KR102672853B1 - 기판 세정 장치 - Google Patents

기판 세정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102672853B1
KR102672853B1 KR1020180166318A KR20180166318A KR102672853B1 KR 102672853 B1 KR102672853 B1 KR 102672853B1 KR 1020180166318 A KR1020180166318 A KR 1020180166318A KR 20180166318 A KR20180166318 A KR 20180166318A KR 102672853 B1 KR102672853 B1 KR 102672853B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
substrate
wall
nozzle
chamber
Prior art date
Application number
KR1020180166318A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200077118A (ko
Inventor
이상준
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020180166318A priority Critical patent/KR102672853B1/ko
Publication of KR20200077118A publication Critical patent/KR20200077118A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102672853B1 publication Critical patent/KR102672853B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판의 세정을 위한 기판 세정 장치에서 챔버 내벽면을 세정할 수 있는 기판 세정 장치가 개시된다. 기판 세정 장치는, 기판을 세정하는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 기판이 안착되어 회전 가능하게 구비되는 스핀척, 상기 챔버 내부에서 상기 스핀척 주변에 구비되며, 상기 기판에 세정액을 제공하는 세정부 및 상기 세정부에서 상기 챔버의 내벽면에 대향하는 부분에 구비되어 상기 내벽면에 세정액을 제공하는 벽면 세정 노즐을 포함하여 구성된다.

Description

기판 세정 장치{CLEANING APPARATUS FOR SUBSTRATE}
반도체 기판을 세정하는 기판 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher)나 파티클 등의 불순물 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 되는데, 이러한 공정의 진행에 따라 반도체 기판 내에는 식각이나 불순물 제거 공정으로 완전히 제거되지 않은 불순물이 남게 된다. 반도체 장치의 미세화가 진행됨에 따라 수율과 신뢰성 측면에서 미립자를 비롯한 금속 불순물, 유기 오염물, 자연 산화막과 같은 불순물 제거의 중요성 또한 증대되고 있다. 이러한 불순물은 반도체 장치의 성능과 수율을 좌우하는 중요한 요소이기 때문에 반도체 장치를 제조하기 위한 각 공정을 진행하기 전에 세정 공정을 거쳐야 한다.
이와 같이, 반도체 장치를 제조하기 위한 기판의 세정 공정은 기판 표면에 잔류하는 미립자를 비롯한 금속 불순물, 유기 오염물, 자연 산화막과 같은 표면 피막 등의 다양한 대상물을 제거하기 위하여 실시한다. 통상적으로 세정 공정은 반도체 장치를 제조하는 총 공정의 약 1/4 ∼ 1/3을 차지하고 있으며, 이것은 세정 횟수뿐만 아니라 각 공정에 적합한 다양한 세정 공정이 요구되고 있다는 것을 의미한다.
일반적으로 반도체 기판의 습식 세정 장치는, 화학용액이 채워진 세정조(Bath) 내에 복수의 기판을 침지하여 처리하는 방식의 배치식(Batch type)과, 한 장의 기판을 수평으로 배치하여 회전시키면서 처리하는 방식의 매엽식(single type)으로 구분된다.
매엽식 세정 장치는 고속으로 회전하는 기판의 표면에 세정제를 분사하여 원심력으로 기판 표면을 세정하고, 기판 표면에 액상의 이소프로필 알코올(IPA: Isopropyl Alcohol)과 같은 건조액을 이용하여 기판을 건조시키게 된다. 또한, 매엽식 세정 장치에서 세정 공정은, RCA 공정, 즉, SC1(Standard Cleaning 1, NH4OH:H2O2:H2O가 혼합된 세정제), SC2(Standard Cleaning 2, HPM-HCl:H2O2:H2O가 혼합된 세정제), Piranha(SPM, Sulfuric Peroxide Mixture), DHF(Dilute HF) 약액을 이용하여 기판 표면에서 박막을 제거하고, 파티클을 제거한 후 초순수(DI)로 린스 처리 한 다음 건조 공정을 거치게 된다. 그리고 건조 공정은 일반적으로 고RPM(예를 들어, 1500~2500RPM)으로 기판을 회전시키면서 건조하는 스핀(Spin) 방식과 동시에 기판 표면에 불활성 가스(예를 들어, N2 가스)를 공급하여 건조시키는 방식이 있다. 최근에는 스핀 방식과 동시에 IPA/N2 가스를 분사하여 건조시키는 로타고니 방식(Rotagoni Dry)이 각광을 받고 있다. 로타고니 방식은 IPA를 액체 또는 기체 상태로 제공하는 동시에 N2 가스를 분사함으로써, 마랑고니 효과(Marangoni Effect; 기판에 잔류하는 수분의 표면장력을 낮춰서 건조시키는 효과)를 이용하여 기판의 수분을 제거하게 된다.
한편, 기존의 매엽식 세정 장치에서는 세정 공정 동안 챔버 내벽면에 오염 물질이 부착될 수 있는데, 이를 제거하기 위한 세정 공정을 추가로 실시하여야 한다.
전술한 배경기술로서 설명된 내용은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 인정하는 것이라고 할 수는 없다.
실시 예의 목적은, 챔버의 내벽면의 오염을 제거할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것이다.
또한, 기존의 세정부를 이용하여 챔버 내벽면을 세정할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것이다.
실시 예들에서 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예들에 따르면, 기판 세정 장치는, 기판을 세정하는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 기판이 안착되어 회전 가능하게 구비되는 스핀척, 상기 챔버 내부에서 상기 스핀척 주변에 구비되며, 상기 기판에 세정액을 제공하는 세정부 및 상기 세정부에서 상기 챔버의 내벽면에 대향하는 부분에 구비되어 상기 내벽면에 세정액을 제공하는 벽면 세정 노즐을 포함하여 구성된다.
이상에서 본 바와 같이, 본 실시 예에 따르면, 챔버의 내벽면을 세정할 수 있어서 기판 세정 장치의 내부 환경을 일정하게 유지시킬 수 있다. 또한, 기존의 세정부의 구조를 변경하지 않고 적용시킬 수 있으므로 구조가 단순하다.
일 실시 예에 따른 기판 세정 장치의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 세정 장치에서 세정부의 사시도이다.
도 3은 도 1의 기판 세정 장치의 동작을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 1의 기판 세정 장치의 정면도이다.
이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 실시 예들에 따른 기판 세정 장치(10)에 대해서 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치(10)의 사시도이고, 도 2는 도 1의 기판 세정 장치(10)에서 세정부의 사시도이다. 도 3은 도 1의 기판 세정 장치(10)의 동작을 설명하기 위한 평면도이고, 도 4는 기판 세정 장치(10)의 정면도이다.
도면을 참조하면, 기판 세정 장치(10)는 한 장의 기판(1)을 수평으로 지지하여 소정 속도로 회전시키고, 회전하는 기판(1) 상에 세정을 위한 세정액을 제공함으로써 기판(1)을 세정 및 건조하는 방식의 매엽식(single spin type) 세정 장치이다. 세정액은 기판(1)을 세정하기 위한 액체 또는 기체 등의 물질을 포함하며, 제거하고자 하는 물질의 종류에 따라 복수의 약액이 사용될 수 있으며, 약액 뿐만 아니라 건조를 위해서 제공되는 IPA 및 N2 가스 등도 포함한다.
기판 세정 장치(10)는 기판(1)을 지지하여 회전하는 스핀척(13)과, 스핀척(13)을 수용하여 기판(1)의 세정 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버(11) 및 기판(1)에 세정액을 제공하는 세정부(14)를 포함할 수 있다.
일 예로, 기판(1)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(1)은 액정표시장치(liquid crystal display, LCD)나 플라즈마 표시 장치(plasma display panel, PDP)와 같은 평판 디스플레이 (flat panel display, FPD) 장치용 유리 기판일 수 있다. 또한, 기판(1)은 그 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형이나 사각형의 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. 그리고 기판(1)의 형상 및 크기에 따라 스핀척(13)의 크기와 형상 역시 변경될 수 있다.
챔버(11)는 스핀척(13)이 내부에 수용되는 공간을 제공하고, 기판(1)의 세정 공정을 위한 환경을 제공한다. 또한, 챔버(11)의 상부에는 챔버(11) 내부의 환경을 형성하기 위한 FFU(Fan Filter Unit)(미도시) 등이 구비될 수 있다. 또한, 챔버(11)의 바닥면(112) 측에는 챔버(11) 내부에서 세정액을 배출시키기 위한 배출구(115) 및 배출부(15)가 구비된다.
스핀척(13)은 상면에 기판(1)이 상면에 안착되어서, 소정 속도로 회전함으로써 기판(1)을 회전시킨다. 또한, 스핀척(13)은 챔버(11) 내부에서 소정 높이로 승강 이동 가능하게 구비된다.
스핀척(13)에는 기판(1)이 안착 및 고정되는 복수의 척핀(131)이 구비된다. 척핀(131)은 스핀척(13)의 상면에 구비되며, 기판(1)의 가장자리를 지지할 수 있도록 스핀척(13)의 둘레를 따라 배치된다. 척핀(131)은 복수개(예를 들어, 3개, 4개 등)가 구비되며, 등간격으로 배치될 수 있다.
스핀척(13)의 둘레에는 스핀척(13)에 지지되어 회전하는 기판(1)에서 비산되는 세정액을 포집하는 회수컵(12)이 구비될 수 있다. 회수컵(12)은 스핀척(13)의 둘레를 둘러싸는 형태를 갖는다.
세정부(14)는 챔버(11) 내부에서 스핀척(13)의 외측에 구비되며, 기판(1) 표면에 세정액을 제공하도록 스핀척(13)보다 상측에 구비된다. 세정부(14)는 복수의 노즐을 포함한다. 또한, 세정부(14)는 복수개가 스핀척(13) 둘레를 따라 구비될 수 있다. 예를 들어, 본 실시 예에서는 4개의 세정부(14)가 스핀척(13) 둘레에 구비되고, 4개의 세정부(14)는 기판(1)의 세정 공정에 따라 서로 다른 세정액(예를 들어, 약액, DIW, IPA 등)을 제공하며 독립적으로 또는 구동되도록 구비될 수 있다. 다만, 이는 일 예시에 불과한 것으로, 각각의 세정부(14)의 구성 및 동작에 대한 상세한 설명은 생략한다.
이하에서는, 도 2를 참조하여 1개의 세정부(14)에 대해서 설명한다.
세정부(14)는, 외팔보 형태를 갖는 노즐 암(142)과, 노즐 암의 일단부에 구비되어서 기판(1) 상에 세정액을 제공하는 기판 세정 노즐(141), 노즐 암(142)의 타단부를 고정시키고 노즐 암(142)을 회전 및 승강 구동시키는 헤드부(143)와 구동부(144)를 포함하여 구성된다.
기판 세정 노즐(141)은 기판(1) 상에 세정액을 제공하도록 형성된다. 또한, 기판 세정 노즐(141)은 하나의 세정액을 제공하도록 형성되거나, 또는 복수의 세정액을 제공하도록 형성될 수 있다.
노즐 암(142)은 헤드부(143)로부터 기판(1)까지 연장된 로드 형태를 갖는다.
헤드부(143)와 구동부(144)는 스핀척(13)의 외측에 구비되며, 기판 세정 노즐(141)을 기판(1)에 대해서 스윙 또는 회전시킨다. 또한, 구동부(144)는 기판 세정 노즐(141)을 기판(1)에 대해서 승강 이동 시킨다.
도면에서는 헤드부(143)와 구동부(144)를 구분하여 도시하였으나, 이는 일 예시에 불과한 것으로, 구동부(144)의 위치는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 헤드부(143)와 구동부(144)의 형태는 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.
헤드부(143)에서 챔버(11)의 내벽면(111)을 향하는 부분에는 벽면 세정 노즐(145)이 구비된다. 벽면 세정 노즐(145)은 내벽면(111)을 향해서 소정 각도로 세정액을 분사할 수 있도록 형성된다. 또한, 벽면 세정 노즐(145)은 하나의 분사구를 갖거나, 또는 복수의 분사구를 갖도록 형성될 수 있다.
기판(1)의 세정 공정이 완료된 후, 헤드부(143)가 챔버(11) 내부에서 회전 및 승하강하면서 벽면 세정 노즐(145)이 내벽면(111)에 세정액을 제공하여 내벽면(111)을 세정한다. 또한, 내벽면(111)에 대한 세정액을 제공한 후에는, 벽면 세정 노즐(145)에서 소정의 건조 가스를 제공하여 내벽면(111)을 건조시키는 것도 가능하다.
벽면 세정 노즐(145)에서 제공된 세정액은 내벽면(111)을 타고 중력에 의해서 바닥면(112)으로 흘러내리면서 내벽면(111)을 세정하게 된다. 그리고 내벽면(111)을 타고 흘러내린 세정액은 챔버(11)의 바닥면(112)에 형성된 배출구(115)를 통해 배출부(15)에서 외부로 배출된다.
여기서, 챔버(11)의 내벽면(111)과 바닥면(112)이 연결되는 모서리 부분에는 경사면(113)이 형성될 수 있다. 경사면(113)을 형성함으로써, 내벽면(111)을 타고 흐르는 세정액이 내벽면(111)과 바닥면(112)의 모서리 부분에 정체되는 것을 방지하고, 바닥면(112)으로 원활하게 안내할 수 있다. 예를 들어, 경사면(113)의 형상은 도면에 의해 한정되지 않고, 내벽면(111)에서 바닥면(112)을 향해 소정 각도로 하향 경사를 갖는다면 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
본 실시 예들에 따르면, 기존의 기판 세정 장치(10)의 구조를 변경하지 않고, 세정부(14)에 벽면 세정 노즐(145)를 추가할 수 있으므로, 기판 세정 장치(10) 및 세정부(14)의 구조가 복잡해지지 않는다. 또한, 기존의 세정부(14)에 벽면 세정 노즐(145)을 구비하는 것이므로 기판 세정 장치(10)에의 적용이 용이하다. 또한, 벽면 세정 노즐(145)에서는 챔버(11)의 내벽면(111)에 세정액을 제공하여 세정함과 더불어, 건조 기체를 제공하여 건조가 가능하므로 내벽면(111)을 보다 효과적으로 관리할 수 있다. 또한, 내벽면(111)에서 오염을 제거함으로써 챔버(11) 내부의 환경을 지속적으로 관리 가능하다.
이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 본 발명의 사상은 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
1: 기판
10: 기판 세정 장치
11: 챔버
111: 내벽면
112: 바닥면
113: 경사면
115: 배출구
12: 회수컵
13: 스핀척
131: 척핀
14: 세정부
141: 기판 세정 노즐
142: 노즐 암
143: 헤드부
144: 구동부
145: 벽면 세정 노즐
15: 배출부

Claims (7)

  1. 기판을 세정하는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 기판이 안착되어 회전 가능하게 구비되는 스핀척;
    상기 스핀척 상에서 상기 기판 주변에 구비되는 헤드부와, 상기 헤드부로부터 상기 기판까지 연장 형성되고 그 단부에 상기 기판에 세정액을 제공하는 기판 세정 노즐이 구비되는 노즐 암과, 상기 헤드부에 구비되어 상기 기판 세정 노즐을 상기 기판에 대해서 스윙 또는 회전시키고, 또한, 승강 이동시키는 구동부를 포함하는 세정부; 및
    상기 헤드부에서 상기 챔버의 내벽면에 대향하는 부분에 구비되어 상기 내벽면에 세정액을 제공하고 건조 가스를 제공하는 벽면 세정 노즐;
    을 포함하고,
    상기 벽면 세정 노즐은, 상기 세정부에서의 상기 기판의 세정이 완료된 후, 상기 구동부에 의해서 회전 및 승하강하면서 상기 내벽면을 세정하는 기판 세정 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 벽면 세정 노즐은 상기 내벽면에 대해서 일정 면적 이상으로 세정액을 분사할 수 있는 노즐 형태를 갖는 기판 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 세정부는 상기 헤드부의 회전 각을 조정함으로써 상기 벽면 세정 노즐의 분사 영역을 조절하는 기판 세정 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 세정부는 상기 스핀척의 둘레를 따라 복수개가 구비되고,
    상기 벽면 세정 노즐은 복수의 세정부 중 상기 기판의 직경 방향에 대해서 서로 대향되는 적어도 2개의 세정부에 구비되는 기판 세정 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 세정부에 구비되는 벽면 세정 노즐은 서로 다른 토출각을 갖도록 형성되는 기판 세정 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 바닥면에는 세정액을 외부로 배출시키는 배출구가 형성되고,
    상기 내벽면과 상기 바닥면의 경계에는 상기 내벽면 상에 제공된 세정액을 상기 배출구로 안내하는 경사면에 형성되는 기판 세정 장치.
KR1020180166318A 2018-12-20 2018-12-20 기판 세정 장치 KR102672853B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180166318A KR102672853B1 (ko) 2018-12-20 2018-12-20 기판 세정 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180166318A KR102672853B1 (ko) 2018-12-20 2018-12-20 기판 세정 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200077118A KR20200077118A (ko) 2020-06-30
KR102672853B1 true KR102672853B1 (ko) 2024-06-10

Family

ID=71120848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180166318A KR102672853B1 (ko) 2018-12-20 2018-12-20 기판 세정 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102672853B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008198689A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100097990A (ko) * 2009-02-27 2010-09-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 리소그래피 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008198689A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200077118A (ko) 2020-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI698906B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
US7806989B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6611172B2 (ja) 基板処理方法
US20080308131A1 (en) Method and apparatus for cleaning and driving wafers
JP6894264B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
EP1583136A1 (en) Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US20030192570A1 (en) Method and apparatus for wafer cleaning
WO2016199769A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US10622225B2 (en) Substrate processing apparatus and nozzle cleaning method
US11443960B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7165754B2 (ja) 半導体ウェハの洗浄装置及び洗浄方法
KR20150122008A (ko) 기판 처리 장치
JP6929652B2 (ja) 基板処理装置および間隙洗浄方法
KR102325059B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN112170035B (zh) 喷嘴装置以及用于处理基板的装置和方法
KR20200040538A (ko) 기판 세정 장치
KR100766343B1 (ko) 기판 세정 건조 방법
KR101292221B1 (ko) 매엽식 세정 및 건조 장치, 매엽식 세정 및 건조 방법
KR102672853B1 (ko) 기판 세정 장치
JP6983571B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2017041509A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20210066099A1 (en) Apparatus and method for processing substrate
KR20150121473A (ko) 분사부 및 이를 구비하는 기판 세정장치
JP6593920B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR101570167B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant