KR19980031798A - 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 평면 구동 방식(IPS mode : in-plane switching mode)의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 하나의 투명한 절연 기판 위에 화소를 개구부로 하는 블랙 매트릭스를 형성하고 게이트선과 데이터선을 형성하여 박막 트랜지스터를 형성한다. 따라서 본 발명에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에서는 블랙 매트릭스를 게이트선과 데이터선의 하부에 형성함으로써 블랙 매트릭스를 이용하여 백 라이트의 빛을 차단하여 광유도 전류의 발생을 차단할 수 있으며 게이트선, 데이터선 및 블랙 매트릭스를 동일한 기판에 형성하여 화소의 개구율을 향상시키는 효과가 있다.

Description

평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 평면 구동 방식(IPS mode : in-plane switching mode)의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 최근 들어 가장 각광을 받고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서 액정 물질의 전기 광학적(electro-optical) 효과를 이용한 표시 장치이며, 그 구동 방식은 크게 단순 행렬형(simple matrix type)과 능동 행렬형(active matrix type)으로 나누어진다.
능동 행렬형 액정 표시 장치는 행렬의 형태로 배열된 각 화소에 비선형 특성을 가진 스위칭(switching) 소자를 부가하여 각 화소의 동작을 제어하는 것이다. 스위칭 소자로는 3단자형인 박막 트랜지스터(TFT : thin film transistor)가 일반적으로 사용되며, 2단자형인 MIM(metal insulator metal) 따위의 박막 다이오드(TFD : thin film diode)가 사용되기도 한다.
특히 현재 가장 활발하게 연구가 진행되고 있는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치는 화소 전극(pixel electrode)이 형성되어 있는 한 기판과 공통 전극(common electrode)이 형성되어 있는 다른 기판, 그리고 그 사이에 삽입되어 있는 액정 물질로 이루어져 있다. 이러한 액정 표시 장치에서 액정 분자들을 구동하기 위해서는 화소 전극과 공통 전극에 각각 전압을 인가하는 방식을 취하는 것이 일반적이다. 그리고 이 경우 액정 분자들이 한 기판에서부터 다른 기판에 이르기까지 90°비틀리게 배열되어 있는 비틀린 네마틱 방식(TN: twisted-nematic)이 주로 이용된다.
그러나 이러한 액정 표시 장치, 특히 비틀린 네마틱 방식의 액정 물질을 이용하는 액정 표시 장치는 대비(contrast)가 보는 각도에 의존한다. 특히 이러한 대비의 각도 의존성은 상하 방향으로 매우 심하다.
뿐만 아니라 화소 전극과 공통 전극을 서로 다른 기판에 형성하여야 하며, 공통 전극에 전압을 인가하기 위하여 두 기판을 단락시켜야 하기 때문에 공정 수가 많다는 문제점이 있다.
이러한 문제들을 해결하기 위한 방법으로 평면 구동 방식을 이용한 액정 표시 장치가 제안되고 있다.
평면 구동 방식은 한 기판에 화소 전극 및 공통 전극을 모두 형성하여 액정 표시 장치를 구동하는 방식으로서, 두 기판 사이의 전위차를 이용하는 일반적인 방식과는 달리, 한 기판 내에서 전위차를 주어 액정 분자의 반응을 일으키는 것이다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 평면 구동 방식의 액정 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다.
도1은 종래의 기술에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 평면도이고, 도2 (가) 및 (나)는 도1에서 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다.
제1도에 도시한 바와 같이, 종래의 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 한 기판(도시하지 않음)에는 게이트선(3)이 가로로 형성되어 있고 이와 직교하는 데이터선(5)이 세로로 형성되어 있다. 또 게이트선(3)과 평행한 부분과 데이터선(5)과 평행한 부분으로 이루어진 직사각 모양의 공통 전극선(7)이 화소를 단위로 형성되어 있다. 여기서, 게이트선(3)과 데이터선(5)의 교차점 부근에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있는데, 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(표시하지 않음)은 게이트선(3)의 일부이고, 데이터 전극(4)은 데이터선(5)의 일부이다. 한편, 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(6)은 데이터선(5)과 동일한 물질로 형성되어 있으며 연장되어 화소 전극(6, 8)을 이룬다. 화소 전극(6, 8)은 데이터선(5)에 평행한 두 세로부(8)와 게이트선(3)과 평행한 두 가로부(6)로 이루어져 있으며, 두 가로부(6)는 게이트선(3)과 평행한 공통 전극선(7)의 일부와 중첩되어 있고 두 세로부(8)는 각각 공통 전극선(7)의 분지(71) 양쪽에 형성되어 있으며 두 가로부(6)를 연결하고 있다. 화소 전극(6, 8)의 세로부(8)는 공통 전극선(7) 및 공통 전극선(7)의 분지(71)가 이루는 직사각 모양의 중앙을 가로지른다.
그리고 다른 기판(도시하지 않음)에는 화소를 단위를 분리하고 가로 방향과 세로 방향으로 교차하면서 블랙 매트릭스(9)가 형성되어 있다. 여기서, 블랙매트릭스(9)의 일부는 게이트선(3)과 평행한 공통 전극선(7)의 일부 및 데이터선(5)을 가리고 있으며 나머지 일부는 데이터선(5)과 평행한 공통 전극선(7)의 일부, 소스 전극(6, 8)의 가로부(6), 게이트선(3) 및 박막 트랜지스터(TFT)를 가리고 있다.
도2 (가)는 도1의 A부분을 도시한 단면도로서, 한 기판(1) 위에 공통 전극선(7)이 화소를 단위로 가장자리에 형성되어 있고 중앙에 그 분지(71)가 형성되어 있다. 한 기판(1) 위에는 공통 전극선(7) 및 그 분지(71)를 덮는 절연막(11)이 형성되어 있고, 그 상부에는 데이터선(5)과 소스 전극의 세로부(8)가 형성되어 있다(형성된 부분은 도1 참조). 그리고 한 기판을 덮는 보호막(13)이 형성되어 있다.
다른 기판(2)에는 블랙매트릭스(9)가 형성되어 있다. 블랙매트릭스(9)는 한 기판(1)에 형성되어 있는 공통 전극선(7)과 데이터선(5)에 대응하는 부분에 형성되어 있다.
도2 (나)는 도1의 B부분을 도시한 단면도로서, 한 기판(1) 위에 게이트선(3)의 일부인 게이트 전극(31)과 게이트선(3)과 평행하게 형성되어 있는 공통 전극선(7)의 일부가 두 부분으로 형성되어 있다. 기판(1) 위에는 게이트 전극(31) 및 공통 전극선(7)을 덮는 절연막(11)이 형성되어 있고 게이트 전극(31)에 대응하는 절연막(11) 상부에는 비정질 실리콘으로 이루어진 활성층(10)이 형성되어 있다. 활성층(10) 상부에는 데이터선(5)과 연결되어 있는 데이터 전극(4)과 소스 전극의 가로부(6)가 형성되어 있다. 여기서 소스 전극의 가로부(6)는 앞에서 설명한 바와 같이, 절연막(11)의 일부를 덮으면서 게이트선(3)과 평행한 공통 전극선(7)의 일부와 중첩되어 있으며 기판(1) 위에는 보호막(13)이 형성되어 있다.
다른 기판(2)에는 블랙 매트릭스(9)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(9)는 한 기판(1)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(TFT)와 소스 전극의 가로부(6)에 대응하는 부분에 형성되어 있다.
이러한 평면 구동 방식의 액정 표시 장치에서는, 공통 전극선(7) 및 그 분지(71)와 화소 전극(6, 8)의 전위 차, 특히 세로 방향의 공통 전극선(7) 및 그 분지(71)와 이에 평행한 화소 전극(8)을 이용하여 액정 분자의 방향을 변화시키고 이에 따라 나타나는 빛의 투과율 변화를 이용하여 표시 동작을 한다.
이러한 평면 구동 방식의 액정 표시 장치를 이용하여 시야각 특성을 측정한 결과 종래의 액정 표시 장치에 비하여 우수한 것으로 나타나고 있다.
그러나, 이 종래의 평면 구동 방식 액정 표시 장치에서는 기판과 평행한 전기장을 형성하기 위하여 공통 전극선(7)과 그 분지(71)가 만드는 표시 면적(하나의 화소)의 중앙부에 전극용 배선들이 형성되어 있어 개구율(aperture ratio)이 떨어지기 때문에 요구되는 밝기 효율을 높이기 위해서 백 라이트의 밝기를 증가시켜야 한다. 이에 따라 광 유도 전류가 증가하는 문제점을 가지고 있다.
본 발명의 과제는 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 평면 구동 방식의 장점인 광시야각 특성을 확보하면서도 개구율이 향상되고 광 누설 전류가 차단되는 평면 구동 방식 액정 표시 장치를 제시하는 데 있다.
도1은 종래의 기술에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 평면도이고,
도2 (가) 및 (나)는 도1에서 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이고,
도3은 본 발명의 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 평면도이고,
도4 (가) 및 (나)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이고,
도5 (가) 및 (나)는 본 발명의 제2 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이고,
도6 (가) 내지 (마)는 본 발명의 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이고,
도7 (가) 및 (마)는 본 발명에 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.
이러한 과제를 해결하기 위한 평면 구동 방식의 액정 표시 장치는 하나의 투명한 절연 기판 위에 서로 교차하여 화소를 정의하는 게이트선과 데이터선이 형성되어 있다.
또한 이러한 기판의 화소 내에 다수의 공통 전극이 형성되어 있으며 공통 전극과 평행하게 화소 전극이 공통 전극과 평행하게 형성되어 있다.
그리고 상기 화소를 제외한 부분에 불랙 매트릭스가 형성되어 있다.
여기서, 기판 위에는 블랙 매트릭스가 형성되어 있으며 블랙 매트릭스는 서로 교차하는 게이트선과 데이터선, 공통 전극 및 화소 전극의 일부와 중첩되어 있다.
이러한 본 발명에 따른 평면 구동 방식 액정 표시 장치의 제조 방법은 투명한 절연 기판 위에 화소를 개구부로 하는 블랙 매트릭스를 형성하고 블랙 매트릭스를 덮는 절연막을 형성하고 절연막 상부에 게이트선을 형성함과 동시에 화소의 내부에 세로 방향으로 공통 전극을 형성한다. 다음 기판 상부에 게이트선, 공통 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하고 비정질 실리콘층을 증착하여 활성 영역을 패터닝한다. 이어 기판 상부에 게이트선과 교차하는 데이터선을 형성함과 동시에 공통 전극과 평행한 화소 전극을 형성한다. 마지막으로 기판을 덮는 보호막을 형성한다.
여기서 블랙 매트릭스는 게이트선, 데이터선, 공통 전극 및 소스 전극의 일부와 중첩되어 있다.
또한, 이러한 본 발명에 따른 다른 평면 구동 방식 액정 표시 장치의 제조 방법은 블랙 매트릭스를 보호막을 형성한 이후에 형성할 수도 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법은 블랙 매트릭스를 화소 전극, 공통 전극, 데이터선 및 게이트선과 동일한 기판에 형성하므로 제조시 정렬이 용이하여 화소를 보다 넓게 형성할 수 있으며 게이트선, 데이터선 및 공통 전극선의 하부에서 입사되는 백 라이트의 빛은 블랙 매트릭스에 의해 차단된다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 평면 구동 방식 액정 표시 장치의 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 평면도이다.
도3에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 평면 구동 방식 액정 표시 장치는 종래의 평면 구동 방식의 액정 표시 장치와 유사하지만 종래에는 블랙 매트릭스(9)가 다른 기판(2)에 형성되어 있고, 본 발명의 블랙 매트릭스(90)는 게이트선(30) 및 데이터선(50)이 형성되어 기판과 동일한 기판(10) 위에 형성되어 있다. 그리고 한 기판(10)에 형성되어 있는 블랙 매트릭스(50)의 폭은 종래의 다른 기판(2)에 형성되어 있는 블랙 매트릭스(9)의 폭 보다 좁게 형성되어 있다. 이러한 이유는 형성되어 있는 데이터선(50), 게이트선(30), 공통 전극선(70) 및 소스 전극의 가로부(60)와 블랙 매트릭스(90)가 동일한 한 기판(10)에 형성되어 있으므로 제조시 발생되는 정렬에 대한 오차를 줄일 수 있기 때문이다.
도4 (가) 및 (나)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다.
도4 (가)는 도3의 C 부분을 도시한 것으로서, 한 기판(10) 위에 화소를 단위로 경계하는 부분에 블랙 매트릭스(90)가 형성되어 있고, 블랙 매트릭스를 덮는 절연막(120)이 형성되어 있다. 절연막(120) 상부에는 공통 전극선(70)이 화소를 단위로 가장자리에 형성되어 있고 중앙에 그 분지(710)가 형성되어 있으며 공통 전극선(70)의 일부는 기판(10) 위에 형성되어 있는 블랙 매트릭스(90)와 일부 중첩되어 있다. 한 기판(10) 위에는 공통 전극선(70) 및 그 분지(710)를 덮는 게이트 절연막(110)이 형성되어 있고, 그 상부에는 데이터선(50)과 소스 전극(60, 80)의 세로부(80)가 형성되어 있다. 여기서, 데이터선(50)은 블랙 매트릭스(90)와 중첩되는 부분에 형성되어 있으며 소스 전극의 가로부(80)는 공통 전극선(70)과 그 분지(710) 사이에 형성되어 있다. 그리고 한 기판(10)을 덮는 보호막(130)이 형성되어 있다.
다른 기판(20)에는 컬러 필터(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
도4 (나)는 도3의 D 부분을 도시한 단면도로서, 한 기판(10) 하나의 화소를 단위로 하여 블랙 매트릭스(90)가 형성되어 있고 블랙 매트릭스(90)를 덮는 절연막(120)이 형성되어 있다. 절연막(120) 상부에는 게이트선(30)(도3 참조)의 일부인 게이트 전극(310)과 게이트선(30)과 평행하게 형성되어 있는 공통 전극선(70)의 일부가 두 부분으로 형성되어 있다. 기판(10) 위에는 게이트 전극(310) 및 공통 전극선(70)을 덮는 게이트 절연막(110)이 형성되어 있고 게이트 전극(310)에 대응하는 절연막(110) 상부에는 비정질 실리콘으로 이루어진 활성층(100)이 형성되어 있다. 활성층(100) 상부에는 데이터선(50)(도3 참조)과 연결되어 있는 데이터 전극(40)과 소스 전극의 가로부(60)가 형성되어 있다. 여기서 소스 전극의 가로부(60)는 앞에서 설명한 바와 같이, 게이트 절연막(110)의 일부를 덮으면서 게이트선(30)과 평행한 공통 전극선(70)의 일부와 중첩되어 있으며 기판(10) 위에는 보호막(130)이 형성되어 있다.
여기서 서로 중첩되는 소스 전극의 가로(6)와 공통 전극선(70)의 일부 사이에서는 유지 용량이 형성된다.
다른 기판(20)에는 컬러 필터(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
도5 (가) 및 (나)는 본 발명의 제2 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다.
도5 (가) 및 (나)는 제2 실시예에 대한 단면도로서, 블랙 매트릭스(90)가 보호막(130) 상부에 형성되어 있으며 절연막(120)이 형성되어 있지 않은 상태이다. 도5 (가)에서 블랙 매트릭스(90)는 데이터선(50) 및 공통 전극선(70)의 일부와 중첩되어 있고, 도5 (나)에서 블랙 매트릭스(90)는 공통 전극선(70)의 일부, 소스 전극의 가로부(60), 게이트 전극(310) 및 드레인 전극(40)과 중첩되어 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법은 다음과 같이 이루어진다.
도6 (가) 내지 (마)는 본 발명의 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도로서 도 3에서 C 부분을 도시한 것이고, 도7 (가) 및 (마)는 본 발명에 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도로서 도 3에서 D 부분을 도시한 것이다.
도6 및 7 (가)에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법은 투명한 절연 기판(10) 위에 화소를 단위로 개구부를 갖는 블랙 매트릭스(90)는 형성한다.
다음 기판(10) 상부에 블랙 매트릭스(90)를 덮는 절연막(120)을 형성하고 금속막을 증착하고 블랙 매트릭스(90)와 중첩되는 부분과 화소의 중앙을 분할하는 부분만을 남기도록 패터닝하여 게이트선(30)(도시하지 않음)과 연결되어 있는 게이트 전극(310), 공통 전극선(70) 및 공통 전극선(70)의 분지(710)를 형성한다[도 6 및 7 (나) 참조].
이어 기판(10) 상부에 질화막, 비정질 실리콘층 및 고농도로 도핑되어 있는 비정질 실리콘층을 차례로 증착한 다음, 게이트 전극(310)과 대응하는 부분에만 비정질 실리콘층 및 고농도로 도핑되어 있는 비정질 실리콘층을 남기도록 패터닝하여 게이트 절연막(110) 및 활성층(100)을 형성한다[도6 및 7 (다) 참조].
여기서 게이트 절연막(110)은 양극 산화를 통하여 양극 산화막으로 형성할 수도 있으며 단일막이 아닌 다층막을 층착하여 형성할 수도 있다.
도 6 및 7 (라)에서 보는 바와 같이, 기판(10) 상부에 금속막을 중착한 다음 게이트선(30)과 교차하며 블랙 매트릭스(90)와 중첩되는 부분, 공통 전극선(70)의 분지(710)에 의해 분할된 부분을 다시 분할하는 부분 및 공통 전극선(70)과 중첩되는 부분만을 남기도록 패터닝하여 데이터선(50)(도시하지 않음), 데이터 전극(40), 소스 전극의 가로부(60) 및 세로부(80)를 형성한다.
마지막으로, 기판(10) 상부에 보호막(130)을 형성한다[도 6 및 7 (마) 참조].
또한 본 발명의 제2 실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법에서는 블랙 매트릭스(90)를 보호막(130)을 형성한 다음에 형성할 수도 있다.
따라서 본 발명에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에서는 블랙 매트릭스를 게이트선과 데이터선의 하부에 형성함으로써 블랙 매트릭스를 이용하여 백 라이트의 빛을 차단하여 광유도 전류의 발생을 차단할 수 있으며 게이트선, 데이터선 및 블랙 매트릭스를 동일한 기판에 형성하여 화소의 개구율을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. 투명한 절연 기판 위에 서로 교차하여 화소를 정의하는 게이트선과 데이터선,
    상기 화소 내에 배열되어 있는 다수의 공통 전극,
    상기 화소 내에 상기 공통 전극과 평행하게 형성되어 있는 화소 전극,
    상기 화소를 제외한 부분에 형성되어 있는 불랙 매트릭스를 포함하고 있는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치.
  2. 청구항 1에서, 상기 게이트선과 상기 데이터선이 교차하는 부분에 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치.
  3. 청구항 2에서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 박막 트랜지스터 하부에 형성되어 있는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치.
  4. 청구항 2에서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되어 있는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치.
  5. 청구항 1에서, 상기 블랙 매트릭스는 Cr, Mo, Ti, Ta, Al 또는 상기 Cr, Mo, Ti, Ta 및 Al의 합금으로 이루어진 평면 구동 방식의 액정 표시 장치.
  6. 청구항 1에서, 상기 블랙 매트릭스는 유기막으로 형성되어 있는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치.
  7. 청구항 1에서, 상기 박막 트랜지스터는 상기 블랙 매트릭스 상부에 형성되어 있는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치.
  8. 청구항 1에서, 상기 공통 전극을 연결하는 공통 전극선과 상기 화소 전극을 연결하는 화소 전극의 일부가 중첩되어 유지 용량이 형성되는 부분이 둘 이상인 평면 구동 방식의 액정 표시 장치.
  9. 청구항 1에서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 게이트선, 데이터선, 공통 전극 및 소스 전극의 일부와 중첩되어 있는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치.
  10. 투명한 절연 기판 위에 화소를 개구부로 하는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계,
    상기 블랙 매트릭스를 덮는 절연막을 형성하는 단계,
    상기 절연막 상부에 게이트선을 형성함과 동시에 화소의 내부에 공통전극을 형성하는 단계,
    상기 기판 상부에 상기 게이트선, 공통 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하고 비정질 실리콘층을 증착하고 패터닝하여 활성 영역을 형성하는 단계,
    상기 기판 상부에 게이트선과 교차하는 데이터선을 형성함과 동시에 공통 전극과 평행한 화소 전극을 형성하는 단계,
    상기 기판을 덮는 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법.
  11. 투명한 절연 기판 위에 게이트선을 형성함과 동시에 공통 전극을 형성하는 단계,
    상기 기판 상부에 상기 게이트선, 공통 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 상부에 비정질 실리콘층을 증착하여 활성 영역을 형성하는 단계,
    상기 기판 상부에 상기 게이트선과 교차하여 화소를 졍의하는 데이터선을 형성함과 동시에 상기 공통 전극과 평행하게 화소 전극을 형성하는 단계,
    상기 기판을 덮는 보호막을 형성하는 단계,
    상기 기판 위에 상기 화소를 개구부로 하는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법.
  12. 청구항 11에서, 상기 게이트 절연막은 다층으로 형성하는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 청구항 11에서, 상기 게이트 절연막은 양극 산화로 형성하는 평면 구동 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법.
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