film type optical path adjusting device described in the above prior application, and FIG. 2 shows a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the device shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(31)와 액티브 매트릭스(31)의 상부에 형성된 액츄에이터(49)를 포함한다. 상기 액티브 매트릭스(31)는 액티브 매트릭스(31)의 일측 표면에 형성된 드레인(drain)(33), 액티브 매트릭스(31) 및 드레인(33)의 상부에 적층된 보호층(35), 그리고 보호층(35)의 상부에 적층된 식각 방지층(etch stop layer)(37)을 포함한다.1 and 2, the thin film type optical path control apparatus includes an active matrix 31 and an actuator 49 formed on the active matrix 31. The active matrix 31 includes a drain 33 formed on one surface of the active matrix 31, a protective layer 35 stacked on the active matrix 31 and the drain 33, and a protective layer ( 35 includes an etch stop layer 37 stacked on top of it.

상기 액츄에이터는(49) 상기 식각 방지층(37) 중 하부에 드레인(33)이 형성된 부분에 그 일측이 접촉되며 타측이 제1 에어 갭(55)을 개재하여 식각 방지층(37)과 평행하도록 적층된 멤브레인(41), 멤브레인(41)의 상부에 적층된 하부 전극(43), 하부 전극(43)의 상부에 적층된 변형층(active layer)(45), 변형층(45)의 일측 상부에 적층된 상부 전극(47), 변형층(45)의 타측으로부터 변형층(45), 하부 전극(43), 멤브레인(41), 식각 방지층(37) 및 보호층(35)을 통하여 상기 드레인(33)까지 수직하게 형성된 비어 홀(via hole)(51), 비어 홀(51)의 내부에 형성된 비어 컨택(via contact)(53), 그리고 상기 상부 전극(47)의 상부에 중앙부가 접촉되며 양측부가 제2 에어 갭(61)을 개재하여 상부 전극(47)과 평행하도록 형성된 거울(59)을 포함한다.The actuator 49 is stacked such that one side of the actuator is in contact with a portion of the etch stop layer 37 in which a drain 33 is formed at the bottom thereof, and the other side thereof is parallel to the etch stop layer 37 via the first air gap 55. The membrane 41, the lower electrode 43 stacked on the membrane 41, the active layer 45 stacked on the lower electrode 43, and the upper layer on one side of the strained layer 45. The drain 33 through the strained layer 45, the lower electrode 43, the membrane 41, the etch stop layer 37, and the protective layer 35 from the other side of the upper electrode 47 and the strained layer 45. The via hole 51 formed vertically to the via contact 51, the via contact 53 formed inside the via hole 51, and the center portion are in contact with the upper portion of the upper electrode 47, and both sides thereof are formed. It includes a mirror 59 formed to be parallel to the upper electrode 47 via the air gap 61.

또한, 상기 멤브레인(41)의 일측은 그 중앙부에 사각형 형상의 오목한 부분을 가지며, 이러한 오목한 부분이 양쪽 가장자리로 갈수록 계단형으로 넓어지는 형상으로 형성된다. 상기 멤브레인(41)의 타측은 상기 오목한 부분에 대응하여 중앙부로 갈수록 계단형으로 좁아지는 사각형 형상의 돌출부를 가진다. 그러므로, 상기 멤브레인(41)의 오목한 부분에 인접한 액츄에이터의 멤브레인의 오목한 부분이 끼워지고, 상기 사각형 형상의 돌출부가 인접한 멤브레인의 오목한 부분에 끼워지게 된다.In addition, one side of the membrane 41 has a rectangular concave portion at the center thereof, and the concave portion is formed in a shape that is widened stepwise toward both edges. The other side of the membrane 41 has a rectangular protrusion that narrows stepwise toward the central portion corresponding to the concave portion. Therefore, the recessed portion of the membrane of the actuator adjacent to the recessed portion of the membrane 41 is fitted, and the rectangular projection is fitted to the recessed portion of the adjacent membrane.

이하 상기 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method of the thin film type optical path control device will be described with reference to the drawings.

도 3a 내지 도 3g는 도 2에 도시한 장치의 제조 공정도를 도시한 것이다. 도 3a를 참조하면, M×N개의 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되어 있고, 일측 상부에 드레인(33)이 형성되어 있는 액티브 매트릭스(31)의 상부에 보호층(35)을 적층한다. 상기 액티브 매트릭스(31)는 실리콘 등의 반도체로 이루어지거나 또는 유리나 알루미나(Al₂O₃) 등의 절연 물질로 구성된다. 상기 보호층(35)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 1．0∼2．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 보호층(35)은 후속하는 공정 동안 액티브 매트릭스(31)에 내장된 트랜지스터가 손상을 입게 되는 것을 방지한다.3A to 3G show a manufacturing process diagram of the apparatus shown in FIG. Referring to FIG. 3A, a protective layer 35 is stacked on an active matrix 31 having M × N MOS transistors (not shown) and having a drain 33 formed on one side thereof. The active matrix 31 is made of a semiconductor such as silicon or an insulating material such as glass or alumina (Al ₂ O ₃ ). The protective layer 35 is formed of phosphorous silicate (PSG) to have a thickness of about 1.0 to about 2.0 μm using a chemical vapor deposition (CVD) method. The protective layer 35 prevents the transistor embedded in the active matrix 31 from being damaged during subsequent processing.

상기 보호층(35)의 상부에는 식각 방지층(37)이 적층된다. 식각 방지층(37)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(Low Pressure CVD：LPCVD) 방법을 이용하여 1000∼2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 식각 방지층(37)은 광원으로부터 입사된 광속에 의한 광전류를 차단하며 동시에 상기 액티브 매트릭스(31) 및 보호층(35)이 후속되는 식각 공정으로 인하여 식각되는 것을 방지한다.An etch stop layer 37 is stacked on the passivation layer 35. The etch stop layer 37 is formed to have a thickness of about 1000 to 2000 kPa using a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method. The etch stop layer 37 blocks photocurrent due to the luminous flux incident from the light source and simultaneously prevents the active matrix 31 and the protective layer 35 from being etched due to the subsequent etching process.

상기 식각 방지층(37)의 상부에는 희생층(39)이 적층된다. 희생층(39)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure CVD：APCVD) 방법으로 1．0∼2．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이어서, 상기 희생층(39) 중 아래에 드레인(33)이 형성되어 있는 부분을 식각하여 상기 식각 방지층(37)의 일부를 노출시킨다.The sacrificial layer 39 is stacked on the etch stop layer 37. The sacrificial layer 39 is formed of phosphorous silicate (PSG) to have a thickness of about 1.0 to about 2.0 μm by an atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) method. Subsequently, a portion of the sacrificial layer 39 in which the drain 33 is formed is etched to expose a portion of the etch stop layer 37.

도 3b를 참조하면, 상기 노출된 식각 방지층(37)의 상부 및 희생층(39)의 상부에 멤브레인(41)을 적층한다. 멤브레인(41)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이어서, 백금(Pt), 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등으로 구성된 하부 전극(43)을 상기 멤브레인(41)의 상부에 적층한다. 상기 하부 전극(43)은 스퍼터링 방법을 이용하여 500∼2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 외부로부터 인가된 화상 전류 신호는 액티브 매트릭스(31)에 내장된 트랜지스터 및 드레인(33)을 통하여 신호 전극인 하부 전극(43)에 인가된다.Referring to FIG. 3B, the membrane 41 is stacked on the exposed etch stop layer 37 and on the sacrificial layer 39. The membrane 41 is formed so as to have a thickness of about 0.1 to 1.0 탆 using a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method. Subsequently, a lower electrode 43 made of platinum (Pt), platinum-tantalum (Pt-Ta), or the like is stacked on the membrane 41. The lower electrode 43 is formed to have a thickness of about 500 to 2000 micrometers by using a sputtering method. The image current signal applied from the outside is applied to the lower electrode 43 which is a signal electrode through the transistor 33 and the drain 33 built in the active matrix 31.

상기 하부 전극(43)의 상부에는 변형층(45)이 적층된다. 변형층(45)은 PZT, 또는 PLZT 등의 압전 물질을 졸-겔(Sol-Gel)법, 또는 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛, 바람직하게는 0．4㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이어서, 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing：RTA) 방법을 이용하여 변형층(45)을 상변이시킨다.The strained layer 45 is stacked on the lower electrode 43. The strained layer 45 is formed into a piezoelectric material such as PZT or PLZT by using a Sol-Gel method or a chemical vapor deposition (CVD) method in the range of 0.1 to 1.0 µm, preferably 0. It is formed to have a thickness of about 4㎛. Next, the strained layer 45 is phase-shifted using the Rapid Thermal Annealing (RTA) method.

상부 전극(47)은 상기 변형층(45)의 일측 상부에 적층된다. 상부 전극(47)은 알루미늄, 또는 백금 등을 스퍼터링 방법을 이용하여 500∼1000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 상부 전극(47)은 공통 전극으로서 바이어스 전류 신호가 인가된다. 따라서, 상기 하부 전극(43)에 화상 전류 신호가 인가되고 상부 전극(47)에 바이어스 전류 신호가 인가되면, 상부 전극(47)과 하부 전극(43) 사이에 전기장이 발생한다. 이 전기장에 의하여 상기 변형층(45)이 변형을 일으키게 된다. 이어서, 상기 상부 전극(47), 변형층(45), 하부 전극(43), 그리고 멤브레인(41)을 순차적으로 일부만 패터닝(patterning)한다.The upper electrode 47 is stacked on one side of the strained layer 45. The upper electrode 47 is formed to have a thickness of about 500 to 1000 mW using aluminum or platinum or the like by the sputtering method. The upper electrode 47 is applied with a bias current signal as a common electrode. Therefore, when an image current signal is applied to the lower electrode 43 and a bias current signal is applied to the upper electrode 47, an electric field is generated between the upper electrode 47 and the lower electrode 43. This deformation causes the deformation layer 45 to deform. Subsequently, only a portion of the upper electrode 47, the strained layer 45, the lower electrode 43, and the membrane 41 are sequentially patterned.

도 3c를 참조하면, 상기 변형층(45)의 타측으로부터 변형층(45), 하부 전극(43), 멤브레인(41), 식각 방지층(37), 그리고 보호층(35)을 차례로 식각하여 비어 홀(via hole)(51)을 형성한다. 따라서, 상기 비어 홀(51)은 상기 변형층(45)의 타측으로부터 상기 드레인(33)까지 수직하게 형성된다. 이어서, 텅스텐(W), 또는 티타늄(Ti) 등의 전기 전도성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 비어 컨택(53)을 형성한다. 비어 컨택(53)은 상기 드레인(33) 및 하부 전극(43)과 전기적으로 연결된다. 그러므로, 외부로부터 인가된 화상 전류 신호는 액티브 매트릭스(31)에 내장된 트랜지스터로, 드레인(33) 및 비어 컨택(53)을 통하여 하부 전극(43)에 인가된다.Referring to FIG. 3C, via holes are sequentially etched from the other side of the strained layer 45 by etching the strained layer 45, the lower electrode 43, the membrane 41, the etch stop layer 37, and the protective layer 35. (via hole) 51 is formed. Therefore, the via hole 51 is vertically formed from the other side of the strained layer 45 to the drain 33. Subsequently, a via contact 53 is formed of a metal having excellent electrical conductivity such as tungsten (W) or titanium (Ti) using a sputtering method. The via contact 53 is electrically connected to the drain 33 and the lower electrode 43. Therefore, the image current signal applied from the outside is a transistor built in the active matrix 31 and is applied to the lower electrode 43 through the drain 33 and the via contact 53.

도 3d를 참조하면, 상술한 바와 같이 상기 상부 전극(47), 변형층(45), 하부 전극(43), 그리고 멤브레인(41)을 순차적으로 일부만 패터닝하여 박막형 AMA 소자를 완성한 후, 희생층(39)을 플루오르화 수소(HF) 증기를 이용하여 제거한다. 이 때, 멤브레인(41)은 각각의 액츄에이터별로 분리되지 않고 서로 연결된 상태로 있게 된다. 이어서, 남아 있는 식각 용액을 제거하기 위하여 헹굼 및 건조(rinse and dry) 처리를 수행한다.Referring to FIG. 3D, as described above, the upper electrode 47, the deforming layer 45, the lower electrode 43, and the membrane 41 are sequentially patterned to partially form a thin film AMA device, and then a sacrificial layer ( 39) is removed using hydrogen fluoride (HF) vapor. At this time, the membrane 41 is connected to each other without being separated for each actuator. Then, a rinse and dry treatment is performed to remove the remaining etching solution.

도 3e를 참조하면, 상기 희생층(39)이 제거된 부분에 1차 포토 레지스트(photo resist)(40)를 스핀 코팅 방법으로 도포하여 상기 희생층(39)이 제거된 부분을 채우도록(fill-in) 한다. 1차 포토 레지스트(40)를 스핀 코팅 방법으로 도포할 경우 상기와 같이 희생층(39)이 제거된 부분을 빈 공간 없이 채울 수 있다.Referring to FIG. 3E, a first photo resist 40 is applied to a portion where the sacrificial layer 39 is removed by spin coating to fill the portion where the sacrificial layer 39 is removed. -in) When the primary photoresist 40 is applied by spin coating, the portion where the sacrificial layer 39 is removed may be filled without empty space as described above.

도 3f를 참조하면, 상기와 같이 1차 포토 레지스트(40)를 채운 후, 멤브레인(41)을 각각의 액츄에이터별로 분리되도록 패터닝한다. 이어서, 그 상부에 2차 포토 레지스트(57)를 스핀 코팅 방법으로 도포한다. 상기 2차 포토 레지스트(57)는 상기 상부 전극(47)의 상부에 소정 두께로 적층된다.Referring to FIG. 3F, after filling the primary photoresist 40 as described above, the membrane 41 is patterned to be separated by each actuator. Subsequently, a secondary photoresist 57 is applied on the top by spin coating. The secondary photoresist 57 is stacked on the upper electrode 47 at a predetermined thickness.

도 3g를 참조하면, 상기 2차 포토 레지스트(57) 중 일부를 식각하여 상기 상부 전극(47)의 일측에 거울(59)이 형성될 지지부를 만든다. 계속하여, 상기 지지부가 형성된 2차 포토 레지스트(57)의 상부에 알루미늄, 또는 은 등을 스퍼터링한 후, 패터닝하여 거울(59)을 형성한다. 상기 거울(59)은 지지부가 상기 상부 전극(47)의 일측 상부에 접하는 평판의 형상이며, 양측이 제2 에어 갭(61)을 개재하여 상기 상부 전극(47)과 평행하게 형성된다. 상기 거울(59)은 일측이 상기 상부 전극(47)을 덮고, 타측이 인접한 액츄에이터를 덮도록 형성된다. 이어서, 산소 플라즈마(O₂plasma) 방법으로 상기 1차 포토 레지스트(40) 및 2차 포토 레지스트(57)를 제거한 후, 상기 상부 전극(47), 변형층(45), 하부 전극(43), 그리고 멤브레인(41)을 순차적으로 완전히 패터닝하여 소정의 픽셀(pixel) 형상을 갖도록 한다. 상기 1차 포토 레지스트(40)가 제거되면 제1 에어 갭(55)이 형성되고, 2차 포토 레지스트(57)가 제거되면 제2 에어 갭(61)이 형성된다. 상기 결과물을 세정 및 건조하여 AMA 소자를 완성한다.Referring to FIG. 3G, a portion of the secondary photoresist 57 is etched to form a support portion on which a mirror 59 is to be formed on one side of the upper electrode 47. Subsequently, aluminum, silver, or the like is sputtered on the upper portion of the secondary photoresist 57 on which the support portion is formed, and then patterned to form a mirror 59. The mirror 59 has a shape of a flat plate in which a support part is in contact with an upper portion of one side of the upper electrode 47, and both sides thereof are formed in parallel with the upper electrode 47 via a second air gap 61. The mirror 59 is formed such that one side covers the upper electrode 47 and the other side covers an adjacent actuator. Subsequently, after removing the first photoresist 40 and the second photoresist 57 by an oxygen plasma (O ₂ plasma) method, the upper electrode 47, the strained layer 45, the lower electrode 43, The membrane 41 is sequentially completely patterned to have a predetermined pixel shape. When the primary photoresist 40 is removed, a first air gap 55 is formed, and when the secondary photoresist 57 is removed, a second air gap 61 is formed. The resulting product is washed and dried to complete the AMA device.

상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 외부로부터 인가된 화상 전류 신호는 액티브 매트릭스(31)에 내장된 트랜지스터, 드레인(33) 및 비어 컨택(53)을 통해 신호 전극인 상기 하부 전극(43)에 인가된다. 동시에, 공통 전극인 상기 상부 전극(47)에는 바이어스 전류 신호가 인가되어 상기 상부 전극(47)과 하부 전극(43) 사이에 전기장이 발생하게 된다. 이 전기장에 의하여 상부 전극(47)과 하부 전극(43) 사이의 변형층(45)이 변형을 일으킨다. 상기 변형층(45)은 전기장과 수직한 방향으로 수축하게 되며, 이에 따라 상기 액츄에이터(49)가 멤브레인(41)이 형성되어 있는 방향의 반대 방향으로 휘게 된다. 액츄에이터(49)의 상부 전극(47) 상에 장착된 거울(59)은 휘어진 상부 전극(47)에 의해 경사지게 되어 광원으로부터 입사되는 광속을 반사한다. 상기 거울(59)에 의하여 반사된 광속은 슬릿을 통하여 스크린에 투영됨으로써 화상을 맺게 한다.In the above-described thin film type optical path control device according to the present invention, the image current signal applied from the outside is the lower electrode (the signal electrode through the transistor, the drain 33 and the via contact 53 built in the active matrix 31) 43). At the same time, a bias current signal is applied to the upper electrode 47, which is a common electrode, to generate an electric field between the upper electrode 47 and the lower electrode 43. By this electric field, the strain layer 45 between the upper electrode 47 and the lower electrode 43 causes deformation. The strained layer 45 is contracted in a direction perpendicular to the electric field, thereby causing the actuator 49 to bend in a direction opposite to the direction in which the membrane 41 is formed. The mirror 59 mounted on the upper electrode 47 of the actuator 49 is inclined by the curved upper electrode 47 to reflect the light beam incident from the light source. The light beam reflected by the mirror 59 is projected onto the screen through the slit to form an image.

그러나, 상기 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 상부 전극의 일부만을 구동하여 광속을 반사시킴으로서 그 구동 각도가 작고 광효율이 떨어지는 단점이 있었다. 또한, 변형부에 의한 액츄에이터의 변위가 작기 때문에 상부 전극의 상부에 형성된 거울의 구동 각도가 작아서 콘트라스트(contrast)가 저하되는 문제점이 있었다. 더욱이, 다층막으로 구성된 액츄에이터 내에 잔류하는 응력(stress) 때문에 상부 전극과 하부 전극 사이에 전기장이 발생하지 않은 상태에서 액츄에이터가 초기 기울어짐(initial tilting)을 가지게 됨으로써, 액츄에이터 상부의 거울이 기울어지게 되어 광원으로부터 입사되는 광속의 광효율을 저하시키는 문제점이 있었다.However, in the above-described thin film type optical path adjusting device, only a part of the upper electrode reflects the light beam, so that the driving angle is small and the light efficiency is low. In addition, since the displacement of the actuator by the deformable portion is small, the driving angle of the mirror formed on the upper electrode is small, resulting in a problem of low contrast. Moreover, the actuator has initial tilting in a state in which no electric field is generated between the upper electrode and the lower electrode due to the stress remaining in the actuator composed of the multilayered film, thereby causing the mirror on the actuator to be tilted. There was a problem of lowering the light efficiency of the light beam incident from the light beam.

따라서 본 발명의 목적은 좁은 면적 내에서 액츄에이터의 변위를 크게 하여 거울의 구동 각도를 증가시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치를 제공함에 있다. 또한, 액츄에이터의 초기 기울어짐이 존재하더라도 항상 거울의 수평을 유지하여 광효율을 향상시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a thin film type optical path control apparatus capable of increasing the driving angle of a mirror by increasing the displacement of the actuator within a narrow area. In addition, even if there is an initial tilt of the actuator to provide a thin film type optical path control device that can always improve the light efficiency by maintaining the mirror horizontal.

도 1은 본 출원인의 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.1 is a plan view of a thin film type optical path adjusting device described in the applicant's prior application.

도 2는 도 1에 도시한 장치를 A­A′선으로 자른 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A′A ′ of the apparatus shown in FIG. 1.

도 3a 내지 도 3g는 도 2에 도시한 장치의 제조 공정도이다.3A to 3G are manufacturing process diagrams of the apparatus shown in FIG.

도 4는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.4 is a plan view of a thin film type optical path control apparatus according to the present invention.

도 5는 도 4에 도시한 장치를 B­B′선으로 자른 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line B′B ′ of the apparatus shown in FIG. 4.

도 6은 도 4에 도시한 장치를 C­C′선으로 자른 단면도이다.6 is a cross-sectional view taken along line C′C ′ of the apparatus shown in FIG. 4.

도 7은 도 4에 도시한 장치를 D­D′선으로 자른 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view of the apparatus shown in FIG. 4 taken along line D′ D ′. FIG.

도 8a 내지 도 8c는 도 5에 도시한 장치의 제조 공정도이다.8A to 8C are manufacturing process diagrams of the apparatus shown in FIG. 5.

도 9a 내지 도 9c는 도 6에 도시한 장치의 제조 공정도이다.9A to 9C are manufacturing process diagrams of the apparatus shown in FIG. 6.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

100：액티브 매트릭스 105a, 105b：패드100: active matrix 105a, 105b: pad

110 : 보호층 115：식각 방지층110: protective layer 115: etching prevention layer

120：희생층 125：에어 갭120: victim layer 125: air gap

130：하부 멤브레인 135：제1 하부 전극130: lower membrane 135: first lower electrode

140：제1 변형층 145 : 제1 플러그140: first strained layer 145: first plug

150：제2 플러그 155：제1 상부 전극150: second plug 155: first upper electrode

160：제1 액츄에이팅부 165：제2 액츄에이팅부160: first actuating part 165: second actuating part

170：제2 하부 전극 175：제2 변형층170: second lower electrode 175: second strained layer

180：제2 상부 전극 185：상부 멤브레인180: second upper electrode 185: upper membrane

190：제1 지지부 195：제2 지지부190: 1st support part 195: 2nd support part

200 : 거울200: mirror

상기의 목적들을 달성하기 위하여 본 발명은,The present invention to achieve the above object,

M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장되고, 양측 상부에 패드가 형성된 액티브 매트릭스;An active matrix having M × N (M, N is an integer) transistors and pads formed on both sides thereof;

ⅰ) 상기 액티브 매트릭스의 일측 상부에 일측이 접촉되며 타측이 제1 에어 갭을 개재하여 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 형성된 제1 하부 전극, 상기 제1 하부 전극의 상부에 형성된 제1 변형층, 상기 제1 변형층의 상부에 형성된 제1 상부 전극, 그리고 상기 제1 상부 전극의 상단에 형성된 제1 지지부를 갖는 제1 액츄에이팅부; 그리고Iii) a first lower electrode formed on one side of the upper side of the active matrix and having the other side parallel to the active matrix via a first air gap; a first strained layer formed on the first lower electrode; A first actuator having a first upper electrode formed on an upper portion of the first deforming layer, and a first support formed on an upper end of the first upper electrode; And

ⅱ) 상기 액티브 매트릭스의 타측 상부에 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 형성된 제2 하부 전극, 상기 제2 하부 전극의 상부에 형성된 제2 변형층, 상기 제2 변형층의 상부에 형성된 제2 상부 전극, 그리고 상기 제2 상부 전극의 상단에 형성된 제2 지지부를 갖는 제2 액츄에이팅부를 포함하는 박막형 광로 조절 장치를 제공한다.Ii) a second lower electrode formed on the other side of the active matrix in parallel with the active matrix, a second strained layer formed on the second lower electrode, a second upper electrode formed on the second strained layer, and Provided is a thin film type optical path control apparatus including a second actuator having a second support formed on an upper end of the second upper electrode.

상기 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 외부로부터 인가된 화상 전류 신호는 액티브 매트릭스에 내장된 트랜지스터, 패드, 및 플러그를 통하여 제1 하부 전극에 인가되며, 제1 상부 전극에는 바이어스 전류 신호가 인가된다. 따라서 제1 상부 전극과 제1 하부 전극 사이에 전기장이 발생한다. 이 전기장에 의하여 제1 상부 전극과 제1 하부 전극 사이의 제1 변형층이 변형을 일으킨다. 제1 변형층은 발생한 전기장에 대하여 수직한 방향으로 수축하며, 이에 따라 제1 액츄에이팅부가 θ 크기의 구동 각도를 가지고 액츄에이팅한다. 제1 액츄에이팅부는 하부 멤브레인이 형성되어 있는 방향의 반대 방향으로 휘어진다. 동시에, 외부로부터 인가된 화상 전류 신호가 액티브 매트릭스 내의 MOS 트랜지스터, 패드, 및 플러그를 통하여 제2 하부 전극에 인가되고 제2 상부 전극에는 바이어스 전류 신호가 인가될 때, 제2 액츄에이팅부의 제2 변형층도 발생한 전기장에 대하여 수직한 방향으로 수축을 일으킨다. 이에 따라 제2 액츄에이팅부도 θ 크기의 구동 각도를 가지고 액츄에이팅한다. 제2 액츄에이팅부는 상부 멤브레인이 형성되어 있는 방향의 반대쪽으로 휘어진다. 제1 액츄에이팅부와 제2 액츄에이팅부는 구동 각도의 크기는 같고 구동 방향은 서로 반대가 된다. 따라서, 제1 액츄에이팅부와 제2 액츄에이팅부의 구동 각도의 합은 2θ가 된다. 광원으로부터 입사된 광속을 반사하는 거울은 제1 액츄에이팅부의 아래쪽으로부터 거울상의‘ㄷ’자 형상으로 구부러져 연장된 부분의 상단에 형성된 제1 지지부 및 상기 제2 액츄에이팅부의 위쪽으로부터‘ㄷ’자 형상으로 구부러져 연장된 부분의 상단에 형성된 제2 지지부의 상부에 형성되어 있으므로 2θ 크기의 구동 각도를 가지고 구동하게 된다.In the thin film type optical path control apparatus according to the present invention, an image current signal applied from the outside is applied to the first lower electrode through a transistor, a pad, and a plug embedded in an active matrix, and a bias current signal is applied to the first upper electrode. Is approved. Therefore, an electric field is generated between the first upper electrode and the first lower electrode. This electric field causes deformation of the first strained layer between the first upper electrode and the first lower electrode. The first strained layer contracts in a direction perpendicular to the generated electric field, whereby the first actuating portion is actuated with a driving angle of θ size. The first actuating portion is bent in a direction opposite to the direction in which the lower membrane is formed. At the same time, when the image current signal applied from the outside is applied to the second lower electrode through the MOS transistor, the pad and the plug in the active matrix and the bias current signal is applied to the second upper electrode, the second actuating portion The strained layer also contracts in a direction perpendicular to the generated electric field. Accordingly, the second actuating part is also actuated with a driving angle of θ size. The second actuating portion is bent in a direction opposite to the direction in which the upper membrane is formed. The first actuating part and the second actuating part have the same driving angle and the driving directions are opposite to each other. Therefore, the sum of the driving angles of a 1st actuator part and a 2nd actuator part becomes 2 (theta). The mirror reflecting the light beam incident from the light source is curved from the lower side of the first actuating part to the 'c' shaped upper end of the first support and the second actuating part formed at the top of the extended portion. Since it is formed in the upper portion of the second support formed on the upper end of the bent in the shape of the extension to drive with a driving angle of 2θ size.

그러므로, 상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는, 종래의 박막형 광로 조절 장치에 비해 2배의 구동 각도로 거울을 구동시킬 수 있다. 그러므로 광원으로부터 입사되는 광속의 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트를 향상시켜 밝고 선명한 화상을 맺을 수 있다. 또한 시스템의 설계에 있어서도 광원과 스크린과의 간격을 넓게 하여 시스템의 설계를 용이하게 할 수 있다. 또한, 제1 액츄에이팅부 및 제2 액츄에이팅부는 대칭 구조를 이루고 있으므로, 각각의 액츄에이팅부에 초기 기울어짐이 있더라도 이들의 상부에 형성된 거울은 항상 수평을 유지하게 되므로 액츄에이터의 광효율을 향상시킬 수 있다.Therefore, the above-described thin film type optical path adjusting device according to the present invention can drive the mirror at twice the driving angle as compared with the conventional thin film type optical path adjusting device. Therefore, the light efficiency of the light beam incident from the light source can be increased, and the contrast can be improved to form a bright and clear image. Also, in the design of the system, it is possible to facilitate the design of the system by widening the distance between the light source and the screen. In addition, since the first actuator and the second actuator have a symmetrical structure, even if there is an initial inclination in each of the actuators, the mirror formed on the upper part of the actuator is always horizontal to improve the optical efficiency of the actuator. Can be.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치를 상세하게 설명한다.Hereinafter, a thin film type optical path adjusting apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도를 도시한 것이며, 도 5는 도 4에 도시한 장치를 B­B′선으로 자른 단면도를 도시한 것이며, 도 6은 도 4에 도시한 장치를 C­C′선으로 자른 단면도를 도시한 것이며, 도 7은 도 4에 도시한 장치를 D­D′선으로 자른 단면도를 도시한 것이다. 도 5 내지 도 7에 있어서, 도 4와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.4 is a plan view of a thin film type optical path control apparatus according to the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of the apparatus shown in FIG. 4, and FIG. 6 is a CC of the apparatus shown in FIG. 4. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line DD 'and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line DD' of the apparatus shown in FIG. 5 to 7, the same reference numerals are used for the same members as in FIG.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(100)와 액티브 매트릭스(100)의 양측 상부에 형성된 제1 액츄에이팅부(160) 및 제2 액츄에이팅부(165)를 포함한다. 상기 제1 액츄에이팅부(160)와 상기 제2 액츄에이팅부(165)는 함께 동일 평면상에서 중앙부가 끊어진 거울상의 'ㄹ' 자의 형상을 갖도록 형성된다.Referring to FIG. 4, the thin film type optical path adjusting apparatus according to the present invention includes an active matrix 100 and a first actuator 160 and a second actuator 165 formed on both sides of the active matrix 100. do. The first actuating part 160 and the second actuating part 165 are formed to have the shape of a mirror-shaped 'd' with the central part thereof cut off on the same plane.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 액티브 매트릭스(100)는 액티브 매트릭스(100)의 일측 상부에 형성된 패드(105a), 상기 액티브 매트릭스(100) 및 패드(105a)의 상부에 적층된 보호층(110), 상기 보호층(110)의 상부에 적층된 식각 방지층(etch stop layer)(115), 그리고 상기 식각 방지층(115)으로부터 상기 패드(105a)까지 수직하게 형성된 제1 플러그(145)를 포함한다.As shown in FIGS. 4 and 5, the active matrix 100 includes a pad 105a formed on one side of the active matrix 100, a protection stacked on the active matrix 100 and the pad 105a. A layer 110, an etch stop layer 115 stacked on the protective layer 110, and a first plug 145 vertically formed from the etch stop layer 115 to the pad 105a. It includes.

상기 제1 액츄에이팅부(160)는 일측이 상기 식각 방지층(115) 중 제1 플러그(145)가 형성된 부분에 접촉되며 타측이 에어 갭(125)을 개재하여 상기 식각 방지층(115)과 평행하도록 적층된 제1 하부 전극(135), 상기 제1 하부 전극(135)의 하단에 형성된 하부 멤브레인(130), 상기 제1 하부 전극(135)의 상부에 적층된 제1 변형층(140), 그리고 상기 제1 변형층(140)의 상부에 적층된 제1 상부 전극(155)을 포함한다. 상기 제1 상부 전극(155)의 상부에는 거울(200)이 형성되어 있다.The first actuating part 160 has one side in contact with a portion where the first plug 145 is formed in the etch stop layer 115, and the other side thereof is parallel to the etch stop layer 115 through the air gap 125. A stacked first lower electrode 135, a lower membrane 130 formed at a lower end of the first lower electrode 135, a first strained layer 140 stacked on an upper portion of the first lower electrode 135, and The first upper electrode 155 is stacked on the first strained layer 140. The mirror 200 is formed on the first upper electrode 155.

도 4 및 도 6을 참조하면, 제2 액츄에이팅부(165)는 일측이 상기 식각 방지층(115) 중 제2 플러그(150)가 형성된 부분에 접촉되며 타측이 에어 갭(125)을 개재하여 상기 식각 방지층(115)과 평행하도록 적층된 제2 하부 전극(170), 제2 하부 전극(170)의 상부에 적층된 제2 변형층(175), 제2 변형층(175)의 상부에 적층된 제2 상부 전극(180), 그리고 제2 상부 전극(180)의 상부에 적층된 상부 멤브레인(185)을 포함한다. 상기 제2 상부 전극(180)의 상부에는 거울(200)이 형성되어 있다.4 and 6, one side of the second actuator 165 contacts a portion of the etch stop layer 115 where the second plug 150 is formed, and the other side of the second actuating unit 165 is disposed through the air gap 125. The second lower electrode 170 stacked parallel to the etch stop layer 115, the second strained layer 175 stacked on the second lower electrode 170, and the second strained layer 175 stacked on the second lower electrode 170. The second upper electrode 180 and the upper membrane 185 stacked on the second upper electrode 180 are included. The mirror 200 is formed on the second upper electrode 180.

또한, 도 4 및 도 7을 참조하면, 상기 제1 액츄에이팅부(160)의 아래쪽으로부터 거울상의‘ㄷ’자 형상으로 구부러져 연장된 부분과, 상기 제2 액츄에이팅부(165)의 위쪽으로부터‘ㄷ’자 형상으로 구부러져 연장된 부분의 상부에 각각 거울(200)의 제 1 지지부(190)와 제2 지지부(195)가 형성된다. 상기 제1 지지부(190) 및 제2 지지부(195)의 상부에 거울(200)이 형성된다.4 and 7, the portion extending from the bottom of the first actuator 160 in a mirror-shaped 'C' shape and from the top of the second actuator 165 ' The first support part 190 and the second support part 195 of the mirror 200 are formed on the upper part of the curved portion extending in the 'C' shape. The mirror 200 is formed on the first support 190 and the second support 195.

이하 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a thin film type optical path control device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 8a 내지 도 8c는 도 5에 도시한 장치의 제조 공정도를 도시한 것이며, 도 9a 내지 도 9c는 도 6에 도시한 장치의 제조 공정도를 도시한 것이다.8A to 8C show the manufacturing process diagram of the apparatus shown in FIG. 5, and FIGS. 9A to 9C show the manufacturing process diagram of the apparatus shown in FIG.

도 8a 및 도 9a를 참조하면, M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되고, 양측 상부에 패드(105a)(105b)가 형성된 액티브 매트릭스(100)의 상부에 인 실리케이트 유리(Phosphor-Silicate Glass：PSG)로 구성된 보호층(110)을 적층한다. 상기 보호층(110)은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition：CVD) 방법을 이용하여 1．0∼2．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 보호층(110)은 후속 되는 공정으로 인하여 상기 액티브 매트릭스(100)가 손상을 입게 되는 것을 방지한다.8A and 9A, M × N (M and N are integers) transistors (not shown) are embedded, and pads 105a and 105b are formed on both sides of the active matrix 100. The protective layer 110 which consists of Phosphor-Silicate Glass (PSG) is laminated | stacked. The protective layer 110 is formed to have a thickness of about 1.0 to about 2.0 μm using a chemical vapor deposition (CVD) method. The protective layer 110 prevents the active matrix 100 from being damaged due to a subsequent process.

상기 보호층(110)의 상부에는 질화물로 구성된 식각 방지층(115)이 적층된다. 식각 방지층(115)은 저압 화학 기상 증착(Low Pressure CVD：LPCVD) 방법을 이용하여 1000∼2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 식각 방지층(115)은 후속하는 식각 공정 동안 상기 보호층(110) 및 액티브 매트릭스(100) 등이 식각되어 손상을 입는 것을 방지한다. 상기 식각 방지층(115) 중 아래에 패드(105a)(105b)가 형성되어 있는 부분을 패터닝한 후, 제1 플러그(145) 및 제2 플러그(150)를 형성한다. 상기 제1 액츄에이팅부(160) 하부의 제1 플러그(145) 및 상기 제2 액츄에이팅부(165) 하부의 제2 플러그(150)는 텅스텐, 또는 백금 등을 리프트­오프 방법을 이용하여 상기 식각 방지층(115)으로부터 상기 패드(105a)(105b)까지 수직하게 형성된다. 따라서 외부로부터 인가된 화상 전류 신호는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터, 패드(105a)(105b), 제 1플러그(145) 및 제2 플러그(150)를 통하여 제1 하부 전극(135) 및 제2 하부 전극(170)에 전달된다.An etch stop layer 115 made of nitride is stacked on the passivation layer 110. The etch stop layer 115 is formed to have a thickness of about 1000 to 2000 kPa using a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method. The etch stop layer 115 may prevent the protective layer 110, the active matrix 100, etc. from being etched and damaged during the subsequent etching process. The first plug 145 and the second plug 150 are formed after patterning a portion where the pads 105a and 105b are formed below the etch stop layer 115. The first plug 145 under the first actuating part 160 and the second plug 150 under the second actuating part 165 may use tungsten, platinum, or the like to lift the etching. It is formed vertically from the prevention layer 115 to the pads 105a and 105b. Accordingly, the image current signal applied from the outside is transferred to the first lower electrode 135 and the transistor through the transistor, the pads 105a and 105b, the first plug 145 and the second plug 150 embedded in the active matrix 100. It is delivered to the second lower electrode 170.

상기 식각 방지층(115), 제1 플러그(145) 및 제2 플러그(150)의 상부에는 희생층(120)이 적층된다. 희생층(120)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure CVD：APCVD) 방법을 이용하여 1．0∼2．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이 경우, 희생층(120)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(100)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 희생층(120)의 표면을 스핀 온 글래스(Spin On Glass：SOG)를 사용하는 방법, 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방법을 이용하여 평탄화시킨다. 이어서, 희생층(120)의 일부를 식각하여 상기 식각 방지층(115) 중 아래에 제1 플러그(145) 및 제2 플러그(150)가 형성된 부분을 노출시킨다.The sacrificial layer 120 is stacked on the etch stop layer 115, the first plug 145, and the second plug 150. The sacrificial layer 120 is formed of phosphorus silicate (PSG) to have a thickness of about 1.0 to about 2.0 μm using an Atmospheric Pressure Vapor Deposition (APCVD) method. In this case, since the sacrificial layer 120 covers the upper portion of the active matrix 100 in which the transistor is embedded, the flatness of the surface thereof is very poor. Accordingly, the surface of the sacrificial layer 120 is planarized by using a spin on glass (SOG) method or a chemical mechanical polishing (CMP) method. Subsequently, a portion of the sacrificial layer 120 is etched to expose a portion in which the first plug 145 and the second plug 150 are formed below the etch stop layer 115.

도 8b 및 9b를 참조하면, 상기 희생층(120) 중 제1 플러그(145)가 형성되어 있는 부분에 인접한 상부에 질화물을 사용하여 하부 멤브레인(130)을 적층한다. 즉, 하부 멤브레인(130)은 상기 식각 방지층(115) 중 제1 플러그(145)와 함께 노출된 부분을 제외한 희생층(120)의 상부에 질화물을 저압 화학 기상 증착(Low Pressure CVD：LPCVD) 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이어서, 도 4에 도시한 바와 같이 상기 하부 멤브레인(130)을 패터닝한다. 이때, 상기 하부 멤브레인(130)은 제1 액츄에이팅부(160)의 일측에만 직사각형의 형상으로 형성되도록 패터닝한다.8B and 9B, the lower membrane 130 is stacked using nitride on an upper portion of the sacrificial layer 120 adjacent to the portion where the first plug 145 is formed. That is, the lower membrane 130 has a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method of depositing nitride on the sacrificial layer 120 except the exposed portion of the etch stop layer 115 together with the first plug 145. It is formed to have a thickness of about 0.01 to 1.0 ㎛ using. Subsequently, the lower membrane 130 is patterned as shown in FIG. 4. In this case, the lower membrane 130 is patterned to have a rectangular shape only on one side of the first actuating part 160.

이어서, 일측이 상기 제1 액츄에이팅부(160) 및 제2 액츄에이팅부(165)의 식각 방지층(115)의 노출된 부분에 접촉되고, 타측이 상기 하부 멤브레인(130)의 상부 및 상기 희생층(120)의 상부에 위치하도록 하부 전극층을 적층한다. 하부 전극층은 백금, 또는 티타늄 등을 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 500∼2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이어서, 상기 하부 전극층을 중앙부가 끊긴 거울상의 'ㄹ' 자 형상을 갖도록 패터닝하여 제1 하부 전극(135) 및 제2 하부 전극(170)을 형성한다. 따라서, 상기 제1 하부 전극(135), 제1 플러그(145) 및 패드(105a)는 서로 전기적으로 연결되며, 상기 제2 하부 전극(170), 제2 플러그(150) 및 패드(105b)도 서로 전기적으로 연결된다.Subsequently, one side is in contact with an exposed portion of the etch stop layer 115 of the first actuating part 160 and the second actuating part 165, and the other side is on top of the lower membrane 130 and the sacrificial layer. The lower electrode layer is stacked to be positioned above the 120. The lower electrode layer is formed of platinum, titanium, or the like to have a thickness of about 500 to 2000 kPa using a sputtering method. Subsequently, the lower electrode layer is patterned to have a mirror-shaped 'd' shape having a central portion thereof, thereby forming the first lower electrode 135 and the second lower electrode 170. Accordingly, the first lower electrode 135, the first plug 145, and the pad 105a are electrically connected to each other, and the second lower electrode 170, the second plug 150, and the pad 105b are also electrically connected to each other. Are electrically connected to each other.

도 8c 및 9c를 참조하면, 상기 제1 하부 전극(135) 및 제2 하부 전극(170)의 상부에는 변형층을 형성한다. 상기 변형층은 산화 아연(ZnO), 또는 PZT 등의 압전 물질을 사용하여 0．1∼1．0㎛, 바람직하게는 0．4㎛ 정도의 두께를 가지도록 적층한다. 이어서, 상기 변형층을 졸-겔(sol-gel)법, 또는 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 형성한 후, 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing：RTA) 방법을 이용하여 열처리하여 상변이시킨다. 이어서, 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 적층된 변형층을 패터닝하여 제1 변형층(140) 및 제2 변형층(175)을 형성한다. 제1 변형층(140) 및 제2 변형층(175)은 각기 제1 하부 전극(135) 및 제2 하부 전극(170)이 이루고 있는 중앙부가 끊긴 거울상의 'ㄹ' 자 형상을 따라 동일한 형상으로 제1 하부 전극(135) 및 제2 하부 전극(170)의 상부에 형성된다. 그리고, 상기 제1 변형층(140) 및 제2 변형층(175)의 상부에 상부 전극층을 형성한다. 상기 상부 전극층은 알루미늄, 또는 은 등의 전기 전도성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 500∼2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 계속하여, 도 8c 및 9c에 도시한 바와 같이, 상기 적층된 금속을 패터닝하여 제1 변형층(140) 및 제2 변형층(175)이 이루고 있는 형상과 동일하게 제1 상부 전극(155) 및 제2 상부 전극(180)을 형성한다.8C and 9C, a strained layer is formed on the first lower electrode 135 and the second lower electrode 170. The strained layer is laminated using a piezoelectric material such as zinc oxide (ZnO) or PZT so as to have a thickness of about 0.1 to 1.0 mu m, preferably about 0.4 mu m. Subsequently, the strained layer is formed using a sol-gel method or a chemical vapor deposition (CVD) method, and then thermally transformed using a rapid thermal annealing (RTA) method to phase change. Subsequently, as illustrated in FIG. 4, the stacked strained layers are patterned to form a first strained layer 140 and a second strained layer 175. The first strained layer 140 and the second strained layer 175 may have the same shape along the mirror-shaped 'd' shape of the central portion formed by the first lower electrode 135 and the second lower electrode 170, respectively. It is formed on the first lower electrode 135 and the second lower electrode 170. In addition, an upper electrode layer is formed on the first strained layer 140 and the second strained layer 175. The upper electrode layer is formed of a metal having excellent electrical conductivity, such as aluminum or silver, to have a thickness of about 500 to 2000 kPa using a sputtering method. Subsequently, as shown in FIGS. 8C and 9C, the stacked upper metals are patterned to form the first upper electrode 155 and the same as the shape of the first strained layer 140 and the second strained layer 175. The second upper electrode 180 is formed.

상기 제2 상부 전극(180) 중 아래에 제2 플러그(150)가 형성되어 있지 않은 일측 상부에 질화물을 사용하여 상부 멤브레인(185)을 적층한다. 상부 멤브레인(185)은 상기 제2 상부 전극(180)의 일측 상부에 상기 제1 액츄에이팅부(160)의 하부 멤브레인(130)과 동일한 재료인 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한 후, 패터닝하여 제2 액츄에이팅부(165)의 상부에 직사각형의 형상으로 형성되도록 한다..The upper membrane 185 is stacked using nitride on an upper portion of the second upper electrode 180 on which one side of the second plug 150 is not formed. The upper membrane 185 is formed of a nitride material having the same material as that of the lower membrane 130 of the first actuator 160 on one side of the second upper electrode 180 using low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). It is formed so as to have a thickness of about 0.1 to 1.0㎛, and then patterned to form a rectangular shape on the upper portion of the second actuating portion 165.

이어서, 도 4 및 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 제1 액츄에이팅부(160)의 아래쪽으로부터 거울상의‘ㄷ’자 형상으로 구부러져 연장된 부분의 상단에 제1 지지부(190)가 형성되고, 상기 제2 액츄에이팅부(165)의 위쪽으로부터‘ㄷ’자 형상으로 구부러져 연장된 부분의 상단에 제2 지지부(195)가 형성된다. 상기 제1 지지부(190) 및 제2 지지부(195)는 알루미늄, 또는 백금 등의 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 형성된다. 그리고, 상기 제1 지지부(190) 및 제2 지지부(195)의 상부에 거울(200)이 형성된다. 상기 거울(200)은 알루미늄, 또는 백금 등의 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 500∼1000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 거울(200)은 에어 갭(125)을 개재하여 상기 제1 상부 전극(155) 및 상기 상부 멤브레인(185)과 평행하게 형성된다. 계속해서, 상기 희생층(120)을 플루오르화 수소(HF) 증기로 식각하여 에어 갭(125)을 형성함으로서 제1 액츄에이팅부(160) 및 제2 액츄에이팅부(165)를 완성한다.Subsequently, as shown in FIGS. 4 and 7, the first support part 190 is formed at an upper end of the portion which is bent in a mirror-shaped 'C' shape from the lower side of the first actuating part 160. The second support part 195 is formed at an upper end of the second bent portion extending from the top of the second actuating part 165 in a '-' shape. The first support part 190 and the second support part 195 are formed by sputtering a metal such as aluminum or platinum. A mirror 200 is formed on the first support 190 and the second support 195. The mirror 200 is formed of a metal such as aluminum or platinum so as to have a thickness of about 500 ~ 1000Å by the sputtering method. The mirror 200 is formed in parallel with the first upper electrode 155 and the upper membrane 185 via the air gap 125. Subsequently, the sacrificial layer 120 is etched with hydrogen fluoride (HF) vapor to form an air gap 125 to complete the first actuator 160 and the second actuator 165.

상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 외부로부터 인가된 화상 전류 신호는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터, 패드(105a), 및 제1 플러그를 통하여 제1 하부 전극(135)에 인가되며, 제1 상부 전극(155)에는 바이어스 전류 신호가 인가된다. 따라서 제1 상부 전극(155)과 제1 하부 전극(135) 사이에 전기장이 발생한다. 이 전기장에 의하여 제1 상부 전극(155)과 제1 하부 전극(135) 사이의 제1 변형층(140)이 변형을 일으킨다. 제1 변형층(140)은 발생한 전기장에 대하여 수직한 방향으로 수축하며, 이에 따라 제1 액츄에이팅부(160)가 θ 크기의 구동 각도를 가지고 액츄에이팅한다. 제1 액츄에이팅부(160)는 하부 멤브레인(130)이 형성되어 있는 방향의 반대 방향, 즉 상방(upward)으로 휘어진다. 동시에, 외부로부터 인가된 화상 전류 신호는 액티브 매트릭스(100) 내의 MOS 트랜지스터, 패드(105b) 및 제2 플러그(150)를 통하여 상기 제2 하부 전극(170)에 인가되고 제2 상부 전극(180)에는 바이어스 전류 신호가 인가될 때, 제2 액츄에이팅부(165)의 제2 변형층(175)도 발생되는 전기장에 대하여 수직한 방향으로 수축을 일으킨다. 이에 따라 제2 액츄에이팅부(165)도 θ 크기의 구동 각도를 가지고 액츄에이팅한다. 제2 액츄에이팅부(165)는 상부 멤브레인(185)이 형성되어 있는 방향의 반대쪽, 즉 하방(downward)으로 액츄에이팅한다. 제1 액츄에이팅부(160)와 제2 액츄에이팅부(165)는 구동 각도의 크기는 같고 구동 방향은 서로 반대가 된다. 따라서, 제1 액츄에이팅부(160)와 제2 액츄에이팅부(165)의 구동 각도의 합은 2θ가 된다. 광원으로부터 입사된 광속을 반사하는 거울(200)은 제1 액츄에이팅부(160)의 아래쪽으로부터 거울상의‘ㄷ’자 형상으로 구부러져 연장된 부분의 상단에 형성된 제1 지지부(190) 및 상기 제2 액츄에이팅부(165)의 위쪽으로부터‘ㄷ’자 형상으로 구부러져 연장된 부분의 상단에 형성된 제2 지지부(195)의 상부에 형성되어 있으므로 2θ 크기의 구동 각도를 가지고 구동하게 된다.In the above-described thin film type optical path control apparatus according to the present invention, an image current signal applied from the outside is applied to the first lower electrode 135 through a transistor, a pad 105a, and a first plug embedded in the active matrix 100. The bias current signal is applied to the first upper electrode 155. Therefore, an electric field is generated between the first upper electrode 155 and the first lower electrode 135. By this electric field, the first strained layer 140 between the first upper electrode 155 and the first lower electrode 135 causes deformation. The first deforming layer 140 contracts in a direction perpendicular to the generated electric field, and thus the first actuating part 160 is actuated with a driving angle of θ. The first actuating part 160 is bent in a direction opposite to the direction in which the lower membrane 130 is formed, that is, upward. At the same time, an image current signal applied from the outside is applied to the second lower electrode 170 through the MOS transistor, the pad 105b and the second plug 150 in the active matrix 100 and the second upper electrode 180. When the bias current signal is applied, the second deforming layer 175 of the second actuating part 165 also contracts in a direction perpendicular to the generated electric field. Accordingly, the second actuating part 165 also actuates with a driving angle of θ. The second actuating part 165 actuates in a direction opposite to the direction in which the upper membrane 185 is formed, that is, downward. The first actuating part 160 and the second actuating part 165 have the same driving angle and the driving directions are opposite to each other. Therefore, the sum of the driving angles of the first actuator 160 and the second actuator 165 is 2θ. The mirror 200 reflecting the light beam incident from the light source may be bent in a mirror-shaped 'C' shape from the bottom of the first actuating part 160 and formed on the upper end of the extended portion. Since it is formed on the upper portion of the second support 195 formed at the top of the extended portion bent in the '-' shape from the upper portion of the actuating portion 165 to drive with a driving angle of 2θ size.

종래에는 상부 전극의 일부만을 구동하여 광속을 반사시킴으로서 그 구동 각도가 작아지고 광효율이 떨어지게 되며, 변형층에 의한 액츄에이터의 변위가 작기 때문에 상부 전극의 상부에 형성된 거울의 구동 각도가 작아서 콘트라스트가 저하될 수 있었다. 또한, 다층막으로 구성된 액츄에이터 내에 잔류하는 응력 때문에 상부 전극과 하부 전극 사이에 전기장이 발생하지 않은 상태에서 액츄에이터의 초기 기울어짐이 존재하게 됨으로서 액츄에이터 상부의 거울이 기울어지게 되어 광원으로부터 입사되는 광속의 광효율을 저하시키는 문제점이 있었다. 상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는, 종래의 박막형 광로 조절 장치에 비해 2배의 구동 각도로 거울을 구동시킬 수 있다. 그러므로 광원으로부터 입사되는 광속의 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트를 향상시켜 밝고 선명한 화상을 맺을 수 있다. 또한, 시스템의 설계에 있어서도 광원과 스크린과의 간격을 넓게 하여 시스템의 설계를 용이하게 할 수 있다. 또한, 제1 액츄에이팅부 및 제2 액츄에이팅부는 대칭 구조를 이루고 있으므로, 각각의 액츄에이팅부에 초기 기울어짐이 있더라도 이들의 상부에 형성된 거울은 항상 수평을 유지하게 되므로 액츄에이터의 광효율을 향상시킬 수 있다.Conventionally, by driving only a portion of the upper electrode to reflect the luminous flux, the driving angle is reduced and the light efficiency is decreased. Since the displacement of the actuator by the deformation layer is small, the driving angle of the mirror formed on the upper electrode is small, so that the contrast may be reduced. Could. In addition, due to the stress remaining in the actuator composed of the multi-layer film, the initial tilt of the actuator is present in the state in which no electric field is generated between the upper electrode and the lower electrode, so that the mirror of the upper part of the actuator is inclined, thereby improving the light efficiency of the light beam incident from the light source. There was a problem of deterioration. The thin film type optical path adjusting device according to the present invention described above can drive a mirror at a driving angle twice that of a conventional thin film type optical path adjusting device. Therefore, the light efficiency of the light beam incident from the light source can be increased, and the contrast can be improved to form a bright and clear image. Also, in the design of the system, the design of the system can be facilitated by increasing the distance between the light source and the screen. In addition, since the first actuator and the second actuator have a symmetrical structure, even if there is an initial inclination in each of the actuators, the mirror formed on the upper part of the actuator is always horizontal to improve the optical efficiency of the actuator. Can be.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예에 의하여 상세하게 설명 및 도시하였지만, 본 발명은 이에 의해 제한되는 것은 아니고 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적인 범위 내에서 이를 변형하는 것이나 개량하는 것이 가능하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated and demonstrated in detail by the preferable Example, this invention is not limited by this and it is possible for a person skilled in the art to modify and improve it within a normal range.

Claims (7)

M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장되고, 양측 상부에 패드(105a)(105b)가 형성된 액티브 매트릭스(100);An active matrix 100 having M × N (M, N is an integer) transistors and pads 105a and 105b formed on both sides thereof; ⅰ) 상기 액티브 매트릭스(100)의 일측 상부에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭(125)을 개재하여 상기 액티브 매트릭스(100)와 평행하도록 형성된 제1 하부 전극(135), 상기 제1 하부 전극(135)의 상부에 형성된 제1 변형층(140), 상기 제1 변형층(140)의 상부에 형성된 제1 상부 전극(155), 그리고 상기 제1 상부 전극(155)의 상단에 형성된 제1 지지부(190)를 포함하는 제1 액츄에이팅부(160); 그리고Iii) a first lower electrode 135 and the first lower electrode formed to be in contact with an upper portion of one side of the active matrix 100 and the other side of the active matrix 100 to be parallel to the active matrix 100 via an air gap 125. The first deformable layer 140 formed on the upper portion of the 135, the first upper electrode 155 formed on the first deformed layer 140, and the first support part formed on an upper end of the first upper electrode 155. A first actuating unit 160 including 190; And ⅱ) 상기 액티브 매트릭스(100)의 타측 상부에 상기 액티브 매트릭스(100)와 평행하도록 형성된 제2 하부 전극(170), 상기 제2 하부 전극(170)의 상부에 형성된 제2 변형층(175), 상기 제2 변형층(175)의 상부에 형성된 제2 상부 전극(180), 그리고 상기 제2 상부 전극(180)의 상단에 형성된 제2 지지부(195)를 갖는 제2 액츄에이팅부(165)를 포함하는 박막형 광로 조절 장치.Ii) a second lower electrode 170 formed parallel to the active matrix 100 on the other side of the active matrix 100, a second strained layer 175 formed on the second lower electrode 170, The second actuator 165 may include a second upper electrode 180 formed on the second deformable layer 175 and a second support part 195 formed on an upper end of the second upper electrode 180. Thin film type optical path control device comprising. 제1항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스(100)는 상기 액티브 매트릭스와 상기 패드(105a)(105b)의 상부에 형성된 보호층(100), 상기 보호층의 상부에 형성된 식각 방지층(115), 그리고 상기 보호층(100) 및 상기 식각 방지층(115)의 일부를 식각하여 상기 식각 방지층(115)으로부터 상기 패드(105a)(105b)까지 수직하게 형성된 제1 플러그(145) 및 제2 플러그(150)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.The method of claim 1, wherein the active matrix 100 includes a passivation layer 100 formed on the active matrix and the pads 105a and 105b, an etch stop layer 115 formed on the passivation layer, and A portion of the protective layer 100 and the etch stop layer 115 may be etched to form the first plug 145 and the second plug 150 formed vertically from the etch stop layer 115 to the pads 105a and 105b. Thin film type optical path control device further comprising. 제1항에 있어서, 상기 제1 액츄에이팅부(160) 및 상기 제2 액츄에이팅부(165)는 서로 반대 방향으로 구동하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.The apparatus of claim 1, wherein the first actuating part (160) and the second actuating part (165) are driven in opposite directions. 제3항에 있어서, 상기 제1 액츄에이팅부(160)의 제1 하부 전극(135)은, 상기 제1 하부 전극(135)의 하단에 형성된 하부 멤브레인(130)을 더 포함하며, 상기 제2 액츄에이팅부(165)의 제2 상부 전극(180)은 상기 제2 상부 전극(180)의 상부에 형성된 상부 멤브레인(185)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.The method of claim 3, wherein the first lower electrode 135 of the first actuating part 160 further includes a lower membrane 130 formed at a lower end of the first lower electrode 135, wherein the second lower electrode 135 is formed on the second lower electrode 135. The second upper electrode 180 of the actuating part 165 further comprises an upper membrane 185 formed on the second upper electrode 180. 제1항에 있어서, 상기 제1 액츄에이팅부(160)는 상기 제1 액츄에이팅부(160)의 아래쪽으로부터 거울상의 'ㄷ’자 형상으로 구부러져 연장된 부분의 상단에 제1 지지부(190)가 형성되고, 상기 제2 액츄에이팅부(165)는 상기 제2 액츄에이팅부(165)의 위쪽으로부터‘ㄷ’자 형상으로 구부러져 연장된 부분의 상단에 제2 지지부(195)가 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.According to claim 1, The first actuating portion 160 is bent in a mirror-shaped 'C' shape from the bottom of the first actuating portion 160, the first support portion 190 is the upper end of the extended portion The second actuating part 165 is bent in a 'c' shape from an upper side of the second actuating part 165, and a second support part 195 is formed at an upper end of an extended portion. Thin film type optical path control device. 제5항에 있어서, 상기 제1 액츄에이팅부(160) 및 상기 제2 액츄에이팅부(165)는 동일 평면상에서 중앙부가 끊긴 거울상의 'ㄹ’자 형상을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.The thin film type optical path control method according to claim 5, wherein the first actuating part 160 and the second actuating part 165 are formed to have a mirror-shaped 'L' shape in which the center part is cut off on the same plane. Device. 제1항에 있어서, 상기 제1 액츄에이팅부(160) 및 상기 제2 액츄에이팅부(165)는 상기 제1 액츄에이팅부(160)의 제1 지지부(190) 및 상기 제2 액츄에이팅부(165)의 제2 지지부(195)에 접하는 평판 형상의 거울(200)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.The method of claim 1, wherein the first actuating part 160 and the second actuating part 165 is a first support part 190 and the second actuating part of the first actuating part 160 ( Thin film type optical path control device, characterized in that it further comprises a flat mirror (200) in contact with the second support (195) of 165.