KR19980020101A - Short-circuit and open inspection of ITO thin film pattern of liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시소자의 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법에 관한 것으로서, 기판상에 적층된 전극용 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈을 두 개의 탐침을 갖는 저항측정기를 사용하여 액정표시소자의 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법에 있어서, 두 개의 탐침을 측정하고자 하는 ITO박막 패턴에 소정간격 이격되게 배치시키고, 도전성 물질을 기체상태로 분사하는 이온분사기를 구비하여 탐침과 ITO박막 패턴의 이격공간에 도전성 물질을 기체상태로 분사하여 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈을 검사하는 것을 그 특징으로 한다. 따라서, 측정대상인 ITO박막 패턴과의 비접촉식에 의한 단락 및 오픈 측정이 수행됨으로써, ITO박막 패턴의 손상없이 그 측정시간이 단축된다.The present invention relates to a short-circuit and open inspection method of an ITO thin film pattern of a liquid crystal display device, wherein the short-circuit and open of an ITO thin film pattern for electrodes stacked on a substrate are used by using a resistance measuring instrument having two probes. In the short-circuit and open inspection method of the thin film pattern, the two probes are arranged at a predetermined distance apart from the ITO thin film pattern to be measured, and the separation space between the probe and the ITO thin film pattern is provided with an ion ejector for spraying a conductive material in a gaseous state. It is characterized in that the injection of the conductive material in the gaseous state to inspect the short circuit and open of the ITO thin film pattern. Therefore, the short-circuit and the open measurement by the non-contact type with the ITO thin film pattern to be measured are performed, thereby reducing the measurement time without damaging the ITO thin film pattern.
Description
도 1은 액정표시소자의 제조공정에서 종래의 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법을 도시한 것이고,1 illustrates a short-circuit and open inspection method of a conventional ITO thin film pattern in a manufacturing process of a liquid crystal display device;
도 2는 액정표시소자의 제조공정에서 본 발명에 따른 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법을 도시한 것이다.2 illustrates a short circuit and an open inspection method of an ITO thin film pattern according to the present invention in a manufacturing process of a liquid crystal display device.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
1, 11: ITO 박막 패턴2, 12: 기판1, 11: ITO thin film pattern 2, 12: substrate
3, 13: 저항측정기4, 14: 탐침3, 13: resistance meter 4, 14: probe
15: 이온 분사기16: 도전성 이온 물질15: ion injector 16: conductive ion material
[발명의상세한설명]Detailed description of the invention
[발명의목적][Objective of the invention]
[발명이속하는기술분야및그분야의종래기술][Technical Field to which the Invention belongs and Conventional Technology in the Field]
본 발명은 액정표시소자의 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법에 관한 것으로서, 상세하게는 검사하고자 하는 패턴과 저항측정기의 탐침과의 비접촉식에 의해 액정표시소자의 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a short-circuit and open inspection method of an ITO thin film pattern of a liquid crystal display device, and more particularly, to a short-circuit and open inspection method of an ITO thin film pattern of a liquid crystal display device by non-contact between the pattern to be inspected and the probe of a resistance meter. It is about.
액정표시소자(LCD)의 일반적인 구조는 약정층 상 하에 전극용 ITO박막패턴이 각각 마련되고, 액정층과 접하지 않는 전극용 ITO박막 패턴의 상면과 하면에 유리와 같은 기판이 위치된다. 액정표시소자는 액정의 구동방식에 따라 전극용 ITO박막의 패턴이 결정되고, 이 ITO박막의 패턴에 화소단위로 인가되는 전압의 온/오프에 의해 액정을 구동한다.The general structure of a liquid crystal display (LCD) is provided with an ITO thin film pattern for electrodes on the upper and lower sides of the liquid crystal layer, and a substrate such as glass is positioned on the upper and lower surfaces of the ITO thin film pattern for electrodes not in contact with the liquid crystal layer. In the liquid crystal display device, the pattern of the ITO thin film for electrodes is determined according to the driving method of the liquid crystal, and the liquid crystal is driven by turning on / off voltage applied in units of pixels to the pattern of the ITO thin film.
이와 같은 액정표시소자는 유리와 같은 기판위에 ITO박막을 형성시킨다음 설정된 전극패턴에 따라 식각에 의해 ITO박막 패턴을 형성하고, 그 위에 절연층을 형성한 후 액정을 봉입하여 제작되는데, 식각에 의해 ITO박막 패턴을 형성하는 과정에서 일부 패턴이 단락 또는 오픈될 경우가 발생한다.The liquid crystal display device is formed by forming an ITO thin film on a substrate such as glass, and then forming an ITO thin film pattern by etching according to the set electrode pattern, forming an insulating layer thereon, and then encapsulating the liquid crystal. In the process of forming the ITO thin film pattern, some patterns may be shorted or opened.
이와 같이 패턴이 단락 또는 오픈될 경우에는 정상적인 신호처리에 의한 화상의 구현에 장해가 발생하기 때문에 디스플레이소자에 있어서는 치면적이다. 따라서, 식각에 의한 ITO박막 패턴을 형성한 이후, 반드시 전극용 ITO박막 패턴의 단락/오픈검사를 수행하여 그 불량을 가려내야한다.When the pattern is short-circuited or opened in this manner, the display device has a large area because a disturbance occurs in the realization of the image by normal signal processing. Therefore, after the ITO thin film pattern is formed by etching, the short circuit / open inspection of the ITO thin film pattern for electrodes must be performed to isolate the defect.
도 1에 종래의 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법을 도시하였다.1 illustrates a short circuit and an open inspection method of a conventional ITO thin film pattern.
도시된 바와 같이, 종래의 ITO박막패턴(1)의 단락 및 오픈 검사방법에 있어서는 저항측정기(3)의 탐침(4)을 검사하고자 하는 패턴부위에 접촉시켜 ITO박막 패턴(1)에 흐르는 전류를 검출함으로써 단락 및 오픈을 측정한다.As shown, in the conventional short-circuit and open inspection method of the ITO thin film pattern 1, the current flows through the ITO thin film pattern 1 by contacting the probe 4 of the resistance meter 3 with the pattern portion to be inspected. By detecting, short and open are measured.
이와 같은 패턴의 단락/오픈 검사방법은 탐침(4)을 측정하고자 하는 ITO박막패턴(1)부위에 먼저 접촉시킨 후 저항 측정기(3)에 마련된 표시기를 통해 표시되는 눈금을 통해 단락 및 오픈상태를 확인하고, 다음 패턴부위에 다시 탐침(4)을 접촉시키는 작업이 반복된다. 이와 같은 접촉식 패턴 단락 및 오픈검사방법에 있어서, 측정시간을 줄이기 위해 탐침을 고정시킨상태에서 기판(2)을 화살표 방향으로 빠른 속도로 이동 시키게 되면 탐침(4)에 의해 ITO박막패턴(1)에 흠집이 생겨 오믹특성등이 변하게 되거나, 심할 경우 균열 등을 초래할 수 있다. 이와 같은 이유로 인해 패턴의 단락 및 오픈검사에 소요되는 측정시간을 일정수준 이하로 줄일수 없다.The short / open inspection method of such a pattern is made by first contacting the ITO thin film pattern (1) to be measured with the probe (4), and then checking the short and open states through a scale displayed through an indicator provided in the resistance measuring instrument (3). After checking, the operation of contacting the probe 4 to the next pattern portion is repeated. In such a contact pattern short and open inspection method, if the substrate 2 is moved at a high speed in the direction of the arrow while the probe is fixed in order to reduce the measurement time, the ITO thin film pattern 1 is caused by the probe 4. Scratches can cause the ohmic properties to change or, in severe cases, to cause cracks. For this reason, the measurement time for short-circuit and open inspection of patterns cannot be reduced below a certain level.
따라서, 이와 같은 접촉식 측정방법은 개인용 노트북 컴퓨터의 디스플레이소자와 같이 표시해야할 화소수가 많을 경우 그에 대응되는 전극용 ITO박막 패턴(1)수도 증가하여 패턴의 단락 및 오픈검사에 소요되는 시간이 증가된다.Therefore, when the number of pixels to be displayed, such as display elements of a personal notebook computer, increases in the number of ITO thin film patterns 1 for electrodes, the time required for short-circuit and open inspection of the pattern increases. .
[발명이이루고자하는기술적과제][Technical Challenges to Invent]
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사에 소요되는 측정시간을 줄일수 있는 액정표시소자의 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and to provide a short and open inspection method of the ITO thin film pattern of the liquid crystal display device that can reduce the measurement time required for short and open inspection of the ITO thin film pattern. There is this.
[발명의구성및작용]Composition and Action of the Invention
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시소자의 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법은 기판상에 적층된 전극용 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈을 두 개의 탐침을 갖는 저항측정기를 사용하여 액정표시소자의 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법에 있어서, 상기 두 개의 탐침을 측정하고자 하는 상기 ITO박막 패턴에 소정간격 이격되게 배치시키고, 상기 두 개의 탐침과 상기 ITO박막 패턴의 이격공간에 도전성 이온물질을 기체상태로 분사하여 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈을 검사하는 것을 그 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the short-circuit and open inspection methods of the ITO thin film pattern of the liquid crystal display device according to the present invention use a resistance measuring instrument having two probes to short-circuit and open the ITO thin film pattern for electrodes stacked on a substrate. In the short-circuit and open inspection method of the ITO thin film pattern of the liquid crystal display device, the two probes are arranged at a predetermined distance from the ITO thin film pattern to be measured, and the conductive spaces are separated from the space between the two probes and the ITO thin film pattern. It is characterized in that the short-circuit and opening of the ITO thin film pattern is inspected by injecting an ionic substance in a gaseous state.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시소자의 ITO박막 패턴의 단락 및 오픈 검사방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a short circuit and an open inspection method of an ITO thin film pattern of a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도시된 바와 같이 단락 및 오픈을 검사하기 위한 측정대상인 ITO박막 패턴(11)이 유리와 같은 기판(12)위에 적층되어 있고, 이 ITO박막 패턴(11)위에 소정간격 이격된 위치에 저항측정기(13)에서 인출된 두 개의 탐침(14)이 배치되며, 이온 분사기(15)로부터 ITO박막 패턴(11)과 탐침(14)의 이격거리(d) 사이에 도전성 이온물질(16)이 개스상태로 분출된다.As illustrated, the ITO thin film pattern 11, which is a measurement target for inspecting short circuits and openings, is stacked on a substrate 12 such as glass, and the resistance measuring device 13 is positioned at a predetermined interval on the ITO thin film pattern 11. The two probes 14 withdrawn from the () are arranged, and the conductive ionic material 16 is ejected in a gas state from the ion injector 15 between the ITO thin film pattern 11 and the separation distance d of the probe 14. do.
저항측정기(13)는 통상적으로 이용되는 측정장치로서 그 본체 내부에 전원과 그 탐침(14)을 통해 흐르는 전류를 검출하여 저항을 측정하는 장치이다.The resistance measuring device 13 is a measuring device which is commonly used, and measures a resistance by detecting a current flowing through the power source and the probe 14 inside the main body.
이와 같이 배치 구성된 저항측정기(13)와 이온분사기(15)에 의해 ITO박막 패턴(11)의 단락 및 오픈을 검사하는 방법을 살펴본다.The method of inspecting the short circuit and the open of the ITO thin film pattern 11 by the resistance measuring device 13 and the ion ejector 15 arranged as described above will be described.
먼저 ITO박막 패턴(11)과 탐침(14)과의 이격 거리(d)를 수μm 내지 수 십μm정도 유지시키고, 측정하고자 하는 ITO박막 패턴(11)의 저항값보다 1/50 내지 1/100정도 작은 저항값을 갖는 개스상태의 도전성 이온 물질(16)을 상기 이격거리(d)사이에 분사시킨다. 따라서 저항측정기(13)에 내장된 전압원에 의한 도전 루프가 저항측정기(13)의 본체로부터 본체의 한측에 연결된 탐침(14), 개스상태의 도전성 이온물질(16), ITO박막 패턴(11), 개스상태의 도전성 이온물질(16), 본체의 타측과 연결된 탐침(14)을 연결하도록 형성된다. 이때, 이온 분사기(15)로부터 분사되는 개스상태의 도전성 이온물질(16)이 ITO박막패턴(11) 상면 전체에 걸쳐 분사되지 않고, 탐침(14)이 위치된 부분에만 집중될 수있도록 이온분사기(15)의 분사노즐이 배치되어 저항측정기(13)의 도전루프가 반드시 ITO박막패턴(11)을 거치도록 해야한다.First, the separation distance d between the ITO thin film pattern 11 and the probe 14 is maintained at several μm to several ten μm, and is 1/50 to 1/100 of the resistance value of the ITO thin film pattern 11 to be measured. A gaseous conductive ionic material 16 having a relatively small resistance value is injected between the separation distance d. Therefore, the probe 14 connected with the conductive loop by the voltage source embedded in the resistance meter 13 from the main body of the resistance meter 13 to one side of the main body, the conductive ion material 16 in the gas state, the ITO thin film pattern 11, It is formed to connect the conductive ion material 16 in the gas state and the probe 14 connected to the other side of the main body. In this case, the ion-conductive ion material 16 sprayed from the ion injector 15 may not be sprayed over the entire upper surface of the ITO thin film pattern 11, and may be concentrated only at a portion where the probe 14 is positioned. The injection nozzle of 15) must be arranged so that the conductive loop of the resistance meter 13 passes through the ITO thin film pattern 11.
이온분사기915)의 분사노즐을 통해 배출된 개스상태의 도전성 이온물질(16)이 탐침(14)과 ITO박막패턴(11)의 이격거리(d)의 위치에서 일정거리이상 확산된 거리에서 회수되도록 흡입수단(미도시)이 마련되는게 바람직하다.The gaseous conductive ionic material 16 discharged through the injection nozzle of the ion injector 915 is recovered at a distance diffused by a predetermined distance or more at the distance d of the probe 14 and the ITO thin film pattern 11. Preferably, suction means (not shown) is provided.
따라서 도전성 이온물질(16)이 분사된 상태에서 인지된 정상적인 ITO박막패턴(11)의 저항값을 기준으로 측정된 저항값을 비교하여 패턴의 오픈 유무를 판단하게 된다.Therefore, by comparing the resistance value measured based on the resistance value of the normal ITO thin film pattern 11 recognized in the state in which the conductive ion material 16 is injected, it is determined whether the pattern is open.
이와 같이 탐침(14)과 측정대상인 ITO박막 패턴(11)과의 비접촉식에 의한 단락 및 오픈 측정방법은 유리기판(12)의 이동속도를 빠르게 할 수 있기 때문에 종래의 측정방법에 비해 측정시간이 단축된다.As described above, the non-contact short-circuit and open measurement method between the probe 14 and the ITO thin film pattern 11 to be measured can speed up the movement of the glass substrate 12, thereby reducing the measurement time compared to the conventional measurement method. do.
[발명의효과][Effects of the Invention]
지금까지 설명된 바와 같이 본 발에 따른 ITO박막 패턴 단락 및 오픈방법이 액정표시소자 제조공정에 도입됨으로써, ITO박막 패턴의 손상없이 그 측정시간이 단축된다.As described so far, the ITO thin film pattern short-circuit and open method according to the present invention are introduced into the liquid crystal display device manufacturing process, thereby reducing the measurement time without damaging the ITO thin film pattern.
Claims (1)
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| KR1019960038452A KR19980020101A (en) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | Short-circuit and open inspection of ITO thin film pattern of liquid crystal display device |
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| KR (1) | KR19980020101A (en) |
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