KR19980055989A - Ion Beam Sputtering Deposition System - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이온빔 스퍼터링 증착장치를 개시한다. 본 발명은 이온건과, 상기 이온건으로부터 조사된 이온빔에 의해 스퍼터링되는 피증착물이 고정되는 피증착물 고정부와, 상기 피증착물로부터 이탈된 입자가 표면에 부착되는 기판이 고정되는 기판 고정부를 구비하는 이온빔 스퍼터링 증착장치에 있어서, 상기 피증착물 고정부는 피증착물이 부착되는 피증착물 홀더와, 상기 피증착물 홀더를 지지하는 홀더 지지대로 이루어지고, 상기 홀더 지지대에 상기 피증착물 홀더를 회전시키는 회전수단이 마련된 점에 특징이 있다. 따라서 이온건으로부터 조사되는 이온빔이 회전하는 피증착물의 표면 전체에 균일하게 조사되게 됨에 따라 피증착물이 균일하게 스퍼터링되게 되어 증착효율이 향상되게 된다.The present invention discloses an ion beam sputtering deposition apparatus. The present invention includes an ion gun, a deposit fixing part to which a deposit to be sputtered by the ion beam irradiated from the ion gun is fixed, and a substrate fixing part to which a substrate to which particles detached from the deposit are attached to the surface is fixed. In the ion beam sputtering deposition apparatus, the deposit fixing portion is formed of a deposit holder to which the deposit is attached, and a holder support for supporting the deposit holder, the rotating means for rotating the deposit holder on the holder support is It is characterized by its provision. Therefore, as the ion beam irradiated from the ion gun is uniformly irradiated on the entire surface of the rotated deposit, the deposit is uniformly sputtered and the deposition efficiency is improved.
Description
본 발명은 증착장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 이온건으로부터 타켓으로 주사되는 이온빔이 타켓의 표면에 균일하게 스퍼터링되도록 한 이온빔 스퍼터링 증착장치(ion beam sputtering deposition system)에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a deposition apparatus, and more particularly, to an ion beam sputtering deposition system in which an ion beam scanned from an ion gun to a target is uniformly sputtered onto the surface of the target.
통상적으로 박막을 형성하기 위한 증착장치는 증착물을 기화시키거나 스퍼터링법 또는 글로우방전을 이용한 플라즈마 증착법 등을 이용한 여러 종류의 것이 있는데, 스퍼터링법을 이용한 이온빔 스퍼터링 증착장치의 일예를 도 1에 나타내 보였다.In general, there are various types of deposition apparatuses for forming a thin film using vapor deposition, sputtering, or plasma deposition using glow discharge. An example of the ion beam sputtering deposition apparatus using the sputtering method is illustrated in FIG. 1.
이것은 스퍼터링용 이온건(11)과, 이온건(11)으로부터 방출된 이온빔이 스퍼터링되는 피증착물이 고정되는 피증착물 고정부(12)와, 이 피증착물 고정부(12)와 소정간격 이격되어 이에 고정된 피증착물(100)로부터 떨어져 나온 입자가 증착되는 기판(200)이 고정되는 기판 고정부(13)를 구비하여 구성된다.This is carried out by the ion gun 11 for sputtering, the deposit fixture 12 to which the deposit to which the ion beam emitted from the ion gun 11 is sputtered is fixed, and the deposit fixture 12 at a predetermined interval therebetween. And a substrate fixing part 13 to which the substrate 200 on which particles separated from the fixed deposit 100 are deposited is fixed.
이와 같이 구성된 이온빔 스퍼터링 증착장치를 이용하여 기판에 박막을 형성하기 위해서는, 기판 고정부(13)에 증착하고자 하는 기판(200)을 설치하고, 상기 피증착물 고정부(12)에는 피증착물질로 이루어진 피증착물(100)을 고정한다. 이 상태에서 상기 스퍼터링 이온건(11)을 이용하여 피증착물(100)로 이온빔을 주사하여 피증착물(100)을 스퍼터링 한다.In order to form a thin film on a substrate by using the ion beam sputtering deposition apparatus configured as described above, a substrate 200 to be deposited is provided on the substrate fixing part 13, and the deposit fixing part 12 is formed of a material to be deposited. The deposit 100 is fixed. In this state, the sputtered object 100 is sputtered by scanning an ion beam onto the object to be deposited 100 using the sputtering ion gun 11.
이와 같이 하면 상기 피증착물(100)로부터 떨어져 나온 입자가 기판(200)의 표면에 부착되어 박막이 형성된다.In this case, particles separated from the deposit 100 adhere to the surface of the substrate 200 to form a thin film.
그러나 이와 같이 구성된 종래의 이온빔 스퍼터링 증착장치는, 이온건(11)으로부터 조사된 이온빔이 피증착물(100)을 스퍼터링할 때, 피증착물(100)이 피증착물 고정부(12)에 고정된 상태에서 위치고정되어 있으므로, 이온건(11)으로부터 조사된 이온빔이 피증착물(100)의 표면으로 균일하게 조사되지 못하고 어느 특정위치에 집중되는 현상이 발생하게 된다. 따라서 피증착물(100)의 표면이 불균일하게 스퍼터링되기 때문에 증착효율이 떨어지는 문제점이 있었다.However, in the conventional ion beam sputtering deposition apparatus configured as described above, when the ion beam irradiated from the ion gun 11 sputters the deposit 100, the deposit 100 is fixed to the deposit fixing part 12. Since the position is fixed, the phenomenon that the ion beam irradiated from the ion gun 11 is not uniformly irradiated to the surface of the deposit 100 is concentrated at a specific position. Therefore, there is a problem in that the deposition efficiency is lowered because the surface of the deposit 100 is unevenly sputtered.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 이온건으로부터 조사되는 이온빔이 피증착물의 표면에 균일하게 조사되도록 함으로써 피증착물이 균일하게 스퍼터링되도록 한 이온빔 스퍼터링 증착장치를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, to provide an ion beam sputtering deposition apparatus in which the ion beam irradiated from the ion gun is uniformly irradiated on the surface of the deposit, so that the deposit is sputtered uniformly. The purpose is.
도 1은 종래 이온빔 스퍼터링 증착장치를 개략적으로 도시한 측면도,1 is a side view schematically showing a conventional ion beam sputtering deposition apparatus,
도 2는 본 발명에 따른 이온빔 스퍼터링 증착장치를 개략적으로 도시한 측면도,2 is a side view schematically showing an ion beam sputtering deposition apparatus according to the present invention;
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
21 : 이온건30 : 피증착물 고정부21: ion gun 30: deposits to be deposited
31 : 피증착물 홀더32 : 홀더 지지대31: vapor deposition holder 32: holder support
40 : 기판 고정부50 : 회전수단40: substrate fixing part 50: rotation means
51 : 모터52 : 회전축51: motor 52: rotating shaft
100 : 피증착물200 : 기판100: deposit 200: substrate
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 이온건과, 상기 이온건으로부터 조사된 이온빔에 의해 스퍼터링되는 피증착물이 고정되는 피증착물 고정부와, 상기 피증착물로부터 이탈된 입자가 표면에 부착되는 기판이 고정되는 기판 고정부를 구비하는 이온빔 스퍼터링 증착장치에 있어서, 상기 피증착물 고정부는 피증착물이 부착되는 피증착물 홀더와, 상기 피증착물 홀더를 지지하는 홀더 지지대로 이루어지고, 상기 홀더 지지대에 상기 피증착물 홀더를 회전시키는 회전수단이 마련된 이온빔 스퍼터링 증착장치를 제공하는데 그 특징이 있다.In order to achieve the object as described above, the present invention, an ion gun, an object to be deposited to which the deposit sputtered by the ion beam irradiated from the ion gun is fixed, and particles separated from the deposit adhere to the surface. An ion beam sputtering deposition apparatus having a substrate fixing portion to which a substrate is fixed, wherein the deposit fixing portion comprises a deposit holder to which the deposit is attached, a holder support for supporting the deposit holder, and a holder support. It is characterized by providing an ion beam sputtering deposition apparatus provided with a rotating means for rotating the deposit holder.
본 발명에 있어서, 상기 회전수단은 홀더 지지대에 설치되며 그 회전축이 피증착물 홀더에 고정되는 모터를 구비하여 구성된다.In the present invention, the rotating means is provided with a holder support and the rotating shaft is provided with a motor fixed to the deposit holder.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안에 따른 한 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 이온빔 스퍼터링 증착장치는 도 2에 도시된 바와 같이, 이온빔을 조사시키는 이온건(21)과, 이 이온건(21)으로부터 조사된 이온빔에 의해 스퍼터링되는 피증착물(100)이 고정되는 피증착물 고정부(30)와, 피증착물(100)로부터 이탈된 입자가 표면에 부착되는 기판(200)이 고정되는 기판 고정부(40)를 구비한다.In the ion beam sputtering deposition apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 2, the ion gun 21 for irradiating the ion beam and the deposit 100 sputtered by the ion beam irradiated from the ion gun 21 are fixed. The deposit fixing part 30 and the board fixing part 40 to which the board | substrate 200 to which the particle | grains which detach | deviated from the deposit 100 adhere | attach on the surface are fixed is provided.
그리고 상기 피증착물 고정부(30)는 본 발명의 특징에 따라 피증착물(100)이 부착되는 피증착물 홀더(31)와, 이 피증착물 홀더(31)를 지지하는 홀더 지지대(32)로 이루어지고, 홀더 지지대(32)에는 피증착물 홀더(31)를 회전시키는 회전수단(50)이 마련된다.The deposit fixing part 30 is formed of a deposit holder 31 to which the deposit 100 is attached according to a feature of the present invention, and a holder support 32 supporting the deposit holder 31. The holder support 32 is provided with a rotation means 50 for rotating the deposit holder 31.
그리고 상술한 회전수단(50)은, 피증착물 홀더(31)를 지지하는 홀더 지지대(32)의 내부에 설치되며 그 회전축(52)이 피증착물 홀더(31)에 고정되는 모터(51)를 구비하여 구성된다.In addition, the rotation means 50 described above includes a motor 51 installed inside the holder support 32 for supporting the deposit holder 31, and the rotating shaft 52 is fixed to the deposit holder 31. It is configured by.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 이온빔 스퍼터링 증착장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the ion beam sputtering deposition apparatus according to the present invention configured as described above are as follows.
상기 기판(200)에 증착막을 형성하기 위해서는 이온건(21)의 전방에 위치된 피증착물 고정부(30)의 피증착물 홀더(31)에 피증착물(100)을 설치하고, 기판 고정부(40)에는 피증착물(100)로부터 이탈된 입자가 부착되어 증착되는 기판(200)을 설치한다.In order to form the deposition film on the substrate 200, the deposit 100 is installed on the deposit holder 31 of the deposit fixing part 30 positioned in front of the ion gun 21, and the substrate fixing part 40 is provided. ) Is provided with a substrate 200 on which particles detached from the deposit 100 are attached and deposited.
그리고 이 상태에서 상기 이온건(21)으로부터 이온빔을 상기 피증착물(100)로 조사시켜 피증착물(100)을 스퍼터링하게 되는데, 이때 본 발명의 특징에 따라 상기 이온건(21)으로부터 조사되는 이온빔이 피증착물(100)의 표면으로 균일하게 조사되도록 피증착물(100)이 고정된 피증착물 홀더(31)를 회전수단(50)으로서의 모터(51)를 구동시켜 회전시키게 된다.In this state, the ion beam is irradiated from the ion gun 21 to the deposit 100 to sputter the deposit 100. In this case, the ion beam irradiated from the ion gun 21 is The deposit holder 31 to which the deposit 100 is fixed is rotated by driving the motor 51 as the rotating means 50 so as to uniformly irradiate the surface of the deposit 100.
따라서 이온건(21)으로부터 조사되는 이온빔이 어느 특정 위치에 집중되지 않고 회전하는 피증착물(100)의 표면 전체에 걸쳐 균일하게 조사되게 됨에 따라 피증착물(100)의 표면 전체가 균일하게 스퍼터링되게 되어 증착효율이 향상되게 된다.Therefore, as the ion beam irradiated from the ion gun 21 is uniformly irradiated over the entire surface of the rotated deposit 100 without being concentrated at a specific position, the entire surface of the deposit 100 is sputtered uniformly. Deposition efficiency is improved.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명 이온빔 스퍼터링 증착장치에 의하면, 피증착물이 회전수단에 의해 회전되도록 되어 있으므로, 이온건으로부터 조사되는 이온빔이 호전하는 피증착물의 표면 전체에 균일하게 조사되게 됨에 따라 피증착물이 균일하게 스퍼터링되게 되어 증착효율이 향상되게 된다.As described above, according to the ion beam sputtering deposition apparatus of the present invention, the deposit is rotated by the rotating means, so that the deposit is uniformly irradiated on the entire surface of the deposit to which the ion beam irradiated from the ion gun improves. Sputtering uniformly improves the deposition efficiency.
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| KR1019960075240A KR19980055989A (en) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | Ion Beam Sputtering Deposition System |
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| KR20220094084A (en) | 2020-12-28 | 2022-07-05 | (주)화인솔루션 | Method for Manufacturing a Wire Grid Polarizer |
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1996
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