KR102669642B1

KR102669642B1 - 에어로졸 생성 디바이스

Info

Publication number: KR102669642B1
Application number: KR1020217032299A
Authority: KR
Inventors: 토마스 폴 블란디노; 애슐리 존 사예드; 루크 제임스 워렌
Original assignee: 니코벤처스 트레이딩 리미티드
Priority date: 2019-03-11
Filing date: 2020-03-09
Publication date: 2024-05-24
Also published as: US20220183378A1; IL286112A; BR112021018042A2; CA3132765C; EP3939382A1; JP2024026417A; WO2020182735A1; CN113557792A; CA3132765A1; KR20210135297A; AU2020235315A1; JP2022525090A; AU2023229598A1; TW202038767A

Abstract

에어로졸 생성 디바이스는, 에어로졸 생성 재료를 가열하여 에어로졸을 생성하도록 서셉터 어레인지먼트를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로를 포함한다. 디바이스는, 동작 동안, 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이: 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성된다.

Description

에어로졸 생성 디바이스

본 발명은 에어로졸 생성 디바이스에 관한 것이다.

시가렛들(cigarettes), 시가들(cigars) 등과 같은 흡연 물품들은 사용 동안에 담배를 태워서 담배 연기를 생성한다. 태우지 않고 화합물들을 방출하는 제품들을 생성함으로써, 담배를 태우는 이런 물품들에 대한 대안들을 제공하려는 시도들이 있었다. 그러한 제품들의 예들은 재료를 태우지 않고 가열함으로써 화합물들을 방출하는 가열 디바이스들이다. 재료는, 예컨대, 니코틴(nicotine)을 보유할 수 있거나 보유하지 않을 수 있는, 담배 또는 다른 비-담배 제품들일 수 있다.

본 개시내용의 제1 양상에 따르면, 에어로졸 생성 디바이스가 제공되며, 에어로졸 생성 디바이스는: 에어로졸 생성 재료를 가열하여 에어로졸을 생성하도록 서셉터 어레인지먼트를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로를 포함하고, 디바이스는, 동작 동안, 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사(electromagnetic radiation)의 레벨이: 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성된다.

디바이스는, 동작 동안, 디바이스의 동작으로 인해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만이도록 그리고 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

디바이스는, 디바이스를 충전(charge)시키기 위한 동작 동안 그리고/또는 디바이스를 방전(discharge)시키기 위한 동작 동안, 디바이스의 동작으로 인해 방출되는 전자기 방사의 레벨이, 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

디바이스에 의해 방출되는 방사의 레벨은, 수직 평면 및 수평 평면 둘 모두에서 측정되는, 방출되는 방사의 레벨일 수 있다.

디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨은, 방출되는 전자기 방사의 레벨들을 측정하기 위한 테스팅 셋업을 사용하여 측정되는 전자기 방사의 레벨일 수 있으며, 선택적으로, 디바이스에 의해 방출되는 방출 방사(emitted radiation)의 레벨은, 디바이스에 의해 방출되는 방사의 피크(peak) 또는 준-피크(quasi-peak) 레벨들을 측정함으로써 결정되는 레벨이다.

디바이스는 서셉터 어레인지먼트를 포함할 수 있으며, 그리고 동작 동안, 에어로졸 생성 재료는, 서셉터 어레인지먼트가 에어로졸 생성 재료를 가열하게 배열되도록 디바이스에 의해 수용될 수 있다.

디바이스는, 동작 동안, 담배 재료를 태우지 않고 가열하여 그로부터 에어로졸을 생성하도록 구성된 담배 가열 디바이스일 수 있다.

디바이스는 휴대용(handheld) 디바이스일 수 있다.

디바이스는, 유도 가열 회로 또는 서셉터 어레인지먼트 주위로 적어도 부분적으로 연장되도록 구성된 자기 차폐 부재(magnetic shield member)를 포함할 수 있다.

유도 가열 회로는 서셉터 어레인지먼트를 가열하기 위한 가변 자기장을 발생시키도록 구성된 유도성 엘리먼트를 포함할 수 있고, 자기 차폐 부재는 유도성 엘리먼트 주위로 적어도 부분적으로 연장되도록 구성될 수 있다.

디바이스는, 동작 동안, 서셉터 어레인지먼트에 의해 가열될 에어로졸 생성 재료를 수용하도록 구성된 리셉터클을 포함할 수 있고, 유도성 엘리먼트는 리셉터클 주위로 연장되는 인덕터 코일일 수 있다.

리셉터클은 서셉터 어레인지먼트에 의해 정의될 수 있다.

자기 차폐 부재는 유도성 엘리먼트를 둘러쌀 수 있고, 자기 차폐 부재는 자기 차폐 부재 자체에 적어도 부분적으로 접합(bond)될 수 있다.

디바이스는 디바이스 외부의 전원으로부터의 디바이스의 배터리의 충전을 제어하도록 구성된 충전 장치를 포함할 수 있고, 충전 장치는, 디바이스의 충전을 관리하도록 동작할 때, 충전 장치의 동작으로 인해 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 피크 레벨들이 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

충전 장치는 충전 동안 스위칭 동작들을 수행하도록 구성될 수 있고, 충전 장치는 충전 장치의 스위칭 동작들 동안 전압의 변화율(rate of change)을 제한하기 위한 스너버 회로(snubber circuit)를 포함할 수 있다.

충전 장치는: 외부 전원에 연결되어 그 외부 전원으로부터 디바이스를 충전시키기 위한 전력을 수신(receive)하도록 구성된 입력 섹션; 출력 인덕터에 연결된 출력 섹션; 및 입력 섹션과 출력 섹션 사이에 연결되며, 입력 섹션으로부터 전력을 수신하고 그리고 출력 섹션에 공급되는 전류를 제어하도록 구성된 충전 관리 제어기를 포함할 수 있다.

스너버 회로는 충전 장치의 출력 섹션에 위치될 수 있다.

충전 장치의 입력 섹션은, 충전 관리 제어기에 도달하는 고주파 신호들을 필터링하기 위한 입력 인덕터를 포함할 수 있다.

디바이스는, 에어로졸화 가능한 재료를 가열하기 위한 동작 동안, 30MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 약 35dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

디바이스는, 에어로졸화 가능한 재료를 가열하기 위한 동작 동안, 30MHz 내지 400MHz의 주파수 범위에 걸쳐 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 약 20dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

디바이스는, 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안, 300MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 약 37.5dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

디바이스는, 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안, 30MHz 내지 500MHz의 주파수 범위에 걸쳐 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 약 35dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

디바이스는, 동작 동안 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸친, 디바이스에 대한 평균 방출 방사 레벨(average emitted radiation level)이 약 50dBμV/m 미만이도록, 그리고 동작 동안 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸친, 디바이스에 대한 평균 방출 방사 레벨이 약 54dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

본 개시내용의 제2 양상에 따르면, 제1 양상에 따른 에어로졸 생성 디바이스, 및 디바이스를 충전시키기 위해 외부 전원으로부터의 충전을 제공하기 위한 충전 케이블을 포함하는 시스템이 제공되며, 시스템은, 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안, 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성된다.

시스템은, 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안, 300MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 약 37.5dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

시스템은, 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안, 디바이스의 동작으로 인해 충전 케이블 상에 전도되는 전자기 방출(conducted electromagnetic emission)들의 레벨이: 150kHz 내지 500kHz의 주파수 범위에 걸쳐 약 66dBμV 미만; 및/또는 약 500kHz에서 약 56dBμV 미만; 및/또는 500kHz 내지 5MHz의 주파수 범위에 걸쳐 약 56dBμV 미만; 및/또는 5MHz 내지 30MHz의 주파수 범위에 걸쳐 약 60dBμV 미만이도록 구성될 수 있다.

본 개시내용의 제3 양상에 따르면, 제1 양상에 따른 에어로졸 생성 디바이스, 및 에어로졸화 가능한 재료를 보유하는 물품을 포함하는 에어로졸 생성 시스템이 제공되며, 시스템은, 에어로졸화 가능한 재료로부터 에어로졸을 생성하기 위한 동작 동안, 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성된다.

시스템은, 에어로졸화 가능한 재료로부터 에어로졸을 생성하기 위한 동작 동안, 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 30MHz 내지 500MHz의 주파수 범위에 걸쳐 약 35dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

시스템은, 에어로졸화 가능한 재료로부터 에어로졸을 생성하기 위한 동작 동안, 30MHz 내지 400MHz의 주파수 범위에 걸쳐 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 약 20dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

본 발명의 추가적인 특징들 및 이점들은, 첨부된 도면들을 참조하여 이루어지는, 단지 예로서 주어지는 본 발명의 바람직한 실시예들의 다음 설명으로부터 명백해질 것이다.

도 1은 예시적인 에어로졸 생성 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨들을 측정하기 위한 셋업의 개략도를 도시한다.
도 2는 동작 동안 예시적인 에어로졸 생성 시스템으로부터의 전자기 방사의 측정된 레벨들의 플롯을 도시한다.
도 3은 동작 동안 예시적인 에어로졸 생성 시스템으로부터의 전자기 방사의 측정된 레벨들의 다른 플롯을 도시한다.
도 4는 예시적인 에어로졸 생성 디바이스의 정면도를 도시한다.
도 5는 외부 커버가 제거된, 도 4의 에어로졸 생성 디바이스의 정면도를 도시한다.
도 6은 도 4의 에어로졸 생성 디바이스의 단면도를 도시한다.
도 7은 도 4의 에어로졸 생성 디바이스의 분해도를 도시한다.
도 8a는 에어로졸 생성 디바이스 내의 가열 조립체의 단면도를 도시한다.
도 8b는 도 8a의 가열 조립체의 일부의 확대도를 도시한다.
도 9는 에어로졸 생성 디바이스 내에 배열된 예시적인 자기 차폐 부재의 사시도를 도시한다.
도 10은 예시적인 자기 차폐 부재의 단면의 개략도를 도시한다.
도 11은 도 9에 도시된 어레인지먼트의 평면도를 도시한다.
도 12는 예시적인 자기 차폐 부재의 사시도를 도시한다.
도 13은 노치(notch)들을 포함하는 제1 예시적인 자기 차폐 부재의 개략도를 도시한다.
도 14는 노치들을 포함하는 제2 예시적인 자기 차폐 부재의 개략도를 도시한다.
도 15는 애퍼처(aperture)들을 포함하는 제3 예시적인 자기 차폐 부재의 개략도를 도시한다.
도 16은 에어로졸 생성 디바이스의 충전을 제어하기 위한 예시적인 장치의 개략도를 도시한다.

본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "에어로졸 생성 재료"는 통상적으로 에어로졸의 형태로, 가열 시에 휘발되는 성분들을 제공하는 재료들을 포함한다. 에어로졸 생성 재료는 임의의 담배-함유 재료를 포함하고, 그리고 예컨대, 담배, 담배 파생품들, 팽화 담배, 재생 담배 또는 담배 대용품들 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 에어로졸 생성 재료는 또한, 제품에 따라 니코틴을 보유할 수 있거나 보유하지 않을 수 있는 다른 비-담배 제품들을 포함할 수 있다. 에어로졸 생성 재료는, 예컨대, 고체, 액체, 겔, 왁스 등의 형태일 수 있다. 에어로졸 생성 재료는 또한, 예컨대, 재료들의 조합 또는 블렌드일 수 있다. 에어로졸 생성 재료는 또한 "흡연가능 재료"로도 알려질 수 있다.

통상적으로 에어로졸 생성 재료를 태우거나 또는 연소시키지 않고도 흡입될 수 있는 에어로졸을 형성하기 위하여, 에어로졸 생성 재료의 적어도 하나의 성분을 휘발시키기 위해 에어로졸 생성 재료를 가열하는 장치가 알려져있다. 그러한 장치는 "에어로졸 생성 디바이스", "에어로졸 제공 디바이스", "비연소식 가열 디바이스(heat-not-burn device)", "담배 가열 제품 디바이스" 또는 "담배 가열 디바이스" 등으로 종종 설명된다. 유사하게, 니코틴을 보유할 수 있거나 보유하지 않을 수 있는, 액체 형태의 에어로졸 생성 재료를 통상적으로 기화시키는 소위 전자 시가렛 디바이스가 또한 존재한다. 에어로졸 생성 재료는 장치에 삽입될 수 있는 막대, 카트리지 또는 카세트 등의 형태이거나 이들의 일부로서 제공될 수 있다. 에어로졸 생성 재료를 가열하여 휘발시키기 위한 히터가 장치의 "영구적(permanent) 부분"으로서 제공될 수 있다. 디바이스는, 사용자에 의해 흡입될 에어로졸을 생성하기 위해 사용 중일 때 사용자의 손에 유지되도록 의도되는 휴대용 디바이스일 수 있다.

에어로졸 생성 디바이스는 가열하기 위한 에어로졸 생성 재료를 포함하는 물품을 수용할 수 있다. 이런 맥락에서 "물품"은, 사용 중에 에어로졸 생성 재료를 포함하거나 보유하고 그 에어로졸 생성 재료를 휘발시키기 위해 가열되는 컴포넌트, 및 선택적으로는 사용 중인 다른 컴포넌트이다. 사용자는, 에어로졸을 생성하기 위해 가열되기 전에 에어로졸 생성 디바이스에 물품을 삽입할 수 있고, 이어서 사용자는 그 에어로졸을 흡입한다. 물품은, 예컨대, 그 물품을 수용하도록 크기가 정해지는 디바이스의 가열 챔버 내에 배치되도록 구성되는 미리 결정된 또는 특정 사이즈를 가질 수 있다.

본 개시내용의 예들은 서셉터 어레인지먼트를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로를 포함하는 에어로졸 생성 디바이스에 관한 것이다. 사용시, 서셉터 어레인지먼트는, 유도 가열 회로에 의해 유도 가열될 때 에어로졸 생성 재료를 가열하여 에어로졸을 생성하도록 배열된다.

서셉터는, 인덕터 코일에 의해 발생되거나 또는 일부 예들에서는 다른 타입의 유도성 엘리먼트에 의해 발생되는 다양한 자기장이 서셉터를 관통(penetrate)함으로써 가열될 수 있다. 그런 다음, 가열된 서셉터는 에어로졸 생성 재료를 가열한다.

인덕터 코일은 사용시 서셉터 주위로 연장될 수 있다. 예에서, 서셉터는 에어로졸 생성 디바이스의 일부를 형성할 수 있다. 일 예에서, 서셉터는 가열될 에어로졸 생성 재료를 수용하기 위한 리셉터클을 정의한다. 예컨대, 서셉터는 실질적으로 관형(즉, 중공형)일 수 있으며, 그리고 서셉터에 의해 정의되는 관형 리셉터클 내에 에어로졸 생성 재료를 수용하도록 구성될 수 있다. 일 예에서, 에어로졸 생성 재료는 형상이 튜브형 또는 원통형이고, "담배 스틱(tobacco stick)"으로 알려져 있을 수 있으며, 예컨대, 에어로졸화 가능한 재료는 특정 형상으로 형성된 담배를 포함할 수 있으며, 이는 이후 종이 또는 호일(foil)과 같은 하나 이상의 다른 재료들로 코팅되거나 포장(wrap)된다. 대안적으로, 서셉터는 디바이스의 컴포넌트가 아니라, 디바이스 내로 도입되는 물품에 부착되거나 또는 그 내에 보유될 수 있다.

유도 가열 회로는, 사용시, 그 회로에서 가변 전류가 흐를 때 전자기 방사를 방출한다. 예컨대, 서셉터 어레인지먼트를 가열하기 위해 유도성 엘리먼트 내에서 가변 전류가 흐를 때, 전자기 방사가 방출된다. 디바이스는 또한, 디바이스의 충전 동안 전자기 방사를 방출할 수 있다. 예컨대, 충전 동안, 적어도 디바이스의 충전 회로에서 발생되는 변화하는 전압들로 인해 전자기 방사가 발생될 수 있다.

디바이스는, 주파수들의 범위들에 걸친, 방출되는 전자기 방사의 레벨(dBμV/m 단위)이 미리 결정된 레벨들 내에 있도록 구성될 수 있다. 예컨대, 에어로졸 생성 디바이스는, 동작 동안, 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 40dBμV/m 미만이도록, 그리고/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 47dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다. 디바이스는, 동작 동안, 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만이도록 그리고/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성될 수 있다.

일부 예들에서, 동작 동안 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸친, 디바이스에 대한 평균 방출 방사 레벨은 약 50dBμV/m 미만일 수 있고 그리고/또는 동작 동안 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸친, 디바이스에 대한 평균 방출 방사 레벨은 약 54dBμV/m 미만일 수 있다.

디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨들은 전자기 방출 테스트(electromagnetic emissions test)에 의해 측정될 수 있다. 일 예에서, 전자기 방출 테스트는, 디바이스가 동작 중일 때, 주파수들의 관련 범위에 걸쳐 디바이스로부터의 전자기 방출들을 측정한다. 테스트는, 디바이스가 상이한 방식들로 동작할 때, 예컨대, 충전하는 동안, 또는 방전하는 동안, 예컨대 에어로졸을 생성하기 위한 정상 사용 동안 수행될 수 있다. 디바이스는, 디바이스가 충전하는 동안 그리고 디바이스가 방전하는 동안, 디바이스에 의해 방출되는 방출 방사의 레벨이 상기 설명한 레벨들 미만이도록 구성될 수 있다. 일부 예들에서, 동작 동안 하나 이상의 특정 주파수 범위들, 이를테면, 30MHz 내지 225MHz 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위, 또는 본원에서 설명되는 임의의 다른 주파수 범위들에 걸쳐 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨은 실질적으로 제로(zero)일 수 있음에 유의해야 한다.

일 예에서, 전자기 방출 테스트에서, 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨은, 디바이스에 대해 표준화된 포지션에 위치된 안테나의 사용에 의해 측정된다. 안테나가 관심 주파수들의 범위에 걸쳐 디바이스로부터 방출되는 전자기 방사를 측정하는 동안, 디바이스는 동작하게 되는바, 예컨대 충전 또는 방전된다.

게다가, 디바이스는 전자기 방사에 대한 특정 레벨의 내성(immunity)을 갖도록 구성될 수 있다. 전자기 방사에 대한 디바이스의 내성에 대한 테스트에서, 전자기 방사가 안테나로부터 방출되어 디바이스 상에 입사될 수 있다. 디바이스는, 전자기 방사가 디바이스에 입사되는 동안 그리고 전자기 방사가 디바이스에 입사된 이후 그 디바이스가 의도된 대로 계속 동작하는지 여부를 결정하기 위해 테스트될 수 있다. 전자기 방사에 대한 내성 테스트를 위한 셋업은 전자기 방출 테스트에 대한 셋업과 동일할 수 있다. 즉, 일부 예들에서, 동일한 안테나, 및 안테나와 디바이스 사이의 표준화된 거리들이 사용될 수 있다. 예에서, 전자기 방사에 대한 내성의 테스트는, 디바이스로 하여금 80MHz 내지 1GHz의 주파수에서 변화하는 강도 3V/m의 전기장들을 겪게 하고, 디바이스의 동작성에 대한 이러한 방사의 임의의 영향을 평가할 수 있다.

일부 예들에서, 디바이스는 특정 주파수 범위에 걸쳐 전도되는 방출들에 대한 하나 이상의 미리 결정된 레벨들을 충족시키도록 구성될 수 있다. 예컨대, 디바이스를 충전시키기 위해 전력을 공급하는 전력 케이블 상의 전도되는 노이즈(conducted noise)의 레벨은 미리 결정된 레벨로 제한될 수 있다. 그러한 레벨들의 전도되는 방출들은, 디바이스 근처에서 사용되는 브로드캐스트 및 전기 통신 서비스들을 보호하도록 작용할 수 있다. 예에서, 150kHz 내지 30MHz의 주파수 범위에 걸쳐, 디바이스는 전도되는 전자기 방출들의 레벨이 약 66dBμV 미만이도록 구성될 수 있다. 예들에서, 150kHz 내지 500kHz에서, 디바이스는 전도되는 전자기 방출들의 레벨이 약 66dBμV 미만이도록 구성될 수 있으며, 디바이스는, 약 150kHz에서, 전도되는 전자기 방출들의 레벨이 약 66dBμV 미만이도록 그리고 약 500kHz에서, 전도되는 전자기 방출들의 레벨이 약 56dBμV 미만이도록 구성된다. 500kHz 내지 5MHZ의 주파수 범위에 걸쳐, 디바이스는 전도되는 전자기 방출들의 레벨이 약 56dBμV 미만이도록 구성될 수 있다. 5MHz 내지 30MHz의 주파수 범위에 걸쳐, 디바이스는 전도되는 전자기 방출들의 레벨이 약 60dBμV 미만이도록 구성될 수 있다. 예들에서, 전도되는 방출들에 대한 레벨들은, 잘 이해될 방법론(methodology)에 의해 측정 가능한 준-피크 레벨들을 측정함으로써 결정될 수 있다.

위에서 설명된 바와 같이, 전자기 방출들의 레벨들 및 일부 예들에서는 전자기 내성을 갖는 디바이스를 제공하기 위해, 본 발명자들은, 관련 주파수 범위에 걸쳐 디바이스로부터 방출되는 방사의 레벨을 감소시키고 그리고 디바이스에 입사하는 전자기 방사에 대한 내성을 또한 제공할 수 있는 디바이스의 피처(feature)들을 제공하였다. 특정 피처들은 또한, 디바이스의 컴포넌트들을 차폐(shield)시킬 수 있고, 그에 따라, 입사하는 전자기 방사에 대한 내성의 레벨을 제공할 수 있다. 예컨대, 디바이스의 컴포넌트들에 의해 방출되는 전자기 방사를 차단/흡수하기 위해, 디바이스는 자기 차폐 부재를 포함할 수 있다. 예컨대, 자기 차폐 부재는, 유도성 엘리먼트에 의해 발생되는 전자기 방사로부터 근처의 다른 전기 디바이스들(뿐만 아니라 에어로졸 생성 디바이스의 다른 전기 컴포넌트들)을 차폐시키기 위해 유도성 엘리먼트 주위로 적어도 부분적으로 연장될 수 있다. 유도성 엘리먼트가 코일인 경우, 자기 차폐부는 코일 주위로 연장될 수 있고, 차폐부는 자신을 코일 주위에 제자리에(in place) 고정시키기 위해 그 자체에 적어도 부분적으로 접합될 수 있다.

자기 차폐 부재는, 디바이스의 컴포넌트들에 의해 방출되는 전자기 방사의 영향들을 완화시키기 위해 페라이트(ferrite) 재료의 하나 이상의 층들/시트들을 포함할 수 있다. 게다가, 자기 차폐 부재는, 입사하는 전자기 방사로부터 디바이스의 컴포넌트들을 차폐시키고, 그에 따라, 디바이스에 입사하는 전자기 방사에 대한 내성의 레벨을 제공하도록 작용할 수 있다.

종종, 페라이트 재료가 디바이스의 하우징/커버의 내부 표면에 부착될 수 있지만, 이는 전자기 방사를 적절하게 억제(contain)하기 위해 다량의 페라이트 재료를 필요로 한다. 이 재료는 비교적 무겁고, 부피가 크고, 고가일 수 있으므로, 사용되는 양을 감소시키는 것이 바람직하다.

본원에서의 일부 예들은 에어로졸 생성 디바이스 내에 자기 차폐 부재의 보다 효과적인 어레인지먼트를 제공한다. 따라서, 일부 예들에서, 디바이스는, 인덕터 코일과 접촉하고 그리고 인덕터 코일 주위로 적어도 부분적으로 연장되는 자기 차폐 부재를 포함한다. 자기 차폐 부재는, 전자기 방사를 흡수/차단하는 페라이트 재료와 같은 재료를 포함한다. 인덕터 코일에 더 가까이 배열됨으로써, 감소된 양의 페라이트 재료가 요구된다. 일부 상황들에서, 효과적인 레벨의 전자기 차폐를 제공하면서, 사용되는 재료의 양이 최대 30%까지 감소될 수 있다는 것이 밝혀졌다.

인덕터 코일은 서셉터/리셉터클 주위로 나선형 방식으로 연장될 수 있다. 서셉터는 종축(longitudinal axis)을 정의할 수 있으며, 그에 따라, 자기 차폐 부재는 방위각 방향으로 종축 주위로 연장되고, 따라서 완전한 또는 부분적인 튜브형 구조를 형성한다.

자기 차폐 부재는 페라이트 층과 같은 자기 차폐 층을 포함할 수 있다. 페라이트는 페리 자성(ferrimagnetic) 재료이며, 이는 자화되고 그리고/또는 자석으로 끌어 당겨질 수 있음을 의미한다. 일부 예들에서, 자기 차폐 층은 자화된다.

에어로졸 생성 디바이스는 2개 이상의 인덕터 코일들을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 인덕터 코일은 리셉터클/서셉터의 제1 부분 주위로 연장될 수 있고, 제2 인덕터 코일은 리셉터클/서셉터의 제2 부분 주위로 연장될 수 있다. 제1 및 제2 인덕터 코일들은 리셉터클/서셉터의 종축을 따르는 방향으로 서로 인접하게 배열될 수 있다. 그러한 디바이스에서, 자기 차폐 부재는, 제1 및 제2 인덕터 코일들과 접촉하고 그리고 제1 및 제2 인덕터 코일들 주위로 적어도 부분적으로 연장될 수 있다.

일부 어레인지먼트들에서, 자기 차폐 부재는 접착성 층(adhesive layer)에 의해 인덕터 코일에 접합될 수 있다. 접착성 층은 자기 차폐 부재를 제자리에 유지함으로써, 전자기 방사로부터의 적절한 차폐를 보장한다. 인덕터 코일에 접착제(adhesive)가 적용(apply)될 수 있고, 자기 차폐 부재는 이러한 접착제와 접촉하게 될 수 있다. 대안적으로, 자기 차폐 부재가 접착성 층을 포함할 수 있고, 그에 따라 자기-접착성(self-adhesive)일 수 있다. 예컨대, 자기 차폐 부재는 자기 차폐 층 및 접착성 층을 포함할 수 있다. 접착성 층은 자기 차폐 부재의 내부 표면(즉, 인덕터 코일에 가장 가깝게 배열된 표면) 상에 형성될 수 있다. 이는, 디바이스를 보다 효율적이고 효과적으로 조립할 수 있게 한다. 예컨대, 자기 차폐 부재는, 먼저 인덕터 코일 상에 접착제를 적용하지 않으면서 인덕터 코일에 직접 적용될 수 있다.

자기 차폐 부재는 인덕터 코일 주위에 롤링될(rolled) 수 있고, 그 자체에 적어도 부분적으로 접합될 수 있다. 그러한 어레인지먼트는, 자기 차폐 부재가 그 길이를 따라 부분적으로 또는 완전히 밀봉되기 때문에, 전자기 방사로부터 더 보호성의/밀폐된 차폐부를 제공한다. 예컨대, 자기 차폐 부재의 제1 에지는 자기 차폐 부재의 제2 에지와 중첩하며, 그에 따라, 자기 차폐 부재는 중첩 영역에서 그 자체에 접합/부착된다. 따라서, 자기 차폐 부재는, 튜브로 롤링되는 시트로 형성될 수 있다. 접합은, 예컨대 자기 차폐 부재의 접착성 층에 의해 제공될 수 있다.

자기 차폐 부재는 적어도 하나의 자기 차폐 층 및 적어도 하나의 라미네이트(laminate) 층을 포함할 수 있다. 이는, 접착성 층에 부가되는 것이거나, 또는 접착성 층 대신일 수 있다. 페라이트 재료(즉, 자기 차폐 층)는, 에어로졸 생성 디바이스 내에서의 반복되는 가열 및 냉각의 결과로서 시간이 지남에 따라 부서지기(crumble) 시작할 수 있다는 것이 밝혀졌다. 부서지는 재료는 디바이스 내에서 느슨해지고(loose) 덜거덕거릴(rattle) 수 있다. 느슨한 재료는 디바이스의 다른 컴포넌트들을 손상시키거나 영향을 미칠 수 있다. 라미네이트 층(이를테면, 막의 층)을 포함시킴으로써, 자기 차폐 층이 부서지고 느슨해질 가능성이 더 적다.

라미네이트 층은 자기 차폐 부재의 외부 표면을 향해 배열될 수 있다. 예컨대, 라미네이트 층은 자기 차폐 층으로부터 반경 방향 외측에 배열될 수 있다. 일 예에서, 라미네이트 층은 자기 차폐 부재의 외부 표면을 형성한다. 그러나, 다른 예들에서는, 외부 표면을 형성하는 다른 층이 존재할 수 있다. 여기서, 외부 표면은 인덕터 코일로부터 가장 멀리 떨어진 표면이다. 라미네이트 층은 접착제를 통해 자기 차폐 층에 부착될 수 있거나, 또는 자기 차폐 층에 자기-접합(self-bond)될 수 있다.

일 예에서, 라미네이트 층은 플라스틱 재료를 포함한다. 라미네이트 층은, 예컨대 플라스틱 막일 수 있다. 특정 예에서, 플라스틱은 PET(Polyethylene terephthalate)이다.

자기 차폐 부재는 시트로 형성될 수 있고, 시트 상에 노치를 포함할 수 있으며, 노치는 인덕터 코일을 형성하는 와이어의 섹션을 수용하도록 구성된다. 와이어의 섹션은, 예컨대, 인덕터 코일의 단부를 포함할 수 있다. 하나 이상의 노치들을 포함하게 되면, 자기 차폐 부재가 인덕터 코일에 더 잘 맞도록(conform) 허용한다. 노치들/컷아웃(cut-out)들은, 더 큰 차폐 효과를 또한 보장하면서, 시트가 인덕터 코일들 주위에 더 용이하게 랩핑(wrap)될 수 있다는 것을 의미한다. 노치는 시트의 에지에 만들어진 만입부(indentation)이다.

시트는 정사각형/직사각형 시트일 수 있으며, "컷아웃"된 하나 이상의 노치들을 갖는다. 예컨대, 직사각형 시트는, 재료가 제거되는 "노칭(notching)" 프로세스를 겪을 수 있다. 대안적으로, 시트는 노치들이 미리 형성된 상태로 제조될 수 있다.

에어로졸 생성 디바이스는 인덕터 코일에 인접한 제2 인덕터 코일을 더 포함할 수 있고, 시트는 시트 상에 형성된 제2 노치를 포함할 수 있다. 제2 노치는 제2 인덕터 코일을 형성하는 와이어의 섹션을 수용하도록 구성된다. 부가적인 노치들을 포함하게 되면, 자기 차폐 부재가 2개의 인덕터 코일들에 더 잘 맞도록 허용한다.

특정 예에서, 노치는 제1 노치이고, 시트의 제1 에지에 형성될 수 있고, 제2 노치는 시트의 제2 에지에 형성될 수 있다. 노치들을 상이한 에지들 상에 형성하게 되면, 자기 차폐 부재를 인덕터 코일들에 적용하는 것을 더 용이하게 할 수 있다. 예컨대, 조립 동안, 제1 노치는 인덕터 코일들 주위에 랩핑되기 전에 제1 인덕터 코일과 정렬될 수 있고, 제2 노치는 제2 인덕터 코일을 수용한다.

제1 노치는, 리셉터클/서셉터에 의해 정의되는 종축을 따르는 방향으로 제2 노치로부터 오프셋될 수 있다. 이는, 노치들의 오프셋으로 인해 디바이스를 조립하는 것을 더 용이하게 할 수 있다. 예컨대, 노치들은, 시트가 정확한 방식으로 코일 주위에만 랩핑될 수 있도록 보장한다.

언급된 바와 같이, 노치는 시트의 에지에 만들어진 만입부이다. 이들은, 예컨대, 인덕터 코일(들)이 조립되고 인쇄 회로 기판에 연결된 후에, 시트가 그러한 인덕터 코일(들) 주위에 랩핑되도록 허용한다. 다른 실시예에서, 노치들은 관통 홀들(through holes)/애퍼처들에 의해 대체될 수 있고, 인덕터 코일들의 단부들은 애퍼처들에 수용될 수 있다. 그러한 어레인지먼트는, 노치들과 비교할 때 더 큰 차폐를 제공할 수 있지만, 자기 차폐 부재는, 예컨대, 인덕터 코일(들)의 단부들이 인쇄 회로 기판에 연결되기 전에 인덕터 코일(들) 주위에 랩핑될 필요가 있을 것이다.

예들에서, 디바이스는 소켓을 통해 충전되는 배터리와 같은 재충전 가능한 전원을 포함한다. 소켓은, 전원을 충전시키기 위한 전력을 공급하는 충전 케이블을 수용할 수 있다. 전력은, 예컨대, 전기 메인 공급부(electrical mains supply)로부터, 또는 저장된 전력의 외부 소스, 이를테면 배터리 팩으로부터 공급될 수 있다. 디바이스는 충전 동안 전자기 방사를 방출할 수 있다. 예컨대, 충전 동안, 충전 회로에서의 스위칭은, 디바이스에 의해 방출되는 방출 전자기 방사에 스파이크들을 야기할 수 있다. 디바이스는, 충전 동작 동안의 상기 스파이크들을 포함하는 방출되는 방사가 위에서 설명된 레벨들 내에 있도록 구성된다.

예들에서, 디바이스는 배터리의 충전을 관리하기 위한 충전 회로를 포함한다. 일부 예들에서, 충전 관리 회로는 또한, 디바이스의 다양한 전기 컴포넌트들에 대한 전력의 관리를 제공할 수 있다. 예컨대, 충전 회로는, 충전을 위해 원하는 전압을 배터리에 제공하기 위한 스위치-모드 충전기로서 동작할 수 있다. 예들에서, 충전 회로는, 충전 회로가 스위치-모드 충전기로서 동작할 수 있도록 하기 위해 스위칭 동작들을 수행하기 위한 충전 관리 디바이스를 포함한다. 예들에서, 충전 회로의 입력 섹션은 외부 전원과 충전 관리 디바이스 사이에 연결되는 한편, 충전 회로의 출력 섹션은 충전 관리 디바이스와 배터리 사이에, 또는 충전 회로의 일부가 아닌, 디바이스의 컴포넌트들과 충전 관리 디바이스 사이에 연결된다.

예들에서, 충전 회로는, 충전 회로의 동작으로 인해 디바이스에 의해 방출되는 임의의 전자기 방사가 위에서 설명된 레벨들 내에 있도록 구성된다. 예컨대, 충전 회로는 충전 동안 방출되는 전자기 방사의 레벨들을 제한하도록 작용하는 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 특히, 충전 회로는 충전 동안의 스위칭 동작들로 인한 전자기 방사의 스파이크들의 레벨들을 제한하는 피처들을 포함할 수 있다. 일 예에서, 상기 피처들은, 상기 스위칭 동작들 동안 충전 회로 내의 포인트들 사이의 전압의 변화율을 제한하도록 구성된 스너버 회로를 포함할 수 있다. 일 예에서, 스너버 회로는, 직렬로 연결되고 그리고 충전 회로 내의 포인트와 접지 사이에 연결된 저항기 및 커패시터를 포함한다. 스너버 회로의 저항 및 커패시턴스의 값들은, 스위칭 동작들 동안의 전압의 변화율이 효과적으로 감소되도록, 즉, 스위칭 동작들로 인한 전압 스파이크들이 효과적으로 "스너빙되도록" 선택될 수 있다. 스너버 회로의 저항 및 커패시턴스의 값들은, 충전 회로의 동작 주파수, 입력 전압, 또는 출력 전압 중 임의의 것 또는 모두에 의존할 수 있다.

스너버 회로가 연결되는, 충전 회로 내의 포인트는 또한, 전압 스파이크들을 효과적으로 감소시키도록 선택될 수 있다. 예들에서, 충전 회로의 출력 섹션은 출력 인덕터를 포함하고, 스너버 회로는 출력 인덕터의 일 단부와 접지 사이에 연결된다.

예들에서, 충전 회로의 입력 섹션은 충전 동작들에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨을 제한하도록 구성된다. 예들에서, 입력 섹션은 입력 커패시터를 포함하며, 입력 커패시터의 포지션 및 커패시턴스 값은, 방출되는 전자기 방사를 특정 레벨로 제한하면서 스위치-모드 충전 회로에서 입력 커패시터의 기능을 수행하도록 선택될 수 있다. 일부 예들에서, 입력 섹션은 하나 이상의 인덕터들을 포함한다. 임의의 그러한 인덕터들의 수, 및 인덕터들의 특성들, 이를테면 인덕턴스 및 DC 저항은 방출되는 전자기 방사의 레벨들을 제한하도록 선택될 수 있다.

예들에서, 충전 회로를 포함하는 인쇄 회로 기판의 레이아웃, 및 예들에서, 디바이스의 다른 전기 컴포넌트들은, 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨들을 제한하도록 구성된다.

도 1은 에어로졸 생성 디바이스(100)에 의해 방출되는 전자기 방사 레벨들을 측정하기 위한 예시적인 셋업의 개략도를 도시한다. 도 1에서, 디바이스(100)는 지상 0.8m에 위치된 턴-테이블(turn-table)(50) 상에 위치된다. 턴-테이블(50)은 360° 회전할 수 있고, 최대 방출 레벨이 측정될 수 있도록 디바이스의 회전을 허용한다. 안테나(51)가 안테나 타워(52) 상에 장착되고, 안테나(51)는 디바이스(100)로부터, 수평으로 측정하여 3m 떨어져 포지셔닝된다. 안테나 타워(52)는, 잘 이해될 "최대화" 방법으로, 디바이스(100)로부터의 최대 방출 레벨이 측정되도록 허용하기 위해 지상 1m 내지 4m의 거리에서 이동 가능하다. 일 예에서, 안테나(51)는 BiLog 초광대역 안테나이다. 테스트 수신기(53)가 전기 케이블(54)을 통해 안테나(51)에 연결되어, 이 테스트 수신기(53)는 안테나(51)로부터 전기 신호들을 수신하도록 구성된다. 예에서, 도 1에 도시된 디바이스(100) 및 다른 장비는 절연된 챔버에 위치될 수 있다. 도 1에는, 디바이스(100)가 디바이스(100)의 충전 동작 동안 테스트될 수 있도록, 외부 전원(미도시)으로부터 전력을 공급하기 위한 충전 케이블(55)이 도시된다. 예들에서, 충전 케이블(55)은 외부 전원에 연결되도록 구성된 YJC010W-0502000J PSU(power supply unit)를 포함한다. 방전 동안, 예컨대 에어로졸을 생성하기 위한 동작 동안 디바이스(100)가 테스트될 때, 충전 케이블(55)은 전형적으로 존재하지 않는다.

일부 예들에서, 도 1에 도시된 바와 같은 셋업은, 전자기 방사에 대한 내성에 대해 디바이스(100)를 테스트하는 데 사용될 수 있다. 그러한 테스트의 일 예에서, 안테나(51)는 3V/m의 전기장 강도 및 80MHz 내지 1GHz의 주파수의 전자기 방사를 방출하도록 야기될 수 있다. 입사하는 전자기 방사로 인한 임의의 성능 저하 또는 기능 손실이 존재하는지 여부를 결정하기 위해, 디바이스(100)의 기능이 테스트될 수 있다.

도 2는 도 1을 참조하여 설명된 예시적인 테스트 셋업을 이용하여, 예시적인 디바이스(100)에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨들의 플롯을 도시한다. 도 2는 방전 동안, 예컨대, 디바이스에 의해 수용되는 물품에 보유되는 에어로졸 생성 재료로부터 에어로졸을 생성하기 위해 사용하는 동안 디바이스(100)로부터의 결과들을 디스플레이한다. 플롯(2001)은 30Hz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 Hz 단위의 주파수에 대해, 디바이스(100)에 의해 방출되는 방사의 측정된 레벨을 dBμV/m 단위로 도시한다. 이 예에서, 플롯(2001)은 수평 평면 및 수직 평면에서의 결합된 측정들로부터 생성되며, 결합된 수평 및 수직 최대 홀드 피크 검출기 프리뷰 스캔(combined horizontal and vertical max hold peak detector preview scan)으로 지칭될 수 있다. 플롯(2001) 위의 제1 복수의 마커들(2002)은 특정 기준 방법론 동안 측정된 최대화된 피크 검출기들을 나타내며, 이들은 단지 참조를 위해 포함된다. 플롯(2001) 아래의 제2 복수의 마커들(2003)은 최대화된 준-피크 검출기들이며, 이들은 잘 이해될 방법론으로, 디바이스(100)에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨을 정의하기 위해, 특정 주파수 범위들에 걸쳐 방출되는 방사의 기준 레벨들과 비교될 수 있다. 예들에서, 특정 주파수 대역들에 걸쳐 방출되는 방사의 평균 레벨이 또한, 잘 이해될 방법들에 의해 결정될 수 있다. 도 2 및 도 3은 또한 기준 라인(reference line)(2004)을 포함하며, 이 기준 라인(2004)은, 단지 참조를 위해: 30MHz 내지 88MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m; 88MHz 내지 216MHz의 주파수 범위에 걸쳐 43.5dBμV/m; 216MHz 내지 960MHz의 주파수 범위에 걸쳐 46dBμV/m; 및 960MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 54dBμV/m의 방사 방출들의 기준 레벨들을 나타낸다. 일부 예들에서, 예시적인 디바이스에 의한 방사 방출들의 측정된 레벨들이 그러한 기준 레벨들과 비교될 수 있다.

도 2로부터, 디바이스(100)가 방전되는 동안 방출되는 방사의 레벨을 도시하는 플롯(2001)이 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 훨씬 아래로 유지되고 그리고 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 훨씬 아래로 유지된다는 것을 알 수 있다. 이는 플롯(2001), 피크 마커들(2002), 및 준-피크 마커들(2003)에 대해 그러하다는 것을 알 수 있다. 게다가, 플롯(2001)은 30MHz 내지 약 400MHz의 주파수 사이에서 약 20dBμV/m 미만으로 유지된다. 플롯(2001)은 30MHz 내지 1GHz의 전체 주파수 범위 사이에서 약 32.5dBμV/m 미만으로 유지된다.

도 3은 도 2에 대해 설명된 것과 동등한 방법들에 따라 획득된 테스트 결과들의 플롯(3001)을 도시한다. 도 3의 플롯(3001)은 충전 동안 디바이스(100)로부터 방출되는 방사의 레벨들의 플롯이다. 도 2에 대해 설명된 것과 동일한 방식으로, 제1 복수의 마커들(3002)은 최대화된 피크 검출기들을 나타내고, 제2 복수의 마커들(3003)은 최대화된 준-피크 검출기들이다.

도 3으로부터, 충전 동안 디바이스(100)로부터 방출되는 방사의 레벨들을 도시하는 플롯(3001) 또한, 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 훨씬 아래로 유지되고 그리고 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 훨씬 아래로 유지된다는 것을 알 수 있다. 게다가, 플롯(3001)은 30MHz 내지 약 500MHz의 주파수 사이에서 약 35dBμV/m 미만으로 그리고 30MHz 내지 1GHz의 전체 주파수 범위 사이에서 약 37.5dBμV/m 미만으로 유지된다.

도 4는 에어로졸 생성 매질/재료로부터 에어로졸을 생성하기 위한 에어로졸 생성 디바이스(100)의 예를 도시한다. 대략적으로, 디바이스(100)는 에어로졸 생성 매질을 포함하는 교체가능 물품(110)을 가열하여 디바이스(100)의 사용자에 의해 흡입되는 에어로졸 또는 다른 흡입가능 매질을 생성하기 위해 사용될 수 있다.

디바이스(100)는, 디바이스(100)의 다양한 컴포넌트들을 둘러싸고 수용하는 하우징(102)(외부 커버의 형태)을 포함한다. 디바이스(100)는 일 단부에 개구(104)를 가지며, 물품(110)이 가열 조립체에 의한 가열을 위해서 그 개구(104)를 통해 삽입될 수 있다. 사용시, 물품(110)은 가열 조립체에 완전히 또는 부분적으로 삽입될 수 있고, 여기서 그 물품(110)은 가열 조립체의 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 가열될 수 있다.

이 예의 디바이스(100)는 덮개(108)를 포함하는 제1 단부 부재(106)를 포함하고, 그 덮개(108)는 물품(110)이 제자리에 없을 경우 개구(104)를 폐쇄하도록 제1 단부 부재(106)에 대해 이동 가능하다. 도 4에서, 덮개(108)는 열린 구성으로 도시되어 있지만, 덮개(108)는 닫힌 구성으로 이동할 수 있다. 예컨대, 사용자는 덮개(108)로 하여금 화살표 "A"의 방향으로 미끄러지도록 할 수 있다.

디바이스(100)는 또한, 눌려질 경우 디바이스(100)를 동작시키는 사용자-조작가능 제어 엘리먼트(112), 이를테면 버튼 또는 스위치를 포함할 수 있다. 예컨대, 사용자는 스위치(112)를 동작시킴으로써 디바이스(100)를 켤 수 있다.

디바이스(100)는 또한, 디바이스(100)의 배터리를 충전시키기 위한 케이블을 수용할 수 있는 전기 컴포넌트, 이를테면 소켓/포트(114)를 포함할 수 있다. 예컨대, 소켓(114)은 충전 포트, 이를테면 USB 충전 포트 또는 구체적으로 USC-B 충전 포트일 수 있다.

도 5는 외부 커버(102)가 제거된, 도 4의 디바이스(100)를 도시한다. 디바이스(100)는 종축(134)을 정의한다.

도 5에 도시된 바와 같이, 제1 단부 부재(106)는 디바이스(100)의 일 단부에 배열되고 제2 단부 부재(116)는 디바이스(100)의 반대쪽 단부에 배열된다. 제1 및 제2 단부 부재들(106, 116)은 함께 디바이스(100)의 단부 표면들을 적어도 부분적으로 정의한다. 예컨대, 제2 단부 부재(116)의 하단 표면은 디바이스(100)의 하단 표면을 적어도 부분적으로 정의한다. 외부 커버(102)의 에지들은 또한 단부 표면들의 일부를 정의할 수 있다. 이 예에서, 덮개(108)는 또한 디바이스(100)의 상단 표면의 일부를 정의한다. 도 5는 또한, 제어 엘리먼트(112) 내에 연관된 제2 인쇄 회로 기판(138)을 도시한다.

개구(104)에 가장 가까운 디바이스의 단부는 사용시 사용자의 입에 가장 가깝기 때문에 디바이스(100)의 근위 단부(또는 마우스 단부)로 알려질 수 있다. 사용시, 사용자는 물품(110)을 개구(104)에 삽입하고, 에어로졸 생성 재료의 가열을 시작하기 위해 사용자 제어부(112)를 조작하고, 디바이스에서 생성된 에어로졸을 흡인한다. 이는 에어로졸로 하여금 유동 경로를 따라 디바이스(100)의 근위 단부를 향해서 디바이스(100)를 통해 유동하게 한다.

개구(104)로부터 가장 멀리 떨어져 있는 디바이스의 다른 단부는 사용시 사용자의 입으로부터 가장 멀리 떨어져 있는 단부이기 때문에 디바이스(100)의 원위 단부로 알려질 수 있다. 사용자가 디바이스에서 생성된 에어로졸을 흡인함에 따라, 에어로졸은 디바이스(100)의 원위 단부로부터 멀어지게 유동한다.

디바이스(100)는 전원(118)을 추가로 포함한다. 전원(118)은, 예컨대 배터리, 이를테면, 재충전가능한 배터리 또는 재충전가능하지 않은 배터리일 수 있다. 적절한 배터리들의 예들은, 예컨대, 리튬 배터리(이를테면, 리튬-이온 배터리), 니켈 배터리(예컨대, 니켈-카드뮴 배터리), 및 알카라인 배터리를 포함한다. 배터리는 에어로졸 생성 재료를 가열하기 위해서 제어기(미도시)의 제어 하에 필요할 때 전력을 공급하도록 가열 조립체에 전기적으로 결합된다. 이 예에서, 배터리는 배터리(118)를 제자리에 유지하는 중앙 지지부(120)에 연결된다.

디바이스는 적어도 하나의 전자 모듈(electronics module)(122)을 더 포함한다. 전자 모듈(122)은, 예컨대, PCB(printed circuit board)를 포함할 수 있다. PCB(122)는 적어도 하나의 제어기, 이를테면 프로세서, 및 메모리를 지원할 수 있다. PCB(122)는 또한 디바이스(100)의 다양한 전자 컴포넌트들을 전기적으로 서로 연결시키기 위해 하나 이상의 전기 트랙들을 포함할 수 있다. 예컨대, 전력이 디바이스(100) 전체에 걸쳐 분배될 수 있도록, 배터리 단자들이 PCB(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 소켓(114)이 또한 전기 트랙들을 통해 배터리에 전기적으로 결합될 수 있다.

예시적인 디바이스(100)에서, 가열 조립체는 유도성 가열 조립체이며, 유도성 가열 프로세스를 통해 물품(110)의 에어로졸 생성 재료를 가열하기 위한 다양한 컴포넌트들을 포함한다. 유도 가열은 전자기 유도에 의해 전기 전도성 물체(이를테면, 서셉터)를 가열하는 프로세스이다. 유도 가열 조립체는 유도성 엘리먼트, 예컨대, 하나 이상의 인덕터 코일들, 및 그 유도성 엘리먼트를 통해 교류 전류와 같은 가변 전류를 전달하기 위한 디바이스를 포함할 수 있다. 유도성 엘리먼트의 가변 전류는 가변 자기장을 발생시킨다. 가변 자기장은 유도성 엘리먼트에 대해 적절하게 포지셔닝된 서셉터를 침투하고, 서셉터 내부에서 와전류들을 발생시킨다. 서셉터는 와전류들에 대한 전기 저항을 갖고, 그로 인해서 이 저항에 대한 와전류들의 흐름이 서셉터로 하여금 줄 가열(Joule heating)에 의해 가열되도록 한다. 서셉터가 강자성 재료, 이를테면 철, 니켈 또는 코발트를 포함하는 경우들에서, 열은 또한 서셉터에서의 자기 히스테리시스 손실들에 의해서, 즉, 가변 자기장과 자기 쌍극자들의 정렬의 결과로 자기 재료에서의 자기 쌍극자들의 다양한 배향에 의해서 발생될 수 있다. 유도성 가열에서는, 예컨대 전도에 의한 가열에 비해, 서셉터 내부에서 열이 발생되어 급속 가열이 허용된다. 더욱이, 유도성 히터와 서셉터 간의 어떤 물리적 접촉도 필요하지 않아 구성 및 응용의 개선된 자유가 허용된다.

예시적인 디바이스(100)의 유도 가열 조립체는 서셉터 어레인지먼트(132)(본원에서 "서셉터"로 지칭됨), 제1 인덕터 코일(124) 및 제2 인덕터 코일(126)을 포함한다. 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)은 전기 전도성 재료로 만들어진다. 이 예에서, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)은 나선형 인덕터 코일들(124, 126)을 제공하기 위해 나선형 형태로 권취되는 리츠 와이어/케이블로 만들어진다. 리츠 와이어는, 개별적으로 절연되고 단일 와이어를 형성하기 위해 함께 꼬여지는 복수의 개별 와이어들을 포함한다. 리츠 와이어들은 전도체에서의 표피 효과 손실을 감소시키도록 설계된다. 예시적인 디바이스(100)에서, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)은 실질적으로 원형 단면을 갖는 구리 리츠 와이어로 만들어진다. 다른 예들에서, 리츠 와이어는 직사각형과 같은 다른 형상의 단면들을 가질 수 있다.

제1 인덕터 코일(124)은 서셉터(132)의 제1 섹션을 가열하기 위한 제1 가변 자기장을 발생시키도록 구성되고, 제2 인덕터 코일(126)은 서셉터(132)의 제2 섹션을 가열하기 위한 제2 가변 자기장을 발생시키도록 구성된다. 여기에서, 서셉터(132)의 제1 섹션은 제1 서셉터 구역(132a)으로 지칭되고, 서셉터(132)의 제2 섹션은 제2 서셉터 구역(132b)으로 지칭된다. 이 예에서, 제1 인덕터 코일(124)은 디바이스(100)의 종축(134)을 따른 방향으로 제2 인덕터 코일(126)에 인접한다(즉, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)은 중첩되지 않음). 이 예에서, 서셉터 어레인지먼트(132)는 2개의 구역들을 포함하는 단일 서셉터를 포함하지만, 다른 예들에서, 서셉터 어레인지먼트(132)는 2개 이상의 개별 서셉터들을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)의 단부들(130)은 PCB(122)에 연결된다.

제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)은, 일부 예들에서, 서로 상이한 적어도 하나의 특징을 가질 수 있다는 것이 인지될 것이다. 예컨대, 제1 인덕터 코일(124)은 제2 인덕터 코일(126)과 상이한 적어도 하나의 특징을 가질 수 있다. 더 상세하게, 일 예에서, 제1 인덕터 코일(124)은 제2 인덕터 코일(126)과 상이한 인덕턴스 값을 가질 수 있다. 도 5에서, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)은, 제1 인덕터 코일(124)이 제2 인덕터 코일(126)보다 서셉터(132)의 더 작은 섹션에 권취되도록, 상이한 길이들을 갖는다. 따라서, 제1 인덕터 코일(124)은 제2 인덕터 코일(126)과 상이한 수의 턴들을 포함할 수 있다(개별 턴들 간의 간격이 실질적으로 동일하다고 가정함). 또 다른 예에서, 제1 인덕터 코일(124)은 제2 인덕터 코일(126)과 상이한 재료로 만들어질 수 있다. 일부 예들에서, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)은 실질적으로 동일할 수 있다.

이 예에서, 인덕터 코일들(124, 126)은 서로 동일한 방향으로 권취된다. 즉, 제1 인덕터 코일(124) 및 제2 인덕터 코일(126) 둘 모두는 좌측 나선들이다. 다른 예에서, 인덕터 코일들(124, 126) 둘 모두는 우측 나선들일 수 있다. 또 다른 예(미도시)에서, 제1 인덕터 코일(124) 및 제2 인덕터 코일(126)은 반대 방향들로 권취된다. 이는, 인덕터 코일들이 상이한 시간들에 활성화될 때, 유용할 수 있다. 예컨대, 초기에는, 제1 인덕터 코일(124)이 물품(110)의 제1 섹션을 가열하도록 동작하고 있을 수 있고, 나중에는, 제2 인덕터 코일(126)이 물품(110)의 제2 섹션을 가열하도록 동작하고 있을 수 있다. 코일들을 반대 방향들로 권취하는 것은, 특정 타입의 제어 회로와 함께 사용될 때 비활성 코일에서 유도되는 전류를 감소시키는 것을 돕는다. 코일들(124, 126)이 상이한 방향들(미도시)로 권취되는 일 예에서, 제1 인덕터 코일(124)은 우측 나선일 수 있고 그리고 제2 인덕터 코일(126)은 좌측 나선일 수 있다. 다른 그러한 실시예에서, 제1 인덕터 코일(124)은 좌측 나선일 수 있고 그리고 제2 인덕터 코일(126)은 우측 나선일 수 있다.

이 예의 서셉터(132)는 중공이고, 따라서 에어로졸 생성 재료가 수용되는 리셉터클을 정의한다. 예컨대, 물품(110)은 서셉터(132)에 삽입될 수 있다. 이 예에서, 서셉터(132)는 원형 단면을 갖는 관형이다.

도 5의 디바이스(100)는, 일반적으로 관형이고 서셉터(132)를 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있는 절연 부재(128)를 더 포함한다. 절연 부재(128)는 임의의 절연 재료, 이를테면 예컨대 플라스틱 재료로 구성될 수 있다. 이 특정 예에서, 절연 부재는 PEEK(polyether ether ketone)로 구성된다. 절연 부재(128)는 서셉터(132)에서 발생된 열로부터 디바이스(100)의 다양한 컴포넌트들을 절연시키는 것을 도울 수 있다.

절연 부재(128)는 또한 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)을 완전히 또는 부분적으로 지지할 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)은 절연 부재(128) 둘레에 포지셔닝되고, 절연 부재(128)의 반경 방향 외측 표면과 접촉한다. 일부 예들에서, 절연 부재(128)는 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)과 접하지 않는다. 예컨대, 절연 부재(128)의 외부 표면과 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)의 내부 표면 간에 작은 갭이 존재할 수 있다.

특정 예에서, 서셉터(132), 절연 부재(128), 및 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)은 서셉터(132)의 중앙 종축을 동축으로 한다.

도 6은 부분 단면으로 디바이스(100)의 측면도를 도시한다. 이 예에서, 외부 커버(102)는 이번에도 존재하지 않는다. 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)의 원형 단면 형상은 도 6에서 더 명확하게 보인다.

디바이스(100)는 서셉터(132)를 제자리에 유지하기 위해 서셉터(132)의 일 단부와 맞물리는 지지부(136)를 더 포함한다. 지지부(136)는 제2 단부 부재(116)에 연결된다.

디바이스(100)는 디바이스(100)의 원위 단부를 향해 배열된, 제2 덮개/캡(140) 및 스프링(142)을 더 포함한다. 스프링(142)은 서셉터(132)로의 접근을 제공하기 위해서 제2 덮개(140)가 열리도록 허용한다. 사용자는, 예컨대, 서셉터(132) 및/또는 지지부(136)를 청소하기 위해 제2 덮개(140)를 열 수 있다.

디바이스(100)는 그 디바이스의 개구(104)를 향해 서셉터(132)의 근위 단부로부터 멀리 연장되는 확장 챔버(144)를 더 포함한다. 디바이스(100) 내에 수용될 때 물품(110)에 접하여 이를 유지하기 위한 유지 클립(146)이 확장 챔버(144) 내에 적어도 부분적으로 위치된다. 확장 챔버(144)는 단부 부재(106)에 연결된다.

도 6은 또한 충전 인쇄 회로 기판(123)을 도시하며, 이러한 충전 인쇄 회로 기판(123)은 소켓(114)에 인접하게 위치되고, 디바이스(100)에 대한 충전 및 전력 공급 기능을 제공하기 위한 충전 장치(이것의 예는 도 16을 참조하여 아래에서 설명됨)를 자신의 상부에 위치시켰을 수 있다.

도 7은 외부 커버(102)가 이번에도 생략된, 도 4의 디바이스(100)의 분해도이다.

도 8a는 도 4의 디바이스(100)의 일부의 단면도를 묘사한다. 도 8b는 도 8a의 영역의 확대도를 묘사한다. 도 8a 및 8b는 서셉터(132) 내에 수용된 물품(110)을 도시하고, 여기서 물품(110)은, 물품(110)의 외부 표면이 서셉터(132)의 내부 표면에 접하도록 치수가 정해진다. 이는 가열이 가장 효율적이도록 보장한다. 이 예의 물품(110)은 에어로졸 생성 재료(110a)를 포함한다. 에어로졸 생성 재료(110a)는 서셉터(132) 내에 포지셔닝된다. 물품(110)은 또한 필터, 포장 재료들 및/또는 냉각 구조와 같은 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다.

도 8b는, 서셉터(132)의 외부 표면이 서셉터(132)의 종축(158)에 수직인 방향으로 측정되는 거리(150)만큼 인덕터 코일들(124, 126)의 내부 표면으로부터 이격된 것을 도시한다. 일 특정 예에서, 거리(150)는 약 3mm 내지 4mm, 약 3mm 내지 3.5mm, 또는 약 3.25mm이다.

도 8b는, 절연 부재(128)의 외부 표면이 서셉터(132)의 종축(158)에 수직인 방향으로 측정되는 거리(152)만큼 인덕터 코일들(124, 126)의 내부 표면으로부터 이격된 것을 추가로 도시한다. 일 특정 예에서, 거리(152)는 약 0.05mm이다. 다른 예에서, 거리(152)는 실질적으로 0mm이고, 그럼으로써 인덕터 코일들(124, 126)이 절연 부재(128)와 접하고 접촉하게 된다.

일 예에서, 서셉터(132)는 약 0.025mm 내지 1mm, 또는 약 0.05mm의 벽 두께(154)를 갖는다.

일 예에서, 서셉터(132)는 약 40mm 내지 60mm, 약 40mm 내지 45mm, 또는 약 44.5mm의 길이를 갖는다.

일 예에서, 절연 부재(128)는 약 0.25mm 내지 2mm, 0.25mm 내지 1mm, 또는 약 0.5mm의 벽 두께(156)를 갖는다.

도 9는 인쇄 회로 기판(PCB)(122), 서셉터(132), 제1 인덕터 코일(124) 및 제2 인덕터 코일(126)의 사시도를 묘사한다. 이 예에서, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)은 원형 단면을 갖는 와이어로 만들어진다. 제1 인덕터 코일(124)의 제1 및 제2 단부들(130a, 130b)은 PCB(122)에 연결된다. 유사하게, 제2 인덕터 코일(126)의 제1 및 제2 단부들(130c, 130d)은 PCB(122)에 연결된다. 일부 예들에서, 단지 하나의 인덕터 코일만이 존재할 수 있다.

자기 차폐 부재(202)가 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126) 주위로 연장된다. 이러한 자기 차폐 부재(202)는, 서셉터 및/또는 제1 및 제2 인덕터 코일들(124) 내에서 발생되는 전자기 방사로부터 디바이스(100)의 다른 컴포넌트들 및/또는 다른 물체들을 차폐시키기 위해, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)과 접촉하고 그리고 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)을 둘러싼다. 자기 차폐 부재(202)는, 자기 차폐 부재(202) 내에 배열된 인덕터 코일들(124, 126) 및 서셉터(132)를 명확하게 도시하기 위해, 투명인 것으로 예시된다. 이 예에서, 자기 차폐 부재(202)는 접착제를 통해 제자리에 유지된다. 다른 예들에서는, 자기 차폐 부재(202) 및/또는 디바이스(100)의 다른 피처들/컴포넌트들이 자기 차폐 부재(202)를 제자리에 유지할 수 있다.

서셉터(132)는 물품(110)을 수용하고, 따라서 에어로졸 생성 재료를 수용하도록 구성된 리셉터클을 정의한다. 다른 예들(미도시)에서, 서셉터(132)는 디바이스(100)보다는 물품(110)의 일부이며, 이에 따라 다른 컴포넌트들이 리셉터클을 정의할 수 있다. 리셉터클/서셉터(132)는 종축(158)과 같은 축(158)을 정의하며, 자기 차폐 부재(202)가 그러한 축 주위에 랩핑된다.

자기 차폐 부재(202)는 전자기 방사에 대한 차폐부로서 작용하는 하나 이상의 컴포넌트들을 포함한다. 이 예에서, 자기 차폐 부재(202)는 차폐부로서 작용하는 자기 차폐 층, 이를테면 페라이트 층을 포함한다.

자기 차폐 부재(202)는 하나 이상의 추가 층들을 포함할 수 있다. 예컨대, 자기 차폐 부재(202)는, 도 10에서 설명되는 바와 같이, 접착성 층 및/또는 라미네이트 층을 더 포함할 수 있다.

도 10은 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126) 주위에 랩핑되기 전의 예시적인 자기 차폐 부재(202)를 통한 단면의 개략도이다. 자기 차폐 부재(202)는 시트형이다.

이 예에서, 자기 차폐 부재(202)는, 자기 차폐 층(206), 자기 차폐 층(206)의 제1 측에 적용되는 접착성 층(204), 및 자기 차폐 층(206)의 제2 측에 적용되는 라미네이트 층(208)을 포함하는 적어도 3개의 층들을 포함한다.

접착성 층(204)은, 자기 차폐 부재(202)가 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)에 접합될 수 있도록 자기 차폐 부재(202)의 내부 표면 상에 배열된다. 부가적인 보호 층(미도시)이 접착성 층(204)을 커버할 수 있으며, 이러한 부가적인 보호 층은, 자기 차폐 부재(202)가 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)에 부착되기 전에 접착성 층(204)을 노출시키기 위해 후속적으로 제거된다. 자기 차폐 부재(202)의 내부 표면은, 자기 차폐 부재(202)가 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)과 접촉할 때, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)에 가장 가까운 표면이다. 자기 차폐 부재(202)가 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126) 주위에 랩핑될 때, 접착성 층(204)의 일부가 라미네이트 층(208)과 접촉하도록 자기 차폐 부재가 중첩 영역에서 자체적으로 중첩될 수 있다.

라미네이트 층(208)은 자기 차폐 부재(202)의 외부 표면에 또는 자기 차폐 부재(202)의 외부 표면을 향해 배열된다. 자기 차폐 부재(202)의 외부 표면은, 자기 차폐 부재(202)가 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)과 접촉할 때, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)로부터 가장 멀리 떨어진 표면이다. 일부 예들에서, 추가적인 층(미도시)이 자기 차폐 부재(202)의 외부 표면을 형성한다.

이전에 언급된 바와 같이, 자기 차폐 층(206) 내의 페라이트 재료는 많은 가열 및 냉각 사이클들에 걸쳐 부서질 수 있다. 라미네이트 층(208)은, 자기 차폐 층(206) 내의 부서지는 재료가 느슨해져서 디바이스(100) 내부에서 이동하는 것을 막도록 작용한다. 라미네이트 층(208)은 플라스틱 재료를 포함할 수 있고, 예컨대 플라스틱 막일 수 있다. 본 예에서, 플라스틱은 PET(Polyethylene terephthalate)이다.

도 10의 예에서, 라미네이트 층(208)은 자기 차폐 층(206)에 바로 인접한다. 예컨대, 라미네이트 층(208)은 열 밀봉(heat sealing)을 통해 자기 차폐 층(206)에 접합될 수 있다. 다른 예에서, 제2 접착성 층(미도시)이 라미네이트 층(208)과 자기 차폐 층(206) 사이에 배열될 수 있다.

도 11은 도 9에 도시된 어레인지먼트의 평면도를 묘사한다. 서셉터(132)에 의해 정의되는 리셉터클(212)은 내부에 에어로졸 생성 재료를 수용한다. 화살표(210)는 리셉터클/서셉터로부터 외측을 향하는 반경 방향을 표시한다. 도 10의 자기 차폐 부재(202)가 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126) 주위에 랩핑될 때, 라미네이트 층(208)은 반경 방향(210)으로 접착성 층(204)보다 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)로부터 더 멀리 배열된다.

도 9 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 인덕터 코일(124)의 제1 및 제2 단부들(130a, 130b)은 자기 차폐 부재(202)에 형성된 노치들/개구부들/애퍼처들을 통과한다. 이러한 노치들은 자기 차폐 부재(202)가 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)에 보다 더 꼭 맞도록 허용한다.

도 12는 다른 컴포넌트들로부터 격리된 자기 차폐 부재(202)를 묘사한다. 시트형 자기 차폐 부재(202)는 원통형 튜브 내로 롤링되고 중첩 영역(224)에서 중첩된다. 접착성 층(204)의 존재는 자기 차폐 부재(202)가 중첩 영역(224)에서 그 자체에 접합될 수 있고, 그에 의해, 개선된 차폐부를 제공한다는 것을 의미한다. 다른 예들에서, 자기 차폐 부재(202)는 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126) 주위로 완전히 연장되지 않는다.

자기 차폐 부재(202)는 4개의 노치들(214, 216, 218, 220)을 포함한다. 다른 예들에서, 하나 이상의 노치들이 존재할 수 있다. 노치들(214, 216, 218, 220)은 자기 차폐 부재(202)의 에지들에 형성되고, 인덕터 코일들(124, 126)을 형성하는 와이어의 섹션을 각각 수용한다. 와이어의 섹션들은, 도 9에 묘사된 바와 같이, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)의 제1 및 제2 단부들(130a, 130b, 130c, 130d)을 포함한다.

도 13은 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126) 주위에 랩핑되기 전의, 도 12의 자기 차폐 부재(202)의 개략도이다. 자기 차폐 부재(202)는 일반적으로 직사각형인 시트로 형성된다. 시트는, 자기 차폐 부재(202)가 인덕터 코일들(124, 126) 주위에 랩핑될 때 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)에 의해 정의되는 축 및 리셉터클/서셉터(132)에 의해 정의되는 축에 평행하게 정렬되는 축(222)을 정의한다.

시트는 시트의 제1 에지(224)에 형성된 제1 노치(214)를 포함한다. 제1 노치(214)는 제1 인덕터 코일(124)을 형성하는 와이어의 섹션을 수용하며, 이러한 와이어의 섹션은 제1 단부(130a)를 포함한다. 시트는 또한, 시트의 제1 에지(224)에 형성된 제2 노치(218)를 포함한다. 제2 노치(218)는 제2 인덕터 코일(126)을 형성하는 와이어의 섹션을 수용하며, 이러한 와이어의 섹션은 제1 단부(130c)를 포함한다. 시트는 시트의 제2 에지(226)에 형성된 제3 노치(216)를 더 포함한다. 제3 노치(216)는 제1 인덕터 코일(124)을 형성하는 와이어의 제2 섹션을 수용하며, 이러한 와이어의 제2 섹션은 제2 단부(130b)를 포함한다. 시트는 또한, 시트의 제2 에지(226)에 형성된 제4 노치(220)를 포함한다. 제4 노치(220)는 제2 인덕터 코일(126)을 형성하는 와이어의 제2 섹션을 수용하며, 이러한 와이어의 제2 섹션은 제2 단부(130b)를 포함한다. 따라서, 각각의 인덕터 코일에 대해, 시트의 대향 에지들 상에 2개의 노치들이 형성된다.

노치들(214, 216, 218, 220)은 시트에 의해 정의되는 축(222)을 따르는 방향으로 모두 서로 오프셋되며(따라서, 자기 차폐 부재(202)가 제자리에 있을 때 서셉터(132)에 의해 정의되는 종축(158)을 따르는 방향으로 모두 서로 오프셋된다).

도 14는 디바이스(100)에서 사용될 수 있는 다른 예시적인 자기 차폐 부재(302)의 개략도이다. 자기 차폐 부재(302)는 일반적으로 직사각형인 시트로 형성된다. 시트는, 자기 차폐 부재(202)가 인덕터 코일들(124, 126) 주위에 랩핑될 때 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)에 의해 정의되는 축 및 리셉터클/서셉터(132)에 의해 정의되는 축에 평행하게 정렬되는 축(322)을 정의한다.

도 13의 예와 달리, 자기 차폐 부재(302)는 시트의 하나의 에지를 따라 형성된 노치들을 포함한다. 예컨대, 시트는 시트의 제1 에지(324)에 형성된 제1 노치(314)를 포함한다. 제1 노치(314)는 제1 인덕터 코일(124)을 형성하는 와이어의 섹션을 수용하며, 이러한 와이어의 섹션은 제1 단부(130a)를 포함한다. 시트는 또한, 시트의 제1 에지(324)에 형성된 제2 노치(318)를 포함한다. 제2 노치(318)는 제2 인덕터 코일(126)을 형성하는 와이어의 섹션을 수용하며, 이러한 와이어의 섹션은 제1 단부(130c)를 포함한다. 시트는 시트의 제1 에지(324)에 형성된 제3 노치(316)를 더 포함한다. 제3 노치(316)는 제1 인덕터 코일(124)을 형성하는 와이어의 제2 섹션을 수용하며, 이러한 와이어의 제2 섹션은 제2 단부(130b)를 포함한다. 시트는 또한, 시트의 제1 에지(324)에 형성된 제4 노치(320)를 포함한다. 제4 노치(320)는 제2 인덕터 코일(126)을 형성하는 와이어의 제2 섹션을 수용하며, 이러한 와이어의 제2 섹션은 제2 단부(130b)를 포함한다. 따라서, 각각의 인덕터 코일에 대해, 시트의 동일한 에지에 2개의 노치들이 형성된다.

노치들(314, 316, 318, 320)은 시트에 의해 정의되는 축(322)을 따르는 방향으로 모두 서로 오프셋되며(따라서, 자기 차폐 부재(302)가 제자리에 있을 때 서셉터(132)에 의해 정의되는 종축(158)을 따르는 방향으로 모두 서로 오프셋된다).

도 15는 디바이스(100)에서 사용될 수 있는 다른 예시적인 자기 차폐 부재(402)의 개략도이다. 자기 차폐 부재(402)는 일반적으로 직사각형인 시트로 형성된다. 시트는, 자기 차폐 부재(202)가 인덕터 코일들(124, 126) 주위에 랩핑될 때 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)에 의해 정의되는 축 및 리셉터클/서셉터(132)에 의해 정의되는 축에 평행하게 정렬되는 축(422)을 정의한다.

도 13 및 도 14의 예와 달리, 자기 차폐 부재(402)는 시트에 형성된 개구들/애퍼처들/관통 홀들을 포함한다. 따라서, 제1 및 제2 인덕터 코일들(124, 126)의 단부들은 PCB(122)에 연결되기 전에 먼저 애퍼처들을 통과해야 한다.

시트는 제1 인덕터 코일(124)을 형성하는 와이어의 섹션을 수용하기 위한 제1 애퍼처(414)를 포함하며, 이러한 와이어의 섹션은 제1 단부(130a)를 포함한다. 시트는 또한, 제2 인덕터 코일(126)을 형성하는 와이어의 섹션을 수용하기 위한 제2 애퍼처(418)를 포함하며, 이러한 와이어의 섹션은 제1 단부(130c)를 포함한다. 시트는 제1 인덕터 코일(124)을 형성하는 와이어의 제2 섹션을 수용하기 위한 제3 애퍼처(416)를 더 포함하며, 이러한 와이어의 제2 섹션은 제2 단부(130b)를 포함한다. 시트는 또한, 제2 인덕터 코일(126)을 형성하는 와이어의 제2 섹션을 수용하기 위한 제4 애퍼처(420)를 포함하며, 이러한 와이어의 제2 섹션은 제2 단부(130b)를 포함한다.

애퍼처들(414, 416, 418, 420)은 시트에 의해 정의되는 축(422)을 따르는 방향으로 모두 서로 오프셋되며(따라서, 자기 차폐 부재(302)가 제자리에 있을 때 서셉터(132)에 의해 정의되는 종축(158)을 따르는 방향으로 모두 서로 오프셋된다).

도 16은 에어로졸 생성 디바이스(100)의 장치(500)의 개략도를 도시한다. 본원에서의 도 16의 설명은, 디바이스(100)로부터의 전자기 방사의 감소된 방출들을 제공하도록 구성된, 장치(500)의 특정 피처들에 초점을 맞출 것이다. 장치(500)는 디바이스(100)에 하우징되고, 일부 예들에서는 소켓(114)에 인접한 인쇄 회로 기판(123) 상에 하우징될 수 있으며, 그리고 장치(500)는 외부 전원(미도시)으로부터의 배터리(118)의 충전을 제어하기 위한 것이다. 장치(500)는 충전 관리 디바이스(550)를 포함한다. 이 예의 충전 관리 디바이스(550)는 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments)의 bq25898 집적 회로 충전 관리 및 시스템 전력 경로 관리 디바이스이며, 그 일반적인 동작은 이러한 집적 회로 디바이스의 알려진 사양으로부터 이해될 것이다. 충전 관리 디바이스(550)는 입력 섹션(510)에 의해 외부 전원에 연결된다. 장치(500)는 충전 관리 디바이스(550)의 단자들 사이에 연결된 출력 섹션(520)을 더 포함한다. 이 예에서, 충전 관리 디바이스(550)는 또한, 디바이스(100)의 다른 전기 컴포넌트들에 공급되는 DC 전력 공급을 제어하기 위한 전력 관리 시스템으로서 기능한다. 따라서, 장치(500)는 외부 전원과 배터리(118) 사이의 인터페이스로서 기능할 수 있고, 추가로, 배터리(118)와 디바이스(100)의 다른 전기 컴포넌트들 사이의 인터페이스로서 기능할 수 있다.

장치(500)는 충전하는 동안 디바이스(100)로부터 방출되는 전자기 방사의 레벨을 제공하도록 구성되며, 이는 디바이스가 위에서 설명된 방사 전자기 방사들의 레벨들을 충족시킬 수 있도록 허용한다. 입력 섹션(510) 및 출력 섹션(520)은 디바이스(100)의 충전 동안 장치(500)로부터 나오는 전자기 방사의 레벨을 제한하도록 구성된다. 특히, 장치(500)는 충전 동안 충전 관리 디바이스(550)에 의해 수행되는 전력 사이클링 및 스위칭 동작들 동안 방출되는 방사의 스파이크들을 제한하도록 구성된다.

충전 장치(500)의 입력 섹션(510)은 USB-C 충전 포트(114)로부터 5V 입력(511)을 수신하도록 구성된다. 제1 라인(512)을 통해 충전 관리 디바이스(550)의 제1 연결(VBUS)과 입력(511) 사이에, 입력 인덕터(L3)가 연결된다. 인덕터(L3)는 100MHz에서 120Ω +/- 25%의 임피던스, 및 25mΩ의 DC 저항을 갖는다. 인덕터(L3)는 충전 장치(500)로부터의 전자기 방사의 감소된 방출들을 제공하도록 선택된다. 입력 인덕터(L3)는 장치(500)로부터 나오는 고주파 신호들의 감소를 제공하도록 구성된다. 충전 관리 디바이스(550)와 입력 인덕터(L3) 사이의 제1 라인(512) 상의 포인트에서 기준 신호(+5USB)가 취해진다. 또한, 입력 섹션(510)은 충전 관리 디바이스(550)의 제2 연결(PMID)과 입력(511) 사이에 연결된 제2 라인(513)을 포함한다. 제2 라인(513) 상에서, 100nF 커패시터(C7)가 입력(511)과 접지 사이에 직렬로 연결된다. 10μF 커패시터(C113) 및 1nF 커패시터(C142)가 접지와 제2 연결(PMID) 사이에서 제2 라인(513) 상에서 병렬로 연결된다. 다양한 커패시터들(C4, C12, C6, C141, C110) 및 다이오드(D3)가 제1 라인(512)과 제2 라인(513) 사이에 병렬로 연결된다. 입력 섹션(510)을 정의하는 컴포넌트들의 어레인지먼트는 장치(500)에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨들을 감소시키도록 작용한다. 예컨대, 인덕터(L3) 및 다양한 커패시터들은 다양한 주파수 신호들에 대한 필터링 효과를 제공할 수 있다.

장치(500)의 출력 섹션(520)은 충전 관리 디바이스(550)의 제3 연결(SW), 제4 연결(BTST) 및 제5 연결(SYS)에 연결된다. 제3 연결(SW)은 1μH의 출력 인덕터(L102)에 연결되는 스위칭 노드이며, 출력 인덕터(L102)는 제3 연결(SW)과 제5 연결(SYS) 사이에 연결된다. 47nF 커패시터(C109) 및 10Ω 저항기가 제4 연결(BTST)에 직렬로 연결된다. 2개의 10μF 커패시터들(C117, C138)이 제5 연결(SYS)과 접지 사이에 병렬로 연결된다. Bq25898 충전 관리 제어기(550)의 출력 섹션(520) 상의 연결들(SW, SYS, BTST)의 기능들은, 예컨대, 텍사스 인스트루먼트에 의해 생산되는 이러한 제어기의 기술 사양 문서들로부터 잘 이해될 것이다.

출력 섹션(520)은 제3 연결(SW)과 접지 사이에 연결된 "스너버 회로"를 포함한다. 스너버 회로는 직렬로 연결된 2.2nF 커패시터(C136) 및 약 1Ω 저항기(R137)를 포함하며, 이들은 과도 신호(transient signal)들을 감소, 즉 "스너빙"하도록 작용하는 바, 그렇지 않으면 이러한 과도 신호들은 충전 관리 디바이스(550)에 의해 픽업(pick up)되어 원치않는 전자기 방출들을 야기할 수 있다. 본 발명자들은, 도 16에 도시된 바와 같은, 커패시터(C136) 및 R137을 포함하는 스너버 회로의 위치가, 특히, 스위치 충전 동작들 동안 발생되는 전압 스파이크들로 인한 감소된 전자기 방사들을 가능하게 한다는 것을 발견하였다.

디바이스(100) 내의 PCB(122) 상에 장치(500)를 형성하는 컴포넌트들의 레이아웃은 또한, 충전 동안 방출되는 전자기 방사의 레벨들이 위에서 설명된 레벨들 내에서 유지되게 제공하도록 구성될 수 있다. 예컨대, PCB(122) 상의 인덕터(L102)의 배향은 방출되는 방사의 상기 레벨들을 제한하도록 선택되는 한편, 컴포넌트들의 효과적인 접지는 전기 노이즈를 감소시키도록 최적화된다. 효과적인 접지는, 예컨대, 특정 컴포넌트들과 PCB(122) 사이에 양호한 접촉 영역을 제공함으로써 달성될 수 있다.

특정 예들에서, 디바이스(100), 예컨대 디바이스(100)의 제어기(미도시)는 디바이스(100)의 다양한 기능들을 제어하기 위해, 급격하게 변화하는 전압 신호들을 출력하도록 구성된다. 예컨대, 특정 주파수들에서의 변화하는 전압 신호들은, 코일들(124, 126)을 포함하는 유도 가열 회로에 제어 기능들을 공급하기 위해 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 이러한 급격하게 변화하는 신호들은 필터링되어 특정 AC 주파수들을 제거할 수 있으며, 그에 의해, 예컨대, 코일들(124, 126)을 포함하는 유도 회로의 특정 양상을 제어하기 위한 특정 기준 전압을 제공하기 위해 주어진 주파수에서 실질적으로 일정한 신호를 제공할 수 있다. 예컨대, 일 예에서, 필터링된 20kHz 펄스파 변조 신호(pulse-wave modulated signal)는, 더 낮은 주파수, 이를테면 64Hz에서 실질적으로 일정한 기준 전압을 제공하기 위해, 적절한 필터링 컴포넌트들, 이를테면 커패시터들과 저항기들의 어레인지먼트에 의해 필터링될 수 있다. 이러한 기준 전압은 인덕터들(124, 126)을 동작시키기 위한 유도 회로의 양상들을 제어하는 데 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 디바이스는 더 낮은 주파수 신호에 임포징된(imposed) 더 높은 주파수, 예컨대 20kHz 신호의 일부를 남겨둠으로써, 방출되는 전자기 방사의 피크 레벨들을 제한하도록 구성된다. 특정 예들에서, 이러한 효과는, 이를테면 커패시터들 및 저항기들과 같은 필터링 컴포넌트들의 적절한 선택에 의해 달성될 수 있다. 이는, 더 넓은 대역폭에 걸쳐 신호의 에너지의 확산을 제공할 수 있고, 그에 따라, 더 높은 주파수 신호가 보다 완전하게 필터링된 경우보다 디바이스(100)로부터의 더 낮은 전자기 방출들을 제공할 수 있다.

위의 실시예들은 본 발명의 예시적인 예들로서 이해되어야 한다. 본 발명의 추가적 실시예들이 인식된다. 임의의 일 실시예와 관련하여 설명된 임의의 특징은 단독으로 또는 설명된 다른 특징들과 조합하여 사용될 수 있고, 또한 임의의 다른 실시예들의 하나 이상의 특징들 또는 임의의 다른 실시예들의 임의의 조합과 함께 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 전술되지 않은 균등물들 및 수정들이 또한 이용될 수 있다.

Claims

에어로졸 생성 디바이스로서,
에어로졸 생성 재료를 가열하여 에어로졸을 생성하도록 서셉터 어레인지먼트를 유도 가열하기 위한 가변 자기장을 발생시키도록 구성된 유도성 엘리먼트(inductive element)를 포함하는 유도 가열 회로를 포함하고,
상기 디바이스는, 동작 동안, 상기 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사(electromagnetic radiation)의 레벨이:
30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성되고,
상기 디바이스는 상기 유도성 엘리먼트를 둘러싸도록 구성된 자기 차폐 부재(magnetic shield member)를 포함하고, 상기 자기 차폐 부재는 상기 자기 차폐 부재 자체에 적어도 부분적으로 접합(bond)되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는, 동작 동안, 상기 디바이스의 동작으로 인해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만이도록 그리고 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는, 상기 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안 그리고/또는 상기 디바이스를 방전시키기 위한 동작 동안, 상기 디바이스의 동작으로 인해 방출되는 전자기 방사의 레벨이, 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스에 의해 방출되는 방사의 레벨은, 수직 평면 및 수평 평면 둘 모두에서 측정되는, 방출되는 방사의 레벨인,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨은, 방출되는 전자기 방사의 레벨들을 측정하기 위한 테스팅 셋업을 사용하여 측정되는 전자기 방사의 레벨이며, 선택적으로, 상기 디바이스에 의해 방출되는 방출 방사(emitted radiation)의 레벨은, 상기 디바이스에 의해 방출되는 방사의 피크(peak) 또는 준-피크(quasi-peak) 레벨들을 측정함으로써 결정되는 레벨인,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는 상기 서셉터 어레인지먼트를 포함하며, 그리고 동작 동안, 상기 에어로졸 생성 재료는, 상기 서셉터 어레인지먼트가 상기 에어로졸 생성 재료를 가열하게 배열되도록 상기 디바이스에 의해 수용되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는, 동작 동안, 담배 재료를 태우지 않고 가열하여 그로부터 에어로졸을 생성하도록 구성된 담배 가열 디바이스인,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는 휴대용(handheld) 디바이스인,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는, 동작 동안, 상기 서셉터 어레인지먼트에 의해 가열될 에어로졸 생성 재료를 수용하도록 구성된 리셉터클(receptacle)을 포함하고, 상기 유도성 엘리먼트는 상기 리셉터클 주위로 연장되는 인덕터 코일인,
에어로졸 생성 디바이스.
제9 항에 있어서,
상기 리셉터클은 상기 서셉터 어레인지먼트에 의해 정의되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스 외부의 전원으로부터의 상기 디바이스의 배터리의 충전을 제어하도록 구성된 충전 장치(charging apparatus)를 포함하고, 상기 충전 장치는, 상기 디바이스의 충전을 관리하도록 동작할 때, 상기 충전 장치의 동작으로 인해 상기 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 피크 레벨들이 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제11 항에 있어서,
상기 충전 장치는 충전 동안 스위칭 동작들을 수행하도록 구성되고, 상기 충전 장치는 상기 충전 장치의 스위칭 동작들 동안 전압의 변화율(rate of change)을 제한하기 위한 스너버 회로(snubber circuit)를 포함하는,
에어로졸 생성 디바이스.
제12 항에 있어서,
상기 충전 장치는:
상기 외부 전원에 연결되어 상기 외부 전원으로부터 상기 디바이스를 충전시키기 위한 전력을 수신(receive)하도록 구성된 입력 섹션;
출력 인덕터에 연결된 출력 섹션; 및
상기 입력 섹션과 상기 출력 섹션 사이에 연결되며, 상기 입력 섹션으로부터 전력을 수신하고 그리고 상기 출력 섹션에 공급되는 전류를 제어하도록 구성된 충전 관리 제어기를 포함하는,
에어로졸 생성 디바이스.
제13 항에 있어서,
상기 스너버 회로는 상기 충전 장치의 출력 섹션에 위치되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제13 항에 있어서,
상기 충전 장치의 입력 섹션은, 상기 충전 관리 제어기에 도달하는 고주파 신호들을 필터링하기 위한 입력 인덕터를 포함하는,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는, 에어로졸화 가능한 재료를 가열하기 위한 동작 동안, 30MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 상기 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 35dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는, 에어로졸화 가능한 재료를 가열하기 위한 동작 동안, 30MHz 내지 400MHz의 주파수 범위에 걸쳐 상기 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 20dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는, 상기 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안, 300MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 상기 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 37.5dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는, 상기 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안, 30MHz 내지 500MHz의 주파수 범위에 걸쳐 상기 디바이스에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 35dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 디바이스.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는, 동작 동안 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸친, 상기 디바이스에 대한 평균 방출 방사 레벨(average emitted radiation level)이 50dBμV/m 미만이도록, 그리고 동작 동안 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸친, 상기 디바이스에 대한 평균 방출 방사 레벨이 54dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 디바이스.
시스템으로서,
제1 항 내지 제20 항 중 어느 한 항에 따른 에어로졸 생성 디바이스, 및
상기 디바이스를 충전시키기 위해 외부 전원으로부터의 충전을 제공하기 위한 충전 케이블(charging cable)을 포함하며,
상기 시스템은, 상기 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안, 상기 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성되는,
시스템.
제21 항에 있어서,
상기 시스템은, 상기 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안, 300MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 상기 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 37.5dBμV/m 미만이도록 구성되는,
시스템.
제21 항에 있어서,
상기 시스템은, 상기 디바이스를 충전시키기 위한 동작 동안, 상기 디바이스의 동작으로 인해 상기 충전 케이블 상에 전도되는 전자기 방출(conducted electromagnetic emission)들의 레벨이:
150kHz 내지 500kHz의 주파수 범위에 걸쳐 66dBμV 미만; 및/또는
500kHz에서 56dBμV 미만; 및/또는
500kHz 내지 5MHz의 주파수 범위에 걸쳐 56dBμV 미만; 및/또는
5MHz 내지 30MHz의 주파수 범위에 걸쳐 60dBμV 미만이도록 구성되는,
시스템.
에어로졸 생성 시스템으로서,
제1 항 내지 제20 항 중 어느 한 항에 따른 에어로졸 생성 디바이스, 및
에어로졸화 가능한 재료를 보유하는 물품을 포함하며,
상기 시스템은, 상기 에어로졸화 가능한 재료로부터 에어로졸을 생성하기 위한 동작 동안, 상기 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 30MHz 내지 225MHz의 주파수 범위에 걸쳐 40dBμV/m 미만, 및/또는 235MHz 내지 1GHz의 주파수 범위에 걸쳐 47dBμV/m 미만, 및/또는 1GHz 내지 3GHz의 주파수 범위에 걸쳐 70dBμV/m 미만, 및/또는 3GHz 내지 6GHz의 주파수 범위에 걸쳐 74dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 시스템.
제24 항에 있어서,
상기 시스템은, 상기 에어로졸화 가능한 재료로부터 에어로졸을 생성하기 위한 동작 동안, 상기 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 30MHz 내지 500MHz의 주파수 범위에 걸쳐 35dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 시스템.
제25 항에 있어서,
상기 시스템은, 상기 에어로졸화 가능한 재료로부터 에어로졸을 생성하기 위한 동작 동안, 30MHz 내지 400MHz의 주파수 범위에 걸쳐 상기 시스템에 의해 방출되는 전자기 방사의 레벨이 20dBμV/m 미만이도록 구성되는,
에어로졸 생성 시스템.
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