KR19980040594A - Photo mask for photo etching process - Google Patents
Photo mask for photo etching process Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980040594A KR19980040594A KR1019960059816A KR19960059816A KR19980040594A KR 19980040594 A KR19980040594 A KR 19980040594A KR 1019960059816 A KR1019960059816 A KR 1019960059816A KR 19960059816 A KR19960059816 A KR 19960059816A KR 19980040594 A KR19980040594 A KR 19980040594A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- contact hole
- mask
- light
- film
- contrast
- Prior art date
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
반도체공정의 사진식각용 포토마스크가 개시되어 있다. 사입사 조명 방법으로 피노광물에 패턴들을 전사하기 위한 마스크에 있어서, 상기 패턴들은 적어도 하나의 콘택홀을 포함하며, 상기 적어도 하나의 콘택홀로 부터 소정 간격을 두고 배치되어 콘택홀에 회절광의 간섭을 유발하여 광의 콘트라스트를 증가시키는 역할을 하는 적어도 하나의 보조 링을 더 포함한다. 따라서, 콘택홀 이미지의 콘트라스트 및 해상도를 향상시킬 수 있다.Disclosed is a photomask for photolithography in a semiconductor process. A mask for transferring patterns to an object to be exposed by an incidence illumination method, wherein the patterns include at least one contact hole and are disposed at a predetermined distance from the at least one contact hole to cause interference of diffracted light in the contact hole. At least one auxiliary ring, which serves to increase the contrast of light. Therefore, the contrast and resolution of the contact hole image can be improved.
Description
본 발명은 사진식각공정용 포토마스크에 관한 것으로, 특히 반도체 공정의 사진 식각공정의 사입사 조명계를 사용하는 사진 공정에 있어서 콘택홀(Contact hole) 이미지의 콘트라스트 및 해상도를 향상시킬 수 있는 마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask for a photolithography process, and more particularly, to a mask capable of improving contrast and resolution of a contact hole image in a photolithography process using an incident light system of a photolithography process in a semiconductor process. will be.
반도체장치의 각종 패턴은 사진식각(포토리소그라피) 기술에 의하여 형성된다는 것은 널리 알려져 있다. 상기 포토리소그라피 기술은 반도체 웨이퍼 상의 절연막이나 도전막 등, 패턴을 형성하여야 할 막 위에 X선이나 자외선 등과 같은 광선의 조사에 의해 용해도(solubility)가 변화하는 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 이 포토레지스트 막의 소기 부분을 광선에 노출시킨 후 현상에 의해서 용해도가 큰 부분을 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 패턴을 형성하여야 할 막의 노출된 부분을 에칭에 의하여 제거하여 배선이나 전극 등 각종 패턴을 형성하는 단계로 구성된다.It is well known that various patterns of semiconductor devices are formed by photolithography (photolithography) techniques. The photolithography technique includes forming a photoresist film having a solubility changed by irradiation with light such as X-rays or ultraviolet rays on a film, such as an insulating film or a conductive film, on a semiconductor wafer. After exposing the scavenging part to the light beam, the photoresist pattern is formed by removing the highly soluble part by development, and the exposed part of the film to be formed is removed by etching to remove various patterns such as wiring and electrodes. Forming step.
최근 반도체장치의 고집적화, 고밀도화 추세에 따라, 서브하프마이크론(Sub-half micron) 패턴을 형성하기 위하여 많은 새로운 기술이 개발되고 있다. 이러한 예로서는, 광원의 파장을 줄인 엑시머 레이저(Excimer laser)를 이용하는 방법, 위상 반전 마스크(Phase Shifting Mask)를 이용한 노광방법 및 사입사 조명 (Tilted illumination) 방법과 같은 변형 조명 방법(Modified illumination method) 등을 들 수 있다.Recently, with the trend of higher integration and higher density of semiconductor devices, many new technologies have been developed to form sub-half micron patterns. Examples include a method using an excimer laser having a reduced wavelength of a light source, an exposure method using a phase shifting mask, and a modified illumination method such as a tilted illumination method. Can be mentioned.
최근에는 파리눈 렌즈(Fly's eye lens)와 콘덴서 렌즈(Condenser lens) 사이에 퓨필(Pupil)을 부착한 조명계를 사용하는 사입사 조명 방법(tilted illumination)에 의한 노광방법이 제시되었다 (참조 문헌: New imaging technique for 64M DRAM by N. Shiraishi, S. Hirukawa, Y.Takeuchi, and N. Magome, Proceedings of SPIE, vol 1674, Optical/laser microlithography p741, 1992).Recently, an exposure method using a tilted illumination method using an illumination system in which a pupil is attached between a fly's eye lens and a condenser lens has been proposed (Ref. New). imaging technique for 64M DRAM by N. Shiraishi, S. Hirukawa, Y. Takeuchi, and N. Magome, Proceedings of SPIE, vol 1674, Optical / laser microlithography p741, 1992).
상기한 사입사 조명 방법은 퓨필에 의해 입사광의 수직성분을 차단하고 경사진 성분(사입사 성분)만이 마스크 상에 도달하게 한다. 즉, 사입사 조명계에서는 퓨필이 광축으로 부터 이심되어(eccentric) 있기 때문에 퓨필을 통과한 빛은 특정한 사입사각(│Hi)을 갖고 마스크를 조명하게 된다. 조명된 빛은 마스크 상에 형성된 패턴에 의해 회절되는데, 마스크 패턴의 피치(pitch)가 미세하고 투영 렌즈의 개구수가 sin(│Hi)보다 크기 때문에 -1차 또는 고차로 회절된 빛은 투영렌즈로 들어가지 않는다. 따라서, 0차 및 1차로 회절된 빛만이 웨이퍼 상에서 간섭되어 이미지를 형성한다.The incidence illumination method described above blocks the vertical component of incident light by the pupil and allows only the inclined component (incident component) to reach the mask. That is, in the incident illumination system, since the pupil is eccentric from the optical axis, the light passing through the pupil has a specific oblique angle (│ Hi) to illuminate the mask. The illuminated light is diffracted by the pattern formed on the mask. Since the pitch of the mask pattern is minute and the numerical aperture of the projection lens is larger than sin (│ Hi), the -1st or higher order diffracted light is transferred to the projection lens. It does not go in. Thus, only zero and first diffracted light interferes on the wafer to form an image.
상술한 종래의 사입사 조명 방법에 의하면, 해상도(R)가 통상의 투영 노광 방법에 비해 1.5배 정도 증가하며, 초점심도(DOF) 역시 향상된다. 해상도(R)와 초점심도(DOF)는 다음의 레이레이 식(Rayleigh's equation)에 나타난 바와 같이 투영광의 파장(exposure wavelength: λ)에 비례하고 렌즈의 개구수(numerical aperture: NA)에 반비례하는 것으로 알려져 있다.According to the conventional incidence illumination method described above, the resolution R is increased by about 1.5 times compared with the conventional projection exposure method, and the depth of focus is also improved. The resolution (R) and the depth of focus (DOF) are proportional to the exposure wavelength (λ) and inversely proportional to the numerical aperture (NA) of the lens, as shown in Rayleigh's equation: It is known.
R = k1× λ/NAR = k 1 × λ / NA
DOF = k2× λ / NA2 DOF = k 2 × λ / NA 2
이때, k1및 k2은 조명계의 코히어런스 팩터(coherence factor)(1; 광원 이미지의 직경(ld)을 투영 렌즈의 개구수(NA)로 나눈 값)인 공정능력 변수(process factors)로 대개 0.5 - 0.8 정도인 것으로 알려져 있다. 따라서, 해상도(R) 및 초점심도(DOF)는 코히어런스 팩터 │S에 의해 달라지는데, 스테퍼의 실질적인 광원은 파리눈 렌즈에 의해 맺히는 촛점이므로 사입사 조명 방법에서는 코히어런스 팩터 │S를 상기 퓨필에 의해 조절할 수 있어 해상도(R)와 초점심도(DOF)를 향상시킬 수 있다.Where k 1 and k 2 are the coherence factors of the illumination system (1) (process factors), which is the diameter (ld) of the light source image divided by the numerical aperture (NA) of the projection lens. It is usually known to be 0.5-0.8. Therefore, the resolution R and the depth of focus vary with the coherence factor │S. Since the actual light source of the stepper is the focal point formed by the fly's eye lens, the coherence factor │S is used in the injective illumination method. It can be adjusted by the to improve the resolution (R) and the depth of focus (DOF).
도 1은 콘택홀과 라인/스페이스 패턴이 정의되어 있는 종래의 마스크의 평면도이다.1 is a plan view of a conventional mask in which contact holes and line / space patterns are defined.
노광시 포토레지스트막은 모든 주변 영역으로 부터 에너지를 제공받아 집적시킨다. 이는 웨이퍼의 한 부근에서의 노광 도즈(Dose)가 이웃한 부근들에서의 노광 도즈에 영향을 받음을 의미한다. 이러한 현상을 근접 효과(promixity effect)라 하는데, 근접 효과는 투사 시스템에서 광학 회절에 의해 야기되는 것으로 알려져 있다. 광학 회절은 인접하는 패턴들이 서로 상호작용하도록 함으로써, 패턴 의존성을 갖는 변동을 야기한다.During exposure, the photoresist film receives energy from all peripheral regions and integrates it. This means that the exposure dose in one vicinity of the wafer is affected by the exposure dose in neighboring neighborhoods. This phenomenon is called a proximity effect, which is known to be caused by optical diffraction in the projection system. Optical diffraction causes adjacent patterns to interact with each other, causing variations with pattern dependency.
따라서, 도 1에 도시된 바와 같은 라인/스페이스(이하 L/S라 한다) 패턴(14)과 같은 주기적인 그레인 타입의 패턴에 사입사 조명 방법을 적용하면, 입사광의 회절 효과로 인하여 인접하는 L/S 패턴(14)들에 조사되는 회절광이 서로 보강-상쇄되어 패턴 부위와 비패턴 부위 간의 빛의 세기 차이를 명확히 한다. 따라서, L/S 패턴(14)에 조사되는 빛의 세기의 변화가 급격하여 웨이퍼 상에 전사되는 패턴의 해상도가 증가한다. 반면에 도 1에 도시된 바와 같은 콘택홀(12)의 경우는 상술한 바와 같은 주변 패턴에 의한 보강-상쇄 간섭현상이 발생되지 않아 조사되는 빛의 세기 변화가 완만해 진다. 더욱이, 입사광의 수직 성분을 제거하는 사입사 조명 방법으로 콘택홀(12)을 웨이퍼 상에 전사시킬 때는 주변 패턴에 의한 영향이 없어 L/S 패턴(14)의 노광 도즈보다 작은 노광 도즈를 받는다. 따라서, 사입사 조명계에서 콘택홀(12)의 이미지는 기존 조명계에서의 콘택홀의 이미지에 비해 콘트라스트가 떨어져서 해상도가 저하된다.Therefore, when the incident illumination method is applied to a periodic grain type pattern such as the line / space (hereinafter referred to as L / S) pattern 14 shown in FIG. 1, adjacent L due to the diffraction effect of incident light is applied. The diffracted light irradiated onto the / S patterns 14 is augmented-off canceled with each other to clarify the difference in light intensity between the pattern portion and the non-pattern portion. Therefore, the change of the intensity of light irradiated to the L / S pattern 14 is suddenly increased, so that the resolution of the pattern transferred onto the wafer is increased. On the other hand, in the case of the contact hole 12 as shown in FIG. 1, the reinforcement-cancellation interference caused by the surrounding pattern as described above does not occur, so that the change in the intensity of the irradiated light becomes smooth. Furthermore, when the contact hole 12 is transferred onto the wafer by the incident illumination method of removing the vertical component of the incident light, there is no influence due to the peripheral pattern and receives an exposure dose smaller than the exposure dose of the L / S pattern 14. Therefore, the resolution of the image of the contact hole 12 in the incident lighting system is lower in contrast compared to the image of the contact hole in the conventional illumination system.
따라서, 본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 사입사 조명계를 사용하는 리소그라피 방법에 있어서 콘택홀 이미지의 콘트라스트 및 해상도를 향상시킬 수 있는 마스크에 관한 것이다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention relates to a mask that can improve the contrast and resolution of a contact hole image in a lithography method using an incident light illumination system.
도 1은 콘택홀과 라인/스페이스 패턴이 정의되어 있는 종래의 마스크의 평면도이다.1 is a plan view of a conventional mask in which contact holes and line / space patterns are defined.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 마스크의 평면도이다.2 is a plan view of a mask according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 마스크의 평면도이다.3 is a plan view of a mask according to another embodiment of the present invention.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
10, 100, 200 ... 마스크12, 102, 202 ... 콘택홀10, 100, 200 ... mask 12, 102, 202 ... contact hole
14, 104 ... 라인/스페이스 패턴14, 104 ... line / space pattern
106 ... 보조 링208 ... 위상 반전막106 ... auxiliary ring 208 ... phase reversal membrane
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object of the present invention,
사입사 조명 방법으로 피노광물에 패턴들을 전사하기 위한 마스크에 있어서, 상기 패턴들은 적어도 하나의 콘택홀을 포함하며, 상기 적어도 하나의 콘택홀로 부터 소정 간격을 두고 배치되어 콘택홀에 회절광의 간섭을 유발하여 광의 콘트라스트를 증가시키는 역할을 하는 적어도 하나의 보조 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크를 제공한다.A mask for transferring patterns to an object to be exposed by an incidence illumination method, wherein the patterns include at least one contact hole and are disposed at a predetermined distance from the at least one contact hole to cause interference of diffracted light in the contact hole. Thereby providing at least one auxiliary ring which serves to increase the contrast of light.
또한 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In addition, the present invention to achieve the above object,
사입사 조명 방법으로 피노광물에 패턴들을 전사하기 위한 마스크에 있어서, 상기 패턴들은 적어도 하나의 콘택홀을 포함하며, 상기 적어도 하나의 콘택홀의 주변에 입사광의 위상을 전시키기 위한 위상 반전막을 형성함으로써 피노광물에 전사된 콘택홀 이미지의 콘트라스트를 증가시키는 것을 특징으로 하는 마스크를 제공한다.A mask for transferring patterns to an object to be exposed by an incidence illumination method, the patterns comprising at least one contact hole, and forming a phase reversal film for transferring a phase of incident light around the at least one contact hole. A mask is provided which increases the contrast of a contact hole image transferred to a mineral.
상술한 바와 같이 L/S 패턴과 같이 주변에 패턴들이 주기적으로 형성되어 있을 경우, 사입사 조명 방법으로 피노광물에 패턴들을 전사할 때는 빛의 회절 특성으로 인하여 인접하는 패턴들 간에 상호 보강-상쇄 간섭 현상이 유발되어 L/S 패턴이미지의 콘트라스트를 증가 시킬 수 있다. 반면에, 콘택홀은 그 주변에 간섭 현상을 일으키는 패턴이 없으므로, 그 콘트라스트가 저하된다.As described above, when the patterns are periodically formed around the L / S pattern, when the patterns are transferred to the target object by the incidence illumination method, mutual reinforcement- canceling interference between adjacent patterns due to the diffraction characteristic of light. This phenomenon can be caused to increase the contrast of the L / S pattern image. On the other hand, since the contact hole does not have a pattern causing interference around it, its contrast is reduced.
따라서 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 콘택홀로 부터 소정 간격을 두고 한계 해상도 이하의 보조 링을 배치함으로써, 빛의 회절 특성으로 인하여 상기 콘택홀과 보조 링 간에 간섭 현상을 유발하여 웨이퍼 상에 전사되는 콘택홀 이미지의 콘트라스트 및 해상도를 증가시킬 수 있다.Therefore, according to a preferred embodiment of the present invention, by placing the auxiliary ring of less than the limit resolution at a predetermined distance from the contact hole, due to the diffraction characteristics of the light causes an interference phenomenon between the contact hole and the auxiliary ring transfer on the wafer It is possible to increase the contrast and resolution of the contact hole image.
또한, 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의하면, 콘택홀의 주변에 입사광의 위상을 180°반전 시키는 위상 반전막(phase shifter)을 형성한다. 일반적으로, 빛이 마스크 기판이나 위상 반전막을 통과할 때, 그 파장은 진공 중의 파장을 위상 반전막 물질의 굴절률로 나눈 값으로 짧아진다. 따라서, 같은 위상의 빛이 위상 반전막의 유무에 따라서 차이가 생기게 되며, 이 때의 광 위상차이를 θ라 하면, θ = 2πt(n-1)/λ (여기서, n은 위상 반전막의 굴절률이고, t는 위상 반전막의 두께이고, λ는 사용되는 파장이다)이고, θ가 π인 경우에 위상 반전막을 통과한 광선은 역위상을 갖게된다. 따라서, 콘택홀을 통과한 빛과 위상 반전막을 통과한 빛이 서로 역위상이기 때문에, 빛의 회절 특성을 역이용함으로써 콘택홀 이미지의 콘트라스트를 증가시킬 수 있다.In addition, according to another preferred embodiment of the present invention, a phase shifter for inverting the phase of incident light by 180 ° is formed around the contact hole. In general, when light passes through a mask substrate or a phase reversal film, its wavelength is shortened by the wavelength in vacuum divided by the refractive index of the phase reversal film material. Therefore, the light of the same phase is different depending on the presence or absence of the phase reversal film. If the optical phase difference at this time is θ, θ = 2πt (n-1) / λ (where n is the refractive index of the phase reversal film, t is the thickness of the phase reversal film, λ is the wavelength used), and when θ is π, the light rays passing through the phase reversal film have an inverse phase. Therefore, since the light passing through the contact hole and the light passing through the phase reversal film are in phase with each other, the contrast of the contact hole image can be increased by reversely utilizing the diffraction characteristics of the light.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 마스크의 평면도이다.2 is a plan view of a mask according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명은 콘택홀(102)과 L/S 패턴(104)을 포함하는 주 패턴들을 갖는 마스크(100)에 있어서, 상기 콘택홀(102)로 부터 소정 간격을 두고 콘택홀(102)의 콘트라스트를 증가시키기 위한 보조 링(106)을 배치한다.As shown in FIG. 2, the present invention provides a mask 100 having main patterns including a contact hole 102 and an L / S pattern 104, with a predetermined distance from the contact hole 102. The auxiliary ring 106 is disposed to increase the contrast of the contact hole 102.
해상도를 증가시키기 위하여 사입사 조명 방법으로 마스크(100)의 패턴을 웨이퍼 상에 전사시키는 경우, L/S 패턴(104)과 같은 주기적인 그레인 타입의 패턴에 사입사 조명 방법을 적용하면, 입사광의 회절 효과로 인하여 인접하는 L/S 패턴(104)들에 조사되는 회절광이 서로 보강-상쇄되어 패턴 부위와 비패턴 부위 간의 빛의 세기 차이를 명확히 한다. 따라서, L/S 패턴(104)에 조사되는 빛의 세기의 변화가 급격하여 웨이퍼 상에 전사되는 패턴의 해상도가 증가한다.When the pattern of the mask 100 is transferred onto the wafer by the incident illumination method to increase the resolution, when the incident illumination method is applied to a periodic grain type pattern such as the L / S pattern 104, Due to the diffraction effect, the diffracted light irradiated to adjacent L / S patterns 104 is augmented and canceled with each other to clarify the difference in light intensity between the pattern portion and the non-pattern portion. Therefore, the change of the intensity of light irradiated to the L / S pattern 104 is suddenly increased, so that the resolution of the pattern transferred onto the wafer is increased.
또한, 콘택홀의 경우에는, 상술한 바와 같이 배치된 보조 링(106)에 의하여 콘택홀(102)과 보조 링(106) 간에 회절광의 보강-상쇄 간섭이 유발됨으로써 패턴 부위와 비패턴 부위 간의 빛의 세기 차이가 명확해 진다. 그 결과, 콘택홀(102)에 조사되는 빛의 세기의 변화가 급격하여 웨이퍼 상에 전사되는 패턴 이미지의 콘트라스트 및 해상도가 증가한다.In addition, in the case of the contact hole, the auxiliary ring 106 arranged as described above causes the constructive- canceling interference of the diffracted light between the contact hole 102 and the auxiliary ring 106, so that The difference in intensity becomes clear. As a result, the change of the intensity of light irradiated to the contact hole 102 is suddenly increased, and the contrast and resolution of the pattern image transferred onto the wafer are increased.
따라서, 사입사 조명 방법으로 마스크(100)의 패턴을 웨이퍼 상에 전사시킬 때, L/S 패턴(104)과 같은 주기적인 패턴의 이미지의 콘트라스트를 증가시킴과 동시에 근접 효과를 감소시킴으로써 콘택홀(102) 이미지의 콘트라스트도 증가시킬 수 있다.Therefore, when the pattern of the mask 100 is transferred onto the wafer by an incidence illumination method, the contact hole may be increased by increasing the contrast of the image of the periodic pattern such as the L / S pattern 104 and reducing the proximity effect. 102) The contrast of the image can also be increased.
여기서, 상기 보조 링(106)은 패턴 전사 후에 웨이퍼 상에서 해상되지 않아야 하므로, 그 선폭(l)이 사용되는 노광장치의 한계 해상도보다 작게 설계되어야 한다. 따라서, 콘택홀(102)의 선폭(L)에 대해 보조 링(106)의 선폭(l) 및 간격(d)을 조절하여 최적화된 마스크를 설계할 수 있다.Here, since the auxiliary ring 106 should not be resolved on the wafer after pattern transfer, its line width l should be designed to be smaller than the limit resolution of the exposure apparatus used. Accordingly, the optimized mask may be designed by adjusting the line width l and the spacing d of the auxiliary ring 106 with respect to the line width L of the contact hole 102.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 마스크의 평면도이다.3 is a plan view of a mask according to another embodiment of the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명은 콘택홀(202)을 포함하는 주 패턴들을 갖는 마스크(200)에 있어서, 상기 콘택홀(202)의 주변에 입사광의 위상을 180°반전 시키는 위상 반전막(208)을 형성한다. 일반적으로, 빛이 임의의 물질을 통과할 때, 그 파장은 진공 중의 파장을 상기 물질의 굴절률로 나눈 값으로 변한다. 따라서, 같은 위상의 빛이 위상 반전막(208)의 유무에 따라서 반전막(208)의 굴절률에 의해 차이가 생기게 되며, 광 위상 차이가 π인 경우에 위상 반전막(208)을 통과한 광선은 역위상을 갖게된다. 따라서, 콘택홀(202)를 통과한 빛과 위상 반전막(208)을 통과한 빛이 서로 역위상이기 때문에, 빛의 회절 특성을 역이용함으로써 콘택홀 이미지의 콘트라스트를 증가시킬 수 있다.As shown in FIG. 3, in the mask 200 having main patterns including a contact hole 202, a phase inversion film inverting a phase of incident light by 180 ° around the contact hole 202. And form 208. In general, when light passes through any material, its wavelength is changed to the wavelength in vacuum divided by the refractive index of the material. Therefore, the light of the same phase is caused by the refractive index of the inversion film 208 according to the presence or absence of the phase inversion film 208, and when the light phase difference is π, the light passing through the phase inversion film 208 It will have a reversed phase. Therefore, since the light passing through the contact hole 202 and the light passing through the phase reversal film 208 are in phase with each other, the contrast of the contact hole image can be increased by reversely utilizing the diffraction characteristics of the light.
여기서, 상기 위상 반전막(208)은 스핀-온 글라스(SOG), 스퍼터된 실리콘 산화막, 화학 기상 증착된 실리콘 산화막, 레지스트 및 다른 투명막의 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 위상 반전막(208)은 상기 콘택홀(202)을 둘러싸도록 형상하는 것이 바람직하다.Here, the phase reversal film 208 is preferably formed of any one selected from the group of spin-on glass (SOG), sputtered silicon oxide film, chemical vapor deposition silicon oxide film, resist, and other transparent film. In addition, the phase reversal film 208 may be shaped to surround the contact hole 202.
상술한 바와 같이 본 발명의 마스크에 의하면, 콘택홀로 부터 소정 간격을 두고 한계 해상도 이하의 보조 링을 배치함으로써, 빛의 회절 특성으로 인하여 상기 콘택홀과 보조 링 간에 간섭 현상을 유발하여 웨이퍼 상에 전사되는 콘택홀 이미지의 콘트라스트 및 해상도를 증가시킬 수 있다.As described above, according to the mask of the present invention, by placing an auxiliary ring of less than the limit resolution at a predetermined distance from the contact hole, due to the diffraction characteristics of the light causes an interference phenomenon between the contact hole and the auxiliary ring to transfer on the wafer It is possible to increase the contrast and resolution of the contact hole image.
또한, 콘택홀의 주변에 입사광의 위상을 180°반전 시키는 위상 반전막을 형성하여 콘택홀을 통과한 빛과 위상 반전막을 통과한 빛이 서로 역위상이 되게 하므로써, 콘택홀 이미지의 콘트라스트 및 해상도를 증가시킬 수 있다.In addition, by forming a phase inversion film that inverts the phase of the incident light by 180 ° around the contact hole, the light passing through the contact hole and the light passing through the phase inversion film are reversed to each other, thereby increasing the contrast and resolution of the contact hole image. Can be.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960059816A KR19980040594A (en) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | Photo mask for photo etching process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960059816A KR19980040594A (en) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | Photo mask for photo etching process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980040594A true KR19980040594A (en) | 1998-08-17 |
Family
ID=66483198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960059816A KR19980040594A (en) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | Photo mask for photo etching process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980040594A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100780551B1 (en) * | 2006-11-29 | 2007-11-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Fabricating method of a mask |
| KR100913329B1 (en) * | 2007-12-05 | 2009-08-20 | 주식회사 동부하이텍 | Mask pattern of forming via, and method for manufacturing thereof |
-
1996
- 1996-11-29 KR KR1019960059816A patent/KR19980040594A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100780551B1 (en) * | 2006-11-29 | 2007-11-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Fabricating method of a mask |
| KR100913329B1 (en) * | 2007-12-05 | 2009-08-20 | 주식회사 동부하이텍 | Mask pattern of forming via, and method for manufacturing thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5636002A (en) | Auxiliary mask features for enhancing the resolution of photolithography | |
| KR100306415B1 (en) | Photomask used for a projection exposure equipment | |
| US5863677A (en) | Aligner and patterning method using phase shift mask | |
| JP4646367B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device | |
| US6780574B2 (en) | Multiple exposure method | |
| KR100579637B1 (en) | Imaging method using phase boundary masking with modified illumination | |
| US5642183A (en) | Spatial filter used in a reduction-type projection printing apparatus | |
| US5358827A (en) | Phase-shifting lithographic masks with improved resolution | |
| US6020950A (en) | Exposure method and projection exposure apparatus | |
| US6917411B1 (en) | Method for optimizing printing of an alternating phase shift mask having a phase shift error | |
| KR100475083B1 (en) | Photomask for forming small contact holes array, method for fabricating the same and method for using the same | |
| JP2000021720A (en) | Exposure method and manufacture of aligner | |
| JP2004251969A (en) | Phase shift mask, method for forming pattern by using phase shift mask, and method for manufacturing electronic device | |
| EP1346261B1 (en) | Projection lithography using a phase-shifting aperture | |
| KR19980040594A (en) | Photo mask for photo etching process | |
| JPH05281698A (en) | Photomask and pattern transfer method | |
| KR19980040591A (en) | Photomask for Photo Etching Process | |
| KR100434954B1 (en) | Method for exposing of semiconductor device | |
| KR0183706B1 (en) | Projection exposure method, the mask thereof | |
| KR19980040592A (en) | Photomask for Photo Etching Process | |
| KR19980040593A (en) | Masks for Photolithography | |
| KR0146399B1 (en) | Semiconductor pattern forming method | |
| JPH05315226A (en) | Projection aligner | |
| US7008729B2 (en) | Method for fabricating phase mask of photolithography process | |
| KR0144940B1 (en) | Projection exposure method and mask used therein |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |