KR19980022880A - Manufacturing method of AI victim layer of FED device - Google Patents

Abstract

본 발명은 스핀드형(Spindt Type) 메탈 FED의 공정으로 Al희생층을 형성하기 위해 포토레지스트의 식각과 제거(lift-off)에 의해 균일한 Al희생층을 형성할 수 있는 FED장치 Al희생층의 제조방법에 관한 것으로, FED장치의 Al희생층을 형성하는 방법에 있어서, 홀(9)이 형성된 게이트전극(14)상에 포토레지트(15)를 코팅하는 단계와, 포토레지스트(15)를 부분식각에 의해 홀(9)내부에서 게이트전극(14)이 드러날때까지 포토레지스트(15)를 식각하는 단계와, 식각된 포토레지스트(15)에 스퍼터링법에 의해 Al희생층(16)을 증착후 포토레지지스트(15)를 제거하는 단계로 이루어져 균일한 Al희생층을 얻을 수 있어 재현성이 뛰어난 효과가 있다.The present invention provides an Al sacrificial layer of an FED device capable of forming a uniform Al sacrificial layer by etching and lift-off of a photoresist to form an Al sacrificial layer by a spindt type metal FED process. A method for forming an Al sacrificial layer of an FED device, comprising: coating a photoresist 15 on a gate electrode 14 having holes 9 formed thereon; Etching the photoresist 15 until the gate electrode 14 is exposed in the hole 9 by partial etching, and depositing the Al sacrificial layer 16 on the etched photoresist 15 by sputtering. After the step of removing the photoresist 15 can be obtained a uniform Al sacrificial layer has an excellent reproducibility effect.

Description

FED장치 Al희생층의 제조방법Manufacturing method of Al victim layer of FED device

본 발명은 FED(FIELD-EMISSION DISPLAY)에 관한 것으로서, 특히 스핀드형(Spindt Type) 메탈 FED의 공정으로 셀프 얼라인을 이용하여 포토레지스트의 식각과 제거(lift-off)에 의해 균일한 Al희생층을 형성할 수 있는 FED장치 Al희생층의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a field-EMISSION DISPLAY (FED), in particular a process of spind type metal FED, which is uniform Al sacrificial layer by etching and lift-off of photoresist using self alignment. The present invention relates to a method for manufacturing an Al sacrificial layer of the FED apparatus capable of forming a metal.

FED는 에미터 팁으로 부터 전자를 방출시켜 투명도전막이 형성된 애노우드의 형광물질에 충돌시킴으로써, 형광물질이 자극을 받아 형광체의 최외각 전자들이 여기되고 천이되는 과정에서 자극을 발생된 빛을 이용하여 원하는 화상을 표시하는 전계방출장치로서, 최소한의 전력으로 고해상도 및 고휘도의 칼라패턴을 표현할 수 있는 이점이 있어, 음극선관이나 액정 디스플레이(LCD) 등의 다른 표시장치를 대체할 수 있는 것으로서 현재 많은 연구가 진행되어 오고 있다.The FED emits electrons from the emitter tip and impinges on the fluorescent material of the anode, in which the transparent conductive film is formed, and uses the light generated by the stimulus when the fluorescent material is stimulated to excite and transition the outermost electrons of the phosphor As a field emission device that displays a desired image, it has the advantage of expressing high-resolution and high-brightness color patterns with a minimum of power, and can replace other display devices such as cathode ray tubes and liquid crystal displays (LCDs). Is going on.

종래에는 FED장치를 제작하기 위한 공정중에 하나로 도 1에 도시된 바와 같이 기판(1)상에 캐소우드전극(2)을 깔고 그위에 게이트절연층(3)을 도포한후 게이트전극(4)을 형성한후 전자빔의 노광에 의해 일부분의 게이트전극(4)을 제거한후 게이트절연층(3)을 등방성식각을 한후에 그위에 원추형 메탈 팁을 형성하기 위해 Al희생층을 도포하는 것을 E-BEAM증착에 의하여 Al희생층(7)을 경사증착하여 왔었다.Conventionally, as shown in FIG. 1, a cathode electrode 2 is laid on a substrate 1 and a gate insulating layer 3 is applied thereon as one of the processes for fabricating an FED device, and then the gate electrode 4 is applied. After the formation, the gate electrode 4 is partially removed by the exposure of the electron beam, and the gate insulating layer 3 is isotropically etched, and then an Al sacrificial layer is applied to form the conical metal tip thereon. As a result, Al sacrificial layer 7 has been gradient deposited.

그러나, 상기와 같이 E-BEAM증착에 의하여 Al희생층(7)을 경사증착법을 하게되면 대면적의 Al희생층을 형성하는 형성된 표층이 균일하지 못하기 때문에 홀(8)의 가장자리 모양과 홀(8)의 사이즈 등의 균일도가 없게 되는 문제점이 발생하였다.However, when the Al sacrificial layer 7 is inclinedly deposited by E-BEAM deposition as described above, the formed surface layer forming the Al sacrificial layer having a large area is not uniform, and thus the edge shape and the hole ( There arises a problem that there is no uniformity such as the size of 8).

또한, Al희생층을 형상하기 위하여 경사증착법을 사용함에 있어서는 Al희생층이 균일하게 도포되지 않으므로 기판의 크기가 증가할수록 균일성이 나빠지고 재현성에도 문제가 생긴다.In addition, since the Al sacrificial layer is not uniformly applied when using the gradient deposition method to form the Al sacrificial layer, the uniformity worsens as the size of the substrate increases, and there is a problem in reproducibility.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 Al희생층을 포토레지스트를 이용하여 식각과 제거(lift-off)의 균일한 Al희생층을 형성하도록 FED장치 Al희생층의 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an Al sacrificial layer using a photoresist to form a uniform Al sacrificial layer of etching and lift-off. It is to provide a method for producing a sacrificial layer.

도 1 은 종래의 FED장치의 게이트전극상에 도포된 상태를 나타내는 도면.1 is a view showing a state coated on a gate electrode of a conventional FED device.

도 2a∼도2c는 본 발명의 Al희생층을 제작하는 단계를 나타내는 도면.Figures 2a to 2c is a view showing the step of producing the Al sacrificial layer of the present invention.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings

9: 홀 14: 게이트전극9: hole 14: gate electrode

15: 포토레즈스트 16: Al희생층15: Photoresist 16: Al Sacrifice

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 FED장치 Al희생층의 제조방법은 FED장치의 Al희생층을 형성하는 방법에 있어서, 홀이 형성된 게이트전극상에 포토레지트를 코팅하는 단계와, 포토레지스트를 부분식각에 의해 홀내부에서 게이트전극이 드러날때까지 포토레지스트를 식각하는 단계와, 식각된 포토레지스트에 스퍼터링법에 의해 Al희생층을 증착후 포토레지지스트를 제거하는 단계로 구성되어 있다.In order to achieve the above object, the manufacturing method of the Al sacrificial layer of the FED device of the present invention is a method of forming an Al sacrificial layer of the FED device, the step of coating a photoresist on the gate electrode formed hole, The photoresist is etched until the gate electrode is exposed in the hole by partial etching of the resist, and the photoresist is removed after the Al sacrificial layer is deposited by sputtering on the etched photoresist.

상기와 같이 구성된 본 발명의 FED장치 Al희생층의 제조방법을 첨부되 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.With reference to the accompanying drawings a manufacturing method of the Al Al sacrificial layer of the FED device of the present invention configured as described above will be described in detail.

도 2a∼도 2c는 본 발명의 Al희생층을 제작하는 단계를 나타내는 도면이다.2A to 2C are diagrams showing the steps for producing the Al sacrificial layer of the present invention.

FED장치를 제작하는 단계에 있어서 도 2(a)에 도시된 바와 같이 기판(10)상에 캐소우드전극(12)이 도포되어 있는 상부측에 게이트절연층(13)을 깔고 그위에 에 홀(19)이 형성된 게이트전극(14)상에 포토레지트(15)를 코팅한다.In the manufacturing of the FED device, as shown in FIG. 2A, the gate insulating layer 13 is laid on the upper side of the cathode electrode 12 on the substrate 10, and the hole is formed on the substrate 10. The photoresist 15 is coated on the gate electrode 14 on which the 19 is formed.

상기 게이트전극(14)상에 코팅된 포토레지스트(15)를 부분식각에 의해 메탈 팁에 형성되는 홀(9)내부에서 게이트전극(14)이 드러날때까지 도 2(b)와 같이 포토레지스트(15)를 식각한다.As shown in FIG. 2B, the photoresist 15 coated on the gate electrode 14 is partially exposed until the gate electrode 14 is exposed in the hole 9 formed in the metal tip. Etch 15).

식각된 포토레지스트(15)에 스퍼터링법에 의해 Al희생층(16)을 증착후 도 2(C)에 도시된 바와 같이 홀(19)내부에 남아 있는 토레지지스트(15)를 제거하면 홀(19)내부에 형성된 Al희생층도 함께 제거된다.After the Al sacrificial layer 16 is deposited on the etched photoresist 15 by the sputtering method, as shown in FIG. 2C, the torges 15 remaining in the hole 19 are removed. 19) Al sacrificial layer formed inside is also removed.

본 발명의 Al희생층을 포토레지스트를 이용하여 식각공정과 제거(lift-off)을 이용하여 스퍼터링법에 의해 Al층을 층착하는 방법을 사용하므로 대면적의 기판에 사용하여도 균일한 Al희생층을 얻을 수 있는 재현성에 뛰어난 효과가 있다.The Al sacrificial layer of the present invention uses the photoresist to etch the Al layer by the sputtering method using an etching process and a lift-off, so even Al sacrificial layer is used even for a large-area substrate. It has an excellent effect on the reproducibility of obtaining a layer.

Claims (2)

FED장치의 Al희생층을 형성하는 방법에 있어서, 홀(19)이 형성된 게이트전극(14)상에 포토레지트(15)를 코팅하는 단계와,A method of forming an Al sacrificial layer of an FED device, comprising: coating a photoresist 15 on a gate electrode 14 having a hole 19 formed therein; 포토레지스트(15)를 부분식각에 의해 홀(9)내부에서 게이트전극(14)이 드러날때까지 포토레지스트(15)를 식각하는 단계와,Etching the photoresist 15 by partially etching the photoresist 15 until the gate electrode 14 is exposed in the hole 9; 식각된 포토레지스트(15)에 스퍼터링법에 의해 Al희생층(16)을 증착후 포토레지지스트(15)를 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 FED장치 Al희생층의 제조방법.And removing the photoresist (15) after the deposition of the Al sacrificial layer (16) by the sputtering method on the etched photoresist (15). 제 1 항에 있어서, 상기 Al희생층(16)은 E-BEAM에 의해 증착되는 것을 특징으로하는 FED장치 Al희생층의 제조방법.The method of claim 1, wherein the Al sacrificial layer (16) is deposited by E-BEAM.