KR102672948B1 - 다이 본딩 시트, 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법 - Google Patents

다이 본딩 시트, 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

기재(11)를 구비하며, 기재(11) 상에 점착제층(12), 중간층(13), 및 필름형 접착제(14)가 이 순서로 적층되어 구성된 다이 본딩 시트(101)에 있어서, [상기 중간층(13)의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]／[상기 기재(11)의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]의 값이 0.5 이하인 것으로 한다.

Description

다이 본딩 시트, 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법
본 발명은 다이 본딩 시트, 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다. 본원은 2019년 3월 7일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2019-041886호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
반도체 장치의 제조시에는, 반도체 칩과, 그 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 사용된다. 여기서, 반도체 칩의 이면이란, 반도체 칩의 회로가 형성되어 있는 측의 면(본 명세서에 있어서는, 「회로 형성면」으로 약기하는 경우가 있다)과는 반대측의 면을 의미한다.
필름형 접착제가 형성된 반도체 칩은, 예를 들면, 이하에 나타내는 방법으로 제조된다.
즉, 우선, 반도체 웨이퍼의 회로가 형성되어 있는 측의 면(본 명세서에 있어서는, 「회로 형성면」으로 약기하는 경우가 있다)에 백 그라인드 테이프(별명: 표면 보호 테이프)를 첩부한다.
이어서, 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성한다. 이어서, 그라인더를 이용하여, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면과는 반대측의 면(본 명세서에 있어서는, 「이면」으로 약기하는 경우가 있다)을 연삭함으로써, 반도체 웨이퍼의 두께를 목적으로 하는 값으로 조절함과 함께, 이 때의 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 개질층의 형성 부위에 있어서, 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩을 형성한다. 이와 같이 개질층의 형성을 수반하는 반도체 웨이퍼의 분할 방법은, 스텔스 다이싱(등록상표)으로 칭해지고 있고, 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사함으로써, 조사 부위의 반도체 웨이퍼를 절삭하면서, 반도체 웨이퍼를 그 표면으로부터 절단해 가는 레이저 다이싱과는 본질적으로 완전히 상이하다.
이어서, 백 그라인드 테이프 상에서 고정화되어 있는 이들 반도체 칩의, 상술한 연삭을 행한 이면(다시 말하면, 연삭면)에 1장의 다이 본딩 시트를 첩부한다. 여기서, 다이 본딩 시트로는, 예를 들면, 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성된 것을 들 수 있다. 그리고, 이 경우에는, 다이 본딩 시트 중의 필름형 접착제를 적온으로 가열함으로써 연화한 상태로 반도체 칩의 이면에 첩부한다. 이에 의해, 다이 본딩 시트를 안정적으로 반도체 칩에 첩부할 수 있다.
이어서, 반도체 칩으로부터 백 그라인드 테이프를 제거한 후, 다이 본딩 시트를 냉각하면서 그 표면(예를 들면, 필름형 접착제의 반도체 칩에 대한 첩부면)에 대해 평행한 방향으로 연신하는, 이른바 익스팬드를 행함으로써, 필름형 접착제를 반도체 칩의 외주를 따라 절단(분할)한다.
이상에 의해, 반도체 칩과, 그 이면에 형성된 절단 후의 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 얻어진다.
필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 얻은 후에는, 상기 기재 및 점착제층의 적층 시트를, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 재치한 상태인 채로, 그 표면에 대해 평행한 방향에 있어서 연신한다(익스팬드한다). 추가로 이 상태를 유지한 채로, 상기 적층 시트 중, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 재치되어 있지 않은 주연부를 가열한다. 이상에 의해, 상기 주연부를 수축시키면서, 상기 적층 시트 상에 있어서는, 인접하는 반도체 칩 사이의 거리(본 명세서에 있어서는, 「커프 폭」으로 칭하는 경우가 있다)를 이후, 적절히 유지한다.
이어서, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 상기 적층 시트로부터 분리하여 픽업한다. 이 때, 점착제층이 경화성인 경우에는, 점착제층을 경화시켜 점착성을 저하시켜 둠으로써, 픽업이 용이해진다.
이상에 의해, 반도체 장치의 제조에 사용하는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 안정적으로 얻어진다.
픽업된 반도체 칩은, 그 이면에 형성되어 있는 필름형 접착제에 의해, 기판의 회로 형성면에 다이 본딩되고, 필요에 따라, 이 반도체 칩에 추가로 다른 반도체 칩이 1개 이상 적층되고, 와이어 본딩된 후, 전체가 수지에 의해 봉지된다. 이와 같이 하여 얻어진 반도체 패키지를 사용하여, 최종적으로는, 목적으로 하는 반도체 장치가 제조된다.
이와 같이, 익스팬드에 의해 절단 가능한 필름형 접착제를 구비한 다이 본딩 시트로는, 기재와, 점착제층과, 기재층(중간층에 상당)과, 점접착제층(상기 필름형 접착제에 상당)이 이 순서로 적층되어 구성되고, 상기 기재층이 특정 범위의 인장 특성을 갖는 다이싱-다이 본딩 테이프(상기 다이 본딩 시트에 상당)가 개시되어 있다(특허문헌 1 참조). 이 다이 본딩 시트에 의하면, 중간층에 상당하는 상기 기재층을 구비하고 있음으로써, 필름형 접착제를 그 익스팬드시, 고정밀도로 절단할 수 있다고 되어 있다.
일본 특허 제5946650호 공보
상술한 바와 같이, 다이 본딩 시트를 냉각하면서 익스팬드를 행했을 때, 기재의 신장에 대해, 반도체 칩 사이의 영역, 이른바 커프의 폭이 충분히 넓어져, 안정적으로 필름형 접착제를 반도체 칩의 외주를 따라 절단(분할)할 수 있는 것이 요망된다.
이에 대해, 특허문헌 1에 개시되어 있는 다이 본딩 시트는, 이러한 특성을 충분히 갖는지 여부가 확실하지 않다.
본 발명은 기재, 점착제층 및 필름형 접착제를 구비하여 구성되고, 냉각하면서 익스팬드를 행했을 때, 기재의 신장에 대해, 커프 폭이 충분히 넓어져, 안정적으로 필름형 접착제를 반도체 칩의 외주를 따라 절단(분할)할 수 있는 다이 본딩 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고, [상기 중간층의 0℃에 있어서의 인장 탄성률 Ei']／[상기 기재의 0℃에 있어서의 인장 탄성률 Eb']의 값이 0.5 이하인, 다이 본딩 시트를 제공한다.
본 발명의 다이 본딩 시트에 있어서는, 상기 중간층의 폭의 최대값이 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜여도 된다.
본 발명은 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과, 상기 개질층을 형성 후의 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함과 함께, 상기 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 상기 개질층의 형성 부위에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩이 정렬된 상태의 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 다이 본딩 시트를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를 상기 반도체 칩군 중의 모든 반도체 칩의 이면에 첩부하는 공정과, 상기 반도체 칩군 중에 첩부한 후의 상기 다이 본딩 시트를 냉각하면서, 그 표면에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써, 상기 필름형 접착제를 상기 반도체 칩의 외주를 따라 절단하여, 복수개의 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 정렬된 상태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻은 후의, 상기 다이 본딩 시트에서 유래하는, 기재, 점착제층, 및 중간층의 적층 시트를 상기 점착제층의 표면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드하고, 추가로 이 상태를 유지한 채로, 상기 적층 시트 중, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 재치되어 있지 않은 주연부를 가열하는 공정과, 상기 주연부를 가열한 후의, 상기 적층 시트 중의 상기 중간층으로부터, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 갖고, 상기 중간층의 폭의 최대값과, 상기 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값의 차이를 0∼10㎜로 하는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 기재, 점착제층 및 필름형 접착제를 구비하여 구성되고, 냉각하면서 익스팬드를 행했을 때, 기재의 신장에 대해, 커프 폭이 충분히 넓어져, 안정적으로 필름형 접착제를 반도체 칩의 외주를 따라 절단(분할)할 수 있는 다이 본딩 시트가 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 다이 본딩 시트의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 시트의 사용 대상인 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 시트의 사용 대상인 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 3c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 시트의 사용 대상인 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 시트의 사용 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 시트의 사용 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 4c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 시트의 사용 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 실시예에서의 커프 유지성의 평가시에 있어서의, 커프 폭의 측정 개소를 설명하기 위해, 평가 대상물을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
◇다이 본딩 시트
본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 시트는 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고, [상기 중간층의 0℃에 있어서의 인장 탄성률 Ei']／[상기 기재의 0℃에 있어서의 인장 탄성률 Eb']의 값이 0.5 이하이다.
본 실시형태의 다이 본딩 시트는 [상기 중간층의 0℃에 있어서의 인장 탄성률 Ei']／[상기 기재의 0℃에 있어서의 인장 탄성률 Eb']의 값이 상기 상한값 이하임으로써, 기재의 신장에 대해, 커프 폭을 충분히 넓게 할 수 있기 때문에, 다이 본딩 시트를 익스팬드 했을 때, 안정적으로 필름형 접착제를 반도체 칩의 외주를 따라 절단(분할)할 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 「적층 시트」란, 상술한 기재, 점착제층, 및 중간층이 적층된 구성을 갖는 적층 시트를 의미한다.
본 실시형태의 다이 본딩 시트는 다이싱 후의 반도체 웨이퍼가 바람직한 사용 대상이 된다. 여기서, 다이싱 후의 반도체 웨이퍼란, 복수개의 반도체 칩이 미리 정렬된 상태로 되어 있는 것, 또는, 이와 같이 정렬된 복수개의 반도체 칩과, 그 이외에, 반도체 웨이퍼 중의 반도체 칩으로의 분할이 행해지지 않은 영역을 포함하는 것을 들 수 있다.
다이 본딩 시트의 이러한 사용 대상물은 예를 들면, 이하와 같은 반도체 웨이퍼의 다이싱에 의해 얻어진다.
즉, 우선, 반도체 웨이퍼의 회로가 형성되어 있는 측의 면(즉, 회로 형성면)에 백 그라인드 테이프(표면 보호 테이프)를 첩부한다.
이어서, 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성한다. 이 때의 초점의 위치는 반도체 웨이퍼의 분할(다이싱) 예정 위치이며, 반도체 웨이퍼로부터 목적으로 하는 크기, 형상, 및 개수의 반도체 칩이 얻어지도록 설정된다.
이어서, 그라인더를 이용하여, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면과는 반대측의 면(즉, 이면)을 연삭한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼의 두께를 목적으로 하는 값으로 조절함과 함께, 이 때의 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 개질층의 형성 부위에 있어서, 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩을 형성한다. 반도체 웨이퍼의 개질층은 반도체 웨이퍼의 다른 개소와는 달리, 레이저광의 조사에 의해 변질되어 있고, 강도가 약해져 있다. 이 때문에, 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼에 힘을 가함으로써, 반도체 웨이퍼 내부의 개질층에 힘이 가해져, 이 개질층의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼가 분할되어, 복수개의 반도체 칩이 얻어진다.
한편, 이 연삭시의 조건에 따라서는, 반도체 웨이퍼의 일부의 영역에 있어서, 반도체 칩으로의 분할이 행해지지 않는 경우도 있다.
이하, 도면을 참조하면서, 상기 다이 본딩 시트에 대해 상세하게 설명한다. 한편, 이하의 설명에서 사용하는 도면은 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있고, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 동일하다고는 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이 본딩 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이며, 도 2는 도 1에 나타내는 다이 본딩 시트의 평면도이다.
한편, 도 2 이후의 도면에 있어서, 이미 설명된 도면에 나타내는 것과 동일한 구성요소에는, 그 설명된 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.
여기에 나타내는 다이 본딩 시트(101)는 기재(11)를 구비하며, 기재(11) 상에 점착제층(12), 중간층(13), 및 필름형 접착제(14)가 이 순서로 적층되어 구성되어 있다. 다이 본딩 시트(101)는 추가로 필름형 접착제(14) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다.
다이 본딩 시트(101)에 있어서는, 기재(11)의 한쪽 면(이하, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(11a) 상에 점착제층(12)이 형성되고, 점착제층(12)의 기재(11)가 형성되어 있는 측과는 반대측의 면(이하, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(12a) 상에 중간층(13)이 형성되며, 중간층(13)의 점착제층(12)이 형성되어 있는 측과는 반대측의 면(이하, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13a) 상에 필름형 접착제(14)가 형성되고, 필름형 접착제(14)의 중간층(13)이 형성되어 있는 측과는 반대측의 면(이하, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(14a) 상에 박리 필름(15)이 형성되어 있다. 이와 같이, 다이 본딩 시트(101)는 기재(11), 점착제층(12), 중간층(13), 및 필름형 접착제(14)가 이 순서로 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.
다이 본딩 시트(101)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 필름형 접착제(14)의 제1 면(14a)이 반도체 칩, 또는, 완전히는 분할되어 있지 않은 반도체 웨이퍼(도시 생략)의, 회로 형성면과는 반대측의 면(즉, 이면)에 첩부되어 사용된다.
한편, 본 명세서에 있어서는, 기재 및 점착제층을 포함한 적층체를 「지지 시트」로 칭하는 경우가 있다. 도 1에 있어서는, 부호 1을 부여하여 지지 시트를 나타내고 있다.
중간층(13) 및 필름형 접착제(14)를 이들의 상방으로부터 내려다보아 평면으로 보았을 때의 평면 형상은, 모두 원 형상이며, 중간층(13)의 직경과 필름형 접착제(14)의 직경은 동일하다.
그리고, 다이 본딩 시트(101)에 있어서, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)는 이들의 중심이 일치하도록, 다시 말하면, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)의 외주의 위치가 이들의 직경 방향에 있어서 모두 일치하도록 배치되어 있다.
중간층(13)의 제1 면(13a)과, 필름형 접착제(14)의 제1 면(14a)은 모두, 점착제층(12)의 제1 면(12a)보다 면적이 작게 되어 있다. 그리고, 중간층(13)의 폭(W13)의 최대값(즉, 직경)과, 필름형 접착제(14)의 폭(W14)의 최대값(즉, 직경)은 모두, 점착제층(12)의 폭의 최대값과, 기재(11)의 폭의 최대값보다 작게 되어 있다. 따라서, 다이 본딩 시트(101)에 있어서, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 일부는, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)에 의해 덮여있지 않다. 이러한, 점착제층(12)의 제1 면(12a)에 있어서의, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있지 않은 영역에는, 박리 필름(15)이 직접 접촉하여 적층되어 있고, 박리 필름(15)이 제거된 상태에서는, 이 영역은 노출되어 있다(이하, 본 명세서에 있어서는, 이 영역을 「비적층 영역」으로 칭하는 경우가 있다).
한편, 박리 필름(15)을 구비한 다이 본딩 시트(101)에 있어서는, 점착제층(12)의, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)에 의해 덮여있지 않은 영역에는, 여기에 나타내는 바와 같이, 박리 필름(15)이 적층되어 있지 않은 영역이 있어도 된다.
다이 본딩 시트(101)는 필름형 접착제(14)가 미절단이며, 또한 상술한 반도체 칩 등에 첩부된 상태로, 점착제층(12)의 상기 비적층 영역의 일부를 반도체 웨이퍼 고정용 링 프레임 등의 지그에 첩부함으로써, 고정할 수 있다. 따라서, 다이 본딩 시트(101)를 상기 지그에 고정하기 위한 지그용 접착제층을 다이 본딩 시트(101)에 별도 형성할 필요가 없다. 그리고, 지그용 접착제층을 형성할 필요가 없기 때문에, 다이 본딩 시트(101)를 저렴하면서 효율적으로 제조할 수 있다.
이와 같이, 다이 본딩 시트(101)는 지그용 접착제층을 구비하지 않음으로써, 유리한 효과를 나타내나, 지그용 접착제층을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 지그용 접착제층은 다이 본딩 시트(101)를 구성하는 어느 한 층의 표면 중, 주연부 근방의 영역에 형성된다. 이러한 영역으로는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)에 있어서의, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)에 의해 덮여있지 않은 영역 등을 들 수 있다.
지그용 접착제층은 공지의 것이어도 되고, 예를 들면, 접착제 성분을 함유하는 단층 구조여도 되며, 심재가 되는 시트의 양면에 접착제 성분을 함유하는 층이 적층된 복수층 구조여도 된다.
또한, 후술하는 바와 같이, 다이 본딩 시트(101)를 그 표면(예를 들면, 점착제층(12)의 제1 면(12a))에 대해 평행한 방향으로 연신하는, 소위 익스팬드를 행할 때에는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)에 상기 비적층 영역이 존재함으로써, 다이 본딩 시트(101)를 용이하게 익스팬드할 수 있다. 그리고, 필름형 접착제(14)를 용이하게 절단 가능할 뿐만 아니라, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)의 점착제층(12)으로부터의 박리가 억제되기도 한다.
다이 본딩 시트(101)는 후술하는 바와 같이, [중간층(13)의 0℃에 있어서의 인장 탄성률 Ei']／[기재(11)의 0℃에 있어서의 인장 탄성률 Eb']의 값이 0.5 이하라는 조건을 만족한다.
다이 본딩 시트(101)에 있어서는, 기재(11)로 제작한, 크기가 4.5㎜×15㎜인 시험편은 그 열기계 분석(본 명세서에 있어서는, 「TMA」로 칭하는 경우가 있다)을 행했을 때, 이하에 나타내는 특성을 갖는 것이 바람직하다.
즉, 우선, 열기계 분석 장치를 이용하여, 하중을 2g으로 하고, 상기 시험편을 온도 변화시키지 않고, TMA를 행하여, 상기 시험편의 그 온도가 23℃일 때의 변위량 X0을 측정한다. X0은 통상, 0(영)이거나, 또는 0에 가까운 수치가 된다.
이어서, 계속 TMA를 행하여, X0을 측정 후의 시험편을, 승온 속도를 20℃/min로 하고, 하중을 2g으로 하여, 그 온도가 70℃가 될 때까지 승온하고, 이 때의, 시험편의 변위량의 최대값 X1을 측정한다. X1은 통상, 시험편의 온도가 70℃일 때의 변위량이 된다. 또한, 통상은 X1≥X0의 조건을 만족한다.
이어서, 계속 TMA를 행하여, X1을 측정 후의 시험편을, 하중을 2g으로 하고, 23℃의 온도 조건하에서 방랭하고, 이 때의, 시험편의 변위량의 최소값 X2를 측정한다. X2는 통상, 시험편의 온도가 방랭에 의해 변동하지 않게 되었을 때(다시 말하면, 최저가 되었을 때)의 변위량이 된다.
X0, X1, 및 X2는 일련의 TMA에 의해 연속적으로 측정하기 때문에, 이들의 측정 방향은 모두 동일하다. 또한, 시험편에 가하는 하중은 일정값이다.
다이 본딩 시트(101)에 있어서는, 이와 같이 하여 취득한 X0 및 X1을 이용하여, 식 (1):
(X1－X0)／15×100
으로 산출되는, 시험편의 변위량의 가열시 변화율이 0∼2％가 되는 것이 바람직하다.
또한, 이와 같이 하여 취득한 X1 및 X2를 이용하여, 식 (2):
(X2－X1)／15×100
으로 산출되는, 시험편의 변위량의 방랭시 변화율이 -2∼0％가 되는 것이 바람직하다.
또한, 이와 같이 하여 취득한 X2 및 X0을 이용하여, 식 (3):
(X2－X0)／15×100
으로 산출되는, 시험편의 변위량의 종합 변화율이 -2∼1％가 되는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 다이 본딩 시트는 도 1및 도 2에 나타내는 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1 및 도 2에 나타내는 것에 있어서 일부의 구성이 변경, 삭제, 또는 추가된 것이어도 된다.
예를 들면, 본 실시형태의 다이 본딩 시트는 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제와, 박리 필름과, 지그용 접착제층의 어느 것에도 해당하지 않는, 다른 층을 구비하고 있어도 된다. 단, 본 발명의 다이 본딩 시트는 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층을 기재에 직접 접촉한 상태로 구비하고, 중간층을 점착제층에 직접 접촉한 상태로 구비하며, 필름형 접착제를 중간층에 직접 접촉한 상태로 구비하고 있는 것이 바람직하다.
예를 들면, 본 실시형태의 다이 본딩 시트에 있어서, 중간층 및 필름형 접착제의 평면 형상은 원 형상 이외의 형상이어도 되며, 중간층 및 필름형 접착제의 평면 형상은 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, 중간층의 제1 면의 면적과, 필름형 접착제의 제1 면의 면적은 모두, 이들보다 기재측 층의 면(예를 들면, 점착제층의 제1 면)의 면적보다 작은 것이 바람직하며, 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다. 그리고, 중간층 및 필름형 접착제의 외주의 위치는 이들의 직경 방향에 있어서 모두 일치하고 있어도 되고, 일치하고 있지 않아도 된다.
이어서, 본 발명의 다이 본딩 시트를 구성하는 각 층에 대해, 보다 상세하게 설명한다.
○기재
상기 기재는 시트형 또는 필름형이다.
상기 기재의 구성 재료는 각종 수지인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 예를 들면, 폴리에틸렌(저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE 등)), 폴리프로필렌(PP), 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 스티렌·에틸렌부틸렌·스티렌 블록 공중합체, 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리우레탄, 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리이미드(PI), 아이오노머 수지, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 및 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 이외의 에틸렌 공중합체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 불소 수지, 이들 중 어느 수지의 수첨가물, 변성물, 가교물, 또는 공중합물 등을 들 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하며, 예를 들면, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 포함하는 개념이며, 「(메타)아크릴로일기」란, 「아크릴로일기」 및 「메타크릴로일기」의 양쪽을 포함하는 개념이다.
기재를 구성하는 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 가열시 변화율, 방랭시 변화율, 및 종합 변화율의 조절이 보다 용이한 점에서는, 기재의 구성 재료는 폴리에틸렌인 것이 바람직하고, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE)인 것이 보다 바람직하다.
기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 기재가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다.
한편, 본 명세서에 있어서는, 기재의 경우에 한정하지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 추가로 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께의 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다.
기재의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으나, 50∼300㎛인 것이 바람직하고, 60∼150㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 기재의 구조가 보다 안정화된다. 기재의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 상기 다이 본딩 시트의 익스팬드시에 있어서, 필름형 접착제의 절단성이 보다 향상된다. 또한, 필름형 접착제를 절단 후의 다이 본딩 시트의 익스팬드시(다시 말하면, 상기 적층 시트의 익스팬드시)에 있어서, 커프 폭을 충분히 넓게, 또한 높은 균일성으로 유지하는 효과가 보다 높아진다.
여기서, 「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란, 기재를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
기재는 그 위에 형성되는 점착제층 등의 다른 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리, 엠보싱 가공 처리 등에 의한 요철화 처리; 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리; 등이 표면에 실시되어 있어도 된다.
또한, 기재의 표면은 프라이머 처리되어 있어도 된다.
또한, 기재는 대전 방지 코트층; 다이 본딩 시트를 중첩하여 보존할 때, 기재가 다른 시트에 접착되는 것이나, 기재가 흡착 테이블에 접착되는 것을 방지하는 층; 등을 갖고 있어도 된다.
기재는 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에, 충전재, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
수지를 구성 재료로 하는 필름 또는 시트는 그 제조 방법에 따라서는, 이방성을 갖는다. 예를 들면, 수지의 성형에 의해 제조되어 있는 필름 또는 시트는 통상, 수지의 성형시에 있어서의 수지의 진행 방향(Machine Direction)과, 이 수지의 진행 방향에 직교하는 방향(Transverse Direction)에서 특성이 달라질 수 있으며, 이는 주지 사항이다. 본 명세서에 있어서는, 상술한 수지의 진행 방향을 「MD」로 칭하고, 수지의 진행 방향에 직교하는 방향을 「TD」로 칭하는 경우가 있다.
MD는 필름 또는 시트의 가공시에 있어서의, 필름 또는 시트의 흐름에 평행한 방향이고, TD는 이러한 필름 또는 시트의 흐름에 직교하는 방향이라고도 할 수 있다. 필름 또는 시트를 연신 가공하는 경우에는, MD는 필름 또는 시트의 연신 방향이고, TD는 이러한 필름 또는 시트의 연신 방향에 직교하는 방향이다. 각 층의 MD 및 TD는 예를 들면, X선 2차원 회절 화상의 분석 등, 광학적인 분석에 의해, 서로 구별할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 기재, 중간층, 점착제층, 및 필름형 접착제 등도 포함하며, 수지의 성형에 의해 제조된 필름 또는 시트는 MD 및 TD를 가질 가능성이 있다.
상기 다이 본딩 시트에 있어서는, 기재(도 1에 나타내는 다이 본딩 시트(101)의 경우에는, 기재(11))의 MD와, 후술하는 중간층(도 1에 나타내는 다이 본딩 시트(101)의 경우에는, 중간층(13))의 MD가 일치되어 있는 것이 바람직하다. 다시 말하면, 상기 다이 본딩 시트에 있어서는, 기재의 TD와 중간층의 TD가 일치되어 있는 것이 바람직하다. 기재 및 중간층이 이와 같이 배치되어 있는 상기 다이 본딩 시트는, 익스팬드의 용이성(확장성)이 방향에 상관없이, 보다 균일화된다. 그리고, 이러한 다이 본딩 시트를 사용함으로써, 익스팬드에 의한 필름형 접착제의 절단성이 보다 향상되고, 또한, 필름형 접착제의 절단시, 반도체 칩 사이의 영역, 이른바 커프가 보다 안정적으로 형성되어, 이 영역의 폭(즉, 커프 폭)의 균일성도 보다 높아진다. 또한, 이와 같이 커프 폭의 균일성이 높아짐으로써, 후술하는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 픽업할 때, 공정 불량의 발생을 억제하는 효과가 현저히 높아진다.
＜기재로 제작한 시험편의 변위량의 가열시 변화율＞
기재(도 1에 나타내는 다이 본딩 시트(101)의 경우에는, 기재(11))로 제작한 상기 시험편의 상기 가열시 변화율은, 예를 들면, 0∼3％여도 되나, 앞서 설명한 바와 같이, 0∼2％가 바람직하고, 예를 들면, 0∼1.6％, 0∼1.2％, 및 0∼0.9％ 중 어느 하나여도 되며, 0.2∼2％, 0.4∼2％, 및 0.6∼2％ 중 어느 하나여도 되고, 0.2∼1.6％, 0.4∼1.2％, 및 0.6∼0.9％ 중 어느 하나여도 된다.
상기 시험편의 상기 가열시 변화율은, 그 2 이상의 측정 방향끼리의 사이에서는, 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 여기서, 「가열시 변화율의 2 이상의 측정 방향」이란, 시험편의 제1 면(기재의 제1 면에 상당)에 대해 평행한 방향 중, 상이한 2 이상의 방향이다. 예를 들면, 시험편이 MD 및 TD를 갖는 경우, 시험편의 MD에 있어서의 상기 가열시 변화율과, 시험편의 TD에 있어서의 상기 가열시 변화율은, 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
본 실시형태에 있어서, 상기 가열시 변화율은 상기 시험편의 어느 측정 방향에 있어서도, 예를 들면, 0∼3％여도 되고, 0∼2％가 바람직하다. 예를 들면, 상기 시험편이 MD 및 TD를 갖는 경우, 상기 가열시 변화율은 MD 및 TD 중 어느 것에 있어서도, 예를 들면, 0∼3％여도 되고, 0∼2％가 바람직하고, MD 및 TD의 어느 한쪽 또는 양쪽에 있어서, 앞서 예시한 11가지 수치 범위 중 어느 하나여도 된다. 이 경우, MD에 있어서의 가열시 변화율의 수치 범위와, TD에 있어서의 가열시 변화율의 수치 범위의 조합은 임의이다.
＜기재로 제작한 시험편의 변위량의 방랭시 변화율＞
기재(도 1에 나타내는 다이 본딩 시트(101)의 경우에는, 기재(11))로 제작한 상기 시험편의 상기 방랭시 변화율은, 앞서 설명한 바와 같이, -2∼0％가 바람직하고, 예를 들면, -2∼-0.4％, -2∼-0.8％, -2∼-1.2％, 및 -2∼-1.6％ 중 어느 하나여도 된다.
상기 시험편의 상기 방랭시 변화율은, 그 2 이상의 측정 방향끼리의 사이에서는, 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 여기서, 「방랭시 변화율의 2 이상의 측정 방향」이란, 상술한 「가열시 변화율의 2 이상의 측정 방향」과 동일하다. 예를 들면, 시험편이 MD 및 TD를 갖는 경우, 시험편의 MD에 있어서의 상기 방랭시 변화율과, 시험편의 TD에 있어서의 상기 방랭시 변화율은, 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
본 실시형태에 있어서, 상기 방랭시 변화율은 상기 시험편의 어느 측정 방향에 있어서도, -2∼0％가 바람직하다. 예를 들면, 상기 시험편이 MD 및 TD를 갖는 경우, 상기 방랭시 변화율은, MD 및 TD 중 어느 것에 있어서도, -2∼0％가 바람직하고, MD 및 TD의 어느 한쪽 또는 양쪽에 있어서, 앞서 예시한 4가지 수치 범위 중 어느 하나여도 된다. 이 경우, MD에 있어서의 방랭시 변화율의 수치 범위와, TD에 있어서의 방랭시 변화율의 수치 범위의 조합은 임의이다.
＜기재로 제작한 시험편의 변위량의 종합 변화율＞
기재(도 1에 나타내는 다이 본딩 시트(101)의 경우에는, 기재(11))로 제작한 상기 시험편의 상기 종합 변화율은, 예를 들면, -2∼1.8％여도 되나, 앞서 설명한 바와 같이, -2∼1％가 바람직하고, 예를 들면, -2∼0.6％, -2∼0.3％, -2∼0％, -2∼-0.3％, 및 -2∼-0.6％ 중 어느 하나여도 되며, -1.8∼1％, -1.6∼1％, 및 -1.4∼1％ 중 어느 하나여도 되고, -1.8∼0.6％, -1.8∼0.3％, -1.8∼0％, -1.6∼-0.3％, 및 -1.4∼-0.6％ 중 어느 하나여도 된다.
상기 시험편의 상기 종합 변화율은, 이들 중에서도, -2∼0％인 것이 보다 바람직하다.
상기 시험편의 상기 종합 변화율은, 그 2 이상의 측정 방향끼리의 사이에서는, 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 여기서, 「종합 변화율의 2 이상의 측정 방향」이란, 상술한 「가열시 변화율의 2 이상의 측정 방향」과 동일하다. 예를 들면, 시험편이 MD 및 TD를 갖는 경우, 시험편의 MD에 있어서의 상기 종합 변화율과, 시험편의 TD에 있어서의 상기 종합 변화율은, 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
본 실시형태에 있어서, 상기 종합 변화율은, 상기 시험편의 어느 측정 방향에 있어서도, 예를 들면, -2∼1.8％여도 되고, -2∼1％가 바람직하다. 예를 들면, 상기 시험편이 MD 및 TD를 갖는 경우, 상기 종합 변화율은, MD 및 TD 중 어느 것에 있어서도, 예를 들면, -2∼1.8％여도 되고, -2∼1％가 바람직하고, MD 및 TD의 어느 한쪽 또는 양쪽에 있어서, 앞서 예시한 15가지 수치 범위 중 어느 하나여도 된다. 이 경우, MD에 있어서의 종합 변화율의 수치 범위와, TD에 있어서의 종합 변화율의 수치 범위의 조합은 임의이다.
기재로 제작한 상기 시험편에 있어서는, 상기 가열시 변화율이 상술한 11가지 수치 범위 중 어느 하나이고, 또한, 상기 방랭시 변화율이 상술한 5가지 수치 범위 중 어느 하나이며, 또한, 상기 종합 변화율이 상술한 15가지 수치 범위 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
이러한 시험편으로는, 예를 들면, MD 및 TD의 어느 한쪽 또는 양쪽에 있어서의 상기 가열시 변화율이 0.6∼0.9％이고, 또한, MD 및 TD의 어느 한쪽 또는 양쪽에 있어서의 상기 방랭시 변화율이 -2∼-1.6％이며, 또한, MD 및 TD의 어느 한쪽 또는 양쪽에 있어서의 상기 종합 변화율이 -1.4∼-0.6％인 것을 들 수 있다. 단, 이는 상기 시험편의 일 예이다.
상기 가열시 변화율, 방랭시 변화율, 및 종합 변화율의 측정 대상인 상기 시험편의 두께는 특별히 한정되지 않고, 이들의 측정을 고정밀도로 행할 수 있는 두께이면 된다. 예를 들면, 상기 시험편의 두께는 10∼200㎛여도 된다.
기재로 제작한 상기 시험편의 상기 가열시 변화율, 방랭시 변화율, 및 종합 변화율은, 기재의 함유 성분, 예를 들면, 수지의 종류 및 함유량을 조절함으로써, 조절할 수 있다.
＜기재로 제작한 시험편의 인장 탄성률 Eb'＞
상기 기재(도 1에 나타내는 다이 본딩 시트(101)의 경우에는, 기재(11))로 제작한, 폭이 15㎜이고, 길이가 100㎜를 초과하는 시험편에 대해, 척간 거리를 100㎜로 하고, 온도를 0℃로 하고, 텐실론을 이용하여, 인장 속도를 200㎜/min로 하여 인장하는 인장 시험을 행하여, 탄성 변형 영역에 있어서의, 0℃의 시험편의 인장 탄성률 Eb'를 측정했을 때, Eb'는 예를 들면, 10∼200MPa, 50∼150MPa, 및 70∼120MPa 중 어느 하나여도 된다. Eb'가 이러한 범위임으로써, 상기 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'의 조절이 보다 용이해진다. 또한, Eb'가 50MPa 이상이면, 상기 다이 본딩 시트의 반도체 웨이퍼에 대한 첩부가 보다 용이해진다.
상기 다이 본딩 시트의 익스팬드에 의한, 필름형 접착제의 절단은, 그 절단성이 향상되는 점에서, 0℃ 또는 그 근방의 온도에서 행하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 상기 다이 본딩 시트에 있어서는, 기재로 제작한 시험편의 인장 탄성률 Eb'를, 0℃에 있어서의 값으로 규정한다. 본 실시형태에 있어서는, 다이 본딩 시트의 익스팬드 적성에 큰 관련을 갖는 중요한 물성을, 실제로 익스팬드를 행하는 온도 또는 그 근방의 온도의 조건하에서 규정한다.
상기 시험편의 Eb'는 그 2 이상의 측정 방향끼리의 사이에서는, 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 여기서, 「Eb'의 2 이상의 측정 방향」이란, 시험편의 제1 면(기재의 제1 면에 상당)에 대해 평행한 방향 중, 상이한 2 이상의 방향이다. 예를 들면, 시험편이 MD 및 TD를 갖는 경우, 시험편의 MD에 있어서의 Eb'와, 시험편의 TD에 있어서의 Eb'는, 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
본 실시형태에 있어서, 상기 인장 탄성률 Eb'는 예를 들면, 상기 시험편의 어느 측정 방향에 있어서도, 앞서 예시한 3가지 수치 범위 중 어느 하나여도 된다. 예를 들면, 상기 시험편이 MD 및 TD를 갖는 경우, Eb'는 MD 및 TD의 어느 한쪽 또는 양쪽에 있어서, 앞서 예시한 3가지 수치 범위 중 어느 하나여도 된다. 이 경우, MD에 있어서의 Eb'의 수치 범위와, TD에 있어서의 Eb'의 수치 범위의 조합은 임의이다.
상기 인장 탄성률 Eb'의 측정 대상인 상기 시험편의 두께는 특별히 한정되지 않고, 이들의 측정을 고정밀도로 행할 수 있는 두께이면 된다. 예를 들면, 상기 시험편의 두께는 10∼200㎛여도 된다.
기재로 제작한 상기 시험편의 Eb'는, 기재의 함유 성분, 예를 들면, 수지의 종류 및 함유량을 조절함으로써, 조절할 수 있다.
기재의 광학 특성은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 특별히 한정되지 않는다. 기재는 예를 들면, 레이저광 또는 에너지선을 투과시키는 것이어도 된다.
기재는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는(수지를 구성 재료로 하는) 기재는, 상기 수지 또는 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다.
＜표면 저항률＞
다이 본딩 시트 중의 기재의 점착제층측과는 반대측에 위치하는 면에 있어서의, 표면 저항률은, 1.0×1011Ω／□ 이하여도 된다.
상세하게는 후술하지만, 기재로서 대전 방지층이 형성된 기재, 또는, 대전 방지성 기재를 사용함으로써, 기재의 점착제층측과는 반대측에 위치하는 면에 있어서의 표면 저항률을 1.0×1011Ω／□ 이하로 할 수 있다.
대전 방지층이 형성된 기재에 있어서의, 점착제층측과는 반대측에 위치하는 면을, 「다이 본딩 시트의 최표층」이라고 하는 경우가 있다. 또한, 대전 방지성 기재의 점착제층측과는 반대측에 위치하는 면을, 「다이 본딩 시트의 최표층」이라고 하는 경우가 있다.
○점착제층
상기 점착제층은 시트형 또는 필름형이며, 점착제를 함유한다.
점착제층은 상기 점착제를 함유하는 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 형성 대상면에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 점착제층을 형성할 수 있다.
점착제 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.
점착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않으나, 점착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다.
상기 점착제로는, 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 고무계 수지, 실리콘 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의 점착성 수지를 들 수 있고, 아크릴 수지가 바람직하다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「점착성 수지」에는, 점착성을 갖는 수지와, 접착성을 갖는 수지의 양쪽이 포함된다. 예를 들면, 상기 점착성 수지에는, 수지 자체가 점착성을 갖는 것뿐만 아니라, 첨가제 등의 다른 성분과의 병용에 의해 점착성을 나타내는 수지나, 열 또는 물 등의 트리거의 존재에 의해 접착성을 나타내는 수지 등도 포함된다.
점착제층은 경화성 및 비경화성 중 어느 것이어도 되고, 예를 들면, 에너지선 경화성 및 비에너지선 경화성의 어느 것이어도 된다. 경화성 점착제층은 경화 전 및 경화 후에 대한 물성을 용이하게 조절할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미한다. 에너지선의 예로는, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙라이트 또는 LED 램프 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다.
점착제층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
점착제층의 두께는 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 1∼60㎛인 것이 보다 바람직하며, 1∼30㎛인 것이 특히 바람직하다.
여기서, 「점착제층의 두께」란, 점착제층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 점착제층의 두께란, 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
점착제층의 광학 특성은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 점착제층은 에너지선을 투과시키는 것이어도 된다.
이어서, 상기 점착제 조성물에 대해 설명한다.
＜＜점착제 조성물＞＞
점착제층이 에너지선 경화성인 경우, 에너지선 경화성 점착제를 함유하는 점착제 조성물, 즉, 에너지선 경화성 점착제 조성물로는, 예를 들면, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)(이하, 「점착성 수지(I-1a)」로 약기하는 경우가 있다)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-1); 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)(이하, 「점착성 수지(I-2a)」로 약기하는 경우가 있다)를 함유하는 점착제 조성물(I-2); 상기 점착성 수지(I-2a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-3) 등을 들 수 있다.
＜점착제 조성물(I-1)＞
상기 점착제 조성물(I-1)은 상술한 바와 같이, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유한다.
[점착성 수지(I-1a)]
상기 점착성 수지(I-1a)는 아크릴 수지인 것이 바람직하다.
상기 아크릴 수지로는, 예를 들면, 적어도 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
상기 아크릴 수지가 갖는 구성 단위는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)에 있어서, 점착제 조성물(I-1)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-1a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.
[에너지선 경화성 화합물]
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다.
에너지선 경화성 화합물 중, 모노머로는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메타)아크릴레이트 등의 다가 (메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트; 폴리에스테르(메타)아크릴레이트; 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 에폭시(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성 화합물 중, 올리고머로는, 예를 들면, 상기에서 예시한 모노머가 중합하여 이루어지는 올리고머 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성 화합물은 분자량이 비교적 크고, 점착제층의 저장 탄성률을 저하시키기 어렵다는 점에서는, 우레탄(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)에 있어서, 점착제 조성물(I-1)의 총 질량에 대한 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량의 비율은, 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다.
[가교제]
점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에 추가로, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-1)은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 가교제는 예를 들면, 상기 관능기와 반응하여, 점착성 수지(I-1a)끼리를 가교한다.
가교제로는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 이들 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제(이소시아네이트기를 갖는 가교제); 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제(글리시딜기를 갖는 가교제); 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제); 알루미늄 킬레이트 등의 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제); 이소시아누레이트계 가교제(이소시아누르산 골격을 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.
점착제의 응집력을 향상시켜 점착제층의 점착력을 향상시키는 점 및 입수가 용이한 등의 점에서, 가교제는 이소시아네이트계 가교제인 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
가교제를 사용하는 경우, 상기 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다.
[광중합 개시제]
점착제 조성물(I-1)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-1)은 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다.
상기 광중합 개시제로는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설피드, 테트라메틸티우람모노설피드 등의 설피드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 2-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.
또한, 상기 광중합 개시제로는, 예를 들면, 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
광중합 개시제를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
[그 밖의 첨가제]
점착제 조성물(I-1)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
상기 그 밖의 첨가제로는, 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전재(필러), 방청제, 착색제(안료, 염료), 증감제, 점착 부여제, 반응 지연제, 가교 촉진제(촉매) 등의 공지의 첨가제를 들 수 있다.
한편, 반응 지연제란, 예를 들면, 점착제 조성물(I-1) 중에 혼입되어 있는 촉매의 작용에 의해, 보존 중의 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 목적으로 하지 않는 가교 반응이 진행되는 것을 억제하기 위한 성분이다. 반응 지연제로는, 예를 들면, 촉매에 대한 킬레이트에 의해 킬레이트 착체를 형성하는 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 1분자 중에 카르보닐기(-C(=O)-)를 2개 이상 갖는 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 그 밖의 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)의 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
[용매]
점착제 조성물(I-1)은 용매를 함유하고 있어도 된다. 점착제 조성물(I-1)은 용매를 함유하고 있음으로써, 도공 대상면에 대한 도공 적성이 향상된다.
상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하다.
＜점착제 조성물(I-2)＞
상기 점착제 조성물(I-2)은 상술한 바와 같이, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)를 함유한다.
[점착성 수지(I-2a)]
상기 점착성 수지(I-2a)는 예를 들면, 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기에 에너지선 중합성 불포화기를 갖는 불포화기 함유 화합물을 반응시킴으로써 얻어진다.
상기 불포화기 함유 화합물은 상기 에너지선 중합성 불포화기 이외에, 추가로 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 반응함으로써, 점착성 수지(I-1a)와 결합 가능한 기를 갖는 화합물이다.
상기 에너지선 중합성 불포화기로는, 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기(에테닐기), 알릴기(2-프로페닐기) 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기가 바람직하다.
점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 결합 가능한 기로는, 예를 들면, 수산기 또는 아미노기와 결합 가능한 이소시아네이트기 및 글리시딜기와, 카르복시기 또는 에폭시기와 결합 가능한 수산기 및 아미노기 등을 들 수 있다.
상기 불포화기 함유 화합물로는, 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 점착성 수지(I-2a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-2)에 있어서, 점착제 조성물(I-2)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-2a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.
[가교제]
점착성 수지(I-2a)로서, 예를 들면, 점착성 수지(I-1a)에 있어서의 것과 동일한, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-2)은 추가로 가교제를 함유하고 있어도 된다.
점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 가교제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 가교제와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
가교제를 사용하는 경우, 상기 점착제 조성물(I-2)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다.
[광중합 개시제]
점착제 조성물(I-2)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-2)은 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다.
점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 광중합 개시제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
광중합 개시제를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-2)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
[그 밖의 첨가제, 용매]
점착제 조성물(I-2)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
또한, 점착제 조성물(I-2)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다.
점착제 조성물(I-2)에 있어서의, 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 밖의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. 점착제 조성물(I-2)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-2)의 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜점착제 조성물(I-3)＞
상기 점착제 조성물(I-3)은 상술한 바와 같이, 상기 점착성 수지(I-2a)와 에너지선 경화성 화합물을 함유한다.
점착제 조성물(I-3)에 있어서, 점착제 조성물(I-3)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-2a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.
[에너지선 경화성 화합물]
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 및 올리고머를 들 수 있고, 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 에너지선 경화성 화합물과 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 점착제 조성물(I-3)에 있어서, 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼300질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼100질량부인 것이 특히 바람직하다.
[광중합 개시제]
점착제 조성물(I-3)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-3)은 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다.
점착제 조성물(I-3)에 있어서의 상기 광중합 개시제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
광중합 개시제를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-3)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a) 및 상기 에너지선 경화성 화합물의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
[그 밖의 첨가제, 용매]
점착제 조성물(I-3)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
또한, 점착제 조성물(I-3)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다.
점착제 조성물(I-3)에 있어서의, 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 밖의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. 점착제 조성물(I-3)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-3)의 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물＞
여기까지는, 점착제 조성물(I-1), 점착제 조성물(I-2), 및 점착제 조성물(I-3)에 대해 주로 설명했으나, 이들의 함유 성분으로서 설명한 것은, 이들 3종의 점착제 조성물 이외의 전반적인 점착제 조성물(본 명세서에 있어서는, 「점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물」으로 칭한다)에서도, 동일하게 사용할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물로는, 에너지선 경화성 점착제 조성물 이외에, 비에너지선 경화성 점착제 조성물도 들 수 있다.
비에너지선 경화성 점착제 조성물로는, 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 고무계 수지, 실리콘 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)를 함유하는 점착제 조성물(I-4)을 들 수 있고, 아크릴 수지를 함유하는 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물은 1종 또는 2종 이상의 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 그 함유량은 상술한 점착제 조성물(I-1) 등의 경우와 동일하게 할 수 있다.
＜점착제 조성물(I-4)＞
점착제 조성물(I-4)로 바람직한 것으로는, 예를 들면, 상기 점착성 수지(I-1a)와, 가교제를 함유하는 것을 들 수 있다.
[점착성 수지(I-1a)]
점착제 조성물(I-4)에 있어서의 점착성 수지(I-1a)로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 점착성 수지(I-1a)와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-4)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-4)에 있어서, 점착제 조성물(I-4)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-1a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.
[가교제]
점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에 추가로, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-4)은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-4)에 있어서의 가교제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 가교제와 동일한 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-4)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 점착제 조성물(I-4)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼25질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼10질량부인 것이 특히 바람직하다.
[그 밖의 첨가제, 용매]
점착제 조성물(I-4)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
또한, 점착제 조성물(I-4)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다.
점착제 조성물(I-4)에 있어서의, 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 밖의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. 점착제 조성물(I-4)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-4)의 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜＜점착제 조성물의 제조 방법＞＞
점착제 조성물(I-1)∼(I-3)이나, 점착제 조성물(I-4) 등의 점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물은, 상기 점착제와, 필요에 따라 상기 점착제 이외의 성분 등의, 점착제 조성물을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.
용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 어느 배합 성분과 혼합하고 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외의 어느 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.
배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.
각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도와 시간은, 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.
○중간층
상기 중간층은 시트형 또는 필름형이며, 수지를 함유한다.
중간층은 수지로 이루어지는 것이어도 되고, 수지와 수지 이외의 성분을 함유하는 것이어도 된다.
중간층은 예를 들면, 상기 수지 또는 상기 수지를 함유하는 중간층 형성용 조성물을 성형함으로써 형성할 수 있다. 또한, 중간층은 중간층의 형성 대상면에 상기 중간층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써도 형성할 수 있다.
중간층의 구성 재료인 상기 수지는, 특별히 한정되지 않는다.
중간층에 있어서의 바람직한 상기 수지로는, 예를 들면, 에틸렌초산비닐 공중합체(EVA), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리우레탄아크릴레이트(UA) 등을 들 수 있다.
상기 중간층 형성용 조성물의 상기 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 80질량％ 이상, 90질량％ 이상, 및 95질량％ 이상 등 중 어느 하나로 할 수 있으나, 이들은 일 예이다.
중간층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
＜중간층으로 제작한 시험편의 전단 탄성률 Ei'＞
중간층(도 1에 나타내는 다이 본딩 시트(101)의 경우에는, 중간층(13))으로 제작한, 폭이 15㎜이며, 길이가 100㎜를 초과하는 시험편에 대해, 척간 거리를 100㎜로 하고, 온도를 0℃로 하고, 텐실론을 이용하여, 인장 속도를 200㎜/min로 하여 인장하는 인장 시험을 행하여, 탄성 변형 영역에 있어서의, 0℃의 시험편의 인장 탄성률 Ei'를 측정했을 때, Ei'는 예를 들면, 10∼150MPa, 10∼100MPa, 및 10∼50MPa 중 어느 하나여도 된다. Ei'가 이러한 범위임으로써, 상기 인장 탄성률 비 Ei'／Eb'의 조절이 보다 용이해진다.
상기 다이 본딩 시트에 있어서는, 상술한 Eb'의 경우와 동일한 이유로, 중간층으로 제작한 시험편의 인장 탄성률 Ei'도, 0℃에 있어서의 값으로 규정한다.
상기 시험편의 Ei'는 그 2 이상의 측정 방향끼리의 사이에서는, 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 여기서, 「Ei'의 2 이상의 측정 방향」이란, 시험편의 제1 면(중간층의 제1 면에 상당)에 대해 평행한 방향 중, 상이한 2 이상의 방향이다. 예를 들면, 시험편이 MD 및 TD를 갖는 경우, 시험편의 MD에 있어서의 Ei'와, 시험편의 TD에 있어서의 Ei'는, 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
본 실시형태에 있어서, 상기 인장 탄성률 Ei'는 예를 들면, 상기 시험편의 어느 측정 방향에 있어서도, 앞서 예시한 3가지 수치 범위 중 어느 하나여도 된다. 예를 들면, 상기 시험편이 MD 및 TD를 갖는 경우, Ei'는 MD 및 TD의 어느 한쪽 또는 양쪽에 있어서, 앞서 예시한 3가지 수치 범위 중 어느 하나여도 된다. 이 경우, MD에 있어서의 Ei'의 수치 범위와, TD에 있어서의 Ei'의 수치 범위의 조합은 임의이다.
상기 인장 탄성률 Ei'의 측정 대상인 상기 시험편의 두께는 특별히 한정되지 않고, 이들의 측정을 고정밀도로 행할 수 있는 두께이면 된다. 예를 들면, 상기 시험편의 두께는 10∼200㎛여도 된다.
중간층으로 제작한 상기 시험편의 Ei'는 중간층의 함유 성분, 예를 들면, 수지의 종류 및 함유량을 조절함으로써, 조절할 수 있다.
＜인장 탄성률 비 Ei'/Eb'＞
본 실시형태에 있어서는, 기재로 제작한 시험편의 인장 탄성률 Eb'와, 중간층으로 제작한 시험편의 인장 탄성률 Ei'를 이용하여 산출되는, 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'는 0.5 이하이며, 예를 들면, 0.45 이하, 0.4 이하, 및 0.35 이하 중 어느 하나여도 된다. 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'가 상기 상한값 이하임으로써, 상기 다이 본딩 시트의 익스팬드시에 있어서, 기재의 신장에 대해, 커프 폭이 충분히 넓어져, 안정적으로 필름형 접착제를 반도체 칩의 외주를 따라 절단(분할)할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, Eb' 및 Ei'는 모두, 그 측정 대상인 시험편(Eb'의 경우는 기재의 시험편, Ei'의 경우는 중간층의 시험편)의 측정 방향에 따라, 상이할 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'의 산출에 사용하는 Ei' 및 Eb'로는, 상기 다이 본딩 시트에 있어서의, 기재와 중간층의 배치 방향을 반영한 것을 채용한다.
예를 들면, 기재의 시험편과 중간층의 시험편이 모두 MD 및 TD를 갖고 있고, 상기 다이 본딩 시트에 있어서, 기재의 MD와, 중간층의 MD가 일치되어 있는(다시 말하면, 기재의 TD와, 중간층의 TD가 일치되어 있는) 경우에는, 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'는, 이들의 MD 및 TD의 어느 한쪽 또는 양쪽에 있어서, 0.5 이하이며, 예를 들면, 0.45 이하, 0.4 이하, 및 0.35 이하 중 어느 하나여도 된다. 이 경우, MD에 있어서의 Ei'/Eb'의 수치 범위와, TD에 있어서의 Ei'/Eb'의 수치 범위의 조합은 임의이다.
상기 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'의 하한값은 0보다 크면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, Eb'의 바람직한 상한값의 일 예인 200MPa와, Ei'의 바람직한 하한값의 일 예인 10MPa의 조합으로부터 산출된다는 관점에서, 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'는 0.05 이상이어도 된다.
상기 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'는, 상술한 하한값과, 어느 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로, 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'는, 0.05∼0.5, 0.05∼0.45, 0.05∼0.4, 및 0.05∼0.35 중 어느 하나여도 된다.
그리고, 기재의 시험편과 중간층의 시험편이, 모두 MD 및 TD를 갖고 있고, 상기 다이 본딩 시트에 있어서, 기재의 MD와, 중간층의 MD가 일치되어 있는(다시 말하면, 기재의 TD와, 중간층의 TD가 일치되어 있는) 경우에는, 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'는, 이들의 MD 및 TD의 어느 한쪽 또는 양쪽에 있어서, 0.5 이하이며, 0.05∼0.5, 0.05∼0.45, 0.05∼0.4, 및 0.05∼0.35 중 어느 하나여도 된다. 이 경우, MD에 있어서의 Ei'/Eb'의 수치 범위와, TD에 있어서의 Ei'/Eb'의 수치 범위의 조합은 임의이다.
앞서 설명한 바와 같이, 중간층의 폭의 최대값은 점착제층의 폭의 최대값과, 기재의 폭의 최대값보다 작게 되어 있다.
중간층의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼의 크기를 고려하여, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 중간층의 폭의 최대값은 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜여도 된다. 이들 3개의 수치 범위는, 다이 본딩 시트와의 첩부면에 대해 평행한 방향에 있어서의 폭의 최대값이, 150㎜인 반도체 웨이퍼, 200㎜인 반도체 웨이퍼, 또는 300㎜인 반도체 웨이퍼에 대응되고 있다. 단, 본 실시형태에 있어서는, 앞서 설명한 바와 같이, 다이싱 후의 반도체 웨이퍼에 대해, 다이 본딩 시트를 첩부한다. 한편, 「다이싱 후의 반도체 웨이퍼」란, 후술하는 「반도체 칩군」과 동의이다.
본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 「중간층의 폭」이란, 예를 들면, 「중간층의 제1 면에 대해 평행한 방향에 있어서의 폭」을 의미한다. 예를 들면, 평면 형상이 원 형상인 중간층의 경우, 상술한 중간층의 폭의 최대값은 상기 평면 형상인 원의 직경이 된다.
이는 반도체 웨이퍼의 경우도 동일하다. 즉, 「반도체 웨이퍼의 폭」이란, 상술한, 「반도체 웨이퍼의 그 다이 본딩 시트와의 첩부면에 대해 평행한 방향에 있어서의 폭」을 의미한다. 예를 들면, 평면 형상이 원 형상인 반도체 웨이퍼의 경우, 상술한 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값은, 상기 평면 형상인 원의 직경이 된다.
150∼160㎜라는 중간층의 폭의 최대값은, 150㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
동일하게, 200∼210㎜라는 중간층의 폭의 최대값은, 200㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
동일하게, 300∼310㎜라는 중간층의 폭의 최대값은, 300㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
즉, 본 실시형태에 있어서는, 중간층의 폭의 최대값과, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값의 차이는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값이 150㎜, 200㎜, 및 300㎜ 중 어느 것이어도, 0∼10㎜여도 된다.
중간층의 폭의 최대값이 이러한 조건을 만족함으로써, 상기 다이 본딩 시트의 익스팬드에 의한, 필름형 접착제의 절단시에 있어서, 후술하는 절단 후의 필름형 접착제의 목적 외의 비산을 억제하는 효과가 높아진다.
중간층의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으나, 20∼150㎛인 것이 바람직하고, 50∼120㎛인 것이 보다 바람직하다. 중간층의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 중간층의 구조가 보다 안정화된다. 중간층의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 상기 다이 본딩 시트의 익스팬드시에 있어서, 필름형 접착제의 절단성이 보다 향상된다. 또한, 필름형 접착제를 절단 후의 다이 본딩 시트의 익스팬드시(다시 말하면, 상기 적층 시트의 익스팬드시)에 있어서, 커프 폭을 충분히 넓게, 또한 높은 균일성으로 유지하는 효과가, 보다 높아진다.
여기서, 「중간층의 두께」란, 중간층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 중간층의 두께란, 중간층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
중간층은 기재보다 유연한 것이 바람직하다. 예를 들면, Ei'가 Eb' 미만(Ei'＜Eb')인 중간층은 이 조건을 만족하며, 이러한 관점에서 보다 바람직한 중간층으로는, 앞서 설명한 바와 같이, 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'가 0.5 이하가 되는 중간층을 들 수 있다.
○필름형 접착제
상기 필름형 접착제는 경화성을 갖고, 열경화성을 갖는 것이 바람직하고, 감압 접착성을 갖는 것이 바람직하다. 열경화성 및 감압 접착성을 함께 갖는 필름형 접착제는, 미경화 상태에서는 각종 피착체에 가볍게 가압함으로써 첩부할 수 있다. 또한, 필름형 접착제는 가열하여 연화시킴으로써 각종 피착체에 첩부할 수 있는 것이어도 된다. 필름형 접착제는 경화에 의해 최종적으로는 내충격성이 높은 경화물이 되고, 이 경화물은 엄격한 고온·고습도 조건하에 있어서도 충분한 접착 특성을 유지할 수 있다.
다이 본딩 시트를 상방으로부터 내려다보아 평면으로 보았을 때, 필름형 접착제의 면적(즉, 제1 면의 면적)은 분할 전의 반도체 웨이퍼의 면적에 가까워지도록, 기재의 면적(즉, 제1 면의 면적) 및 점착제층의 면적(즉, 제1 면의 면적)보다 작게 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 다이 본딩 시트에서는, 점착제층의 제1 면의 일부에 필름형 접착제와 접촉되어 있지 않는 영역이 존재한다. 이에 의해, 다이 본딩 시트의 익스팬드가 보다 용이해지는 것과 함께, 익스팬드시에 필름형 접착제에 가해지는 힘이 분산되지 않기 때문에, 필름형 접착제의 절단이 보다 용이해진다.
필름형 접착제는 그 구성 재료를 함유하는 접착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 필름형 접착제의 형성 대상면에 접착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 필름형 접착제를 형성할 수 있다.
접착제 조성물의 도공은 상술한 점착제 조성물의 도공의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
접착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않는다. 접착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다.
필름형 접착제는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
앞서 설명한 바와 같이, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 점착제층의 폭의 최대값과, 기재의 폭의 최대값보다 작게 되어 있다.
필름형 접착제의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼의 크기에 대해, 앞서 설명한 중간층의 폭의 최대값과 동일해도 된다.
즉, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼의 크기를 고려하여, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜여도 된다. 이들 3개의 수치 범위는, 다이 본딩 시트와의 첩부면에 대해 평행한 방향에 있어서의 폭의 최대값이, 150㎜인 반도체 웨이퍼, 200㎜인 반도체 웨이퍼, 또는 300㎜인 반도체 웨이퍼에 대응되고 있다.
본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 「필름형 접착제의 폭」이란, 예를 들면, 「필름형 접착제의 제1 면에 대해 평행한 방향에 있어서의 폭」을 의미한다. 예를 들면, 평면 형상이 원 형상인 필름형 접착제의 경우, 상술한 필름형 접착제의 폭의 최대값은 상기 평면 형상인 원의 직경이 된다.
또한, 특별히 언급이 없는 한, 「필름형 접착제의 폭」이란, 후술하는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 과정에 있어서의, 절단 후의 필름형 접착제의 폭이 아니고, 「절단 전(미절단)의 필름형 접착제의 폭」을 의미한다.
150∼160㎜라는 필름형 접착제의 폭의 최대값은, 150㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
200∼210㎜라는 필름형 접착제의 폭의 최대값은, 200㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
동일하게, 300∼310㎜라는 필름형 접착제의 폭의 최대값은, 300㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나, 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.
즉, 본 실시형태에 있어서는, 필름형 접착제의 폭의 최대값과, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값의 차이는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값이 150㎜, 200㎜, 및 300㎜ 중 어느 것이어도, 0∼10㎜여도 된다.
필름형 접착제의 폭의 최대값이 이러한 조건을 만족함으로써, 상기 다이 본딩 시트의 익스팬드에 의한, 필름형 접착제의 절단시에 있어서, 후술하는 절단 후의 필름형 접착제의 목적 외의 비산을 억제하는 효과가 높아진다.
본 실시형태에 있어서는, 중간층의 폭의 최대값과, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 모두, 상술한 수치 범위 중 어느 하나여도 된다.
즉, 본 실시형태의 다이 본딩 시트의 일 예로는, 중간층의 폭의 최대값과, 필름형 접착제의 폭의 최대값이 함께, 150∼160㎜, 200∼210㎜거나, 또는 300∼310㎜인 것을 들 수 있다.
필름형 접착제의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 1∼30㎛인 것이 바람직하고, 2∼20㎛인 것이 보다 바람직하며, 3∼10㎛인 것이 특히 바람직하다. 필름형 접착제의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 피착체(반도체 칩)에 대해 보다 높은 접착력이 얻어진다. 필름형 접착제의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 익스팬드에 의한 필름형 접착제의 절단성이 보다 향상하고, 또한, 필름형 접착제에서 유래하는 절단편의 발생량을 보다 저감할 수 있다.
여기서, 「필름형 접착제의 두께」란, 필름형 접착제 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 필름형 접착제의 두께란, 필름형 접착제를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
이어서, 상기 접착제 조성물에 대해 설명한다.
＜＜접착제 조성물＞＞
바람직한 접착제 조성물로는, 예를 들면, 중합체 성분(a) 및 열경화성 성분(b)을 함유하는 것을 들 수 있다. 이하, 각 성분에 대해 설명한다.
한편, 이하에 나타내는 접착제 조성물은 바람직한 일 예이며, 본 실시형태에 있어서의 접착제 조성물은 이하에 나타내는 것에 한정되지 않는다.
[중합체 성분(a)]
중합체 성분(a)은 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 간주할 수 있는 성분이며, 필름형 접착제에 조막성이나 가요성 등을 부여함과 함께, 반도체 칩 등의 접착 대상에 대한 접착성(다시 말하면, 첩부성)을 향상시키기 위한 중합체 화합물이다. 또한, 중합체 성분(a)은 후술하는 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)에 해당하지 않는 성분이기도 하다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 중합체 성분(a)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
중합체 성분(a)으로는, 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있고, 아크릴 수지가 바람직하다.
접착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 중합체 성분(a)의 함유량의 비율(즉, 필름형 접착제에 있어서의, 필름형 접착제의 총 질량에 대한 중합체 성분(a)의 함유량의 비율)은, 20∼75질량％인 것이 바람직하고, 30∼65질량％인 것이 보다 바람직하다.
[열경화성 성분(b)]
열경화성 성분(b)은 열경화성을 갖고, 필름형 접착제를 열경화시키기 위한 성분이다.
열경화성 성분(b)은 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)로 이루어진다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 열경화성 성분(b)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
·에폭시 수지(b1)
에폭시 수지(b1)로는, 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오쏘크레졸 노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있다.
에폭시 수지(b1)로는, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는, 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴 수지와의 상용성이 높다. 이 때문에, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용함으로써, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상된다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 에폭시 수지(b1)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
·열경화제(b2)
열경화제(b2)는 에폭시 수지(b1)에 대한 경화제로서 기능한다.
열경화제(b2)로는, 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는, 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하고, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다.
열경화제(b2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로는, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다.
열경화제(b2) 중, 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는, 예를 들면, 디시안디아미드(DICY) 등을 들 수 있다.
열경화제(b2)는 불포화 탄화수소기를 갖고 있어도 된다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 열경화제(b2)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 열경화제(b2)의 함유량은 에폭시 수지(b1)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼500질량부인 것이 바람직하고, 1∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 1∼100질량부, 1∼50질량부, 및 1∼25질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화제(b2)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 필름형 접착제의 경화가 보다 진행되기 쉬워진다. 열경화제(b2)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 필름형 접착제의 흡습률이 저감되어, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 열경화성 성분(b)의 함유량(즉, 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)의 총 함유량)은, 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 5∼100질량부인 것이 바람직하고, 5∼75질량부인 것이 보다 바람직하며, 5∼50질량부인 것이 특히 바람직하고, 예를 들면, 5∼35질량부 및 5∼20질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화성 성분(b)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 중간층과 필름형 접착제 사이의 박리력이 보다 안정된다.
상기 필름형 접착제는 그 각종 물성을 개량하기 위해, 중합체 성분(a) 및 열경화성 성분(b) 이외에 추가로, 필요에 따라, 이들에 해당하지 않는 다른 성분을 함유하고 있어도 된다.
상기 필름형 접착제가 함유하는 다른 성분으로 바람직한 것으로는, 예를 들면, 경화 촉진제(c), 충전재(d), 커플링제(e), 가교제(f), 에너지선 경화성 수지(g), 광중합 개시제(h), 범용 첨가제(i) 등을 들 수 있다.
[경화 촉진제(c)]
경화 촉진제(c)는 접착제 조성물의 경화 속도를 조절하기 위한 성분이다.
바람직한 경화 촉진제(c)로는, 예를 들면, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3차 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류(1개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸); 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀등의 유기 포스핀류(1개 이상의 수소 원자가 유기기로 치환된 포스핀); 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 경화 촉진제(c)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
경화 촉진제(c)를 사용하는 경우, 접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 경화 촉진제(c)의 함유량은 열경화성 성분(b)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼5질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제(c)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제(c)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 경화 촉진제(c)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 예를 들면, 고극성 경화 촉진제(c)가, 고온·고습도 조건하에서 필름형 접착제 중에 있어서 피착체와의 접착 계면측으로 이동하여 편석하는 것을 억제하는 효과가 높아져, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.
[충전재(d)]
필름형 접착제는 충전재(d)를 함유함으로써, 익스팬드에 의한 그 절단성이 보다 향상된다. 또한, 필름형 접착제는 충전재(d)를 함유함으로써, 그 열팽창 계수의 조정이 용이해지고, 이 열팽창 계수를 필름형 접착제의 첩부 대상물에 대해 최적화함으로써, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 필름형 접착제가 충전재(d)를 함유함으로써, 경화 후의 필름형 접착제의 흡습률을 저감하거나 방열성을 향상시킬 수도 있다.
충전재(d)는 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 것이어도 되나, 무기 충전재인 것이 바람직하다.
바람직한 무기 충전재로는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 충전재(d)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
충전재(d)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재(d)의 함유량의 비율(즉, 필름형 접착제에 있어서의, 필름형 접착제의 총 질량에 대한 충전재(d)의 함유량의 비율)은, 5∼80질량％인 것이 바람직하고, 10∼70질량％인 것이 보다 바람직하며, 20∼60질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기의 충전재(d)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다.
[커플링제(e)]
필름형 접착제는 커플링제(e)를 함유함으로써, 피착체에 대한 접착성 및 밀착성이 향상된다. 또한, 필름형 접착제가 커플링제(e)를 함유함으로써, 그 경화물은 내열성을 저해하지 않고, 내수성이 향상된다. 커플링제(e)는 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는다.
커플링제(e)는 중합체 성분(a), 열경화성 성분(b) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 커플링제(e)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
커플링제(e)를 사용하는 경우, 접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 커플링제(e)의 함유량은 중합체 성분(a) 및 열경화성 성분(b)의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.03∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(d)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 필름형 접착제의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(e)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다.
[가교제(f)]
중합체 성분(a)으로서 상술한 아크릴 수지 등의, 다른 화합물과 결합 가능한 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 것을 사용하는 경우, 접착제 조성물 및 필름형 접착제는 가교제(f)를 함유하고 있어도 된다. 가교제(f)는 중합체 성분(a) 중의 상기 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위한 성분이며, 이와 같이 가교함으로써, 필름형 접착제의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다.
가교제(f)로는, 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제), 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.
가교제(f)로서 유기 다가 이소시아네이트 화합물을 사용하는 경우, 중합체 성분(a)으로는, 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(f)가 이소시아네이트기를 갖고, 중합체 성분(a)이 수산기를 갖는 경우, 가교제(f)와 중합체 성분(a)의 반응에 의해, 필름형 접착제에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 가교제(f)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
가교제(f)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 가교제(f)의 함유량은 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 가교제(f)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 가교제(f)의 과잉 사용이 억제된다.
[에너지선 경화성 수지(g)]
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 에너지선 경화성 수지(g)를 함유하고 있음으로써, 필름형 접착제는 에너지선의 조사에 의해, 그 특성을 변화시킬 수 있다.
에너지선 경화성 수지(g)는 에너지선 경화성 화합물을 중합(경화)하여 얻어진 것이다.
상기 에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들면, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다.
접착제 조성물이 함유하는 에너지선 경화성 수지(g)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
에너지선 경화성 수지(g)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 접착제 조성물의 총 질량에 대한 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량의 비율은, 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다.
[광중합 개시제(h)]
접착제 조성물 및 필름형 접착제는 에너지선 경화성 수지(g)를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 수지(g)의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제(h)를 함유하고 있어도 된다.
접착제 조성물에 있어서의 광중합 개시제(h)로는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설피드, 테트라메틸티우람모노설피드 등의 설피드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 1-클로로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 광중합 개시제(h)로는, 예를 들면, 아민 등의 광증감제 등도 들 수 있다.
접착제 조성물이 함유하는 광중합 개시제(h)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
광중합 개시제(h)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 광중합 개시제(h)의 함유량은 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼20질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 2∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
[범용 첨가제(i)]
범용 첨가제(I)는 공지의 것이어도 되고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있어 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 착색제(염료, 안료), 게터링제 등을 들 수 있다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 범용 첨가제(i)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
접착제 조성물 및 필름형 접착제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다.
[용매]
접착제 조성물은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 접착제 조성물은 취급성이 양호해진다.
상기 용매는 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.
접착제 조성물이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
접착제 조성물이 함유하는 용매는 접착제 조성물 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.
접착제 조성물의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜＜접착제 조성물의 제조 방법＞＞
접착제 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
접착제 조성물은 예를 들면, 배합 성분의 종류가 상이한 점 이외에는, 앞서 설명한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
○대전 방지층
상기 다이 본딩 시트에 있어서는, 그 중 어느 하나의 층을 대전 방지층으로 할 수 있다.
이러한 경우, 바람직한 상기 다이 본딩 시트로는, 예를 들면, 상기 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고, 또한, 상기 기재는 상기 점착제층측과는 반대측에 위치하는 면 상에 대전 방지층(본 명세서에 있어서는, 「배면 대전 방지층」으로 약기하는 경우가 있다)을 구비하고 있는 다이 본딩 시트를 들 수 있다.
또한, 바람직한 상기 다이 본딩 시트로는, 예를 들면, 상기 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고, 또한, 상기 기재는 대전 방지성을 갖는(본 명세서에 있어서는, 이 기재를 「대전 방지성 기재」로 약기하는 경우가 있다) 다이 본딩 시트를 들 수 있다.
또한, 바람직한 상기 다이 본딩 시트로는, 예를 들면, 상기 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고, 또한, 대전 방지층으로서 상기 기재의, 상기 점착제층측에 위치하는 면 상에 대전 방지층(본 명세서에 있어서는, 「표면 대전 방지층」으로 약기하는 경우가 있다)을 구비한 다이 본딩 시트를 들 수 있다.
상기 대전 방지층(배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층)은 모두 대전 방지제를 함유한다. 이들 중에서도, 배면 대전 방지층 또는 대전 방지성 기재를 구비한 다이 본딩 시트가 바람직하다.
다이 본딩 시트의 상기 표면 저항률은 1.0×1011Ω／□ 이하여도 된다. 후술하는 바와 같이, 상기 표면 저항률이 1.0×1011Ω／□ 이하임으로써, 반도체 칩 중의 회로의 파괴가 억제된다.
본 발명의 다이 본딩 시트는 반도체군의 이면에 첩부되고, 다이 본딩 시트 및 반도체군으로 구성되는 적층체를 형성하고, 이 적층체의 기재측의 면이 다이싱 테이블 상에 고정된다.
이어서, 다이싱 테이블 상에 고정된 상태의 이 적층체에 있어서, 반도체 웨이퍼를 분할하여, 필름형 접착제를 절단하고, 기판, 점착제층, 중간층, 절단 후의 필름형 접착제, 및 분할 후의 반도체 웨이퍼(즉, 반도체 칩)를 이 순서로 구비한 적층체(이하, 「분할된 적층체」로 약기한다)를 얻는다.
이어서, 분할된 적층체의, 다이싱 테이블 상에서의 고정 상태를 해제하고, 적층체를 세정용 테이블 상에 반송하고, 이 테이블 상에 고정한다.
이어서, 세정용 테이블 상에 고정된 상태의 적층체를 물로 세정하여, 전 공정에서의 다이싱시에 발생되어 부착된 절삭 부스러기를 씻어내어 제거한다. 이 절삭 부스러기는 반도체 웨이퍼, 필름형 접착제에서 유래한다. 세정은 통상, 세정용 테이블을 회전시키면서 행한다.
이어서, 이 세정 후의 분할된 적층체의, 세정용 테이블 상에서의 고정 상태를 해제하고, 적층체를 건조용 테이블 상에 반송하고, 이 테이블 상에 고정한다.
이어서, 건조용 테이블 상에 고정된 상태의 적층체를 건조시켜, 전 공정에서의 세정시 부착된 물을 제거한다. 건조는 통상, 건조용 테이블을 회전시키면서 행한다.
이어서, 이 건조 후의 분할된 적층체의, 건조용 테이블 상에서의 고정 상태를 해제하고, 다음 공정을 행하는 장치에 적층체를 반송하고, 다음 공정을 행한다. 그리고, 최종적으로, 절단된 필름형 접착제를 이면에 구비한 반도체 칩(필름형 접착제가 형성된 반도체 칩)을 중간층으로부터 분리하여 픽업한다.
이상과 같이, 분할된 적층체는 어느 테이블 상에 고정되고, 작업을 한 후, 이 고정 상태가 해제되고, 다음 공정을 행하는 개소에 반송된다. 이들 적층체는 예를 들면, 어느 테이블에 있어서도, 흡착에 의해 고정되고, 흡착 해제 후, 테이블로부터 분리되고, 다음 개소에 반송된다. 통상, 이들 테이블은 모두, 그 두께 방향에 있어서 관통하는 공극부를 갖고 있고, 테이블의 상기 적층체와 접촉되어 있는 측과는 반대측이 감압됨으로써, 상기 적층체는 테이블 상에서 흡착되어 고정된다.
상술한 바와 같이, 반도체 웨이퍼와 상기 다이 본딩 시트를 사용하여, 이면에 필름형 접착제를 구비한 반도체 칩을 제조하는 과정에서는, 이 적층체를, 테이블 상에서 고정한 상태로 하고, 이어서, 테이블 상의 고정면으로부터 분리한다는 조작을 행한다. 상기 다이 본딩 시트에 있어서, 상기 기재의 최표층의 상기 표면 저항률이 1.0×1011Ω／□ 이하임으로써, 상기 적층체의 분리시의 대전(본 명세서에 있어서는, 「분리시 대전」으로 칭하는 경우가 있다)이 억제된다. 그 결과, 이 분리시의 반도체 칩 중의 회로의 파괴가 억제된다.
상기 다이 본딩 시트의 상기 표면 저항률은, 실시예에 있어서도 후술하는 바와 같이, 다이 본딩 시트 중의 기재측의 최표층을 측정 대상으로 하고, 표면 저항률계를 이용하여, 인가 전압을 100V로 하여 측정할 수 있다.
○배면 대전 방지층
상기 배면 대전 방지층은 시트형 또는 필름형이며, 대전 방지제를 함유한다.
상기 배면 대전 방지층은 상기 대전 방지제 이외에, 수지를 함유하고 있어도 된다.
배면 대전 방지층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
배면 대전 방지층의 두께는 200㎚ 이하인 것이 바람직하고, 180㎚ 이하인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 100㎚ 이하여도 된다. 두께가 200㎚ 이하인 배면 대전 방지층에 있어서는, 충분한 대전 방지능을 유지하면서, 대전 방지제의 사용량을 저감할 수 있기 때문에, 이러한 배면 대전 방지층을 구비한 다이 본딩 시트의 비용을 저감할 수 있다. 또한, 배면 대전 방지층의 두께가 100㎚ 이하인 경우에는, 상술한 효과에 추가로, 배면 대전 방지층을 구비하고 있는 것에 의한, 다이 본딩 시트의 특성의 변동을 최소한으로 억제할 수 있다는 효과도 얻어진다. 상기 특성으로는, 예를 들면, 익스팬드성을 들 수 있다.
여기서, 「배면 대전 방지층의 두께」란, 배면 대전 방지층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 배면 대전 방지층의 두께란, 배면 대전 방지층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
배면 대전 방지층의 두께는 10㎚ 이상인 것이 바람직하고, 예를 들면, 20㎚ 이상, 30㎚ 이상, 40㎚ 이상, 및 65㎚ 이상 중 어느 하나여도 된다. 두께가 상기 하한값 이상인 배면 대전 방지층은 형성이 보다 용이하며, 또한, 구조가 보다 안정적이다.
배면 대전 방지층의 두께는 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로, 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 배면 대전 방지층의 두께는 10∼200㎚인 것이 바람직하고, 예를 들면, 20㎚∼200㎚, 30∼200㎚, 40∼180㎚, 및 65∼100㎚ 중 어느 하나여도 된다. 단, 이들은 배면 대전 방지층의 두께의 일 예이다.
배면 대전 방지층은 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다.
예를 들면, 필름형 접착제가 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 배면 대전 방지층은 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.
예를 들면, 다이 본딩 시트 중의 필름형 접착제를, 배면 대전 방지층을 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서는, 배면 대전 방지층은 투명인 것이 바람직하다.
＜＜대전 방지 조성물(VI-1))＞＞
배면 대전 방지층은 상기 대전 방지제를 함유하는 대전 방지 조성물(VI-1)을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 배면 대전 방지층의 형성 대상면에 대전 방지 조성물(VI-1)을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 배면 대전 방지층을 형성할 수 있다. 대전 방지 조성물(VI-1)에 있어서의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 배면 대전 방지층에 있어서의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다.
배면 대전 방지층의 보다 구체적인 형성 방법은, 다른 층의 형성 방법과 함께, 추후 상세하게 설명한다.
대전 방지 조성물(VI-1)의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 상술한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법이어도 된다.
기재 상에 배면 대전 방지층을 형성하는 경우에는, 예를 들면, 기재 상에 대전 방지 조성물(VI-1)을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 기재 상에 배면 대전 방지층을 적층하면 된다. 또한, 기재 상에 배면 대전 방지층을 형성하는 경우에는, 예를 들면, 박리 필름 상에 대전 방지 조성물(VI-1)을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 배면 대전 방지층을 형성해 두고, 이 배면 대전 방지층의 노출면을 기재의 한쪽 표면과 첩합함으로써, 기재 상에 배면 대전 방지층을 적층해도 된다. 이 경우의 박리 필름은 다이 본딩 시트의 제조 과정 또는 사용 과정 중 어느 타이밍에서 제거하면 된다.
대전 방지 조성물(VI-1)의 건조 조건은 특별히 한정되지 않으나, 대전 방지 조성물(VI-1)은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 그리고, 용매를 함유하는 대전 방지 조성물(VI-1)은 예를 들면, 40∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다.
대전 방지 조성물(VI-1)은 상기 대전 방지제 이외에, 상기 수지를 함유하고 있어도 된다.
[대전 방지제]
상기 대전 방지제는 도전성 화합물 등 공지의 것이어도 되고, 특별히 한정되지 않는다. 상기 대전 방지제는 예를 들면, 저분자 화합물 및 고분자 화합물(다시 말하면, 올리고머 또는 폴리머) 중 어느 것이어도 된다.
상기 대전 방지제 중, 저분자 화합물로는, 예를 들면, 각종 이온 액체를 들 수 있다.
상기 이온 액체로는, 예를 들면, 피리미디늄염, 피리디늄염, 피페리디늄염, 피롤리디늄염, 이미다졸륨염, 모르폴리늄염, 설포늄염, 포스포늄염, 암모늄염 등 공지의 것을 들 수 있다.
상기 대전 방지제 중, 고분자 화합물로는, 예를 들면, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌설포네이트(본 명세서에 있어서는, 「PEDOT/PSS」로 칭하는 경우가 있다), 폴리피롤, 카본 나노 튜브 등을 들 수 있다. 상기 폴리피롤은 복수개(다수)의 피롤 골격을 갖는 올리고머 또는 폴리머이다.
대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 대전 방지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 대전 방지제의 함유량의 비율(즉, 배면 대전 방지층에 있어서의, 배면 대전 방지층의 총 질량에 대한 대전 방지제의 함유량의 비율)은, 예를 들면, 0.1∼30질량％ 및 0.5∼15질량％ 중 어느 하나여도 된다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 다이 본딩 시트의 박리 대전의 억제 효과가 높아지고, 그 결과, 필름형 접착제와 반도체 웨이퍼 사이의 이물질 혼입의 억제 효과가 높아진다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 배면 대전 방지층의 강도가 보다 높아진다.
[수지]
대전 방지 조성물(VI-1) 및 배면 대전 방지층이 함유하는 상기 수지는, 경화성 및 비경화성 중 어느 것이어도 되고, 경화성인 경우, 에너지선 경화성 및 열경화성 중 어느 것이어도 된다.
바람직한 상기 수지로는, 예를 들면, 바인더 수지로서 기능하는 것을 들 수 있다.
상기 수지로서, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 아크릴 수지 등을 들 수 있고, 에너지선 경화성 아크릴 수지인 것이 바람직하다.
대전 방지 조성물(VI-1) 및 배면 대전 방지층에 있어서의 상기 아크릴 수지로는, 예를 들면, 상기 점착제층에 있어서의 아크릴 수지와 동일한 것을 들 수 있다. 대전 방지 조성물(VI-1) 및 배면 대전 방지층에 있어서의 상기 에너지선 경화성 아크릴 수지로는, 예를 들면, 상기 점착제층에 있어서의 점착성 수지(I-2a)와 동일한 것을 들 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-1) 및 배면 대전 방지층이 함유하는 상기 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 상기 수지의 함유량의 비율(즉, 배면 대전 방지층에 있어서의, 배면 대전 방지층의 총 질량에 대한 상기 수지의 함유량의 비율)은, 예를 들면, 30∼99.9질량％, 35∼98질량％, 60∼98질량％, 및 85∼98질량％ 중 어느 하나여도 된다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 배면 대전 방지층의 강도가 보다 높아진다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 대전 방지층의 대전 방지제의 함유량을 보다 많이 하는 것이 가능해진다.
[에너지선 경화성 화합물, 광중합 개시제]
대전 방지 조성물(VI-1)은 에너지선 경화성 상기 수지를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 화합물을 함유하고 있어도 된다.
또한, 대전 방지 조성물(VI-1)은 에너지선 경화성 상기 수지를 함유하는 경우, 상기 수지의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다.
대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는, 상기 에너지선 경화성 화합물 및 광중합 개시제로는, 예를 들면, 각각, 점착제 조성물(I-1)이 함유하는, 에너지선 경화성 화합물 및 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 에너지선 경화성 화합물 및 광중합 개시제는, 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-1)의 에너지선 경화성 화합물 및 광중합 개시제의 함유량은, 각각, 특별히 한정되지 않고, 상기 수지, 에너지선 경화성 화합물 또는 광중합 개시제의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
[그 밖의 첨가제, 용매]
대전 방지 조성물(VI-1)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
또한, 대전 방지 조성물(VI-1)은 상술한 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다.
대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 상술한 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 그 밖의 첨가제(단, 대전 방지제를 제외한다) 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. 또한, 대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 상기 그 밖의 첨가제로는, 상기의 것 이외에도, 유화제도 들 수 있다. 또한, 대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 용매로는, 상기의 것 이외에도, 에탄올 등의 다른 알코올; 2-메톡시에탄올(에틸렌글리콜모노메틸에테르), 2-에톡시에탄올(에틸렌글리콜모노에틸에테르), 1-메톡시-2-프로판올(프로필렌글리콜모노메틸에테르) 등의 알콕시알코올 등도 들 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-1)의, 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜＜대전 방지 조성물(VI-1)의 제조 방법＞＞
대전 방지 조성물(VI-1)은 상기 대전 방지제와, 필요에 따라 상기 대전 방지제 이외의 성분 등의, 대전 방지 조성물(VI-1)을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
대전 방지 조성물(VI-1)은 배합 성분이 상이한 점 이외에는, 상술한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
○대전 방지성 기재
상기 대전 방지성 기재는 시트형 또는 필름형이며, 대전 방지성을 갖고, 추가로, 상기 기재와 동일한 기능도 갖는다.
상기 다이 본딩 시트에 있어서, 대전 방지성 기재는 앞서 설명한 기재와 배면 대전 방지층과의 적층물과 동일한 기능을 갖고, 이 적층물 대신에 배치할 수 있다.
대전 방지성 기재는 대전 방지제 및 수지를 함유하고, 예를 들면, 추가로 대전 방지제를 함유하는 점 이외에는, 앞서 설명한 기재와 동일해도 된다.
대전 방지성 기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
대전 방지성 기재의 두께는 예를 들면, 앞서 설명한 기재의 두께와 동일해도 된다. 대전 방지성 기재의 두께가 이러한 범위임으로써, 상기 다이 본딩 시트의 가요성과, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 첩부성이 보다 향상된다.
여기서, 「대전 방지성 기재의 두께」란, 대전 방지성 기재 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 대전 방지성 기재의 두께란, 대전 방지성 기재를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.
대전 방지성 기재는 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다.
예를 들면, 필름형 접착제가 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 배면 대전 방지층은 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.
예를 들면, 다이 본딩 시트 중의 필름형 접착제를, 대전 방지성 기재를 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서는, 대전 방지성 기재는 투명인 것이 바람직하다.
대전 방지성 기재는 그 위에 형성되는 층(예를 들면, 점착제층, 중간층, 또는 필름형 접착제)와의 접착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리; 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리; 등이 표면에 실시되어 있어도 된다. 또한, 대전 방지성 기재는 표면이 프라이머 처리되어 있어도 된다.
＜＜대전 방지 조성물(VI-2))＞＞
대전 방지성 기재는 예를 들면, 상기 대전 방지제 및 수지를 함유하는 대전 방지 조성물(VI-2)을 성형함으로써 제조할 수 있다. 대전 방지 조성물(VI-2)에 있어서의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 대전 방지성 기재에 있어서의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다.
대전 방지 조성물(VI-2)의 성형은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 상기 기재의 제조시에 있어서, 상기 수지 조성물을 성형하는 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
[대전 방지제]
대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 대전 방지제로는, 상기 배면 대전 방지층이 함유하는 대전 방지제와 동일한 것을 들 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 대전 방지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-2) 및 대전 방지성 기재에 있어서, 상기 대전 방지제 및 수지의 합계 함유량에 대한 상기 대전 방지제의 함유량의 비율은, 7.5질량％ 이상인 것이 바람직하고, 8.5질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 다이 본딩 시트의 박리 대전의 억제 효과가 높아지고, 그 결과, 필름형 접착제와 반도체 웨이퍼 사이의 이물질 혼입의 억제 효과가 높아진다.
대전 방지 조성물(VI-2) 및 대전 방지성 기재에 있어서, 상기 대전 방지제 및 수지의 합계 함유량에 대한 상기 대전 방지제의 함유량의 비율의 상한값은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 대전 방지제의 상용성이 보다 양호해지는 점에서는, 상기 비율은 20질량％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 대전 방지제의 함유량의 비율은 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로, 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 상기 비율은 7.5∼20질량％인 것이 바람직하고, 8.5∼20질량％인 것이 보다 바람직하다. 단, 이들은 상기 비율의 일 예이다.
[수지]
대전 방지 조성물(VI-2) 및 대전 방지성 기재가 함유하는 수지로는, 상기 기재가 함유하는 수지와 동일한 것을 들 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-2) 및 대전 방지성 기재가 함유하는 상기 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-2)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 상기 수지의 함유량의 비율(즉, 대전 방지성 기재에 있어서의, 대전 방지성 기재의 총 질량에 대한 상기 수지의 함유량의 비율)은, 30∼99.9질량％인 것이 바람직하고, 35∼98질량％인 것이 보다 바람직하며, 60∼98질량％인 것이 더욱 바람직하고, 85∼98질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 대전 방지성 기재의 강도가 보다 높아진다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 대전 방지성 기재의 대전 방지제의 함유량을 보다 많이 하는 것이 가능해진다.
[광중합 개시제]
대전 방지 조성물(VI-2)은 에너지선 경화성 상기 수지를 함유하는 경우, 상기 수지의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다.
대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 상기 광중합 개시제로는, 예를 들면, 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-2)의 광중합 개시제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 상기 수지 또는 광중합 개시제의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
[첨가제, 용매]
대전 방지 조성물(VI-2)은 상기 대전 방지제, 수지 및 광중합 개시제 이외에, 이들의 어느 것에도 해당하지 않는, 충전재, 착색제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 상기 첨가제로는, 상술한 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 그 밖의 첨가제(단, 대전 방지제를 제외한다)와 동일한 것을 들 수 있다.
또한, 대전 방지 조성물(VI-2)은 그 유동성을 향상시키기 위해, 용매를 함유하고 있어도 된다.
대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 상기 용매로는, 상술한 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 용매와 동일한 것을 들 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 대전 방지제 및 수지는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
대전 방지 조성물(VI-2)의, 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜＜대전 방지 조성물(VI-2)의 제조 방법＞＞
대전 방지 조성물(VI-2)은 상기 대전 방지제와, 상기 수지와, 필요에 따라 이들 이외의 성분 등의, 대전 방지 조성물(VI-2)을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
대전 방지 조성물(VI-2)은 배합 성분이 상이한 점 이외에는, 상술한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
○표면 대전 방지층
상기 표면 대전 방지층은 다이 본딩 시트에 있어서의 그 배치 위치가 상기 배면 대전 방지층과는 상이하지만, 그 구성 자체는 상기 배면 대전 방지층과 동일하다. 예를 들면, 표면 대전 방지층은 대전 방지 조성물(VI-1)을 사용하여, 앞서 설명한 배면 대전 방지층의 형성 방법과 동일한 방법으로 형성할 수 있다. 이에, 표면 대전 방지층의 상세한 설명은 생략한다.
다이 본딩 시트가 표면 대전 방지층 및 배면 대전 방지층을 함께 구비하고 있는 경우, 이들 표면 대전 방지층 및 배면 대전 방지층은 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.
상기 다이 본딩 시트의 일 실시형태로는, 예를 들면, 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고,
[상기 중간층의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]／[상기 기재의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]의 값이 0.5 이하이며, 상기 기재는 상기 기재의 한쪽 면 또는 양면 상에 대전 방지층을 구비하고 있거나, 또는, 상기 기재는 대전 방지성을 갖고 있고, 상기 기재측의 최표층의 표면 저항률이, 1.0×1011Ω／□ 이하인 것을 들 수 있다.
상기 다이 본딩 시트의 일 실시형태로는, 예를 들면, 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고,
[상기 중간층의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]／[상기 기재의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]의 값이 0.5 이하이며, 상기 기재는 상기 점착제층측과는 반대측에 위치하는 면 상에 대전 방지층을 구비하고, 상기 기재의 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω／□ 이하인 것을 들 수 있다.
상기 다이 본딩 시트의 일 실시형태로는, 예를 들면, 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고,
[상기 중간층의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]／[상기 기재의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]의 값이 0.5 이하이며, 상기 기재는 대전 방지성을 갖고, 상기 기재의 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω／□ 이하인 것을 들 수 있다.
상기 다이 본딩 시트의 일 실시형태로는, 예를 들면, 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고,
[상기 중간층의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]／[상기 기재의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]의 값이 0.5 이하이며, 상기 기재는 상기 점착제층측에 위치하는 면 상에 대전 방지층을 구비하고, 상기 기재의 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω／□ 이하인 것을 들 수 있다.
◇다이 본딩 시트의 제조 방법
상기 다이 본딩 시트는 상술한 각 층을 대응하는 위치 관계가 되도록 적층함으로써 제조할 수 있다. 각 층의 형성 방법은 앞서 설명한 바와 같다.
상기 다이 본딩 시트는 예를 들면, 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제를 각각 미리 준비해 두고, 이들을 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제의 순서가 되도록 첩합하여 적층함으로써, 제조할 수 있다. 이 때, 필요에 따라, 기재 및 중간층의 MD 또는 TD가 목적으로 하는 방향이 되도록, 기재 및 중간층의 배치 방향을 조절한다.
또한, 상기 다이 본딩 시트는 이를 구성하기 위한, 복수의 층이 적층되어 구성된, 2종 이상의 중간 적층체를 미리 제작해 두고, 이들 중간 적층체끼리를 첩합함으로써도, 제조할 수 있다. 중간 적층체의 구성은 적절히 임의로 선택할 수 있다. 예를 들면, 기재 및 점착제층이 적층된 구성을 갖는 제1 중간 적층체와, 중간층 및 필름형 접착제가 적층된 구성을 갖는 제2 중간 적층체를 미리 제작해 두고, 제1 중간 적층체 중의 점착제층과, 제2 중간 적층체 중의 중간층을 첩합함으로써, 다이 본딩 시트를 제조할 수 있다. 단, 이 제조 방법은 일 예이다.
필름형 접착제 상에 박리 필름을 구비한 상태의 다이 본딩 시트를 제조하는 경우에는, 예를 들면, 박리 필름 상에 필름형 접착제를 제작하고, 이 상태를 유지한 채로, 나머지 층을 적층하여, 다이 본딩 시트를 제작해도 되고, 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제를 모두 적층한 후, 필름형 접착제 상에 박리 필름을 적층하여, 다이 본딩 시트를 제작해도 된다. 박리 필름은 다이 본딩 시트의 사용시까지, 필요한 단계에서 제거하면 된다.
기재, 점착제층, 중간층, 필름형 접착제, 및 박리 필름 이외의 다른 층을 구비하고 있는 다이 본딩 시트는, 상술한 제조 방법에 있어서, 적절한 타이밍에서, 이 다른 층을 형성하고 적층하는 공정을 추가하여 행함으로써, 제조할 수 있다.
◇다이 본딩 시트의 사용 방법(필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법)
상기 다이 본딩 시트는 반도체 장치의 제조 과정에 있어서, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조시에 사용할 수 있다.
이하, 도면을 참조하면서, 상기 다이 본딩 시트의 사용 방법(필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법)에 대해, 상세하게 설명한다.
도 3은 다이 본딩 시트의 사용 대상인 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 도 4는 상기 다이 본딩 시트의 사용 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는, 도 1에 나타내는 다이 본딩 시트(101)를 예로 들어, 그 사용 방법에 대해 설명한다.
우선, 다이 본딩 시트(101)의 사용에 앞서, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')를 준비하고, 그 회로 형성면(9a')에 백 그라인드 테이프(표면 보호 테이프)(8)를 첩부한다.
도 3 중, 부호 W9'는 반도체 웨이퍼(9')의 폭을 나타내고 있다.
이어서, 반도체 웨이퍼(9')의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광(도시 생략)을 조사함으로써, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 내부에 개질층(90')을 형성한다.
상기 레이저광은 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')측으로부터, 반도체 웨이퍼(9')에 조사하는 것이 바람직하다.
이어서, 그라인더(도시 생략)를 이용하여, 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')을 연삭한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(9')의 두께를 목적으로 하는 값으로 조절함과 함께, 이 때의 반도체 웨이퍼(9')에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 개질층(90')의 형성 부위에 있어서, 반도체 웨이퍼(9')를 분할하여, 도 3c에 나타내는 바와 같이, 복수개의 반도체 칩(9)을 형성한다.
도 3 중, 부호 9a는 반도체 칩(9)의 회로 형성면을 나타내고 있고, 반도체 웨이퍼(9')의 회로 형성면(9a')에 대응되고 있다. 또한, 부호 9b는 반도체 칩(9)의 이면을 나타내고 있고, 반도체 웨이퍼(9')의 연삭 후의 이면(9b')에 대응되고 있다.
이상에 의해, 다이 본딩 시트(101)의 사용 대상인 반도체 칩(9)이 얻어진다. 보다 구체적으로는, 본 공정에 의해, 백 그라인드 테이프(8) 상에서 복수개의 반도체 칩(9)이 정렬되어 고정된 상태의 반도체 칩군(901)이 얻어진다.
반도체 칩군(901)을 그 상방으로부터 내려다보아 평면으로 보았을 때, 반도체 칩군(901)의 가장 외측의 부위를 이어 형성되는 평면 형상(본 명세서에 있어서는, 이러한 평면 형상을 단순히 「반도체 칩군의 평면 형상」으로 칭하는 경우가 있다)은, 반도체 웨이퍼(9')를 동일하게 평면으로 보았을 때의 평면 형상과 완전히 동일하거나, 또는, 이들 평면 형상끼리의 차이점은 무시할 수 있을 정도로 경미하여, 반도체 칩군(901)의 상기 평면 형상은 반도체 웨이퍼(9')의 상기 평면 형상과 대체로 동일하다고 할 수 있다.
따라서, 반도체 칩군(901)의 상기 평면 형상의 폭은, 도 3c에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')과 동일하다고 간주할 수 있다. 그리고, 반도체 칩군(901)의 상기 평면 형상의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')의 최대값과 동일하다고 간주할 수 있다.
한편, 여기서는, 반도체 웨이퍼(9')로부터 반도체 칩(9)을 목적과 같이 형성할 수 있었던 경우에 대해 나타내고 있으나, 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')의 연삭시의 조건에 따라서는, 반도체 웨이퍼(9')의 일부의 영역에 있어서, 반도체 칩(9)으로의 분할이 행해지지 않는 경우도 있다.
이어서, 상기에서 얻어진 반도체 칩(9)(반도체 칩군(901))을 사용하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조한다.
우선, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 박리 필름(15)을 제거한 상태의, 1장의 다이 본딩 시트(101)를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제(14)를 반도체 칩군(901) 중의 모든 반도체 칩(9)의 이면(9b)에 첩부한다.
본 공정에서는, 다이 본딩 시트(101)를 사용함으로써, 다이 본딩 시트(101)를 가열하면서 그 필름형 접착제(14)에 의해, 반도체 칩(9)에 안정적으로 첩부할 수 있다.
다이 본딩 시트(101) 중의 중간층(13)의 폭(W13)의 최대값과, 필름형 접착제(14)의 폭(W14)의 최대값은 모두, 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')(다시 말하면, 반도체 칩군(901)의 폭)의 최대값과 완전히 동일하거나, 또는, 동일하지는 않으나 오차가 경미하여, 대략 동등하게 되어 있다.
보다 구체적으로는, W9'의 최대값은 W13의 최대값 및 W14의 최대값에 대해, 0.88∼1.12배인 것이 바람직하고, 0.9∼1.1배인 것이 보다 바람직하며, 0.92∼1.08배인 것이 특히 바람직하다. 즉, [W9'의 최대값]／[W13의 최대값]의 값 및 [W9'의 최대값]／[W14의 최대값]의 값은 모두, 0.88∼1.12인 것이 바람직하고, 0.9∼1.1인 것이 보다 바람직하며, 0.92∼1.08인 것이 특히 바람직하다.
W13의 최대값과, 폭(W9')의 최대값의 차이([W13의 최대값]－[폭(W9')의 최대값])는 0∼10㎜인 것이 바람직하고, W14의 최대값과, W9'의 최대값의 차이([W14의 최대값]－[폭(W9')의 최대값])는 0∼10㎜인 것이 바람직하다.
다이 본딩 시트(101)의 첩부시의 가열 온도는, 특별히 한정되지 않으나, 다이 본딩 시트(101)의 가열 첩부 안정성이 보다 향상하는 점에서, 40∼70℃인 것이 바람직하다.
이어서, 이 고정한 상태의 반도체 칩군으로부터 백 그라인드 테이프(8)를 제거한다. 그리고, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 다이 본딩 시트(101)를 냉각하면서, 그 표면(예를 들면, 점착제층(12)의 제1 면(12a))에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써, 익스팬드한다. 여기서는, 다이 본딩 시트(101)의 익스팬드의 방향을 화살표(E1)로 나타내고 있다. 이와 같이 익스팬드함으로써, 필름형 접착제(14)를 반도체 칩(9)의 외주를 따라 절단한다.
본 공정에 의해, 반도체 칩(9)과, 그 이면(9b)에 형성된 절단 후의 필름형 접착제(140)를 구비한 복수개의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)이 중간층(13) 상에서 정렬되어 고정된 상태의, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)이 얻어진다.
앞서 설명한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 분할시, 반도체 웨이퍼(9')의 일부의 영역에 있어서, 반도체 칩(9)으로의 분할이 행해지지 않은 경우에는, 본 공정을 행함으로써, 이 영역은 반도체 칩으로 분할된다.
다이 본딩 시트(101)는 그 온도를 -5∼5℃로 하여 익스팬드하는 것이 바람직하다. 다이 본딩 시트(101)를 이와 같이 냉각하여 익스팬드함으로써, 필름형 접착제(14)를 보다 용이하게 또한 고정밀도로 절단할 수 있다.
다이 본딩 시트(101)의 익스팬드는 공지의 방법으로 행할 수 있다. 예를 들면, 다이 본딩 시트(101) 중의 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있지 않은 주연부 근방의 영역을 링 프레임 등의 지그에 고정한 후, 다이 본딩 시트(101)의 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있는 영역 전체를, 기재(11)로부터 점착제층(12)을 향하는 방향으로, 기재(11)측에서 밀어올림으로써, 다이 본딩 시트(101)를 익스팬드할 수 있다.
한편, 도 4b에서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있지 않은 비적층 영역은, 중간층(13)의 제1 면(13a)에 대해 대략 평행으로 되어 있으나, 상술한 바와 같이, 다이 본딩 시트(101)의 밀어올림에 의해 익스팬드하고 있는 상태에서는, 상기 비적층 영역은 점착제층(12)의 외주에 가까워짐에 따라, 상기 밀어올림의 방향과는 역방향으로 높이가 하강하는 경사면을 포함한다.
본 공정에서는, 중간층(13)의 폭(W13)의 최대값과, 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')의 최대값의 차이가, 0∼10㎜인 경우에는, 절단 후의 필름형 접착제(140)의 목적 외의 비산을 억제하는 높은 효과가 얻어진다. 여기서, 「절단 후의 필름형 접착제(140)의 목적 외의 비산」이란, 절단 후의 필름형 접착제(140) 중, 원래 반도체 웨이퍼(9')에 첩부되어 있지 않은 필름형 접착제(14)의 주연부(도 4에서는, 이러한 주연부의 기재를 생략하고 있다)에서 유래하는 것이 비산하여, 반도체 칩(9)의 회로 형성면(9a)에 부착되는 문제를 의미한다.
본 공정에서는, 다이 본딩 시트(101)에 있어서, 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'가 0.5 이하임으로써, 기재의 신장에 대해, 커프 폭을 충분히 넓게 할 수 있기 때문에, 다이 본딩 시트를 익스팬드했을 때, 안정적으로 필름형 접착제를 반도체 칩의 외주를 따라 절단(분할)할 수 있다.
이어서, 도 4c에 나타내는 바와 같이, 다이 본딩 시트(101)에서 유래하는, 기재(11), 점착제층(12), 및 중간층(13)의 적층 시트를 점착제층(12)의 제1 면(12a)에 대해 평행한 방향으로 익스팬드하고, 추가로 이 상태를 유지한 채로, 상기 적층 시트 중, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)(필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910))이 재치되어 있지 않은 주연부를 가열한다.
여기서는, 상기 적층 시트의 익스팬드의 방향을 화살표(E2)로 나타내고 있다. 상기 적층 시트의 익스팬드의 방향은 상술한 다이 본딩 시트(101)의 익스팬드의 방향과 동일하다.
또한, 여기서는, 상기 적층 시트 중, 가열 대상인 주연부를 화살표(H)로 나타내고 있다. 가열 대상인 주연부는 상기 비적층 영역에 포함된다.
본 실시형태에 있어서는, 상술한 필름형 접착제(14)의 절단시에 있어서의 다이 본딩 시트(101)의 익스팬드를 해제하고 나서, 본 공정에서의 상기 적층 시트의 익스팬드를 행하는 것이 바람직하다.
본 공정에 있어서는, 상기 적층 시트를 상술한 다이 본딩 시트(101)의 경우와 동일한 방법으로 익스팬드할 수 있다. 예를 들면, 상기 적층 시트 중의 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(13)이 적층되어 있지 않은 주연부 근방의 영역을 지그에 고정한 후, 상기 적층 시트의 중간층(13)이 적층되어 있는 영역 전체를, 기재(11)로부터 점착제층(12)을 향하는 방향으로, 기재(11)측에서 밀어올림으로써, 상기 적층 시트를 익스팬드할 수 있다.
한편, 도 4c에서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있지 않은 비적층 영역(화살표(H)로 나타내고 있는 상기 주연부를 포함하는 영역)은, 중간층(13)의 제1 면(13a)에 대해 대략 평행으로 되어 있으나, 상술한 바와 같이, 상기 적층 시트의 밀어올림에 의해 익스팬드하고 있는 상태에서는, 상기 비적층 영역은 점착제층(12)의 외주에 가까워짐에 따라, 상기 밀어올림의 방향과는 역방향으로 높이가 하강하는 경사면을 포함한다.
본 공정에서는, 다이 본딩 시트(101)를 사용하고 있음으로써, 상기 주연부를 수축시키면서, 상기 적층 시트 상에 있어서는, 인접하는 반도체 칩(9) 간의 거리, 즉 커프 폭을, 충분히 넓게 또한 높은 균일성으로 유지할 수 있다. 예를 들면, 본 실시형태에 있어서는, 본 공정을 행한 후의 커프 폭을 10㎛ 이상으로 하는 것이 가능하고, 모든 커프 폭을 10㎛ 이상으로 하는 것도 가능하다. 또한, 복수 존재하는 커프 폭 중, 최대값과 최소값의 차이를 100㎛ 이하로 하는 것이 가능하다.
이와 같이, 커프 폭을 충분히 넓게 또한 높은 균일성으로 유지함으로써, 후술하는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 용이하게 픽업할 수 있다.
필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)은 그 온도를 저온, 예를 들면 -15∼0℃으로 하여 익스팬드하는 것이 바람직하다. 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)을 이러한 온도로 익스팬드함으로써, 커프 폭을 충분히 넓게 또한 높은 균일성으로 유지할 수 있는 효과가 보다 높아진다.
필름형 접착제(14)의 절단 후에는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 상기 적층 시트 중의 중간층(13)으로부터 분리하여 픽업한다. 이 때, 상기와 같이 커프 폭이 충분히 넓게, 또한 높은 균일성을 가짐으로써, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 용이하게 픽업할 수 있다. 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)은 공지의 방법으로 픽업할 수 있다.
여기서는, 도 1에 나타내는 다이 본딩 시트(101)를 예로 들어, 그 사용 방법에 대해 설명했으나, 그 이외의 본 실시형태에 따른 다이 본딩 시트도, 동일하게 사용할 수 있다. 이 경우, 필요에 따라, 이 다이 본딩 시트와, 다이 본딩 시트(101)의 구성의 차이점에 기초하여, 다른 공정을 적절히 추가하여 사용해도 된다.
상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법에서, 바람직한 실시형태로는, 예를 들면, 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과, 상기 개질층을 형성 후의 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함과 함께, 상기 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 상기 개질층의 형성 부위에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩이 정렬된 상태의 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 다이 본딩 시트를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를 상기 반도체 칩군 중의 모든 반도체 칩의 이면에 첩부하는 공정과, 상기 반도체 칩군 중에 첩부한 후의 상기 다이 본딩 시트를 냉각하면서, 그 표면에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써, 상기 필름형 접착제를 상기 반도체 칩의 외주를 따라 절단하여, 복수개의 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 정렬된 상태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻은 후의, 상기 다이 본딩 시트에서 유래하는, 기재, 점착제층, 및 중간층의 적층 시트를 상기 점착제층의 표면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드하고, 추가로 이 상태를 유지한 채로, 상기 적층 시트 중, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 재치되어 있지 않은 주연부를 가열하는 공정과, 상기 주연부를 가열한 후의, 상기 적층 시트 중의 상기 중간층으로부터, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 갖고, 상기 중간층의 폭의 최대값과, 상기 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값의 차이를 0∼10㎜로 하는 것을 들 수 있다.
실시예
이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 전혀 아니다.
＜＜접착제 조성물의 제조 원료＞＞
접착제 조성물의 제조에 사용한 원료를 이하에 나타낸다.
[중합체 성분(a)]
(a)-1: 아크릴산메틸(95질량부) 및 아크릴산-2-히드록시에틸(5질량부)을 공중합하여 이루어지는 아크릴 수지(중량 평균 분자량 800000, 유리 전이 온도 9℃).
[에폭시 수지(b1)]
(b1)-1: 아크릴로일기가 부가된 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(닛폰 카야쿠사 제조 「CNA147」, 에폭시 당량 518g/eq, 수평균 분자량 2100, 불포화기 함유량은 에폭시기와 등량)
[열경화제(b2)]
(b2)-1: 아랄킬형 페놀 수지(미츠이 카가쿠사 제조 「미렉스 XLC-4L」, 수평균 분자량 1100, 연화점 63℃)
[충전재(d)]
(d)-1: 구형 실리카(아드마텍스사 제조 「YA050C-MJE」, 평균 입경 50㎚, 메타크릴실란 처리물)
[커플링제(e)]
(e)-1: 실란 커플링제, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란(신에츠 실리콘사 제조 「KBE-402」)
[가교제(f)]
(f)-1: 톨릴렌디이소시아네이트계 가교제(토소사 제조 「코로네이트 L」)
[대전 방지 조성물(as)]
(as)-1: 폴리피롤을 반응성 유화제에 의해 유화하고, 유기 용매에 용해시켜 얻어진 폴리피롤 용액.
(as)-2: 이데미츠 코산사 제조 「UVH515」
[실시예 1]
＜＜다이 본딩 시트의 제조＞＞
＜기재의 제조＞
압출기를 이용하여, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 스미토모 카가쿠사 제조 「스미카센 L705」)을 용융시켜, T 다이법에 의해 용융물을 압출하고, 냉각 롤러를 이용하여 압출물을 2축으로 연신함으로써, LDPE제 기재(두께 110㎛)를 얻었다.
＜중간층의 제작＞
압출기를 이용하여, 에틸렌초산비닐 공중합체(EVA, 토소사 제조 「울트라센 636」)를 용융시켜, T 다이법에 의해 용융물을 압출하고, 냉각 롤러를 이용하여 압출물을 2축으로 연신하고, 추가로 일부를 잘라냄으로써, 평면 형상이 원형(직경 305㎜)인 EVA제 중간층(두께 80㎛)을 얻었다.
＜점착제층의 제작＞
점착성 수지(I-1a)로서 아크릴 수지(도요켐사 제조 「오리바인 BPS 6367X」)(100질량부)와 가교제(도요켐사 제조 「BXX 5640」)(1질량부)를 함유하는 비에너지선 경화성 점착제 조성물을 제조했다.
이어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 한쪽 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 점착제 조성물을 도공하고, 100℃에서 2분 가열 건조시킴으로써, 비에너지선 경화성 점착제층(두께 10㎛)을 제작했다.
＜필름형 접착제의 제작＞
중합체 성분(a)-1(100질량부), 에폭시 수지(b1)-1(10질량부), 열경화제(b2)-1(1.5질량부), 충전재(d)-1(75질량부), 커플링제(e)-1(0.5질량부), 및 가교제(f)-1(0.5질량부)를 함유하는 열경화성 접착제 조성물을 제조했다.
이어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 한쪽 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 접착제 조성물을 도공하고, 80℃에서 2분 가열 건조시켜, 추가로 일부를 잘라냄으로써, 평면 형상이 원형(직경 305㎜)인 열경화성 필름형 접착제(두께 20㎛)를 제작했다.
＜다이 본딩 시트의 제조＞
상기에서 얻어진 점착제층의, 박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면을, 상기에서 얻어진 기재의 한쪽 표면과 첩합했다.
상기에서 얻어진 필름형 접착제의, 박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면을, 상기에서 얻어진 중간층의 한쪽 표면과 첩합했다. 이 때, 필름형 접착제와 중간층을 동심 형상으로 배치했다.
이어서, 이와 같이 하여 얻어진, 박리 필름, 점착제층, 및 기재의 적층물(앞서 설명한, 박리 필름이 구비된 제1 중간 적층체에 상당)로부터, 박리 필름을 제거하여 새로 생긴 점착제층의 노출면을, 박리 필름, 필름형 접착제, 및 중간층의 적층물(앞서 설명한, 박리 필름이 구비된 제2 중간 적층체에 상당)에 있어서의 중간층의 노출면과 첩합했다. 이 때, 기재의 MD와, 중간층의 MD가 일치하도록(다시 말하면, 기재의 TD와, 중간층의 TD가 일치하도록), 기재와 중간층의 배치 방향을 조절했다. 이상에 의해, 기재(두께 110㎛), 점착제층(두께 10㎛), 중간층(두께 80㎛), 필름형 접착제(두께 20㎛), 및 박리 필름이 이 순서로 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된, 박리 필름이 구비된 다이 본딩 시트를 얻었다.
＜＜필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조＞＞
평면 형상이 원형이고, 그 직경이 300㎜이며, 두께가 775㎛인 반도체 웨이퍼를 사용하여, 그 회로 형성면에 백 그라인드 테이프(린텍사 제조 「Adwill E-3100 TN」)를 첩부했다.
이어서, 레이저광 조사 장치(디스코사 제조 「DFL73161」)를 이용하여, 이 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성했다. 이 때, 상기 초점은 이 반도체 웨이퍼로부터 크기가 8㎜×8㎜인 반도체 칩이 다수 얻어지도록 설정했다. 또한, 레이저광은 반도체 웨이퍼의 이면측으로부터, 반도체 웨이퍼(9)에 조사했다.
이어서, 그라인더를 이용하여, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함으로써, 반도체 웨이퍼의 두께를 30㎛로 함과 함께, 이 때의 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 개질층의 형성 부위에 있어서, 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩을 형성했다. 이에 의해, 백 그라인드 테이프 상에서 복수개의 반도체 칩이 정렬되어 고정된 상태의 반도체 칩군을 얻었다.
이어서, 테이프 마운터(린텍사 제조 「Adwill RAD2500」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 1장의 다이 본딩 시트를 60℃로 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를 모든 상기 반도체 칩(반도체 칩군)의 이면에 첩부했다. 이어서, 이 반도체 칩군에 첩부 후의 다이 본딩 시트 중의 점착제층 중, 상기 비적층 영역에 포함되는 주연부를 링 프레임에 첩부함으로써, 회로 형성면에 백 그라인드 테이프를 구비하고, 이면에 다이 본딩 시트를 구비한 반도체 칩군을 고정했다.
이어서, 이 고정한 상태의 반도체 칩군으로부터 백 그라인드 테이프를 제거했다. 그리고, 전자동 다이 세퍼레이터(디스코사 제조 「DDS2300」)를 이용하여, 0℃의 환경하에서, 다이 본딩 시트를 냉각하면서, 그 표면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드함으로써, 필름형 접착제를 반도체 칩의 외주를 따라 절단했다. 이 때, 다이 본딩 시트의 주연부를 고정하고, 다이 본딩 시트의 중간층 및 필름형 접착제가 적층되어 있는 영역 전체를, 그 기재측으로부터 15㎜의 높이만큼 밀어올림으로써, 익스팬드했다.
이에 의해, 반도체 칩과, 그 이면에 형성된 절단 후의 필름형 접착제를 구비한 복수개의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 중간층상에서 정렬되어 고정된 상태의, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻었다.
이어서, 상술한 다이 본딩 시트의 익스팬드를 한 번 해제한 후, 상온하에서, 기재, 점착제층, 및 중간층이 적층되어 구성된 적층 시트를 점착제층의 제1 면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드했다. 또한, 이 익스팬드한 상태를 유지한 채로, 상기 적층 시트 중, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 재치되어 있지 않은 주연부를 가열했다. 이에 의해, 상기 주연부를 수축시키면서, 상기 적층 시트 상에 있어서는, 인접하는 반도체 칩 사이의 커프 폭을 일정 값 이상으로 유지했다.
＜＜기재의 평가＞＞
＜변위량의 가열시 변화율, 방랭시 변화율 및 종합 변화율의 산출＞
상기에서 얻어진 기재에 대해, 열기계 분석 장치(브루커·에이엑스에스사 제조 「TMA4000SA」를 이용하여, 이하에 나타내는 순서로 열기계 분석(TMA)을 행했다.
즉, 우선, 기재를 4.5㎜×15㎜의 크기로 절단함으로써, 시험편을 제작했다.
이어서, 이 시험편을 상기 열기계 분석 장치에 설치하고, 시험편에 가하는 하중을 2g으로 하여, 이 시험편의 온도를 변화시키지 않고 TMA를 행함으로써, 시험편의 온도가 23℃일 때의 MD에 있어서의 변위량 X0을 측정했다. 승온 속도를 20℃／min로 하고, 하중을 2g으로 하여, 이 변위량 X0을 측정 후의 시험편을 그 온도가 70℃가 될 때까지 승온하고, 이 승온 종료시까지의 사이, TMA를 행함으로써, 이 사이의 시험편의 MD에 있어서의 변위량의 최대값 X1을 측정했다. 하중을 2g으로 하여, 이 변위량 X1을 측정 후의 시험편을 23℃의 온도 조건하에서 방랭하고, 이 방랭 종료시까지의 사이, TMA를 행함으로써, 이 사이의 시험편의 MD에 있어서의 변위량의 최소값 X2를 측정했다.
이어서, 이들 X0, X1, 및 X2를 이용하여, 상기 식 (1), (2), 및 (3)에 의해, 시험편의 MD에 있어서의 변위량의 가열시 변화율, 방랭시 변화율, 및 종합 변화율을 산출했다.
또한, 시험편의 TD에 있어서도 동일하게, 변위량의 가열시 변화율, 방랭시 변화율, 및 종합 변화율을 산출했다.
결과를 표 1에 나타낸다.
＜인장 탄성률 Eb'의 측정＞
상기에서 얻어진 기재로부터 폭 15㎜인 시험편을 잘라냈다.
이어서, 시험기기의 시험편의 설치 개소의 온도를 미리 0℃로 유지해 두고, 여기에 상기 시험편을 설치했다.
이어서, 척간 거리를 100㎜로 하고, 온도를 0℃인 상태로 하고, 텐실론을 이용하여, 인장 속도를 200㎜/min로 하여 시험편을 인장하여, 탄성 변형 영역에 있어서의, 0℃의 시험편의 MD에 있어서의 인장 탄성률 Eb'를 측정했다.
또한, 0℃의 시험편의 TD에 있어서도 동일하게, 인장 탄성률 Eb'를 측정했다.
결과를 표 1에 나타낸다.
＜＜중간층의 평가＞＞
＜인장 탄성률 Ei'의 측정＞
상기에서 얻어진 중간층으로부터, 폭이 15㎜인 시험편을 잘라냈다.
이어서, 이 중간층의 시험편에 대해, 상술한 기재의 시험편의 경우와 동일한 방법으로, 0℃에서의 MD와 TD에 있어서의 인장 탄성률 Ei'를 측정했다.
결과를 표 1에 나타낸다.
＜＜인장 탄성률 비 Ei'/Eb'의 산출＞＞
상기에서 얻어진 인장 탄성률 Eb' 및 인장 탄성률 Ei'의 측정값을 이용하여, 인장 탄성률 비 Ei'/Eb'를 기재 및 중간층의 MD와, 기재 및 중간층의 TD의 양방향에 있어서 산출했다.
결과를 표 1에 나타낸다.
＜＜다이 본딩 시트의 평가＞＞
＜필름형 접착제의 절단성＞
상술한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조시에 있어서, 디지털 현미경(키엔스사 제조 「VH-Z100」)을 이용하여, 얻어진 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 그 반도체 칩측의 상방으로부터 관찰했다. 그리고, 다이 본딩 시트의 익스팬드에 의해, 필름형 접착제가 정상적으로 절단되었다고 가정한 경우에 형성되어 있을, 중간층의 MD로 연신하는 복수개의 필름형 접착제의 절단선과, 중간층의 TD로 연신하는 복수개의 필름형 접착제의 절단선 중, 실제로는 형성되어 있지 않은 절단선 및 형성이 불완전한 절단선의 개수를 확인하여, 하기 평가 기준에 따라, 필름형 접착제의 절단성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(평가 기준)
A: 실제로는 형성되어 있지 않은 필름형 접착제의 절단선 및 형성이 불완전한 필름형 접착제의 절단선의 합계 개수가, 5개 이하이다.
B: 실제로는 형성되어 있지 않은 필름형 접착제의 절단선 및 형성이 불완전한 필름형 접착제의 절단선의 합계 개수가, 6개 이상이다.
＜필름형 접착제의 비산 억제성＞
상술한 필름형 접착제의 절단성의 평가시, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 그 반도체 칩측의 상방으로부터 육안으로 관찰했다. 그리고, 반도체 칩의 회로 형성면에 있어서, 비산한 절단 후의 필름형 접착제의 부착의 유무를 확인하여, 하기 평가 기준에 따라, 필름형 접착제의 비산 억제성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(평가 기준)
A: 회로 형성면에 필름형 접착제의 부착이 확인되는 반도체 칩의 개수가 0개이다.
B: 회로 형성면에 필름형 접착제의 부착이 확인되는 반도체 칩의 개수가 1개 이상이다.
＜커프 유지성＞
상술한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조시에 있어서, 상온하에서 상기 적층 시트를 익스팬드하고, 상기 적층 시트의 주연부를 가열한 후, 하기 방법에 따라 커프 유지성을 평가했다.
즉, 다이 본딩 시트의 익스팬드에 의해, 필름형 접착제가 정상적으로 절단되었다고 가정한 경우에는, 익스팬드 후의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군에는, 중간층의 MD로 연신하는 복수개의 커프와, 중간층의 TD로 연신하는 복수개의 커프에 의해, 커프가 그물 형상으로 형성된다. 중간층의 MD로 연신하는 커프와, 중간층의 TD로 연신하는 커프의 교차 부위(다시 말하면, 직교 부위) 중, 분할 전의 실리콘 웨이퍼의 대략 중심부에 상당하는 중앙의 교차 부위(본 명세서에 있어서는, 「제1 교차 부위」로 칭하기도 한다)와, 분할 전의 실리콘 웨이퍼의 외주에 위치가 가장 가깝고, 또한 중간층의 TD에 있어서 상기 중앙의 교차 부위(제1 교차 부위)와 동일한 위치에 있는 2개소의 교차 부위(본 명세서에 있어서는, 각각 「제2 교차 부위」, 「제4 교차 부위」로 칭하기도 한다)와, 분할 전의 실리콘 웨이퍼의 외주에 위치가 가장 가깝고, 또한 중간층의 MD에 있어서 상기 중앙의 교차 부위(제1 교차 부위)와 동일한 위치에 있는 2개소의 교차 부위(본 명세서에 있어서는, 각각 「제3 교차 부위」, 「제5 교차 부위」로 칭하기도 한다)의 합계 5개소에 있어서, 디지털 현미경(키엔스사 제조 「VH-Z100」)을 이용하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군의 반도체 칩측의 상방으로부터, 중간층의 MD 및 TD의 각각의 커프 폭을 측정했다. 즉, 교차 부위 1개소에 대해, 커프 폭의 측정값은 상기 MD 및 TD 각각 1개씩, 합계 2개로 하고, 커프 폭의 측정값의 총수를 교차 부위 5개소 합계로 10개로 했다.
도 5에 이 때의 커프 폭의 측정 개소를 나타낸다. 도 5 중, 부호 7은 반도체 칩을 나타내고, 부호 79a는 중간층의 MD로 연신하는 커프를 나타내며, 부호 79b는 중간층의 TD로 연신하는 커프를 나타내고 있다. 사용한 다이 본딩 시트가 도 1에 나타내는 것인 경우, 이들 커프 79a 및 커프 79b에 있어서는, 중간층(13)의 제1 면(13a)이 노출된다. 그리고, 부호 Wa1, Wa2, Wa3, Wa4, 및 Wa5는 모두 중간층의 MD로 연신하는 커프의 폭(다시 말하면, 상기 교차 부위에 있어서의, TD의 커프 폭)을 나타내고, 부호 Wb1, Wb2, Wb3, Wb4, 및 Wb5는 모두 중간층의 TD로 연신하는 커프의 폭(다시 말하면, 상기 교차 부위에 있어서의, MD의 커프 폭)을 나타내고 있다. 커프 폭 Wa1 및 Wb1을 측정하는 교차 부위가 상기 제1 교차 부위이다. 또한, 커프 폭 Wa2 및 Wb2를 측정하는 교차 부위가 상기 제2 교차 부위이며, 커프 폭 Wa4 및 Wb4를 측정하는 교차 부위가 상기 제4 교차 부위이다. 또한, 커프 폭 Wa3 및 Wb3를 측정하는 교차 부위가 상기 제3 교차 부위이며, 커프 폭 Wa5 및 Wb5를 측정하는 교차 부위가 상기 제5 교차 부위이다.
한편, 도 5는 커프 폭의 측정 개소를 설명하기 위해, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 모식적으로 나타내는 평면도이며, 여기서는, 커프 폭이 어디여도 일정한 경우를 나타내고 있으나, 이는 예시에 불과하다. 동일한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군에 있어서도, 커프의 위치에 의해, 커프 폭은 변화할 수 있고, 또한, 실시예 및 비교예마다, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군에 있어서의 동일한 위치의 커프여도, 커프 폭은 변화할 수 있다.
그리고, 상술한 10개의 커프 폭의 측정값으로부터, 하기 평가 기준에 따라, 커프 유지성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(평가 기준)
A: 커프 폭의 측정값이 모두 10㎛ 이상이며, 또한, 상기 측정값의 최대값과 최소값의 차이가 100㎛ 이하이다.
B: 1개 이상의 커프 폭의 측정값이 10㎛ 미만이거나, 또는, 커프 폭의 측정값이 모두 10㎛ 이상이며, 또한, 상기 측정값의 최대값과 최소값의 차이가 100㎛를 초과하고 있다.
＜표면 저항률＞
다이 본딩 시트 중의 필름형 접착제를 130℃에서 2시간 열경화시켰다.
이어서, 표면 저항률계(아드반테스트사 제조 「R12704 Resistivity chamber」)를 이용하여, 인가 전압을 100V로 하고, 기재의 점착제층측과는 반대측에 위치하는 면에 있어서, 표면 저항률을 측정했다. 결과를 표 1 중의 「표면 저항률(Ω／□)」란에 나타낸다.
＜필름형 접착제가 형성된 반도체 칩, 중간층간의 들뜸＞
전자동 다이 세퍼레이터(디스코사 제조 「DDS2300」)의 프로세스 후에 얻어진 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 기재측(비반도체 칩측)으로부터 육안으로 관찰하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 중간층으로부터 들떠 있는지 여부에 대해 확인했다.
(평가 기준)
A: 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 들뜸의 발생 없음
B: 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩 100 개 중 수 개 정도, 약간 들뜸이 발생
[실시예 2]
＜＜다이 본딩 시트의 제조, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조, 기재의 평가, 중간층의 평가, 및 다이 본딩 시트의 평가＞＞
중간층의 직경을 305㎜ 대신에 310㎜로 한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 다이 본딩 시트 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조하고, 기재, 중간층, 및 다이 본딩 시트를 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 3]
＜＜다이 본딩 시트의 제조＞＞
＜기재의 제조＞
압출기를 이용하여, 폴리프로필렌(PP, 프라임 폴리머사 제조 「프라임 폴리프로 F-744NP」)을 용융시켜, T 다이법에 의해 용융물을 압출하고, 냉각 롤러를 이용하여 압출물을 2축으로 연신함으로써, PP제 기재(두께 50㎛)를 얻었다.
＜＜필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조＞＞
LDPE제 기재 대신에, 상기에서 얻어진 PP제 기재를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 다이 본딩 시트 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조했다.
＜＜기재의 평가 및 다이 본딩 시트의 평가＞＞
상기에서 얻어진 기재 및 다이 본딩 시트에 대해, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 4]
중간층의 직경을 305㎜ 대신에 320㎜로 한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 다이 본딩 시트 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조하고, 중간층 및 다이 본딩 시트를 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 5]
＜＜다이 본딩 시트의 제조＞＞
＜기재의 제조＞
실시예 1에서 얻어진 기재의, 점착제층측과는 반대측에 위치하는 면에 상기 대전 방지 조성물(as)-1을 도포하고, 100℃에서 2분 건조시킴으로써, 상기 기재 상에 두께 75㎚의 배면 대전 방지층(AS1)이 형성된 기재를 제조했다.
LDPE제 기재 대신에, 상기에서 얻어진 배면 대전 방지층(AS1)이 형성된 기재를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 대전 방지층, 기재, 점착제층, 중간층, 필름형 접착제, 및 박리 필름이 이 순서로 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된, 박리 필름이 구비된 다이 본딩 시트를 제작했다.
＜＜필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조＞＞
얻어진 다이 본딩 시트를 사용하여, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조했다.
＜＜기재의 평가, 중간층의 평가, 및 다이 본딩 시트의 평가＞＞
실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 기재, 중간층, 및 다이 본딩 시트를 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[실시예 6]
＜기재의 제조＞
대전 방지 조성물(as)-1 대신에, 상기 대전 방지 조성물(as)-2를 이용하여 두께 170㎚의 배면 대전 방지층(AS2)이 형성된 기재를 제조했다.
이 기재를 이용하여, 실시예 5의 경우와 동일한 방법으로, 박리 필름이 구비된 다이 본딩 시트를 제작했다.
＜＜필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조＞＞
얻어진 다이 본딩 시트를 사용하여, 실시예 5의 경우와 동일한 방법으로, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조했다.
＜＜기재의 평가, 중간층의 평가, 및 다이 본딩 시트의 평가＞＞
실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 기재, 중간층, 및 다이 본딩 시트를 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[실시예 7]
＜＜다이 본딩 시트의 제조＞＞
＜대전 방지성 기재의 제조＞
우레탄아크릴레이트 수지 및 광중합 개시제를 함유하고, 우레탄아크릴레이트 수지의 함유량에 대한 광중합 개시제의 함유량의 비율이 3.0질량％인 조성물에 대해, 대전 방지제로서 포스포늄계 이온 액체(포스포늄염으로 이루어지는 이온 액체)를 배합하고, 교반함으로써, 에너지선 경화성 대전 방지 조성물을 얻었다. 이 때, 대전 방지 조성물에 있어서, 대전 방지제 및 우레탄아크릴레이트 수지의 합계 함유량에 대한 대전 방지제의 함유량의 비율은 9.0질량％로 했다.
이어서, 파운틴 다이 방식에 의해, 상기에서 얻어진 대전 방지 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트제 공정 필름(도레이사 제조 「루미러 T60 PET 50 T-60 도레이」, 두께 50㎛ 제품) 상에 도포하고, 두께 80㎛의 도막을 형성했다. 그리고, 자외선 조사 장치(아이그래픽스사 제조 「ECS-401GX」)를 이용하고, 고압 수은 램프(아이그래픽스사 제조 「H04-L41」)를 이용하여, 자외선 경화시켜, 대전 방지제 및 우레탄아크릴레이트 수지로부터 형성된 대전 방지성 기재를 얻었다.
LDPE제 기재 대신에, 상기에서 얻어진 대전 방지성 기재를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 박리 필름이 구비된 다이 본딩 시트를 제작했다.
＜＜필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조＞＞
얻어진 다이 본딩 시트를 사용하여, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조했다.
＜＜기재의 평가, 중간층의 평가, 및 다이 본딩 시트의 평가＞＞
실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 기재, 중간층, 및 다이 본딩 시트를 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[비교예 1]
＜＜다이 본딩 시트의 제조＞＞
＜기재의 제조＞
압출기를 이용하여, 에틸렌초산비닐 공중합체(EVA, 토소사 제조 「울트라센 636」)를 용융시켜, T 다이법에 의해 용융물을 압출하고, 냉각 롤러를 이용하여 압출물을 2축으로 연신함으로써, EVA제 기재(두께 120㎛)를 얻었다.
＜＜필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조＞＞
LDPE제 기재 대신에, 상기에서 얻어진 EVA제 기재를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 다이 본딩 시트 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조했다.
＜＜기재의 평가 및 다이 본딩 시트의 평가＞＞
상기에서 얻어진 기재 및 다이 본딩 시트에 대해, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[비교예 2]
＜중간층의 제작＞
압출기를 이용하여, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 스미토모 카가쿠사 제조 「스미카센 L705」, 50질량부) 및 에틸렌초산비닐 공중합체(EVA, 토소사 제조 「울트라센 636」, 20질량부)를 용융시켜, T 다이법에 의해 용융물을 압출하고, 냉각 롤러를 이용하여 압출물을 2축으로 연신하고, 추가로 일부를 잘라냄으로써, 평면 형상이 원형(직경 305㎜)인 PE 및 EVA의 폴리머 알로이제(이하, 「PE/EVA제」로 칭한다)의 중간층(두께 70㎛)을 얻었다.
＜＜필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조＞＞
EVA제 중간층 대신에, 상기에서 얻어진 PE/EVA제 중간층을 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 다이 본딩 시트 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조했다.
＜＜중간층 및 다이 본딩 시트의 평가＞＞
상기에서 얻어진 중간층 및 다이 본딩 시트에 대해, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112021101325425-pct00001
Figure 112021101325425-pct00002
상기 결과로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1∼7에 있어서는, 다이 본딩 시트 중의 필름형 접착제의 절단성 및 커프 유지성이 모두 양호했다.
실시예 1∼2, 4∼6에 있어서는, Eb'가 MD에 있어서는 90MPa이며, TD에 있어서는 104MPa였다. 또한, Ei'가 MD에 있어서는 25MPa이며, TD에 있어서는 33MPa였다. 그 결과, Ei'/Eb'는 MD에 있어서는 0.28이며, TD에 있어서는 0.32였다.
실시예 3에 있어서는, Eb'가 MD에 있어서는 65MPa이며, TD에 있어서는 67MPa였다. 또한, Ei'가 MD에 있어서는 25MPa이며, TD에 있어서는 33MPa였다. 그 결과, Ei'/Eb'는 MD에 있어서는 0.38이며, TD에 있어서는 0.49였다.
실시예 7에 있어서는, Eb'가 MD에 있어서는 100MPa이며, TD에 있어서는 100MPa였다. 또한, Ei'가 MD에 있어서는 25MPa이며, TD에 있어서는 33MPa였다. 그 결과, Ei'/Eb'는 MD에 있어서는 0.25이며, TD에 있어서는 0.33이었다.
실시예 1∼2, 4∼6에 있어서는, 기재(시험편)의 변위량의 가열시 변화율이, MD에 있어서는 0.8％이고, ATD에 있어서는 0.7％였다. 실시예 7에 있어서는, 기재(시험편)의 변위량의 가열시 변화율이, MD에 있어서는 0.8％이고, ATD에 있어서는 0.8％였다.
실시예 1∼2, 4∼6에 있어서는, 기재(시험편)의 변위량의 방랭시 변화율이, MD 및 TD 중 어느 것에 있어서도, -1.9％였다. 실시예 7에 있어서는, 기재(시험편)의 변위량의 방랭시 변화율이, MD 및 TD 중 어느 것에 있어서도, -1.8％였다.
실시예 1∼2, 4∼6에 있어서는, 기재(시험편)의 변위량의 종합 변화율이, MD에 있어서는 -1.1％이고, ATD에 있어서는 -1.2％였다. 실시예 7에 있어서는, 기재(시험편)의 변위량의 종합 변화율이, MD 및 TD 중 어느 것에 있어서도, -1.0％였다.
단, 실시예 4에 있어서는, 상기 차이가 10㎜보다 컸기(20㎜였기) 때문에, 실시예 4에 있어서는, 필름형 접착제의 비산 억제성이 열악했다.
한편, 실시예 1∼3, 5∼7에 있어서는, 중간층의 직경과 반도체 웨이퍼의 직경의 차이가 10㎜ 이하(5∼10㎜)였기 때문에, 필름형 접착제의 비산 억제성이 양호했다.
실시예 3에 있어서는, 기재(시험편)의 변위량의 가열시 변화율이, TD에 있어서는 2.9％였다.
실시예 3에 있어서는, 기재(시험편)의 변위량의 종합 변화율이, TD에 있어서는 1.5％였다.
이에 비해, 비교예 1∼2에 있어서는, 다이 본딩 시트 중의 필름형 접착제의 절단성 및 커프 유지성이 열악했다.
비교예 1에 있어서는, Eb'가 MD에 있어서는 25MPa이며, TD에 있어서는 33MPa였다. 또한, Ei'가 MD에 있어서는 25MPa이며, TD에 있어서는 33MPa였다. 그 결과, Ei'/Eb'는 MD 및 TD 중 어느 것에 있어서도, 1.00이었다.
비교예 2에 있어서는, Eb'가 MD에 있어서는 90MPa이며, TD에 있어서는 104MPa였다. 또한, Ei'가 MD에 있어서는 63MPa이며, TD에 있어서는 55MPa였다. 그 결과, Ei'/Eb'는 MD에 있어서는 0.70이며, TD에서는 0.53이었다.
비교예 1에 있어서는, 기재(시험편)의 변위량의 방랭시 변화율이, MD에 있어서는 -2.8％였다.
비교예 1에 있어서는, 기재(시험편)의 변위량의 종합 변화율이, MD에 있어서는 -2.6％였다.
실시예 5∼7에 있어서는, 기재로서, 배면 대전 방지층이 형성된 기재 또는 대전 방지성 기재를 사용했기 때문에, 표면 저항률이 1.0×1011Ω／□ 이하였다.
이에 비해, 실시예 1∼4, 비교예 1, 2에 있어서는, 기재로서, 배면 대전 방지층이 형성된 기재 또는 대전 방지성 기재를 사용하지 않았기 때문에, 표면 저항률이 1.0×1011Ω／□보다 컸다.
대전 방지성이 부여되어 있지 않은 실시예 1∼4, 비교예 1, 2는 전자동 다이 세퍼레이터(디스코사 제조 「DDS2300」)의 프로세스에 있어서, 테이블과 다이 본딩 시트 사이에 정전기 등의 영향에 의해 이물질이 혼입하여, 이물질이 있는 부분과 없는 부분에서 단차가 생겨, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 중간층으로부터 박리되는 계기가 발생하여, 국소적으로 칩 들뜸이 발생하고, 그 결과, 최종적으로 칩 비산이 발생했다.
이에 비해, 대전 방지성이 부여된 실시예 5∼7에 있어서는, 테이블과 다이 본딩 시트 사이에 이물질이 혼입되기 어려워, 칩 들뜸이 발생하지 않았다.
본 발명은 반도체 장치의 제조에 이용 가능하다.
101…다이 본딩 시트, 11…기재, 12…점착제층, 13…중간층, 14…필름형 접착제, W13…중간층의 폭, W14…필름형 접착제의 폭

Claims (3)

  1. 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고,
    [상기 중간층의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]／[상기 기재의 0℃에 있어서의 인장 탄성률]의 값이 0.5 이하인, 다이 본딩 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간층의 폭의 최대값이 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜인, 다이 본딩 시트.
  3. 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서,
    반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과,
    상기 개질층을 형성 후의 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함과 함께, 상기 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 상기 개질층의 형성 부위에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩이 정렬된 상태의 반도체 칩군을 얻는 공정과,
    제 1 항 또는 제 2 항의 다이 본딩 시트를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를 상기 반도체 칩군 중의 모든 반도체 칩의 이면에 첩부하는 공정과,
    상기 반도체 칩군 중에 첩부한 후의 상기 다이 본딩 시트를 냉각하면서, 그 표면에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써, 상기 필름형 접착제를 상기 반도체 칩의 외주를 따라 절단하여, 복수개의 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 정렬된 상태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻는 공정과,
    상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻은 후의, 상기 다이 본딩 시트에서 유래하는, 기재, 점착제층, 및 중간층의 적층 시트를 상기 점착제층의 표면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드하고, 추가로 이 상태를 유지한 채로, 상기 적층 시트 중, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 재치되어 있지 않은 주연부를 가열하는 공정과,
    상기 주연부를 가열한 후의, 상기 적층 시트 중의 상기 중간층으로부터, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 갖고,
    상기 중간층의 폭의 최대값과, 상기 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값의 차이를 0∼10㎜로 하는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법.
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