KR19980018827A - 타켓 측벽상 재층착물을 제거하기 위한 스퍼터링 타켓(sputter target for eliminating redeposition on the target sidewall) - Google Patents

타켓 측벽상 재층착물을 제거하기 위한 스퍼터링 타켓(sputter target for eliminating redeposition on the target sidewall) Download PDF

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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

개선된 스퍼터링 타켓 및 차폐물은 타켓에 스퍼터된 재료의 재증착을 제거하고 타켓 및 밀봉 벽 사이 전기 절연 부재상에 증착물의 형성을 방지한다. 스퍼터링 타켓은 타켓 사이의 좁은 통로, 후면판 및 차폐물이 조준선 증착으로부터 절연 부재를 보호하고, 후면판 및 차폐물 사이에 아킹을 유발시키지 않고 통로내에 플라즈마를 형성하지 않는동안 타켓의 전체 측벽을 플라즈마가 스퍼터링하도록 설계된다. 본 발명의 타켓은 주변 가장자리 주변에 경사지거나 프러스토코니컬 측벽 표면을 가진 일반적으로 디스크 모양이다.

Description

타켓 측벽상 재증착물을 제거하기 위한 스퍼터링 타켓
본 발명은 타켓의 측벽상 스퍼터된 입자를 제거하는 스퍼터 타켓에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 어떤 재증착된 종이 이온 스퍼터링에 의해 즉각적으로 세척되도록 그 자체가 스퍼터된 측벽을 가지는 스퍼터 타켓에 관한 것이다.
스퍼터링 처리는 알루미늄같은 고체 금속이 소스(또한 타켓으로 불린다)로서 사용되는 물리적 기상 증착(PVD) 기술이다. 금속 원자는 높은 에너지의 이온 범버딩(bombardment)으로 타켓으로부터 원자들을 제거함으로써 생성된다. 스퍼터링을 유발하는 높은 에너지 이온은 플라즈마에 의해 형성된 아르곤같은 불활성 가스이다.
종래 스퍼터링 챔버의 간략화된 단면도는 종래 스퍼터링 타켓을 포함하는 도 1에 도시된다. 챔버(10)는 일반적으로 적어도 하나의 가스 입구를 가지는 챔버 엔클로저 벽(12)을 포함한다. 기판 지지 받침대(20)는 챔버(10)의 하단부에 배치되고, 타켓(18)은 챔버(10)의 상단부에 수용된다. 타켓(18)은 타켓(18) 및 엔클로저 벽(12) 사이에 전기 단락 회로를 형성하는 증착물의 형성을 방지하기 위하여 하부 타켓 표면(24) 위에 일반적으로 배치되는 산화 알루미늄같은 절연 부재(22)에 의해 엔클러저 벽(12)로부터 전기적으로 절연된다. 엔클로저 벽(12)은 바람직하게 접지되어, 음의 전압이 접지된 엔클로저 벽(12)에 관련하여 타켓(18)상에 유지될 수 있다. 차폐물(26)은 챔버(10)내에 매달려있고 받침대(20)가 도 1에 도시된 바와같이 챔버(10)의 아래쪽으로 오므라들때 고정링(30)(또는 조준기)이 받침대(20)상에 매달려있을 수 있는 환형, 상승벽(28)을 포함한다.
바이어스 스퍼터링시, 챔버는 타켓(18)으로부터 전력원(34)에 의해 생성된 플라즈마에 대해 음의 전위로 유지된 기판(32)으로 입자를 스퍼터링함으로써 금속 필름을 형성하기 위하여 사용된다. 스퍼터된 금속 원자 또는 원자 그룹의 대부분들은 챔버에 유지된 저압으로 인한 각의 분포로 실질적으로 선형 궤도를 따른다. 스퍼터링 챔버(10)내의 가스 혼합물 및 압력은 몇 밀리토르의 압력까지 아르곤으로 챔버를 다시 채우기전에 약 10-7토르 이하로 챔버를 비움으로써 통상적으로 달성된다. 이들 가스 압력에서, 받침대(20)는 타켓(18) 및 기판(32) 사이의 거리가 아르곤 가스 분자의 평균 자유 경로보다 작도록 챔버내에서 위쪽으로 상승될 수 있다. 그러므로, 많은 스퍼터된 입자는 충돌없이 기판에 직접적으로 이동한다.
그러나, 스퍼터된 입자의 대부분은 가스와 충돌, 전기장 효과 및 그와 비슷한 것들에 의해 가스에서 산란된다. 이들 산란된 입자는 벽(12), 절연 부재(22), 받침대(20), 고정링(30) 또는 차폐 부재(26), 및 타켓(18) 그자체를 포함하는 챔버의 다양한 표면에 재증착될 수 있다. 절연 부재(22)에 전도성 스퍼터 입자의 재증착은 챔버가 닫혀지고 세척될 것을 요구하는 타켓(18) 및 엔클로저 벽(12) 사이에 전기 단락을 결과적으로 형성한다. 다른 챔버 표면에 재증착은 주기적으로 엷은 조각으로 벗겨질 재료의 축적을 유도하여, 집적 회로에서 치명적인 결함을 유발할 수 있는 목표되지 않은 입자를 생성한다.
스퍼터 챔버에서 입자의 농도를 감소시키는데 도움을 주는 방법이 여러 방법으로 이루어질 수 있다. 예를들어, 챔버에서 입자 농도를 관리하기 위한 한가지 방법은 스퍼터된 입자가 챔버 벽상에 직접적으로 증착되는 것을 방지하는 스퍼터 차폐물(도 1에서 차폐물 26같은)의 사용이다. 스퍼터 차폐물은 축적물의 범위가 제한되도록 처리 키트의 부분으로서 주기적으로 대체된다. 이 방법은 챔버(10)가 세척되는 주기를 감소시키지만, 스퍼터된 입자의 일부는 여전히 차폐물 주위를 통과하고 세척이 필요하도록 챔버 벽 및 구성요소상에 증착을 형성한다.
스퍼터 챔버에 입자의 농도를 감소시키는 다른 방법은 증착물과 반응하는 세척 가스를 유입하는 것이다. 이들 반응의 가스 부산물은 진공 펌프에 결합된 배출 포트를 통하여 챔버로부터 제거된다. 그러나, 증착 처리는 세척 처리동안 및 증착 처리가 다시 시작하기 전에 챔버로부터 세척물 및 부산물 가스의 비움동안 단절되어야한다. 그러므로, 여기 기술된 상기 방법 양쪽은 증착물이 형성하는 것을 방지하기 보다 이미 형성된 챔버의 증착물을 제거하는데 도움을 준다.
타켓 자체의 측벽에 스퍼터된 재료의 재증착은 챔버에서 목표되지 않은 입자의 원인이된다. 챔버 환경에서 산란하게되는 스퍼터된 입자는 재료의 입자 또는 시트를 형성하기 위하여 타켓 및 수용물의 측벽에 재증착할 수 있다. 직류(DC) 전력은 기판상의 스퍼터 증착동안 타켓에 인가되고 그 다음 기판 사이의 타켓으로부터 제거된다. 재증착된 재료뿐 아니라 타켓은 연속적으로 가열 및 냉각되고, 그것에 의해 열적 스트레스에 그자체가 영향을 받는다. 시간 주기 이후, 이런 스트레스는 타켓 측벽상에 재증착된 재료의 입자가 기판을 손상시키고 기판에 떨어지게한다.
목표 측벽상에 재증착을 막기위한 한가지 방법은 도 3에 도시된다. 챔버(50)는 타켓(51)을 가지며 상기 타켓(51)은 플라즈마와 접촉하고 스퍼터되는 타켓면(54)의 부분이 되는 부분적으로 경사진 주변 가장자리(52)를 가진다. 상기 경사진 가장자리(52)는 증착이 발생할 수 있는 측벽(56)의 표면 영역을 효과적으로 감소시킨다. 측벽은 엔클로저 벽(12)으로부터 타켓(51)을 전기적으로 절연시키기 위하여 절연체(58)에 직접적으로 입자의 조준선 스퍼터링을 방지하기 위하여 필요하다.
그러나, 상기 효과에도 불구하고, 형성된 집적 회로가 손상을 입을 수 있는 입자를 거의 생성하지 않는 스퍼터 챔버에 대한 필요가 요구된다. 특히, 타켓 측벽에 스퍼터된 입자의 재증착을 제거하고 절연체상에 스퍼터된 재료의 형성을 방지하는 스퍼터 챔버 및 스퍼터 타켓에 대한 필요가 있다. 챔버가 추가의 장치를 요구하지 않고 대체 처리 키트로서 설치되면 바람직하다.
본 발명의 목적은 타켓 측벽상에 재증착을 제거하는 물리 증기 증착 시스템에 대한 스퍼터 타켓을 제공하는 것이다.
도 1은 종래 스퍼터링 타켓을 포함하는 종래 스퍼터링 챔버의 간략화된 단면도.
도 2는 타켓 측벽에 재증착을 감소시키기 위하여 리지와 협력하는 인버터된 각의 리지를 가진 타켓 및 차폐물을 포함하는 스퍼터링 챔버의 간략화된 단면도.
도 3은 경사진 가장자리 및 리세스된 절연체를 가진 타켓을 포함하는 스퍼터링 챔버의 간략화된 단면도.
도 4는 플라즈마에 의해 스퍼터되는 타켓 면의 부분을 충분히 경사지게하는 측벽을 가지는 타켓을 포함하는 본 발명의 스퍼터링 챔버의 간략화된 단면도.
도 5(a-d)는 본 발명의 범위내에서 다양한 타켓 외형의 측면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 챔버 12, 52 : 엔클로저 벽
18, 51, 80, 90 : 타켓 20 : 기판 지지 받침대
22 : 절연 부재 24 : 타켓 표면
26 : 차폐물 30 : 고정링
32 : 기판 48, 68 : 후면판
49 : 통로 64 : 프러스토코닐컬 표면
상기 타켓은 중앙 지역 및 경사진 가장자리를 가지는 스퍼터 가능한 재료를 포함한다. 상기 중앙 지역은 목표된 증착 특성을 달성하기 위하여 실질적으로 편평하거나 윤곽질 수 있다. 그러나, 타켓은 바람직하게 일반적으로 둥글고 실질적으로 프러스토코니컬(frustoconical)인 경사진 가장자리를 가진다. 타켓 가장자리 경사는 중앙 지역에 대해 약 15 및 약 60도 사이, 바람직하게 약 20 및 약 45 도 사이의 경사를 이룬다. 타켓은 후면에 부착된다.
본 발명은 엔클로저, 애노드를 형성하는 기판 지지 부재 및 상기 엔클로저내의 기판 지지 부재에 면하고 상기 애노드로부터 전기적으로 절연된 스퍼터 타켓을 포함하는 개선된 스퍼터 챔버를 제공한다. 상기된 바와같이 타켓은 챔버에 제공되고 플라즈마를 스트라이킹하기 위한 DC 전력원에 결합된다. 스퍼터 차폐물은 후면판 및 절연 부재에 조준선 증착으로부터의 엔클로저 사이에 증착된 절연 부재를 보호하기 위하여 타켓과 함께 사용된다.
본 발명은 스퍼터링 챔버에 대한 처리 키트를 더 포함한다. 키트는 중앙 지역, 경사진 측벽 및 주변 가장자리를 가지는 타켓을 가지며; 스퍼터 차폐물은 갭을 형성하기 위하여 타켓의 주변 가장자리쪽으로 연장한다. 바람직한 갭은 플라즈마가 갭으로 들어가는 것을 막기 위하여 충분히 작다. 스퍼터 차폐물은 절연 부재에 조준선 증착을 방지한다.
본 발명의 상기된 특징, 장점 및 목적이 상세히 이해되도록, 상기 요약된 본 발명의 보다 특정한 설명이 첨부된 도면에 기술된 실시예를 인용한다.
본 발명은 타켓에 스퍼터된 재료의 재증착을 제거하고 타켓 및 엔클러저 벽 사이 절연체상에 증착물의 형성을 방지하는 개선된 스퍼터 챔버를 제공한다. 스퍼터 타켓 및 차폐물은 조준선 증착으로부터 절연 부재를 보호하는 동안 타켓의 전체 측벽을 플라즈마가 스퍼터하도록 설계된다.
도 2를 참조하여, 타켓 측벽상에 재증착을 막기위한 새로운 스퍼터 타켓 및 차폐물 설계는 본 출원과 공통 양수인을 가지는 현 미합중국특허출원에 개시된 바와같이 도시된다. 타켓(40)의 구조는 인버터되어 각진 리지를 형성하는 측벽(42)을 가진다. 차폐물(26)은 타켓(18)의 하부 표면(46)으로 연장하고 상기 차폐물(26) 및 타켓 측벽(42) 사이에 좁은 통로를 형성하기 위하여 후면판(48)에 접근하는 상부 부분(44)을 가진다. 이 좁은 통로(49)는 측벽(42)과 접촉할 수 있는 스퍼터 재료의 양을 제한한다. 게다가, 통로를 통하여 진입하는 작은 양의 스퍼터 재료는 여전히 후면판(48) 또는 인버터된 각진 측벽(42)을 증착할 수 있다. 그러므로, 몇몇의 입자 생성은 여전히 작업후에도 발생된다.
도 4 및 5(a-d)를 참조하여, 본 발명의 타켓은 중앙 지역 및 경사진 가장자리 또는 타켓 주변 주위 측벽 표면을 가지는 디스크 모양으로 도시된다. 중앙 지역은 종래 기술에서 인식된 바와같이 실질적으로 편평(도 4 및 도(a-c))하거나 윤곽진(도 5(d))다. 게다가, 타켓의 가장자리 또는 측벽의 기울기는 일정하거나 변화된다. 바람직한 가장자리(64)는 도 5(a)에 도시되고 여기서 타켓(62)은 둥글고 가장자리의 기울기는 프러스토코니컬 표면(64)을 형성하기 위하여 중앙 지역(62)으로부터 후면판(68)으로 일정하다. 여기에서 사용된 용어 프러스토코니컬은 표면이 원통형 원뿔의 부분을 형성한다는 것을 의미한다. 경사진 측벽은 플라즈마가 타켓의 전체 표면을 스퍼터하도록 직각보다 충분히 작은(90도 이하) 각(α)로 편평한 타켓 표면에 대해 경사진다, 즉 스퍼터된 타켓면이 편평한 표면 및 경사진 측벽을 포함한다. 이런 방식으로, 경사진 측벽에 재증착된 어떤 스퍼터된 입자는 경사진 측벽을 포함하는 타켓 면상의 어느곳에든 재료가 수용될수없도록 재스퍼터된다.
도 5(b)에 도시된 바와같이, 타켓(80)은 플라즈마가 모든 표면을 스퍼터하는한, 하나 이상의 경사진 부분(82, 84)을 가질 수 있는 측벽을 구비한다. 그러므로, 각각 경사진 부분(82, 84)은 약 15 및 약 60 도 사이, 바람직하게 약 30 및 약 45 도 사이의 기울기(α1및 α2)를 가져야한다. 게다가, 도 5(c)에 도시된 바와같이, 타켓(90)은 전체 표면을 플라즈마가 스퍼터하는한, 곡선진 측벽(92)을 가질 수 있다. 일반적으로, 이것은 곡선(92)에 대한 라인(92) 탄젠트가 경사진 부분에 대해 형성된 범위내의 각(α최대)을 가질 것을 요구한다. 게다가, 도 5(d)에 도시된 타켓(100)은 중앙 지역(106) 및 측벽(102) 사이에 부드러운 변화 또는 곡선진 표면(104)을 가지는 측벽(102)을 가진다. 도 5(d)는 윤곽진 중앙 타켓 지역(106)을 도시한다.
도 4를 참조하여, 타켓은 경사진 타켓 측벽이 후면판과 만나는 지점과 밀접히 근접하여 위쪽으로 연장하는 스퍼터 차페물과 협력한다. 그러므로, 차폐물은 스퍼터 재료의 어떤 많은 양이 후면판에 재증착되는 것을 방지한다. 만약 어떤 증착물이 후면판상에 축적되면, 그것으로부터 생성된 대부분의 입자는 차폐물 및 후면판 사이에 형성된 좁은 통로내에 남을 것이다. 게다가, 차폐물은 바람직하게 타켓으로부터 어떤 조준선 증착을 제거하기 위하여 절연 부재의 상부 위로 또는 근처로 연장한다. 도 4의 절연 부재는 후면판으로부터 아래쪽으로 약간의 거리를 가지도록 도시되지만, 절연 부재는 도 1의 절연체 위치를 포함하는 본 발명의 범위내에서 후면판으로부터 더 가까운 거리에 배치될 수 있다.
본 발명의 한가지 장점은 타켓 및 차폐물이 스퍼터 챔버에 설치된 베이스내에 사용될수있다는 것이다. 본 발명의 타켓 및 차폐물은 다른 타켓 및 차폐물로 대체될 수 있고, 이것은 처리 키트의 부분으로서 주기적으로 대체된다.
도 4를 다시 참조하여, 간략화된 본 발명의 스퍼터링 챔버(60)의 단면이 도시된다. 챔버(60)는 일반적으로 적어도 하나의 가스 입구(14)를 가지는 챔버 엔클로저 벽(12)을 포함한다. 기판 지지 받침대(20)는 챔버(60)의 하단부에 배치되고, 타켓(62)은 챔버(60)의 상부에 수용된다. 타켓(62)은 산화 알루미늄같은 절연 부재(22)에 의해 엔클로저(12)로부터 전기적으로 절연된다. 엔클로저 벽(12)은 바람직하게 접지되어, 음의 전압이 접지된 엔클로저 벽(12)에 대해 타켓(62)상에 유지된다. 차폐물(70)은 챔버(60)내에 매달려있고 받침대(20)가 도 4에 도시된 바와같은 챔버(60)의 아래쪽으로 오므라들 때 받침대(20)상에 고정링(30)(또는 조준기)이 매달려있는 각진, 상승된 벽(72)을 포함한다.
반도체 웨이퍼 또는 기판(32)을 처리용 챔버(60)에 수용하기 위하여 준비중에, 기판 지지 받침대(20)는 받침대의 하부가 핀 배치 플랫폼(13)에 밀접하도록 차폐물(70)상에 매달린 고정링(30) 아래쪽으로 구동 메카니즘에 의해 낮추어진다. 받침대(20)는 통상적으로 3개 또는 그 이상의 수직 보어(bore)(도시되지 않음)를 포함하고, 각각의 보어는 그것을 통하여 수직으로 미끌어지는 핀(15)을 통과시킨다. 받침대(20)가 목표된 하부 위치에 있을 때, 각 핀(15)의 상부 팁은 받침대(20)의 상부 표면으로 튀어나온다. 핀(15)의 상부 팁(tip)은 받침대(20)의 상부 표면에 평행한 평면을 형성한다.
종래 로보트 아암은 통상적으로 기판(32)을 챔버(60)로 운반하고 핀(15)의 상부 팁상에 기판(32)을 배치시킨다. 리프트 메카니즘(17)은 기판(32)의 하부측에 대해 핀(15)의 상부 팁을 배치시키고 부가적으로 로보트 블레이드(도시되지 않음)에서 기판(32)을 들어올리기 위하여 핀 플랫폼(13)을 위쪽으로 이동시킨다. 로보트 블레이드는 챔버(60)로부터 끄집어내지고, 리프트 메카니즘(19)은 핀(15)의 팁상으로 받침대(20)를 상승시키고, 그것에 의해 받침대(20)의 상부 표면에 기판(32)을 배치시킨다.
리프트 메카니즘(19)은 기판(32)이 타켓(62)으로부터 적당한 거리에 있을 때 까지 받침대(20)를 계속 상승시킨다. 환형 고정링(30)이 사용될 때, 기판(32)은 위로향한 벽 부분(72)상에 위치하는 환형 고정링의 내부 부분과 접촉한다. 고정링(30)의 내부 직경은 기판 직경보다 약간 작다.
이런 지점에서, 필름 증착 처리가 시작될 수 있다. 처리 가스(통상적으로 아르곤)는 가스 입구(14)를 통하여 챔버(60)로 공급되고, DC 전력 공급기(34)는 음의 전압을 스퍼터링 타켓(62)에 제공한다. 전압은 아르곤 가스를 플라즈마 상태로 여기하고, 아르곤 이온은 재료를 타켓에 스퍼터하기 위하여 음으로 바이어스된 타켓(62)과 범버딩한다. 스퍼터된 재료는 고정링(38)에 의해 차폐된 주변을 제외하고 기판(32)상에 증착한다.
필름층이 기판(32)상에 증착된후, 기판은 챔버에 수행된 시퀀스 단계를 거꾸로함으로써 챔버(60)로부터 제거된다. 특히, 리프트 메카니즘(19)은 위로향한 벽 부분(72) 아래로 받침대(20)를 낮추어, 고정링(30)은 고정 링(30)의 무게가 차폐물(70)에 의해 지지되고, 기판(32) 및 받침대(20)에 의해 지지되지 않도록 고정링(30)이 내려간다. 리프트 메카니즘(17)은 기판(32)이 지지 부재(20)의 표면상으로 들어올려질때까진 핀(15)을 상승시킨다. 로보트 블레이드는 핀(15)이 하강하기전에 기판 아래 위치로 챔버를 진입시킬 수 있다.
본 발명의 일측면에서, 챔버(60)는 플라즈마에 의해 스퍼터되는 타켓면(66)의 부분을 만들도록 충분히 경사진 주변 부분 또는 측벽(64)을 가지는 타켓(62)을 포함한다. 도 4에서 각(α)에 의해 형성된 경사도는 약 15 및 약 60 도, 바람직하게 약 30 및 약 45 도 사이이다. 기판에 실질적으로 편평한 타켓의 중앙, 편평한 부분은 기판의 직경보다 큰 직경을 가진다. 타켓이 설계되고, 타켓(62)의 전체면(66)은 스퍼터되고 타켓 부분은 재증착된 재료를 축적하지 않는다. 타켓상에 재증착된 재료의 축적이 없기 때문에, 손상 입자의 형성은 감소되거나 제거된다.
차폐물(70)은 후면판(68) 및 절연 부재(22)에 재료의 재증착을 제한하기 위하여 챔버(60)내에 제공된다. 차폐물(70)은 차폐물(70) 및 후면판(68) 사이에 매우 좁은 통로(69)만을 남기도록 타켓 측벽(64)의 외부 주변 근처에서 후면판과 근접하여 위쪽으로 연장한다. 좁은 통로는 두 개의 특징을 제공한다: 첫째, 통로(69)는 차폐물 및 후면판 사이 거리로서 형성되고 충분히 작아서 통로의 프라즈마 형성으로 전도하지 않는 통로 조건을 유지하고; 및 차폐물 및 타켓과 협력하여, 입자가 타켓 재료 주변에 노출된 후면판 표면상에 증착할 전위를 최소화하기 위한 비틀린 경로를 제공한다. 플라즈마 형성을 막기 위하여 요구된 통로의 좁은 정도는 일단 차폐물 및 후면판 사이의 가스 압력 및 전위가 공지되면 당업자에 의해 쉽게 결정될 수 있다. 그러나, 통로는 차폐물 및 후면판 사이에서 아킹이 발생하도록 작거나 좁지 않다.
게다가, 바람직하게 차폐물은 절연 부재상에 어떤 조준선 증착이 발생하는 것을 방지하기 위하여 절연 부재(22)의 상부상 또는 근처로 연장한다. 차폐물의 잔류 부분은 고정 링 또는 조준기(30)를 지지할 수 있는 임의의 구조를 포함한다. 차폐물(70)은 대체 가능한 부재이고, 가장 바람직하게 상기 타켓(62)을 따라 또는 다수의 타켓뒤에 주기적으로 대체되는 처리 키트의 부분이다. 본 발명의 타켓 및 차폐물이 바람직하게 함께 사용되고, 그것들은 각각 사용될수있다는 것은 인식된다.
본 발명의 다른 측면에서, 처리 키트는 스퍼터 챔버(60)에서 사용하기 위한 타켓(62) 및 차폐물(70)을 포함한다. 처리 키트는 바람직하게 동일 또는 다른 기술로 대체되는 타켓 및 차폐물로 주기적으로 대체된다.
상기는 본 발명의 바람직한 실시예에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예가 기본적인 범위를 벗어나지 않고 고안될 수 있다. 본 발명의 범위는 다음 청구범위에 의해 결정된다.
본 발명의 효과는 물리 증기 증착 시스템에 대한 스퍼터 타켓을 제공함으로써 타켓 측벽상에 재증착이 방지된다.

Claims (24)

  1. 엔클로저;
    애노드를 형성하는 기판 지지 부재;
    상기 엔클로저내의 기판 지지 부재와 면하고 상기 애노드로부터 전기적으로 절연되며, 중앙 지역 및 실질적으로 프러스토코니컬 가장자리를 가지는 스퍼터 타켓; 및
    상기 타켓에 결합된 DC 전력 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 챔버.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 실질적인 플러스토코니컬 가장자리는 스퍼터될 충분히 느린 경사를 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터 챔버.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 실질적인 플러스토코니컬 가장자리는 중앙 지역에 대해 약 15 도 및 약 60 도 사이의 각으로 경사지는 것을 특징으로 하는 스퍼터 챔버.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 실질적인 플러스토코니컬 가장자리는 중앙 지역에 대해 약 20 도 및 약 45 도 사이의 각으로 경사지는 것을 특징으로 하는 스퍼터 챔버.
  5. 제 1항에 있어서, 스퍼터 차폐물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 챔버.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 타켓은 후면판에 부착되고, 상기 스퍼터 차폐물은 타켓 가장자리 근처의 후면판에 근접하여 연장하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 챔버.
  7. 제 6항에 있어서, 기판 지지 부재로부터 타켓을 전기적으로 절연하기 위하여 후면판 및 엔클로저 벽 사이에 배치된 절연 부재를 더 포함하고, 상기 스퍼터 차폐물은 절연 부재에 조준선 증착을 방지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 챔버.
  8. 물리 기상 증착 시스템용 타켓에 있어서,
    중앙 지역 및 경사진 가장자리를 가지는 스퍼터 가능 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 타켓.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 타켓은 일반적으로 둥글고 상기 경사진 가장자리는 실질적으로 플러스토코니컬인 것을 특징으로 하는 타켓.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 타켓은 일반적으로 둥글고 상기 경사진 가장자리는 중앙 지역에 대해 약 60도의 최대 각을 가지는 탄젠트 라인을 가지는 곡선인 것을 특징으로 하는 타켓.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 타켓은 일반적으로 둥글고 상기 경사진 가장자리는 다수의 경사진 부분을 가지는 것을 특징으로 하는 타켓.
  12. 제 8항에 있어서, 상기 가장자리는 중앙 지역에 대해 약 15 도 및 약 60 도 사이의 각으로 경사진 것을 특징으로 하는 타켓.
  13. 제 8항에 있어서, 상기 가장자리는 중앙 지역에 대해 약 20 도 및 약 45 도 사이의 각으로 경사진 것을 특징으로 하는 타켓.
  14. 제 8항에 있어서, 상기 타켓은 후면판에 부착되는 것을 특징으로 하는 타켓.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 후면판 및 타켓을 전기적으로 절연하기 위한 절연 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 타켓.
  16. 제 8항에 있어서, 상기 중앙 지역은 실질적으로 편평한 것을 특징으로 하는 타켓.
  17. 제 8항에 있어서, 상기 중앙 지역은 등고선으로 윤곽지는 것을 특징으로 하는 타켓.
  18. 스퍼터링 챔버용 처리 키트에 있어서,
    실질적으로 편평한 중앙 지역, 경사진 측벽 및 주변 가장자리를 가지는 타켓; 및
    플라즈마가 갭으로 진입하는 것을 막기 위하여 충분히 작은 갭을 형성하기 위하여 타켓의 주변 가장자리쪽으로 연장하는 스퍼터 차폐물을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 키트.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 타켓은 후면판에 부착되는 것을 특징으로 하는 처리 키트.
  20. 제 18항에 있어서, 상기 스퍼터 차폐물은 절연 부재에 조준선 증착을 방지하는 것을 특징으로 하는 처리 키트.
  21. 제 18항에 있어서, 상기 타켓은 실질적으로 둥글고 상기 경사진 가장자리는 실질적으로 플러스토코니컬인 것을 특징으로 하는 처리 키트.
  22. 제 18항에 있어서, 상기 가장자리는 중앙 지역에 대해 약 15 도 및 약 60 도 사이의 각으로 경사진 것을 특징으로 하는 처리 키트.
  23. 제 18항에 있어서, 상기 가장자리는 실질적으로 편평한 중앙 지역에 대해 약 20 도 및 약 45 도 사이의 각으로 경사진 것을 특징으로 하는 처리 키트.
  24. 엔클로저;
    애노드를 형성하는 기판 지지 부재;
    상기 엔클로저내의 기판 지지 부재와 면하고 상기 애노드로부터 전기적으로 절연되며, 실질적으로 편평한 중앙 지역, 경사진 측벽 및 주변 가장자리를 가지는 스퍼터 가능한 재료인 타켓, 및 갭을 형성하기 위하여 타켓의 주변 가장자리쪽으로 연장하는 스퍼터 차폐물을 포함하는 처리 키트를 포함하는데, 상기 갭은 플라즈마가 갭으로 진입하는 것을 막도록 충분히 작고; 및
    타켓에 결합된 DC 전력원을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 챔버.
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