KR19980021641A - Shadow Mask for Cathode Ray Tube - Google Patents
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Abstract
본 발명은 음극선관에서 색선별역할을 하는 섀도우마스크(shadow mask)에 관한 것으로써, 슬롯에 형성되는 테이퍼 아웃의 형상을 섀도우마스크의 반경에 따라 그래이딩(grading)시켜 섀도우마스크를 통과한 전자빔의 직경을 최소화할 수 있도록 한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shadow mask that plays a role of color selection in a cathode ray tube. It is to minimize the diameter.
이를 위해, 칼라 음극선관용 섀도우마스크(3)에 무수히 많은 슬롯(11)을 형성하도록 된 것에 있어서, 슬롯(11)의 Y축 유효면 가장자리의 반경(Ry)을 기준으로 하여 X축 유효면 가장자리의 반경(Rx)과 D축 유효면 가장자리의 반경(Rd)까지의 테이퍼 아웃(To)을 그래이딩하여서 된 것이다.To this end, in order to form a myriad of slots 11 in the shadow mask 3 for the color cathode ray tube, the radius of the X-axis effective surface is defined based on the radius Ry of the Y-axis effective surface edge of the slot 11. This is done by grading the taper out To to the radius Rx and the radius Rd of the D-axis effective surface edge.
Description
본 발명은 음극선관에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 전자빔의 색선별역할을 하는 섀도우마스크(shadow mask)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to cathode ray tubes, and more particularly to shadow masks that act as color screening for electron beams.
일반적으로 음극선관은 도1과 같이 페이스 플레이트라고도 하는 음극선관의 전면 유리인 패널(1)과, 상기 패널의 내면에 적, 녹, 청색으로 발광하는 미소한 원형의 도트(dot) 또는 스트라이프(stripe)타입으로 배열되게 도포되어 있는 형광체(2)와, 상기 패널의 내측면으로 부터 약 10mm 근처에 부착되고, 패널의 내면에 도포된 형광체의 모양과 동일한 형상의 구멍이 천공되어 있는 섀도우마스크(3)와, 상기 섀도우마스크가 고정되어 음극선관의 내부에 고정되는 지지프레임(4)과, 상기 지지프레임에 부착되어 펀넬(5)의 내부를 둘러싸 전자빔이 지자계의 영향을 받지 않도록 하는 얇은 금속판의 인너쉴드(inner shield) (6)와, 전자빔을 방사하는 캐소드(catho-de), 캐소드를 가열하는 히터, 전자빔의 양을 제어하는 제 1,2 그리드전극, 메인 정전렌즈를 형성하는 제 3,4 그리드전극으로 이루어진 전자총(7)과, 자계를 만들어 전자빔을 상하, 좌우로 편향시키는 것으로 컨버젼스(convergence), 퓨리티 (purity) 특성을 크게 좌우하는 편향 요크(8)와, 상기 컨버젼스 및 퓨리티의 정특성 보정을 위해 사용되는 마그네트(9) 등으로 구성되어 있다.Generally, the cathode ray tube is a panel 1, which is a front glass of a cathode ray tube, also called a face plate, as shown in FIG. 1, and a small circular dot or stripe that emits red, green, and blue light on the inner surface of the panel. A shadow mask (3), which is applied to be arranged in an array of two types, and a shadow mask (3) which is attached about 10 mm from the inner surface of the panel, and has holes formed in the same shape as the shape of the phosphor coated on the inner surface of the panel. ), A support frame 4 to which the shadow mask is fixed and fixed inside the cathode ray tube, and a thin metal plate attached to the support frame to surround the inside of the funnel 5 so that the electron beam is not affected by the geomagnetic field. An inner shield 6, a cathode for emitting an electron beam, a heater for heating the cathode, first and second grid electrodes for controlling the amount of the electron beam, a third forming a main electrostatic lens, 4 that Electron gun 7 made of a lead electrode, deflection yoke 8 which greatly influences convergence and purity characteristics by making a magnetic field and deflecting the electron beam up and down and left and right, and the static characteristics of the convergence and purity It consists of the magnet 9 etc. which are used for correction | amendment.
종래에는 상기한 구조의 음극선관에 적용되는 섀도우마스크(3)가 도 2와 같이 성형금형에 의해 소정의 곡률로 성형되며, 성형된 섀도우마스크를 일정한 높이가 유지되도록 지지프레임(4)의 내측에 삽입한 다음 용접 고정하게 된다.Conventionally, the shadow mask 3 applied to the cathode ray tube of the above-described structure is molded to a predetermined curvature by a molding die as shown in FIG. 2, and the inside of the support frame 4 is maintained so that the molded shadow mask has a constant height. After insertion, the welding is fixed.
상기한 구조의 섀도우마스크(3)에는 전자빔(10)이 통과하는 무수히 많은 슬롯(11)이 형성되는데, 상기 슬롯의 형상은 도3과 같다.In the shadow mask 3 having the above-described structure, a myriad of slots 11 through which the electron beam 10 passes are formed, and the shape of the slots is shown in FIG. 3.
이때 섀도우마스크(3)의 대공경부에서 테이퍼가 넓은 부분(이하 “테이퍼 아웃”이라함)을 To, 그리고 좁은부분을 Ti라고 부른다.At this time, in the large diameter portion of the shadow mask 3, the wider portion of taper (hereinafter referred to as “tapered out”) is called To, and the narrower portion is called Ti.
상기 섀도우마스크(3)에 형성되는 슬롯(11)의 형상은 전자빔(10)의 직경을 결정하는 매우 중요한 요소이며, 이것은 결국 색순도 및 휘도에 큰 영향을 주게 된다.The shape of the slot 11 formed in the shadow mask 3 is a very important factor in determining the diameter of the electron beam 10, which in turn has a great influence on color purity and luminance.
특히, 슬롯(11)의 형상 중 테이퍼 폭(To, Ti)의 결정이 가장 중요한 요소로 작용되는데, 테이퍼 폭의 결정은 전자빔에 의한 할레이션(halation)현상 때문에 제한을 받게 된다.In particular, the determination of the taper widths To and Ti is the most important factor among the shapes of the slots 11, and the determination of the taper widths is limited due to the halation phenomenon by the electron beam.
이러한 테이퍼 폭은 그 칫수의 제한성 때문에 도4와 같이 To와 섀도우마스크(3)의 반경(R)과의 관계가 거의 직선적으로 증가하도록 설계되었으므로 도5와 같이 To가 직선적으로 증가한 것에 비례해서 전자빔의 직경 역시 직선적으로 증가하게 된다.This taper width is designed such that the relationship between To and the radius R of the shadow mask 3 increases almost linearly due to its limited dimensions, so that the proportion of the electron beam is proportional to the linear increase of To as shown in FIG. The diameter also increases linearly.
이에 따라 도6에 도시한 바와 같이 전자총(7)에서 출발된 전자빔(10)이 편향 요크(8)에 의해 편향을 받아서 섀도우마스크(3)에 입사될 때 입사되는 전자빔이 테이퍼부분에 부딪히지 않고 전부 통과해서 패널(1)의 내면에 도포된 형광체(2)를 타격하게 되는데, 이때 D는 형광체를 타격한 전자빔의 직경을 나타낸다.Accordingly, as shown in FIG. 6, when the electron beam 10 starting from the electron gun 7 is deflected by the deflection yoke 8 and is incident on the shadow mask 3, the incident electron beam does not hit the tapered portion. It passes through and strikes the phosphor 2 coated on the inner surface of the panel 1, where D represents the diameter of the electron beam striking the phosphor.
상기 전자빔의 직경(D)은 그 칫수를 작게 하여야 색순도 여유도를 확보하지만, 그리 쉽지 않으며, 특히 화면의 코너부분에서는 더욱 용이치 않다.The diameter (D) of the electron beam secures the color purity margin by reducing the size thereof, but it is not so easy, especially in the corner portion of the screen.
그 이유는 전자총(7)에서 출발한 전자빔이 편향 요크(8)의 자계에 의해 편향을 받기 때문에 전자빔이 찌그러지게 되는데, 섀도우마스크(3)에 형성된 슬롯(11)을 통과할 때는 찌그러짐이 더욱 커지게 되므로 결국 D의 칫수가 커지게 된다.The reason is that the electron beam is distorted because the electron beam starting from the electron gun 7 is deflected by the magnetic field of the deflection yoke 8, and when passing through the slot 11 formed in the shadow mask 3, the distortion becomes larger. As a result, the dimension of D increases.
이와 같이 직경이 커진 전자빔(10)은 슬롯(11)을 통과하여 형광체(2) 및 상기 형광체와 인접한 흑연띠(12)를 동시에 타격하여 형광체만을 발광시키게 되지만, 인접한 다른 형광체를 타격할 수 있는 확률이 높아지게 되므로 색순도 여유도를 감소시키게 되는 원인으로 작용하게 된다.The larger electron beam 10 passes through the slot 11 and simultaneously strikes the phosphor 2 and the graphite band 12 adjacent to the phosphor to emit only the phosphor, but has a probability of hitting another phosphor. This increases the color purity is to act as a cause to reduce the margin.
뿐만 아니라 직경이 커진 전자빔(10)에 의해 형광면에서 전자빔 직경의 휘도분포가 도6과 같이 그 폭이 넓어져 결국 전류밀도(13)가 낮아지게 되므로 단위 면적당 형광체의 발광효율을 떨어뜨려 화면의 중심부와 주변부의 휘도 균일성을 저하시키게된다.In addition, the luminance distribution of the diameter of the electron beam in the fluorescent surface is widened by the larger electron beam 10, as shown in FIG. 6, resulting in a lower current density 13, thereby lowering the luminous efficiency of the phosphor per unit area. And lowers the uniformity of the brightness of the periphery.
이러한 현상은 특히 광각 편향 음극선관의 경우 전자빔(10)의 편향각 증가에 따라 테이퍼의 폭이 커져야 하므로 섀도우마스크(3)의 제조업체에서 제조공정 중 테이퍼 아웃(To)의 칫수를 크게 설정하므로 인해 인접한 테이퍼 부분과 겹쳐져 섀도우마스크의 강도를 약화시키게 되었고, 이에 따라 음극선관의 동작시 발생된 열에 의해 섀도우마스크의 중앙부분이 부풀어 오르는 도우밍(doming)현상에 취약한 문제점을 갖는다.This phenomenon is particularly because in case of wide-angle deflection cathode ray tube, the taper width should be increased with increasing deflection angle of the electron beam 10. Overlap of the tapered portion reduces the strength of the shadow mask, and thus has a problem in that the center portion of the shadow mask swells due to heat generated during operation of the cathode ray tube.
또한, 테이퍼 아웃(To)을 너무 크게 설정하면 섀도우마스크의 슬롯(11) 크기가 일정치 않아 나중에 음극선관의 제조시 형광체(2)의 크기 역시 불균일해지게 되므로 화면의 백색 균일도가 나빠지게 된다.In addition, if the taper-out (To) is set too large, the size of the slot 11 of the shadow mask is not constant, and thus, the size of the phosphor 2 is also non-uniform in the manufacture of the cathode ray tube, thereby deteriorating white uniformity of the screen.
본 발명은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 인출한 것으로써, 슬롯에 형성되는 테이퍼 아웃의 형상을 섀도우마스크의 반경에 따라 그래이딩(grading)시켜 섀도우마스크를 통과한 전자빔의 직경을 최소화할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.The present invention has been drawn in order to solve such a conventional problem, it is possible to minimize the diameter of the electron beam passing through the shadow mask by grading the shape of the tapered out formed in the slot according to the radius of the shadow mask. The purpose is to make it.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형태에 따르면, 칼라 음극선관용 섀도우마스크에 무수히 많은 슬롯을 형성하도록 된 것에 있어서, 슬롯의 Y축 유효면 가장자리의 반경(Ry)을 기준으로 하여 X축 유효면 가장자리의 반경(Rx)과 D축 유효면 가장자리의 반경(Rd)까지의 테이퍼 아웃(To)을 그래이딩하여서 된 음극선관용 섀도우마스크가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, in the myriad of slots formed in the shadow mask for color cathode ray tube, X-axis effective surface edge on the basis of the radius (Ry) of the Y-axis effective surface edge of the slot A shadow mask for a cathode ray tube is provided by grading a taper out (To) up to a radius (Rx) and a radius (Rd) of a D-axis effective surface edge.
도1은 일반적인 음극선관의 종단면도1 is a longitudinal cross-sectional view of a typical cathode ray tube
도2는 지지프레임에 종래 섀도우마스크가 고정된 상태의 사시도Figure 2 is a perspective view of a conventional shadow mask is fixed to the support frame
도3은 도2의 A 부 확대 종단면도3 is an enlarged vertical cross-sectional view of portion A of FIG.
도4는 종래의 섀도우마스크 반경과 테이퍼 아웃과의 상관관계를 나타낸 그래프4 is a graph showing a correlation between a conventional shadow mask radius and taper out.
도5는 종래의 섀도우마스크 반경과 전자빔 직경과의 상관관계를 나타낸 그래프5 is a graph showing a correlation between a conventional shadow mask radius and the electron beam diameter
도6은 종래의 섀도우마스크에서 전자빔이 슬롯을 통과한 상태를 나타낸 종단면도Figure 6 is a longitudinal cross-sectional view showing a state in which the electron beam passes through the slot in a conventional shadow mask;
도7은 본 발명의 섀도우마스크 반경과 테이퍼 아웃과의 상관관계를 나타낸 그래프7 is a graph showing the correlation between the shadow mask radius and taper out of the present invention.
도8은 본 발명의 섀도우마스크 반경과 전자빔 직경과의 상관관계를 나타낸 그래프Figure 8 is a graph showing the correlation between the shadow mask radius and the electron beam diameter of the present invention
도9는 본 발명의 섀도우마스크에서 전자빔이 슬롯을 통과한 상태를 나타낸 종단면도Figure 9 is a longitudinal cross-sectional view showing a state in which the electron beam passes through the slot in the shadow mask of the present invention
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
3 : 섀도우마스크 11 : 슬롯3: shadow mask 11: slot
Ry : Y축 유효면 가장자리 Rx : X축 유효면 가장자리의 반경Ry: Y-axis effective surface edge Rx: Radius of X-axis effective surface edge
Rd : D축 유효면 가장자리의 반경 To : 테이퍼 아웃Rd: Radius of effective surface edge of D axis To: Taper out
이하, 본 발명을 일 실시예로 도시한 첨부된 도면 도7 내지 도9를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 7 to 9 as an embodiment.
도7은 본 발명의 섀도우마스크 반경과 테이퍼 아웃과의 상관관계를 나타낸 그래프이고 도8은 본 발명의 섀도우마스크 반경과 전자빔 직경과의 상관관계를 나타낸 그래프이며 도9는 본 발명의 섀도우마스크에서 전자빔이 슬롯을 통과한 상태를 나타낸 종단면도로써, 본 발명은 섀도우마스크(3)에 무수히 형성되는 슬롯(11)을 슬롯의 Y축 유효면 가장자리의 반경(Ry)을 기준으로 하여 X축 유효면 가장자리의 반경(Rx)과 D축 유효면 가장자리의 반경(Rd)까지의 테이퍼 아웃(To)을 그래이딩하여서 된 것이다.7 is a graph showing the correlation between the shadow mask radius and the taper out of the present invention, Figure 8 is a graph showing the correlation between the shadow mask radius and the electron beam diameter of the present invention, Figure 9 is an electron beam in the shadow mask of the present invention As the longitudinal cross-sectional view showing the state passing through the slot, the present invention is the X-axis effective surface edge of the slot 11 formed in the shadow mask (3) based on the radius Ry of the Y-axis effective surface edge of the slot This is done by grading the taper out (To) up to the radius Rx of and the radius Rd of the effective surface edge of the D-axis.
상기 Y축 유효면 가장자리는 섀도우마스크의 유효면, 즉 슬롯(11)이 형성된 6,12시 방향의 끝부분을 일컫는 것이고, Y축 유효면 가장자리의 반경(Ry)은 섀도우마스크(3)에 형성된 슬롯(11)의 끝부분에 있어서 섀도우마스크의 전면에 있는 형광면측을 Z축이라고 할 때 상기 Z축에 대한 섀도우마스크의 Y축 가장자리 부분의 곡률을 일컫는 것이다.The Y-axis effective surface edge refers to the effective surface of the shadow mask, that is, the end portion of the 6,12 o'clock direction in which the slot 11 is formed, and the radius Ry of the Y-axis effective surface edge is formed on the shadow mask 3. When the fluorescent surface side in front of the shadow mask at the end of the slot 11 is referred to as the Z axis, it refers to the curvature of the Y axis edge portion of the shadow mask with respect to the Z axis.
그리고 X축 유효면 가장자리는 섀도우마스크의 유효면, 즉 슬롯(11)이 형성된 3,9시 방향의 끝부분을 일컫는 것이고, X축 유효면 가장자리의 반경(Rx)은 섀도우마스크(3)에 형성된 슬롯(11)의 끝부분에 있어서 섀도우마스크의 전면에 있는 형광면측을 Z축이라고 할 때 상기 Z축에 대한 섀도우마스크의 X축 가장자리 부분의 곡률을 일컫는 것이다.The X-axis effective surface edge refers to the effective surface of the shadow mask, that is, the end portion of the 3,9 o'clock direction in which the slot 11 is formed, and the radius Rx of the X-axis effective surface edge is formed on the shadow mask 3. When the fluorescent surface side in front of the shadow mask at the end of the slot 11 is called the Z axis, it refers to the curvature of the X axis edge portion of the shadow mask with respect to the Z axis.
또한, D축 유효면 가장자리는 섀도우마스크의 유효면, 즉 슬롯(11)이 형성된 대각 방향의 끝부분을 일컫는 것이고, D축 유효면 가장자리의 반경(Rd)은 형광면측을 Z라 할 때 상기 Z축에 대한 대각 가장자리의 곡률반경을 일컫는 것이다.In addition, the D-axis effective surface edge refers to the effective surface of the shadow mask, that is, the diagonal end where the slot 11 is formed, and the radius Rd of the D-axis effective surface edge is Z when the fluorescent surface side is Z. The radius of curvature of the diagonal edge of the axis.
상기 Ry와 Rx구간에서는 To(Ry) ≤ To ≤ 1.15 * To(Rx)이고, Rx와 Rd구간에서는To(Rx) ≤ To ≤ 1.30 * To(Rd)로 하여 테이퍼 아웃(To)을 그래이딩한다.In the Ry and Rx sections, To (Ry) ≤ To ≤ 1.15 * To (Rx), and in the Rx and Rd sections, To (Rx) ≤ To ≤ 1.30 * To (Rd) and taper out (To). .
이는 테이퍼 아웃 폭이 섀도우마스크반경에 대해 직선적으로 증가되지 않도록 하기위 함이다.This is to prevent the taper out width from increasing linearly with respect to the shadow mask radius.
이와 같이 구성된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention configured as described above is as follows.
전자총(7)에서 출발된 전자빔(10)이 편향요크(8)에 의해 편향되어 섀도우마스크(3)에 형성된 슬롯(11)을 통과하면 전자빔은 도8과 같이 Ry, Rx, Rd의 가장자리로 갈수록 직선적으로 증가하지 않고 완만하게 증가됨을 알 수 있다.When the electron beam 10 originating from the electron gun 7 passes through the slot 11 formed in the shadow mask 3 by being deflected by the deflection yoke 8, the electron beam moves toward the edges of Ry, Rx, and Rd as shown in FIG. It can be seen that it does not increase linearly but gradually increases.
즉, 도9와 같이 편향중심에서의 전자빔(10)이 편향 요크(8)에 의해 편향되어 전자빔(10)이 섀도우마스크(3)에 형성된 슬롯(11)을 통과할 때 테이퍼 아웃에 부딪혀 굴절되어 패널(1)의 내면에 도포된 형광체(2)만을 타격하므로 인접한 다른 형광체를 타격하지 않게 되고, 이에 따라 색순도 여유도를 확보할 수 있게 된다.That is, as shown in FIG. 9, the electron beam 10 at the deflection center is deflected by the deflection yoke 8 so that when the electron beam 10 passes through the slot 11 formed in the shadow mask 3, it is refracted by the taper out. Since only the phosphor 2 coated on the inner surface of the panel 1 is hit, other hitting phosphors are not hit, thereby ensuring color purity margin.
상기한 동작에서 알 수 있듯이 전자빔의 직경(D)을 종래의 섀도우마스크에 의해 발생되는 전자빔의 직경보다 훨씬 작게 설계할 수 있게 된다.As can be seen from the above operation, the diameter (D) of the electron beam can be designed to be much smaller than the diameter of the electron beam generated by the conventional shadow mask.
이러한 구조의 섀도우마스크(3)는 테이퍼 아웃(To)에 부딪힌 전자빔이 다시 본래의 형광체(2)쪽으로 진행하므로 도9와 같이 전자빔 직경의 전류밀도(13)가 종래에 비해 비교할 수 없이 증가해 형광체의 단위면적당 발광효율을 향상시켜 휘도증가를 유도할 수 있게 되는 것이다.In the shadow mask 3 having such a structure, since the electron beam hit by the taper-out (To) proceeds toward the original phosphor 2, the current density 13 of the electron beam diameter increases incomparably compared with the prior art as shown in FIG. It is possible to induce a luminance increase by improving the luminous efficiency per unit area of.
이상에서와 같이 섀도우마스크의 테이퍼 아웃을 그래이딩시키면 섀도우마스크를 통과한 전자빔 직경이 전자총의 성능이 나쁘거나, 편향자계에 의해 전자빔이 찌그러지므로 인해 발생되는 확대현상을 방지하여 작게 유지하는 것이 가능해지게 되므로 작게 설계된 전자빔 직경에 의해 음극선관의 색순도 여유도를 증가시킴과 동시에 전자빔 직경의 전류밀도를 증가시키게 되고, 이에 따라 화면의 주변부에서의 휘도를 향상시킴은 물론 휘도 균일성, 백색 균일성, 섀도우마스크의 제조 수율을 향상시키게 되는 효과를 얻게 된다.As described above, when the taper-out of the shadow mask is graded, the diameter of the electron beam passing through the shadow mask is poor in the performance of the electron gun, or the electron beam is distorted by the deflection field. The small designed electron beam diameter increases the color purity margin of the cathode ray tube and at the same time increases the current density of the electron beam diameter, thereby improving brightness at the periphery of the screen, as well as brightness uniformity, white uniformity, and shadow mask. The effect of improving the production yield of is obtained.
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- 1996-09-18 KR KR1019960040570A patent/KR100205407B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2021125654A1 (en) | 2019-12-18 | 2021-06-24 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | Cylindrical secondary battery having flexible input part |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060323 Year of fee payment: 8 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |