KR102678760B1

KR102678760B1 - Display device and method for manufacturing thereof

Info

Publication number: KR102678760B1
Application number: KR1020160182785A
Authority: KR
Inventors: 김창남
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2016-12-29
Filing date: 2016-12-29
Publication date: 2024-06-25
Also published as: KR20180077917A

Abstract

본 발명은 유기발광소자 상에 박막도포성이 우수한 무기막을 형성할 수 있는 표시장치와 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은 제1 기판 상에서 표시 영역에 화소를 형성하고, 패드 영역에 복수의 패드들을 형성하는 단계, 제1 기판의 전체 영역에 제1 무기막을 형성하는 단계, 제1 무기막 상에 표시 영역과 중첩되고 패드 영역과 중첩되지 않도록 제2 무기막을 형성하는 단계, 및 패드 영역의 제1 무기막을 제거하는 단계를 포함한다.The present invention provides a display device capable of forming an inorganic film with excellent thin film applicability on an organic light emitting device and a method of manufacturing the same. A method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention includes forming a pixel in a display area on a first substrate, forming a plurality of pads in a pad area, and forming a first inorganic film over the entire area of the first substrate. A step of forming a second inorganic layer on the first inorganic layer so as to overlap the display area and not overlap the pad area, and removing the first inorganic layer from the pad area.

Description

표시장치와 그의 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}Display device and its manufacturing method {DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}

본 발명은 표시장치와 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Accordingly, recently, various display devices such as liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), and organic light emitting display (OLED) have been used.

표시장치들 중에서 유기발광표시장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 유기발광표시장치는 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.Among display devices, organic light emitting displays are self-luminous and have superior viewing angles and contrast ratios compared to liquid crystal displays (LCDs). They do not require a separate backlight, so they can be lightweight and thin, and have the advantage of low power consumption. . In addition, organic light emitting display devices have the advantage of being capable of driving at low direct current voltages, having a fast response speed, and especially low manufacturing costs.

유기발광표시장치는 유기발광소자를 각각 포함하는 화소들, 및 화소들을 정의하기 위해 화소들을 구획하는 뱅크를 포함한다. 뱅크는 화소 정의막으로 역할을 할 수 있다. 유기발광소자는 애노드 전극, 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극을 포함한다. 이 경우, 애노드 전극에 고전위 전압이 인가되고 캐소드 전극에 저전위 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.The organic light emitting display device includes pixels each containing an organic light emitting element, and banks dividing the pixels to define the pixels. The bank can serve as a pixel defining layer. The organic light emitting device includes an anode electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a cathode electrode. In this case, when a high potential voltage is applied to the anode electrode and a low potential voltage is applied to the cathode electrode, holes and electrons move to the organic light-emitting layer through the hole transport layer and electron transport layer, respectively, and combine with each other in the organic light-emitting layer to emit light.

유기발광소자는 외부의 수분, 산소와 같은 외적 요인에 의해 쉽게 열화가 일어나는 단점이 있다. 이를 방지하기 위하여, 유기발광표시장치는 외부의 수분, 산소가 유기발광소자에 침투되지 않도록 봉지막을 형성한다.Organic light emitting devices have the disadvantage of being easily deteriorated by external factors such as external moisture and oxygen. To prevent this, the organic light emitting display device forms an encapsulation film to prevent external moisture and oxygen from penetrating into the organic light emitting device.

도 1은 복수의 표시 패널이 형성된 원장 기판을 나타내는 도면이다. 도 2는 도 1에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면으로 종래의 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 단면으로 종래의 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.1 is a diagram showing a mother substrate on which a plurality of display panels are formed. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a conventional display device taken along line I-I' shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a conventional display device taken along line II-II' shown in FIG. 1. am.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 원장 기판(Mother Substrate, MS)은 공정 편의상 복수의 표시 패널(PNL)을 동시에 제조하기 위한 기판이다. 표시 패널(PNL)은 개별적으로 분리되어서 각 표시장치로서 역할을 하는 것으로서, 원장 기판(MS) 상에 복수개를 동시에 형성한 후 컷팅 공정 또는 스크라이빙(scribing) 공정을 통하여 분리한다.Referring to FIGS. 1 to 3 , a mother substrate (MS) is a substrate for simultaneously manufacturing a plurality of display panels (PNL) for process convenience. The display panel (PNL) is individually separated and serves as each display device. A plurality of display panels (PNL) are formed simultaneously on the mother substrate (MS) and then separated through a cutting process or a scribing process.

종래의 표시장치는 유기 발광 소자(20)가 형성된 기판(10) 상에 봉지막(30)을 형성한다. 이때, 봉지막(30)은 제1 무기막(30a), 유기막(30b) 및 제2 무기막(30c)을 포함함으로써, 유기발광층과 전극에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지한다.In a conventional display device, an encapsulation film 30 is formed on a substrate 10 on which an organic light emitting device 20 is formed. At this time, the encapsulation film 30 includes a first inorganic film 30a, an organic film 30b, and a second inorganic film 30c, thereby preventing oxygen or moisture from penetrating into the organic light emitting layer and the electrode.

제1 무기막(30a) 및 제2 무기막(30c)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기법을 이용하여 기판(10) 상에 증착된다. CVD 기법은 도 3에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 마스크(40)를 배치하고, 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)를 구성하는 원소를 포함하는 가스를 기판(10) 위에 공급한다. 상기 공급된 가스는 마스크(40)가 형성되지 않은 영역의 기판(10) 표면에서 화학적 반응이 일어나고, 이에 따라, 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)을 마스크(40)가 배치되지 않은 영역의 기판(10) 표면에 형성하게 된다. 이러한 CVD 기법은 박막도포성(Step Coverage)이 낮다는 한계점이 있다.The first inorganic layer 30a and the second inorganic layer 30c are deposited on the substrate 10 using a CVD (Chemical Vapor Deposition) technique. In the CVD technique, as shown in FIG. 3, a mask 40 is placed on the substrate 10, and a gas containing elements constituting the first inorganic film 30a or the second inorganic film 30c is applied to the substrate ( 10) Provide above. The supplied gas causes a chemical reaction on the surface of the substrate 10 in the area where the mask 40 is not formed, and accordingly, the first inorganic layer 30a or the second inorganic layer 30c is used as the mask 40. It is formed on the surface of the substrate 10 in an area that is not disposed. This CVD technique has a limitation in that it has low step coverage.

이를 해결하기 위하여 ALD(Atomic Layer Deposition) 기법을 이용하여 제1 무기막(30a) 및 제2 무기막(30c)을 기판(10) 상에 증착하는 기술이 고려되고 있다. ALD 기법은 마스크(40)를 기판(10) 상에 배치하고, ALD 금속이 포함된 원료와 반응 가스를 교차하여 박막을 형성하는 방법이다. 이러한 ALD 기법은 CVD 기법에 비해 우수한 흡착력을 가지고 있어 박막도포성이 높으며, 박막 두께를 조절할 수 있어 매우 얇은 박막을 형성하는데 유리하다.To solve this problem, a technique of depositing the first inorganic layer 30a and the second inorganic layer 30c on the substrate 10 using the ALD (Atomic Layer Deposition) technique is being considered. The ALD technique is a method of placing a mask 40 on the substrate 10 and forming a thin film by crossing a raw material containing ALD metal and a reaction gas. This ALD technique has superior adsorption compared to the CVD technique, so it has high thin film applicability, and the thin film thickness can be adjusted, making it advantageous for forming very thin films.

그러나 ALD 기법은 앞서 설명한 바와 같이 우수한 흡착력을 가지고 있기 때문에 기판(10)에 마스크(40)가 배치된 영역 내로 길게 형성될 수 있다. 이에 따라, ALD 기법은 CVD 기법에 비해, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)이 스크라이빙 라인(SL)에까지 형성될 가능성이 높다는 문제점이 있다.However, since the ALD technique has excellent adsorption power as described above, the mask 40 can be formed long into the area where the mask 40 is placed on the substrate 10. Accordingly, compared to the CVD technique, the ALD technique has a problem in that the first inorganic layer 30a or the second inorganic layer 30c is more likely to be formed up to the scribing line SL, as shown in FIG. 2. there is.

이와 같이 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)이 마스크(40)가 배치된 영역의 기판(10) 표면, 특히, 스크라이빙 라인(SL)에까지 형성되면, 표시패널(PNL)을 분리하기 위한 컷팅 공정, 즉, 레이저 컷팅 공정이나 기계적 스크라이빙 공정 시에 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)에 크랙이 발생할 수 있다. 크랙은 외부 충격에 의해 무기막을 따라 내부로 전파될 수 있고, 전파된 크랙에 따라 유입된 수분 및 산소는 흑점 및 흑선 얼룩을 유발한다.In this way, when the first inorganic film 30a or the second inorganic film 30c is formed on the surface of the substrate 10 in the area where the mask 40 is disposed, especially on the scribing line SL, the display panel PNL ), cracks may occur in the first inorganic layer 30a or the second inorganic layer 30c during a cutting process to separate the film, that is, a laser cutting process or a mechanical scribing process. Cracks can propagate inward along the inorganic membrane due to external shock, and moisture and oxygen introduced through the propagated cracks cause black spots and black line stains.

또한, ALD 기법은 우수한 흡착력 때문에, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)이 패드(50)까지 형성될 가능성이 높다는 문제점이 있다. 이와 같이 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)이 패드(50)를 덮게 되면 전기적 접촉이 이루어지지 않아 구동 불량 또는 점등 검사 불량이 발생할 수 있다.In addition, the ALD technique has a problem in that there is a high possibility that the first inorganic layer 30a or the second inorganic layer 30c will be formed up to the pad 50, as shown in FIG. 3, due to the excellent adsorption power. In this way, when the first inorganic film 30a or the second inorganic film 30c covers the pad 50, electrical contact is not made, which may cause driving failure or lighting inspection failure.

상술한 문제점들로 인하여, ALD(Atomic Layer Deposition) 기법을 이용하여 제1 무기막(30a) 및 제2 무기막(30c)을 형성하는데 어려움이 있다.Due to the above-mentioned problems, it is difficult to form the first inorganic layer 30a and the second inorganic layer 30c using the ALD (Atomic Layer Deposition) technique.

본 발명은 유기발광소자 상에 박막도포성이 우수한 무기막을 형성할 수 있는 표시장치와 그의 제조방법을 제공한다.The present invention provides a display device capable of forming an inorganic film with excellent thin film applicability on an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은 제1 기판 상에서 표시 영역에 화소를 형성하고, 패드 영역에 복수의 패드들을 형성하는 단계, 제1 기판의 전체 영역에 제1 무기막을 형성하는 단계, 제1 무기막 상에 표시 영역과 중첩되고 패드 영역과 중첩되지 않도록 제2 무기막을 형성하는 단계, 및 패드 영역의 제1 무기막을 제거하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention includes forming a pixel in a display area on a first substrate, forming a plurality of pads in a pad area, and forming a first inorganic film over the entire area of the first substrate. A step of forming a second inorganic layer on the first inorganic layer so as to overlap the display area and not overlap the pad area, and removing the first inorganic layer from the pad area.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는 화소들이 형성된 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판, 표시 영역을 덮는 제1 무기막, 및 제1 무기막 상에 배치되고, 제1 무기막과 적어도 일 측 끝단이 일치하는 제2 무기막을 포함하는 봉지막을 포함한다.A display device according to another embodiment of the present invention is disposed on a first substrate including a display area on which pixels are formed and a non-display area surrounding the display area, a first inorganic film covering the display area, and a first inorganic film, , and an encapsulation film including a first inorganic film and a second inorganic film whose at least one end coincides with the first inorganic film.

본 발명의 또 다른 실시예에 다른 표시장치는 화소들이 형성된 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판, 표시 영역을 덮는 제1 무기막, 및 제1 무기막 상에 배치되고, 제1 무기막과 적어도 일 측 끝단이 일치하는 제2 기판을 포함한다.A display device according to another embodiment of the present invention includes a first substrate including a display area on which pixels are formed and a non-display area surrounding the display area, a first inorganic film covering the display area, and a first inorganic film disposed on the first inorganic film. and includes a second substrate whose at least one end coincides with the first inorganic layer.

본 발명은 제1 무기막을 ALD 기법으로 형성함으로써 박막 도포성을 향상시킬 수 있고, 이에 따라, 수분 또는 산소를 차단하는 효과를 향상시킬 수 있다.The present invention can improve thin film applicability by forming the first inorganic film using the ALD technique, and thus improve the effect of blocking moisture or oxygen.

또한, 본 발명은 제2 및 제3 무기막들 중 어느 하나를 식각 마스크로 사용함으로써 별도의 마스크를 사용하지 않고 제1 무기막을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제조 비용을 절감할 수 있을 뿐 마스크 사용에 따른 문제점들을 해결할 수 있다.Additionally, in the present invention, the first inorganic layer can be formed without using a separate mask by using one of the second and third inorganic layers as an etch mask. Accordingly, the present invention can not only reduce manufacturing costs but also solve problems caused by using masks.

또한, 본 발명은 ALD 기법으로 제1 무기막을 형성함에도 불구하고 패드 영역에 형성된 제1 무기막을 건식 식각법에 의하여 제거할 수 있으므로, 패드 영역에서 접촉 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the present invention, although the first inorganic layer is formed using the ALD technique, the first inorganic layer formed in the pad area can be removed by a dry etching method, thereby preventing contact defects from occurring in the pad area.

또한, 본 발명은 ALD 기법으로 제1 무기막을 형성함에도 불구하고 스크라이빙 라인에 형성된 제1 무기막을 건식 식각법에 의하여 제거할 수 있으므로, 스크라이빙 공정시 제1 무기막에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the present invention, although the first inorganic layer is formed using the ALD technique, the first inorganic layer formed on the scribing line can be removed by a dry etching method, preventing cracks from occurring in the first inorganic layer during the scribing process. can be prevented.

또한, 본 발명은 제2 기판 또는 편광판들을 식각 마스크로 사용함으로써 별도의 마스크를 사용하지 않고 제1 무기막을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제조 비용을 절감할 수 있을 뿐 마스크 사용에 따른 문제점들을 해결할 수 있다.Additionally, the present invention can form the first inorganic layer without using a separate mask by using the second substrate or polarizing plates as an etch mask. Accordingly, the present invention can not only reduce manufacturing costs but also solve problems caused by using masks.

도 1은 복수의 표시 패널이 형성된 원장 기판을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면으로 종래의 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 단면으로 종래의 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 5은 도 4의 제1 기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 제1 기판의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 일 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제1 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제2 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제3 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제4 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제5 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제6 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 15a 내지 도 15f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 17a 내지 도 17f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 18은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 19a 내지 도 19f는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a diagram showing a mother substrate on which a plurality of display panels are formed.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a conventional display device taken along line I-I' shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a conventional display device taken along line II-II' shown in FIG. 1.
Figure 4 is a perspective view showing a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a plan view showing the first substrate, gate driver, source drive IC, flexible film, circuit board, and timing control unit of FIG. 4.
FIG. 6 is a plan view showing an example of the first substrate of FIG. 5.
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing an example along line I-I' shown in FIG. 6.
Figure 8 is a cross-sectional view schematically showing the first embodiment along the line II-II' shown in Figure 6.
Figure 9 is a cross-sectional view schematically showing the second embodiment along the line II-II' shown in Figure 6.
Figure 10 is a cross-sectional view schematically showing the third embodiment along the line II-II' shown in Figure 6.
FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the fourth embodiment along the line II-II' shown in FIG. 6.
FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing the fifth embodiment along the line II-II' shown in FIG. 6.
FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing the sixth embodiment along the line II-II' shown in FIG. 6.
Figure 14 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention.
15A to 15F are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention.
Figure 16 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a display device according to a second embodiment of the present invention.
17A to 17F are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a display device according to a second embodiment of the present invention.
Figure 18 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a display device according to a third embodiment of the present invention.
19A to 19F are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a display device according to a third embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. These embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete, and those skilled in the art It is provided to fully inform the person of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. In cases where a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if a temporal relationship is described as 'after', 'successfully after', 'after', 'before', etc., 'immediately' or 'directly' Unless used, non-consecutive cases may also be included.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. “X-axis direction,” “Y-axis direction,” and “Z-axis direction” should not be interpreted as only geometrical relationships in which the relationship between each other is vertical, and should not be interpreted as a wider range within which the configuration of the present invention can function functionally. It can mean having direction.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, “at least one of the first, second, and third items” means each of the first, second, or third items, as well as two of the first, second, and third items. It can mean a combination of all items that can be presented from more than one.

본 발명의 여러 실시 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or fully combined or combined with each other, various technological interconnections and operations are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other or together in a related relationship. It may be possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 5은 도 4의 제1 기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.Figure 4 is a perspective view showing a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a plan view showing the first substrate, gate driver, source drive IC, flexible film, circuit board, and timing control unit of FIG. 4.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치가 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 유기발광표시장치뿐만 아니라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 및 전기영동 표시장치(Electrophoresis display) 중 어느 하나로 구현될 수도 있다.Below, the description focuses on the fact that the display device according to an embodiment of the present invention is an organic light emitting display, but the present invention is not limited thereto. That is, the display device according to an embodiment of the present invention is not only an organic light emitting display device, but also any one of a liquid crystal display device, a field emission display device, and an electrophoresis display device. It can also be implemented as one.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 표시패널(110), 게이트 구동부(120), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(130), 연성필름(140), 회로보드(150), 및 타이밍 제어부(160)를 포함한다.4 and 5, the display device 100 according to an embodiment of the present invention includes a display panel 110, a gate driver 120, and a source drive integrated circuit (hereinafter referred to as “IC”). It includes (130), a flexible film (140), a circuit board (150), and a timing control unit (160).

표시패널(110)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함한다. 제2 기판(112)은 봉지 기판일 수 있다. 제1 기판(111)은 플라스틱 필름(plastic film) 또는 유리 기판(glass substrate)일 수 있다. 제2 기판(112)은 플라스틱 필름, 유리 기판, 또는 봉지 필름일 수 있다.The display panel 110 includes a first substrate 111 and a second substrate 112. The second substrate 112 may be an encapsulation substrate. The first substrate 111 may be a plastic film or a glass substrate. The second substrate 112 may be a plastic film, a glass substrate, or an encapsulation film.

제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성된다. 화소들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다.Gate lines, data lines, and pixels are formed on one side of the first substrate 111 facing the second substrate 112. Pixels are provided in an area defined by the intersection structure of gate lines and data lines.

화소들 각각은 박막 트랜지스터와 제1 전극, 유기발광층, 및 제2 전극을 구비하는 유기발광소자를 포함할 수 있다. 화소들 각각은 박막 트랜지스터를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 유기발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 화소들 각각의 유기발광소자는 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다. 화소들 각각의 구조에 대한 설명은 도 6 및 도 8를 결부하여 후술한다.Each of the pixels may include an organic light emitting device including a thin film transistor, a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode. Each of the pixels uses a thin film transistor to supply a predetermined current to the organic light emitting device according to the data voltage of the data line when a gate signal is input from the gate line. Because of this, the organic light emitting element of each pixel can emit light with a predetermined brightness according to a predetermined current. A description of the structure of each pixel will be described later in conjunction with FIGS. 6 and 8.

표시패널(110)은 도 5와 같이 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 표시영역(DA)과 화상을 표시하지 않는 비표시영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시영역(DA)에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 게이트 구동부(120)와 패드들이 형성될 수 있다.The display panel 110 can be divided into a display area (DA) in which pixels are formed to display images, and a non-display area (NDA) in which images are not displayed, as shown in FIG. 5 . Gate lines, data lines, and pixels may be formed in the display area DA. A gate driver 120 and pads may be formed in the non-display area NDA.

게이트 구동부(120)는 타이밍 제어부(160)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부(120)는 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역(DA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 게이트 구동부(120)는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역(DA)에 부착될 수도 있다.The gate driver 120 supplies gate signals to the gate lines according to the gate control signal input from the timing controller 160. The gate driver 120 may be formed in a non-display area (DA) outside the display area (DA) on one side or both sides of the display panel 110 using a gate driver in panel (GIP) method. Alternatively, the gate driver 120 is manufactured as a driving chip, mounted on a flexible film, and used in a non-display area (DA) outside one or both sides of the display area (DA) of the display panel 110 using a TAB (tape automated bonding) method. It may be attached to .

소스 드라이브 IC(130)는 타이밍 제어부(160)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 드라이브 IC(130)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(130)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(140)에 실장될 수 있다.The source drive IC 130 receives digital video data and source control signals from the timing control unit 160. The source drive IC 130 converts digital video data into analog data voltages according to the source control signal and supplies them to the data lines. When the source drive IC 130 is manufactured as a driving chip, it may be mounted on the flexible film 140 using a chip on film (COF) or chip on plastic (COP) method.

표시패널(110)의 비표시영역(NDA)에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 형성될 수 있다. 연성필름(140)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(130)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(150)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(140)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(140)의 배선들이 연결될 수 있다.Pads such as data pads may be formed in the non-display area NDA of the display panel 110. Wires connecting the pads and the source drive IC 130 and wires connecting the pads and the wires of the circuit board 150 may be formed in the flexible film 140. The flexible film 140 is attached to the pads using an anisotropic conducting film, so that the pads and the wiring of the flexible film 140 can be connected.

회로보드(150)는 연성필름(140)들에 부착될 수 있다. 회로보드(150)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(150)에는 타이밍 제어부(160)가 실장될 수 있다. 회로보드(150)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.The circuit board 150 may be attached to the flexible films 140. The circuit board 150 may be equipped with multiple circuits implemented with driving chips. For example, the timing control unit 160 may be mounted on the circuit board 150. The circuit board 150 may be a printed circuit board or a flexible printed circuit board.

타이밍 제어부(160)는 회로보드(150)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 제어부(60)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(130)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(160)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(120)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(130)들에 공급한다.The timing control unit 160 receives digital video data and timing signals from an external system board through a cable of the circuit board 150. The timing control unit 60 generates a gate control signal for controlling the operation timing of the gate driver 120 and a source control signal for controlling the source drive ICs 130 based on the timing signal. The timing control unit 160 supplies a gate control signal to the gate driver 120 and a source control signal to the source drive ICs 130.

도 6은 도 5의 제1 기판의 일 예를 보여주는 평면도이다.FIG. 6 is a plan view showing an example of the first substrate of FIG. 5.

도 6을 참조하면, 제1 기판(111)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)으로 구분되며, 비표시 영역(NDA)에는 패드들이 형성되는 패드 영역(PA)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, the first substrate 111 is divided into a display area (DA) and a non-display area (NDA), and a pad area (PA) where pads are formed may be formed in the non-display area (NDA). .

표시 영역(DA)에는 화상을 표시하는 화소(P)들이 형성된다. 화소들 각각은 박막 트랜지스터와 제1 전극, 유기발광층, 및 제2 전극을 구비하는 유기발광소자를 포함할 수 있다. 화소들 각각은 박막 트랜지스터를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 유기발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 화소들 각각의 유기발광소자는 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.Pixels P that display images are formed in the display area DA. Each of the pixels may include an organic light emitting device including a thin film transistor, a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode. Each of the pixels uses a thin film transistor to supply a predetermined current to the organic light emitting device according to the data voltage of the data line when a gate signal is input from the gate line. Because of this, the organic light emitting element of each pixel can emit light with a predetermined brightness according to a predetermined current.

이하에서는 도 7을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시 영역(DA)의 화소(P)의 구조를 상세히 살펴본다.Hereinafter, the structure of the pixel P of the display area DA according to embodiments of the present invention will be examined in detail with reference to FIG. 7.

도 7은 도 6에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 일 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing an example along line I-I' shown in FIG. 6.

도 7을 참조하면, 제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 박막 트랜지스터(210)들 및 커패시터(220)들이 형성된다.Referring to FIG. 7 , thin film transistors 210 and capacitors 220 are formed on one side of the first substrate 111 facing the second substrate 112 .

박막 트랜지스터(210)들 각각은 액티브층(211), 게이트 전극(212), 소스 전극(213) 및 드레인 전극(214)을 포함한다. 도 8에서는 박막 트랜지스터(210)들의 게이트 전극(212)이 액티브층(211)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 박막 트랜지스터(210)들은 게이트 전극(212)이 액티브층(211)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트 전극(212)이 액티브층(211)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.Each of the thin film transistors 210 includes an active layer 211, a gate electrode 212, a source electrode 213, and a drain electrode 214. Although FIG. 8 illustrates that the gate electrodes 212 of the thin film transistors 210 are formed in a top gate manner located on top of the active layer 211, it should be noted that the present invention is not limited thereto. That is, the thin film transistors 210 are of the bottom gate type in which the gate electrode 212 is located at the bottom of the active layer 211, or the gate electrode 212 is located at the top and bottom of the active layer 211. It can be formed as a double gate method located in both.

제1 기판(110)의 버퍼막 상에는 액티브층(211)이 형성된다. 액티브층(211)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 제1 기판(110) 상에는 액티브층(211)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 형성될 수 있다.An active layer 211 is formed on the buffer film of the first substrate 110. The active layer 211 may be formed of a silicon-based semiconductor material or an oxide-based semiconductor material. A light blocking layer may be formed on the first substrate 110 to block external light incident on the active layer 211.

액티브층(211) 상에는 게이트 절연막(230)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(230)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer 230 may be formed on the active layer 211. The gate insulating layer 230 may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, or a multilayer thereof.

게이트 절연막(230) 상에는 게이트 전극(212)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(212)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A gate electrode 212 may be formed on the gate insulating film 230. The gate electrode 212 is made of any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be a single layer or a multi-layer made of an alloy, but is not limited thereto.

게이트 전극(212) 상에는 층간 절연막(240)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(240)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.An interlayer insulating film 240 may be formed on the gate electrode 212. The interlayer insulating film 240 may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a multilayer thereof.

층간 절연막(240) 상에는 소스 전극(213)과 드레인 전극(214)이 형성될 수 있다. 소스 전극(213)과 드레인 전극(214) 각각은 게이트 절연막(230)과 층간 절연막(240)을 관통하는 콘택홀(CH1, CH2)을 통해 액티브층(211)에 접속될 수 있다. 소스 전극(213)과 드레인 전극(214) 각각은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A source electrode 213 and a drain electrode 214 may be formed on the interlayer insulating film 240. Each of the source electrode 213 and the drain electrode 214 may be connected to the active layer 211 through contact holes CH1 and CH2 penetrating the gate insulating film 230 and the interlayer insulating film 240. The source electrode 213 and the drain electrode 214 each include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper ( It may be a single layer or a multi-layer made of any one of (Cu) or an alloy thereof, but is not limited thereto.

커패시터(220)들 각각은 하부 전극(221)과 상부 전극(222)을 포함한다. 하부 전극(221)은 게이트 절연막(230) 상에 형성되며, 게이트 전극(212)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상부 전극(222)은 층간 절연막(240) 상에 형성되며, 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.Each of the capacitors 220 includes a lower electrode 221 and an upper electrode 222. The lower electrode 221 is formed on the gate insulating film 230 and may be made of the same material as the gate electrode 212. The upper electrode 222 is formed on the interlayer insulating film 240 and may be formed of the same material as the source electrode 223 and the drain electrode 224.

박막 트랜지스터(210) 및 커패시터(220) 상에는 보호막(250)이 형성될 수 있다. 보호막(250)은 절연막으로서 역할을 할 수 있다. 보호막(250)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.A protective film 250 may be formed on the thin film transistor 210 and the capacitor 220. The protective film 250 may serve as an insulating film. The protective film 250 may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a multilayer thereof.

보호막(250) 상에는 박막 트랜지스터(210)와 커패시터(220)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 평탄화막(260)이 형성될 수 있다. 평탄화막(260)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.A planarization film 260 may be formed on the protective film 250 to flatten the step caused by the thin film transistor 210 and the capacitor 220. The planarization film 260 may be formed of an organic film such as acryl resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, or polyimide resin. there is.

평탄화막(260) 상에는 유기발광소자(280)와 뱅크(284)가 형성된다. 유기발광소자(280)는 제1 전극(281), 유기발광층(282), 및 제2 전극(283)을 포함한다. 제1 전극(281)은 애노드 전극이고, 제2 전극(283)은 캐소드 전극일 수 있다. 제1 전극(281), 유기발광층(282) 및 제2 전극(283)이 적층된 영역은 발광부(EA)로 정의될 수 있다.An organic light emitting device 280 and a bank 284 are formed on the planarization film 260. The organic light emitting device 280 includes a first electrode 281, an organic light emitting layer 282, and a second electrode 283. The first electrode 281 may be an anode electrode, and the second electrode 283 may be a cathode electrode. The area where the first electrode 281, the organic light emitting layer 282, and the second electrode 283 are stacked may be defined as the light emitting area (EA).

제1 전극(281)은 평탄화막(260) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(281)은 보호막(250)과 평탄화막(260)을 관통하는 콘택홀(CH3)을 통해 박막 트랜지스터(210)의 드레인 진극(214)에 접속된다. 제1 전극(281)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.The first electrode 281 may be formed on the planarization film 260. The first electrode 281 is connected to the drain electrode 214 of the thin film transistor 210 through a contact hole (CH3) penetrating the protective film 250 and the planarization film 260. The first electrode 281 has a stacked structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), a stacked structure of aluminum and ITO (ITO/Al/ITO), an APC alloy, and a stacked structure of APC alloy and ITO (ITO/APC /ITO) can be made of a highly reflective metal material. APC alloy is an alloy of silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu).

뱅크(284)은 발광부들(EA)을 구획하기 위해 평탄화막(260) 상에서 제1 전극(281)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 뱅크(284)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.The bank 284 may be formed to cover the edge of the first electrode 281 on the planarization film 260 to partition the light emitting units EA. The bank 284 may be formed of an organic film such as acryl resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, or polyimide resin. .

제1 전극(281)과 뱅크(284) 상에는 유기발광층(282)이 형성된다. 유기발광층(282)은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(281)과 제2 전극(282)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.An organic light emitting layer 282 is formed on the first electrode 281 and the bank 284. The organic light emitting layer 282 may include a hole transporting layer, at least one light emitting layer, and an electron transporting layer. In this case, when voltage is applied to the first electrode 281 and the second electrode 282, holes and electrons move to the light-emitting layer through the hole transport layer and electron transport layer, respectively, and combine with each other in the light-emitting layer to emit light.

유기발광층(282)은 백색 광을 발광하는 백색 발광층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 제1 전극(281)과 뱅크(284)를 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 기판(112) 상에는 컬러필터(미도시)가 형성될 수 있다.The organic light-emitting layer 282 may be made of a white light-emitting layer that emits white light. In this case, it may be formed to cover the first electrode 281 and the bank 284. In this case, a color filter (not shown) may be formed on the second substrate 112.

또는, 유기발광층(282)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 또는 청색 광을 발광하는 청색 발광층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유기발광층(282)는 제1 전극(281)에 대응되는 영역에 형성될 수 있으며, 제2 기판(112) 상에는 컬러필터가 형성되지 않을 수 있다.Alternatively, the organic light-emitting layer 282 may be made of a red light-emitting layer that emits red light, a green light-emitting layer that emits green light, or a blue light-emitting layer that emits blue light. In this case, the organic light emitting layer 282 may be formed in an area corresponding to the first electrode 281, and the color filter may not be formed on the second substrate 112.

제2 전극(283)은 유기발광층(282) 상에 형성된다. 유기발광표시장치가 상부 발광(top emission) 구조로 형성되는 경우, 제2 전극(283)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(283) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.The second electrode 283 is formed on the organic light emitting layer 282. When the organic light emitting display device is formed with a top emission structure, the second electrode 283 is made of a transparent conductive material (TCO) such as ITO or IZO that can transmit light, or magnesium (Mg). ), silver (Ag), or an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag). A capping layer may be formed on the second electrode 283.

유기발광소자(280) 상에는 봉지막(290)이 형성된다. 봉지막(290)은 유기발광층(282)과 제2 전극(283)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지막(290)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.An encapsulation film 290 is formed on the organic light emitting device 280. The encapsulation film 290 serves to prevent oxygen or moisture from penetrating into the organic light emitting layer 282 and the second electrode 283. To this end, the encapsulation film 290 may include at least one inorganic film and at least one organic film.

예를 들어, 봉지막(290)은 제1 무기막(291), 제2 무기막(292), 유기막(293), 및 제3 무기막(294)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(291)은 제1 전극(282)을 덮도록 형성된다. 제2 무기막(292)은 제1 무기막(291) 상에 형성된다. 유기막(293)은 제2 무기막(292) 상에 형성된다. 유기막(293)은 이물들(particles)이 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(292)을 뚫고 유기발광층(282)과 제2 전극(283)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 제3 무기막(294)은 유기막(293)을 덮도록 형성된다.For example, the encapsulation film 290 may include a first inorganic film 291, a second inorganic film 292, an organic film 293, and a third inorganic film 294. In this case, the first inorganic film 291 is formed to cover the first electrode 282. The second inorganic film 292 is formed on the first inorganic film 291. The organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292. The organic layer 293 has a thickness sufficient to prevent particles from penetrating the first inorganic layer 291 and the second inorganic layer 292 and being introduced into the organic light-emitting layer 282 and the second electrode 283. It is preferable to be formed as The third inorganic layer 294 is formed to cover the organic layer 293.

봉지막(290) 상에는 제1 내지 제3 컬러필터들(미도시)과 블랙 매트릭스(미도시)이 형성될 수 있다. 적색 발광부에는 적색 컬러필터가 형성되고, 청색 발광부에는 청색 컬러필터가 형성되며, 녹색 발광부에는 녹색 컬러필터가 형성될 수 있다.First to third color filters (not shown) and a black matrix (not shown) may be formed on the encapsulation film 290. A red color filter may be formed in the red light-emitting part, a blue color filter may be formed in the blue light-emitting part, and a green color filter may be formed in the green light-emitting part.

제1 기판(111)의 봉지막(290)과 제2 기판(112)의 컬러필터들(미도시)은 접착층(310)을 이용하여 접착되며, 이로 인해 제1 기판(111)과 제2 기판(112)은 합착될 수 있다. 접착층(310)은 투명한 접착 레진일 수 있다.The encapsulation film 290 of the first substrate 111 and the color filters (not shown) of the second substrate 112 are bonded using the adhesive layer 310, thereby bonding the first substrate 111 and the second substrate. (112) can be cemented. The adhesive layer 310 may be a transparent adhesive resin.

다시 도 6을 참조하면, 패드 영역(PA)은 제1 기판(111)의 일 측 가장자리에 배치될 수 있다. 패드 영역(PA)은 복수의 패드들을 포함한다. 복수의 패드들은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 연성 필름(150)의 배선들과 전기적으로 연결될 수 있다.Referring again to FIG. 6 , the pad area PA may be disposed at one edge of the first substrate 111 . The pad area PA includes a plurality of pads. A plurality of pads may be electrically connected to wires of the flexible film 150 using an antisotropic conducting film.

패드 영역(PA)에서는 전기적 연결을 위하여 복수의 패드들이 노출되어 있어야 한다. 이에 따라, 패드 영역(PA)에는 봉지막(290)이 형성되지 않는다.In the pad area (PA), a plurality of pads must be exposed for electrical connection. Accordingly, the encapsulation film 290 is not formed in the pad area PA.

이하에서는 도 8 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 일 실시예들에 따른 봉지막(290)의 구조를 상세히 살펴본다.Hereinafter, the structure of the encapsulation film 290 according to embodiments of the present invention will be examined in detail with reference to FIGS. 8 to 13.

제1 1st 실시예Example

도 8은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제1 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.Figure 8 is a cross-sectional view schematically showing the first embodiment along the line II-II' shown in Figure 6.

도 8에 도시된 표시장치는 제1 기판(111) 상에 형성된 봉지막(290)을 포함한다. 이때, 제1 기판(111)은 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)으로 구분되며, 비표시 영역(NDA)에는 패드 영역(PA)이 포함된다.The display device shown in FIG. 8 includes an encapsulation film 290 formed on the first substrate 111. At this time, the first substrate 111 is divided into a display area DA and a non-display area NDA surrounding the display area DA, and the non-display area NDA includes a pad area PA.

표시 영역(DA)에는 화상을 표시하는 화소(P)들이 형성된다. 화소(P)들 각각은 박막 트랜지스터(210)와 유기발광소자(280)을 포함할 수 있다.Pixels P that display images are formed in the display area DA. Each of the pixels P may include a thin film transistor 210 and an organic light emitting device 280.

패드 영역(PA)에는 신호 패드(320) 및 패드 전극(330)이 형성된다. 신호 패드(320)는 층간 절연막(240) 상에 형성되며, 표시 영역(DA)의 소스 전극(213) 및 드레인 전극(214)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 패드 전극(330)은 보호막(250) 상에 형성되며, 제4 콘택홀(CH4)을 통하여 신호 패드(320)와 연결된다. 패드 전극(330)은 외부로 노출되어 연성필름(150), 소스 드라이브 IC(140), 회로보드(160)와 연결된다.A signal pad 320 and a pad electrode 330 are formed in the pad area PA. The signal pad 320 is formed on the interlayer insulating film 240 and may be formed on the same layer as the source electrode 213 and the drain electrode 214 of the display area DA. The pad electrode 330 is formed on the protective film 250 and is connected to the signal pad 320 through the fourth contact hole CH4. The pad electrode 330 is exposed to the outside and connected to the flexible film 150, source drive IC 140, and circuit board 160.

봉지막(290)은 표시 영역(DA)에 형성된 유기발광소자(280)을 덮도록 형성되어 유기발광소자(280)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지한다. 한편, 봉지막(290)은 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 형성되어, 패드 전극(330)이 외부로 노출될 수 있도록 한다.The encapsulation film 290 is formed to cover the organic light emitting device 280 formed in the display area DA and prevents oxygen or moisture from penetrating into the organic light emitting device 280. Meanwhile, the encapsulation film 290 is formed so as not to overlap the pad area PA, so that the pad electrode 330 can be exposed to the outside.

이러한 봉지막(290)은 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막을 포함한다. 예를 들어, 봉지막(290)은 제1 무기막(291), 제2 무기막(292), 유기막(293), 및 제3 무기막(294)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(291)은 제1 전극(282)을 덮도록 형성된다. 제2 무기막(292)은 제1 무기막(291) 상에 형성된다. 유기막(293)은 제2 무기막(292) 상에 형성되고, 제3 무기막(294)은 유기막(293)을 덮도록 형성된다.This encapsulation film 290 includes at least one inorganic film and at least one organic film. For example, the encapsulation film 290 may include a first inorganic film 291, a second inorganic film 292, an organic film 293, and a third inorganic film 294. In this case, the first inorganic film 291 is formed to cover the first electrode 282. The second inorganic film 292 is formed on the first inorganic film 291. The organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292, and the third inorganic layer 294 is formed to cover the organic layer 293.

제1, 제2 및 제3 무기막들(291, 292, 294) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 이때, 제1 무기막(291)은 ALD(Atomic Layer Deposition) 기법으로 증착되고, 제2 무기막(292) 및 제3 무기막(294)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기법으로 증착된다.Each of the first, second, and third inorganic layers 291, 292, and 294 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide. there is. At this time, the first inorganic layer 291 is deposited using an Atomic Layer Deposition (ALD) technique, and the second inorganic layer 292 and the third inorganic layer 294 are deposited using a Chemical Vapor Deposition (CVD) technique.

제1 무기막(291)은 제3 무기막(294)과 서로 다른 층에 형성되며, 별도의 공정을 통해 형성된다. 별도의 공정을 통해 형성된 제1 무기막(291) 및 제3 무기막(294)은 끝단이 일치할 수 있다. 이는 제1 무기막(291)이 제3 무기막(294)을 식각 마스크로 하여 식각되었기 때문일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 제1 기판(111)의 전체 영역에 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 유기막(293)이 형성된다. 그리고 나서, 유기막(293) 및 제2 무기막(292) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제3 무기막(294)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291)은 제3 무기막(294)을 식각 마스크로 하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기막(291)은 제3 무기막(294)이 형성되지 않은 영역, 특히 패드 영역(PA)과 스크라이빙 라인(SL)에서 제거되고, 제3 무기막(294)이 형성된 영역만 남게 된다. 이때, 제1 무기막(291)의 끝단과 제3 무기막(294)의 끝단은 일치하게 된다.The first inorganic layer 291 is formed on a different layer from the third inorganic layer 294 and is formed through a separate process. The ends of the first inorganic layer 291 and the third inorganic layer 294 formed through separate processes may coincide. This may be because the first inorganic layer 291 was etched using the third inorganic layer 294 as an etch mask. More specifically, the first inorganic layer 291 may be formed on the entire area of the first substrate 111 using an ALD technique. Then, a second inorganic layer 292 may be formed on the first inorganic layer 291 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, an organic film 293 is formed. Then, a third inorganic layer 294 may be formed on the organic layer 293 and the second inorganic layer 292 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, the first inorganic layer 291 may be etched using the third inorganic layer 294 as an etch mask. Accordingly, the first inorganic film 291 is removed from the area where the third inorganic film 294 is not formed, especially the pad area PA and the scribing line SL, and the third inorganic film 294 is removed from the area where the third inorganic film 294 is not formed. Only the formed area remains. At this time, the end of the first inorganic layer 291 and the end of the third inorganic layer 294 coincide with each other.

또는 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)과 서로 다른 층에 형성되며, 별도의 공정을 통해 형성된다. 별도의 공정을 통해 형성된 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(292) 각각의 끝단이 일치할 수 있다. 이는 제1 무기막(291)이 제2 무기막(292)을 식각 마스크로 하여 식각되었기 때문일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 제1 기판(111)의 전체 영역에 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)을 식각 마스크로 하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)이 형성되지 않은 영역, 특히, 패드 영역(PA)과 스크라이빙 라인(SL)에서 제거되고, 제2 무기막(292)이 형성된 영역만 남게 된다. 이때, 제1 무기막(291)의 끝단과 제2 무기막(292)의 끝단은 일치하게 된다. 그리고 나서, 제2 무기막(292) 상에는 유기막(293)이 형성된다. 그리고 나서, 유기막(293) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제3 무기막(294)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다.Alternatively, the first inorganic film 291 is formed on a different layer from the second inorganic film 292 and is formed through a separate process. The ends of the first inorganic layer 291 and the second inorganic layer 292 formed through separate processes may coincide. This may be because the first inorganic layer 291 was etched using the second inorganic layer 292 as an etch mask. More specifically, the first inorganic layer 291 may be formed on the entire area of the first substrate 111 using the ALD technique. Then, a second inorganic layer 292 may be formed on the first inorganic layer 291 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, the first inorganic layer 291 may be etched using the second inorganic layer 292 as an etch mask. Accordingly, the first inorganic film 291 is removed from areas where the second inorganic film 292 is not formed, especially the pad area PA and the scribing line SL, and the second inorganic film 292 is removed from the area where the second inorganic film 292 is not formed. Only this formed area remains. At this time, the end of the first inorganic layer 291 and the end of the second inorganic layer 292 coincide with each other. Then, an organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292. Then, a third inorganic layer 294 may be formed on the organic layer 293 using a CVD technique to cover the display area DA and not overlap the pad area PA.

제1, 제2 및 제3 무기막들(291, 292, 294)은 도 8과 같이 평면 면적이 동일할 수 있다. 제2 및 제3 무기막들(292, 294)은 동일한 마스크를 사용하여 형성되는 경우 평면 면적이 동일할 수 있다. 또한, 제1 무기막(291)은 앞서 설명한 바와 같이 제2 및 제3 무기막들(292, 294) 중 어느 하나를 식각 마스크로 하여 식각되므로, 제2 및 제3 무기막들(292, 294)과 평면 면적이 동일할 수 있다.The first, second, and third inorganic layers 291, 292, and 294 may have the same planar area as shown in FIG. 8. When the second and third inorganic layers 292 and 294 are formed using the same mask, the planar areas may be the same. Additionally, as described above, the first inorganic layer 291 is etched using one of the second and third inorganic layers 292 and 294 as an etch mask, so that the second and third inorganic layers 292 and 294 are etched. ) and the plane area may be the same.

한편, 제1 무기막(291)은 제2 및 제3 무기막들(292, 294) 보다 두께가 얇아야 한다. 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 증착되기 때문에 0.1㎛ 미만으로 얇게 증착될 수 있다. 반면, 제2 및 제3 무기막들(292, 294)는 대략 1㎛로 증착될 수 있다.Meanwhile, the first inorganic layer 291 must be thinner than the second and third inorganic layers 292 and 294. Since the first inorganic layer 291 is deposited using the ALD technique, it can be deposited as thin as less than 0.1㎛. On the other hand, the second and third inorganic films 292 and 294 may be deposited to approximately 1㎛.

제1 무기막(291)은 제2 및 제3 무기막들(292, 294) 중 어느 하나를 식각 마스크로 하여 일부 영역이 식각된다. 이때, 제1 무기막(291)과 식각 마스크로 사용되는 무기막은 형성 물질이 동일할 수 있다. 이러한 경우 제1 무기막(291)을 식각하기 위한 반응 가스는 식각 마스크로 사용되는 무기막과도 반응하게 된다. 다만, 제1 무기막(291)은 두께가 얇기 때문에 식각 마스크로 사용되는 무기막 보다 빠르게 식각될 수 있다. 이에 따라, 반응 가스의 양을 제1 무기막(291)의 두께만큼 식각하는 것으로 설정한다면, 제1 무기막(291)은 식각 마스크로 사용되는 무기막으로 덮이지 않고 노출된 영역만 식각될 수 있다.A portion of the first inorganic layer 291 is etched using one of the second and third inorganic layers 292 and 294 as an etch mask. At this time, the first inorganic layer 291 and the inorganic layer used as the etch mask may be formed from the same material. In this case, the reaction gas for etching the first inorganic layer 291 also reacts with the inorganic layer used as an etching mask. However, because the first inorganic layer 291 is thin, it can be etched faster than the inorganic layer used as an etch mask. Accordingly, if the amount of reaction gas is set to etch the thickness of the first inorganic layer 291, only the exposed area of the first inorganic layer 291 can be etched without being covered with the inorganic layer used as an etch mask. there is.

또한, 제1 무기막(291)과 식각 마스크로 사용되는 무기막은 형성 물질이 동일하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 제1 무기막(291)은 실리콘 산화물로 형성될 수 있고, 제2 및 제3 무기막들(292, 294)은 실리콘 질화물로 형성될 수 있다. 또는 반대로 제1 무기막(291)은 실리콘 질화물로 형성될 수 있고, 제2 및 제3 무기막들(292, 294)은 실리콘 산화물로 형성될 수 있다. 이러한 경우에도 제1 무기막(291)을 식각하기 위한 반응 가스는 실리콘과 반응하므로 식각 마스크로 사용되는 무기막과도 반응하게 된다. 다만, 실리콘 산화물로 형성된 무기막과 실리콘 질화물로 형성된 무기막 각각의 식각 속도가 다르다. 일반적으로, 실리콘 질화물의 식각 속도가 빠르므로, 제1 무기막(291)을 실리콘 질화물로 형성하고 제2 및 제3 무기막들(292, 294)을 실리콘 산화물로 형성한다면 식각 마스크로 사용되는 무기막을 많이 식각시키지 않고 패드 영역(PA)에 형성된 제1 무기막(291)을 제거할 수 있다.Additionally, the first inorganic layer 291 and the inorganic layer used as an etch mask may not be formed from the same material. For example, the first inorganic layer 291 may be formed of silicon oxide, and the second and third inorganic layers 292 and 294 may be formed of silicon nitride. Or, conversely, the first inorganic layer 291 may be formed of silicon nitride, and the second and third inorganic layers 292 and 294 may be formed of silicon oxide. Even in this case, the reaction gas for etching the first inorganic layer 291 reacts with silicon and therefore also reacts with the inorganic layer used as an etching mask. However, the etching speed of the inorganic film formed of silicon oxide and the inorganic film formed of silicon nitride is different. Generally, since the etching rate of silicon nitride is fast, if the first inorganic layer 291 is formed of silicon nitride and the second and third inorganic layers 292 and 294 are formed of silicon oxide, the inorganic layer used as an etch mask The first inorganic layer 291 formed in the pad area PA can be removed without significantly etching the layer.

다른 예를 들어, 제1 무기막(291)은 알루미늄 산화물로 형성될 수 있고, 제2 및 제3 무기막들(292, 294)은 실리콘 산화물로 형성될 수 있다. 이러한 경우에도 제1 무기막(291)을 식각하기 위한 반응 가스는 알루미늄과 반응하므로 제1 무기막(291)과 반응하고, 식각 마스크로 이용되는 무기막과는 반응하지 않을 수 있다. 이에 따라, 식각 마스크로 이용되는 무기막과 중첩되지 않고 노출된 영역의 제1 무기막(291)은 반응 가스와 반응하여 식각되고, 식각 마스크로 이용되는 무기막과 중첩된 영역의 제1 무기막(291)은 남게 될 수 있다.For another example, the first inorganic layer 291 may be formed of aluminum oxide, and the second and third inorganic layers 292 and 294 may be formed of silicon oxide. Even in this case, the reaction gas for etching the first inorganic layer 291 reacts with aluminum, so it may react with the first inorganic layer 291 and not react with the inorganic layer used as an etching mask. Accordingly, the first inorganic film 291 in the exposed area that does not overlap the inorganic film used as the etch mask is etched by reacting with the reaction gas, and the first inorganic film 291 in the area that overlaps the inorganic film used as the etch mask is etched. (291) may remain.

유기막(293)은 유기발광층(283)에서 발광된 광을 통과시키기 위해 투명하게 형성될 수 있다. 유기막(293)은 유기발광층(283)에서 발광된 광을 99% 이상 통과시킬 수 있는 유기물질 예컨대, 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다. 유기막(293)은 유기물을 사용하는 기상 증착(vapour deposition), 프린팅(printing), 슬릿 코팅(slit coating) 기법으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 유기막(293)은 잉크젯(ink-jet) 공정으로 형성될 수도 있다.The organic layer 293 may be transparent to allow light emitted from the organic emission layer 283 to pass through. The organic film 293 is made of an organic material that can pass more than 99% of the light emitted from the organic light-emitting layer 283, such as acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, and polyamide. It may be formed of polyamide resin or polyimide resin. The organic film 293 may be formed using vapor deposition, printing, or slit coating techniques using organic materials, but is not limited thereto. The organic film 293 may be formed using an inkjet (ink-jet) technique. It can also be formed by the jet process.

본 발명은 제1 무기막(291)을 ALD 기법으로 형성함으로써 박막 도포성을 향상시킬 수 있고, 이에 따라, 수분 또는 산소를 차단하는 효과를 향상시킬 수 있다.In the present invention, thin film applicability can be improved by forming the first inorganic film 291 using the ALD technique, and thus the effect of blocking moisture or oxygen can be improved.

또한, 본 발명은 제2 및 제3 무기막들(292, 294) 중 어느 하나를 식각 마스크로 사용함으로써 별도의 마스크를 사용하지 않고 제1 무기막(291)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제조 비용을 절감할 수 있을 뿐 마스크 사용에 따른 문제점들을 해결할 수 있다.Additionally, in the present invention, the first inorganic layer 291 can be formed without using a separate mask by using one of the second and third inorganic layers 292 and 294 as an etch mask. Accordingly, the present invention can not only reduce manufacturing costs but also solve problems caused by using masks.

또한, 본 발명은 ALD 기법으로 제1 무기막(291)을 형성함에도 불구하고 패드 영역(PA)에 형성된 제1 무기막(291)을 제거할 수 있어 패드 영역(PA)에서 접촉 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, despite forming the first inorganic film 291 using the ALD technique, the present invention can remove the first inorganic film 291 formed in the pad area (PA), preventing contact defects from occurring in the pad area (PA). can be prevented.

또한, 본 발명은 ALD 기법으로 제1 무기막(291)을 형성함에도 불구하고 스크라이빙 라인(SL)에 형성된 제1 무기막(291)을 제거할 수 있어 스크라이빙 공정시 제1 무기막(291)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, although the first inorganic film 291 is formed using the ALD technique, the present invention can remove the first inorganic film 291 formed on the scribing line (SL), thereby removing the first inorganic film 291 during the scribing process. It is possible to prevent cracks from occurring in (291).

제2 2nd 실시예Example

도 9는 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제2 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.Figure 9 is a cross-sectional view schematically showing the second embodiment along the line II-II' shown in Figure 6.

도 9에 도시된 제1 기판은 표시 영역(DA)과 패드 영역(PA) 사이에 댐(340)이 형성된다는 점에서 도 8에 도시된 제1 기판과 차이가 있다. 이하에서는 도 8과 동일한 내용은 생략하도록 한다.The first substrate shown in FIG. 9 is different from the first substrate shown in FIG. 8 in that a dam 340 is formed between the display area DA and the pad area PA. Hereinafter, the same content as in FIG. 8 will be omitted.

댐(340)은 표시 영역(DA)의 외곽을 둘러싸도록 형성되어 봉지막(290)을 구성하는 유기막(293)의 흐름을 차단한다. 또한, 댐(340)은 표시 영역(DA)과 패드 영역(PA) 사이에 배치되어 봉지막(290)을 구성하는 유기막(293)이 패드 영역(PA)을 침범하지 못하도록 유기막(293)의 흐름을 차단한다. 이를 통해, 댐(340)은 유기막(293)이 표시장치의 외부로 노출되거나 패드 영역(PA)을 침범하는 것을 방지할 수 있다. The dam 340 is formed to surround the outside of the display area DA and blocks the flow of the organic layer 293 constituting the encapsulation layer 290. In addition, the dam 340 is disposed between the display area DA and the pad area PA to prevent the organic film 293 constituting the encapsulation film 290 from invading the pad area PA. blocks the flow of Through this, the dam 340 can prevent the organic layer 293 from being exposed to the outside of the display device or from invading the pad area PA.

도 9에는 하나의 댐(340)을 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 다른 일 실시예에 있어서, 댐(340)은 제1 댐, 및 제1 댐과 이격되어 비표시 영역(NDA)에 배치된 제2 댐을 포함할 수 있다. 제2 댐은 제1 댐의 외곽으로 흘러넘치는 유기막(293)의 흐름을 차단한다.Figure 9 shows one dam 340, but is not limited thereto. In another embodiment, the dam 340 may include a first dam and a second dam spaced apart from the first dam and disposed in the non-display area NDA. The second dam blocks the flow of the organic film 293 overflowing to the outskirts of the first dam.

이러한 봉지막(290)은 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막을 포함한다. 예를 들어, 봉지막(290)은 제1 무기막(291), 제2 무기막(292), 유기막(293), 및 제3 무기막(294)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(291)은 제1 전극(282)을 덮도록 형성된다. 제2 무기막(292)은 제1 무기막(291) 상에 형성된다. 유기막(293)은 제2 무기막(292) 상에 형성되고, 댐(340) 밖에 형성되지 않는다. 제3 무기막(294)은 유기막(293)을 덮도록 형성된다. 한편, 제1, 제2 및 제3 무기막들(291, 292, 294)은 댐(340)을 덮도록 형성될 수 있다.This encapsulation film 290 includes at least one inorganic film and at least one organic film. For example, the encapsulation film 290 may include a first inorganic film 291, a second inorganic film 292, an organic film 293, and a third inorganic film 294. In this case, the first inorganic film 291 is formed to cover the first electrode 282. The second inorganic film 292 is formed on the first inorganic film 291. The organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292 and is formed only at the dam 340 . The third inorganic layer 294 is formed to cover the organic layer 293. Meanwhile, the first, second, and third inorganic films 291, 292, and 294 may be formed to cover the dam 340.

제1 무기막(291)은 제2 및 제3 무기막(292, 294) 중 적어도 하나와 끝단이 일치할 수 있다. 제1 무기막(291)은 제2 및 제3 무기막(292, 294) 중 어느 하나를 식각 마스크로 이용하여 식각될 수 있다. 예를 들면, 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 제1 기판(111)의 전체 영역에 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제2 무기막(292) 상에는 유기막(293)이 형성된다. 그리고 나서, 유기막(293) 및 제2 무기막(292) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제3 무기막(294)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291)은 제3 무기막(294)을 식각 마스크로 하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기막(291)은 제3 무기막(294)이 형성되지 않은 영역, 특히, 패드 영역(PA)과 스크라이빙 라인(SL)에서 제거되고, 제3 무기막(294)이 형성된 영역만 남게 된다. 이때, 제1 무기막(291)의 끝단과 제3 무기막(294)의 끝단은 일치하게 된다.The end of the first inorganic layer 291 may coincide with at least one of the second and third inorganic layers 292 and 294. The first inorganic layer 291 may be etched using any one of the second and third inorganic layers 292 and 294 as an etch mask. For example, the first inorganic layer 291 may be formed on the entire area of the first substrate 111 using an ALD technique. Then, a second inorganic layer 292 may be formed on the first inorganic layer 291 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, an organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292. Then, a third inorganic layer 294 may be formed on the organic layer 293 and the second inorganic layer 292 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, the first inorganic layer 291 may be etched using the third inorganic layer 294 as an etch mask. Accordingly, the first inorganic film 291 is removed from areas where the third inorganic film 294 is not formed, especially the pad area PA and the scribing line SL, and the third inorganic film 294 is removed from the area where the third inorganic film 294 is not formed. Only this formed area remains. At this time, the end of the first inorganic layer 291 and the end of the third inorganic layer 294 coincide with each other.

다른 예를 들면, 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 제1 기판(111)의 전체 영역에 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)을 식각 마스크로 하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)이 형성되지 않은 영역, 특히, 패드 영역(PA)과 스크라이빙 라인(SL)에서 제거되고, 제2 무기막(292)이 형성된 영역만 남게 된다. 이때, 제1 무기막(291)의 끝단과 제2 무기막(292)의 끝단은 일치하게 된다. 그리고 나서, 제2 무기막(292) 상에는 유기막(293)이 형성된다. 그리고 나서, 유기막(293) 및 제2 무기막(292) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제3 무기막(294)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다.For another example, the first inorganic layer 291 may be formed on the entire area of the first substrate 111 using an ALD technique. Then, a second inorganic layer 292 may be formed on the first inorganic layer 291 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, the first inorganic layer 291 may be etched using the second inorganic layer 292 as an etch mask. Accordingly, the first inorganic film 291 is removed from areas where the second inorganic film 292 is not formed, especially the pad area PA and the scribing line SL, and the second inorganic film 292 is removed from the area where the second inorganic film 292 is not formed. Only this formed area remains. At this time, the end of the first inorganic layer 291 and the end of the second inorganic layer 292 coincide with each other. Then, an organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292. Then, a third inorganic layer 294 may be formed on the organic layer 293 and the second inorganic layer 292 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA.

한편, 제1 무기막(291)은 제2 및 제3 무기막들(292, 294) 보다 두께가 얇아야 한다. 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 증착되기 때문에 0.1㎛ 미만으로 얇게 증착될 수 있다. 반면, 제2 및 제3 무기막들(292, 294)는 대략 1㎛로 증착될 수 있다. 또한, 제1 무기막(291)은 제2 및 제3 무기막들(292, 294)과 형성 물질이 동일할 수 있고, 형성 물질이 다를 수도 있다.Meanwhile, the first inorganic layer 291 must be thinner than the second and third inorganic layers 292 and 294. Since the first inorganic layer 291 is deposited using the ALD technique, it can be deposited as thin as less than 0.1㎛. On the other hand, the second and third inorganic films 292 and 294 may be deposited to approximately 1㎛. Additionally, the first inorganic layer 291 may be formed from the same material as the second and third inorganic layers 292 and 294, or may be formed from a different material.

제3 3rd 실시예Example

도 10은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제3 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.Figure 10 is a cross-sectional view schematically showing the third embodiment along the line II-II' shown in Figure 6.

도 10에 도시된 제1 기판은 제2 무기막(292)과 제3 무기막(294)의 끝단이 다르다는 점에서 도 8에 도시된 제1 기판과 차이가 있다. 이하에서는 도 8과 동일한 내용은 생략하도록 한다.The first substrate shown in FIG. 10 is different from the first substrate shown in FIG. 8 in that the ends of the second inorganic layer 292 and the third inorganic layer 294 are different. Hereinafter, the same content as in FIG. 8 will be omitted.

이러한 봉지막(290)은 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막을 포함한다. 예를 들어, 봉지막(290)은 제1 무기막(291), 제2 무기막(292), 유기막(293), 및 제3 무기막(294)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(291)은 제1 전극(282)을 덮도록 형성된다. 제2 무기막(292)은 제1 무기막(291) 상에 형성된다. 유기막(293)은 제2 무기막(292)에 형성되고, 제3 무기막(294)은 유기막(293)을 덮도록 형성된다. This encapsulation film 290 includes at least one inorganic film and at least one organic film. For example, the encapsulation film 290 may include a first inorganic film 291, a second inorganic film 292, an organic film 293, and a third inorganic film 294. In this case, the first inorganic film 291 is formed to cover the first electrode 282. The second inorganic film 292 is formed on the first inorganic film 291. The organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292, and the third inorganic layer 294 is formed to cover the organic layer 293.

제1 무기막(291)은 제2 및 제3 무기막(292, 294) 중 적어도 하나와 끝단이 일치할 수 있다. 제1 무기막(291)은 제2 및 제3 무기막(292, 294) 중 어느 하나를 식각 마스크로 이용하여 식각될 수 있다. 예를 들면, 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 제1 기판(111)의 전체 영역에 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제2 무기막(292) 상에는 유기막(293)이 형성된다. 그리고 나서, 유기막(293) 및 제2 무기막(292) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제3 무기막(294)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291)은 제3 무기막(294)을 식각 마스크로 하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기막(291)은 제3 무기막(294)이 형성되지 않은 영역에서 제거되고, 제3 무기막(294)이 형성된 영역만 남게 된다. 이때, 제1 무기막(291)의 끝단과 제3 무기막(294)의 끝단은 일치하게 된다.The end of the first inorganic layer 291 may coincide with at least one of the second and third inorganic layers 292 and 294. The first inorganic layer 291 may be etched using any one of the second and third inorganic layers 292 and 294 as an etch mask. For example, the first inorganic layer 291 may be formed on the entire area of the first substrate 111 using an ALD technique. Then, a second inorganic layer 292 may be formed on the first inorganic layer 291 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, an organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292. Then, a third inorganic layer 294 may be formed on the organic layer 293 and the second inorganic layer 292 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, the first inorganic layer 291 may be etched using the third inorganic layer 294 as an etch mask. Accordingly, the first inorganic film 291 is removed from the area where the third inorganic film 294 is not formed, and only the area where the third inorganic film 294 is formed remains. At this time, the end of the first inorganic layer 291 and the end of the third inorganic layer 294 coincide with each other.

다른 예를 들면, 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 제1 기판(111)의 전체 영역에 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)을 식각 마스크로 하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)이 형성되지 않은 영역에서 제거되고, 제2 무기막(292)이 형성된 영역만 남게 된다. 이때, 제1 무기막(291)의 끝단과 제2 무기막(292)의 끝단은 일치하게 된다. 그리고 나서, 제2 무기막(292) 상에는 유기막(293)이 형성된다. 그리고 나서, 유기막(293) 및 제2 무기막(292) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제3 무기막(294)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다.For another example, the first inorganic layer 291 may be formed on the entire area of the first substrate 111 using an ALD technique. Then, a second inorganic layer 292 may be formed on the first inorganic layer 291 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, the first inorganic layer 291 may be etched using the second inorganic layer 292 as an etch mask. Accordingly, the first inorganic film 291 is removed from the area where the second inorganic film 292 is not formed, and only the area where the second inorganic film 292 is formed remains. At this time, the end of the first inorganic layer 291 and the end of the second inorganic layer 292 coincide with each other. Then, an organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292. Then, a third inorganic layer 294 may be formed on the organic layer 293 and the second inorganic layer 292 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA.

제2 및 제3 무기막들(292, 294)은 평면 면적이 다를 수 있다. 제2 및 제3 무기막들(292, 294)은 서로 다른 마스크를 사용하여 형성되는 경우 평면 면적이 다를 수 있다. 그리고 제1 무기막(291)은 앞서 설명한 바와 같이 제2 및 제3 무기막들(292, 294) 중 어느 하나를 식각 마스크로 하여 식각되므로, 제2 및 제3 무기막들(292, 294) 중 어느 하나와 평면 면적이 동일할 수 있다. 도 10은 제1 무기막(291)이 제3 무기막(294)을 식각 마스크로 이용하여 식각된 것을 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서는 제1 무기막(291)이 제2 무기막(292)을 식각 마스크로 이용하여 식각될 수도 있다. 이러한 경우 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)과 평면 면적이 동일할 수 있다.The second and third inorganic layers 292 and 294 may have different planar areas. When the second and third inorganic layers 292 and 294 are formed using different masks, their planar areas may be different. And, as described above, the first inorganic layer 291 is etched using one of the second and third inorganic layers 292 and 294 as an etch mask, so that the second and third inorganic layers 292 and 294 The plane area may be the same as any one of them. Figure 10 shows that the first inorganic layer 291 is etched using the third inorganic layer 294 as an etch mask, but the present invention is not limited thereto. In another embodiment, the first inorganic layer 291 may be etched using the second inorganic layer 292 as an etch mask. In this case, the first inorganic layer 291 may have the same planar area as the second inorganic layer 292.

제4 4th 실시예Example

도 11은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제4 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the fourth embodiment along the line II-II' shown in FIG. 6.

도 10에 도시된 제1 기판은 유기막(293) 및 제3 무기막(294)이 생략된 점에서 도 8에 도시된 제1 기판과 차이가 있다. 이하에서는 도 8과 동일한 내용은 생략하도록 한다.The first substrate shown in FIG. 10 is different from the first substrate shown in FIG. 8 in that the organic layer 293 and the third inorganic layer 294 are omitted. Hereinafter, the same content as in FIG. 8 will be omitted.

이러한 봉지막(290)은 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(292)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(291)은 제1 전극(282)을 덮도록 형성된다. 제2 무기막(292)은 제1 무기막(291) 상에 형성된다.This encapsulation film 290 may include a first inorganic film 291 and a second inorganic film 292. In this case, the first inorganic film 291 is formed to cover the first electrode 282. The second inorganic film 292 is formed on the first inorganic film 291.

제1 및 제2 무기막들(291, 292) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 이때, 제1 무기막(291)은 ALD(Atomic Layer Deposition) 기법으로 증착되고, 제2 무기막(292)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기법으로 증착된다.Each of the first and second inorganic layers 291 and 292 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide. At this time, the first inorganic layer 291 is deposited using an Atomic Layer Deposition (ALD) technique, and the second inorganic layer 292 is deposited using a Chemical Vapor Deposition (CVD) technique.

제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)과 끝단이 일치할 수 있다. 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)을 식각 마스크로 이용하여 식각될 수 있다. 구체적으로, 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 제1 기판(111)의 전체 영역에 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)을 식각 마스크로 하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)이 형성되지 않은 영역에서 제거되고, 제2 무기막(292)이 형성된 영역만 남게 된다. 이때, 제1 무기막(291)의 끝단과 제2 무기막(292)의 끝단은 일치하게 된다. 또한, 제1 및 제2 무기막들(291, 292)은 평면 면적이 동일할 수 있다.The first inorganic film 291 may have an end coincident with the second inorganic film 292. The first inorganic layer 291 may be etched using the second inorganic layer 292 as an etch mask. Specifically, the first inorganic layer 291 may be formed on the entire area of the first substrate 111 using the ALD technique. Then, a second inorganic layer 292 may be formed on the first inorganic layer 291 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, the first inorganic layer 291 may be etched using the second inorganic layer 292 as an etch mask. Accordingly, the first inorganic film 291 is removed from the area where the second inorganic film 292 is not formed, and only the area where the second inorganic film 292 is formed remains. At this time, the end of the first inorganic layer 291 and the end of the second inorganic layer 292 coincide with each other. Additionally, the first and second inorganic layers 291 and 292 may have the same planar area.

한편, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292) 보다 두께가 얇아야 한다. 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 증착되기 때문에 0.1㎛ 미만으로 얇게 증착될 수 있다. 반면, 제2 무기막들(292)는 대략 1㎛로 증착될 수 있다. 또한, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)과 형성 물질이 동일할 수 있고, 형성 물질이 서로 다를 수도 있다.Meanwhile, the first inorganic layer 291 must be thinner than the second inorganic layer 292. Since the first inorganic layer 291 is deposited using the ALD technique, it can be deposited as thin as less than 0.1㎛. On the other hand, the second inorganic films 292 may be deposited to approximately 1㎛. Additionally, the first inorganic layer 291 may be formed from the same material as the second inorganic layer 292, or may be formed from a different material.

제5 5th 실시예Example

도 12는 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제5 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing the fifth embodiment along the line II-II' shown in FIG. 6.

도 12에 도시된 표시장치는 제1 기판(111) 상에 형성된 봉지막(290), 접착층(310) 및 제2 기판(112)을 포함한다. 이때, 제1 기판(111)은 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)으로 구분되며, 비표시 영역(NDA)에는 패드 영역(PA)이 포함된다.The display device shown in FIG. 12 includes an encapsulation film 290, an adhesive layer 310, and a second substrate 112 formed on a first substrate 111. At this time, the first substrate 111 is divided into a display area DA and a non-display area NDA surrounding the display area DA, and the non-display area NDA includes a pad area PA.

또한, 제1 무기막(291)은 제2 및 제3 무기막들(292, 294)과 형성 물질이 동일할 수 있고, 다를 수도 있다. 예컨대, 제1 무기막(291)은 실리콘 산화물로 형성될 수 있고, 제2 및 제3 무기막들(292, 294)은 실리콘 질화물로 형성될 수 있다. 또는 반대로 제1 무기막(291)은 실리콘 질화물로 형성될 수 있고, 제2 및 제3 무기막들(292, 294)은 실리콘 산화물로 형성될 수 있다.Additionally, the first inorganic layer 291 may be made of the same or different material as the second and third inorganic layers 292 and 294. For example, the first inorganic layer 291 may be formed of silicon oxide, and the second and third inorganic layers 292 and 294 may be formed of silicon nitride. Or, conversely, the first inorganic layer 291 may be formed of silicon nitride, and the second and third inorganic layers 292 and 294 may be formed of silicon oxide.

제2 기판(112)은 접착층(310)에 의하여 봉지막(290) 상에 부착된다. 이때, 제2 기판(112)은 봉지막(290)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 형성되어, 패드 전극(330)이 외부로 노출될 수 있도록 한다.The second substrate 112 is attached to the encapsulation film 290 by the adhesive layer 310. At this time, the second substrate 112 covers the encapsulation film 290 and is formed so as not to overlap the pad area PA, so that the pad electrode 330 can be exposed to the outside.

한편, 제2 기판(112)은 봉지막(290)을 이루는 제1 무기막(291)과 끝단이 일치할 수 있다. 구체적으로, 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 제1 기판(111)의 전체 영역에 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제2 무기막(292) 상에는 유기막(293)이 형성된다. 그리고 나서, 유기막(293) 및 제2 무기막(292) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제3 무기막(294)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 봉지막(290) 상에 제2 기판(112)을 부착한다. 그리고 나서, 제1 무기막(291)은 제2 기판(112)을 식각 마스크로 하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기막(291)은 제2 기판(112)이 형성되지 않은 영역, 예컨대, 패드 영역(PA)에서 제거되고, 제2 무기막(112)이 형성된 영역만 남게 된다. 이때, 제1 무기막(291)의 끝단과 제2 기판(112)의 끝단은 일치하게 된다. 또한, 제1 무기막(291)과 제2 기판(112)은 평면 면적이 동일할 수 있다.Meanwhile, the end of the second substrate 112 may coincide with the first inorganic layer 291 forming the encapsulation layer 290. Specifically, the first inorganic layer 291 may be formed on the entire area of the first substrate 111 using the ALD technique. Then, a second inorganic layer 292 may be formed on the first inorganic layer 291 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, an organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292. Then, a third inorganic layer 294 may be formed on the organic layer 293 and the second inorganic layer 292 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, the second substrate 112 is attached on the encapsulation film 290. Then, the first inorganic layer 291 may be etched using the second substrate 112 as an etch mask. Accordingly, the first inorganic layer 291 is removed from the area where the second substrate 112 is not formed, for example, the pad area PA, and only the area where the second inorganic layer 112 is formed remains. At this time, the end of the first inorganic layer 291 and the end of the second substrate 112 coincide with each other. Additionally, the first inorganic layer 291 and the second substrate 112 may have the same planar area.

도면에 구체적으로 도시하고 있지는 않지만, 제2 기판(112) 상에는 제1 내지 제3 컬러필터들(미도시)과 블랙 매트릭스(미도시)이 형성될 수 있다. 적색 발광부에는 적색 컬러필터가 형성되고, 청색 발광부에는 청색 컬러필터가 형성되며, 녹색 발광부에는 녹색 컬러필터가 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 제1 기판(111)의 봉지막(390)과 제2 기판(112)의 컬러필터들(미도시)은 접착층(410)을 이용하여 접착되며, 이로 인해 제1 기판(111)과 제2 기판(112)은 합착될 수 있다. Although not specifically shown in the drawing, first to third color filters (not shown) and a black matrix (not shown) may be formed on the second substrate 112. A red color filter may be formed in the red light-emitting part, a blue color filter may be formed in the blue light-emitting part, and a green color filter may be formed in the green light-emitting part. In this case, the encapsulation film 390 of the first substrate 111 and the color filters (not shown) of the second substrate 112 are bonded using the adhesive layer 410, thereby forming the first substrate 111. and the second substrate 112 may be bonded.

또는 제2 기판(112) 상에는 터치 패널(미도시)이 형성될 수도 있다. 이때, 터치 패널(미도시)에는 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극이 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 제1 기판(111)의 봉지막(290)과 제2 기판(112)의 터치 패널은 접착층(310)을 이용하여 접착될 수 있다.Alternatively, a touch panel (not shown) may be formed on the second substrate 112. At this time, a first touch electrode and a second touch electrode may be formed on the touch panel (not shown). In this case, the encapsulation film 290 of the first substrate 111 and the touch panel of the second substrate 112 may be adhered using the adhesive layer 310.

또는 제2 기판(112) 상에는 제2 터치 전극(미도시)만 형성될 수도 있다. 그리고 제1 기판(111)의 봉지막(290) 상에 제1 터치 전극(미도시)이 직접 형성될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 터치 전극이 형성된 제1 기판(111)과 제2 터치 전극이 형성된 제2 기판(112)은 접착층(310)을 이용하여 접착될 수 있다.Alternatively, only a second touch electrode (not shown) may be formed on the second substrate 112. Additionally, a first touch electrode (not shown) may be formed directly on the encapsulation film 290 of the first substrate 111. In this case, the first substrate 111 on which the first touch electrode is formed and the second substrate 112 on which the second touch electrode is formed can be adhered using the adhesive layer 310.

한편, 봉지막(290) 상에는 전극 패턴, 예컨대, 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극이 추가로 더 형성될 수 있다.Meanwhile, an electrode pattern, for example, a first touch electrode and a second touch electrode, may be further formed on the encapsulation film 290.

제6 6th 실시예Example

도 13은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 제6 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing the sixth embodiment along the line II-II' shown in FIG. 6.

도 13에 도시된 표시장치는 제1 기판(111) 상에 형성된 봉지막(290), 접착층(310) 및 편광판(350)을 포함한다. The display device shown in FIG. 13 includes an encapsulation film 290, an adhesive layer 310, and a polarizing plate 350 formed on the first substrate 111.

편광판(350)은 접착층(310)에 의하여 봉지막(290) 상에 부착된다. 이때, 편광판(350)은 봉지막(290)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 형성되어, 패드 전극(330)이 외부로 노출될 수 있도록 한다.The polarizing plate 350 is attached to the encapsulation film 290 by the adhesive layer 310. At this time, the polarizing plate 350 covers the encapsulation film 290 and is formed so as not to overlap the pad area PA, so that the pad electrode 330 can be exposed to the outside.

한편, 편광판(350)은 봉지막(290)을 이루는 제1 무기막(291)과 끝단이 일치할 수 있다. 구체적으로, 제1 무기막(291)은 ALD 기법으로 제1 기판(111)의 전체 영역에 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제1 무기막(291) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 제2 무기막(292) 상에는 유기막(293)이 형성된다. 그리고 나서, 유기막(293) 및 제2 무기막(292) 상에는 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제3 무기막(294)이 CVD 기법으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 봉지막(290) 상에 편광판(350)을 부착한다. 그리고 나서, 제1 무기막(291)은 편광판(350)을 식각 마스크로 하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기막(291)은 편광판(350)이 형성되지 않은 영역, 예컨대, 패드 영역(PA)에서 제거되고, 편광판(350)이 형성된 영역만 남게 된다. 이때, 제1 무기막(291)의 끝단과 편광판(350)의 끝단은 일치하게 된다. 또한, 제1 무기막(291)과 편광판(350)은 평면 면적이 동일할 수 있다.Meanwhile, the polarizing plate 350 may have an end coincident with the first inorganic layer 291 forming the encapsulation layer 290. Specifically, the first inorganic layer 291 may be formed on the entire area of the first substrate 111 using the ALD technique. Then, a second inorganic layer 292 may be formed on the first inorganic layer 291 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, an organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292. Then, a third inorganic layer 294 may be formed on the organic layer 293 and the second inorganic layer 292 using a CVD technique so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Then, the polarizing plate 350 is attached on the encapsulation film 290. Then, the first inorganic layer 291 may be etched using the polarizer 350 as an etch mask. Accordingly, the first inorganic layer 291 is removed from the area where the polarizer 350 is not formed, for example, the pad area PA, and only the area where the polarizer 350 is formed remains. At this time, the end of the first inorganic layer 291 and the end of the polarizing plate 350 coincide with each other. Additionally, the first inorganic layer 291 and the polarizing plate 350 may have the same planar area.

도 14는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 15a 내지 도 15f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.FIG. 14 is a flowchart for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 15A to 15F are cross-sectional views for explaining the manufacturing method for the display device according to the first embodiment of the present invention. .

먼저, 제1 기판(111) 상에서 표시 영역(DA)에 화소(P)를 형성하고, 패드 영역(PA)에 패드부를 형성한다(S1401).First, a pixel P is formed in the display area DA on the first substrate 111, and a pad portion is formed in the pad area PA (S1401).

도 15a와 같이 제1 기판(111)의 표시 영역(DA)에 화소(P)를 형성하고, 패드 영역(PA)에 패드부를 형성한다. 보다 구체적으로, 제1 기판(111) 상에 버퍼막을 형성한다. 버퍼막은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 15A, a pixel P is formed in the display area DA of the first substrate 111, and a pad portion is formed in the pad area PA. More specifically, a buffer film is formed on the first substrate 111. The buffer film may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a multilayer thereof.

그리고 나서, 버퍼막 상에 액티브층(211)을 형성한다. 액티브층(211)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다.Then, an active layer 211 is formed on the buffer film. The active layer 211 may be formed of a silicon-based semiconductor material or an oxide-based semiconductor material.

그리고 나서, 액티브층(211) 상에 게이트 절연막(130)을 형성한다. 게이트 절연막(230)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.Then, a gate insulating film 130 is formed on the active layer 211. The gate insulating layer 230 may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, or a multilayer thereof.

그리고 나서, 게이트 절연막(230) 상에 게이트 전극(212)을 형성한다. 게이트 전극(212)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Then, a gate electrode 212 is formed on the gate insulating film 230. The gate electrode 212 is made of any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be a single layer or a multi-layer made of an alloy, but is not limited thereto.

그리고 나서, 게이트 전극(212) 상에 층간 절연막(240)을 형성한다. 층간 절연막(240)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.Then, an interlayer insulating film 240 is formed on the gate electrode 212. The interlayer insulating film 240 may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a multilayer thereof.

그리고 나서, 게이트 절연막(230)과 층간 절연막(240)을 관통하여 액티브층(212)을 노출시키는 콘택홀(CH1, CH2)들을 형성한다.Then, contact holes CH1 and CH2 are formed through the gate insulating film 230 and the interlayer insulating film 240 to expose the active layer 212.

그리고 나서, 층간 절연막(240) 상에서 표시 영역(DA)에 소스 전극(313) 및 드레인 전극(314)을 형성하고, 패드 영역(PA)에 신호 패드(320)을 형성한다. 소스 전극(313), 드레인 전극(314) 및 신호 패드(320) 각각은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Then, on the interlayer insulating film 240, a source electrode 313 and a drain electrode 314 are formed in the display area DA, and a signal pad 320 is formed in the pad area PA. The source electrode 313, drain electrode 314, and signal pad 320 are each made of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium. It may be a single layer or a multilayer made of either (Nd) and copper (Cu) or an alloy thereof, but is not limited thereto.

그리고 나서, 박막 트랜지스터(210) 및 신호 패드(320) 상에 보호막(250)을 형성한다. 보호막(250)은 절연막으로서 역할을 할 수 있다. 보호막(250)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.Then, a protective film 250 is formed on the thin film transistor 210 and the signal pad 320. The protective film 250 may serve as an insulating film. The protective film 250 may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a multilayer thereof.

그리고 나서, 보호막(250) 상에 평탄화막(260)을 형성한다. 평탄화막(260)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.Then, a planarization film 260 is formed on the protective film 250. The planarization film 260 may be formed of an organic film such as acryl resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, or polyimide resin. there is.

그리고 나서, 보호막(250)과 평탄화막(260)을 관통하여 박막 트랜지스터(210)의 소스 또는 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀(CH3)을 형성하고, 제1 전극(281)을 형성한다. 또한, 보호막(250)을 관통하여 신호 패드(320)를 노출시키는 콘택홀(CH4)을 형성하고, 패드 전극(330)을 형성한다. 제1 전극(281) 및 패드 전극(330) 각각은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.Then, a contact hole (CH3) is formed through the protective film 250 and the planarization film 260 to expose the source or drain electrode of the thin film transistor 210, and the first electrode 281 is formed. Additionally, a contact hole CH4 is formed through the protective film 250 to expose the signal pad 320, and a pad electrode 330 is formed. The first electrode 281 and the pad electrode 330 each have a stacked structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), a stacked structure of aluminum and ITO (ITO/Al/ITO), APC alloy, and APC alloy and ITO. It can be formed of a highly reflective metal material such as a laminated structure (ITO/APC/ITO). APC alloy is an alloy of silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu).

그리고 나서, 발광부들(EA)을 구획하기 위해 평탄화막(260) 상에서 제1 전극(281)의 가장자리를 덮도록 뱅크(284)를 형성한다. 뱅크(284)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.Then, a bank 284 is formed to cover the edge of the first electrode 281 on the planarization film 260 to partition the light emitting portions EA. The bank 284 may be formed of an organic film such as acryl resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, or polyimide resin. .

그리고 나서, 제1 전극(281)과 뱅크(284) 상에 유기발광층(282)을 형성한다. 그리고 나서, 유기발광층(282) 상에 제2 전극(283)을 형성한다. 제2 전극(283)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(283) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.Then, an organic light emitting layer 282 is formed on the first electrode 281 and the bank 284. Then, a second electrode 283 is formed on the organic light emitting layer 282. The second electrode 283 is made of a transparent metal material (TCO, Transparent Conductive Material) such as ITO or IZO that can transmit light, or magnesium (Mg), silver (Ag), or magnesium (Mg) and silver (Ag). It can be formed of a semi-transmissive conductive material such as an alloy. A capping layer may be formed on the second electrode 283.

다음, 제1 기판(111)의 전체 영역에 제1 무기막(291)을 형성한다(S1402).Next, the first inorganic layer 291 is formed on the entire area of the first substrate 111 (S1402).

도 15b와 같이 제1 기판(111)의 전체 영역에 제1 무기막(291)을 형성한다. 보다 구체적으로, 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA)을 포함한 비표시 영역(NDA)을 덮도록 제1 무기막(291)을 형성한다. 이때, 제1 무기막(291)은 ALD 기법을 이용하여 형성되고, 0.1㎛ 미만으로 얇게 증착될 수 있다. 이러한 제1 무기막(291)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 15B, the first inorganic layer 291 is formed on the entire area of the first substrate 111. More specifically, the first inorganic layer 291 is formed to cover the non-display area (NDA) including the display area (DA) and the pad area (PA). At this time, the first inorganic layer 291 is formed using an ALD technique and can be deposited as thin as less than 0.1㎛. The first inorganic layer 291 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide.

다음, 제1 무기막(291) 상에 표시 영역(DA)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)을 형성한다(S1403).Next, a second inorganic film 292 is formed on the first inorganic film 291 so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA (S1403).

도 15c와 같이 제1 무기막(291) 상에 제2 무기막(292)을 형성한다. 보다 구체적으로, 표시 영역(DA)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)을 형성한다. 이때, 제2 무기막(292)은 CVD 기법을 이용하여 마스크(mask)의 개구부(o)와 대응되는 영역에 형성된다. 제2 무기막(292)은 0.1㎛ 이상으로 제1 무기막(291) 보다 두껍게 증착될 수 있다. 이러한 제2 무기막(292)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 15C, a second inorganic layer 292 is formed on the first inorganic layer 291. More specifically, the second inorganic layer 292 is formed to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. At this time, the second inorganic layer 292 is formed in an area corresponding to the opening (o) of the mask using a CVD technique. The second inorganic layer 292 may be deposited to be thicker than the first inorganic layer 291, such as 0.1 μm or more. The second inorganic layer 292 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide.

다음, 패드 영역(PA)에 형성된 제1 무기막(291)을 제거한다(S1404).Next, the first inorganic film 291 formed in the pad area PA is removed (S1404).

도 15d 및 도 15e와 같이 패드 영역(PA)에 형성된 제1 무기막(291)을 제거한다. 보다 구체적으로, 제1 무기막(291)은 건식 식각법, 예를 들어, 스패터 식각(spatter etching)법, 플라즈마 식각(plasma etching)법으로 패드 영역(PA)이 식각될 수 있다. 이때, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(292)을 식각 마스크로 사용하여 식각될 수 있다.As shown in FIGS. 15D and 15E, the first inorganic film 291 formed in the pad area PA is removed. More specifically, the pad area PA of the first inorganic layer 291 may be etched using a dry etching method, for example, a spatter etching method or a plasma etching method. At this time, the first inorganic layer 291 may be etched using the second inorganic layer 292 as an etch mask.

예를 들어 설명하면, 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(292)은 동일 물질로 이루어질 수 있다. 이러한 경우, 도 15d와 같이 제1 무기막(291)을 식각하기 위한 반응 가스(GAS)가 공급되면, 반응 가스(GAS)는 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(292)과 반응하게 된다. 이때, 제1 무기막(291)이 제2 무기막(292) 보다 얇게 형성되기 때문에 제1 무기막(291)이 제2 무기막(292) 보다 빠르게 식각될 수 있다. 이에 따라, ㄷ도 15e와 같이 2 무기막(292)과 중첩되지 않은 영역에서의 제1 무기막(291)이 완전히 식각되었을 때 제2 무기막(292)은 남아있을 수 있다. 그리고 제1 무기막(291)과 제2 무기막(292)의 두께 차이가 크기 때문에, 제2 무기막(292)은 충분한 두께를 가질 수 있다.For example, the first inorganic layer 291 and the second inorganic layer 292 may be made of the same material. In this case, when the reactive gas (GAS) for etching the first inorganic layer 291 is supplied as shown in FIG. 15D, the reactive gas (GAS) reacts with the first inorganic layer 291 and the second inorganic layer 292. I do it. At this time, because the first inorganic layer 291 is formed thinner than the second inorganic layer 292, the first inorganic layer 291 can be etched faster than the second inorganic layer 292. Accordingly, as shown in Figure 15e, when the first inorganic layer 291 in the area that does not overlap with the second inorganic layer 292 is completely etched, the second inorganic layer 292 may remain. And because the difference in thickness between the first inorganic layer 291 and the second inorganic layer 292 is large, the second inorganic layer 292 can have a sufficient thickness.

다른 예를 들어 설명하면, 제1 무기막(291)은 실리콘 질화물로 이루어지고, 제2 무기막(292)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 이러한 경우, 도 15d와 같이 제1 무기막(291)을 식각하기 위한 반응 가스(GAS)가 공급되면, 반응 가스(GAS)는 실리콘에 반응하므로 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(292)과 반응하게 된다. 이때, 제1 무기막(291)이 제2 무기막(292) 보다 얇게 형성되기 때문에 제1 무기막(291)이 제2 무기막(292) 보다 빠르게 식각될 수 있다. 또한, 제1 무기막(291)의 형성물질인 실리콘 질화물이 제2 무기막(292)의 형성물질인 실리콘 산화물 보다 식각 속도가 빠르기 때문에 제1 무기막(291)이 제2 무기막(292) 보다 더욱 빠르게 식각될 수 있다. 이에 따라, 도 15e와 같이 제2 무기막(292)과 중첩되지 않은 영역에서의 제1 무기막(291)이 완전히 식각되었을 때 제2 무기막(292)은 남아있을 수 있다. 그리고 제1 무기막(291)과 제2 무기막(292)의 두께 차이가 크기 때문에, 제2 무기막(292)은 충분한 두께를 가질 수 있다.To explain another example, the first inorganic layer 291 may be made of silicon nitride, and the second inorganic layer 292 may be made of silicon oxide. In this case, when the reactive gas (GAS) for etching the first inorganic layer 291 is supplied as shown in FIG. 15D, the reactive gas (GAS) reacts with silicon, so that the first inorganic layer 291 and the second inorganic layer ( 292) and reacts with. At this time, because the first inorganic layer 291 is formed thinner than the second inorganic layer 292, the first inorganic layer 291 can be etched faster than the second inorganic layer 292. In addition, since silicon nitride, which is the forming material of the first inorganic layer 291, has a faster etching rate than silicon oxide, which is the forming material of the second inorganic layer 292, the first inorganic layer 291 is formed by forming the second inorganic layer 292. It can be etched more quickly. Accordingly, when the first inorganic layer 291 in the area that does not overlap the second inorganic layer 292 is completely etched, as shown in FIG. 15E, the second inorganic layer 292 may remain. And because the difference in thickness between the first inorganic layer 291 and the second inorganic layer 292 is large, the second inorganic layer 292 can have a sufficient thickness.

또 다른 예를 들어 설명하면, 제1 무기막(291)은 알루미늄 산화물로 이루어지고, 제2 무기막(292)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 이러한 경우, 도 15d와 같이 제1 무기막(291)을 식각하기 위한 반응 가스(GAS)가 공급되면, 반응 가스(GAS)는 알루미늄에 반응하므로 제1 무기막(291)만 반응하게 된다. 이에 따라, e도 15e와 같이 제2 무기막(292)과 중첩되지 않은 영역에서의 제1 무기막(291)이 식각되고, 제2 무기막(292)은 남아있을 수 있다. To explain another example, the first inorganic layer 291 may be made of aluminum oxide, and the second inorganic layer 292 may be made of silicon oxide. In this case, when the reactive gas (GAS) for etching the first inorganic layer 291 is supplied as shown in FIG. 15D, the reactive gas (GAS) reacts with aluminum, so only the first inorganic layer 291 reacts. Accordingly, as shown in Figure 15e, the first inorganic layer 291 in an area that does not overlap the second inorganic layer 292 is etched, and the second inorganic layer 292 may remain.

다음, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착한다(S1405).Next, the first substrate 111 and the second substrate 112 are bonded (S1405).

도 15f와 같이 접착층(310)에 의하여 제1 기판(111) 상에 제2 기판(112)이 부착된다. 이때, 제2 기판(112)은 봉지막(290)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 형성된다.As shown in FIG. 15F, the second substrate 112 is attached to the first substrate 111 by the adhesive layer 310. At this time, the second substrate 112 is formed to cover the encapsulation film 290 and not overlap the pad area PA.

도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 17a 내지 도 17f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.FIG. 16 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a display device according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 17A to 17F are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a display device according to a second embodiment of the present invention. .

먼저, 제1 기판(111) 상에서 표시 영역(DA)에 화소(P)를 형성하고, 패드 영역(PA)에 패드부를 형성한다(S1601). 도 15a와 같이 제1 기판(111)의 표시 영역(DA)에 화소(P)를 형성하고, 패드 영역(PA)에 패드부를 형성한다. 도 16의 S1601 및 도 15a는 도 14의 S1401 및 도 15a와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.First, a pixel P is formed in the display area DA on the first substrate 111, and a pad portion is formed in the pad area PA (S1601). As shown in FIG. 15A, a pixel P is formed in the display area DA of the first substrate 111, and a pad portion is formed in the pad area PA. Since S1601 of FIG. 16 and FIG. 15A are substantially the same as S1401 of FIG. 14 and FIG. 15A, description thereof will be omitted.

한편, 비표시 영역(NDA)에 댐(340)이 더 형성될 수 있다. 댐(340)은 평탄화막(260) 또는 뱅크(284)와 동시에 형성될 수 있다. 이러한 댐(340)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.Meanwhile, a dam 340 may be further formed in the non-display area NDA. The dam 340 may be formed simultaneously with the planarization film 260 or the bank 284. This dam 340 can be formed of an organic film such as acryl resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, or polyimide resin. there is.

다음, 제1 기판(111)의 전체 영역에 제1 무기막(291)을 형성한다(S1602).Next, the first inorganic layer 291 is formed on the entire area of the first substrate 111 (S1602).

도 17b와 같이 제1 기판(111)의 전체 영역에 제1 무기막(291)을 형성한다. 보다 구체적으로, 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA)을 포함한 비표시 영역(NDA)을 덮도록 제1 무기막(291)을 형성한다. 이때, 제1 무기막(291)은 ALD 기법을 이용하여 형성되고, 0.1㎛ 미만으로 얇게 증착될 수 있다. 이러한 제1 무기막(291)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 17B, the first inorganic layer 291 is formed on the entire area of the first substrate 111. More specifically, the first inorganic layer 291 is formed to cover the non-display area (NDA) including the display area (DA) and the pad area (PA). At this time, the first inorganic layer 291 is formed using an ALD technique and can be deposited as thin as less than 0.1㎛. The first inorganic layer 291 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide.

다음, 제1 무기막(291) 상에 표시 영역(DA)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292), 유기막(293) 및 제3 무기막(294)을 형성한다(S1603).Next, a second inorganic layer 292, an organic layer 293, and a third inorganic layer 294 are formed on the first inorganic layer 291 to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. Form (S1603).

도 17c와 같이 제1 무기막(291) 상에 제2 무기막(292), 유기막(293) 및 제3 무기막(294)을 형성한다. 보다 구체적으로, 표시 영역(DA)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)을 형성한다. 이때, 제2 무기막(292)은 CVD 기법을 이용하여 마스크(mask)의 개구부(o)와 대응되는 영역에 형성된다. 제2 무기막(292)은 0.1㎛ 이상으로 제1 무기막(291) 보다 두껍게 증착될 수 있다. 이러한 제2 무기막(292)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 17C, a second inorganic layer 292, an organic layer 293, and a third inorganic layer 294 are formed on the first inorganic layer 291. More specifically, the second inorganic layer 292 is formed to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. At this time, the second inorganic layer 292 is formed in an area corresponding to the opening (o) of the mask using a CVD technique. The second inorganic layer 292 may be deposited to be thicker than the first inorganic layer 291, such as 0.1 μm or more. The second inorganic layer 292 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide.

그리고 나서, 제2 무기막(292) 상에 댐(340)을 덮지 않도록 유기막(293)을 형성한다. 유기막(293)은 유기발광층(382)에서 발광된 광을 99% 이상 통과시킬 수 있는 유기물질 예컨대, 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다. 유기막(293)은 유기물을 사용하는 기상 증착(vapour deposition), 프린팅(printing), 슬릿 코팅(slit coating) 기법으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 유기막(293)은 잉크젯(ink-jet) 공정으로 형성될 수도 있다.Then, an organic layer 293 is formed on the second inorganic layer 292 so as not to cover the dam 340 . The organic film 293 is made of an organic material that can pass more than 99% of the light emitted from the organic light-emitting layer 382, such as acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, and polyamide. It may be formed of polyamide resin or polyimide resin. The organic film 293 may be formed using vapor deposition, printing, or slit coating techniques using organic materials, but is not limited thereto. The organic film 293 may be formed using an inkjet (ink-jet) technique. It can also be formed by the jet process.

그리고 나서, 유기막(293)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제3 무기막(294)을 형성한다. 이때, 제3 무기막(294)은 CVD 기법을 이용하여 마스크(mask)의 개구부(o)와 대응되는 영역에 형성된다. 제3 무기막(294)은 0.1㎛ 이상으로 제1 무기막(291) 보다 두껍게 증착될 수 있다. 이러한 제3 무기막(294)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다.Then, a third inorganic layer 294 is formed to cover the organic layer 293 and not overlap the pad area PA. At this time, the third inorganic layer 294 is formed in an area corresponding to the opening (o) of the mask using a CVD technique. The third inorganic layer 294 may be deposited to be thicker than the first inorganic layer 291, such as 0.1 μm or more. The third inorganic layer 294 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide.

다음, 패드 영역(PA)에 형성된 제1 무기막(291)을 제거한다(S1604).Next, the first inorganic film 291 formed in the pad area PA is removed (S1604).

도 17d 및 도 17e와 같이 패드 영역(PA)에 형성된 제1 무기막(291)을 제거한다. 보다 구체적으로, 제1 무기막(291)은 건식 식각법, 예를 들어, 스패터 식각(spatter etching)법, 플라즈마 식각(plasma etching)법으로 패드 영역(PA)이 식각될 수 있다. 이때, 제1 무기막(291)은 제3 무기막(294)을 식각 마스크로 사용하여 식각될 수 있다.As shown in FIGS. 17D and 17E, the first inorganic film 291 formed in the pad area PA is removed. More specifically, the pad area PA of the first inorganic layer 291 may be etched using a dry etching method, for example, a spatter etching method or a plasma etching method. At this time, the first inorganic layer 291 may be etched using the third inorganic layer 294 as an etch mask.

예를 들어 설명하면, 도 17d와 같이 제1 무기막(291)을 식각하기 위한 반응 가스가 공급되면, 반응 가스는 제1 무기막(291)과 제3 무기막(294)과 반응하게 된다. 이때, 제1 무기막(291)이 제3 무기막(294) 보다 얇게 형성되기 때문에 제1 무기막(291)이 제3 무기막(294) 보다 빠르게 식각될 수 있다. 이에 따라, 도 17e와 같이 제3 무기막(294)과 중첩되지 않은 영역의 제1 무기막(291)이 완전히 식각되었을 때 제3 무기막(294)은 남아있을 수 있다. 그리고 제1 무기막(291)과 제3 무기막(294)의 두께 차이가 크기 때문에, 제3 무기막(294)은 충분한 두께를 가질 수 있다.For example, when a reaction gas for etching the first inorganic layer 291 is supplied as shown in FIG. 17D, the reaction gas reacts with the first inorganic layer 291 and the third inorganic layer 294. At this time, because the first inorganic layer 291 is formed thinner than the third inorganic layer 294, the first inorganic layer 291 can be etched faster than the third inorganic layer 294. Accordingly, when the first inorganic layer 291 in the area that does not overlap the third inorganic layer 294 is completely etched, as shown in FIG. 17E, the third inorganic layer 294 may remain. And because the difference in thickness between the first inorganic layer 291 and the third inorganic layer 294 is large, the third inorganic layer 294 may have a sufficient thickness.

다음, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착한다(S1605).Next, the first substrate 111 and the second substrate 112 are bonded (S1605).

도 17f와 같이 접착층(310)에 의하여 제1 기판(111) 상에 제2 기판(112)이 부착된다. 이때, 제2 기판(112)은 봉지막(290)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 형성된다.As shown in FIG. 17F, the second substrate 112 is attached to the first substrate 111 by the adhesive layer 310. At this time, the second substrate 112 is formed to cover the encapsulation film 290 and not overlap the pad area PA.

도 18은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 19a 내지 도 19e는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.FIG. 18 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a display device according to a third embodiment of the present invention, and FIGS. 19A to 19E are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a display device according to a third embodiment of the present invention. .

먼저, 제1 기판(111) 상에서 표시 영역(DA)에 화소(P)를 형성하고, 패드 영역(PA)에 패드부를 형성한다(S1801). 도 19a와 같이 제1 기판(111)의 표시 영역(DA)에 화소(P)를 형성하고, 패드 영역(PA)에 패드부를 형성한다. 도 18의 S1801 및 도 19a는 도 14의 S1401 및 도 15a와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.First, a pixel P is formed in the display area DA on the first substrate 111, and a pad portion is formed in the pad area PA (S1801). As shown in FIG. 19A, a pixel P is formed in the display area DA of the first substrate 111, and a pad portion is formed in the pad area PA. Since S1801 of FIG. 18 and FIG. 19A are substantially the same as S1401 of FIG. 14 and FIG. 15A, their description will be omitted.

다음, 제1 기판(111)의 전체 영역에 제1 무기막(291)을 형성한다(S1802).Next, the first inorganic layer 291 is formed on the entire area of the first substrate 111 (S1802).

도 19b와 같이 제1 기판(111)의 전체 영역에 제1 무기막(291)을 형성한다. 보다 구체적으로, 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA)을 포함한 비표시 영역(NDA)을 덮도록 제1 무기막(291)을 형성한다. 이때, 제1 무기막(291)은 ALD 기법을 이용하여 형성되고, 0.1㎛ 미만으로 얇게 증착될 수 있다. 이러한 제1 무기막(291)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 19B, the first inorganic layer 291 is formed on the entire area of the first substrate 111. More specifically, the first inorganic layer 291 is formed to cover the non-display area (NDA) including the display area (DA) and the pad area (PA). At this time, the first inorganic layer 291 is formed using an ALD technique and can be deposited as thin as less than 0.1㎛. The first inorganic layer 291 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide.

다음, 제1 무기막(291) 상에 표시 영역(DA)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)을 형성한다(S1803).Next, a second inorganic film 292 is formed on the first inorganic film 291 so as to cover the display area DA and not overlap the pad area PA (S1803).

도 19c와 같이 제1 무기막(291) 상에 제2 무기막(292)을 형성한다. 보다 구체적으로, 표시 영역(DA)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 제2 무기막(292)을 형성한다. 이때, 제2 무기막(292)은 CVD 기법을 이용하여 마스크(mask)의 개구부(o)와 대응되는 영역에 형성된다. 제2 무기막(292)은 0.1㎛ 이상으로 제1 무기막(291) 보다 두껍게 증착될 수 있다. 이러한 제2 무기막(292)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 19C, a second inorganic film 292 is formed on the first inorganic film 291. More specifically, the second inorganic layer 292 is formed to cover the display area DA and not overlap the pad area PA. At this time, the second inorganic layer 292 is formed in an area corresponding to the opening (o) of the mask using a CVD technique. The second inorganic layer 292 may be deposited to be thicker than the first inorganic layer 291, such as 0.1 μm or more. The second inorganic layer 292 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, or titanium oxide.

도면에 도시하고 있지 않지만, 제2 무기막(292) 상에 유기막(293) 및 제3 무기막(294)을 더 형성할 수 있다.Although not shown in the drawing, an organic layer 293 and a third inorganic layer 294 may be further formed on the second inorganic layer 292.

다음, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착한다(S1804).Next, the first substrate 111 and the second substrate 112 are bonded (S1804).

도 19d와 같이 접착층(310)에 의하여 제1 기판(111) 상에 제2 기판(112)이 부착된다. 이때, 제2 기판(112)은 봉지막(290)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 형성된다.As shown in FIG. 19D, the second substrate 112 is attached to the first substrate 111 by the adhesive layer 310. At this time, the second substrate 112 is formed to cover the encapsulation film 290 and not overlap the pad area PA.

다음, 패드 영역(PA)에 형성된 제1 무기막(291)을 제거한다(S1805).Next, the first inorganic film 291 formed in the pad area PA is removed (S1805).

도 19e 및 도 19f와 같이 패드 영역(PA)에 형성된 제1 무기막(291)을 제거한다. 보다 구체적으로, 제1 무기막(291)은 건식 식각법, 예를 들어, 스패터 식각(spatter etching)법, 플라즈마 식각(plasma etching)법으로 패드 영역(PA)이 식각될 수 있다. 이때, 제1 무기막(291)은 제2 기판(112)을 식각 마스크로 사용하여 식각될 수 있다.As shown in FIGS. 19E and 19F , the first inorganic film 291 formed in the pad area PA is removed. More specifically, the pad area PA of the first inorganic layer 291 may be etched using a dry etching method, for example, a spatter etching method or a plasma etching method. At this time, the first inorganic layer 291 may be etched using the second substrate 112 as an etch mask.

예를 들어 설명하면, 도 19e와 같이 제1 무기막(291)을 식각하기 위한 반응 가스가 공급되면, 반응 가스는 제2 기판(112)에 덮히지 않고 노출된 제1 무기막(291)과 반응하게 된다. 이에 따라, 도 19f와 같이 제2 기판(112)과 중첩되지 않은 영역의 제1 무기막(291)이 식각되고, 제2 기판(112)과 중첩된 영역의 제1 무기막(291)이 남게 된다.For example, when a reaction gas for etching the first inorganic layer 291 is supplied as shown in Figure 19e, the reaction gas is not covered by the second substrate 112 but is exposed to the first inorganic layer 291 and react. Accordingly, as shown in Figure 19f, the first inorganic layer 291 in the area that does not overlap the second substrate 112 is etched, and the first inorganic layer 291 in the area that overlaps the second substrate 112 remains. do.

한편, 도 18 및 도 19에서는 제2 기판(112)을 식각 마스크로 이용하는 것을 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 무기막(291) 상에 배치되고, 표시 영역(DA)을 덮으면서 패드 영역(PA)과 중첩되지 않도록 형성되는 구성이면, 식각 마스크로 이용될 수 있다. 다른 실시예에서는 제2 기판(112) 대신 편광판(350)이 접착층(310)에 의하여 제1 기판(111) 상에 부착될 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(291)은 편광판(350)을 식각 마스크로 이용하여 식각될 수 있다.Meanwhile, FIGS. 18 and 19 illustrate using the second substrate 112 as an etch mask, but the present invention is not limited thereto. If it is disposed on the first inorganic layer 291 and is formed to cover the display area DA and not overlap the pad area PA, it can be used as an etch mask. In another embodiment, the polarizing plate 350 may be attached to the first substrate 111 by the adhesive layer 310 instead of the second substrate 112. In this case, the first inorganic layer 291 may be etched using the polarizing plate 350 as an etch mask.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.

100: 표시장치 110: 표시패널
111: 제1 기판 112: 제2 기판
120: 게이트 구동부 130: 소스 드라이브 IC
140: 연성필름 150: 회로보드
160: 타이밍 제어부
210: 박막 트랜지스터 211: 액티브층
212: 게이트전극 213: 소스전극
214: 드레인전극 220: 커패시터
221: 하부 전극 222: 상부 전극
230: 게이트 절연막 240: 층간 절연막
250: 보호막 260: 평탄화막
280: 유기발광소자 281: 제1 전극
282: 유기발광층 283: 제2 전극
284: 뱅크 290: 봉지막
291: 제1 무기막 292: 제2 무기막
293: 유기막 294: 제3 무기막
310: 접착층 320: 신호 패드
330: 패드 전극 340: 댐
350: 편광판100: display device 110: display panel
111: first substrate 112: second substrate
120: Gate driver 130: Source drive IC
140: flexible film 150: circuit board
160: Timing control unit
210: thin film transistor 211: active layer
212: gate electrode 213: source electrode
214: drain electrode 220: capacitor
221: lower electrode 222: upper electrode
230: gate insulating film 240: interlayer insulating film
250: protective film 260: flattening film
280: Organic light emitting device 281: First electrode
282: organic light emitting layer 283: second electrode
284: Bank 290: Encapsulation membrane
291: first inorganic film 292: second inorganic film
293: organic film 294: third inorganic film
310: Adhesive layer 320: Signal pad
330: pad electrode 340: dam
350: Polarizer

Claims

제1 기판 상에서 표시 영역에 화소를 형성하고, 패드 영역에 복수의 패드들을 형성하는 단계;
상기 제1 기판의 전체 영역에 제1 무기막을 형성하는 단계;
상기 제1 무기막 상에 상기 표시 영역과 중첩되고 상기 패드 영역과 중첩되지 않도록 제2 무기막을 형성하는 단계; 및
상기 패드 영역의 제1 무기막을 제거하는 단계를 포함하고,
상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 댐이 형성되고,
상기 제2 무기막 상에 접착층에 의해 편광판이 부착되며, 상기 편광판은 상기 제1 무기막과 끝단이 일치하고,
상기 제2 무기막을 형성하는 단계는,
상기 제1 무기막 상에 상기 표시 영역과 중첩되고 상기 패드 영역과 중첩되지 않도록 제3 무기막을 형성하는 단계;
상기 제3 무기막 상에 유기막을 형성하는 단계; 및
상기 유기막을 덮도록 상기 제2 무기막을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.Forming a pixel in a display area on a first substrate and forming a plurality of pads in a pad area;
forming a first inorganic layer over the entire area of the first substrate;
forming a second inorganic layer on the first inorganic layer so as to overlap the display area and not overlap the pad area; and
Comprising the step of removing the first inorganic layer of the pad area,
A dam is formed between the display area and the pad area,
A polarizing plate is attached to the second inorganic layer by an adhesive layer, and an end of the polarizing plate coincides with the first inorganic layer,
The step of forming the second inorganic film is,
forming a third inorganic layer on the first inorganic layer so as to overlap the display area and not overlap the pad area;
forming an organic layer on the third inorganic layer; and
A method of manufacturing a display device including forming the second inorganic layer to cover the organic layer.

제1항에 있어서, 상기 제1 무기막을 형성하는 단계는,
ALD(Atomic Layer Deposition) 기법을 이용하여 상기 제1 무기막을 상기 기판의 전체 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein forming the first inorganic layer comprises:
A method of manufacturing a display device, characterized in that the first inorganic layer is formed over the entire area of the substrate using an atomic layer deposition (ALD) technique.

제1항에 있어서, 상기 제2 무기막을 형성하는 단계는,
상기 제1 무기막 상에 마스크를 배치하고, 상기 표시 영역을 덮으면서 상기 패드 영역과 중첩되지 않도록 상기 제2 무기막을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein forming the second inorganic layer comprises:
A method of manufacturing a display device, comprising disposing a mask on the first inorganic layer and forming the second inorganic layer to cover the display area but not overlap the pad area.

제1항에 있어서, 상기 제2 무기막을 형성하는 단계는,
CVD(Chemical Vapor Deposition) 기법을 이용하여 상기 제2 무기막을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein forming the second inorganic layer comprises:
A method of manufacturing a display device, characterized in that the second inorganic layer is formed using a CVD (Chemical Vapor Deposition) technique.

제1항에 있어서, 상기 제1 무기막을 제거하는 단계는,
상기 제2 무기막을 식각 마스크로 사용하여 상기 제1 무기막을 식각하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein removing the first inorganic layer comprises:
A method of manufacturing a display device, characterized in that the first inorganic layer is etched using the second inorganic layer as an etch mask.

제1항에 있어서,
상기 제1 무기막과 상기 제2 무기막은 서로 다른 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a display device, wherein the first inorganic layer and the second inorganic layer are made of different materials.

제1항에 있어서,
상기 제2 무기막이 상기 제1 무기막 보다 두께가 두꺼운 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a display device, wherein the second inorganic layer is thicker than the first inorganic layer.

삭제delete

제1항에 있어서,
상기 제2 무기막 상에 상기 표시 영역과 중첩되고 상기 패드 영역과 중첩되지 않도록 제2 기판을 배치하는 단계를 더 포함하고,
상기 제1 무기막을 제거하는 단계는,
상기 제2 기판을 식각 마스크로 사용하여 상기 제1 무기막을 식각하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.According to paragraph 1,
Further comprising the step of disposing a second substrate on the second inorganic layer so that it overlaps the display area and does not overlap the pad area,
The step of removing the first inorganic film is,
A method of manufacturing a display device, characterized in that the first inorganic layer is etched using the second substrate as an etch mask.

제1항에 있어서,
상기 제2 무기막 상에 상기 표시 영역과 중첩되고 상기 패드 영역과 중첩되지 않도록 편광판을 배치하는 단계를 더 포함하고,
상기 제1 무기막을 제거하는 단계는,
상기 편광판을 식각 마스크로 사용하여 상기 제1 무기막을 식각하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.According to paragraph 1,
Further comprising the step of arranging a polarizer on the second inorganic layer so that it overlaps the display area and does not overlap the pad area,
The step of removing the first inorganic film is,
A method of manufacturing a display device, characterized in that the first inorganic layer is etched using the polarizer as an etch mask.

화소들이 형성된 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판;
상기 표시 영역을 덮는 제1 무기막; 및
상기 제1 무기막 상에 배치되고, 상기 제1 무기막과 적어도 일 측 끝단이 일치하는 제2 무기막을 포함하고,
상기 표시 영역과 패드 영역 사이에 댐이 형성되고,
상기 제2 무기막 상에 접착층에 의해 편광판이 부착되며, 상기 편광판은 상기 제1 무기막과 끝단이 일치하고,
상기 제1 무기막 상에 제3 무기막이 배치되고,
상기 제3 무기막 상에 유기막이 배치되고,
상기 제2 무기막은 상기 유기막을 덮도록 배치되는 표시장치.a first substrate including a display area on which pixels are formed and a non-display area surrounding the display area;
a first inorganic layer covering the display area; and
It is disposed on the first inorganic film and includes a second inorganic film whose at least one end coincides with the first inorganic film,
A dam is formed between the display area and the pad area,
A polarizing plate is attached to the second inorganic layer by an adhesive layer, and an end of the polarizing plate coincides with the first inorganic layer,
A third inorganic film is disposed on the first inorganic film,
An organic layer is disposed on the third inorganic layer,
A display device wherein the second inorganic layer covers the organic layer.

제11항에 있어서,
상기 제1 무기막은 ALD(Atomic Layer Deposition) 기법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.According to clause 11,
A display device, wherein the first inorganic layer is formed using an Atomic Layer Deposition (ALD) technique.

제11항에 있어서,
상기 제2 무기막은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.According to clause 11,
A display device, wherein the second inorganic layer is formed using a CVD (Chemical Vapor Deposition) technique.

제11항에 있어서,
상기 제1 무기막과 상기 제2 무기막은 서로 다른 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.According to clause 11,
A display device, wherein the first inorganic layer and the second inorganic layer are made of different materials.

제11항에 있어서,
상기 제1 무기막은 상기 제2 무기막 보다 두께가 얇은 것을 특징으로 하는 표시장치.According to clause 11,
A display device, wherein the first inorganic layer is thinner than the second inorganic layer.

제11항에 있어서,
상기 제1 무기막과 상기 제2 무기막은 평면 면적이 동일한 것을 특징으로 하는 표시장치.According to clause 11,
A display device, wherein the first inorganic layer and the second inorganic layer have the same planar area.

삭제delete

화소들이 형성된 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판;
상기 표시 영역을 덮는 제1 무기막; 및
상기 제1 무기막 상에 배치되고, 상기 제1 무기막과 적어도 일 측 끝단이 일치하는 제2 무기막을 포함하고,
상기 표시 영역과 패드 영역 사이에 댐이 형성되고,
상기 제2 무기막 상에 접착층에 의해 편광판이 부착되며, 상기 편광판은 상기 제1 무기막과 끝단이 일치하고,
상기 제1 무기막 상에 제3 무기막이 배치되고,
상기 제3 무기막 상에 유기막이 배치되고,
상기 제2 무기막은 상기 유기막을 덮도록 배치되는, 표시장치.a first substrate including a display area on which pixels are formed and a non-display area surrounding the display area;
a first inorganic layer covering the display area; and
It is disposed on the first inorganic film and includes a second inorganic film whose at least one end coincides with the first inorganic film,
A dam is formed between the display area and the pad area,
A polarizing plate is attached to the second inorganic layer by an adhesive layer, and an end of the polarizing plate coincides with the first inorganic layer,
A third inorganic film is disposed on the first inorganic film,
An organic layer is disposed on the third inorganic layer,
The display device wherein the second inorganic layer is disposed to cover the organic layer.

제18항에 있어서,
상기 제1 무기막은 ALD(Atomic Layer Deposition) 기법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.According to clause 18,
A display device, wherein the first inorganic layer is formed using an Atomic Layer Deposition (ALD) technique.

제18항에 있어서,
상기 제1 무기막과 상기 제2 기판은 평면 면적이 동일한 것을 특징으로 하는 표시장치.According to clause 18,
A display device, wherein the first inorganic layer and the second substrate have the same planar area.