KR19980034580A - Fine coil and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
미세 코일 및 그 제조방법에 대해 개시되어 있다. 이 미세코일은 기판과, 기판 상에, 소정의 폭을 가지며 한쪽이 열린 폐곡선 모양으로 적어도 한층 이상 적층되어 있는 도전막 패턴을 구비하며, 이 도전막들은 그 사이에 적층된 절연막에 의해 서로 분리되며 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 연결되어 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 전자회로의 기본 구성요소이며 자기센서나 기록장치 또는 여러 가지 표시소자에도 널리 활용될 수 있는 미세 코일의 형성이 가능하다.A fine coil and a method of manufacturing the same are disclosed. The microcoil has a substrate and a conductive film pattern stacked on the substrate with at least one or more layers having a predetermined width and having an open closed curve on one side, and the conductive films are separated from each other by an insulating film stacked therebetween. And a contact hole penetrating through the insulating film. Accordingly, it is possible to form a fine coil that is a basic component of an electronic circuit and can be widely used in a magnetic sensor, a recording device, or various display devices.
Description
본 발명은 미세코일 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 미세가공 기술을 이용하여 코일을 형성함으로써 미세 자기장이 필요한 제품에 광범위하게 응용될 수 있는 미세코일 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a microcoil and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a microcoil and a method for manufacturing the same, which can be widely applied to a product requiring a fine magnetic field by forming a coil using a micromachining technique.
전자 회로의 구성에 있어서 코일(coil)은 기본요소 중의 하나이다. 저항, 전기용량, 코일이 전자회로의 구성요소로 사용되며, 이들 부품들이 수동소자(passive device)로서 널리 사용되고 있다.The coil is one of the basic elements in the construction of the electronic circuit. Resistance, capacitance, and coils are used as components of electronic circuits, and these components are widely used as passive devices.
한편, 근래에는 전자회로의 구성요소로써 집적회로(Integrated Circuit; IC)가 널리 사용되고 있으며, 반도체 산업의 핵심이 되어 있다. 이 집적회로는 미세가공 기술을 이용하여 작은 면적 위에 많은 수의 능동소자(active device) 및 수동소자들을 구성하여 기능을 발휘하도록 되어 있다. 이러한 반도체 미세가공 기술은 평판 표시소자의 제조에도 응용되어 액티브 매트릭스 박막 트랜지스터(Active Matrix Thin Film Transistor; AMTFT) 액정 표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)의 근간이 되고 있다. 그러나, 코일에 있어서 원하는 정도의 충분한 인덕컨스를 유지하면서 소형화된 코일을 제조하는 데에는 많은 어려움이 있었다.In recent years, integrated circuits (ICs) are widely used as components of electronic circuits, and have become the core of the semiconductor industry. This integrated circuit uses a microfabrication technique to configure a large number of active devices and passive devices on a small area to perform a function. The semiconductor microfabrication technology has been applied to the manufacture of flat panel display devices, and has become the basis of an Active Matrix Thin Film Transistor (AMTFT) Liquid Crystal Display (LCD). However, there have been many difficulties in producing miniaturized coils while maintaining a sufficient degree of inductance in the coil.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 충분한 인덕턴스를 유지하면서도 소형화된 미세 코일을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 미세 코일의 적합한 제조방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a miniaturized fine coil while maintaining sufficient inductance. In addition, another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a suitable method for producing the fine coil.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 제1 실시예에 의한 미세코일의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a microcoil according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 미세코일을 입체적으로 나타낸 도면이다.2 is a diagram three-dimensionally showing the microcoil according to the first embodiment of the present invention.
도 3a 내지 도 6b는 본 발명의 제2 실시예에 의한 미세코일의 제조방법을 설명하기 위한 도면들로서, 각 도의 a는 평면도를 각 도의 b는 단면도를 나타낸다.3A to 6B are diagrams for describing a method of manufacturing a microcoil according to a second exemplary embodiment of the present invention, in which a is a plan view and b is a cross-sectional view.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
2, 40.....기판4, 14, 24, 42, 52.....코일패턴2, 40 ..... substrate 4, 14, 24, 42, 52 ..... coil pattern
6, 16, 26, 44, 48...절연막34.....코일6, 16, 26, 44, 48 Insulation 34. Coil
8, 38.....콘택홀46.....제1 물질층 패턴8, 38 ..... Contact hole 46 ..... First material layer pattern
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명에 의한 미세 코일은, 기판; 및 상기 기판 상에, 한쪽이 열린 원통형의 도전막이 적어도 한층 이상 적층되어 있으며, 그 도전막들은 그 사이에 적층된 절연막에 의해 서로 분리되며 상기 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 연결된 도전막 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the fine coil according to the present invention includes a substrate; And at least one or more cylindrical conductive films having one open side stacked on the substrate, the conductive films being separated from each other by an insulating film stacked therebetween and connected through a contact hole penetrating the insulating film. Characterized in that.
여기서, 상기 도전막은 금속 또는 반도체로 이루어지고, 원형 또는 다각형이 될 수 있다.Here, the conductive film may be made of metal or semiconductor, and may be circular or polygonal.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명에 의한 다른 미세 코일은 기판; 상기 기판 상에 적어도 하나 이상 서로 평행하게 배열된 선형의 제1 코일패턴; 상기 제1 코일패턴이 형성된 결과물 상에 형성된 절연막; 및 상기 제1 코일패턴 양측 가장자리의 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해, 그 일측은 소정의 제1 코일패턴에 연결되고 타측은 상기 일측과 연결된 제1 코일패턴과 인접한 코일패턴에 연결되는 제2 코일패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.Another fine coil according to the present invention to achieve the above object is a substrate; At least one linear first coil pattern arranged parallel to each other on the substrate; An insulating film formed on a resultant product on which the first coil pattern is formed; And a second coil connected to a coil pattern adjacent to a first coil pattern connected to a predetermined first coil pattern and the other side connected to a coil pattern adjacent to the first coil pattern through a contact hole penetrating through insulating films at both edges of the first coil pattern. It is characterized by including a pattern.
상기 절연막 위에는 제1 코일패턴의 중심부에 해당되는 위치에 투자율(透磁率)이 높은 물질로 이루어진 제1 물질층 패턴이 더 형성되어 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 코일패턴은 금속 또는 반도체로 이루어진 것이 바람직하다.A first material layer pattern made of a material having a high permeability is further formed on the insulating layer at a position corresponding to the center of the first coil pattern. The first and second coil patterns may be made of metal or semiconductor.
상기 다른 과제를 이루기 위하여 본 발명에 의한 미세코일의 제조방법은, 기판 상에 한쪽이 열린 폐곡선 모양의 제1 도전막 패턴을 형성하는 단계; 제1 도전막 패턴이 형성된 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 식각하여 상기 도전막 패턴의 가장자리 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 콘택홀이 형성된 결과물 상에, 상기 콘택홀을 통해 상기 제1 도전막 패턴과 연결된 제2 도전막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 절연막, 콘택홀 및 도전막 패턴을 형성하는 단계를 적어도 1회이상 반복함으로써 한쪽이 열린 폐곡선의 평면을 갖는 통형의 미세코일을 형성하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a microcoil, the method including: forming a closed curved first conductive film pattern on one side of a substrate; Forming an insulating film on the substrate on which the first conductive film pattern is formed; Etching the insulating layer to form a contact hole exposing an edge portion of the conductive layer pattern; Forming a second conductive layer pattern connected to the first conductive layer pattern through the contact hole on the resultant formed contact hole; And repeating the forming of the insulating film, the contact hole and the conductive film pattern at least one or more times to form a cylindrical micro coil having a plane of the closed curve on one side.
상기 제1 및 제2 도전막 패턴은 금속 또는 반도체를 사용하여 한쪽이 열린 원형 또는 다각형으로 형성할 수 있다.The first and second conductive layer patterns may be formed in a circle or a polygon in which one side is opened using a metal or a semiconductor.
상기 다른 과제를 이루기 위하여 본 발명에 의한 미세코일의 다른 제조방법은, 투명한 기판 상에 적어도 하나 이상 서로 평행한 제1 코일패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 코일패턴이 형성된 결과물 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 식각하여 상기 제1 코일패턴 양측 가장자리를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및 결과물 상에 도전물질을 증착한 후 패터닝하여 그 일측은 상기 제1 코일패턴의 어느 하나에 연결되고 타측은 그 일측이 연결된 코일패턴의 인접한 코일패턴에 연결되는 제2 코일패턴을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a microcoil, the method including: forming at least one first coil pattern parallel to each other on a transparent substrate; Forming an insulating film on a resultant product on which the first coil pattern is formed; Etching the insulating layer to form a contact hole exposing both edges of the first coil pattern; And depositing and patterning a conductive material on the resultant to form a second coil pattern whose one side is connected to any one of the first coil patterns and the other side is connected to an adjacent coil pattern of the coil pattern to which one side is connected. It is characterized by including.
상기 절연막을 형성하는 단계 후에, 상기 제1 코일패턴의 중심부에 해당하는 위치의 상기 절연막 상에 제1 물질층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 물질층 패턴이 형성된 결과물 상에 절연막을 형성하는 단계를 더 구비할 수 있다. 이 때, 상기 제1 물질층 패턴은 투자율(透磁率)이 높은 물질로 형성하는 것이 바람직하다.After forming the insulating film, forming a first material layer pattern on the insulating film at a position corresponding to the center of the first coil pattern, and forming an insulating film on the resultant product formed with the first material layer pattern It may further comprise a step. In this case, the first material layer pattern is preferably formed of a material having a high permeability.
본 발명에 따르면, 반도체 미세패턴 형성기술을 이용함으로써 충분한 인덕턴스를 유지하면서도 미세화된 코일을 제작할 수 있어 자기센서나 기록장치 또는 여러 가지 표시소자에도 널리 활용할 수 있다.According to the present invention, it is possible to manufacture a miniaturized coil while maintaining sufficient inductance by using a semiconductor micropattern forming technique, which can be widely used for a magnetic sensor, a recording device, or various display elements.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
제1 실시예First embodiment
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 제1 실시예에 의한 미세코일의 제조방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a microcoil according to a first embodiment of the present invention, according to a process sequence.
도 1a은 코일패턴(4)을 형성하는 단계를 나타낸다.1A shows the step of forming the coil pattern 4.
상세하게는, 기판(2) 위에 도전물질을 증착한 후 증착된 도전막을 한쪽이 열린 원형으로 패터닝함으로써 제1 코일패턴(4)을 형성한다. 상기 도전막은 금속 또는 반도체를 사용하여 형성하는데, 빛이 통과할 필요가 있을 때에는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 산화주석(SnO2) 등과 같은 투명 전극물질을 사용하는 것이 바람직하다.In detail, the first coil pattern 4 is formed by depositing a conductive material on the substrate 2 and then patterning the deposited conductive film into an open circle on one side. The conductive layer is formed using a metal or a semiconductor. When light needs to pass through, it is preferable to use a transparent electrode material such as indium tin oxide (ITO) or tin oxide (SnO 2).
도 1b는 제1 절연막(6) 및 콘택홀(8)을 형성하는 단계를 나타낸다.1B illustrates a step of forming the first insulating film 6 and the contact hole 8.
상세하게는, 제1 코일패턴(4)이 형성된 결과물 상에 평탄한 제1 절연막(8)을 형성한 후, 상기 제1 절연막을 식각하여 제1 코일패턴(4)의 중심부를 노출시키는 콘택홀(8)을 형성한다. 이 때, 상기 콘택홀(8)은 한쪽이 열린 원형으로 패터닝된 제1 코일패턴(4)의 개구부의 끝부분에 형성한다.In detail, after the first insulating film 8 is formed on the resultant material on which the first coil pattern 4 is formed, the contact hole is formed by etching the first insulating film to expose the center portion of the first coil pattern 4. 8) form. At this time, the contact hole 8 is formed at the end of the opening of the first coil pattern 4 patterned in an open circle on one side.
도 1c는 제2 코일패턴(14)을 형성하는 단계를 나타낸다.1C illustrates a step of forming the second coil pattern 14.
상세하게는, 콘택홀이 형성된 결과물 상에 상기 콘택홀을 채우면서 상기 절연막 표면으로부터 일정 두께를 갖도록 도전성 물질을 증착한 후, 증착된 도전막을 제1 코일패턴(4)과 같은 모양으로 패터닝하여 제2 코일패턴(14)을 형성하고, 그 위에 평탄한 제2 절연막(16)을 형성한다.Specifically, the conductive material is deposited to have a predetermined thickness from the surface of the insulating film while filling the contact hole on the resultant formed contact hole, and then patterning the deposited conductive film in the same shape as the first coil pattern 4 to form The second coil pattern 14 is formed, and a flat second insulating film 16 is formed thereon.
이러한 코일패턴 절연막 형성공정을 수회 반복함으로써 원하는 양의 코일패턴을 형성할 수 있다.By repeating this coil pattern insulating film formation process several times, a desired amount of coil patterns can be formed.
도 1c는 최종 절연막(26)을 형성하는 단계를 나타낸다.1C shows the step of forming the final insulating film 26.
상세하게는, 도 1a 및 도 1b의 공정을 수회 반복함으로써 수회의 코일패턴이 형성된 결과물 상에, 절연막을 증착한 후 평탄화함으로써 최종적인 절연막(26)을 형성한다. 상기 마지막 코일패턴(24) 형성시 외부 전원 연결용 배선(도시되지 않음)도 함께 형성하여 상기 코일에 전류가 흐를 수 있도록 한다.Specifically, by repeating the processes of FIGS. 1A and 1B several times, the final insulating film 26 is formed by depositing an insulating film and then planarizing the resultant on the resultant coil pattern formed several times. When the last coil pattern 24 is formed, an external power connection wire (not shown) is also formed to allow current to flow in the coil.
이러한 식으로 코일들을 연결할 경우, 즉 코일의 개구부 양끝부분에 각각 콘택홀을 형성하여 상, 하 코일패턴들이 연결되도록 할 경우 코일패턴들은 병렬로 연결된다. 코일패턴들이 직렬로 연결되도록 하기 위해서는 제1 코일패턴(4)을 형성할 때 코일 개구부의 양끝중에서 한쪽은 전원의 한쪽단자에 연결되도록 배선을 형성하고 한 쪽에만 콘택홀을 형성한 후 절연막을 증착한다. 그리고, 제2 코일패턴을 형성하기 위한 도전막을 증착하기 전 콘택홀 형성시, 첫 번째 코일의 개구부의 양끝중에서 전원에 연결되지 않은 쪽에 콘택홀을 형성한 후 다음 코일패턴 형성공정을 진행하면 코일패턴들을 직렬로 연결할 수 있다.When the coils are connected in this manner, that is, when the contact holes are formed at both ends of the opening of the coil so that the upper and lower coil patterns are connected, the coil patterns are connected in parallel. In order to connect the coil patterns in series, when the first coil pattern 4 is formed, one of the two ends of the coil opening is formed to be connected to one terminal of the power supply, and only one contact hole is formed, and then an insulating film is deposited. do. In the case of forming the contact hole before depositing the conductive film for forming the second coil pattern, the contact hole is formed on the side of the opening of the first coil not connected to the power source, and then the coil pattern forming process is performed. Can be connected in series.
또한, 상기한 방법으로 코일패턴을 형성할 때 코일 개구부는 항상 일정 위치에 있게 되어 자기장 강도가 비대칭으로 분포할 수 있는데, 자기장이 균일하게 분포하도록 하기 위해서는 각 층의 코일패턴을 형성할 때마다 코일 개구부가 형성되는 위치를 일정 각도씩 어긋나게 함으로써 자기장 강도 분포의 불균일성을 보완할 수 있다.In addition, when the coil pattern is formed by the above method, the coil openings are always in a predetermined position so that the magnetic field strengths may be distributed asymmetrically. In order to uniformly distribute the magnetic field, the coils may be formed every time the coil pattern of each layer is formed. By shifting the position where the opening is formed by a predetermined angle, the nonuniformity of the magnetic field intensity distribution can be compensated.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 미세코일을 입체적으로 도시한 것으로, 코일의 모양과 콘택의 위치가 나타나 있다.Figure 2 shows a three-dimensional micro-coil according to the first embodiment of the present invention, the shape of the coil and the position of the contact is shown.
도시된 바와 같이, 한쪽이 열린 원형으로 코일패턴(34)이 도시되어 있으며, 상기 코일의 양끝 부분에 상, 하 코일들을 연결시키기 위한 콘택(38)이 배치되어 있다.As shown, the coil pattern 34 is shown in an open circle on one side, and contacts 38 for connecting the upper and lower coils are disposed at both ends of the coil.
상기 코일의 모양은 도 2에 도시된 원통형 이외에 그 평면이 타원형, 사각형, 삼각형등 여러 가지 모양으로 형성할 수 있으며, 코일의 반경을 각 층마다 달리 조합하여 자기장의 세기분포를 조절할 수 있다.The shape of the coil may be formed in various shapes such as an oval, a square, a triangle, etc. in addition to the cylindrical shape shown in FIG. 2, and the intensity distribution of the magnetic field may be adjusted by differently combining the radius of the coil for each layer.
제2 실시예Second embodiment
도 3a 내지 도 6a, 도 3b 내지 도 6b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세코일의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 도면들로서, 각도 a는 평면도를 각도 b는 상기 평면도의 X-X'선을 자른 단면도를 각각 나타낸다.3A to 6A and 3B to 6B are diagrams for explaining a method of manufacturing a microcoil according to a second embodiment of the present invention, wherein angle a is a plan view and angle b is X-X 'of the plan view. The cross-sectional view which cut the line is shown, respectively.
도 3a 및 도 3b는 제1 코일패턴(42)을 형성하는 단계를 나타낸다.3A and 3B illustrate forming the first coil pattern 42.
상세하게는, 기판(40) 위에 도전물질을 증착한 후 증착된 도전막을 서로 평행하게 배열되도록 패터닝함으로써 제1 코일패턴(42)을 형성한다. 상기 도전막은 금속 또는 반도체를 사용하여 형성하는데, 빛이 통과할 필요가 있을 때에는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 산화주석(SnO2) 등과 같은 투명 전극물질을 사용하는 것이 바람직하다. 도 3a에 도시된 패턴의 개수는 코일의 회전수와 동일하다.In detail, the first coil pattern 42 is formed by depositing a conductive material on the substrate 40 and then patterning the deposited conductive films to be parallel to each other. The conductive layer is formed using a metal or a semiconductor. When light needs to pass through, it is preferable to use a transparent electrode material such as indium tin oxide (ITO) or tin oxide (SnO 2). The number of patterns shown in FIG. 3A is equal to the number of revolutions of the coil.
도 4a 및 도 4b는 제1 절연막(44) 및 제1 물질층 패턴(46)을 형성하는 단계를 나타낸다.4A and 4B illustrate forming the first insulating layer 44 and the first material layer pattern 46.
상세하게는, 코일패턴이 형성된 결과물 상에 평탄한 제1 절연막(44)을 형성하고, 상기 절연막 상에 투자율(透磁率)이 높은 물질을 증착하여 제1 물질층을 형성한 후 이를 패터닝하여 제1 물질층 패턴(46)을 형성한다. 상기 제1 물질층 패턴(46)은 도 4a에 도시된 바와 같이 코일의 중심부에 위치하여 자속(磁束)을 높이는 역할을 한다.In detail, a flat first insulating film 44 is formed on the resultant coil pattern, a material having a high permeability is deposited on the insulating film to form a first material layer, and then patterned the first material layer. The material layer pattern 46 is formed. The first material layer pattern 46 is located at the center of the coil as shown in FIG. 4A to increase magnetic flux.
도 5a 및 도 5b는 제2 절연막(48) 및 콘택홀(50)을 형성하는 단계를 나타낸다.5A and 5B illustrate forming the second insulating layer 48 and the contact hole 50.
상세하게는, 제1 물질층 패턴이 형성된 결과물 상에 평탄한 제2 절연막(48)을 형성한 후 상기 제2 절연막을 식각하여 상기 제1 코일패턴(42)의 양끝 부분을 노출시키는 콘택홀(50)을 형성한다.In detail, a contact hole 50 exposing both ends of the first coil pattern 42 by etching the second insulating layer after forming the flat second insulating layer 48 on the resultant material having the first material layer pattern is formed. ).
도 6a 및 도 6b는 제2 코일패턴(52)을 형성하는 단계를 나타낸다.6A and 6B illustrate forming a second coil pattern 52.
상세하게는, 콘택홀이 형성된 결과물 전면에, 상기 콘택홀을 채우면서 상기 제2 절연막의 표면으로부터 일정 두께를 갖도록 도전물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 제2 코일패턴(52)을 형성한다. 상기 제2 코일패턴(52)은 도시된 바와 같이, 제1 코일패턴과 엇갈리게 패터닝되어 상기 제1 코일패턴(42)들과 연결되게 형성된다. 이 때, 도 6a에 도시된 바와 같이 양측 끝단에 형성되는 제1 코일패턴에는 전원용 배선(60)이 연결되도록 함으로써 코일에 전류가 공급할 수 있도록 한다.In detail, the second coil pattern 52 is formed by depositing a conductive material to have a predetermined thickness from the surface of the second insulating layer while filling the contact hole, and patterning the conductive material on the entire surface of the resultant formed contact hole. As shown in the drawing, the second coil pattern 52 is alternately patterned with the first coil pattern to be connected to the first coil patterns 42. At this time, as shown in FIG. 6A, the power supply wire 60 is connected to the first coil patterns formed at both ends, so that current can be supplied to the coil.
이후, 보호막 형성등 필요에 따라 후속 공정을 통상의 방법으로 진행한다.Subsequently, a subsequent step is performed by a conventional method as necessary, such as formation of a protective film.
이상 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 사상내에서 당분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited thereto, and many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.
상술한 본 발명에 의한 미세코일 및 그 제조방법에 따르면, 반도체 미세패턴 형성기술을 이용함으로써 전자회로의 기본 구성요소이며 자기센서나 기록장치 또는 여러 가지 표시소자에도 널리 활용될 수 있는 미세 코일의 형성이 가능하다.According to the fine coil and the method of manufacturing the same according to the present invention, the formation of a fine coil that is a basic component of an electronic circuit and widely used in a magnetic sensor, a recording device, or various display elements by using a semiconductor fine pattern forming technology. This is possible.
Claims (13)
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|---|---|---|---|
| KR1019960052678A KR19980034580A (en) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | Fine coil and its manufacturing method |
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| KR1019960052678A KR19980034580A (en) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | Fine coil and its manufacturing method |
Publications (1)
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|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100602078B1 (en) * | 2003-10-01 | 2006-07-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Inductor of semiconductor device and fabricating method therefor |
| KR20180012187A (en) * | 2016-07-26 | 2018-02-05 | 삼성전기주식회사 | Fan-out semiconductor package |
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1996
- 1996-11-07 KR KR1019960052678A patent/KR19980034580A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| WITB | Written withdrawal of application |