KR102671335B1 - Apparatus for processing wafer - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판 처리 공정시 상부에서 하부 방향으로 가스 흐름을 제어하여 상하부 슬롯 간의 온도 균일도를 향상시킬 수 있다.A substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus according to the present invention can improve temperature uniformity between the upper and lower slots by controlling the gas flow from the top to the bottom during the substrate processing process.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING WAFER}Substrate processing device {APPARATUS FOR PROCESSING WAFER}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판처리 공정시 가스 흐름을 제어하여 상하부 슬롯 간의 온도 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device. More specifically, it relates to a substrate processing device that can improve temperature uniformity between upper and lower slots by controlling gas flow during a substrate processing process.

표시 장치 또는 반도체 소자 제조시 사용되는 기판 처리 장치에서 기판이 처리되는 처리 공간 내부에는 많은 양의 가스가 공급 및 배출될 수 있다. 이러한 가스는 기판 상에 박막을 형성하거나, 기판 상의 박막에 패턴을 형성하거나, 처리공간 내부의 분위기를 환기시키는 등의 목적으로 처리 공간의 내부에 공급될 수 있다. 기판 처리 공정을 완료한 후, 처리 공간 내부의 가스는 외부로 배출될 수 있다.In a substrate processing apparatus used in the manufacture of display devices or semiconductor devices, a large amount of gas may be supplied and discharged inside a processing space where substrates are processed. This gas can be supplied to the inside of the processing space for the purpose of forming a thin film on a substrate, forming a pattern in a thin film on a substrate, or ventilating the atmosphere inside the processing space. After completing the substrate processing process, the gas inside the processing space may be discharged to the outside.

열처리 공정에서 양질의 제품을 얻기 위해서는 기판의 면내 온도 편차를 최소화하도록 온도를 제어해야 할 필요가 있다. 하지만, 기존의 설비는 본체 내부 공간, 다시 말해 기판이 처리되는 처리 공간 내에서 슬롯 별로 좌측에서 우측으로 기류의 흐름을 형성하는 것이 일반적이다. 이른바, 층류(laminar flow)를 형성하기 위해, 처리 공간의 대향하는 양측에서 가스의 공급과 배출을 수행하게 된다. 하지만, 열 이동에 의해서 좌측과 우측의 온도가 차이가 나는 문제점이 있었다.In order to obtain high-quality products in the heat treatment process, it is necessary to control the temperature to minimize the in-plane temperature deviation of the substrate. However, existing equipment generally forms an airflow from left to right for each slot within the internal space of the main body, that is, the processing space where substrates are processed. To form a so-called laminar flow, gas supply and discharge are performed on opposite sides of the processing space. However, there was a problem in that the temperature on the left and right sides differed due to heat transfer.

또한, 상기 기존의 설비는 처리 공간을 냉각시키는 과정에서도 위해서도 좌측에서 우측으로 기류의 흐름을 형성하여, 우측으로 가스가 배출되면서 냉각을 진행하게 되는데, 이 경우 냉각 가스가 하부로 이동하려는 경향이 있어 처리 공간의 상부가 하부보다 상대적으로 늦게 냉각되는 문제점이 있었다.In addition, the existing equipment creates an airflow from left to right in the process of cooling the processing space, and cooling occurs as gas is discharged to the right. In this case, the cooling gas tends to move to the bottom. There was a problem in that the upper part of the processing space cooled relatively more slowly than the lower part.

따라서, 처리 공간의 좌측과 우측, 상부와 하부의 온도 편차를 해결할 수 있는 기판 처리 장치가 필요한 실정이다.Accordingly, there is a need for a substrate processing device that can resolve temperature differences between the left and right sides, top and bottom of the processing space.

본 발명은 냉각시 상부에서 하부 방향으로 기류를 형성하여 열을 이동시킴에 따라 상하부 슬롯 간의 온도 편차를 개선할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The purpose of the present invention is to provide a substrate processing device that can improve the temperature difference between upper and lower slots by moving heat by forming an airflow from the top to the bottom during cooling.

또한, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 처리 공간의 온도 편차를 개선할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention was conceived to solve various problems of the prior art as described above, and its purpose is to provide a substrate processing device that can improve the temperature deviation in the processing space.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부 공간을 제공하는 본체; 상기 내부 공간에 본체의 상부벽과 측벽으로부터 소정 거리 이격되게 배치되어 복수의 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 격벽; 상기 처리 공간에 상기 기판이 수직방향을 따라 상호 이격되어 배치되도록 지지하는 기판 지지부; 수직 방향을 따라 이격되어 배치되는 복수의 히터 유닛을 포함하고, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판을 가열하기 위한 히터부; 상기 본체의 상부에 연결되고, 상기 본체의 상부벽과 상기 격벽 사이의 제1 기류 공간에 기류 가스를 분사하는 기류 가스 공급부; 및 상기 본체의 측벽과 상기 격벽 사이의 제2 기류 공간에 연결되고, 상기 본체 내의 가스를 배출하는 가스 배출부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a main body providing an internal space; a partition wall disposed in the internal space at a predetermined distance from the upper wall and side wall of the main body to form a processing space in which a plurality of substrates are processed; a substrate supporter supporting the substrates so that they are spaced apart from each other along a vertical direction in the processing space; a heater unit including a plurality of heater units spaced apart from each other in a vertical direction and configured to heat the substrate supported on the substrate support unit; an airflow gas supply unit connected to the upper part of the main body and spraying airflow gas into a first airflow space between the upper wall of the main body and the partition wall; and a gas discharge unit connected to a second airflow space between the side wall of the main body and the partition wall and discharging gas within the main body.

상기 격벽은, 상기 본체의 상부벽에 소정 거리 이격되어 배치되는 상부 격벽; 상기 본체의 좌측벽, 우측벽, 후측벽에 소정 거리 이격되어 배치되는 측부 격벽을 포함하고, 상기 제1 기류 공간과 상기 제2 기류 공간이 연결될 수 있다.The partition wall includes: an upper partition disposed at a predetermined distance apart from the upper wall of the main body; It may include side partitions disposed at a predetermined distance apart from the left wall, right wall, and rear wall of the main body, and the first airflow space and the second airflow space may be connected.

상기 기류 가스 공급부에 대응되는 상기 본체의 상부벽 내측면에는 복수의 분산홀이 형성된 기류 확산판이 배치될 수 있다. An airflow diffusion plate having a plurality of distribution holes may be disposed on the inner surface of the upper wall of the main body corresponding to the airflow gas supply unit.

상기 본체의 측부에 연결되고, 상기 본체의 측벽과 상기 격벽 사이의 제2 기류 공간에 기류 가스를 분사하는 측부 기류 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.It may further include a side airflow gas supply unit connected to the side of the main body and spraying airflow gas into the second airflow space between the side wall of the main body and the partition.

상기 측부 기류 가스 공급부에 대응되는 상기 본체의 측벽 내측면에는 복수의 분산홀이 형성된 측부 기류 확산판이 배치될 수 있다.A side airflow diffusion plate having a plurality of distribution holes may be disposed on the inner surface of the side wall of the main body corresponding to the side airflow gas supply unit.

상기 측부 기류 가스 공급부는, 외부의 기류 가스 공급 수단으로부터 기류 가스를 공급받고 수직 방향으로 연장 형성되는 기류 가스 유입관; 상기 기류 가스 유입관에 연통되어 기류 가스를 전달 받고 수평 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 기류 가스 측부 분배관; 및 각각의 상기 기류 가스 측부 분배관에서 상기 본체의 측부에 연결되는 적어도 하나의 기류 가스 측부 공급관;을 포함할 수 있다.The side airflow gas supply unit includes an airflow gas inlet pipe that receives airflow gas from an external airflow gas supply means and extends in the vertical direction; at least one airflow gas side distribution pipe that communicates with the airflow gas inlet pipe to receive the airflow gas and extends in a horizontal direction; and at least one airflow gas side supply pipe connected to a side of the main body in each of the airflow gas side distribution pipes.

각각의 기류 가스 측부 분배관에 밸브가 설치되고, 각 밸브의 제어에 따라 제2 기류 공간의 높이 방향에 따라 기류 가스의 공급양을 제어할 수 있다.A valve is installed in each airflow gas side distribution pipe, and the supply amount of airflow gas can be controlled according to the height direction of the second airflow space according to the control of each valve.

각각의 기류 가스 측부 공급관에 밸브가 설치되고, 각 밸브의 제어에 따라 제2 기류 공간의 수평 방향에 따라 기류 가스의 공급양을 제어할 수 있다.A valve is installed in each airflow gas side supply pipe, and the supply amount of airflow gas can be controlled according to the horizontal direction of the second airflow space according to the control of each valve.

상기 가스 배출부는 제2 기류 공간의 상기 본체 하측벽 또는 측벽의 하부에 연결될 수 있다. The gas discharge unit may be connected to a lower side wall or a lower part of the side wall of the main body of the second airflow space.

상기 격벽과 대향하는 상기 본체의 내벽면에 단열판이 밀착되게 설치될 수 있다. An insulating plate may be installed in close contact with the inner wall of the main body facing the partition.

상기 본체의 측벽 및 상기 격벽을 관통하여 적어도 일부가 상기 처리 공간 내에 배치되고, 상기 처리 공간에 공정 가스를 분사하는 공정 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.It may further include a process gas supply unit that penetrates the sidewall of the main body and the partition wall and is disposed at least partially within the processing space, and sprays a process gas into the processing space.

상기 공정 가스 공급부는, 외부로부터 공정 가스를 공급받는 공정 가스 연결관; 상기 본체 및 상기 격벽을 관통하고 소정 간격을 이루어 배치되는 복수의 공정 가스 공급관; 상기 공정 가스 연결관에 일측이 연통되고 타측은 상기 복수의 공정 가스 공급관에 연결되는 공정 가스 분배관을 포함할 수 있다.The process gas supply unit includes a process gas connector that receives process gas from the outside; a plurality of process gas supply pipes passing through the main body and the partition wall and arranged at predetermined intervals; It may include a process gas distribution pipe on one side of which is connected to the process gas connection pipe and on the other side connected to the plurality of process gas supply pipes.

상기 본체의 측벽 및 상기 격벽을 관통하도록 복수의 지지바가 설치되고, 상기 처리 공간의 전면 및 후면에 각각 대향하는 한 쌍의 지지바 상에 하나 또는 복수의 상기 기판 지지부가 지지될 수 있다.A plurality of support bars are installed to penetrate the side wall of the main body and the partition wall, and one or more substrate support parts may be supported on a pair of support bars facing each other at the front and rear sides of the processing space.

상기 본체의 측벽 및 상기 격벽을 관통하도록 설치되는 상기 히터 유닛 중 일부가 상기 지지바로 사용되고, 상기 처리 공간의 전면 및 후면에 각각 대향하는 한 쌍의 히터 유닛 상에 하나 또는 복수의 상기 기판 지지부가 지지될 수 있다.Some of the heater units installed to penetrate the side walls of the main body and the partition are used as the support bars, and one or more substrate supports are supported on a pair of heater units facing each other at the front and rear of the processing space. It can be.

상기 지지바는 내부가 빈 형상이고, 상기 지지바 내부에 상기 히터 유닛이 삽입될 수 있다.The support bar has a hollow interior, and the heater unit can be inserted into the support bar.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 처리 공간의 온도 편차를 개선할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect of improving the temperature difference in the processing space.

또한, 본 발명은 냉각시 상부에서 하부 방향으로 기류를 형성하여 열을 이동시킴에 따라 상하부 슬롯 간의 온도 편차를 개선할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of improving the temperature difference between the upper and lower slots by forming an airflow from the upper to the lower direction during cooling to move heat.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 전체적인 구성을 나타내는 개략 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 정단면 및 냉각 공정에서의 기류 가스 흐름을 나타내는 개략 정단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 측면을 나타내는 개략 측면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 상부를 확대한 개략 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 하부를 확대한 개략 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 지지하는 형태를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기류 확산판이 설치된 형태 및 기류 확산판을 나타내는 개략도이다.
도 8 은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 가스 공급부(제2 가스 공급부) 부분을 확대한 개략 사시도 및 정단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 공정에서의 공정 가스 흐름을 나타내는 개략도이다.1 is a schematic perspective view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic front cross-sectional view showing a front cross-section of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention and an air gas flow in a cooling process.
3 is a schematic side view showing a side of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is an enlarged schematic perspective view of the upper part of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is an enlarged schematic perspective view of the lower part of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a schematic diagram showing a form of supporting a substrate according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a schematic diagram showing the airflow diffusion plate and the installed form of the airflow diffusion plate according to an embodiment of the present invention.
Figure 8 is an enlarged schematic perspective view and front cross-sectional view of a process gas supply unit (second gas supply unit) according to an embodiment of the present invention.
9 is a schematic diagram showing a process gas flow in a heat treatment process according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.The detailed description of the present invention described below refers to the accompanying drawings, which show by way of example specific embodiments in which the present invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different from one another but are not necessarily mutually exclusive. For example, specific shapes, structures and characteristics described herein with respect to one embodiment may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention. Additionally, it should be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the detailed description that follows is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the invention is limited only by the appended claims, together with all equivalents to what those claims assert, if properly described. Similar reference numbers in the drawings refer to identical or similar functions across various aspects, and the length, area, thickness, etc. may be exaggerated for convenience.

본 명세서에 있어서, 기판은 LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등의 모든 기판을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 본 명세서에서는 플렉서블(Flexible) 표시장치에 사용되는 플렉서블 기판을 주로 예를 들어 설명한다.In this specification, a substrate can be understood to include all substrates such as substrates, semiconductor substrates, and solar cell substrates used in display devices such as LED and LCD, and in this specification, it is used in flexible display devices. The flexible substrate used is mainly explained as an example.

또한, 본 명세서에 있어서, 기판 처리 공정이란 증착 공정, 열처리 공정 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 본 명세서에서는 논플렉서블(Non-Flexible) 기판 상에 플렉서블 기판 형성, 플렉서블 기판 상에 패턴 형성, 플렉서블 기판 분리 등의 일련의 공정, 더 바람직하게는 플렉서블 기판을 열처리하여 건조하는 공정을 주로 예를 들어 설명한다.In addition, in this specification, the substrate treatment process can be understood to include a deposition process, a heat treatment process, etc., and in this specification, forming a flexible substrate on a non-flexible substrate and forming a pattern on a flexible substrate are used. , a series of processes such as separating the flexible substrate, and more preferably, the process of heat treating and drying the flexible substrate will be mainly explained as an example.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 전체적인 구성을 나타내는 개략도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 정단면 및 냉각 공정에서의 기류 가스 흐름을 나타내는 개략 정면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 측면을 나타내는 개략 측면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 상부를 확대한 개략 사시도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 하부를 확대한 개략 사시도이다.Figure 1 is a schematic diagram showing the overall configuration of a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic front view showing a front cross-section of the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention and an air gas flow in a cooling process. Figure 3 is a schematic side view showing the side of the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. Figure 4 is an enlarged schematic perspective view of the upper part of the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. Figure 5 is an enlarged schematic perspective view of the lower part of the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 본체(110), 히터부(200), 가스 공급부(300, 400), 가스 배출부(500)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 5 , the substrate processing apparatus according to this embodiment may include a main body 110, a heater unit 200, a gas supply unit 300 and 400, and a gas discharge unit 500.

본체(110)는 내부 공간을 제공하며, 내부 공간에서도 기판(10)이 로딩되어 처리되는 공간인 처리 공간(101)을 제공한다. 본 명세서에 있어서, 본체(110) 내에서 실질적으로 기판 처리가 수행되는 공간은 본체(110)의 내부 공간에서도 격벽(150, 170) 내측면에 의해 형성되는 공간일 수 있다. 다시 말해, 격벽(150, 170) 외측면과 본체(110) 내측면 사이에 형성되는 '기류 공간'[제1 기류 공간(TR) 및 제2 기류 공간(SR)]은 기판 처리가 수행되는 '처리 공간'(101)과는 별개의 공간으로 이해될 수 있다. The main body 110 provides an internal space, and also provides a processing space 101 in which the substrate 10 is loaded and processed. In this specification, the space where substrate processing is actually performed within the main body 110 may be a space formed by the inner surfaces of the partition walls 150 and 170, even within the internal space of the main body 110. In other words, the 'airflow space' (first airflow space (TR) and second airflow space (SR)) formed between the outer surface of the partition walls 150 and 170 and the inner surface of the main body 110 is the 'airflow space' where substrate processing is performed. It can be understood as a separate space from the ‘processing space’ (101).

본체(110)는 대략 육면체 형상을 가지며, 본체(110)의 재질은 석영(Quartz), 스테인리스 스틸(SUS), 알루미늄(Aluminium), 그라파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(Silicon carbide) 또는 산화 알루미늄(Aluminium oxide) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.The main body 110 has an approximately hexahedral shape, and the material of the main body 110 is quartz, stainless steel (SUS), aluminum, graphite, silicon carbide, or aluminum oxide. oxide).

처리 공간(101)에는 복수개의 기판(10)이 배치될 수 있다. 복수개의 기판(10)은 각각 일정간격을 가지면서 배치되며, 배치되며, 레더(ladder), 기판 홀더, 보트(boat) 등의 기판 지지부(190)[도 6 참조]에 지지, 안착되어 처리 공간(101) 내부에 배치될 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 설명의 편의상 일부의 기판(10)만을 도시한다. 각각의 기판(10)은 각각 하나의 슬롯(S) 공간을 점유하며 열처리 될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 두개 이상의 기판(10)이 하나의 슬롯(S) 공간을 점유하도록 적층 배치할 수도 있다. A plurality of substrates 10 may be disposed in the processing space 101 . The plurality of substrates 10 are each arranged at regular intervals, and are supported and seated on a substrate support 190 (see FIG. 6) such as a ladder, a substrate holder, or a boat to provide a processing space. (101) Can be placed inside. 1 and 2 show only a portion of the substrate 10 for convenience of explanation. Each substrate 10 occupies one slot (S) space and may be heat treated, but is not limited to this, and two or more substrates 10 may be stacked and arranged to occupy one slot (S) space. there is.

본체(110)의 일면[일 예로, 전면]에는 기판(10)이 로딩/언로딩 되는 통로인 출입구(105)가 형성될 수 있다. 출입구(105)는 본체(110)의 일면[일 예로, 전면]에만 형성될 수 있고, 반대면[일 예로, 후면]에도 형성될 수 있다.An entrance 105, which is a passage for loading/unloading the substrate 10, may be formed on one side (eg, the front) of the main body 110. The entrance 105 may be formed only on one side (eg, the front) of the main body 110, and may also be formed on the opposite side (eg, the back).

도어(미도시)는 본체(110)의 일면[즉, 출입구(105)가 형성된 면]에 설치될 수 있다. 도어는 전후방향, 좌우방향 또는 상하방향으로 슬라이딩 가능하게 설치될 수 있다. 도어는 출입구(105)를 개폐할 수 있고, 출입구(105)의 개폐 여부에 따라서 처리 공간(101)도 물론 개폐될 수 있다. 또한, 도어에 의하여 출입구(105)가 완전하게 실링되도록 도어와 본체(110)의 출입구(105)가 형성된 면 사이에는 오링(O-ring) 등의 실링부재(미도시)가 개재될 수 있다.A door (not shown) may be installed on one side of the main body 110 (i.e., the side where the entrance 105 is formed). The door can be installed to be able to slide forward and backward, left and right, or up and down. The door can open and close the entrance 105, and the processing space 101 can also be opened and closed depending on whether the entrance 105 is opened or closed. Additionally, a sealing member (not shown) such as an O-ring may be interposed between the door and the surface of the main body 110 where the entrance 105 is formed so that the entrance 105 is completely sealed by the door.

한편, 본체(110)의 외측면 상에는 보강리브(111, 112)를 결합할 수 있다. 본체(110)는 공정 중에 내부에서 강한 압력 또는 고온의 영향을 받아 파손되거나 변형이 발생할 수 있다. 따라서, 보강리브(111, 112)를 본체(110)의 외측면 상에 결합하여 본체(110)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 필요에 따라서, 특정 외측면 또는 외측면 상의 일부에만 보강리브(111, 112)를 결합할 수도 있다.Meanwhile, reinforcing ribs 111 and 112 may be coupled to the outer surface of the main body 110. The main body 110 may be damaged or deformed under the influence of strong internal pressure or high temperature during the process. Therefore, the durability of the main body 110 can be improved by combining the reinforcing ribs 111 and 112 on the outer surface of the main body 110. If necessary, the reinforcing ribs 111 and 112 may be combined only on a specific outer surface or a portion of the outer surface.

본체(110)의 벽에는 복수의 관통홀(115)[도 4 참조]이 형성될 수 있다. 제1 가스 공급부(300) 및 제2 가스 공급부(400)의 각 구성이 본체(110) 외벽에서 처리 공간(101)으로 연통될 수 있도록, 본체(110) 벽의 해당하는 부분에 관통홀(115)이 형성될 수 있다. 관통홀(115) 주변에는 기판처리 가스의 누설을 막기 위한 실링 수단(미도시)을 더 개재할 수 있다.A plurality of through holes 115 (see FIG. 4) may be formed in the wall of the main body 110. A through hole 115 is formed in the corresponding portion of the wall of the main body 110 so that each component of the first gas supply unit 300 and the second gas supply unit 400 can communicate from the outer wall of the main body 110 to the processing space 101. ) can be formed. A sealing means (not shown) may be further provided around the through hole 115 to prevent leakage of substrate processing gas.

본체(110)의 내벽에는 단열판(120)이 설치될 수 있다. 단열판(120)은 처리 공간(101)의 열이 손실되는 것을 방지하는 본연의 단열 역할뿐만 아니라, 본체(110)의 내벽의 온도를 유지하는 역할을 할 수 있다. 이를 위해, 단열판(120)은 본체(110) 내벽과의 사이에 공간을 두지 않고 밀착되어 설치되는 것이 바람직하다. 게다가 단열판(120)과 본체(110) 사이에 공간이 있으면 해당 공간 내에서 가스의 와류가 발생하여 온도 불균일이 발생할 수 있는데, 단열판(120)과 본체(110) 내벽이 밀착되면 와류의 문제가 해결될 수 있다. 단열판(120)은 공지의 단열재를 제한없이 사용할 수 있으나, 열에 대해서 변형이 적은 재질을 사용하는 것이 바람직하다.An insulation plate 120 may be installed on the inner wall of the main body 110. The insulating plate 120 not only serves as an inherent insulator to prevent heat loss in the processing space 101, but also serves to maintain the temperature of the inner wall of the main body 110. For this purpose, it is preferable that the insulation plate 120 is installed in close contact with the inner wall of the main body 110 without leaving a space between it. In addition, if there is a space between the insulation plate 120 and the main body 110, eddy currents of gas may occur within the space, which may cause temperature unevenness. However, if the insulation plate 120 and the inner wall of the main body 110 are in close contact, the problem of eddy currents is solved. It can be. The insulating plate 120 can be made of any known insulating material without limitation, but it is preferable to use a material that has little thermal deformation.

단열판(120)에는 후술할 본체(110) 외벽에서 처리 공간(101)으로 연통되는 히터부(200), 제1 가스 공급부(300) 및 제2 가스 공급부(400)의 구성이 통과할 수 있도록, 단열체(120)의 해당하는 부분에 홀(121)이 형성될 수 있다. 홀(121)은 관통홀(115)과 대응하는 위치에 형성될 수 있다.The insulation plate 120 is configured so that the heater unit 200, the first gas supply unit 300, and the second gas supply unit 400, which are communicated from the outer wall of the main body 110 to the processing space 101, which will be described later, can pass through. A hole 121 may be formed in a corresponding portion of the insulator 120. The hole 121 may be formed at a position corresponding to the through hole 115.

단열판(120)이 본체(110)의 내벽에 밀착되어 실질적으로 본체(110)의 내벽을 구성하고, 단열판(120)이 그 자체로 열을 포함하고 있을 수 있다. 다시 말해, 열처리 공정에서 처리 공간(101)에 히터부(200)가 인가하는 열을 외부로 쉽게 방출하지 않고, 단열판(120)이 열을 포함하고 있을 수 있다. 이 열은 본체(110)의 내벽의 온도를 유지할 뿐 아니라, 기판(10)이 유기용매 등의 휘발성 물질을 포함할 경우에는 휘발성 물질이 본체(110)의 내벽에 응축되지 않고 기체 상태로 존재하도록 할 수 있다. 기체 상태의 휘발성 물질은 제1 기류 공간(TR) 및 제2 기류 공간(SR)의 기류의 흐름에 따라 가스 배출부(500)로 배출될 수 있게 된다.The insulation plate 120 is in close contact with the inner wall of the main body 110 and substantially constitutes the inner wall of the main body 110, and the insulation plate 120 itself may contain heat. In other words, during the heat treatment process, the heat applied by the heater unit 200 to the processing space 101 is not easily released to the outside, and the insulation plate 120 may contain heat. This heat not only maintains the temperature of the inner wall of the main body 110, but also, when the substrate 10 contains volatile substances such as organic solvents, the volatile substances do not condense on the inner wall of the main body 110 and exist in a gaseous state. can do. Volatile substances in a gaseous state can be discharged into the gas discharge unit 500 according to the airflow of the first airflow space (TR) and the second airflow space (SR).

격벽(150, 160, 170)은 본체(110)의 내측벽에 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 일 예로, 상부 격벽(150)은 본체(110)의 상측벽에 소정 거리 이격되도록 배치되고, 측부 격벽(170)은 본체(110)의 좌측벽, 우측벽, 후측벽에 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 각각의 격벽(150, 170)은 상호 연결될 수 있다. 본체(110)의 하측벽에 소정 거리 이격되도록 하부 격벽(160)이 더 배치되고, 상부, 측부 격벽(150, 170)과 상호 연결될 수 있다.The partition walls 150, 160, and 170 may be arranged to be spaced a predetermined distance apart from the inner wall of the main body 110. As an example, the upper partition wall 150 may be arranged to be spaced a predetermined distance apart from the upper wall of the main body 110, and the side partition wall 170 may be arranged to be spaced a predetermined distance apart from the left wall, right wall, and rear wall of the main body 110. You can. Each of the partition walls 150 and 170 may be connected to each other. A lower partition wall 160 is further disposed at a predetermined distance apart from the lower wall of the main body 110 and may be interconnected with the upper and side partition walls 150 and 170.

격벽(150, 170)에 의해 형성되는 내부 공간은 실질적으로 기판 처리가 수행될 수 있고, 격벽(150, 170)과 본체(110) 내측벽 사이에 형성되는 기류 공간[제1 기류 공간(TR) 및 제2 기류 공간(SR)]은 기류 가스(CG)가 지나는 경로로 사용될 수 있다.The internal space formed by the partition walls 150 and 170 can substantially perform substrate processing, and the air flow space formed between the partition walls 150 and 170 and the inner wall of the main body 110 (first air flow space (TR) and the second air flow space (SR)] may be used as a path through which the air flow gas (CG) passes.

측부 격벽(170)에는 후술할 본체(110) 외벽에서 처리 공간(101)으로 연통되는 제2 가스 공급부(400)의 구성이 통과할 수 있도록, 측부 격벽(170)의 해당하는 부분에 홀(171)이 형성될 수 있다. 또한, 본체(110) 외벽에서 처리 공간(101)으로 연통되는 히터부(200)가 통과할 수 있도록, 측부 격벽(170)의 해당하는 부분에 홀(172)이 형성될 수 있다.The side partition 170 has a hole 171 in the corresponding part of the side partition 170 so that the second gas supply unit 400, which will be described later, communicates from the outer wall of the main body 110 to the processing space 101 can pass through. ) can be formed. Additionally, a hole 172 may be formed in a corresponding portion of the side partition 170 so that the heater unit 200 communicating from the outer wall of the main body 110 to the processing space 101 can pass.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 지지하는 형태를 나타내는 개략도이다.Figure 6 is a schematic diagram showing a form of supporting a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 6의 (a) 및 (b)를 참조하면, 기판(10)은 레더(ladder) 등의 기판 지지부(190) 상에 로딩될 수 있다. 기판 지지부(190)의 모서리 부분에는 복수의 반원 형상의 걸림편(191)이 형성되어 지지바(195)의 외주에 삽입 결합될 수 있다. 그리하여 기판 지지부(190)는 지지바(195) 위에서 안정적으로 거치되고, 기판 지지부(190)를 위로 들어올리는 것만으로 지지바(195)와 분리가능하게 될 수 있다. 복수의 기판 지지부(190) 상에는 복수의 지지핀(192)이 형성되어 기판(10)의 하부를 점촉 지지할 수 있다. 기판 지지부(190)의 구체적인 사항은 본 출원인의 한국특허출원 제10-2011-0030216호, 제10-2011-0034246호, 제10-2012-0006023호, 제10-2012-0006024호 등의 내용이 전체로서 편입된 것으로 간주될 수 있다.Referring to Figures 6 (a) and (b), the substrate 10 may be loaded on a substrate supporter 190 such as a ladder. A plurality of semicircular locking pieces 191 are formed at the corners of the substrate support 190 and can be inserted and coupled to the outer periphery of the support bar 195. Thus, the substrate support portion 190 is stably mounted on the support bar 195, and can be separated from the support bar 195 by simply lifting the substrate support portion 190 upward. A plurality of support pins 192 are formed on the plurality of substrate supports 190 to support the lower portion of the substrate 10. Specific details of the substrate support unit 190 are provided in Korean Patent Application Nos. 10-2011-0030216, 10-2011-0034246, 10-2012-0006023, and 10-2012-0006024 of the present applicant. It can be considered incorporated as a whole.

지지바(195)는 본체(110)의 벽에 형성된 복수의 관통홀(115) 및 측부 격벽(170)의 홀(172)을 통과하여 설치될 수 있다. 지지바(195) 양단의 고정부(196)는 본체(110)의 외벽에 결합되어 지지바(195)를 고정할 수 있다.The support bar 195 may be installed by passing through a plurality of through holes 115 formed in the wall of the main body 110 and the hole 172 of the side partition 170. The fixing portions 196 at both ends of the support bar 195 may be coupled to the outer wall of the main body 110 to fix the support bar 195.

다른 실시예에 따르면, 후술할 히터 유닛(210)이 지지바(195) 역할을 수행할 수 있다. 히터 유닛(210) 상에 하나 또는 복수의 기판 지지부(190)가 지지되고, 기판 지지부(190) 상에 기판(10)을 로딩할 수 있다.According to another embodiment, the heater unit 210, which will be described later, may perform the role of the support bar 195. One or more substrate supports 190 are supported on the heater unit 210, and the substrate 10 can be loaded on the substrate supports 190.

또 다른 실시예에 따르면, 지지바(195)의 내부가 빈 형상[또는, 중공(中孔) 관 형상]이고, 지지바(195) 내부에 히터 유닛(210)이 삽입될 수 있다. 지지바(195) 상에 하나 또는 복수의 기판 지지부(190)가 지지됨과 동시에 지지바(195) 내부의 히터 유닛(210)에 의해 기판(10)의 가열이 수행될 수 있다.According to another embodiment, the inside of the support bar 195 has an empty shape (or a hollow tube shape), and the heater unit 210 can be inserted into the support bar 195. While one or more substrate supports 190 are supported on the support bar 195, heating of the substrate 10 may be performed by the heater unit 210 inside the support bar 195.

도 6의 (b)를 참조하면, 후술할 히터 유닛(210), 제2 가스 공급관(430) 등은 동일한 수평면 상을 점유하고, 소정 간격을 따라 번갈아 배치될 수 있다. 또한, 특정 수평면과 이에 이웃하는 다른 수평면의 사이에 기판(10)[및 기판 지지부(190)]가 배치될 수 있다. 위와 같이, 동일한 수평면 상에 히터 유닛(210), 제2 가스 공급관(430) 등이 점유하게 하여 슬롯(S)간 피치(pitch)를 최소화함으로써 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Referring to (b) of FIG. 6, the heater unit 210 and the second gas supply pipe 430, which will be described later, occupy the same horizontal surface and may be alternately arranged at predetermined intervals. Additionally, the substrate 10 (and the substrate support 190) may be disposed between a specific horizontal plane and another horizontal plane adjacent thereto. As above, there is an advantage in that productivity can be improved by minimizing the pitch between slots S by having the heater unit 210, the second gas supply pipe 430, etc. occupy the same horizontal surface.

히터부(200)는 처리 공간(101)을 가열하여 기판 처리 분위기를 조성하며 기판(10)을 가열할 수 있다. 복수의 히터 유닛(210)이 본체(110)에 형성된 히터 관통구(201)를 통과하여 처리 공간(101)에 배치될 수 있다. 관통구(201)는 측부 격벽(170)의 홀(172)에 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 일 예로, 복수의 히터 유닛(210)은 기판(10)의 로딩/언로딩 방향과 수직한 방향으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있고, 기판(10)의 적층 방향을 따라 수직으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있다.The heater unit 200 may heat the processing space 101 to create a substrate processing atmosphere and heat the substrate 10. A plurality of heater units 210 may pass through the heater through hole 201 formed in the main body 110 and may be disposed in the processing space 101 . The through hole 201 may be formed at a position corresponding to the hole 172 of the side partition 170. As an example, the plurality of heater units 210 may be arranged at regular intervals in a direction perpendicular to the loading/unloading direction of the substrate 10, and may be arranged at regular intervals vertically along the stacking direction of the substrate 10. It can be placed while having.

도 1 내지 도 3에서는 다른 구성의 설명의 편의상 일부의 히터 유닛(210)만을 도시하나, 모든 히터 관통구(201)에 히터 유닛(210)이 삽입되어 히터부(200)를 구성할 수 있다. 따라서, 기판(10)은 상부 및 하부에 배치된 히터부(200)에 의해서 전면적이 균일하게 가열될 수 있으므로, 기판 처리 공정의 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.In FIGS. 1 to 3 , only some heater units 210 are shown for convenience of explanation of other configurations. However, heater units 210 may be inserted into all heater through-holes 201 to form the heater unit 200 . Accordingly, the entire surface of the substrate 10 can be heated uniformly by the heater unit 200 disposed at the top and bottom, which has the advantage of improving the reliability of the substrate processing process.

이에 더하여, 서브 히터 유닛(미도시)이 기판(10)의 로딩/언로딩 방향과 평행한 방향으로 챔버(101) 내벽[또는, 본체(110) 내벽]에 기판(10)의 적층 방향을 따라 수직으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수도 있다. In addition, a sub-heater unit (not shown) is installed on the inner wall of the chamber 101 (or the inner wall of the main body 110) in a direction parallel to the loading/unloading direction of the substrate 10 along the stacking direction of the substrate 10. They may be placed vertically at regular intervals.

히터 유닛(210)은 본체(110)의 일측면에서 타측면까지 연통되는 바(bar) 형상을 가지며, 석영관 내부에 발열체가 삽입된 형태일 수 있다. 일 예로, 히터 유닛(210)은 본체(110)의 좌측면에서 우측면까지 연통될 수 있고, 서브 히터 유닛(미도시)은 출입구(105) 부분을 제외한 본체(110)의 전면에서 후면까지 연통될 수 있다. 단자는 외부의 전원(미도시)으로부터 전력을 공급받아 발열체에서 열을 발생시킬 수 있도록 한다. 히터 유닛(210)/서브 히터 유닛의 개수는 본체(110)의 크기, 기판(10)의 크기 및 개수에 따라서 다양하게 변경될 수 있다.The heater unit 210 has a bar shape that communicates from one side of the main body 110 to the other side, and may have a heating element inserted inside a quartz tube. As an example, the heater unit 210 may communicate from the left side to the right side of the main body 110, and the sub heater unit (not shown) may communicate from the front to the rear of the main body 110 excluding the entrance 105. You can. The terminal receives power from an external power source (not shown) and allows the heating element to generate heat. The number of heater units 210/sub heater units may vary depending on the size of the main body 110 and the size and number of substrates 10.

한편, 히터부(200)는 상술한 형태에 제한되지 않고, 격벽(150, 160, 170), 본체 내벽 등에 매립된 형태로 기판(10)을 가열할 수도 있다.Meanwhile, the heater unit 200 is not limited to the above-described form and may heat the substrate 10 in a form embedded in the partition walls 150, 160, 170, the inner wall of the main body, etc.

가스 공급부(300, 400)는 본체(110) 상부 및 본체(110) 측부에 연결될 수 있다. 가스 공급부(300, 400)는 제1 가스 공급부(300) 및 제2 가스 공급부(400)을 포함할 수 있다.The gas supply units 300 and 400 may be connected to the upper part of the main body 110 and the side of the main body 110. The gas supply units 300 and 400 may include a first gas supply unit 300 and a second gas supply unit 400.

제1 가스 공급부(300)는 본체(110) 상부에 연결되어 제1 가스를 공급할 수 있다. 제1 가스 공급부(300)에서 공급하는 제1 가스는, 대부분 기판(10)의 직접적인 처리 공정에 관여하지 않고, 처리 공간(101)의 상부와 측부, 즉, 제1 기류 공간(TR) 및 제2 기류 공간(SR)에서의 기류(flow)의 형성에 기여할 수 있다. 이하에서는, 제1 가스 공급부(300)에서 공급하는 제1 가스를 '기류 가스'(CG)[도 2 참조]라고 지칭한다. 또한, 제1 가스 공급부(300)는 '기류 가스 공급부'(300)로 명칭을 혼용하여 사용한다.The first gas supply unit 300 may be connected to the upper part of the main body 110 to supply the first gas. The first gas supplied from the first gas supply unit 300 is mostly not involved in the direct processing process of the substrate 10, and is directed to the upper and side parts of the processing space 101, that is, the first airflow space (TR) and the first gas flow space (TR). 2 It can contribute to the formation of air flow in the air flow space (SR). Hereinafter, the first gas supplied from the first gas supply unit 300 is referred to as 'air flow gas' (CG) (see FIG. 2). Additionally, the names of the first gas supply unit 300 and 'air flow gas supply unit' 300 are used interchangeably.

제1 가스 공급부(300)[기류 가스 공급부(300)]의 제1 가스 상부 공급관(310)[기류 가스 상부 공급관(310)]은 외부의 기류 가스 공급 수단(30)으로부터 기류 가스(CG)를 전달받아 제1 기류 공간(TR)으로 공급할 수 있다. 제1 가스 상부 공급관(310)은 본체(110) 상부를 관통하여 제1 기류 공간(TR)으로 연통될 수 있다. 제1 가스 상부 공급관(310)으로부터 제1 기류 공간(TR)에 기류 가스(CG)를 공급할 수 있다.The first gas upper supply pipe 310 (airstream gas upper supply pipe 310) of the first gas supply unit 300 (airflow gas supply unit 300) supplies airflow gas (CG) from the external airflow gas supply means 30. It can be delivered and supplied to the first airflow space (TR). The first gas upper supply pipe 310 may pass through the upper part of the main body 110 and communicate with the first airflow space TR. Air flow gas CG may be supplied to the first air flow space TR from the first gas upper supply pipe 310.

제1 기류 공간(TR)에 공급된 기류 가스(CG)는 상부 격벽(150)에 막혀 기판(10)의 상부로 직접적인 분사가 제한된다. 기류 가스(CG)는 상부 측부 격벽(150)에 의해 구획된 제1 기류 공간(TR)에 퍼진 후, 측부 격벽(170)에 의해 구획된 제2 기류 공간(SR)으로 이동할 수 있다. 즉, 측부 격벽(170)은 상부 격벽(150)과 모서리 부분에서 연결되어 제1 기류 공간(TR)과 제2 기류 공간(SR)이 연결되도록 구성될 수 있다.The air flow gas CG supplied to the first air flow space TR is blocked by the upper partition wall 150 and is restricted from being directly sprayed onto the upper part of the substrate 10 . The airflow gas CG may spread in the first airflow space TR defined by the upper side partition 150 and then move to the second airflow space SR partitioned by the side partition 170 . That is, the side partition 170 may be connected to the upper partition 150 at a corner portion so that the first airflow space TR and the second airflow space SR are connected.

제1 가스 공급부(300)는 본체(110) 측부에 더 연결될 수 있다. 본체(110) 측부에 제1 가스 유입관(320)[기류 가스 유입관(320)], 제1 가스 측부 분배관(330)[기류 가스 측부 분배관(330)] 및 제1 가스 측부 공급관(340)[기류 가스 측부 공급관(340)]이 더 연결될 수 있다. 제1 가스 유입관(320), 제1 가스 측부 분배관(330) 및 제1 가스 측부 공급관(340)을 합하여 '측부 기류 가스 공급부'라고 지칭한다.The first gas supply unit 300 may be further connected to the side of the main body 110. On the side of the main body 110, there is a first gas inlet pipe 320 (air gas inlet pipe 320), a first gas side distribution pipe 330 (air gas side distribution pipe 330), and a first gas side supply pipe ( 340) [air flow gas side supply pipe 340] may be further connected. The first gas inlet pipe 320, the first gas side distribution pipe 330, and the first gas side supply pipe 340 are collectively referred to as a 'side airflow gas supply section'.

제1 가스 유입관(320)은 외부의 기류 가스 공급 수단(30)으로부터 기류 가스를 공급받아 적어도 하나의 제1 가스 측부 분배관(330: 331, 332)에 기류 가스를 분산하여 전달할 수 있다. 제1 가스 유입관(320)은 본체(110)의 좌측 외벽, 우측 외벽을 따라 수직하게 연장되고, 제1 가스 측부 분배관(330)은 본체(110)의 좌측 외벽, 우측 외벽을 따라 수평하게 연장될 수 있다.The first gas inflow pipe 320 may receive airflow gas from an external airflow gas supply means 30 and distribute the airflow gas to at least one first gas side distribution pipe 330 (331, 332). The first gas inlet pipe 320 extends vertically along the left and right outer walls of the main body 110, and the first gas side distribution pipe 330 extends horizontally along the left and right outer walls of the main body 110. It may be extended.

제1 가스 측부 분배관(330: 331, 332)은 제1 가스 유입관(320)에 연통되어 기류 가스를 전달 받을 수 있다. 본 명세서에서 제1 가스 측부 분배관(330: 331, 332)이 2개인 것이 예시되나, 기판의 개수/크기, 기판 처리 장치의 크기 등을 고려하여 개수는 증감 가능하다. 각각의 제1 가스 측부 분배관(330: 331, 332)에서 기류 가스(CG)는 다양한 제1 가스 측부 공급관(340: 341, 342, 343)으로 분산되고, 각각의 제1 가스 측부 공급관(340: 341, 342, 343)는 본체(110) 측부를 관통하여 처리 공간(101)으로 연통될 수 있다. 그리하여 제1 가스 측부 분배관(330)으로부터 제2 기류 공간(SR)에 기류 가스(CG)를 더 공급할 수 있다.The first gas side distribution pipes 330 (331, 332) are connected to the first gas inlet pipe 320 and can receive airflow gas. In this specification, it is exemplified that there are two first gas side distribution pipes 330 (331, 332), but the number can be increased or decreased considering the number/size of substrates, the size of the substrate processing device, etc. The airflow gas (CG) from each of the first gas side distribution pipes 330 (331, 332) is distributed to various first gas side supply pipes (340: 341, 342, 343), and each of the first gas side supply pipes (340) : 341, 342, 343 may pass through the side of the main body 110 and communicate with the processing space 101. Accordingly, the air flow gas CG can be further supplied from the first gas side distribution pipe 330 to the second air flow space SR.

각각의 제1 가스 측부 분배관(330: 331, 332)과 제1 가스 유입관(320) 사이에는 밸브(V)가 설치될 수 있다. 밸브(V)의 제어에 따라 제2 기류 공간(SR)의 높이 방향에 따라 공급되는 기류 가스(CG)의 양을 제어할 수 있다. 일 예로, 제1 가스 상부 공급관(310)에서 제1 기류 공간(TR)으로 공급하는 기류 가스(CG)의 양으로도 충분하다면, 제2 기류 공간(SR)에 기류 가스(CG)를 공급할 필요 없이 모든 밸브(V)를 잠글 수 있다. 다른 예로, 처리 공간(101) 하부쪽이 대해서 냉각을 더 수행하여 처리 공간(101)의 상하부의 온도 편차를 줄일 필요가 있으면, 제1 가스 측부 분배관(330) 중 가장 하부에 의치한 공급관(332)의 밸브(V)를 최대로 열어 기류 가스(CG)의 공급량을 늘릴 수 있다.A valve (V) may be installed between each of the first gas side distribution pipes (330: 331, 332) and the first gas inlet pipe (320). By controlling the valve V, the amount of airflow gas CG supplied along the height direction of the second airflow space SR can be controlled. For example, if the amount of airflow gas (CG) supplied from the first gas upper supply pipe 310 to the first airflow space (TR) is sufficient, it is necessary to supply the airflow gas (CG) to the second airflow space (SR) All valves (V) can be closed without. As another example, if it is necessary to reduce the temperature difference between the upper and lower parts of the processing space 101 by further cooling the lower part of the processing space 101, the supply pipe (located at the lowest part of the first gas side distribution pipe 330) The supply amount of airflow gas (CG) can be increased by opening the valve (V) of 332) to the maximum.

또한, 각각의 제1 가스 측부 분배관(330: 331, 332)과 각각의 제1 가스 측부 공급관(340: 341, 342, 343) 사이에는 밸브(V)가 설치될 수 있다. 밸브(V)의 제어에 따라 제2 기류 공간(SR)의 수평 방향에 따라 공급되는 기류 가스(CG)의 양을 제어할 수 있다. 밸브(V)의 개폐 여부, 개폐 정도는 제어 시스템(미도시)에 의해 자동으로 수행될 수 있다.Additionally, a valve (V) may be installed between each of the first gas side distribution pipes (330: 331, 332) and each of the first gas side supply pipes (340: 341, 342, 343). By controlling the valve V, the amount of airflow gas CG supplied along the horizontal direction of the second airflow space SR can be controlled. Whether the valve V is opened or closed and the degree of opening or closing can be automatically performed by a control system (not shown).

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기류 확산판이 설치된 형태 및 기류 확산판을 나타내는 개략도이다.Figure 7 is a schematic diagram showing the airflow diffusion plate and the installed form of the airflow diffusion plate according to an embodiment of the present invention.

한편, 기류 가스 공급부(300)에서 제1 기류 공간(TR) 및/또는 제2 기류 공간(SR)에 기류 가스(CG)를 공급하지만, 제1 가스 상부 공급관(310)이 본체(110) 상부에 연통되는 면적, 복수의 제1 가스 측부 분배관(330: 331, 332)이 본체(110) 측부에 연통되는 면적에 대해서만 기류 가스(CG)를 공급하므로, 특정 부분에 기류 가스(CG)가 집중될 수 있다.Meanwhile, the airflow gas supply unit 300 supplies airflow gas (CG) to the first airflow space (TR) and/or the second airflow space (SR), but the first gas upper supply pipe 310 is located at the upper part of the main body 110. Since the plurality of first gas side distribution pipes 330 (331, 332) supply the airflow gas (CG) only to the area communicating with the side of the main body 110, the airflow gas (CG) is supplied to a specific portion. can be concentrated

이를 해소하기 위해, 기류 확산판(350)을 개재하여 기류 가스(CG)가 넓은 면적에 분산되며 공급되도록 할 수 있다. 도 7을 참조하면, 기류 확산판(350)에는 소정거리 이격되도록 복수의 분산홀(351)들이 형성될 수 있다. 그리고, 기류 확산판(350)을 본체(110) 상부 내측벽 및/또는 측부 내측벽에 배치할 수 있다. 도 7에는 기류 확산판(350)이 본체(110) 측부 내측벽에 배치되고, 제1 가스 측부 공급관(340: 341)에 대응되도록 연결되는 형태를 예시하나, 본체(110) 상부 내측벽에 배치되고 제1 가스 상부 공급관(310)에 대응되도록 연결되는 것도 동일하게 적용될 수 있다.To solve this problem, the air flow gas (CG) can be distributed and supplied over a large area through the air flow diffusion plate 350. Referring to FIG. 7, a plurality of distribution holes 351 may be formed in the airflow diffusion plate 350 to be spaced a predetermined distance apart. Additionally, the airflow diffusion plate 350 may be placed on the upper inner wall and/or side inner wall of the main body 110. In Figure 7, the airflow diffusion plate 350 is disposed on the side inner wall of the main body 110 and is connected to the first gas side supply pipes 340 and 341, but is disposed on the upper inner wall of the main body 110. and being connected to correspond to the first upper gas supply pipe 310 may also be applied in the same way.

기류 확산판(350)이 배치되는 본체(110) 내측벽에는 음각 홈이 형성되어 분산 공간(BS)을 제공할 수 있다. 다시 말해, 기류 확산판(350)의 일면과 본체(110) 내측벽의 음각 홈으로 구획되는 공간이 분산 공간(BS)이 될 수 있다. 제1 가스 상부 공급관(310)은 본체(110) 상부 내측벽의 분산 공간(BS)에 연통되고, 제1 가스 측부 분배관(330)은 본체(110) 측부 내측벽의 분산 공간(BS)에 연통될 수 있다. 제1 가스 상부 공급관(310)/제1 가스 측부 분배관(330)으로부터 공급된 기류 가스(CG)는 곧바로 제2 기류 공간(SR)에 분사되지 않고, 분산 공간(BS)을 채울 수 있다. 그리고, 분산 공간(BS)을 채운 기류 가스(CG)들은 복수의 분산홀(351)들을 통과하여 제2 기류 공간(SR)에 분사될 수 있다. 이처럼 기류 확산판(350)의 면적에 대응하는 범위에 기류 가스(CG)들을 분산시켜 분사할 수 있으므로, 처리 공간(101)의 온도 편차를 보다 균일하고, 미세하게 개선할 수 있는 이점이 있다. A concave groove may be formed on the inner wall of the main body 110 where the airflow diffusion plate 350 is disposed to provide a distribution space BS. In other words, the space defined by one side of the airflow diffusion plate 350 and the engraved groove on the inner wall of the main body 110 may be the distribution space BS. The first gas upper supply pipe 310 is in communication with the distribution space BS of the upper inner wall of the main body 110, and the first gas side distribution pipe 330 is connected to the distribution space BS of the side inner wall of the main body 110. There may be communication. The airflow gas CG supplied from the first gas upper supply pipe 310/first gas side distribution pipe 330 may fill the dispersion space BS without being directly sprayed into the second airflow space SR. Additionally, the air flow gas CG filling the dispersion space BS may pass through the plurality of dispersion holes 351 and be injected into the second air flow space SR. In this way, since the air flow gases CG can be dispersed and sprayed in a range corresponding to the area of the air flow diffusion plate 350, there is an advantage in that the temperature deviation in the processing space 101 can be more uniformly and finely improved.

기류 가스(CG)는 본체(110)의 상측벽과 상부 격벽(150)의 외측면 사이의 공간[제1 기류 공간(TR)], 및 본체(110)의 좌측벽, 우측벽, 후측벽과 측부 격벽(170)의 외측면 사이의 공간[제2 기류 공간(SR)]을 따라 하부방향으로 이동하여, 배기구(501)를 통해 가스 배출부(500)로 배출될 수 있다.The airflow gas CG is in the space between the upper wall of the main body 110 and the outer surface of the upper partition wall 150 (first airflow space TR), and the left, right, and rear walls of the main body 110, and It may move downward along the space (second air flow space (SR)) between the outer surfaces of the side partition 170 and be discharged to the gas discharge unit 500 through the exhaust port 501.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 가스 공급부(400)[제2 가스 공급부(400)] 부분을 확대한 개략 사시도 및 정단면도이다. Figure 8 is an enlarged schematic perspective view and front cross-sectional view of the process gas supply unit 400 (second gas supply unit 400) according to an embodiment of the present invention.

제2 가스 공급부(400)는 본체(110) 측부에 연결되고 본체(110)의 측면 및 격벽(170)을 관통하여 적어도 일부가 처리 공간(101) 내에 배치됨에 따라, 처리 공간(101)에 제2 가스를 공급할 수 있다. 한 쌍의 제2 가스 공급부(400)가 본체(110)의 대향하는 외측벽에 설치될 수 있다.The second gas supply unit 400 is connected to the side of the main body 110 and penetrates the side of the main body 110 and the partition wall 170, so that at least a portion of the second gas supply unit 400 is disposed within the processing space 101. 2 Gas can be supplied. A pair of second gas supply units 400 may be installed on opposing outer walls of the main body 110.

제2 가스 공급부(400)에서 공급하는 제2 가스는, 기판(10)의 직접적인 처리 공정에 관여할 수 있다. 이하에서는, 제2 가스 공급부(400)에서 공급하는 제2 가스를 '공정 가스'(PG)[도 9 참조]라고 지칭한다. 또한, 제2 가스 공급부(400)는 '공정 가스 공급부'(400)로 명칭을 혼용하여 사용한다. 공정 가스는 N2 등의 불활성 가스를 사용하고, 기판(10)의 열 처리에 기여할 수 있다.The second gas supplied from the second gas supply unit 400 may be involved in a direct processing process of the substrate 10. Hereinafter, the second gas supplied from the second gas supply unit 400 is referred to as 'process gas' (PG) (see FIG. 9). Additionally, the second gas supply unit 400 is interchangeably referred to as the 'process gas supply unit' 400. The process gas uses an inert gas such as N 2 and may contribute to the heat treatment of the substrate 10 .

제2 가스 공급부(400)[공정 가스 공급부(400)]의 제2 가스 연결관(410)[공정 가스 연결관(410)]의 일단은 외부의 공정 가스 공급 수단(50)에 연결되어 공정 가스를 공급받고, 타단은 제2 가스 분배관(420)[공정 가스 분배관(420)]에 연결되어 공정 가스(PG)를 전달할 수 있다.One end of the second gas connector 410 (process gas connector 410) of the second gas supply unit 400 (process gas supply unit 400) is connected to an external process gas supply means 50 to provide process gas. is supplied, and the other end is connected to the second gas distribution pipe 420 (process gas distribution pipe 420) to transmit process gas (PG).

제2 가스 분배관(420)은 수직 방향으로 형성되고 내측과 본체(110) 외벽 사이에 공정 가스(PG)가 채워질 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 제2 가스 분배관(420)의 내측은 복수의 제2 가스 공급관(430)[공정 가스 공급관(430)]이 수직 방향으로 간격을 이루며 연결될 수 있다. 제2 가스 분배관(420)과 본체(110) 외벽 사이에 채어진 공정 가스(PG)는 각각의 제2 가스 공급관(430)으로 분산될 수 있다. 대향하는 한 쌍의 제2 가스 분배관(420)은 각각 제2 가스 공급관(430)의 일단 및 타단에 연결되어 제2 가스 공급관(430)의 양단에 공정 가스(PG)를 공급할 수 있다.The second gas distribution pipe 420 is formed in a vertical direction and may provide a space between the inner side and the outer wall of the main body 110 that can be filled with process gas (PG). Inside the second gas distribution pipe 420, a plurality of second gas supply pipes 430 (process gas supply pipes 430) may be connected at intervals in the vertical direction. Process gas (PG) filled between the second gas distribution pipe 420 and the outer wall of the main body 110 may be distributed to each second gas supply pipe 430. A pair of opposing second gas distribution pipes 420 may be respectively connected to one end and the other end of the second gas supply pipe 430 to supply process gas (PG) to both ends of the second gas supply pipe 430 .

또한, 다른 실시예로, 제2 가스 분배관(420)은 수평 방향으로 형성되고 내측과 본체(110) 외벽 사이에 공정 가스(PG)가 채워질 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 제2 가스 분배관(420)의 내측은 복수의 제2 가스 공급관(430)[공정 가스 공급관(430)]이 수평 방향으로 간격을 이루며 연결될 수 있다. 또한, 다른 실시예로, 제2 가스 분배관(420)은 수직 및 수평 방향으로 형성되고, 제2 가스 분배관(420)의 내측은 복수의 제2 가스 공급관(430)[공정 가스 공급관(430)]이 수직 및 수평 방향으로 간격을 이루며 연결될 수도 있다.Additionally, in another embodiment, the second gas distribution pipe 420 may be formed in a horizontal direction and provide a space between the inner side and the outer wall of the main body 110 that can be filled with process gas PG. Inside the second gas distribution pipe 420, a plurality of second gas supply pipes 430 (process gas supply pipes 430) may be connected at intervals in the horizontal direction. In addition, in another embodiment, the second gas distribution pipe 420 is formed in a vertical and horizontal direction, and the inside of the second gas distribution pipe 420 is a plurality of second gas supply pipes 430 (process gas supply pipe 430 )] may be connected at intervals in the vertical and horizontal directions.

제2 가스 공급관(430)은 본체(110) 측벽 및 격벽(170)을 관통하는 형태로 배치되어 처리 공간(101) 내부로 공정 가스(PG)를 분사할 수 있다. 특히, 제2 가스 공급관(430)이 처리 공간(101)의 내부로 공정 가스(PG)를 분사함에 따라, 처리 공간(101)은 외부보다 압력이 높게 형성될 수 있다. 다시 말해, 기판 처리 공정 중에 격벽(150, 160, 170)으로 구획된 처리 공간(101)이, 격벽(150, 170)과 본체(110) 내측벽 사이에 형성되는 공간[상부 기류 공간(TR) 및 측부 기류 공간(SR)] 또는 본체(110)의 외부보다 압력이 높게 형성되는 양압 상태를 유지하므로, 처리 공간(101)의 내부로 파티클이 유입되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.The second gas supply pipe 430 is disposed to penetrate the side wall and the partition wall 170 of the main body 110 and can inject the process gas (PG) into the processing space 101. In particular, as the second gas supply pipe 430 injects the process gas (PG) into the processing space 101, the pressure of the processing space 101 may be higher than that of the outside. In other words, during the substrate processing process, the processing space 101 partitioned by the partition walls 150, 160, and 170 is a space formed between the partition walls 150 and 170 and the inner wall of the main body 110 [upper airflow space (TR) and side airflow space (SR)] or maintain a positive pressure state where the pressure is higher than the outside of the main body 110, which has the effect of preventing particles from flowing into the inside of the processing space 101.

제2 가스 공급관(430)이 처리 공간(101)를 관통하기 때문에, 측부 격벽(170)에는 홀(171)이 형성될 수 있는데, 홀(171)의 직경은 제2 가스 공급관(430)의 직경과 동일하거나 크게 형성될 수 있다. 특히, 홀(171)의 직경이 제2 가스 공급관(430)의 직경보다 크게 형성될 때, 홀(171)과 제2 가스 공급관(430)의 외주 사이에 틈(GP)이 생길 수 있다. 이러한 틈(GP)은 공정 가스(PG)가 측부 격벽(170)과 본체(110) 내측벽 사이의 공간[제2 기류 공간(SR)]으로 빠져나갈 수 있는 통로로서 작용할 수 있다. 물론, 모든 홀(171)의 직경이 제2 가스 공급관(430)의 직경보다 클 필요는 없고, 일부의 홀(171)에만 틈(GP)을 구비할 수 있다. 한편, 측부 격벽(170)에는 공정 가스(PG)가 제2 기류 공간(SR)으로 빠져나갈 수 있는 별도의 홀(미도시)을 더 구비할 수 있다.Since the second gas supply pipe 430 penetrates the processing space 101, a hole 171 may be formed in the side partition 170, and the diameter of the hole 171 is the diameter of the second gas supply pipe 430. It can be formed the same as or larger than. In particular, when the diameter of the hole 171 is formed larger than the diameter of the second gas supply pipe 430, a gap GP may occur between the hole 171 and the outer circumference of the second gas supply pipe 430. This gap GP may act as a passage through which the process gas PG can escape into the space between the side partition 170 and the inner wall of the main body 110 (second airflow space SR). Of course, the diameter of all the holes 171 does not need to be larger than the diameter of the second gas supply pipe 430, and only some of the holes 171 may have the gap GP. Meanwhile, the side partition 170 may further include a separate hole (not shown) through which the process gas PG can escape into the second airflow space SR.

각각의 제2 가스 공급관(430)은 슬롯(S) 공간의 상, 하부에 수평 방향으로 소정 간격을 가지며 배치되는 것이 바람직하다. 그리하여, 슬롯(S) 공간에 배치된 기판(10)의 상, 하부에서 공정 가스를 분사하여 처리 공간(101) 내의 모든 기판(10)에 균일하게 공정 가스를 공급할 수 있다.Each second gas supply pipe 430 is preferably disposed at a predetermined interval in the horizontal direction at the top and bottom of the slot S space. Therefore, the process gas can be uniformly supplied to all substrates 10 in the processing space 101 by spraying the process gas from the top and bottom of the substrate 10 disposed in the slot S space.

제2 가스 공급관(430)의 외주에는 복수의 토출공(미도시)이 형성될 수 있다. 토출공은 처리 공간(101) 내에 위치하는 제2 가스 공급관(430)의 외주에 형성될 수 있다. 일 예로, 기판(10) 면 상에 직접적인 분사를 피하기 위해, 제2 가스 공급관(430)의 외주 좌/우측 방향, 즉, 수평면 방향으로 복수의 토출공이 형성될 수도 있다. 그리하면, 기판(10)과 평행한 방향으로 공정 가스(PG)를 공급할 수 있게 된다. 또는, 다른 예로, 복수의 토출공은 제2 가스 공급관(430)의 상부, 하부 중 어느 한 부분에 형성되어 기판(10)의 상부 방향, 하부 방향 중 적어도 어느 한 방향을 통해 공정 가스(PG)를 공급할 수도 있다. 이에 따라, 기판(10)과 이에 이웃하는 기판(10) 사이의 공간, 또는, 슬롯(S)들 사이의 공간에 공정 가스(PG)를 공급할 수 있고, 슬롯(S)에 배치되는 기판(10)의 양면에 공정 가스(PG)를 균일하게 공급할 수 있다.A plurality of discharge holes (not shown) may be formed on the outer circumference of the second gas supply pipe 430. The discharge hole may be formed on the outer periphery of the second gas supply pipe 430 located within the processing space 101. For example, in order to avoid direct injection on the surface of the substrate 10, a plurality of discharge holes may be formed in the left/right direction of the outer circumference of the second gas supply pipe 430, that is, in the horizontal direction. Then, the process gas PG can be supplied in a direction parallel to the substrate 10. Or, as another example, a plurality of discharge holes are formed in either the upper or lower portion of the second gas supply pipe 430 to discharge the process gas (PG) through at least one of the upper and lower directions of the substrate 10. can also be supplied. Accordingly, the process gas PG can be supplied to the space between the substrate 10 and the adjacent substrate 10 or the space between the slots S, and the substrate 10 disposed in the slot S ) can be uniformly supplied to both sides of the process gas (PG).

다시 도 5를 참조하면, 가스 배출부(500)가 본체(110) 하부에 연결되어 처리 공간(101)의 기류 가스(CG), 공정 가스(PG)를 외부의 펌프 등과 같은 공정 가스 배출 수단(70)으로 배출할 수 있다. 본체(110)의 일측벽(예를 들어, 하측벽)에는 배기구(501)가 형성될 수 있다. 가스 배출부(500)는 배기구(501)에 연결될 수 있다. 배기구(501)는 본체(110)의 측벽과 격벽(150, 170) 사이 공간의 본체(110)의 적어도 일부에 연통되도록 형성될 수 있다. 일 예로, 배기구(501)는 본체(110)의 하부 측벽과 측부 격벽(170) 사이 공간의 본체(110)의 하부에 형성될 수 있다. 즉, 배기구(501)는 제2 기류 공간(SR)의 하부에 형성될 수 있다. 또한, 본체(110)의 좌측벽, 우측벽 등의 측벽의 하부 부근에 배기구(501)가 형성될 수도 있다. 이때 배기구(501)는 적어도 공정 가스 공급부(400)보다는 낮은 위치에 형성되는 것이 바람직하다. 본체(110) 하부의 배기구(501)를 매개하여 가스 배출부(500)가 본체(110)와 연통될 수 있다. 배기구(501) 및 가스 배출부(500)의 개수, 위치 등은 본체(110)의 크기, 기판(10)의 크기 및 개수에 따라서 다양하게 변경될 수 있다.Referring again to FIG. 5, the gas discharge unit 500 is connected to the lower part of the main body 110 to discharge the airflow gas (CG) and process gas (PG) of the processing space 101 through a process gas discharge means such as an external pump. 70). An exhaust port 501 may be formed on one side wall (eg, lower wall) of the main body 110. The gas outlet 500 may be connected to the exhaust port 501. The exhaust port 501 may be formed to communicate with at least a portion of the main body 110 in the space between the side wall of the main body 110 and the partition walls 150 and 170. As an example, the exhaust port 501 may be formed in the lower part of the main body 110 in the space between the lower side wall of the main body 110 and the side partition wall 170. That is, the exhaust port 501 may be formed in the lower part of the second airflow space SR. Additionally, an exhaust port 501 may be formed near the lower part of the side walls, such as the left wall and the right wall, of the main body 110. At this time, it is preferable that the exhaust port 501 is formed at least in a lower position than the process gas supply unit 400. The gas discharge unit 500 may communicate with the main body 110 through the exhaust port 501 at the bottom of the main body 110. The number and location of the exhaust ports 501 and gas discharge portions 500 may vary depending on the size of the main body 110 and the size and number of substrates 10.

가스 배출부(500)는 본체(110)의 내부 공간, 즉, 제1 기류 공간(TR) 및 제2 기류 공간(SR) 내에 강한 흡압을 인가할 필요가 있다. 이에 따라, 제1 가스 공급부(300)에서 공급한 기류 가스가 제1 기류 공간(TR) 및 제2 기류 공간(SR)에서 강한 기류의 흐름을 형성할 수 있다. 제1 기류 공간(TR) 및 제2 기류 공간(SR)에서 강한 기류의 흐름은 격벽(150, 170) 내측면, 즉, 기판(10) 주변의 가스들까지 끌어당겨 신속한 배기를 가능하게 할 수 있다. 기판(10)이 휘발성 물질을 포함한 경우라면, 휘발성 물질까지 기류의 흐름에 따라 제2 기류 공간(SR)을 통해 가스 배출부(500)으로 배출될 수 있다. 또한, 상부 기류 공간(TR) 및 측부 기류 공간(SR)이 처리 공간(101)보다 음압에 해당하므로, 상부 기류 공간(TR) 및 측부 기류 공간(SR)의 파티클이 처리 공간(101)의 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다.The gas discharge unit 500 needs to apply strong suction pressure to the internal space of the main body 110, that is, the first airflow space (TR) and the second airflow space (SR). Accordingly, the airflow gas supplied from the first gas supply unit 300 may form a strong airflow in the first airflow space TR and the second airflow space SR. The strong airflow in the first airflow space (TR) and the second airflow space (SR) can pull gases around the inner surfaces of the partition walls 150 and 170, that is, the substrate 10, to enable rapid exhaust. there is. If the substrate 10 contains a volatile material, the volatile material may be discharged to the gas discharge unit 500 through the second airflow space SR according to the flow of air. In addition, since the upper airflow space (TR) and the side airflow space (SR) correspond to a negative pressure than the processing space 101, particles in the upper airflow space (TR) and the side airflow space (SR) are inside the processing space 101. It can be prevented from entering.

기판(10), 특히 대면적의 기판(10)에 열처리를 수행할 때, 기판(10)의 면내 온도 편차를 최소화하도록 온도를 제어해야 한다. 기존의 설비는 기판이 처리되는 공간의 대향하는 양측에서 가스의 공급과 배출을 수행하여 슬롯 별로 좌측에서 우측으로 기류의 흐름을 형성하는 것이 일반적이다. 하지만, 열 이동에 의해서 좌측과 우측의 온도가 차이가 나거나, 냉각시 챔버 상부가 하부보다 상대적으로 늦게 냉각되어 온도 편차를 발생하는 문제점이 있었다.When heat treatment is performed on the substrate 10, especially a large-area substrate 10, the temperature must be controlled to minimize the in-plane temperature deviation of the substrate 10. Existing equipment typically supplies and discharges gas on opposite sides of the space where substrates are processed, forming an airflow from left to right for each slot. However, there was a problem in that the temperature between the left and right sides was different due to heat transfer, or the upper part of the chamber cooled relatively more slowly than the lower part during cooling, resulting in a temperature deviation.

도 2에는 냉각 시에 기류 가스(CG)의 흐름을 화살표로 도시하였다. 도 2 를 참조하면, 본 발명은 제1 가스 공급부(300)[기류 가스 공급부(300)]에서 제1 기류 공간(TR) 및 제2 기류 공간(SR)을 따라 상부 방향에서 하부 방향으로 강한 기류의 흐름을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상대적으로 온도가 높은 처리 공간(101) 상부의 열을 하부로 이동시켜, 처리 공간(101) 상부와 하부의 온도 편차를 최소화 할 수 있다. 또한, 냉각 시에 기판(10)에 직접적으로 가스를 분사하지 않고, 제1 기류 공간(TR) 및 제2 기류 공간(SR)으로 기류 가스(CG)가 흐르게 함에 따라 기판(10)의 충격을 최소화 할 수 있다. 또한, 제1 기류 공간(TR) 및 제2 기류 공간(SR)에서의 강한 기류의 흐름이 처리 공간(101)의 공정 가스(PG)들을 끌어당겨 배기시킴에 따라서, 신속한 냉각과 배기를 가능하게 하는 이점이 있다.In Figure 2, the flow of air gas (CG) during cooling is shown by arrows. Referring to FIG. 2, the present invention provides a strong airflow from the first gas supply unit 300 (airflow gas supply unit 300) from the upper direction to the lower direction along the first airflow space (TR) and the second airflow space (SR). can form a flow. Accordingly, heat from the upper part of the processing space 101, which has a relatively high temperature, can be moved to the lower part, thereby minimizing the temperature difference between the upper and lower parts of the processing space 101. In addition, rather than spraying gas directly on the substrate 10 during cooling, the airflow gas CG flows into the first airflow space TR and the second airflow space SR, thereby reducing the impact on the substrate 10. It can be minimized. In addition, the strong airflow in the first airflow space (TR) and the second airflow space (SR) attracts and exhausts the process gases (PG) in the processing space 101, thereby enabling rapid cooling and exhaustion. There is an advantage to doing this.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 공정에서의 가스 흐름을 나타내는 개략도이다.Figure 9 is a schematic diagram showing a gas flow in a heat treatment process according to an embodiment of the present invention.

도 9에는 기판 처리 공정 시에 공정 가스(PG)의 흐름을 화살표로 도시하였다. 도 9를 참조하면, 본 발명은 제2 가스 공급관(430)[공정 가스 공급관(430)]이 처리 공간(101)에 배치되며, 제2 가스 공급관(430)에 형성된 복수의 토출공로부터 공정 가스(PG))가 공급되므로, 기판(10)의 전면적에 균일하게 공정 가스(PG)가 공급될 수 있다. 그리고, 공정 가스(PG)는 각 슬롯(S) 내에서 중심으로부터 좌/우측으로 빠져나갈 수 있으므로, 대면적 기판(10)에서도 면내 온도 편차를 최소화 할 수 있다. 또한, 제2 기류 공간(SR)에서 가스 배출부(500)를 향한 하부 방향으로 강한 기류의 흐름은, 처리 공간(101) 내의 공정 가스(PG)가 빠르게 사이드 부분[제2 기류 공간(SR)]으로 배기될 수 있도록 할 수 있다.In Figure 9, the flow of process gas (PG) during the substrate processing process is shown by arrows. Referring to FIG. 9, in the present invention, a second gas supply pipe 430 (process gas supply pipe 430) is disposed in the processing space 101, and process gas is discharged from a plurality of discharge holes formed in the second gas supply pipe 430. Since (PG)) is supplied, the process gas (PG) can be uniformly supplied to the entire area of the substrate 10. In addition, since the process gas PG can escape from the center to the left and right within each slot S, the in-plane temperature deviation can be minimized even in the large-area substrate 10. In addition, the strong flow of air in the second airflow space (SR) in the downward direction toward the gas discharge unit 500 causes the process gas (PG) in the processing space 101 to rapidly flow to the side portion [second airflow space (SR) ] can be exhausted.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and may be modified in various ways by those skilled in the art without departing from the spirit of the invention. Transformation and change are possible. Such modifications and variations should be considered to fall within the scope of the present invention and the appended claims.

10: 기판
100: 기판 처리 장치
101: 처리 공간
110: 본체
120: 단열판
150, 160, 170: 격벽
200: 히터
210: 히터 유닛
300: 제1 가스 공급부
400: 제2 가스 공급부
500: 가스 배출부
501: 배기구
CG: 제1 가스
PG: 제2 가스
S: 슬롯(slot)
SR: 제2 기류 공간
TR: 제1 기류 공간10: substrate
100: substrate processing device
101: Processing space
110: main body
120: insulation plate
150, 160, 170: Bulkhead
200: heater
210: heater unit
300: first gas supply unit
400: Second gas supply unit
500: gas outlet
501: exhaust port
CG: first gas
PG: secondary gas
S: slot
SR: secondary airflow space
TR: primary airflow space

Claims (15)

내부 공간을 제공하는 본체;
상기 내부 공간에 본체의 상부벽과 측벽으로부터 소정 거리 이격되게 배치되어 복수의 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 격벽;
상기 처리 공간의 전면 및 후면에 각각 대향하는 한 쌍의 지지바가 수직방향을 따라 상호 이격되도록 설치되되, 상기 본체의 측벽 및 상기 격벽을 관통하도록 설치되며, 상기 한 쌍의 지지바 상에 하나 또는 복수가 지지되는 기판 지지부 - 상기 기판 지지부 상에 상기 기판이 배치됨 - ;
수직 방향을 따라 이격되어 배치되는 복수의 히터 유닛을 포함하고, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판을 가열하기 위한 히터부;
상기 본체의 상부에 연결되고, 상기 본체의 상부벽과 상기 격벽 사이의 제1 기류 공간에 기류 가스를 분사하는 기류 가스 공급부;
상기 본체의 측벽과 상기 격벽 사이의 제2 기류 공간에 연결되고, 상기 본체 내의 가스를 배출하는 가스 배출부; 및
상기 본체의 측부에 연결되고, 상기 본체의 측벽과 상기 격벽 사이의 제2 기류 공간에 기류 가스를 분사하는 측부 기류 가스 공급부;
를 포함하고,
상기 측부 기류 가스 공급부는,
외부의 기류 가스 공급 수단으로부터 기류 가스를 공급받고 수직 방향으로 연장 형성되는 기류 가스 유입관;
상기 기류 가스 유입관에 연통되어 기류 가스를 전달받고 수평 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 기류 가스 측부 분배관; 및
각각의 상기 기류 가스 측부 분배관에서 상기 본체의 측부에 연결되는 적어도 하나의 기류 가스 측부 공급관;
을 포함하는, 기판 처리 장치.a body providing an internal space;
a partition wall disposed in the internal space at a predetermined distance from the upper wall and side wall of the main body to form a processing space in which a plurality of substrates are processed;
A pair of opposing support bars are installed at the front and rear of the processing space to be spaced apart from each other along the vertical direction, and are installed to penetrate the side wall of the main body and the partition wall, and one or more support bars are installed on the pair of support bars. A substrate supporter supported - the substrate is disposed on the substrate supporter -;
a heater unit including a plurality of heater units spaced apart from each other in a vertical direction and configured to heat the substrate supported on the substrate support unit;
an airflow gas supply unit connected to the upper part of the main body and spraying airflow gas into a first airflow space between the upper wall of the main body and the partition wall;
a gas discharge unit connected to a second air flow space between the side wall of the main body and the partition wall and discharging gas within the main body; and
a side airflow gas supply unit connected to a side of the main body and spraying airflow gas into a second airflow space between the sidewall of the main body and the partition wall;
Including,
The side airflow gas supply unit,
an airflow gas inlet pipe that receives airflow gas from an external airflow gas supply means and extends in a vertical direction;
at least one airflow gas side distribution pipe that communicates with the airflow gas inlet pipe to receive the airflow gas and extends in a horizontal direction; and
at least one airflow gas side supply pipe connected to a side of the main body in each of the airflow gas side distribution pipes;
A substrate processing device comprising: 제1항에 있어서,
상기 격벽은,
상기 본체의 상부벽에 소정 거리 이격되어 배치되는 상부 격벽;
상기 본체의 좌측벽, 우측벽, 후측벽에 소정 거리 이격되어 배치되는 측부 격벽
을 포함하고,
상기 제1 기류 공간과 상기 제2 기류 공간이 연결된, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The bulkhead is,
an upper partition disposed at a predetermined distance apart from the upper wall of the main body;
Side bulkheads arranged at a predetermined distance apart from the left wall, right wall, and rear wall of the main body
Including,
A substrate processing apparatus wherein the first airflow space and the second airflow space are connected. 제1항에 있어서,
상기 기류 가스 공급부에 대응되는 상기 본체의 상부벽 내측면에는 복수의 분산홀이 형성된 기류 확산판이 배치되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing apparatus, wherein an airflow diffusion plate having a plurality of distribution holes is disposed on an inner surface of an upper wall of the main body corresponding to the airflow gas supply unit. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 측부 기류 가스 공급부에 대응되는 상기 본체의 측벽 내측면에는 복수의 분산홀이 형성된 측부 기류 확산판이 배치되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing apparatus, wherein a side airflow diffusion plate having a plurality of distribution holes is disposed on an inner surface of a side wall of the main body corresponding to the side airflow gas supply unit. 삭제delete 제1항에 있어서,
각각의 기류 가스 측부 분배관에 밸브가 설치되고, 각 밸브의 제어에 따라 제2 기류 공간의 높이 방향에 따라 기류 가스의 공급양을 제어할 수 있는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing device in which valves are installed in each airflow gas side distribution pipe, and the supply amount of airflow gas can be controlled along the height direction of the second airflow space according to the control of each valve. 제1항에 있어서,
각각의 기류 가스 측부 공급관에 밸브가 설치되고, 각 밸브의 제어에 따라 제2 기류 공간의 수평 방향에 따라 기류 가스의 공급양을 제어할 수 있는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing apparatus in which valves are installed in each airflow gas side supply pipe, and the supply amount of airflow gas can be controlled according to the horizontal direction of the second airflow space according to the control of each valve. 제1항에 있어서,
상기 가스 배출부는 제2 기류 공간의 상기 본체 하측벽 또는 측벽의 하부에 연결되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The gas discharge unit is connected to a lower side wall of the main body or a lower part of the side wall of the second air flow space. 제1항에 있어서,
상기 격벽과 대향하는 상기 본체의 내벽면에 단열판이 밀착되게 설치되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing apparatus in which an insulating plate is installed in close contact with an inner wall surface of the main body facing the partition wall. 제1항에 있어서,
상기 본체의 측벽 및 상기 격벽을 관통하여 적어도 일부가 상기 처리 공간 내에 배치되고, 상기 처리 공간에 공정 가스를 분사하는 공정 가스 공급부를 더 포함하는, 기판처리 장치.According to paragraph 1,
The substrate processing apparatus further includes a process gas supply unit that penetrates the sidewall of the main body and the partition wall and is disposed at least partially within the processing space, and sprays a process gas into the processing space. 제11항에 있어서,
상기 공정 가스 공급부는,
외부로부터 공정 가스를 공급받는 공정 가스 연결관;
상기 본체 및 상기 격벽을 관통하고 소정 간격을 이루어 배치되는 복수의 공정 가스 공급관;
상기 공정 가스 연결관에 일측이 연통되고 타측은 상기 복수의 공정 가스 공급관에 연결되는 공정 가스 분배관을 포함하는, 기판 처리 장치.According to clause 11,
The process gas supply unit,
A process gas connector that supplies process gas from the outside;
a plurality of process gas supply pipes passing through the main body and the partition wall and arranged at predetermined intervals;
A substrate processing apparatus including a process gas distribution pipe on one side of which is connected to the process gas connection pipe and on the other side connected to the plurality of process gas supply pipes. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 본체의 측벽 및 상기 격벽을 관통하도록 설치되는 상기 히터 유닛 중 일부가 상기 지지바로 사용되고,
상기 처리 공간의 전면 및 후면에 각각 대향하는 한 쌍의 히터 유닛 상에 하나 또는 복수의 상기 기판 지지부가 지지되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
Some of the heater units installed to penetrate the side walls of the main body and the partition are used as the support bars,
A substrate processing apparatus, wherein one or more of the substrate supports are supported on a pair of heater units facing each other at the front and rear of the processing space. 제1항에 있어서,
상기 지지바는 내부가 빈 형상이고, 상기 지지바 내부에 상기 히터 유닛이 삽입되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The support bar has a hollow interior, and the heater unit is inserted into the support bar.
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