KR102674259B1

KR102674259B1 - 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로

Info

Publication number: KR102674259B1
Application number: KR1020220175678A
Authority: KR
Inventors: 배병성; 이혁수
Original assignee: 호서대학교 산학협력단
Priority date: 2022-12-15
Filing date: 2022-12-15
Publication date: 2024-06-10

Abstract

본 발명은 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로에 관한 것으로, 7개의 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8), 구동 트랜지스터(T1), 2개의 커패시터 소자(Cst, Cs) 및 유기 발광 다이오드(OLED) 소자를 포함하여 화소 회로를 구성함으로써, 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 변화를 보상하면서, 기판의 스트레칭으로 인한 소자 특성 열화에 따른 휘도 변화뿐만 아니라 OLED 전류가 흐르는 배선의 저항 및 기생 정전 용량의 증가에 따른 휘도 불균형 역시 보상할 수 있는 유기 발광 다이오드 보상 화소 회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로는, 인가되는 전원으로 공급되는 전류에 의해 소정의 휘도로 발광하는 유기 발광 다이오드(OLED) 소자, 전원 전압의 전원 라인 역할을 하는 ELVDD 전원 라인(ELVDD), 이전 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1)), 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n)), 다음 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1)), SB 신호의 신호 라인 역할을 하는 SB 신호 라인(SB), 상기 유기 발광 다이오드 소자의 발광을 위한 데이터 전압을 제공하는 데이터 라인(DATA), 보상 전압의 전원 라인 역할을 하는 Vo 전원 라인(Vo), 게이트 전극은 상기 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1))과 연결되고, 소스 및 드레인 전극 중 어느 한 전극은 ELVDD 전원 라인(ELVDD)에 연결되며, 다른 한 전극은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 연결되는 제1 스위칭 트랜지스터(T4), 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 ELVDD 전원 라인(ELVDD) 사이에 접속되는 제1 커패시터(Cst), 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 및 상기 제1 커패시터(Cst)에 직렬로 연결되는 단과 제4 스위칭 트랜지스터(T7) 및 제5 스위칭 트랜지스터(T8)에 연결되는 단 사이의 스트레칭 보상용 제2 커패시터(Cs), 게이트 전극이 각각 상기 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))에 연결되는 제2 스위칭 트랜지스터(T6) 및 제3 스위칭 트랜지스터(T5), 상기 SB 신호 라인(SB)에 연결되고, 소스 전극은 상기 제2 커패시터(Cs) 및 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스에 연결되는 제4 스위칭 트랜지스터(T7)를 포함한다.

Description

유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로{COMPENSATION PIXEL CIRCUIT OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE}

본 발명은 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로에 관한 것으로, 7개의 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8), 구동 트랜지스터(T1), 2개의 커패시터 소자(Cst, Cs) 및 유기 발광 다이오드(OLED) 소자를 포함하여 화소 회로를 구성함으로써, 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 변화를 보상하면서, 기판의 스트레칭으로 인한 소자 특성 열화에 따른 휘도 변화뿐만 아니라 OLED 전류가 흐르는 배선의 저항 및 기생 정전 용량의 증가에 따른 휘도 불균형 역시 보상할 수 있는 유기 발광 다이오드 보상 화소 회로에 관한 것이다.

디스플레이 패널을 이용한 장치의 형태 변화 중 신축성을 이용해 패널의 면적이 가변 가능한 스트레쳐블 표시 장치 기술은 가장 발전한 유연 디스플레이 기술로써 관심이 높아지고 있다.

그러나 스트레쳐블 기술이 적용된 디스플레이 패널의 면적이 변화하는 경우, 패널 내부 또는 구동 회로와 연결된 전극 배선의 면적 역시 변화한다. 이에, 패널을 구성하는 전극 배선의 저항 및 정전 용량이 증가할 뿐만 아니라, 화소 내부를 구성하는 박막 트랜지스터의 문턱 전압, 전자 이동도와 같은 전기적 특성의 변화가 발생할 수 있다.

또한 디스플레이 패널의 면적이 변화하는 경우 패널을 구성하는 능동 유기 발광 다이오드에 공급되는 전압의 전압 강하로 이어지며, 전류의 변화를 유발할 수 있다. 그 결과, 스트레쳐블 표시 장치에서는 스트레쳐블 표시 패널의 면적이 변화할 때 디스플레이 패널의 휘도 불균형이 발생할 수 있다.

따라서 유연하거나 혹은 신축성 있는 재료를 이용한 대면적의 디스플레이 기판에서 면적의 변화가 발생했을 때 나타나는 휘도의 변화를 보상해줄 수 있는 보상 회로의 구성이 요구된다. 즉, 스트레쳐블 디스플레이의 경우에 면적이 변화하면 발생하는 휘도의 변화 및 불균형을 보상할 수 있는 회로 구성이 필요하다.

대한민국 등록특허공보 제10-2009748호 (2019년08월12일 공고)

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 유기 발광 다이오드(OLED) 소자, 7개의 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8), 구동 트랜지스터(T1), 및 2개의 커패시터(Cst, Cs)를 포함하여 화소 회로를 구성함으로써, 디스플레이 화면 면적의 증가로 인한 트랜지스터 소자 특성의 열화뿐만 아니라 배선 저항의 증가에 의해 발생하는 휘도 감소를 자동으로 보상할 수 있는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로를 제공하는 것이며, 본 발명의 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로는 기본적인 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 보상 기능도 유지한다.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로는, 인가되는 전원으로 공급되는 전류에 의해 소정의 휘도로 발광하는 유기 발광 다이오드(OLED) 소자, 전원 전압의 전원 라인 역할을 하는 ELVDD 전원 라인(ELVDD), 이전 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1)), 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n)), 다음 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1)), SB 신호의 신호 라인 역할을 하는 SB 신호 라인(SB), 상기 유기 발광 다이오드 소자의 발광을 위한 데이터 전압을 제공하는 데이터 라인(DATA), 보상 전압의 전원 라인 역할을 하는 Vo 전원 라인(Vo), 게이트 전극은 상기 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1))과 연결되고, 소스 및 드레인 전극 중 어느 한 전극은 ELVDD 전원 라인(ELVDD)에 연결되며, 다른 한 전극은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 연결되는 제1 스위칭 트랜지스터(T4), 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 ELVDD 전원 라인(ELVDD) 사이에 접속되는 제1 커패시터(Cst), 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 및 상기 제1 커패시터(Cst)에 직렬로 연결되는 단과 제4 스위칭 트랜지스터(T7) 및 제5 스위칭 트랜지스터(T8)에 연결되는 단 사이의 스트레칭 보상용 제2 커패시터(Cs), 게이트 전극이 각각 상기 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))에 연결되는 제2 스위칭 트랜지스터(T6) 및 제3 스위칭 트랜지스터(T5), 상기 SB 신호 라인(SB)에 연결되고, 소스 전극은 상기 제2 커패시터(Cs) 및 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스에 연결되는 제4 스위칭 트랜지스터(T7)를 포함하며, 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는 게이트 전극과 드레인 전극이 서로 연결되어 다이오드 역할을 하여 단방향성의 전류가 흐르고, 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스 전극은 상기 제2 커패시터(Cs)에 연결되며 드레인 전극은 상기 Vo 전원 라인(Vo)에 연결되어, 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는 상기 제2 커패시터(Cs)에 전압이 충전되는 통로 역할을 수행하고, 상기 제2 커패시터(Cs)는 Stretching 커패시터이며, 패널의 길이 또는 면적 연신에 따라 커패시턴스가 변화하는 것을 특징으로 한다.

상기 제1 스위칭 트랜지스터(T4)는 상기 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1))의 스캔 펄스에 의해 턴 온 되어 전원 전압이 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 충전되며, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)는 게이트 전극을 통해 상기 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))으로부터 공급되는 스캔 펄스에 따라 턴 온 되어, 상기 데이터 라인(DATA)으로부터 전송되는 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 상기 제1 및 제2 커패시터(Cst, Cs)에 제3 스위칭 트랜지스터(T5)를 통해 인가하며, 상기 데이터 전압이 상기 제3 스위칭 트랜지스터(T5)를 통해 인가될 때 상기 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 보상이 이루어진다.

상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)는 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))으로부터 들어오는 신호 펄스에 의해 동작하며, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)의 드레인 전극은 상기 데이터 라인(DATA)에 연결되어 밝기를 결정하는 데이터 신호에 연결되고, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)의 소스 전극은 제3 스위칭 트랜지스터(T5)를 통해 상기 유기 발광 다이오드 소자에 흐르는 전류를 제어하는 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 및 제2 커패시터(Cst, Cs)에 연결된다.

상기 구동 트랜지스터(T1)는 상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 유기 발광 다이오드 소자로 흐르는 전류를 제어한다.

상기 구동 트랜지스터(T1)는, 드레인 전극이 상기 제7 스위칭 트랜지스터(T3)를 통해 상기 유기 발광 다이오드 소자에 연결되고, 상기 유기 발광 다이오드 소자의 소스 전극은 고정 전압으로 연결된다.

상기 제1 커패시터(Cst)는 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 ELVDD 전원 라인(ELVDD) 사이에 접속되어 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 상기 데이터 전압에 대응되는 전압을 저장하고, 상기 데이터 전압에 대응되는 전압으로 상기 구동 트랜지스터(T1)를 턴 온 시킨다.

상기 제1 커패시터(Cst)는, 저장용량 커패시터인 것을 특징으로 한다.

상기 제2 커패시터(Cs)는, 일단이 상기 제1 스위칭 트랜지스터(T4)의 소스, 상기 제3 스위칭 트랜지스터(T5)의 소스, 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 및 상기 제1 커패시터(Cst)에 접속되고, 타단이 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)의 소스 및 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스에 연결된다.

상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는 상기 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1))과 연결되어, 드레인으로 인가되는 보상 전압으로 상기 제2 커패시터(Cs)를 충전시킨다.

상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)는 충전용 트랜지스터로서, 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)의 소스 전극은, 상기 제2 커패시터(Cs)와 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스 전극의 연결 부위에 연결되며, 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)의 드레인 전극은 ELVDD 전원 라인(ELVDD)과 연결된다.

상기 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로는, 상기 구동 트랜지스터(T1)에 연결되어 상기 구동 트랜지스터(T1)에 흐르는 전류를 온 오프 시킬 수 있는 제6 스위칭 트랜지스터(T2) 및 제7 스위칭 트랜지스터(T3)를 더 포함한다.

상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는, 게이트 전극이 상기 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1))의 신호 펄스에 따라 턴 온이 되며, 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 드레인 전극은, 상기 Vo 전원 라인(Vo)에 연결되고, 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스 전극은, 제4 스위칭 트랜지스터(T7)의 소스와 제2 커패시터(Cs)에 연결되어, 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는, 상기 Vo 전원 라인(Vo)으로부터 전송되는 보상 전압으로 상기 제2 커패시터(Cs)를 충전한다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로 발명의 목적은 유기 발광 다이오드(OLED) 소자, 7개의 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8), 구동 트랜지스터(T1) 및 2개의 커패시터 (Cst, Cs)를 포함하여 화소 회로를 구성함으로써, 디스플레이 화면의 면적이 비례하여 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 인가되는 전압이 변화하며 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 증가시킬 수 있도록 하여 스트레칭에 의한 휘도 감소를 자동으로 보상할 수 있는 효과가 있으며, 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압을 보상할 수 있다. 전원 전압의 변동에 의한 휘도 변화를 보상할 수 있다.

또한, 생체의학적 혹은 자동차, 사물의 인터넷 및 웨어러블 전자 제품과 같은 미래 디스플레이 애플리케이션에 유용하게 적용될 수 있으며, 신체에 부작하거나 창문의 커튼 등 스트레처블 디스플레이가 사용될 때 기판의 변형이 발생하며 휘도의 변화가 생길 수 있는데 이를 보상하여 면적이 늘어나더라도 휘도가 균일한 스트레쳐블 디스플레이를 구현할 수 있는 장점이 있다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(OLED ; Organic Light Emitting Diode)의 보상 화소 회로도이며, 도 1b는 도 1a의 보상 화소 회로의 동작 타이밍 도이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 Pre-Charging 구간에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로도 및 동작 타이밍도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 Programming 구간에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로도 및 동작 타이밍도이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 Compensation 구간에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로도 및 동작 타이밍도이다.
도 5a 및 도 5b는 각각 Emitting 구간에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로도 및 동작 타이밍도이다.

본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안된다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다.

상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 “연결되어” 있다거나 “접속되어” 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.

반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 “ 직접 연결되어” 있다거나 “직접 접속되어” 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

본 명세서에서, “포함하다” 또는 “구비하다.”, “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품들 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려하는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

이하, 본 발명의 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명하기로 한다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(OLED ; Organic Light Emitting Diode)의 보상 화소 회로도이며, 도 1b는 도 1a의 보상 화소 회로의 동작 타이밍 도이다.

도 1a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로는, 유기 발광 다이오드(OLED) 소자, 스위칭 트랜지스터 (T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8), 구동 트랜지스터(T1), 및 커패시터(Cst, Cs)를 포함할 수 있다.

도 1에서 상기 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8) 와 상기 구동 트랜지스터(T1)는 N-타입의 MOSFET이나 박막 트랜지스터로 구현된 예를 나타내고 있다.

본 발명에 의한 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로는, 도 1을 참조하면, 유기 발광 다이오드(OLED) 소자, ELVDD 전원 라인(ELVDD), 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1)), 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n)), 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1)), SB 신호 라인(SB), EM 신호 라인(EM), 데이터 라인(DATA), Vo 전원 라인(Vo), 구동 트랜지스터(T1), 제1 스위칭 트랜지스터(T4), 제2 스위칭 트랜지스터(T6), 제3 스위칭 트랜지스터(T5), 제4 스위칭 트랜지스터(T7), 제5 스위칭 트랜지스터(T8), 제6 스위칭 트랜지스터(T2), 제7 스위칭 트랜지스터(T3), 제1 커패시터(Cst) 및 제2 커패시터(Cs)를 포함한다.

유기 발광 다이오드(OLED) 소자는 인가되는 전원으로 공급되는 전류에 의해 소정의 휘도로 발광한다. ELVDD 전원 라인(ELVDD)은 전원 전압의 전원 라인 역할을 한다.

제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1))은 이전 또는 첫 번째 주사 신호의 신호 라인 역할을 한다. 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))은, 본 주사 또는 두 번째 주사 신호의 신호 라인 역할을 한다. 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1))은 다른 주사 또는 세 번째 주사 신호의 신호 라인 역할을 한다.

SB 신호 라인(SB)는, 다른 주사 신호 또는 SB 신호의 신호 라인 역할을 한다. EM 신호 라인(EM)은 발광 제어 신호를 전달한다. 데이터 라인(DATA)은, 상기 유기 발광 다이오드(OLED) 소자의 발광을 위한 데이터 전압을 제공한다. Vo 전원 라인(Vo)은, 기판의 스트레칭 및 전압 강하에 대한 보상 전압을 공급한다.

제1 스위칭 트랜지스터(T4)는, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1))과 연결되고, 드레인 전극은 상기 ELVDD 전원 라인(ELVDD)과 연결되며 소스 전극이 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 연결된다. 여기서, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(T4)는 게이트 전극을 통해 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1))으로부터 공급되는 주사 신호에 따라 턴 온(turn on) 되어, ELVDD 전원 라인(ELVDD)으로부터 전송되는 전원 전압을 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 상기 제1 및 제2 커패시터(Cs)에 인가한다.

제2 스위칭 트랜지스터(T6)는, 게이트 전극이 상기 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))에 연결되고, 드레인 전극이 상기 데이터 라인(DATA)에 연결되며, 소스 전극이 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극에 연결된다. 여기서, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)는 게이트 전극을 통해 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))으로부터 공급되는 주사 신호에 따라 턴 온 되어, 데이터 라인(DATA)으로부터 전송되는 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극에 인가하거나, 데이터 라인(DATA)으로부터 전송되는 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 상기 제1 및 제2 커페시터(Cst, Cs)에 인가한다.

제3 스위칭 트랜지스터(T5)는, 게이트 전극이 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))에 연결되고, 한 전극이 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 연결되며, 다른 전극이 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 연결된다. 여기서, 상기 제3 스위칭 트랜지스터(T5)는 게이트 전극을 통해 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))으로부터 공급되는 주사 신호에 따라 턴 온 되어, 상기 구동 트랜지스터(T1)로부터 전송되는 데이터 전압을 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 상기 제1 및 제2 커패시터(Cst, Cs)에 인가한다.

제4 스위칭 트랜지스터(T7)는, 게이트 전극이 상기 SB 신호 라인(SB)과 연결되고, 드레인 전극이 ELVDD 전원 라인(ELVDD)과 연결되며 나머지 전극이 제2 커패시터(Cs) 및 제5 스위칭 트랜지스터의 소스에 연결된다. 여기서, 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)는 게이트 전극을 통해 SB 신호 라인(SB)으로부터 공급되는 주사 신호에 따라 턴 온 되어, ELVDD 전원 라인(ELVDD)으로부터 전송되는 전원 전압을 상기 제2 커패시터(Cs)에 연결되어 전원 전압을 상기 제2 커패시터(Cs)에 충전시킴이 바람직하다. 한편, 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)는 충전용 트랜지스터로서, 그 소스 전극이 제2 커패시터(Cs)와 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스 전극의 연결부위에 연결되며, 그 드레인 전극이 전원 배선인 ELVDD 전원 라인(ELVDD)과 연결된다.

제5 스위칭 트랜지스터(T8)는, 게이트 전극이 상기 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1))과 연결되고 드레인 전극이 보상용 전압 배선인 상기 Vo 전원 라인(Vo)과 연결되며, 나머지 소스 전극이 제2 커패시터(Cs)의 한 쪽 전극과 연결된다. 여기서, 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는 게이트 전극을 통해 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1))으로부터 공급되는 주사 신호에 따라 턴 온 되어, Vo 전원 라인(Vo)으로부터 전송되는 보상 전압을 제2 커패시터(Cs)에 인가한다. 따라서 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는 상기 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1))과 연결되어, 드레인으로 인가되는 보상 전압으로 상기 제2 커패시터(Cs)를 충전시킨다. 즉 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는 게이트 전극이 다음 화소 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 상기 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1))에 맞추어 턴 온이 되며, 드레인 전극이 보상용 전압의 전원 라인인 Vo 전원 라인(Vo)에 연결되고, 그 소스가 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)의 소스와 상기 제2 커패시터(Cs)에 연결된다. 또한, 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는 게이트 전극과 드레인 전극이 분리 되어 있으나 서로 연결시킴에 따라 다이오드 역할을 하여 단방향성의 전류가 흐르도록 구성할 수 있다.

제6 스위칭 트랜지스터(T2)는, 게이트 전극이 상기 EM 신호 라인(EM)과 연결되고 드레인 전극이 ELVDD 전원 라인(ELVDD)과 연결되며 나머지 전극이 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 연결된다.

제7 스위칭 트랜지스터(T3)는, 게이트 전극이 상기 EM 신호 라인(EM)과 연결되고 드레인 전극이 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 연결되며 나머지 전극이 상기 유기 발광 다이오드의 한 쪽 전극과 연결된다. 즉, 제6 및 제7 스위칭 트랜지스터(T2, T3)는, 각각 구동 트랜지스터(T1)에 연결되어 구동 트랜지스터(T1)에 흐르는 전류를 온 오프(on/off) 시킬 수 있다.

제1 커패시터(Cst)는, 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 한 쪽 전극이 연결이 되고, 다른 한 전극은 ELVDD 전원 라인(ELVDD)에 연결된다. 여기서, 상기 제1 커패시터(Cst)는 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 ELVDD 전원 라인(ELVDD) 사이에 접속되어 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 공급되는 상기 데이터 전압에 대응되는 전압을 저장하고, 상기 저장된 전압으로 상기 구동 트랜지스터(T1)의 전류를 제어하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1 커패시터(Cst)는 저장용량 커패시터이다.

제2 커패시터(Cs)는, 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 한 쪽 전극이 연결이 되고, 다른 한 전극은 제4 스위칭 트랜지스터(T7)와 제5 스위칭 트랜지스터(T8)가 연결된 노드에 연결되며, 즉 상기 제2 커패시터(Cs)는 일단이 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 연결되고, 타단이 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)와 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 전극이 연결되는 지점(Node Q)에 연결됨이 바람직하다. 따라서, 상기 제2 커패시터(Cs)는 일단이 상기 제1 스위칭 트랜지스터(T4)의 소스, 제3 스위칭 트랜지스터(T5)의 소스, 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 및 상기 제1 커패시터(Cst)에 접속되고, 타단이 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)의 소스 및 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스에 연결된다. 또한, 상기 보상용 제2 커패시터(Cs)는 Stretching 커패시터이며, 패널의 길이 또는 면적 연신에 따라 커패시턴스가 변화함이 바람직하다.

상기 구동 트랜지스터(T1)는 상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 전류가 제어되어 상기 유기 발광 다이오드(OLED) 소자로 흐르는 전류를 제어함이 바람직하다. 여기서, 상기 구동 트랜지스터(T1)는 그 소스 전극이 상기 전원에 연결되어 있는 상기 유기 발광 다이오드(OLED) 소자에 제7 스위칭 트랜지스터(T3)를 통해 연결되고, 유기 발광 다이오드의 다른 전극은 고정 전압으로 연결됨이 바람직하다. 즉, 구동 트랜지스터(T1)는, 드레인 전극이 상기 전원이 연결되어 있는 상기 유기 발광 다이오드 소자에 연결되고, 유기 발광 다이오드 소자의 소스 전극은 고정 전압으로 연결된다.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로는, 인가되는 ELVDD 전원 라인(ELVDD)으로 공급되는 전류에 의해 소정의 휘도로 발광하는 유기 발광 다이오드(OLED) 소자, 전원 전압을 제공하여 전원라인 역할을 하는 ELVDD 전원 라인(ELVDD)과 연결되는 제1 스위칭 트랜지스터(T4)와 제4 스위칭 트랜지스터(T7); 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제1 스캔 신호 라인 (SCAN(n-1)); 다른 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제2 스캔 신호 라인 (SCAN(n)); 다른 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제3 스캔 신호 라인 (SCAN(n+1)); SB 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 SB 신호 라인(SB); 발광 신호의 신호 라인 역할을 하는 EM 신호 라인(EM); 상기 유기 발광 다이오드(OLED) 소자의 발광을 위한 데이터 전압을 제공하는 데이터 라인(DATA)과 연결되는 제2 스위칭 트랜지스터(T6); 보상 전압을 제공하는 Vo 전원 라인(Vo)과 연결되는 제5 스위칭 트랜지스터(T8); 게이트 전극은 제1 커패시터(Cst)의 한 전극에 연결되며 드레인 전극에 상기 ELVDD 전원 라인(ELVDD)의 전원 전압이 제6 스위칭 트랜지스터(T2)를 통해 인가되는 구동 트랜지스터(T1); 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 ELVDD 전원 라인(ELVDD) 사이에 접속되는 제1 커패시터(Cst); 상기 제1 커패시터(Cst)와 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 연결되는 스트레칭 보상용 제2 커패시터(Cs); 상기 제2 커패시터(Cs) 에 한 전극이 연결되며 다른 한 전극은 보상 전원 라인인 Vo 전원 라인(Vo)에 연결되고, 게이트 전극은 상기 제3 스캔 신호라인(Scan(n+1))에 연결되는 제5 스위칭 트랜지스터(T8); 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 커패시터(Cst) 및 제2 커패시터(Cs) 에 연결되며 다른 전극은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 연결되는 제3 스위칭 트랜지스터(T5)를 포함한다.

상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)는 게이트 전극을 통해 제2 스캔 신호 라인 (SCAN(n))으로부터 공급되는 스캔 신호 펄스에 따라 턴 온 되어, 데이터 신호 라인(DATA)으로부터 전송되는 데이터 전압(VDATA)을 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 상기 제1 및 제2 커패시터(Cst, Cs)에 제3 스위칭 트랜지스터(T5)를 거쳐 인가할 수 있으며, 이 때 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 보상이 이루어진다.

상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 상기 제2 스캔 신호 라인 (SCAN(n))과 연결될 수 있고, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)의 드레인 전극은 상기 데이터 라인(DATA)과 연결될 수 있다.

즉, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)은 제2 스캔 신호 라인 (SCAN(n))으로부터 들어오는 신호 펄스에 의해 동작하며, 그 드레인 전극은 데이터 라인(DATA)에 연결되어 밝기를 결정하는 데이터 신호에 연결되고, 다른 전극인 소스 전극은 유기 발광 다이오드(OLED) 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 및 제2 커패시터(Cst, Cs)에 제3 스위칭 트랜지스터(T5)를 통해 연결된다.

상기 구동 트랜지스터(T1)는 제2 스위칭 트랜지스터(T6)로부터 공급되는 데이터 전압(VDATA)에 따라 스위칭 되어, ELVDD 전원 라인(ELVDD)의 전원 전압에 의해 상기 유기 발광 다이오드(OLED) 소자로 흐르는 전류(IOLED)를 제어할 수 있다.

상기 구동 트랜지스터(T1)는 그 한 전극이 상기 제7 스위칭 트랜지스터(T3)를 통해 유기 발광 다이오드(OLED) 소자에 연결되고, 유기 발광 다이오드의 다른 한 전극은 고정 전압에 연결된다.

상기 제1 커패시터(Cst)는 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 ELVDD 전원 라인(ELVDD) 사이에 접속되어 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 공급되는 상기 데이터 전압(VDATA)에 대응되는 전압을 저장하고, 상기 저장된 전압으로 상기 구동 트랜지스터(T1)를 턴 온 시킬 수 있다.

상기 제1 커패시터(Cst)는 저장용량 커패시터 이다.

상기 유기 발광 다이오드(OLED) 소자는 상기 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 전기적으로 접속되어, 상기 ELVDD 전원 라인(ELVDD)으로부터 공급되는 전류에 의해서 발광할 수 있다.

상기 보상용 제2 커패시터(Cs)는 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7) 및 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스뿐만 아니라, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 상기 제3 스위칭 트랜지스터(T5) 사이에 연결되며, 상기 제1 커패시터(Cst)에 직렬로 연결된다.

상기 보상용 제2 커패시터(Cs)는 Stretching 커패시터이며, 디스플레이 패널의 길이 또는 면적 연신에 따라 커패시턴스가 변화한다.

상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)는 상기 SB 신호 라인(SB)과 연결되어 상기 제2 커패시터(Cs)에 전원 전압(ELVDD)을 충전시키는 역할을 한다.

상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스 전극은 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7) 에 연결되며, 드레인 전극은 상기 Vo 전원 라인(Vo)에 연결되어 상기 제2 커패시터(Cs)에 보상용 전압이 충전되는 통로 역할을 한다.

한편, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로는 단일 회로로서 화소의 Array를 고려하여 개발되었으며, 총 4가지의 구간(Pre-Charging, Programming, Compensation, Emission)으로 나뉘어 회로가 구동된다. 한편, 도 2a, 도 3a, 도 4a 및 도 5a에서 전압 및/또는 전류의 흐름을 붉은 색 라인으로 도시하였다.

도 2a 및 도 2b는 Pre-Charging 구간을 보여주기 위한 도면으로, Pre-Charging 구간은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극이 연결되어 있는 Node P를 ELVDD 전원 라인(ELVDD)의 전원 전압으로 충전하는 구간이다. 도 2a 및 도 2b를 참조하면, Pre-Charging 구간에서, 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1))으로부터 전단의 스캔 신호가 제1 스위칭 트랜지스터(T4)의 게이트 전극에 인가되면 제1 스위칭 트랜지스터(T4)가 턴 온이 되어 전원 전압이 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극인 Node P에 공급이 된다. 또한, 주사 신호 SB가 인가됨에 따라 제4 스위칭 트랜지스터(T7)는 턴 온 상태이며, 제4 스위칭 트랜지스터(T7)는 드레인에 인가되는 전원 전압(ELVDD)을 상기 제2 커패시터(Cs)에 충전시키는 역할을 한다.

도 3a 및 도 3b는 각각 Programming 구간에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로도 및 동작 타이밍 도이다.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제2 구간인 Programming 구간에서 제2 스캔 신호 라인 (SCAN(n))의 스캔 신호 펄스가 인가됨에 따라 데이터 라인(DATA)으로부터 데이터 펄스(Data Pulse)가 인가되는 한편, 제3 스위칭 트랜지스터(T5)가 턴 온 되어 데이터 전압이 구동 트랜지스터(T1)과 제3 스위칭 트랜지스터(T5)를 거쳐 제1 및 제2 커패시터(Cst, Cs)에 의해 Node P에 저장된다. 데이터 전압은 Node P에 저장된 전압보다 낮은 전압을 유지하며 데이터 전압에 의해 Node P의 전압은 낮아지게 되며 이 때 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 보상이 이루어진다. 데이터 전압을 Vdata, 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압을 Vth라고 하면 Node P의 전압은 Vdata+Vth가 된다.

이 때, 주사 신호 SB가 인가됨에 따라 제4 스위칭 트랜지스터(T7)는 턴 온 상태이며, 이전 단계에서 제2 커패시터(Cs)에 충전된 전원 전압(ELVDD)는 유지된다. 또한, 구동 트랜지스터(T1)는 턴 온 상태이지만 제6 스위칭 트랜지스터(T2) 및 제7 스위칭 트랜지스터(T3)의 게이트에는 오프 전압이 공급되어 제6 스위칭 트랜지스터(T2)와 제7 스위칭 트랜지스터(T3)가 턴 오프 상태이므로 유기 발광 다이오드(OLED)에는 전류가 흐르지 않는다.

도 4a 및 도 4b는 각각 Compensation 구간에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로도 및 동작 타이밍도이다.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, Compensation 구간에서, 다음 단의 스캔 신호인 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1))으로부터 스캔 펄스가 게이트 전극에 인가되면서 제5 스위칭 트랜지스터(T8)가 해당 구간 동안 온 상태를 유기하게 된다. 제5 스위칭 트랜지스터(T8)를 통해 들어온 보상용 전압은(Vo) 제2 커패시터(Cs) 에 충전이 되며, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 (Node P)의 전압이 증가하여 구동 트랜지스터(T1)의 구동능력을 증가시키게 된다.

도 5a 및 도 5b는 각각 Emission 구간에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로도 및 동작 타이밍도이다.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, Emission 구간에서, 발광 신호를 제외한 모든 신호가 Low 상태가 되어 구동 트랜지스터(T1)와 상기 제6 스위칭 트랜지스터(T2)와 제7 스위칭 트랜지스터(T3)를 제외한 모든 TFT가 off 상태가 된다. Node P에 저장된 전압으로 구동 트랜지스터(T1)가 턴 온 상태가 되며 제6 스위칭 트랜지스터(T2)와 제7 스위칭 트랜지스터(T3)도 턴 온 상태가 되어 유기 발광 다이오드(OLED)에 전류가 흐르게 된다. 즉 제6 스위칭 트랜지스터(T2)와 제7 스위칭 트랜지스터(T3)는 각각 구동 트랜지스터(T1)에 연결되어 구동 드랜지스터(T1)에 흐르는 전류를 온 오프 시킬 수 있다.

본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 상기 설명된 실시예에 한정되지 않으며, 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략되었다. 이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

OLED : 유기 발광 다이오드
ELVDD : ELVDD 전원 라인
SCAN(n-1) : 제1 스캔 신호 라인
SCAN(n) : 제2 스캔 신호 라인
SCAN(n+1) : 제3 스캔 신호 라인
SB : SB 신호 라인
EM : EM 신호 라인
DATA : 데이터 라인
Vo : Vo 전원 라인
T1 : 구동 트랜지스터
T4 : 제1 스위칭 트랜지스터
T6 : 제2 스위칭 트랜지스터
T5 : 제3 스위칭 트랜지스터
T7 : 제4 스위칭 트랜지스터
T8 : 제5 스위칭 트랜지스터
T2 : 제6 스위칭 트랜지스터
T3 : 제7 스위칭 트랜지스터
Cst : 제1 커패시터
Cs : 제2 커패시터

Claims

인가되는 전원으로 공급되는 전류에 의해 소정의 휘도로 발광하는 유기 발광 다이오드(OLED) 소자;
전원 전압의 전원 라인 역할을 하는 ELVDD 전원 라인(ELVDD);
이전 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1));
주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n));
다음 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1));
SB 신호의 신호 라인 역할을 하는 SB 신호 라인(SB);
상기 유기 발광 다이오드 소자의 발광을 위한 데이터 전압을 제공하는 데이터 라인(DATA);
보상 전압의 전원 라인 역할을 하는 Vo 전원 라인(Vo);
게이트 전극은 상기 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1))과 연결되고, 소스 및 드레인 전극 중 어느 한 전극은 ELVDD 전원 라인(ELVDD)에 연결되며, 다른 한 전극은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 연결되는 제1 스위칭 트랜지스터(T4);
구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 ELVDD 전원 라인(ELVDD) 사이에 접속되는 제1 커패시터(Cst);
상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 및 상기 제1 커패시터(Cst)에 직렬로 연결되는 단과 제4 스위칭 트랜지스터(T7) 및 제5 스위칭 트랜지스터(T8)에 연결되는 단 사이의 스트레칭 보상용 제2 커패시터(Cs);
게이트 전극이 각각 상기 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))에 연결되는 제2 스위칭 트랜지스터(T6); 및 제3 스위칭 트랜지스터(T5); 및
상기 SB 신호 라인(SB)에 연결되고, 소스 전극은 상기 제2 커패시터(Cs) 및 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스에 연결되는 제4 스위칭 트랜지스터(T7)를 포함하며,
상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는 게이트 전극과 드레인 전극이 서로 연결되어 다이오드 역할을 하여 단방향성의 전류가 흐르고,
상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스 전극은 상기 제2 커패시터(Cs)에 연결되며 드레인 전극은 상기 Vo 전원 라인(Vo)에 연결되어, 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는 상기 제2 커패시터(Cs)에 전압이 충전되는 통로 역할을 수행하고,
상기 제2 커패시터(Cs)는 Stretching 커패시터이며, 패널의 길이 또는 면적 연신에 따라 커패시턴스가 변화하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 스위칭 트랜지스터(T4)는 상기 제1 스캔 신호 라인(SCAN(n-1))의 스캔 펄스에 의해 턴 온 되어 전원 전압이 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 충전되며,
상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)는 게이트 전극을 통해 상기 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))으로부터 공급되는 스캔 펄스에 따라 턴 온 되어, 상기 데이터 라인(DATA)으로부터 전송되는 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 상기 제1 및 제2 커패시터(Cst, Cs)에 제3 스위칭 트랜지스터(T5)를 통해 인가하며, 상기 데이터 전압이 상기 제3 스위칭 트랜지스터(T5)를 통해 인가될 때 상기 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 보상이 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)는 제2 스캔 신호 라인(SCAN(n))으로부터 들어오는 신호 펄스에 의해 동작하며,
상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)의 드레인 전극은 상기 데이터 라인(DATA)에 연결되어 밝기를 결정하는 데이터 신호에 연결되고,
상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)의 소스 전극은 제3 스위칭 트랜지스터(T5)를 통해 상기 유기 발광 다이오드 소자에 흐르는 전류를 제어하는 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 및 제2 커패시터(Cst, Cs)에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 1에 있어서,
상기 구동 트랜지스터(T1)는 상기 제2 스위칭 트랜지스터(T6)로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 유기 발광 다이오드 소자로 흐르는 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 1에 있어서,
상기 구동 트랜지스터(T1)는, 드레인 전극이 제7 스위칭 트랜지스터(T3)를 통해 상기 유기 발광 다이오드 소자에 연결되고,
상기 유기 발광 다이오드 소자의 소스 전극은 고정 전압으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 커패시터(Cst)는 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 ELVDD 전원 라인(ELVDD) 사이에 접속되어 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 상기 데이터 전압에 대응되는 전압을 저장하고, 상기 데이터 전압에 대응되는 전압으로 상기 구동 트랜지스터(T1)를 턴 온 시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 커패시터(Cst)는, 저장용량 커패시터인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 커패시터(Cs)는,
일단이 상기 제1 스위칭 트랜지스터(T4)의 소스, 상기 제3 스위칭 트랜지스터(T5)의 소스, 상기 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 및 상기 제1 커패시터(Cst)에 접속되고,
타단이 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)의 소스 및 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 1에 있어서,
상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는 상기 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1))과 연결되어, 드레인으로 인가되는 보상 전압으로 상기 제2 커패시터(Cs)를 충전시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 9에 있어서,
상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)는 충전용 트랜지스터로서,
상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)의 소스 전극은, 상기 제2 커패시터(Cs)와 상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스 전극의 연결 부위에 연결되며,
상기 제4 스위칭 트랜지스터(T7)의 드레인 전극은 ELVDD 전원 라인(ELVDD)과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 1에 있어서,
각각 상기 구동 트랜지스터(T1)에 연결되어 상기 구동 트랜지스터(T1)에 흐르는 전류를 온 오프 시킬 수 있는 제6 스위칭 트랜지스터(T2) 및 제7 스위칭 트랜지스터(T3)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.
청구항 1에 있어서,
상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는, 게이트 전극이 상기 제3 스캔 신호 라인(SCAN(n+1))의 신호 펄스에 따라 턴 온이 되며,
상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 드레인 전극은, 상기 Vo 전원 라인(Vo)에 연결되고,
상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)의 소스 전극은, 제4 스위칭 트랜지스터(T7)의 소스와 제2 커패시터(Cs)에 연결되어,
상기 제5 스위칭 트랜지스터(T8)는, 상기 Vo 전원 라인(Vo)으로부터 전송되는 보상 전압으로 상기 제2 커패시터(Cs)를 충전하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 보상 화소 회로.