KR19980059093A - Liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 표시 장치는 기판의 둘레에 리페어링(repair ring)이 형성되어 있으며, 각각의 화소에 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 데이터선과 리페어링 또는 리페어바가 중첩되는 부분에 반도체층을 제거하여, 이 부분의 단차를 줄임으로써 오픈된 데이터선을 리페어하는 경우에 쇼팅 확률을 높일 수 있으며, 이로 인하여 공정 수율을 향상시키는 효과가 있다.The present invention relates to a liquid crystal display device in which a repair ring is formed around a substrate, and a thin film transistor is formed in each pixel, wherein the semiconductor layer is disposed at a portion where the data line and the repair or repair bar overlap. By removing the step, the shortening probability can be increased when the open data line is repaired by reducing the step difference, thereby improving the process yield.
Description
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 기판의 둘레에 리페어링이 형성되어 있으며, 각각의 화소에 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device in which a repair is formed around a substrate and a thin film transistor is formed in each pixel.
현대사회가 정보화되어감에 따라 정보 표시 장치로서 경박단소, 저소비전력의 장점을 갖춘 박막 트랜지스터 액정 표시 장치가 부각되고 있다.As the modern society becomes more information, a thin film transistor liquid crystal display device having the advantages of light and small and low power consumption as an information display device is emerging.
일반적으로 박막 트랜지스터 액정 표시 장치를 제조하는 공정에서 공정 수율을 감소시키는 불량의 원인으로 여러 가지를 들 수 있겠지만 데이터 구동 집적회로의 출력 단자로부터 각각의 박막 트랜지스터의 소스 단자로 연결되는 데이터 배선의 단선 결함(open defect)은 수율을 감소시키는 원인이 될뿐아니라 리페어를 하기 위해서는 많은 비용이 투입된다.In general, there may be various causes of defects in reducing the process yield in the process of manufacturing a thin film transistor liquid crystal display device. (open defects) not only reduce the yield, but also cost a lot of money to repair.
구체적으로 리페어를 하기 위해서는 여러 가지 방법이 있지만, 기판에서 표시 영역이 되는 활성 영역의 바깥쪽에 각각의 데이터 및 게이트 배선과 교차하는 리던던시(redundancy) 배선을 형성하여 각각의 데이터 및 게이트 배선에서 오픈이 발생할 경우에 리던던시 배선을 이용하여 활성 영역의 바깥쪽으로 우회하여 신호를 전달하는 방법이 있다.Specifically, there are various methods for repairing, but redundancy wiring crossing each data and gate wiring is formed on the outside of the active region serving as the display area on the substrate, so that opening occurs in each data and gate wiring. In this case, there is a method of transmitting a signal by bypassing the outside of the active region using redundancy wiring.
일반적으로 앞에서 설명한 리던던시 배선을 리페어링이라고 한다.In general, the redundancy wiring described above is called repairing.
그리고 다른 방법으로는 각각의 화소 영역에 데이터선의 이웃하는 부분에 형성된 리페어바를 이용하여 화소 영역의 내부에서 단선 결함이 발생한 부분만을 우회하여 신호를 전달하는 방법이 있다.As another method, a signal is transmitted by bypassing only a portion where a disconnection defect has occurred inside the pixel area by using a repair bar formed in a neighboring portion of the data line in each pixel area.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 일반적인 액정 표시 장치에 대하여 더욱 자세하게 알아보면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a general liquid crystal display device will be described in more detail as follows.
도 1은 일반적인 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a structure of a thin film transistor substrate in a general liquid crystal display device.
도 1에서 보는 바와 같이, 일반적인 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판은 투명한 절연 기판(1)에 다수의 게이트선(3)이 가로 방향으로 형성되어 있고, 게이트선(3)과 교차하는 다수의 데이터선(5)이 세로 방향으로 형성되어 있다. 기판(1)의 중앙은 화면으로 표시되는 영역으로 활성 영역이라 하고, 가장자리는 게이트선(3)과 연결되어 있는 다수의 게이트 패드(7) 및 데이터선(5)과 연결되어 있는 데이터 패드(9)가 형성되어 있는 패드 영역이라 한다. 기판(1)의 가장자리 패드 영역에는 기판(1)의 둘레에 게이트선(3) 및 데이터선(5)과 교차하는 리페어링(11)이 형성되어 있고, 기판(1)의 상측에는 데이터선(5)에 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동 집적 회로(도시하지 않음)가 데이터 패드(9)를 통하여 데이터선(5)과 연결되어 있고, 기판(1)의 좌측에는 게이트선(3)에 주사 신호를 공급하는 게이트 구동 집적 회로(도시하지 않음)가 게이트 패드(7)를 통하여 게이트선(3)과 연결되어 있다.As shown in FIG. 1, in a thin film transistor substrate of a general liquid crystal display device, a plurality of gate lines 3 are formed in a horizontal direction on a transparent insulating substrate 1, and a plurality of data lines intersect the gate lines 3. (5) is formed in the vertical direction. The center of the substrate 1 is an area displayed as a screen, which is called an active area, and an edge thereof is a plurality of gate pads 7 connected to the gate line 3 and a data pad 9 connected to the data line 5. The pad area is formed on the pad. In the edge pad region of the substrate 1, a repairing 11 intersecting the gate line 3 and the data line 5 is formed around the substrate 1, and the data line 5 is disposed above the substrate 1. A data driving integrated circuit (not shown) for outputting a data signal to the data line 9 is connected to the data line 5 through the data pad 9, and a scan signal is applied to the gate line 3 on the left side of the substrate 1. A gate driving integrated circuit (not shown) for supplying is connected to the gate line 3 through the gate pad 7.
도 2는 도 1에서 A 부분을 도시한 종래의 기술에 따른 평면도이고, 도 3은 도 2에서 a 부분을 도시한 단면도이다.2 is a plan view according to the related art showing part A in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing part a in FIG. 2.
도 2에서 보는 바와 같이, 데이터선(5)과 리페어링(11)서로 교차하여 형성되어 있고, 데이터선(5)과 리페어링(11)이 교차하는 부분에는 데이터선(5)과 중첩되어 있으며 데이터선(5)과 리페어링(11)이 교차하는 부분에는 다른 부분보다 폭이 넓은 비정질 실리콘층(13)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 2, the data line 5 and the repair 11 are formed to cross each other, and the data line 5 and the repair 11 intersect the data line 5 and overlap the data line 5. The amorphous silicon layer 13, which is wider than the other portions, is formed at the portion where (5) and the repairing 11 intersect.
도 3은 도2에서 a 부분을 도시한 단면도로서, 기판(1) 상부에 리페어링(11)이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(15)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(15) 일부 위에는 비정질 실리콘층(13)이 형성되어 있으며, 그 위에는 데이터선(5)이 형성되어 있고, 기판(1)을 덮는 보호막(19)이 형성되어 있다.3 is a cross-sectional view showing a portion a in FIG. 2, wherein a repairing 11 is formed on the substrate 1, and a gate insulating film 15 is formed thereon. An amorphous silicon layer 13 is formed on a portion of the gate insulating film 15, a data line 5 is formed thereon, and a protective film 19 covering the substrate 1 is formed.
이러한 종래의 액정 표시 장치에서는 데이터선(5)이 단선되었을 경우에 단선된 데이터선(5)과 리페어링(11)이 교차하는 부분(X)을 각각 쇼트(short)시켜 단선된 데이터선(5)을 리페어링(11)으로 연결한다. 그러면 단선된 데이터선(3)과 리페어링(11)을 통하여 데이터 신호가 전달된다.In the conventional liquid crystal display device, when the data line 5 is disconnected, the disconnected data line 5 and the repairing 11 intersect the portions X where the shorted data lines 5 are shorted. To the repairing (11). The data signal is then transmitted through the disconnected data line 3 and the repairing 11.
도 4는 도 1에서 B 부분을 도시한 종래의 기술에 따른 평면도이고, 도 5는 도 4에서 b 부분을 도시한 평면도이다.4 is a plan view according to the related art showing part B in FIG. 1, and FIG. 5 is a plan view showing part b in FIG. 4.
도 4에서 보는 바와 같이, 가로 방향으로 게이트선(3)이 형성되어 있으며, 세로 방향으로 데이터선(5)이 형성되어 있다. 데이터선(5)과 평행하게 형성된 게이트선(3)의 분지(31)를 통하여 게이트선(3)과 연결되어 있는 유지 용량용 전극(32)이 게이트선(3)과 평행하게 형성되어 있다. 그리고 일단은 유지 용량용 전극(32)과 연결되어 있고 타측은 데이터선(5)과 중첩되어 있으며, 데이터선(5)에 인접한 부분에 데이터선(5)과 평행하게 리페어바(34)가 형성되어 있다. 게이트선(3)과 데이터선(5)이 교차하는 부분에는 게이트선(3)의 일부인 게이트 전극(33), 데이터선(5)의 일부인 드레인 전극(51) 및 소스 전극(52)으로 이루어진 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 여기서 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(52)은 이웃하는 화소 영역(P)에 형성되어 있는 화소 전극(17)과 연결되어 있다. 또한, 박막 트랜지스터(TFT)의 반도체층(130)은 상부로는 데이터선(5)과 유지 용량용 전극(32)이 교차하는 부분에서 하부로는 데이터선(5)과 리페어바(34)가 중첩되는 부부까지, 그리고 소스 전극(52)에 대응하는 부분에 형성되어 있다.As shown in FIG. 4, the gate line 3 is formed in the horizontal direction, and the data line 5 is formed in the vertical direction. A storage capacitor electrode 32 connected to the gate line 3 is formed in parallel with the gate line 3 through a branch 31 of the gate line 3 formed in parallel with the data line 5. One end is connected to the storage capacitor electrode 32 and the other side overlaps the data line 5, and a repair bar 34 is formed in a portion adjacent to the data line 5 in parallel with the data line 5. It is. A thin film made of a gate electrode 33 which is a part of the gate line 3, a drain electrode 51 which is a part of the data line 5, and a source electrode 52 at a portion where the gate line 3 and the data line 5 intersect. The transistor TFT is formed. Here, the source electrode 52 of the thin film transistor TFT is connected to the pixel electrode 17 formed in the neighboring pixel region P. In the semiconductor layer 130 of the thin film transistor TFT, the data line 5 and the repair bar 34 are disposed at a portion where the data line 5 and the storage capacitor electrode 32 cross each other. It is formed in the part corresponding to the source electrode 52 until the couple which overlaps.
도 5는 도 4에서 b 부분을 도시한 단면도로서, 기판(1) 일부 위에 리페어바(34)가 형성되어 있고, 리페어바(34)를 덮는 게이트 절연막(15)이 기판(1)의 상부에 형성되어 있다. 게이트 절연막(15)의 일부 위에는 반도체층(130)이 형성되어 있으며, 그 위에는 데이터선(5)이 형성되어 있고, 기판(1)을 덮는 보호막(19)이 형성되어 있다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a portion b of FIG. 4, wherein a repair bar 34 is formed on a portion of the substrate 1, and a gate insulating layer 15 covering the repair bar 34 is disposed on the substrate 1. Formed. A semiconductor layer 130 is formed on a portion of the gate insulating film 15, a data line 5 is formed thereon, and a protective film 19 covering the substrate 1 is formed.
이러한 종래의 박막 트랜지스터 액정 표시 장치에서는 데이터선(5)이 단선되는 경우에 레이저를 이용하여 유지 용량용 전극(34)의 Z 부분을 각각 단선시키고 데이터선(5)과 유지 용량용 전극(32)이 교차하는 부분(Y)과 데이터선(5)과 리페어바(34)가 중첩되는 부분(Y)을 각각 쇼트시킴으로써 리페어바(34)를 통하여 데이터 신호를 인가하게 된다.In the conventional thin film transistor liquid crystal display, when the data line 5 is disconnected, the Z portion of the storage capacitor electrode 34 is disconnected using a laser, respectively, and the data line 5 and the storage capacitor electrode 32 are disconnected. The data signal is applied through the repair bar 34 by shorting the intersecting part Y, and the part Y where the data line 5 and the repair bar 34 overlap each other.
그러나 이러한 종래의 액정 표시 장치에서는 게이트선(3) 및 데이터선(5)과 리페어링(11)이 교차하여 중첩되는 부분과 리페어바(34)와 데이터선(5)이 중첩되는 부분에 반도체층(131) 또는 비정질 실리콘층(13)과 게이트 절연막(15)이 7000Å 정도의 두께로 심한 단차를 가지고 있으므로, 레이저를 이용하여 이 부분을 쇼트시키는 경우에 쇼팅(shorting) 확률이 떨어지게 되어, 공정 수율이 떨어지는 문제점을 가지고 있다.However, in the conventional liquid crystal display, the semiconductor layer (a part of the gate line 3, the data line 5, and the repair 11 overlap each other and the repair bar 34 and the data line 5 overlap each other). 131 or the amorphous silicon layer 13 and the gate insulating film 15 have a severe step with a thickness of about 7000 Å, the shorting probability decreases when shorting this portion using a laser, resulting in a process yield. There is a problem falling.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 리페어하는 부분의 단차를 최소화하여 쇼팅 확률을 높이는 구조를 제시하는 데 있다.The present invention is to solve this problem, to provide a structure to increase the probability of shortening by minimizing the step difference of the repaired part.
도 1은 일반적인 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 평면도이고,1 is a plan view illustrating a structure of a thin film transistor substrate in a general liquid crystal display device.
도 2는 도 1에서 A 부분을 도시한 종래의 기술에 따른 평면도이고,Figure 2 is a plan view according to the prior art showing the portion A in Figure 1,
도 3은 도 2에서 a 부분을 도시한 단면도이고,3 is a cross-sectional view showing a portion in FIG.
도 4는 도 1에서 B 부분을 도시한 종래의 기술에 따른 평면도이고,Figure 4 is a plan view according to the prior art showing the portion B in Figure 1,
도 5는 도 4에서 b 부분을 도시한 평면도이고,FIG. 5 is a plan view illustrating a portion b in FIG. 4;
도 6은 도 1에서 A 부분을 도시한 본 발명의 실시예에 따른 평면도이고,6 is a plan view according to an embodiment of the present invention showing a portion A in FIG.
도 7은 도 6에서 a 부분을 도시한 단면도이고,FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a part in FIG. 6;
도 8은 도 1에서 B 부분을 도시한 본 발명의 실시예에 따른 평면도이고,8 is a plan view according to an embodiment of the present invention showing the portion B in FIG.
도 9는 도 8에서 b 부분을 도시한 평면도이고,9 is a plan view illustrating a portion b in FIG. 8;
이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 다수의 게이트선과 데이터선이 교차하면서 정의되는 다수의 화소 영역으로 이루어진 활성 영역이 형성되어 있다. 이러한 활성 영역에는 게이트선과 데이터선이 교차하는 부분에는 게이트선의 일부인 게이트 전극과 데이터선의 일부인 드레인 전극과 소스 전극 및 채널이 형성되는 반도체층으로 이루어진 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 또한 데이터선과 평행하게 형성되어 있으며 반도체층과 중첩되지 않고, 연장되어 일단과 타단이 데이터선과 중첩되어 있는 리페어가 형성되어 있다. 그리고 활성 영역 밖의 둘레에는 각각 게이트선과 데이터선과 연결되어 있는 다수의 데이터 패드 및 게이트 패드가 형성되어 있는 패드 영역이 형성되어 있다. 이러한 패드 영역에는 다수의 게이트선과 데이터선과 교차하는 리페어링이 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이터선과 리페어링이 교차하는 부분에 게이트선 또는 데이터선의 폭보다 좁은 폭으로 형성되어 있는 반도체층이 형성되어 있다.In the liquid crystal display according to the present invention, an active region including a plurality of pixel regions defined by crossing a plurality of gate lines and data lines is formed. In the active region, a thin film transistor including a gate electrode, which is part of the gate line, a drain electrode, a part of the data line, and a semiconductor layer on which a channel is formed is formed at a portion where the gate line and the data line cross each other. In addition, a repair is formed in parallel with the data line and extends without overlapping the semiconductor layer so that one end and the other end overlap with the data line. A pad region in which a plurality of data pads and gate pads are formed which are connected to the gate line and the data line, respectively, is formed around the outside of the active region. In the pad region, a repairing intersecting a plurality of gate lines and data lines is formed, and a semiconductor layer having a width narrower than the width of the gate line or data line is formed at a portion where the gate line, data line, and repairing intersect.
이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 게이트선 및 데이터선과 리페어링 사이와 데이터선과 리페어바 사이에 형성되어 있는 절연막을 더 포함하고 있으며, 게이트선과 평행하게 형성되어 있으며 분지를 통하여 게이트선과 연결되어 있고 리페어바와 타단과 연결되어 있는 유지 용량용 전극을 더 포함하고 있다.The liquid crystal display according to the present invention further includes an insulating film formed between the gate line and the data line and the repairing, and between the data line and the repair bar, formed in parallel with the gate line, connected to the gate line through a branch, and the repair bar. It further includes a storage capacitor electrode connected to the other end.
이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 데이터선에 오픈이 발생하면 기판의 둘레에 형성된 리페어링과 게이트선 및 데이터선과 교차하는 부분에서 절연막만을 매개로 하는 부분을 통하여 오픈된 데이터선과 리페어링을 쇼트시켜 해당하는 신호를 전달하게 된다.In the liquid crystal display according to the present invention, when the data line is opened, the open data line and the repairing are shortened through a portion formed only around the insulating layer at the intersection of the repairing and the gate line and the data line formed around the substrate. Will carry a signal.
그리고, 리페어바를 이용하는 경우에는 절연막을 매개로 하여 리페어바와 데이터선이 중첩되어 있는 부분을 쇼트시키고, 유지 용량용 전극과 리페어바가 연결되어 있는 부분을 오픈시켜 리페어바를 통하여 해당하는 데이터 신호를 인가하게 된다.In the case of using a repair bar, a portion where the repair bar and the data line overlap with each other is shorted through an insulating film, and a portion where the storage capacitor electrode and the repair bar are connected is opened to apply a corresponding data signal through the repair bar. .
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 한 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.Next, an embodiment of a liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that a person having ordinary skill in the art may easily implement the present invention.
도 6은 도 1에서 A 부분을 도시한 본 발명의 실시예에 따른 평면도이고, 도 7은 도 6에서 a 부분을 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a plan view according to an exemplary embodiment of the present invention showing part A in FIG. 1, and FIG. 7 is a cross-sectional view showing part a in FIG.
도 6에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 패드 영역에는 종래의 구조와 동일하게 데이터선(5)과 리페어링(11)이 교차고 있으며, 데이터선(5)과 중첩되어 있는 비정질 실리콘층(13a)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 6, in the pad region of the thin film transistor substrate of the liquid crystal display according to the present invention, the data line 5 and the repairing 11 intersect with each other, as in the conventional structure, and overlap the data line 5. An amorphous silicon layer 13a is formed.
종래와 다르게, 비정질 실리콘층(13a)은 데이터선(5)과 리페어링(11)이 교차하는 폭보다 작은 폭으로 형성되어 있다.Unlike the related art, the amorphous silicon layer 13a is formed to have a width smaller than the width at which the data line 5 and the repair 11 cross each other.
도 7은 도 6에서 a 부분을 도시한 단면도로서, 기판(1)의 상부에 리페어링(11)이 형성되어 있고, 리페어링(11)을 덮는 게이트 절연막(15)이 형성되어 있으며, 그 일부 위에 비정질 실리콘층(13a)이 형성되어 있다. 비정질 실리콘층(13)을 덮고 있으며, 게이트 절연막(15) 상부에 데이터선(5)이 형성되어 있고, 기판(1) 상부에 보호막(19)이 형성되어 있다.FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating part a of FIG. 6, wherein a repair ring 11 is formed on the substrate 1, a gate insulating film 15 covering the repair 11 is formed, and an amorphous portion thereof is formed on the substrate 1. The silicon layer 13a is formed. The amorphous silicon layer 13 is covered, the data line 5 is formed on the gate insulating film 15, and the protective film 19 is formed on the substrate 1.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 액정 표시 장치에서는 데이터선(5)이 단선되었을 경우에는 단선된 데이터선(5)과 리페어링(11)이 교차하는 부분 중에 비정질 실리콘층(13a)이 존재하지 않는 부분(X1)을 통하여 단선된 데이터선(3)과 리페어링(11)을 쇼트시킨다. 그러면 단선된 데이터선(3)에 전달되는 데이터 신호는 리페어링(11)을 통하여 전달된다.In the thin film transistor liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, when the data line 5 is disconnected, the amorphous silicon layer 13a does not exist in a portion where the disconnected data line 5 and the repairing 11 cross each other. The disconnected data line 3 and the repairing 11 are shorted through the non-contacting portion X1. Then, the data signal transmitted to the disconnected data line 3 is transmitted through the repairing 11.
도 8은 도 1에서 B 부분을 도시한 본 발명의 실시예에 따른 평면도이고, 도 9는 도 8에서 b 부분을 도시한 평면도이다.FIG. 8 is a plan view according to an exemplary embodiment of the present invention showing part B in FIG. 1, and FIG. 9 is a plan view showing part b in FIG. 8.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 평면도로서, 종래의 구조와 동일하게 가로 방향으로 게이트선(3)이 형성되어 있으며, 세로 방향으로 데이터선(5)이 형성되어 있다. 데이터선(5)과 평행하게 형성된 게이트선(3)의 분지(31)를 통하여 게이트선(3)과 연결되어 있는 유지 용량용 전극(32)이 게이트선(3)과 평행하게 형성되어 있다. 그리고 일단은 유지 용량용 전극(32)과 연결되어 있고 타측은 데이터선(5)과 중첩되어 있으며, 데이터선(5)에 인접한 부분에 데이터선(5)과 평행하게 리페어바(34)가 형성되어 있다. 게이트선(3)과 데이터선(5)이 교차하는 부분에는 게이트선(33)의 일부인 게이트 전극(33), 데이터선(5)의 일부인 드레인 전극(51) 및 소스 전극(52)으로 이루어진 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 여기서 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(52)은 이웃하는 화소 영역(P)에 형성되어 있는 화소 전극(17)과 연결되어 있다. 또한, 박막 트랜지스터(TFT)의 반도체층(130a)은 상부로는 데이터선(5)과 유지 용량용 전극(32)이 교차하는 부분에서 하부로는 데이터선(5)과 리페어바(34)가 중첩되는 부부까지, 그리고 소스 전극(52)에 대응하는 부분에 형성되어 있다.FIG. 8 is a plan view of a thin film transistor liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention, in which a gate line 3 is formed in a horizontal direction and a data line 5 is formed in a vertical direction in the same manner as a conventional structure. . A storage capacitor electrode 32 connected to the gate line 3 is formed in parallel with the gate line 3 through a branch 31 of the gate line 3 formed in parallel with the data line 5. One end is connected to the storage capacitor electrode 32 and the other side overlaps the data line 5, and a repair bar 34 is formed in a portion adjacent to the data line 5 in parallel with the data line 5. It is. A thin film formed of a gate electrode 33 which is a part of the gate line 33, a drain electrode 51 which is a part of the data line 5, and a source electrode 52 at a portion where the gate line 3 and the data line 5 cross each other. The transistor TFT is formed. Here, the source electrode 52 of the thin film transistor TFT is connected to the pixel electrode 17 formed in the neighboring pixel region P. In the semiconductor layer 130a of the thin film transistor TFT, the data line 5 and the repair bar 34 are disposed at a lower portion where the data line 5 and the storage capacitor electrode 32 cross each other. It is formed in the part corresponding to the source electrode 52 until the couple which overlaps.
여기서, 종래의 기술과 본 발명이 다른 점은 리페어바(34)와 데이터선(5)이 중첩되어 있는 리페어바(34)의 끝부분에는 반도체층(130a)이 존재하지 않는다.Here, the difference between the conventional technology and the present invention is that the semiconductor layer 130a does not exist at the end of the repair bar 34 where the repair bar 34 and the data line 5 overlap.
도 9는 도 8에서 b 부분을 도시한 단면도로서, 기판(1) 일부 위에 리페어바(34)가 형성되어 있고, 리페어바(34)를 덮는 게이트 절연막(15)이 기판(1)의 상부에 형성되어 있다. 게이트 절연막(15)의 일부 위에는 반도체층(130a)이 형성되어 있으며, 반도체층(130a)의 일부 및 게이트 절연막(15)의 일부 위에 데이터선(5)이 형성되어 있다. 여기서, 반도체층(130a)과 데이터선(5)은 중첩되어 있지 않으며, 리페어바(34)와 데이터선(5)은 일부 중첩되어 있다. 기판(1)을 덮는 보호막(17)이 형성되어 있으며, 보호막의 일부 위에는 ITO로 이루어진 화소 전극(17)이 형성되어 있다.FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a portion b of FIG. 8, wherein a repair bar 34 is formed on a portion of the substrate 1, and a gate insulating film 15 covering the repair bar 34 is disposed on the substrate 1. Formed. The semiconductor layer 130a is formed on a part of the gate insulating film 15, and the data line 5 is formed on a part of the semiconductor layer 130a and a part of the gate insulating film 15. Here, the semiconductor layer 130a and the data line 5 do not overlap, and the repair bar 34 and the data line 5 partially overlap. A protective film 17 covering the substrate 1 is formed, and a pixel electrode 17 made of ITO is formed on a part of the protective film.
이러한 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정 표시 장치에서는 데이터선(5)이 단선되는 경우에 종래와 동일하게, 레이저를 이용하여 유지 용량용 전극(34)의 Z 부분을 각각 단선시키고, 반도체층(130a)은 없으며 데이터선(5)과 유지 용량용 전극(32)이 교차하는 부분(Y1)을 통하여 데이터선(5)과 리페어바(34)를 쇼트시킨다. 따라서, 리페어바(34)를 통하여 해당하는 화소 전극(17) 데이터 신호가 전달된다.In the thin film transistor liquid crystal display device according to the present invention, when the data line 5 is disconnected, the Z portion of the storage capacitor electrode 34 is disconnected using a laser as in the conventional case, and the semiconductor layer 130a is used. The data line 5 and the repair bar 34 are shorted through the portion Y1 where the data line 5 and the storage capacitor electrode 32 cross each other. Therefore, the corresponding pixel electrode 17 data signal is transmitted through the repair bar 34.
따라서 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 데이터선과 리페어링 또는 리페어바가 중첩되는 부분에 반도체층을 제거하여, 이 부분의 단차를 줄임으로써 오픈된 데이터선을 리페어하는 경우에 쇼팅 확률을 높일 수 있으며, 이로 인하여 공정 수율을 향상시키는 효과가 있다.Accordingly, in the liquid crystal display according to the present invention, the shorting probability may be increased when the open data line is repaired by removing the semiconductor layer at a portion where the data line and the repairing or repair bar overlap, and reducing the step difference. There is an effect of improving the process yield.
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