KR19980068051A - 화학 기계적 연마장치 - Google Patents
화학 기계적 연마장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980068051A KR19980068051A KR1019970004483A KR19970004483A KR19980068051A KR 19980068051 A KR19980068051 A KR 19980068051A KR 1019970004483 A KR1019970004483 A KR 1019970004483A KR 19970004483 A KR19970004483 A KR 19970004483A KR 19980068051 A KR19980068051 A KR 19980068051A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemical mechanical
- polishing
- mechanical polishing
- polishing pad
- semiconductor wafer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
화학기계적연마 장치를 개시한다. 본 발명은 회전할 수 있어 접촉되는 반도체 웨이퍼의 표면을 연마할 수 있는 연마 패드를 포함하는 화학기계적 연마장치에 있어서, 상기 연마 패드 상에 X축 및 Y축으로 이동할 수 있는 이동수단과 초음파를 포함한 순수를 공급할 수 있는 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기계적연마 장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 연마량을 매 반도체 웨이퍼 진행시마다 일정하게 해 줄 수 있고 연마 패드 위에 파티클을 유발시키지 않음은 물론 남아있는 오염물들을 제거시켜주어 경제적으로도 효과적이다.
Description
본 발명은 화학기계적연마(chemical mechanical polishing : CMP) 장치에 관한 것으로, 특히 연마패드의 콘디션닝을 할 수 있는 부재가 설치된 화학기계적연마 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 연마 공정은 다음과 같은 일련의 절차를 거쳐 진행된다. 우선 진공 아암에 반도체 웨이퍼가 밀착 고정된 웨이퍼 캐리어가 폴리우레탄 재질의 회전하는 연마 패드 위에서 연마된다. 이후 반도체 웨이퍼는 보조 패드 상에서 순수를 이용하여 린즈를 하게 된다.
그런데, 연마 공정은 매엽식으로 진행되기 때문에 연마해주는 양을 일정하게 하는 것이 중요하다. 이를 위해서 연마 패드를 다이아몬드가 박힌 플레이트로 매 반도체 웨이퍼가 연마된 후, 콘디션닝을 수행한다. 그러나, 상기 다이아몬드 플레이트를 이용하여 콘디션닝을 수행할 경우, 다이아몬드 파편들이 연마 패드 위에 남아 반도체 웨이퍼 표면에 스크래치를 유발시키고 반도체 소자 전기적 측면에서 악영향을 초래한다. 또한, 다이아몬드 플레이트가 열화되면 교체시켜 주어야 하기 때문에 경제적인 측면에서도 매우 불리하다.
따라서, 본 발명의 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결할 수 있는 화학기계적연마 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명에 의한 화학기계적연마 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 회전할 수 있어 접촉되는 반도체 웨이퍼의 표면을 연마할 수 있는 연마 패드를 포함하는 화학기계적 연마장치에 있어서, 상기 연마 패드 상에 X축 및 Y축으로 이동할 수 있는 이동수단과 초음파를 포함한 순수를 공급할 수 있는 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기계적연마 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 연마량을 매 반도체 웨이퍼 진행시마다 일정하게 해 줄 수 있고 연마 패드 위에 파티클을 유발시키지 않음은 물론 남아있는 오염물들을 제거시켜주어 경제적으로도 효과적이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 의한 화학기계적연마 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 화학기계적연마 장치는 몸체(1)와, 상기 몸체(1)에 부착되어 있고 회전할 수 있어 접촉되는 반도체 웨이퍼(도시 안됨)의 표면을 연마할 수 있는 연마 패드(3)와, 상기 연마 패드(3) 상에 X축 및 Y축으로 이동할 수 있는 이동수단(5a, 5b)과 초음파를 포함한 순수를 공급할 수 있는 노즐(7)이 설치되어 있다. 상기 노즐에는 초음파((sonic wave)를 발생시키는 발진자(9)가 포함되어 있다.
상기 노즐(7) 및 이동수단(5a, 5b)은 매엽식으로 진행되는 화학기계적연마 장치에서 연마량을 일정하게 유지하기 위해 연마후에 실시되는 콘디션닝 효과를 극대화하기 위해 이용된다. 특히, 상기 이동수단(5a, 5b)은 연마 패드(3) 위를 X축 및 Y축 방향으로 모두 이동하게 되므로 연마 패드(3) 위를 고루 콘디션닝하여 줄 수 있다.
본 실시예에서, 상기 노즐(7)에 순수를 공급하였으나, 몸체(1)에 부식을 일으키지 않는 화학용액을 공급할 수 도 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 화학기계적연마 장치는 종래의 다이아몬드를 이용한 콘디션닝 방법에서 발생되는 다이아몬드 파편으로 인한 반도체 웨이퍼 표면의 스크래치 및 연마 패드의 오염을 억제할 수 있다. 그리고, 연마을 하면서 연마 패드 위에 남아있는 오염물들을 초음파를 함유한 순수를 분사함으로써 제거시켜 줄 수 있다. 더욱이, 종래에 다이아몬드 플레이트를 이용한 컨디션닝의 경우보다 열화시 교체에 따른 경제적 부담이 줄어들며 연마 패드의 수명을 늘릴 수 있다.
Claims (1)
- 회전할 수 있어 접촉되는 반도체 웨이퍼의 표면을 연마할 수 있는 연마 패드를 포함하는 화학기계적 연마장치에 있어서,상기 연마 패드 상에 X축 및 Y축으로 이동할 수 있는 이동수단과 초음파를 포함한 순수를 공급할 수 있는 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기계적연마 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970004483A KR19980068051A (ko) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 화학 기계적 연마장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970004483A KR19980068051A (ko) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 화학 기계적 연마장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980068051A true KR19980068051A (ko) | 1998-10-15 |
Family
ID=65984229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970004483A KR19980068051A (ko) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 화학 기계적 연마장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980068051A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990010191A (ko) * | 1997-07-15 | 1999-02-05 | 윤종용 | 반도체장치 |
| KR100887049B1 (ko) | 2002-12-18 | 2009-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학기계적 연마 설비 및 그의 슬러리 공급 장치 |
| US7559824B2 (en) | 2005-07-28 | 2009-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing devices, pad conditioner assembly and polishing pad conditioning method thereof |
-
1997
- 1997-02-14 KR KR1019970004483A patent/KR19980068051A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990010191A (ko) * | 1997-07-15 | 1999-02-05 | 윤종용 | 반도체장치 |
| KR100887049B1 (ko) | 2002-12-18 | 2009-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학기계적 연마 설비 및 그의 슬러리 공급 장치 |
| US7559824B2 (en) | 2005-07-28 | 2009-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing devices, pad conditioner assembly and polishing pad conditioning method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0764478B1 (en) | Method of and apparatus for cleaning workpiece | |
| US5916010A (en) | CMP pad maintenance apparatus and method | |
| US5683289A (en) | CMP polishing pad conditioning apparatus | |
| KR100881701B1 (ko) | 기판세정장치 | |
| JP2001053047A (ja) | 半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法 | |
| KR102229920B1 (ko) | 화학 기계적 평탄화 후의 기판 버프 사전 세정을 위한 시스템, 방법 및 장치 | |
| JPH07111256A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH07230973A (ja) | 半導体処理装置 | |
| KR20010021348A (ko) | 반도체 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치 | |
| KR20020075582A (ko) | 기판의 연마 방법 및 연마 장치 | |
| US6813796B2 (en) | Apparatus and methods to clean copper contamination on wafer edge | |
| KR19980068051A (ko) | 화학 기계적 연마장치 | |
| US6878045B2 (en) | Ultrasonic conditioning device cleaner for chemical mechanical polishing systems | |
| US20070232201A1 (en) | Apparatus and method for polishing semiconductor wafer | |
| JP2009039853A (ja) | 研磨装置 | |
| KR20220094150A (ko) | 기판 세정 장치 및 기판의 세정 방법 | |
| EP0750968B1 (en) | Apparatus for conditioning a polishing pad | |
| JP4642183B2 (ja) | ウェーハの研磨装置 | |
| JP2001198824A (ja) | 研磨装置の洗浄方法及び研磨装置 | |
| JPH10270395A (ja) | ウエハ基板の研磨洗浄処理におけるガス雰囲気調整方法及び該調整方法を実施するための装置 | |
| KR20020075055A (ko) | 웨이퍼의 세정장치 및 세정방법. | |
| JP2020136488A (ja) | 洗浄部材用洗浄装置及び基板処理装置 | |
| KR20050070767A (ko) | 반도체 기판용 클리닝부재의 파티클 제거장치 | |
| KR20080023861A (ko) | 기판을 처리하는 장치 및 방법 | |
| KR20030030630A (ko) | 반도체 웨이퍼의 평탄화 설비 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |