KR102680975B1 - Rubber socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same - Google Patents

Rubber socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR102680975B1
KR102680975B1 KR1020210169692A KR20210169692A KR102680975B1 KR 102680975 B1 KR102680975 B1 KR 102680975B1 KR 1020210169692 A KR1020210169692 A KR 1020210169692A KR 20210169692 A KR20210169692 A KR 20210169692A KR 102680975 B1 KR102680975 B1 KR 102680975B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
particles
conductive particles
main body
rubber socket
conductive
Prior art date
Application number
KR1020210169692A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20230082097A (en
Inventor
문성주
Original Assignee
주식회사 티에프이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 티에프이 filed Critical 주식회사 티에프이
Priority to KR1020210169692A priority Critical patent/KR102680975B1/en
Priority to PCT/KR2022/016634 priority patent/WO2023101224A1/en
Publication of KR20230082097A publication Critical patent/KR20230082097A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102680975B1 publication Critical patent/KR102680975B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0416—Connectors, terminals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)

Abstract

본 발명은, 절연성 재질로 형성된 본체; 및 상기 본체 내에 위치하고, 상기 본체의 높이 방향을 따르도록 배열되는 복수의 통전 로드를 포함하고, 상기 통전 로드는, 복수의 도전성 입자와 상기 복수의 도전성 입자를 일체로 결합시는 결합 물질이 혼합된 것이며, 상기 통전 로드는, 상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상단에서 하단을 향해 소정 간격으로 설정된 상부 영역; 및 상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상기 하단에서 상기 상단을 향해 소정 간격으로 설정된 하부 영역을 포함하고, 상기 상부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법을 제공한다.The present invention includes a main body formed of an insulating material; and a plurality of conductive rods located in the main body and arranged along the height direction of the main body, wherein the conductive rods are a mixture of a plurality of conductive particles and a binding material when the plurality of conductive particles are integrally combined. and the energizing rod includes an upper region set at a predetermined interval from the top to the bottom of the main body along the height direction; and a lower region set at a predetermined interval from the bottom to the top of the main body along the height direction, wherein in the upper region, the conductive particles have plate-shaped particles and form a lying arrangement. Provides a rubber socket for use and a manufacturing method thereof.

Description

반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법{RUBBER SOCKET FOR TESTING SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Rubber socket for testing semiconductor devices and manufacturing method thereof {RUBBER SOCKET FOR TESTING SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 제조 공정을 거쳐 생산된 반도체 소자를 테스트하는데 사용되는 러버 소켓 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a rubber socket used to test semiconductor devices produced through a manufacturing process and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 불량 여부를 판단하기 위한 검사를 받는다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 테스트 소켓을 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 배치한 상태에서 수행된다. 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.Generally, semiconductor devices are inspected to determine whether their electrical performance is defective after going through the manufacturing process. The positive/failure test of a semiconductor device is performed with a test socket formed to make electrical contact with the terminal of the semiconductor device placed between the semiconductor device and the inspection circuit board. In addition to the final pass/fail inspection of semiconductor devices, test sockets are also used in the burn-in test process during the manufacturing process of semiconductor devices.

반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 피치도 미세화되는 추세여서, 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.With the development of integration technology and the miniaturization trend of semiconductor devices, the size and pitch of the terminals of semiconductor devices, that is, the leads, are also becoming smaller, and a method of forming fine spacing between conductive patterns of a test socket is required. Therefore, there were limitations in producing a test socket for testing integrated semiconductor devices using the existing pogo-pin type test socket.

반도체 소자의 집적화에 부합하도록, 탄성 재료의 실리콘 러버 소재로 제작되는 본체 상에 높이 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 입자과 접착 성분의 혼합물을 충전하여 통전 로드를 형성하는 PCR(Pressurized Conductive Rubber) 소켓, 간단히는 러버 소켓이 널리 사용되고 있다.PCR, in which a perforated pattern is formed in the height direction on a body made of elastic silicone rubber to suit the integration of semiconductor devices, and then a mixture of conductive particles and adhesive components is filled inside the perforated pattern to form a current-carrying rod. (Pressurized Conductive Rubber) sockets, simply rubber sockets, are widely used.

러버 소켓에서 도전성 입자는 통상적으로 구형으로 형성되고, 그에 따른 몇 가지 문제를 야기할 수 있다. 첫째, 구형 분말은 반도체 소자와의 접촉 면적이 작아서 통전이 제대로 이루어지지 못할 수도 있다. 둘째로, 구형 분말은 접착 성분과의 접착 면적이 작아서, 접착 성분으로부터 이탈하기 쉽다. 셋 째로, 구형 분말은 접착 성분을 많이 노출하게 되므로, 접착 성분에 이물질이 달라 붙어서 전극과 분말 간의 전기적 접속에 악영향을 미치는 경우가 발생할 수도 있다.In rubber sockets, conductive particles are typically spherical, which can cause several problems. First, spherical powder may not conduct electricity properly because the contact area with the semiconductor device is small. Second, the spherical powder has a small bonding area with the adhesive component, so it is easy to separate from the adhesive component. Third, since the spherical powder exposes a lot of the adhesive component, foreign substances may stick to the adhesive component and adversely affect the electrical connection between the electrode and the powder.

본 발명의 일 목적은, 반도체 소자의 전극과 도전성 입자 간의 접촉 면적을 확대하고, 통전 로드에서 도전성 입자의 이탈을 억제하며, 통전 로드에 이물질이 달라 붙는 것을 억제할 수 있는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a rubber for testing semiconductor devices that can expand the contact area between the electrodes of the semiconductor device and the conductive particles, suppress the separation of the conductive particles from the current-carrying rod, and prevent foreign substances from sticking to the current-carrying rod. To provide a socket and a manufacturing method thereof.

본 발명의 다른 일 목적은, 위와 같은 다양한 목적을 달성하기 위한 통전 로드가 일체로서 형성되어 그의 내구성을 높일 수 있게 하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a rubber socket for testing semiconductor devices and a method of manufacturing the same, in which a current-carrying rod for achieving the above various purposes is formed as an integrated piece, thereby increasing its durability.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓은, 높이 방향으로 관통 형성된 복수의 관통홀을 구비하고, 절연성 재질로 형성된 본체; 및 상기 복수의 관통홀 각각에 배치되어, 상기 높이 방향을 따르도록 배열되는 복수의 통전 로드를 포함하고, 상기 통전 로드는, 복수의 도전성 입자와 상기 복수의 도전성 입자를 일체로 결합시는 결합 물질이 혼합된 것이며, 상기 통전 로드는, 상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상단에서 하단을 향해 소정 간격으로 설정된 상부 영역; 및 상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상기 하단에서 상기 상단을 향해 소정 간격으로 설정된 하부 영역을 포함하고, 상기 상부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함할 수 있다. A rubber socket for testing semiconductor devices according to an aspect of the present invention for realizing the above-described object includes a body having a plurality of through holes formed through it in the height direction and made of an insulating material; and a plurality of conductive rods disposed in each of the plurality of through holes and arranged along the height direction, wherein the conductive rods are a plurality of conductive particles and a binding material for integrally combining the plurality of conductive particles. This is a mixture, and the current carrying rod includes an upper region set at a predetermined interval from the top to the bottom of the main body along the height direction; and a lower region set at a predetermined interval from the bottom to the top of the main body along the height direction, and in the upper region, the conductive particles may have plate-shaped particles and form a lying arrangement.

여기서, 상기 눕힘 배치는, 상기 도전성 입자의 주면이 상기 본체의 상면에 대해 0° 내지 45° 범위 내인 상태를 포함할 수 있다. Here, the lying arrangement may include a state in which the main surface of the conductive particle is in the range of 0° to 45° with respect to the upper surface of the main body.

여기서, 상기 결합 물질은, 액상으로 상기 관통홀에 상기 도전성 입자와 함께 충전된 후 경화된 것일 수 있다. Here, the binding material may be a liquid that is filled into the through hole together with the conductive particles and then cured.

여기서, 상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 구형 및 돌기형 중 적어도 하나의 입자를 포함할 수 있다. Here, in the lower region, the conductive particles may include at least one of spherical and protruding particles.

여기서, 상기 통전 로드는, 상기 상부 영역과 상기 하부 영역 사이에 위치하는 중앙 영역을 더 포함하고, 상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함하고, 상기 중앙 영역에서, 상기 도전성 입자는 구형 및 돌기형 중 적어도 하나의 입자를 포함할 수 있다. Here, the current-carrying rod further includes a central region located between the upper region and the lower region, and in the lower region, the conductive particles have plate-shaped particles and form a lying arrangement, and in the central region , the conductive particles may include at least one of spherical and protruding particles.

여기서, 상기 통전 로드는, 상기 상부 영역과 상기 하부 영역 사이에 위치하는 중앙 영역을 더 포함하고, 상기 중앙 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 수직 배치를 이루는 것을 포함하고, 상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함할 수 있다. Here, the current-carrying rod further includes a central region located between the upper region and the lower region, and in the central region, the conductive particles have plate-shaped particles and are vertically arranged, and in the lower region , the conductive particles may include plate-shaped particles and forming a lying arrangement.

여기서, 상기 상부 영역은, 상기 하부 영역과 다른 두께를 가질 수 있다. Here, the upper region may have a different thickness than the lower region.

본 발명의 다른 일 측면에 따르는 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 제조 방법은, 높이 방향으로 관통 형성된 관통홀을 구비하는 복수의 절연 파트 중 적어도 하나에 상기 관통홀을 막도록 필름을 부착하는 단계; 상기 관통홀에 복수의 도전성 입자와 결합 물질의 혼합물을 충전하는 단계; 상기 복수의 절연 파트를 적층해 본체를 구성하여, 상기 혼합물이 상기 본체에서 높이 방향을 따라 열을 이루도록 배열되게 하는 단계; 상기 본체에 대해 자력을 인가하여, 상기 복수의 도전성 입자가 상기 높이 방향을 따라 도전 경로를 형성하게 하는 단계; 상기 결합 물질을 경화시켜서, 상기 복수의 도전성 입자와 상기 결합 물질이 일체로 결합되게 하는 단계; 및 상기 본체에서 상기 필름을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. A method of manufacturing a rubber socket for testing a semiconductor device according to another aspect of the present invention includes attaching a film to at least one of a plurality of insulating parts having a through hole formed through a height direction to block the through hole; Filling the through hole with a mixture of a plurality of conductive particles and a binding material; Constructing a main body by stacking the plurality of insulating parts, so that the mixture is arranged in a row along the height direction in the main body; Applying magnetic force to the main body to cause the plurality of conductive particles to form a conductive path along the height direction; curing the binding material so that the plurality of conductive particles and the binding material are integrally bonded; and removing the film from the main body.

여기서, 상기 도전성 입자 중 상기 필름에 가까운 영역에 배치되는 입자는, 판상형 입자로서 눕힘 배치되는 것을 포함할 수 있다. Here, among the conductive particles, particles disposed in a region close to the film may include plate-shaped particles that are laid down.

여기서, 상기 관통홀에 복수의 도전성 입자와 결합 물질의 혼합물을 충전하는 단계는, 상기 복수의 절연 파트 중 어느 하나에는, 상기 복수의 절연 파트 중 다른 하나에 충전되는 도전성 입자와는 다른 형상의 도전성 입자를 충전하는 것을 포함할 수 있다. Here, the step of filling the through hole with a mixture of a plurality of conductive particles and a bonding material is performed so that one of the plurality of insulating parts has a conductive particle of a different shape than the conductive particles filled in the other one of the plurality of insulating parts. It may include charging particles.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법에 의하면, 본체의 관통홀에 배치되는 통전 로드는 복수의 도전성 입자와 그들을 일체로 결합시키는 결합 물질을 포함하는데, 통전 로드의 상부 영역에서 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것이기에, 눕힘 배치된 도전성 입자는 반도체 소자의 단자와의 접촉 면적을 확대하여 그들 간의 접촉 안정성을 높이고, 결합 물질과의 강한 밀착으로 그로부터 이탈하지 않으며, 결합 물질의 노출 면적을 줄여서 이물질이 결합 물질에 달라 붙는 것을 억제한다. 또한, 통전 로드는 복수 영역으로 구분되고 영역별로 도전성 입자가 서로 다른 형태나 배열을 갖더라도 결합 물질에 의해 모두가 일체로서 단일 부재를 형성하도록 결합되기에, 그들 간의 분리나 결합의 훼손이 없이 높은 수준의 내구성을 가질 수 있다. 이는 러버 소켓의 수명을 오래도록 유지할 수 있게 한다. According to the rubber socket for testing semiconductor devices and the manufacturing method thereof according to the present invention configured as described above, the conductive rod disposed in the through hole of the main body includes a plurality of conductive particles and a binding material that integrally combines them, the conductive rod In the upper region, the conductive particles have plate-shaped particles and are laid down, so the conductive particles laid down expand the contact area with the terminal of the semiconductor device, increase the contact stability between them, and break away from it through strong adhesion to the bonding material. It prevents foreign substances from sticking to the binding material by reducing the exposed area of the binding material. In addition, the current-carrying rod is divided into multiple regions, and even though the conductive particles in each region have different shapes or arrangements, they are all joined together to form a single member by a bonding material, so there is no separation or damage to the bond between them. It can have a level of durability. This allows the rubber socket to last a long time.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(100)의 사용 상태를 보인 단면도이다.
도 2는 도 1의 러버 소켓(100)의 요부(A)를 보인 개념도이다.
도 3은 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하는 과정을 보인 순서도이다.
도 4는 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하기 위한 일 단계를 보인 개념도이다.
도 5는 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하기 위한 다른 일 단계를 보인 개념도이다.
도 6은 제작된 러버 소켓(100)에 대해 측면 방향에서의 전자현미경 사진이다.
도 7은 제작된 러버 소켓(100)과 기존 러버 소켓에 대해 상면 방향에서의 전자현미경 사진이다.
도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(200)의 제작 과정에 대한 개념도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(300)의 제작 과정에 대한 개념도이다. Figure 1 is a cross-sectional view showing a state of use of the rubber socket 100 for testing semiconductor devices according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a conceptual diagram showing the main portion A of the rubber socket 100 of FIG. 1.
Figure 3 is a flowchart showing the process of manufacturing the rubber socket 100 of Figure 2.
FIG. 4 is a conceptual diagram showing one step in manufacturing the rubber socket 100 of FIG. 2.
FIG. 5 is a conceptual diagram showing another step in manufacturing the rubber socket 100 of FIG. 2.
Figure 6 is an electron microscope photograph of the manufactured rubber socket 100 from the side direction.
Figure 7 is an electron microscope photograph from the top direction of the manufactured rubber socket 100 and the existing rubber socket.
Figure 8 is a conceptual diagram of the manufacturing process of a rubber socket 200 for testing semiconductor devices according to another embodiment of the present invention.
Figure 9 is a conceptual diagram of the manufacturing process of a rubber socket 300 for testing semiconductor devices according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.Hereinafter, a rubber socket for testing semiconductor devices and a manufacturing method thereof according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. In this specification, the same or similar reference numbers are assigned to the same or similar components even in different embodiments, and the description is replaced with the first description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(100)의 사용 상태를 보인 단면도이다. Figure 1 is a cross-sectional view showing a state of use of the rubber socket 100 for testing semiconductor devices according to an embodiment of the present invention.

본 도면을 참조하면, 러버 소켓(100)은 반도체 소자(S)와 테스트 보드(B) 사이에 위치하게 된다. 구체적으로, 러버 소켓(100)은, 반도체 소자(S)의 단자(E)와 테스트 보드(B)의 패드(P)를 전기적으로 연결하기 위한 것이다. 러버 소켓(100)은 또한 푸셔 등에 의해 반도체 소자(S)가 테스트 보드(B)를 향해 가압될 때, 그 가압력을 받아내고 완충하는 역할도 하게 된다.Referring to this drawing, the rubber socket 100 is located between the semiconductor element (S) and the test board (B). Specifically, the rubber socket 100 is for electrically connecting the terminal (E) of the semiconductor element (S) and the pad (P) of the test board (B). The rubber socket 100 also serves to receive and cushion the pressing force when the semiconductor device (S) is pressed toward the test board (B) by a pusher or the like.

이러한 러버 소켓(100)은, 본체(110) 및 통전 로드(150)를 포함할 수 있다. This rubber socket 100 may include a main body 110 and an energizing rod 150.

본체(110)는 대체로 직육면체 블럭 형상인 베이스(111)를 가질 수 있다. 베이스(111)는 절연성 재질, 예를 들어 실리콘 러버로 제작될 수 있다. 그에 의해, 베이스(111)는 절연성과 함께, 완충성을 갖게 된다. The main body 110 may have a base 111 that is generally in the shape of a rectangular parallelepiped block. The base 111 may be made of an insulating material, for example, silicone rubber. As a result, the base 111 has insulation and cushioning properties.

베이스(111)에는 높이 방향(H)을 따라 관통홀(115)이 관통 형성된다. 관통홀(115)은 복수 개로 형성되며, 서로 간에 일정 간격을 갖도록 배열될 수 있다. A through hole 115 is formed through the base 111 along the height direction (H). A plurality of through holes 115 may be formed, and may be arranged so that there is a certain distance between them.

통전 로드(150)는 관통홀(115)에 삽입된 형태로 배치되어, 전기적 통로를 형성하는 구성이다. 통전 로드(150)를 통해서는, 반도체 소자(S)의 단자(E)가 테스트 보드(B)의 패드(P)와 전기적으로 연결된다. The conductive rod 150 is arranged to be inserted into the through hole 115 to form an electrical passage. Through the conductive rod 150, the terminal (E) of the semiconductor element (S) is electrically connected to the pad (P) of the test board (B).

이하에서는, 통전 로드(150)의 구체적 구성에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. Hereinafter, the specific configuration of the current-carrying rod 150 will be described with reference to FIG. 2.

도 2는 도 1의 러버 소켓(100)의 요부(A)를 보인 개념도이다. FIG. 2 is a conceptual diagram showing the main portion A of the rubber socket 100 of FIG. 1.

본 도면을 참조하면, 앞서 설명한 바대로, 본체(110) 중 베이스(111)에는 관통홀(115)이 형성되고, 관통홀(115)에는 통전 로드(150)가 배치된다. Referring to this drawing, as previously described, a through hole 115 is formed in the base 111 of the main body 110, and a conductive rod 150 is disposed in the through hole 115.

통전 로드(150)는, 구체적으로, 관통홀(115)에 복수의 도전성 입자(151,155) 및 결합 물질(161)을 함유하는 혼합물이 충전되어 성형된 것이다. 복수의 도전성 입자(151,155)는 높이 방향(H)을 따라 서로 간에 접촉되어, 높이 방향(H)을 따르는 전기적 경로를 형성한다. Specifically, the conductive rod 150 is formed by filling the through hole 115 with a mixture containing a plurality of conductive particles 151 and 155 and a binding material 161. The plurality of conductive particles 151 and 155 are in contact with each other along the height direction (H) to form an electrical path along the height direction (H).

도전성 입자(151,155)는 2종의 입자가 혼합된 것이다. 구체적으로, 통전 로드(150) 중 상부 영역에는 대체로 판상형 입자(151)가 충전되고, 하부 영역에는 대체로 구형 또는 돌기형 입자(155)가 충전된다. 돌기형 입자 역시 구형 입자를 기초로 하고 그에 작은 돌기가 결합된 것으로서, 이하 이들을 간단히 구형 입자(155)라고도 한다. Conductive particles 151 and 155 are a mixture of two types of particles. Specifically, the upper region of the current-carrying rod 150 is generally filled with plate-shaped particles 151, and the lower region is generally filled with spherical or protruding particles 155. Protrusive particles are also based on spherical particles and have small protrusions attached to them. Hereinafter, they are also simply referred to as spherical particles 155.

상부 영역에서, 판상형 입자(151)는 대체로 눕힘 배치를 이루게 된다. 눕힘 배치란 판상형 입자(151)가 세워지 않고 누워 있는 상태를 말한다. 구체적으로, 눕힘 배치에서 판상형 입자(151)는 본체(110)의 상면[상단(112)이 이루는 면]에 대해 0° 내지 45° 범위 내의 각도를 이룰 수 있다.In the upper region, the plate-shaped particles 151 are generally in a lying arrangement. Lying arrangement refers to a state in which the plate-shaped particles 151 are lying down rather than upright. Specifically, in the lying arrangement, the plate-shaped particles 151 may form an angle within the range of 0° to 45° with respect to the upper surface of the main body 110 (the surface formed by the upper end 112).

하부 영역에 배치된 구형 입자(155)는, 판상형 입자(151)와 달리 방향성을 정의할 수 없다.Unlike the plate-shaped particles 151, the spherical particles 155 disposed in the lower region cannot have a defined direction.

결합 물질(161)은 복수의 도전성 입자(151,155)를 일체로서 결합시키는 것이다. 결합 물질(161)로는, 예를 들어, 실리콘 러버, 우레탄 러버 등이 사용될 수 있다. 결합 물질(161)에 의해, 상부 영역 및 하부 영역 각각에 배치된 입자들끼리는 물론, 각 영역을 넘어서 입자들 전체가 하나의 덩어리를 형성하게 된다. 각 영역에 판상형 입자(151)와 구형 입자(155)라는 다른 형상의 입자들이 배치되어 있더라도 마찬가지이다. 그에 의해, 복수의 도전성 입자(151,155)는 결합 물질(161)과 함께 일체가 되어 통전 로드(150)를 형성하기에, 그에 가해지는 가압력에 의해서도 안정적인 결합 상태를 오래도록 유지할 수 있다.The binding material 161 binds the plurality of conductive particles 151 and 155 together. As the bonding material 161, for example, silicone rubber, urethane rubber, etc. may be used. By the binding material 161, not only the particles arranged in each of the upper and lower regions, but also all the particles beyond each region form a single lump. This is the same even if particles of different shapes, such as plate-shaped particles 151 and spherical particles 155, are arranged in each area. As a result, the plurality of conductive particles 151 and 155 are integrated with the bonding material 161 to form the current-carrying rod 150, so that a stable bonded state can be maintained for a long time even by the pressing force applied thereto.

이상에서, 상부 영역은 베이스(111)의 상단(112)에서 하단(113)을 향해 소정 간격으로 설정된 영역으로서, 후술할 도 4의 제1 파트(121)의 두께에 대응하는 두께를 가질 수 있다. 이와 달리, 하부 영역은 베이스(111)의 하단(113)에서 상단(112)을 향해 소정 간격으로 설정된 영역으로서, 역시 후술할 도 4에서의 제2 파트(125)의 두께에 대응하는 두께를 가질 수 있다. In the above, the upper area is an area set at a predetermined interval from the top 112 of the base 111 to the bottom 113, and may have a thickness corresponding to the thickness of the first part 121 of FIG. 4, which will be described later. . In contrast, the lower area is an area set at a predetermined interval from the bottom 113 of the base 111 to the top 112, and has a thickness corresponding to the thickness of the second part 125 in FIG. 4, which will also be described later. You can.

이러한 구성에 의하면, 반도체 소자(S)의 단자(E, 이상 도 1 참조)와 직접 접촉하는 상부 영역에 판상형 입자(151)가 눕힘 상태로 배열됨에 의해, 판상형 입자(151)는 단자(E)와의 접촉 면적이 극대화된다. 그에 의해, 단자(E)와 통전 로드(150) 간의 접속에 문제가 생길 가능성이 크게 낮아질 수 있다. According to this configuration, the plate-shaped particles 151 are arranged in a lying state in the upper region in direct contact with the terminal (E, above, see FIG. 1) of the semiconductor element (S), so that the plate-shaped particles 151 are connected to the terminal (E) The contact area with is maximized. Thereby, the possibility of a problem occurring in the connection between the terminal E and the current-carrying load 150 can be greatly reduced.

판상형 입자(151)의 눕힘 배치는 또한 그와 결합 물질(161) 간의 비표면적이 넓어지게 해서, 그들 간의 밀착성을 높인다. 이는 판상형 입자(151)가 결합 물질(161)로부터 이탈되지 않게 하여, 통전 로드(150)의 내구성을 높인다.The lying arrangement of the plate-shaped particles 151 also increases the specific surface area between it and the binding material 161, thereby increasing the adhesion between them. This prevents the plate-shaped particles 151 from being separated from the binding material 161, thereby increasing the durability of the current-carrying rod 150.

판상형 입자(151)의 눕힘 배치는 또한 결합 물질(161)의 노출 면적을 줄이고, 이는 이물질에 결합 물질(161)에 들러 붙는 것을 막을 수 있게 한다. The lying arrangement of the plate-shaped particles 151 also reduces the exposed area of the binding material 161, which prevents foreign substances from sticking to the binding material 161.

이상의 러버 소켓(100)의 제작 방법에 대해 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한다. The manufacturing method of the above rubber socket 100 will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

도 3은 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하는 과정을 보인 순서도이고, 도 4는 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하기 위한 일 단계를 보인 개념도이며, 도 5는 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하기 위한 다른 일 단계를 보인 개념도이다. Figure 3 is a flow chart showing the process of manufacturing the rubber socket 100 of Figure 2, Figure 4 is a conceptual diagram showing one step for manufacturing the rubber socket 100 of Figure 2, and Figure 5 is a rubber socket of Figure 2. This is a conceptual diagram showing different steps for producing (100).

도 3 및 도 4를 참조하면, 먼저 복수의 절연 파트가 준비되어야 한다(S1). 절연 파트는 앞서의 본체(110, 이상 도 2 참조)를 이루는 것으로서, 제1 파트(121)와 제2 파트(125)로 구성될 수 있다. Referring to FIGS. 3 and 4, a plurality of insulating parts must first be prepared (S1). The insulating part forms the aforementioned main body 110 (see FIG. 2 above) and may be composed of a first part 121 and a second part 125.

제1 파트(121)와 제2 파트(125)는 각각 관통홀(123,127)을 가질 수 있다. 이러한 관통홀(123,127)은 다음 단계에서 하나로 연결되어, 도 2에서의 관통홀(115)을 형성하는 것이다. The first part 121 and the second part 125 may have through holes 123 and 127, respectively. These through holes 123 and 127 are connected together in the next step to form the through hole 115 in FIG. 2.

제1 파트(121)와 제2 파트(125) 각각에는 필름(131,135)이 구비된다. 필름(131,135)은 제1 파트(121)와 제2 파트(125)의 하단에 부착되어 그들의 관통홀(123,127)을 막게 된다. Each of the first part 121 and the second part 125 is provided with films 131 and 135. The films 131 and 135 are attached to the bottom of the first part 121 and the second part 125 to block their through holes 123 and 127.

다음으로, 제1 파트(121)와 제2 파트(125)의 관통홀(123,127)에는 혼합물이 충전된다(S3). 혼합물은 도전성 입자(151,155)와 결합 물질(161)이 혼합된 것이다. 제1 파트(121)에는 판상형 입자(151)와 결합 물질(161)의 혼합물이 충전되고, 제2 파트(125)에는 구형 입자(155)와 결합 물질(161)의 혼합물이 각각 충전된다. Next, the through holes 123 and 127 of the first part 121 and the second part 125 are filled with the mixture (S3). The mixture is a mixture of conductive particles 151 and 155 and a bonding material 161. The first part 121 is filled with a mixture of plate-shaped particles 151 and the binding material 161, and the second part 125 is filled with a mixture of spherical particles 155 and the binding material 161.

여기서, 제1 파트(121)의 두께와 제2 파트(125)의 두께는 서로 다를 수 있다. 그 경우, 판상형 입자(151)가 충전되는 상부 영역의 두께와 구형 입자(155)가 충전되는 하부 영역의 두께도 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상부 영역을 두껍게 하고 그에 판상형 입자(151)의 양을 늘리면, 통전 로드(150)의 경도가 강화되어 반도체 소자(S)의 단자(E)로부터의 가압력에 견딜 수 있는 능력이 향상된다. 그와 달리, 하부 영역을 두껍게 하고 그에 구형 입자(155)의 양을 줄이면, 통전 로드(150)가 힘을 받을 때 결합 물질(161)이 만들어내는 탄성을 강화할 수 있게 한다. Here, the thickness of the first part 121 and the thickness of the second part 125 may be different from each other. In that case, the thickness of the upper region where the plate-shaped particles 151 are filled and the thickness of the lower region where the spherical particles 155 are filled may also be different. For example, by thickening the upper region and increasing the amount of plate-shaped particles 151 therein, the hardness of the current-carrying rod 150 is strengthened, and the ability to withstand the pressing force from the terminal E of the semiconductor element S is improved. do. In contrast, thickening the lower region and reducing the amount of spherical particles 155 therein makes it possible to strengthen the elasticity produced by the bonding material 161 when the energizing rod 150 is subjected to force.

도 3 및 도 5를 참조하면, 혼합물이 각각 충전된 제1 파트(121)와 제2 파트(125)는 서로 적층되어 본체(110, 도 2 참조)를 구성하게 된다(S5). 그 경우, 제1 파트(121)는 제2 파트(125)의 상측에 배치되고, 그들 각각의 혼합물은 서로 간에 하나로 연결된다. 결합 물질(161)은 액상으로서 관통홀(123,127)에 충전된 것이기에, 위 혼합물들이 결합 물질(161)에 의해 하나로 연결되는 것이다. Referring to Figures 3 and 5, the first part 121 and the second part 125 each filled with the mixture are stacked together to form the main body 110 (see Figure 2) (S5). In that case, the first part 121 is disposed on the upper side of the second part 125, and their respective mixtures are connected to each other as one. Since the binding material 161 is liquid and filled in the through holes 123 and 127, the above mixtures are connected together by the binding material 161.

필름(131,135)은 본체(110)의 상면과 하면에 각각 위치하게 된다. 그들에는 자석(M1,M2)이 배치되어, 자력 성형이 이루어지게 된다(S7). 자력 성형 단계에서 도전성 입자(151,155)는 상하로 압축되면서 자석(M1,M2)과의 인력에 의해 이동하여 높이 방향(H)을 따라 서로 간에 연결된다. The films 131 and 135 are located on the upper and lower surfaces of the main body 110, respectively. Magnets (M1, M2) are placed on them, and magnetic forming takes place (S7). In the magnetic forming step, the conductive particles 151 and 155 are compressed up and down and move by attraction with the magnets M1 and M2 and are connected to each other along the height direction H.

이 공정에서 도전성 입자(151,155)의 거동은 판상형 입자(151)와 구형 입자(155) 간에 다른 양상을 보이게 된다. In this process, the behavior of the conductive particles 151 and 155 shows different aspects between the plate-shaped particles 151 and the spherical particles 155.

구체적으로, 판상형 입자(151)는 구형 입자(155) 보다는 강자성을 띄기 때문에 자석(M1)에 강하게 달라붙게 된다. 그런데, 필름(131)으로 인해 판상형 입자(151)는 세워진 채로 자석(M1)에 붙지 않고, 강한 자력에 의해 누운 형태로 자석(M1)에 붙게 된다. 그에 따라 판상형 입자(151)는 도 2에 예시된 바와 같이 눕힘 배치되는 것이다. Specifically, the plate-shaped particles 151 are more ferromagnetic than the spherical particles 155, so they stick strongly to the magnet M1. However, due to the film 131, the plate-shaped particles 151 do not stick to the magnet M1 while standing up, but stick to the magnet M1 in a lying position due to strong magnetic force. Accordingly, the plate-shaped particles 151 are laid down as illustrated in FIG. 2.

구형 입자(155)는 방향성이 없기에 판상형 입자(151) 보다 유동성이 우수하다. 그에 의해, 구형 입자(155)는 자석(M1,M2)에 의해 작용하는 자력이 약한 부분에서도 도전성 경로를 안정적으로 형성할 수 있다. The spherical particles 155 have no directionality and thus have better fluidity than the plate-shaped particles 151. As a result, the spherical particles 155 can stably form a conductive path even in areas where the magnetic force exerted by the magnets M1 and M2 is weak.

자력 성형에 따라 도전성 입자(151,155)가 눕거나 이동한 상태에서, 결합 물질(161)은 도전성 입자(151,155)와 하나로 결합되어야 한다. 이러한 결합 물질(161)은 경화 공정을 거쳐서 경화될수 있다(S9). 예를 들어, 결합 물질(161)로서의 실리콘 러버는 열경화될 수 있다. 결합 물질(161)은 경화 후에 탄성을 갖는 매트릭스(matrix)로서 기능하게 된다. When the conductive particles 151 and 155 lie down or move according to magnetic forming, the bonding material 161 must be combined with the conductive particles 151 and 155 as one. This bonding material 161 can be hardened through a hardening process (S9). For example, silicone rubber as the bonding material 161 can be heat cured. The binding material 161 functions as an elastic matrix after curing.

경화가 완료된 후에는, 필름(131,135)이 제거된다(S11). 그에 따라, 최종적으로 도 2에서와 같은 형태로 러버 소켓(100)이 완성된다.After curing is complete, the films 131 and 135 are removed (S11). Accordingly, the rubber socket 100 is finally completed in the form shown in FIG. 2.

다음으로, 제조된 러버 소켓(100)의 실제의 형태에 대해, 도 6 및 도 7에서의 전자현미경 사진을 통해 살펴본다. Next, the actual shape of the manufactured rubber socket 100 will be examined through electron microscope photographs in FIGS. 6 and 7.

먼저, 도 6은 제작된 러버 소켓(100)에 대해 측면 방향에서의 전자현미경 사진이다.First, Figure 6 is an electron microscope photograph of the manufactured rubber socket 100 from the side direction.

본 도면을 참조하면, 도 2에서와 유사하게, 러버 소켓(100)에는 높이 방향으로 도전성 입자(151,155)가 배열된다.Referring to this drawing, similarly to FIG. 2, conductive particles 151 and 155 are arranged in the height direction of the rubber socket 100.

구체적으로, 통전 로드(150)의 상부 영역에는 판상형 입자(151)가 눕힘 배치된다. 판상형 입자(151)는 완전히 누워진 것도 있고, 일정 각도로 비스듬히 눕혀진 것도 있다. Specifically, plate-shaped particles 151 are laid down in the upper region of the current-carrying rod 150. The plate-shaped particles 151 may be completely laid down, or may be diagonally laid down at a certain angle.

하부 영역에는 구형 입자(155)가 배치된다. 중앙 부분에는 구형 입자(155)의 밀도가 낮은 곳도 있다. 그렇다 할지라도, 구형 입자(155)의 높은 유동성에 의해, 통전 로드(150)는 상하 방향으로 연결된 도전 경로를 형성한다.Spherical particles 155 are disposed in the lower area. In the central part, there are places where the density of spherical particles 155 is low. Even so, due to the high fluidity of the spherical particles 155, the current-carrying rod 150 forms a conductive path connected in the vertical direction.

도 7은 제작된 러버 소켓(100)과 기존 러버 소켓에 대해 상면 방향에서의 전자현미경 사진이다. Figure 7 is an electron microscope photograph from the top direction of the manufactured rubber socket 100 and the existing rubber socket.

도 7(a)는 러버 소켓(100)의 통전 로드(150)에 대한 상면을 보인다. 판상형 입자(151)가 누워진 상태임을 명확히 확인할 수 있다. Figure 7(a) shows the top surface of the current-carrying rod 150 of the rubber socket 100. It can be clearly confirmed that the plate-shaped particles 151 are in a lying state.

판상형 입자(151)가 눕힘 배치됨에 의해, 통전 로드(150)의 상면에서 판상형 입자(151)가 차지하는 면적이 대부분이 된다. 그에 따라, 결합 물질(161, 도 6 참조)이 노출되는 면적은 줄어든다.As the plate-shaped particles 151 are laid down, the area occupied by the plate-shaped particles 151 on the upper surface of the current-carrying rod 150 becomes the majority. Accordingly, the area exposed to the binding material 161 (see FIG. 6) is reduced.

도 7(b)는 기존의 러버 소켓에서 통전 로드에 구형 입자만을 사용한 경우를 보인다. 도 7(a)에서와 달리, 구형 입자가 차지하는 면적이 적어서, 결합 물질이 많이 노출되는 것을 확인할 수 있다. Figure 7(b) shows a case where only spherical particles are used for the current-carrying rod in a conventional rubber socket. Unlike in Figure 7(a), it can be seen that the area occupied by the spherical particles is small, so a lot of the binding material is exposed.

이제, 다른 형태의 러버 소켓들에 대해, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다. Now, other types of rubber sockets will be described with reference to FIGS. 8 and 9.

먼저, 도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(200)의 제작 과정에 대한 개념도이다. First, Figure 8 is a conceptual diagram of the manufacturing process of a rubber socket 200 for testing semiconductor devices according to another embodiment of the present invention.

본 도면을 참조하면, 러버 소켓(200)은 앞선 러버 소켓(100)과 대체로 동일한 방식으로 제조된다. 그에 따라, 본체(210)의 베이스(211)는 제1 파트(221)와 제2 파트(225)로 구성되고, 각각은 통전홀(233,227)을 가진다. Referring to this drawing, the rubber socket 200 is manufactured in substantially the same manner as the preceding rubber socket 100. Accordingly, the base 211 of the main body 210 is composed of a first part 221 and a second part 225, and each has energizing holes 233 and 227.

다만, 통전홀(233,227)에 충전되는 통전 로드(250)의 도전성 입자는 판상형 입자(251)로만 구성됨에 차이가 있다. 판상형 입자(251)로만 충전함에도 본체(110)를 제1 파트(121)와 제2 파트(125)로 나누어 구성함에 의해서는, 각 파트별로 판상형 입자(251)의 충전량을 다르게 할 수 있기 때문이다. 판상형 입자(251)의 충전량을 많게 하는 경우에는 통전 로드(250) 중 해당 부분의 경도를 높일 수 있다. 반대로, 충전량을 줄이게 되면, 통전 로드(250) 중 해당 부분의 결합 물질(261)이 많아짐에 따라 그에 의해 탄성 복원력이 높아지게 된다. However, there is a difference in that the conductive particles of the current-carrying rod 250 filled in the current-carrying holes 233 and 227 are composed only of plate-shaped particles 251. Even though it is only filled with plate-shaped particles 251, by dividing the main body 110 into the first part 121 and the second part 125, the amount of charge of the plate-shaped particles 251 can be varied for each part. . When the amount of charge of the plate-shaped particles 251 is increased, the hardness of the corresponding portion of the current-carrying rod 250 can be increased. Conversely, when the charging amount is reduced, the amount of bonding material 261 in the corresponding portion of the current-carrying rod 250 increases, thereby increasing the elastic restoring force.

판상형 입자(251)는 자력 성형시에 자석(M1,M2)에 의한 자력 세기의 차이에 따라, 통전 로드(250)의 상부 영역, 하부 영역, 및 중앙 영역에서 동일하지 않은 배열을 이루게 된다. 구체적으로, 상부 영역과 하부 영역에서 판상형 입자(251)는 눕힘 배치를 이루게 되나, 중앙 영역에서 판상형 입자(251)는 수직하게 세워진 상태로 배치된다. 여기서, 중앙 영역은 상부 영역과 하부 영역 사이의 영역을 말한다. The plate-shaped particles 251 are arranged differently in the upper region, lower region, and central region of the current-carrying rod 250, depending on the difference in magnetic force strength generated by the magnets M1 and M2 during magnetic forming. Specifically, in the upper and lower regions, the plate-shaped particles 251 are arranged lying down, but in the central area, the plate-shaped particles 251 are arranged in a vertical position. Here, the central area refers to the area between the upper area and the lower area.

상부 영역과 하부 영역에서 판상형 입자(251)가 눕힘 배치를 이루는 것은, 앞서 도 5를 통해 설명한 것과 같이, 판상형 입자(251)가 자석(M1,M2)에 붙으려는 중에 필름(231,235)에 막혀서 면적이 넓은 주면이 자석(M1,M2)에 붙으려 하기 때문이다. The reason why the plate-shaped particles 251 are laid down in the upper and lower areas is that, as previously explained through FIG. 5, the plate-shaped particles 251 are blocked by the films 231 and 235 while trying to attach to the magnets M1 and M2, thereby reducing the area. This is because this wide main surface tries to attach to the magnets (M1, M2).

중앙 영역에서 판상형 입자(251)는 세워진 상태로 배열된다. 이는 판상형 입자(251)의 양은 제한적인 상황에서, 위쪽과 아래쪽이 입자 간에 서로 연결되어야 하기 때문이다. 그에 따라, 중앙 영역에서 판상형 입자(251)는 서로 간에 면접촉하도록 배열되고, 이는 그들 간의 전기적 접속에 유리하게 작용할 수 있다. In the central region, the plate-shaped particles 251 are arranged in an upright state. This is because, in a situation where the amount of plate-shaped particles 251 is limited, the upper and lower particles must be connected to each other. Accordingly, the plate-shaped particles 251 in the central region are arranged to surface contact each other, which can be advantageous for electrical connection between them.

다음으로, 도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(300)의 제작 과정에 대한 개념도이다. Next, Figure 9 is a conceptual diagram of the manufacturing process of a rubber socket 300 for testing semiconductor devices according to another embodiment of the present invention.

본 도면을 참조하면, 러버 소켓(300)의 제작 방법은 앞선 실시예들과 대체로 동일하나, 본체(310)가 세 개의 파트(321,325,329)로 나뉘어지는 점이 다르다. 세 개의 파트(321,325,329) 각각에는 관통홀(323,337,339)이 형성된다. Referring to this drawing, the manufacturing method of the rubber socket 300 is generally the same as the previous embodiments, but the difference is that the main body 310 is divided into three parts 321, 325, and 329. Through holes (323, 337, and 339) are formed in each of the three parts (321, 325, and 329).

세 개의 파트(321,325,329) 중 제1 파트(321)와 제2 파트(325)는 각각 상부와 하부에 배치된다. 그들 사이에는 제3 파트(329)가 배치된다. 제1 파트(321)의 상면과 제2 파트(325)의 하면에는 필름(331,335)가 각각 부착되나, 제2 파트(325)에는 필름이 부착되지 않는다.Among the three parts 321, 325, and 329, the first part 321 and the second part 325 are disposed at the upper and lower parts, respectively. A third part 329 is placed between them. Films 331 and 335 are attached to the upper surface of the first part 321 and the lower surface of the second part 325, respectively, but no film is attached to the second part 325.

도전성 입자는 제1 파트(321)와 제2 파트(325)에는 판상형 입자(351)로 충전되나, 제3 파트(329)에는 구형 입자(355)로 충전된다.The first part 321 and the second part 325 are filled with conductive particles as plate-shaped particles 351, and the third part 329 is filled with spherical particles 355.

이러한 구성에 따라 제작된 러버 소켓(300)에서, 통전 로드(350)의 상부 영역과 하부 영역은 판상형 입자(351)가 눕힘 배치된 것일 수 있다. 그에 의해, 상부 영역에서 판상형 입자(351)와 반도체 소자(S)의 단자(E) 간의 접속, 그리고 하부 영역에서 판상형 입자(351)와 테스트 보드(B)의 패드(P, 이상 도 1 참조) 간의 접속이 안정적으로 이루어지게 된다. In the rubber socket 300 manufactured according to this configuration, the upper and lower regions of the current-carrying rod 350 may have plate-shaped particles 351 laid down. Thereby, the connection between the plate-shaped particle 351 and the terminal E of the semiconductor element S in the upper region, and the pad P of the plate-shaped particle 351 and the test board B in the lower region, see FIG. 1 above. The connection between them is established stably.

그에 반해, 중앙 영역에서는, 구형 입자(355)가 눕혀진 판상형 입자(351) 사이를 연결하게 된다. 여기서, 구형 입자(355)은 유동성이 우수하기에, 중앙 영역에서의 도전 경로 형성이 안정적으로 이루어질 수 있다. On the other hand, in the central region, spherical particles 355 connect between the lying plate-shaped particles 351. Here, since the spherical particles 355 have excellent fluidity, the conductive path can be stably formed in the central region.

상기와 같은 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다. The rubber socket for testing semiconductor devices as described above and its manufacturing method are not limited to the configuration and operation method of the embodiments described above. The above embodiments may be configured so that various modifications can be made by selectively combining all or part of each embodiment.

100,200,300: 러버 소켓 110,210,310: 본체
111,211,311: 베이스 115,215: 관통홀
121,221,321: 제1 파트 125,225,325: 제2 파트
150,250,350: 통전 로드 151:251,351: 판상형 입자
155,355: 구형 입자 161,261,361: 결합 물질100,200,300: Rubber socket 110,210,310: Body
111,211,311: Base 115,215: Through hole
121,221,321: Part 1 125,225,325: Part 2
150,250,350: Current-carrying rod 151:251,351: Plate-shaped particles
155,355: Spherical particles 161,261,361: Binding material

Claims (10)

절연성 재질로 형성된 본체; 및
상기 본체 내에 위치하고, 상기 본체의 높이 방향을 따르도록 배열되는 복수의 통전 로드를 포함하고,
상기 통전 로드는,
복수의 도전성 입자와 상기 복수의 도전성 입자를 일체로 결합시는 결합 물질이 혼합된 것이며,
상기 통전 로드는,
상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상단에서 하단을 향해 소정 간격으로 설정된 상부 영역; 및
상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상기 하단에서 상기 상단을 향해 소정 간격으로 설정된 하부 영역을 포함하고,
상기 상부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
A body formed of an insulating material; and
It is located within the main body and includes a plurality of current-carrying rods arranged along the height direction of the main body,
The energizing rod is,
When combining a plurality of conductive particles and the plurality of conductive particles, the binding materials are mixed,
The current carrying rod is,
an upper area set at a predetermined interval from the top to the bottom of the main body along the height direction; and
It includes a lower region set at a predetermined interval from the bottom of the main body to the top along the height direction,
In the upper region, the conductive particles have plate-shaped particles and are arranged in a lying position.
 제1항에 있어서,
상기 눕힘 배치는,
상기 도전성 입자의 주면이 상기 본체의 상면에 대해 0° 내지 45° 범위 내인 상태를 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 1,
The lying arrangement is,
A rubber socket for testing semiconductor devices, including a state in which the main surface of the conductive particle is within the range of 0° to 45° with respect to the upper surface of the main body.
 제1항에 있어서,
상기 본체는,
상기 높이 방향을 따라 관통 형성된 관통홀을 구비하고,
상기 결합 물질은,
액상으로 상기 관통홀에 상기 도전성 입자와 함께 충전된 후 경화된 것인, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 1,
The main body is,
Provided with a through hole formed along the height direction,
The binding material is,
A rubber socket for testing semiconductor devices, which is filled in liquid form with the conductive particles in the through hole and then cured.
 제1항에 있어서,
상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 구형 및 돌기형 중 적어도 하나의 입자를 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 1,
In the lower region, the conductive particles include at least one of spherical and protruding particles. A rubber socket for testing a semiconductor device.
 제1항에 있어서,
상기 통전 로드는,
상기 상부 영역과 상기 하부 영역 사이에 위치하는 중앙 영역을 더 포함하고,
상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함하고,
상기 중앙 영역에서, 상기 도전성 입자는 구형 및 돌기형 중 적어도 하나의 입자를 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 1,
The energizing rod is,
Further comprising a central region located between the upper region and the lower region,
In the lower region, the conductive particles include plate-shaped particles and forming a lying arrangement,
In the central region, the conductive particles include at least one of spherical and protruding particles. A rubber socket for testing a semiconductor device.
 제1항에 있어서,
상기 통전 로드는,
상기 상부 영역과 상기 하부 영역 사이에 위치하는 중앙 영역을 더 포함하고,
상기 중앙 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 수직 배치를 이루는 것을 포함하고,
상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 1,
The energizing rod is,
Further comprising a central region located between the upper region and the lower region,
In the central region, the conductive particles have plate-shaped particles and are vertically arranged,
In the lower region, the conductive particles have plate-shaped particles and are in a lying arrangement. A rubber socket for testing semiconductor devices.
 제1항에 있어서,
상기 상부 영역은,
상기 하부 영역과 다른 두께를 갖는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 1,
The upper region is,
A rubber socket for testing semiconductor devices, having a thickness different from that of the lower region.
 높이 방향으로 관통 형성된 관통홀을 구비하는 복수의 절연 파트 중 적어도 하나에 상기 관통홀을 막도록 필름을 부착하는 단계;
상기 관통홀에 복수의 도전성 입자와 결합 물질의 혼합물을 충전하는 단계;
상기 복수의 절연 파트를 적층해 본체를 구성하여, 상기 혼합물이 상기 본체에서 높이 방향을 따라 열을 이루도록 배열되게 하는 단계;
상기 본체에 대해 자력을 인가하여, 상기 복수의 도전성 입자가 상기 높이 방향을 따라 도전 경로를 형성하게 하는 단계;
상기 결합 물질을 경화시켜서, 상기 복수의 도전성 입자와 상기 결합 물질이 일체로 결합되게 하는 단계; 및
상기 본체에서 상기 필름을 제거하는 단계를 포함하고,
상기 도전성 입자 중 상기 필름에 가까운 영역에 배치되는 입자는, 판상형 입자로서 눕힘 배치되는 것을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 제조 방법.
Attaching a film to at least one of a plurality of insulating parts having a through hole formed in the height direction to block the through hole;
Filling the through hole with a mixture of a plurality of conductive particles and a binding material;
Constructing a main body by stacking the plurality of insulating parts, so that the mixture is arranged in a row along the height direction in the main body;
Applying a magnetic force to the main body to cause the plurality of conductive particles to form a conductive path along the height direction;
curing the binding material so that the plurality of conductive particles and the binding material are integrally bonded; and
comprising removing the film from the body,
A method of manufacturing a rubber socket for testing a semiconductor device, including that among the conductive particles, the particles disposed in a region close to the film are laid down as plate-shaped particles.
 제8항에 있어서,
상기 관통홀에 복수의 도전성 입자와 결합 물질의 혼합물을 충전하는 단계는,
상기 복수의 절연 파트 중 어느 하나에는, 상기 복수의 절연 파트 중 다른 하나에 충전되는 도전성 입자와는 다른 형상의 도전성 입자를 충전하는 것을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 제조 방법.According to clause 8,
The step of filling the through hole with a mixture of a plurality of conductive particles and a binding material,
A method of manufacturing a rubber socket for testing a semiconductor device, comprising filling one of the plurality of insulating parts with conductive particles of a different shape from the conductive particles filled in another one of the plurality of insulating parts. 삭제delete
KR1020210169692A 2021-12-01 2021-12-01 Rubber socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same KR102680975B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210169692A KR102680975B1 (en) 2021-12-01 2021-12-01 Rubber socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same
PCT/KR2022/016634 WO2023101224A1 (en) 2021-12-01 2022-10-28 Rubber socket for testing semiconductor element and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210169692A KR102680975B1 (en) 2021-12-01 2021-12-01 Rubber socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230082097A KR20230082097A (en) 2023-06-08
KR102680975B1 true KR102680975B1 (en) 2024-07-03

Family

ID=86612628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210169692A KR102680975B1 (en) 2021-12-01 2021-12-01 Rubber socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102680975B1 (en)
WO (1) WO2023101224A1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101525520B1 (en) * 2015-02-03 2015-06-03 (주)티에스이 Testing socket including conductive particles having combinable shape
KR101936781B1 (en) * 2017-11-20 2019-04-03 (주)티에스이 Rubber socket for test and manufacturing method thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100952712B1 (en) * 2007-12-27 2010-04-13 주식회사 아이에스시테크놀러지 Silicone Contactor for Semi-conductor Device Test including Plate Type Powder
KR20160046621A (en) * 2014-10-21 2016-04-29 삼성전자주식회사 Test socket for testing semiconductor chip package and manufacturing method of the same
KR101973609B1 (en) * 2018-02-19 2019-04-29 (주)티에스이 Rubber socket for semiconductor test including conductive part mixed regular conductive particles and irregular conductive particles
KR20190121493A (en) * 2018-04-18 2019-10-28 화송주식회사 Method of manufacturing semiconductor test socket
KR102090961B1 (en) * 2018-10-25 2020-03-19 주식회사 오킨스전자 Device for test socket having a plurality of vertically stacked rubber sockets

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101525520B1 (en) * 2015-02-03 2015-06-03 (주)티에스이 Testing socket including conductive particles having combinable shape
KR101936781B1 (en) * 2017-11-20 2019-04-03 (주)티에스이 Rubber socket for test and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023101224A1 (en) 2023-06-08
KR20230082097A (en) 2023-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9488675B2 (en) Test socket having high-density conductive unit, and method for manufacturing same
KR101145886B1 (en) Electical connection device and test socket having the electrical connection device
KR101921931B1 (en) Open cell type FPCB film, test socket having thereof, and method for manufacturing thereof
KR102090961B1 (en) Device for test socket having a plurality of vertically stacked rubber sockets
KR101985445B1 (en) Conductive sheet for electrical test
KR101683017B1 (en) Test socket and method for manufacturing thereof and die thereof
US6210173B1 (en) Electrical connector incorporating an elastic electrically conductive material
US20170118846A1 (en) Manufacturing method of test socket and test method for semiconductor package
KR102244246B1 (en) Test socket in which buffer area is formed around electrically conductive line
KR102680975B1 (en) Rubber socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same
KR101591670B1 (en) method of preparing rubber socket for semiconductor test, and computer-readable recording medium for the same
KR20190033856A (en) Device for hybrid test socket having ferromagnetic core pin and metal powder, zig assembly and method for manufacturing thereof
US6438831B1 (en) Method of manufacturing an interconnector
KR102030280B1 (en) Manufacturing method of anisotropic conductive sheet
KR102124550B1 (en) Method of inspection of electrical properties
KR102474337B1 (en) Connector for electrical connection
KR101751269B1 (en) rubber socket for semiconductor test, and manufacturing method of conductive pole for the same
KR101974931B1 (en) Test socket module for semiconductor package
KR102221578B1 (en) Bi-directional electrically conductive module with air layer
KR20190022249A (en) Bi-directional electrically conductive module
KR20230088965A (en) Method for manufacturing conductive member for rubber socket
KR101967401B1 (en) Test socket
KR20230088964A (en) Rubber socket for testing semiconductor package and conductive member for the same
KR101735520B1 (en) Test socket having top metal plate bump and method for manufacturing thereof
KR20190051909A (en) Bi-directional electrically conductive module

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right