KR102662236B1 - Die bonding apparatus and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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파스포드 테크놀로지 주식회사
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Abstract

본 개시의 과제는 재 픽업의 처리 시간을 저감시키는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다. 다이 본딩 장치는, 웨이퍼를 보유 지지하고 수평 방향으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대와, 웨이퍼로부터 다이를 픽업하는 헤드와, 웨이퍼 보유 지지대와 헤드를 제어하는 제어부를 구비한다. 제어부는, 헤드가 다이를 픽업하는 동작을 행한 후이며, 웨이퍼를 다음에 픽업할 예정의 다이 위치로 이동하는 도중 또는 이동 후에 있어서, 헤드의 다이 픽업 실패를 검출했을 때, 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 웨이퍼를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 픽업 실패한 다이를 픽업하는 동작을 행하도록 구성된다.The object of the present disclosure is to provide a technology capable of reducing the processing time for re-pickup. The die bonding device includes a wafer holding support that holds the wafer and moves in the horizontal direction, a head that picks up the die from the wafer, and a control unit that controls the wafer holding support and the head. After the head has performed an operation to pick up a die, when the control unit detects that the head has failed to pick up a die during or after moving the wafer to the next die location to be picked up, the control unit selects the die to be picked up. After picking up, the wafer is returned to the position of the die that failed to be picked up, and an operation is performed to pick up the die that failed to be picked up.

Description

다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{DIE BONDING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}Die bonding device and manufacturing method of semiconductor device {DIE BONDING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 개시는 다이 본딩 장치에 관한 것으로, 예를 들어 웨이퍼로부터 다이를 픽업하는 헤드의 이동과 웨이퍼의 이동을 병행하여 행하는 다이 본더에 적용 가능하다.The present disclosure relates to a die bonding device, and is applicable to, for example, a die bonder that moves the wafer in parallel with the movement of the head that picks up the die from the wafer.

반도체 칩(이하, '다이'라고 함)을 배선 기판이나 리드 프레임 등의 기판에 탑재하여 패키지를 조립하는 공정의 일부에, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 '웨이퍼'라고 함)로부터 다이를 분할하는 공정과, 분할한 다이를 기판 위에 본딩하는 공정이 있다. 본딩하는 공정에 사용되는 반도체 제조 장치가 다이 본더 등의 다이 본딩 장치이다. 다이 본딩 장치에서는, 픽업 헤드 또는 본딩 헤드에 의해 웨이퍼로부터 다이를 진공 흡착하고, 상승하고, 수평 이동하고, 하강하여, 중간 스테이지 또는 기판에 적재한다. 다이 본딩 장치에서는, 생산성의 향상을 위해서, 웨이퍼로부터 다이를 픽업하는 헤드의 이동과 웨이퍼의 이동을 병행하여 행하는 경우가 있다.As part of the process of assembling a package by mounting a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as a "die") on a substrate such as a wiring board or lead frame, the process of dividing the die from a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a "wafer") There is a process of bonding the divided die onto the substrate. The semiconductor manufacturing equipment used in the bonding process is a die bonding equipment such as a die bonder. In a die bonding device, a die is vacuum-sucked from a wafer by a pickup head or bonding head, raised, moved horizontally, and lowered, and placed on an intermediate stage or substrate. In a die bonding device, in order to improve productivity, the movement of the head that picks up the die from the wafer and the movement of the wafer are sometimes performed in parallel.

일본 특허 공개 제2017-50327호 공보Japanese Patent Publication No. 2017-50327

픽업 동작의 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에 있어서, 웨이퍼는 다음 다이의 픽업 위치로 이동하는 경우가 있다. 따라서, 픽업을 실패한 경우, 재 픽업(리트라이)을 위해서, 픽업 실패한 다이의 위치로 웨이퍼를 되돌릴 필요가 있다.In order to speed up the pickup operation, the wafer may be moved to the pickup position of the next die at a timing when the pickup operation is considered to be completed. Therefore, when pickup fails, it is necessary to return the wafer to the position of the die where pickup failed for re-pickup (retry).

본 개시의 과제는 재 픽업의 처리 시간을 저감시키는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다. 그 밖의 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 밝혀질 것이다.The object of the present disclosure is to provide a technology capable of reducing the processing time for re-pickup. Other problems and new features will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면 하기와 같다.A brief outline of representative examples of the present disclosure is as follows.

즉, 다이 본딩 장치는, 웨이퍼를 보유 지지하고 수평 방향으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대와, 상기 웨이퍼로부터 다이를 픽업하는 헤드와, 상기 웨이퍼 보유 지지대와 상기 헤드를 제어하는 제어부를 구비한다. 상기 제어부는, 상기 헤드가 상기 다이를 픽업하는 동작을 행한 후이며, 상기 웨이퍼를 다음에 픽업할 예정의 다이의 위치로 이동하는 도중 또는 이동 후에 있어서, 상기 헤드의 상기 다이의 픽업 실패를 검출했을 때, 상기 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 상기 웨이퍼를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 상기 픽업 실패한 다이를 픽업하는 동작을 행하도록 구성된다.That is, the die bonding device includes a wafer holding support that holds the wafer and moves in the horizontal direction, a head that picks up the die from the wafer, and a control unit that controls the wafer holding support and the head. The control unit detects failure of the head to pick up the die after the head has performed an operation to pick up the die and during or after moving the wafer to the position of the die scheduled to be picked up next. At this time, after picking up the die scheduled to be picked up, the wafer is returned to the position of the die that failed to be picked up, and an operation is performed to pick up the die that failed to be picked up.

본 개시에 의하면, 재 픽업의 처리 시간을 저감시킬 수 있다.According to the present disclosure, the processing time for re-pickup can be reduced.

도 1은 제1 실시 형태에 있어서의 다이 본더를 설명하는 개략 상면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제1 본딩부의 개략 측면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제2 본딩부의 개략 측면도이다.
도 5는 다이 공급부의 주요부를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시한 다이 본더에 의한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 비교예에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 8은 비교예에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 9는 비교예에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 10은 제1 실시 형태에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 11은 제1 실시 형태에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 12는 제1 실시 형태에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 13은 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제1 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.
도 14는 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제2 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.
도 15는 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제3 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.
도 16은 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제3 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.
도 17은 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본더의 제1 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.
도 18은 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본더의 제2 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.
도 19는 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본더를 설명하는 개략 상면도이다.
도 20은 도 19에 도시한 다이 본더에 있어서의 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 21은 비교예에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 22는 비교예에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 23은 비교예에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 24는 제3 실시 형태에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 25는 제3 실시 형태에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 26은 제3 실시 형태에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.
도 27은 도 19에 도시한 다이 본더에 있어서의 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.
도 28은 제4 실시 형태에 있어서의 다이 본더에 있어서의 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.1 is a schematic top view explaining a die bonder in a first embodiment.
FIG. 2 is a schematic front view of the vicinity of the die supply section in the die bonder shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a schematic side view of a first bonding portion in the die bonder shown in FIG. 1.
FIG. 4 is a schematic side view of a second bonding portion in the die bonder shown in FIG. 1.
Figure 5 is a schematic cross-sectional view showing main parts of the die supply section.
FIG. 6 is a flowchart showing a method of manufacturing a semiconductor device using the die bonder shown in FIG. 1.
Figure 7 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the comparative example.
Figure 8 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the comparative example.
Figure 9 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the comparative example.
Fig. 10 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the first embodiment.
Fig. 11 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the first embodiment.
Fig. 12 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the first embodiment.
FIG. 13 is a schematic top view explaining a first example of operation in the die bonder shown in FIG. 1.
FIG. 14 is a schematic top view illustrating a second example of operation in the die bonder shown in FIG. 1.
FIG. 15 is a schematic top view illustrating a third example of operation in the die bonder shown in FIG. 1.
FIG. 16 is a schematic top view illustrating a third example of operation in the die bonder shown in FIG. 1.
Fig. 17 is a schematic top view explaining a first example of operation of the die bonder in the second embodiment.
Fig. 18 is a schematic top view explaining a second operation example of the die bonder in the second embodiment.
Fig. 19 is a schematic top view explaining the die bonder in the third embodiment.
FIG. 20 is a schematic front view around the die supply section in the die bonder shown in FIG. 19.
Figure 21 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the comparative example.
Fig. 22 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the comparative example.
Figure 23 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the comparative example.
Fig. 24 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the third embodiment.
Fig. 25 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the third embodiment.
Fig. 26 is a schematic front view around the die supply unit for explaining the operation in the third embodiment.
FIG. 27 is a schematic top view explaining an example of operation in the die bonder shown in FIG. 19.
Fig. 28 is a schematic top view explaining an operation example of the die bonder in the fourth embodiment.

이하, 실시 형태 및 비교예에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여 반복되는 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해서, 실제의 양태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 표시되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이지, 본 개시의 해석을 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments and comparative examples will be described using the drawings. However, in the following description, the same components may be assigned the same symbols and repeated descriptions may be omitted. In addition, in order to make the explanation clearer, the drawings may schematically display the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual mode, but are only examples and do not limit the interpretation of the present disclosure. .

[제1 실시 형태][First Embodiment]

우선, 제1 실시 형태의 다이 본더의 구성에 대하여 도 1 내지 도 5를 이용하여 설명한다. 도 1은 제1 실시 형태에 있어서의 다이 본더의 개략 상면도이다. 도 2는 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다. 도 3은 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제1 본딩부의 개략 측면도이다. 도 4는 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제2 본딩부의 개략 측면도이다. 도 5는 다이 공급부의 주요부를 나타내는 개략 단면도이다.First, the structure of the die bonder of the first embodiment will be explained using FIGS. 1 to 5. 1 is a schematic top view of a die bonder in a first embodiment. FIG. 2 is a schematic front view of the vicinity of the die supply section in the die bonder shown in FIG. 1. FIG. 3 is a schematic side view of a first bonding portion in the die bonder shown in FIG. 1. FIG. 4 is a schematic side view of a second bonding portion in the die bonder shown in FIG. 1. Figure 5 is a schematic cross-sectional view showing main parts of the die supply section.

다이 본더(10)는, 크게 구별하여 다이 공급부(1)와, 제1 픽업부(2A) 및 제2 픽업부(2B)와, 제1 중간 스테이지부(3A) 및 제2 중간 스테이지부(3B)와, 제1 본딩부(4A) 및 제2 본딩부(4B)와, 제1 반송부(5a) 및 제2 반송부(5b)와, 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 제어부(8)를 갖는다. Y축 방향이 다이 본더(10)의 전후 방향이며, X축 방향이 좌우 방향이다. 다이 공급부(1)가 다이 본더(10)의 앞쪽(정면)측에 배치되고, 제1 본딩부(4A) 및 제2 본딩부(4B)가 안쪽에 배치된다.The die bonder 10 is roughly divided into a die supply unit 1, a first pickup unit 2A and a second pickup unit 2B, a first intermediate stage unit 3A, and a second intermediate stage unit 3B. ), the first bonding unit 4A and the second bonding unit 4B, the first transfer unit 5a and the second transfer unit 5b, and a control unit 8 that monitors and controls the operation of each unit. have The Y-axis direction is the front-back direction of the die bonder 10, and the X-axis direction is the left-right direction. The die supply unit 1 is disposed on the front (front) side of the die bonder 10, and the first bonding portion 4A and the second bonding portion 4B are disposed inside.

다이 공급부(1)는, 웨이퍼(11)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이 D를 밀어올리는 밀어올림 유닛(13)을 갖는다. 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 보유 지지대(12)는, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되고 복수의 다이 D가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평하게 위치 결정하는 지지 링(17)을 갖는다. 밀어올림 유닛(13)은 지지 링(17)의 내측에 배치된다. 제어부(8)는, 웨이퍼 보유 지지대(12)를 도시하지 않은 구동 수단에 의해 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동하고, 픽업하는 다이 D를 밀어올림 유닛(13)의 위치(픽업 위치)로 이동시킨다.The die supply unit 1 has a wafer holding support 12 that holds the wafer 11 and a pushing unit 13 that pushes the die D up from the wafer 11. As shown in FIG. 5, the wafer holding stand 12 includes an expand ring 15 that holds the wafer ring 14, a die held by the wafer ring 14 and a plurality of dies D bonded to each other. It has a support ring (17) for horizontally positioning the thinning tape (16). The pushing unit 13 is disposed inside the support ring 17. The control unit 8 moves the wafer holding support 12 in the I order it.

웨이퍼 보유 지지대(12)는, 다이 D를 밀어올릴 때, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 늘어나게 되어 다이 D의 간격이 넓어지고, 밀어올림 유닛(13)에 의해 다이 D 하방으로부터 다이 D를 밀어올려서, 다이 D의 픽업성을 향상시키고 있다. 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16)의 사이에 다이 어태치 필름(DAF)이라고 불리는 필름형의 접착 재료를 첩부하고 있다. DAF를 갖는 웨이퍼(11)에서는, 다이싱은, 웨이퍼(11)와 DAF에 대하여 행해진다. 여기서, 웨이퍼(11)는 복수의 다이 D로 분할되어 있으며, 다이 D가 후술하는 다이싱 테이프(16)에 의해 웨이퍼의 외형으로 보유 지지되고 있는 것이다. 따라서, 박리 공정에서는, 웨이퍼(11)와 DAF를 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다. 또한, 이후에서는, DAF를 생략해서 설명한다.When pushing up the die D, the wafer holding support 12 lowers the expand ring 15 holding the wafer ring 14. As a result, the dicing tape 16 held by the wafer ring 14 is stretched, the gap between die D is widened, and die D is pushed up from below die D by the push-up unit 13, Pickup performance is improved. A film-type adhesive material called die attach film (DAF) is attached between the wafer 11 and the dicing tape 16. In the wafer 11 having a DAF, dicing is performed on the wafer 11 and the DAF. Here, the wafer 11 is divided into a plurality of dies D, and the dies D are held in the outer shape of the wafer by a dicing tape 16, which will be described later. Therefore, in the peeling process, the wafer 11 and DAF are peeled from the dicing tape 16. In addition, in the following, DAF will be omitted and explained.

제1 픽업부(2A)는, 밀어올림 유닛(13)으로 밀어올린 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 제1 콜릿(22A)을 갖고, 다이 공급부(1)로부터 다이 D를 픽업하고, 제1 중간 스테이지부(3A)에 적재하는 제1 픽업 헤드(21A)를 갖는다. 또한, 제1 픽업부(2A)는, 제1 픽업 헤드(21A)를 승강, 회전 및 X축 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.The first pickup unit 2A has a first collet 22A that adsorbs and holds the die D pushed up by the pushing unit 13 at its tip, and picks up the die D from the die supply unit 1, and picks up the first collet 22A. It has a first pickup head 21A mounted on the intermediate stage portion 3A. Additionally, the first pickup unit 2A has each drive unit (not shown) that lifts, rotates, and moves the first pickup head 21A in the X-axis direction.

제2 픽업부(2B)는 제1 픽업부(2A)와 웨이퍼 인식 카메라(24)를 통과하는 Y축 방향의 가상선에 대하여 경면 대칭의 구조를 하고 있으며, 제2 픽업부(2B)의 각 구성 요소(제2 픽업 헤드(21B), 제2 콜릿(22B))는 제1 픽업부(2A)의 각 구성 요소(제1 픽업 헤드(21A), 제1 콜릿(22A))와 마찬가지의 구성이다. 웨이퍼(11) 내의 픽업 대상의 다이 D를 인식하는 웨이퍼 인식 카메라(24)는 제1 픽업부(2A)와 제2 픽업부(2B)에서 공용된다.The second pickup unit 2B has a mirror-symmetrical structure with respect to an imaginary line in the Y-axis direction passing through the first pickup unit 2A and the wafer recognition camera 24, and each of the second pickup units 2B The components (2nd pickup head 21B, 2nd collet 22B) have the same structure as each component (1st pickup head 21A, 1st collet 22A) of 1st pickup part 2A. am. The wafer recognition camera 24, which recognizes the pick-up target die D in the wafer 11, is shared by the first pickup unit 2A and the second pickup unit 2B.

제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는, 웨이퍼(11)로부터 다이 D를 교대로 픽업하고, X축 방향으로 이동하여, 제1 본딩 헤드(41A) 및 제2 본딩 헤드(41B)의 궤도의 교점의 각각에 마련된 제1 중간 스테이지(31A) 및 제2 중간 스테이지(31B)에 다이 D를 적재한다.The first pickup head 21A and the second pickup head 21B alternately pick up the die D from the wafer 11 and move in the X-axis direction to form the first bonding head 41A and the second bonding head ( Die D is placed on the first intermediate stage 31A and the second intermediate stage 31B provided at each intersection of the orbits of 41B).

제1 중간 스테이지부(3A)는, 다이 D를 일시적으로 적재하는 제1 중간 스테이지(31A)와, 제1 중간 스테이지(31A) 위의 다이 D를 인식하는 제1 스테이지 인식 카메라(34A)를 갖는다. 제2 중간 스테이지부(3B)는 제1 중간 스테이지부(3A)와 웨이퍼 인식 카메라(24)를 통과하는 Y축 방향의 가상선에 대하여 경면 대칭의 구조를 하고 있으며, 제2 중간 스테이지부(3B)의 각 구성 요소(제2 중간 스테이지(31B), 제2 스테이지 인식 카메라(34B))는 제1 중간 스테이지부(3A)의 각 구성 요소(제1 중간 스테이지(31A), 제1 스테이지 인식 카메라(34A))와 마찬가지의 구성이다.The first intermediate stage unit 3A has a first intermediate stage 31A for temporarily loading die D, and a first stage recognition camera 34A for recognizing die D on the first intermediate stage 31A. . The second intermediate stage unit 3B has a mirror-symmetrical structure with respect to an imaginary line in the Y-axis direction passing through the first intermediate stage unit 3A and the wafer recognition camera 24, and the second intermediate stage unit 3B ) each component (the second intermediate stage 31B, the second stage recognition camera 34B) is the respective component of the first intermediate stage 3A (the first intermediate stage 31A, the first stage recognition camera) (34A)) has the same configuration.

제1 본딩부(4A)는, 제1 픽업 헤드(21A)와 마찬가지의 구조를 갖고, 제1 중간 스테이지(31A)로부터 다이 D를 픽업하고, 제1 본딩 스테이지(45aA) 또는 제2 본딩 스테이지(45bA)로 반송되어 오는 기판 S에 본딩하고, 또는 이미 기판 S 위에 본딩된 다이의 위에 적층하는 형태로 본딩하는 제1 본딩 헤드(41A)와, 제1 본딩 헤드(41A)의 선단에 장착되고 다이 D를 흡착 보유 지지하는 제1 콜릿(42A)과, 기판 S의 위치 인식 마크(도시생략)를 촬상하고, 본딩해야 할 다이 D의 본딩 위치를 인식하는 제1 기판 인식 카메라(44A)를 갖는다. 또한, 제1 본딩부(4A)는, 제1 본딩 헤드(41A)를 승강, 회전 및 Y축 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.The first bonding section 4A has the same structure as the first pickup head 21A, picks up the die D from the first intermediate stage 31A, and operates the first bonding stage 45aA or the second bonding stage ( 45bA), a first bonding head (41A) for bonding to the substrate S that is conveyed, or for bonding in a form of stacking on top of a die already bonded on the substrate S, and a die that is mounted on the tip of the first bonding head (41A) It has a first collet 42A that adsorbs and holds D, and a first substrate recognition camera 44A that captures a position recognition mark (not shown) of the substrate S and recognizes the bonding position of the die D to be bonded. Additionally, the first bonding unit 4A has each driving unit (not shown) that lifts, rotates, and moves the first bonding head 41A in the Y-axis direction.

제2 본딩부(4B)는 제1 본딩부(4A)와 웨이퍼 인식 카메라(24)를 통과하는 Y축 방향의 가상선에 대하여 경면 대칭의 구조를 하고 있으며, 제2 본딩부(4B)의 각 구성 요소(제2 본딩 헤드(41B), 제2 콜릿(42B), 제2 기판 인식 카메라(44B), 제1 본딩 스테이지(45aB), 제2 본딩 스테이지(45bB))는 제1 본딩부(4A)의 각 구성 요소(제1 본딩 헤드(41A), 제1 콜릿(42A), 제1 기판 인식 카메라(44A), 제1 본딩 스테이지(45aA), 제2 본딩 스테이지(45bA))와 마찬가지의 구성이다.The second bonding portion 4B has a mirror-symmetrical structure with respect to an imaginary line in the Y-axis direction passing through the first bonding portion 4A and the wafer recognition camera 24, and each angle of the second bonding portion 4B Components (second bonding head 41B, second collet 42B, second substrate recognition camera 44B, first bonding stage 45aB, second bonding stage 45bB) include the first bonding portion 4A ) has the same configuration as each component (the first bonding head 41A, the first collet 42A, the first substrate recognition camera 44A, the first bonding stage 45aA, and the second bonding stage 45bA). am.

이와 같은 구성에 의해, 제1 본딩 헤드(41A)는, 제1 스테이지 인식 카메라(34A)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하고, 제1 중간 스테이지(31A)로부터 다이 D를 픽업하고, 제1 기판 인식 카메라(44A)의 촬상 데이터에 기초하여 기판 S의 패키지 에어리어 P에 다이 D를 본딩한다. 제2 본딩 헤드(41B)는, 제1 본딩 헤드(41A)와 마찬가지로, 기판 S에 다이 D를 본딩한다.With this configuration, the first bonding head 41A corrects the pickup position and posture based on the imaging data of the first stage recognition camera 34A, and picks up the die D from the first intermediate stage 31A. , die D is bonded to the package area P of the substrate S based on the imaging data of the first substrate recognition camera 44A. The second bonding head 41B, like the first bonding head 41A, bonds the die D to the substrate S.

제1 반송부(5a)는 기판 S가 이동하는 제1 반송 레인(52a)을 갖는다. 제2 반송부(5b)는 기판 S가 이동하는 제2 반송 레인(52b)을 갖는다. 제1 반송 레인(52a) 및 제2 반송 레인(52b)은 Y축 방향으로 배열하여 배치되고, 기판 S를 X축 방향으로 반송한다.The first transfer unit 5a has a first transfer lane 52a along which the substrate S moves. The second transfer unit 5b has a second transfer lane 52b along which the substrate S moves. The first transport lane 52a and the second transport lane 52b are arranged in the Y-axis direction and transport the substrate S in the X-axis direction.

이와 같은 구성에 의해, 기판 S는, 도시하지 않은 기판 공급부로부터 제1 반송 레인(52a) 및 제2 반송 레인(52b)을 따라 본딩 위치(실장 위치)까지 이동하고, 본딩 후, 도시하지 않은 기판 반출부까지 이동하여, 기판 반출부에 기판 S를 걸치거나, 기판 공급부까지 되돌아가서, 기판 공급부에 기판 S를 걸치기도 한다.With this configuration, the substrate S moves from the substrate supply unit (not shown) to the bonding position (mounting position) along the first transport lane 52a and the second transport lane 52b, and after bonding, the substrate (not shown) is moved to the bonding position (mounting position). It may move to the unloading section and place the substrate S on the substrate unloading section, or it may return to the substrate supply section and place the substrate S on the substrate supply section.

제어부(8)는, 다이 본더(10)의 상술한 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다.The control unit 8 includes a memory that stores a program (software) that monitors and controls the operation of each of the above-described parts of the die bonder 10, and a central processing unit (CPU) that executes the program stored in the memory.

다음으로, 제1 실시 형태에 있어서의 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 도 6을 이용하여 설명한다. 도 6은 도 1에 도시한 다이 본더에 의한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.Next, the manufacturing method of the semiconductor device using the die bonder in the first embodiment will be explained using FIG. 6. FIG. 6 is a flowchart showing a method of manufacturing a semiconductor device using the die bonder shown in FIG. 1.

(스텝 S11: 웨이퍼·기판 반입 공정)(Step S11: Wafer/substrate loading process)

웨이퍼(11)로부터 분할된 다이 D가 첩부된 다이싱 테이프(16)를 보유 지지한 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트(도시생략)에 저장하고, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어부(8)는 웨이퍼 링(14)이 충전된 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼 링(14)을 다이 공급부(1)에 공급한다. 또한, 기판 S를 준비하고, 다이 본더(10)의 기판 공급부에 반입한다.The wafer ring 14 holding the dicing tape 16 to which the die D divided from the wafer 11 is attached is stored in a wafer cassette (not shown) and loaded into the die bonder 10. The control unit 8 supplies the wafer ring 14 to the die supply unit 1 from the wafer cassette filled with the wafer ring 14. Additionally, a substrate S is prepared and loaded into the substrate supply section of the die bonder 10.

(스텝 S12: 픽업 공정)(Step S12: Pick-up process)

제어부(8)는, 밀어올림 유닛(13)에 의해 웨이퍼(11) 위의 픽업 대상의 다이 D를 아래에서부터 밀어올리고, 웨이퍼(11)의 이면에 부착되어 있는 다이싱 테이프(16)로부터 다이 D를 박리한다. 이것에 병행하여, 제어부(8)는, 제1 픽업 헤드(21A) 또는 제2 픽업 헤드(21B)를 픽업 대상의 다이 D의 바로 위까지 하강하고, 다이싱 테이프(16)로부터 박리된 다이 D를 제1 픽업 헤드(21A)의 제1 콜릿(22A) 또는 제2 픽업 헤드(21B)의 제2 콜릿(22B)에 의해 진공 흡착한다. 그리고, 제어부(8)는, 제1 픽업 헤드(21A) 또는 제2 픽업 헤드(21B)를 상승 동작, 평행 이동 동작, 및 하강 동작을 행하여 제1 중간 스테이지(31A) 또는 제2 중간 스테이지(31B)의 소정 개소에 다이 D를 적재한다. 이때, 제어부(8)는, 제1 중간 스테이지(31A) 또는 제2 중간 스테이지(31B)의 도시하지 않은 복수의 흡착 구멍에 의해 다이 D를 흡착하여, 픽업 헤드(21)로부터 이격시킨다. 이와 같이 하여, 다이싱 테이프(16)로부터 박리된 다이 D는, 제1 콜릿(22A) 또는 제2 콜릿(22B)에 흡착, 보유 지지되고, 제1 중간 스테이지(31A) 또는 제2 중간 스테이지(31B)로 반송되어 적재된다.The control unit 8 pushes up the die D to be picked up on the wafer 11 from below by the pushing unit 13, and lifts the die D from the dicing tape 16 attached to the back side of the wafer 11. Peel off. In parallel with this, the control unit 8 lowers the first pickup head 21A or the second pickup head 21B to just above the die D to be picked up, and the die D peeled from the dicing tape 16 is vacuum-sucked by the first collet 22A of the first pickup head 21A or the second collet 22B of the second pickup head 21B. Then, the control unit 8 performs an upward operation, a parallel movement operation, and a downward operation of the first pickup head 21A or the second pickup head 21B to raise the first intermediate stage 31A or the second intermediate stage 31B. ) Place die D at a predetermined location. At this time, the control unit 8 adsorbs the die D through a plurality of suction holes (not shown) in the first intermediate stage 31A or the second intermediate stage 31B and separates the die D from the pickup head 21. In this way, the die D peeled from the dicing tape 16 is adsorbed and held by the first collet 22A or the second collet 22B, and is connected to the first intermediate stage 31A or the second intermediate stage ( 31B) and loaded.

제어부(8)는, 제1 스테이지 인식 카메라(34A)에 의해 제1 중간 스테이지(31A) 위의 다이 D의 상면을 촬상하고, 다이 D의 위치 결정을 행함과 함께, 이물 또는 흠집 등의 이상 검사를 행한다. 제어부(8)는, 화상 처리에 의해, 다이 본더의 다이 위치 기준점으로부터의 제1 중간 스테이지(31A) 위의 다이 D의 어긋남양(X, Y, θ 방향)을 산출한다. 또한, 다이 위치 기준점은, 미리, 제1 중간 스테이지(31A)의 소정의 위치를 장치의 초기 설정으로서 유지하고 있다. 그리고, 제어부(8)는, 화상 처리에 의해, 다이 D의 상면의 이상 검사를 행한다.The control unit 8 captures an image of the upper surface of die D on the first intermediate stage 31A using the first stage recognition camera 34A, determines the position of die D, and inspects for abnormalities such as foreign matter or scratches. Do. The control unit 8 calculates the amount of deviation (in the X, Y, and θ directions) of the die D on the first intermediate stage 31A from the die position reference point of the die bonder through image processing. Additionally, the die position reference point holds in advance a predetermined position of the first intermediate stage 31A as the initial setting of the device. Then, the control unit 8 inspects the upper surface of die D for abnormalities through image processing.

제어부(8)는, 제2 스테이지 인식 카메라(34B)에 의해 제2 중간 스테이지(31B) 위의 다이 D의 상면을 촬상하고, 다이 D의 위치 결정을 행함과 함께, 이상 검사를 행한다. 제어부(8)는, 화상 처리에 의해, 다이 본더의 다이 위치 기준점으로부터의 제2 중간 스테이지(31B) 위의 다이 D의 어긋남양(X, Y, θ 방향)을 산출한다. 또한, 다이 위치 기준점은, 미리, 제2 중간 스테이지(31B)의 소정의 위치를 장치의 초기 설정으로서 유지하고 있다. 그리고, 제어부(8)는, 화상 처리에 의해, 다이 D의 상면의 이상 검사를 행한다.The control unit 8 captures an image of the upper surface of die D on the second intermediate stage 31B using the second stage recognition camera 34B, determines the position of die D, and inspects for abnormalities. The control unit 8 calculates the amount of deviation (in the X, Y, and θ directions) of the die D on the second intermediate stage 31B from the die position reference point of the die bonder through image processing. Additionally, the die position reference point holds in advance a predetermined position of the second intermediate stage 31B as the initial setting of the device. Then, the control unit 8 inspects the upper surface of die D for abnormalities through image processing.

그리고, 다이 D를 제1 중간 스테이지(31A) 또는 제2 중간 스테이지(31B)로 반송한 제1 픽업 헤드(21A) 또는 제2 픽업 헤드(21B)를 다이 공급부(1)로 되돌린다. 상기한 수순에 따라서, 다음의 다이 D가 다이싱 테이프(16)로부터 박리되고, 이후 마찬가지의 수순에 따라서 다이싱 테이프(16)로부터 1개씩 다이 D가 박리된다.Then, the first pickup head 21A or the second pickup head 21B, which transported the die D to the first intermediate stage 31A or the second intermediate stage 31B, is returned to the die supply unit 1. According to the above-mentioned procedure, the next die D is peeled from the dicing tape 16, and then the dies D are peeled one by one from the dicing tape 16 according to the same procedure.

(스텝 S13: 본딩 공정)(Step S13: Bonding process)

상술한 바와 같이, 제어부(8)는, 기판 공급부로부터 기판 S를 제1 본딩부(4A)로 반송한다. 또한, 제어부(8)는, 기판 공급부로부터 기판 S를 제2 본딩부(4B)로 반송한다. 그리고, 제어부(8)는, 제1 반송 레인(52a)측의 제1 본딩 스테이지(45aA) 위에 적재된 기판 S를 제1 기판 인식 카메라(44A)에 의해 촬상한다. 제어부(8)는, 화상 처리에 의해, 다이 본더의 기판 위치 기준점으로부터의 기판 S의 어긋남양(X, Y, θ 방향)을 산출하고 있다. 또한, 기판 위치 기준점은, 미리, 기판 체크부의 소정의 위치를 장치의 초기 설정으로서 유지하고 있다.As described above, the control unit 8 transports the substrate S from the substrate supply unit to the first bonding unit 4A. Additionally, the control unit 8 transports the substrate S from the substrate supply unit to the second bonding unit 4B. Then, the control unit 8 captures an image of the substrate S placed on the first bonding stage 45aA on the first conveyance lane 52a side using the first substrate recognition camera 44A. The control unit 8 calculates the amount of deviation (X, Y, θ directions) of the substrate S from the substrate position reference point of the die bonder through image processing. Additionally, the substrate position reference point holds in advance a predetermined position of the substrate check unit as the initial setting of the device.

제어부(8)는, 스텝 S12에 있어서 산출한 다이 D의 어긋남양으로부터 제1 본딩 헤드(41A)의 흡착 위치를 보정하여 다이 D를 제1 콜릿(42A)에 의해 흡착한다. 제1 중간 스테이지(31A)로부터 다이 D를 흡착한 제1 본딩 헤드(41A)를 상승, 평행 이동 및 하강을 행하여 제1 본딩 스테이지(45aA) 위의 기판 S의 소정 개소(기판 S 위 또는 이미 본딩한 다이 위)에 다이 D를 어태치한다.The control unit 8 corrects the adsorption position of the first bonding head 41A based on the amount of deviation of the die D calculated in step S12, and adsorbs the die D by the first collet 42A. From the first intermediate stage 31A, the first bonding head 41A, which adsorbs the die D, is raised, moved in parallel, and lowered to a predetermined position (on or already bonded to the substrate S) on the first bonding stage 45aA. Attach die D to (on one die).

제어부(8)는, 제2 반송 레인(52b)측의 제2 본딩 스테이지(45bB) 위에 적재된 기판 S를 제2 기판 인식 카메라(44B)에 의해 촬상한다. 제어부(8)는, 화상 처리에 의해, 다이 본더의 기판 위치 기준점으로부터의 기판 S의 어긋남양(X, Y, θ 방향)을 산출하고 있다. 또한, 기판 위치 기준점은, 미리, 기판 체크부의 소정의 위치를 장치의 초기 설정으로서 유지하고 있다.The control unit 8 captures an image of the substrate S placed on the second bonding stage 45bB on the second conveyance lane 52b side using the second substrate recognition camera 44B. The control unit 8 calculates the amount of deviation (X, Y, θ directions) of the substrate S from the substrate position reference point of the die bonder through image processing. Additionally, the substrate position reference point holds in advance a predetermined position of the substrate check unit as the initial setting of the device.

제어부(8)는, 스텝 S12에 있어서 산출한 다이 D의 어긋남양으로부터 제2 본딩 헤드(41B)의 흡착 위치를 보정하여 다이 D를 제2 콜릿(42B)에 의해 흡착한다. 제2 중간 스테이지(31B)로부터 다이 D를 흡착한 제2 본딩 헤드(41B)를 상승, 평행 이동 및 하강을 행하여 제2 본딩 스테이지(45bB) 위의 기판 S의 소정 개소(기판 S상 또는 이미 본딩한 다이 위)에 다이 D를 어태치한다.The control unit 8 corrects the suction position of the second bonding head 41B based on the amount of deviation of die D calculated in step S12, and adsorbs die D by the second collet 42B. The second bonding head 41B that adsorbs the die D from the second intermediate stage 31B is raised, moved in parallel, and lowered to a predetermined location on the substrate S (on the substrate S or already bonded) on the second bonding stage 45bB. Attach die D to (on one die).

(스텝 S14: 기판 반출 공정)(Step S14: Substrate unloading process)

상술한 바와 같이, 제어부(8)는 다이 D가 본딩된 기판 S를 기판 반출부로 반송한다. 다이 본더(10)의 기판 반출부로부터 기판 S를 반출한다.As described above, the control unit 8 transports the substrate S to which the die D is bonded to the substrate carrying unit. The substrate S is unloaded from the substrate unloading section of the die bonder 10.

상술한 바와 같이, 다이 D는, 기판 S 위에 실장되고, 다이 본더로부터 반출된다. 그 후, 와이어 본딩 공정에서 Au 와이어를 통해 기판 S의 전극과 전기적으로 접속된다. 예를 들어, 적층 본딩하는 경우에는, 계속해서, 다이 D가 실장된 기판 S가 다이 본더에 반입되어 기판 S 위에 실장된 다이 D의 위에 제2 단째의 다이 D가 적층되고, 다이 본더로부터 반출된 후, 와이어 본딩 공정에서 Au 와이어를 통해 기판 S의 전극과 전기적으로 접속된다. 제2 단째의 다이 D는, 전술한 방법으로 다이싱 테이프(16)로부터 박리된 후, 다이 본딩 공정으로 반송되어 다이 D의 위에 적층된다. 상기 공정이 소정 횟수 반복된 후, 기판 S를 몰드 공정으로 반송하고, 복수개의 다이 D와 Au 와이어를 몰드 수지(도시생략)로 밀봉함으로써, 적층 패키지가 완성된다.As described above, die D is mounted on substrate S and taken out from the die bonder. Afterwards, it is electrically connected to the electrode of the substrate S through an Au wire in a wire bonding process. For example, in the case of lamination bonding, the substrate S on which the die D is mounted is subsequently loaded into the die bonder, the second stage die D is stacked on the die D mounted on the substrate S, and the die D is carried out from the die bonder. Afterwards, in the wire bonding process, it is electrically connected to the electrode of the substrate S through the Au wire. The second stage die D is peeled from the dicing tape 16 by the above-described method, then transported to the die bonding process and laminated on the die D. After the above process is repeated a predetermined number of times, the substrate S is transported to the mold process, and the plurality of dies D and Au wires are sealed with mold resin (not shown), thereby completing the stacked package.

픽업 공정(스텝 S12)의 상세 동작에 대하여 이하 설명한다.The detailed operation of the pickup process (step S12) will be described below.

우선, 본 실시 형태에 있어서의 다이 본더를 보다 명확하게 하기 위해서, 픽업 헤드에 의해 웨이퍼 위의 다이를 픽업할 때의 문제점에 대하여 도 1, 도 2, 도 7 내지 도 9를 이용하여 설명한다. 도 7 내지 도 9는 비교예에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.First, in order to make the die bonder in this embodiment more clear, problems when picking up the die on the wafer by the pickup head will be explained using FIGS. 1, 2, and 7 to 9. 7 to 9 are schematic front views around the die supply unit for explaining the operation in the comparative example.

본 개시자들이 검토한 기술(비교예)에 있어서의 동작의 상세를 이하 설명한다.Details of the operation in the technology (comparative example) examined by the present inventors will be described below.

(스텝 S20)(Step S20)

우선, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(11)는 다이 D1의 픽업 위치(밀어올림 유닛(13)의 위치, 웨이퍼 인식 카메라(24)의 위치)로 이동한다. 그 후, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 다이 D1을 인식한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.First, as shown in FIGS. 1 and 2, the wafer 11 moves to the pickup position of die D1 (position of the pushing unit 13, position of the wafer recognition camera 24). Afterwards, the wafer recognition camera 24 recognizes die D1. Here, the first pickup head 21A and the second pickup head 21B are located in the waiting area.

(스텝 S21)(Step S21)

다음으로, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 픽업 헤드(21A)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동하고 픽업 동작을 개시한다. 여기서, 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.Next, as shown in (a) of FIG. 7, the first pickup head 21A moves to the pickup position of die D1 and starts the pickup operation. Here, the second pickup head 21B is located in the waiting area.

(스텝 S22)(Step S22)

그리고, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 픽업 헤드(21A)는 다이 D1을 픽업 후, 제1 중간 스테이지(31A)에 이동을 개시한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A)는 다이 D1의 픽업을 실패하고 있다. 픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D2의 픽업 위치로 이동한다. 그 후, 제어부(8)는 픽업 실패를 검출한다.And, as shown in (b) of FIG. 7, after picking up die D1, the first pickup head 21A starts moving to the first intermediate stage 31A. Here, the first pickup head 21A is failing to pick up die D1. In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D2 at a timing when the pickup operation is considered to be completed. Afterwards, the control unit 8 detects pickup failure.

(스텝 S23)(Step S23)

그리고, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(11)는 픽업 실패한 다이 D1의 픽업 위치로 이동한다(되돌아간다). 여기서, 제1 픽업 헤드(21A)는 대기 장소로 이동하고, 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.And, as shown in (c) of FIG. 7, the wafer 11 moves (returns) to the pickup position of the die D1 that failed to be picked up. Here, the first pickup head 21A moves to the waiting location, and the second pickup head 21B is located in the waiting location.

(스텝 S24)(Step S24)

다음으로, 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 픽업 실패한 다이 D1을 인식한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.Next, as shown in (a) of FIG. 8, the wafer recognition camera 24 recognizes the die D1 that failed to be picked up. Here, the first pickup head 21A and the second pickup head 21B are located in the waiting area.

(스텝 S25)(Step S25)

그리고, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 픽업 헤드(21A)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동하고 재 픽업 동작을 개시한다. 여기서, 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.Then, as shown in (b) of FIG. 8, the first pickup head 21A moves to the pickup position of die D1 and starts a re-pickup operation. Here, the second pickup head 21B is located in the waiting area.

(스텝 S26)(Step S26)

그리고, 도 8의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 픽업 헤드(21A)는 다이 D1을 픽업 후, 제1 중간 스테이지(31A)에 이동을 개시한다. 픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D2의 픽업 위치로 이동한다. 여기서, 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.And, as shown in (c) of FIG. 8, after picking up die D1, the first pickup head 21A starts moving to the first intermediate stage 31A. In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D2 at a timing when the pickup operation is considered to be completed. Here, the second pickup head 21B is located in the waiting area.

(스텝 S27)(Step S27)

다음으로, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 다음의 다이 D2를 인식한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.Next, as shown in (a) of FIG. 9, the wafer recognition camera 24 recognizes the next die D2. Here, the first pickup head 21A and the second pickup head 21B are located in the waiting area.

(스텝 S28)(Step S28)

그리고, 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 제2 픽업 헤드(21B)는 다이 D2의 픽업 위치로 이동하고 픽업 동작을 개시한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A)는 대기 장소에 위치한다.Then, as shown in (b) of FIG. 9, the second pickup head 21B moves to the pickup position of die D2 and starts the pickup operation. Here, the first pickup head 21A is located in the waiting area.

(스텝 S29)(Step S29)

그리고, 도 9의 (c)에 도시한 바와 같이, 제2 픽업 헤드(21B)는 다이 D2를 픽업 후, 제2 중간 스테이지(31B)에 이동을 개시한다. 픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D3의 픽업 위치로 이동한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A)는 대기 장소에 위치한다.And, as shown in Figure 9(c), the second pickup head 21B starts moving to the second intermediate stage 31B after picking up the die D2. In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D3 at a timing when the pickup operation is considered to be completed. Here, the first pickup head 21A is located in the waiting area.

픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D2의 픽업 위치로 이동하고 있기 때문에, 도 7의 (c)에 도시한 스텝 S23과 같이, 픽업 실패한 다이 D1의 위치로 웨이퍼(11)를 되돌릴 필요가 있다. 그리고, 재 픽업이 성공하였는지 여부에 관계없이, 또한 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D2의 픽업 위치로 이동하고, 픽업 실패가 계속되었을 때는 소정의 횟수, 이 동작을 반복한다.In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D2 at the timing when the pickup operation is considered to be completed, so as in step S23 shown in (c) of FIG. 7, the die that has failed to be picked up is It is necessary to return the wafer 11 to the position D1. Then, regardless of whether the re-pickup is successful, the wafer 11 moves to the next pick-up position of die D2, and when pick-up failure continues, this operation is repeated a predetermined number of times.

이와 같이, 다이 픽업에 실패한 후에 재 픽업을 행하는 리커버리 동작과 같은 불필요한 동작이 있다. 그 때문에 리커버리 동작이 발생한 경우, 웨이퍼 처리 시간이 증가한다. 여기서, 웨이퍼 처리 시간이란 웨이퍼 위의 모든 다이를 픽업하는 데 요하는 시간이다.In this way, there are unnecessary operations such as recovery operations that perform re-pickup after die pickup fails. Therefore, when a recovery operation occurs, wafer processing time increases. Here, wafer processing time is the time required to pick up all dies on the wafer.

제1 실시 형태에서는, 제1 픽업 헤드(21A) 또는 제2 픽업 헤드(21B) 중 어느 것이 픽업 실패를 했을 때, 실패를 한 픽업 헤드와는 상이한 다른 쪽의 픽업 헤드가 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 웨이퍼(11)를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 픽업 실패한 픽업 헤드로 재 픽업을 행한다. 제1 실시 형태에 있어서의 동작의 상세에 대하여 도 1, 도 2, 도 10 내지 도 12를 이용하여 설명한다. 도 10 내지 도 12는 제1 실시 형태에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.In the first embodiment, when either the first pickup head 21A or the second pickup head 21B fails to pick up, the other pickup head different from the pickup head that failed picks up the die scheduled to be picked up. After pickup, the wafer 11 is returned to the position of the die that failed to be picked up, and pickup is performed again with the pickup head that failed to be picked up. Details of the operation in the first embodiment will be explained using FIGS. 1, 2, and 10 to 12. 10 to 12 are schematic front views around the die supply unit for explaining the operation in the first embodiment.

(스텝 S30)(Step S30)

우선, 도 1 및 도 2에 도시한 스텝 S20과 마찬가지로, 웨이퍼(11)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동한다. 그 후, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 다이 D1을 인식한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.First, similar to step S20 shown in FIGS. 1 and 2, the wafer 11 moves to the pickup position of die D1. Afterwards, the wafer recognition camera 24 recognizes die D1. Here, the first pickup head 21A and the second pickup head 21B are located in the waiting area.

(스텝 S31)(Step S31)

다음으로, 도 10의 (a)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S21과 마찬가지로, 제1 픽업 헤드(21A)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동하고 픽업 동작을 개시한다. 여기서, 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.Next, as shown in FIG. 10(a), similarly to step S21 in the comparative example, the first pickup head 21A moves to the pickup position of die D1 and starts the pickup operation. Here, the second pickup head 21B is located in the waiting area.

(스텝 S32)(Step S32)

그리고, 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S22와 마찬가지로, 제1 픽업 헤드(21A)는 다이 D1을 픽업 후, 제1 중간 스테이지(31A)에 이동을 개시한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A)는 다이 D1의 픽업을 실패하고 있다. 픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D2의 픽업 위치로 이동한다. 그 후, 제어부(8)는 픽업 실패를 검출한다.And, as shown in FIG. 10(b), similarly to step S22 in the comparative example, the first pickup head 21A starts moving to the first intermediate stage 31A after picking up the die D1. . Here, the first pickup head 21A is failing to pick up die D1. In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D2 at a timing when the pickup operation is considered to be completed. Afterwards, the control unit 8 detects pickup failure.

(스텝 S33)(Step S33)

그리고, 도 10의 (c)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S27과 마찬가지로, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 다음의 다이 D2를 인식한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.And, as shown in FIG. 10(c), like step S27 in the comparative example, the wafer recognition camera 24 recognizes the next die D2. Here, the first pickup head 21A and the second pickup head 21B are located in the waiting area.

(스텝 S34)(Step S34)

다음으로, 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S28과 마찬가지로, 제2 픽업 헤드(21B)는 다이 D2의 픽업 위치로 이동하고 픽업 동작을 개시한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A)는 대기 장소에 위치한다.Next, as shown in FIG. 11(a), similarly to step S28 in the comparative example, the second pickup head 21B moves to the pickup position of die D2 and starts the pickup operation. Here, the first pickup head 21A is located in the waiting area.

(스텝 S35)(Step S35)

그리고, 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이, 제2 픽업 헤드(21B)는 다이 D2를 픽업 후, 제2 중간 스테이지(31B)에 이동을 개시한다. 이것에 병행하여, 웨이퍼(11)는 픽업 실패한 다이 D1의 픽업 위치로 이동한다(되돌아간다). 여기서, 제1 픽업 헤드(21A)는 대기 장소에 위치한다.And, as shown in FIG. 11(b), the second pickup head 21B starts moving to the second intermediate stage 31B after picking up the die D2. In parallel with this, the wafer 11 moves (returns) to the pickup position of the die D1 that failed to be picked up. Here, the first pickup head 21A is located in the waiting area.

(스텝 S36)(Step S36)

그리고, 도 11의 (c)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S24와 마찬가지로, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 픽업 실패한 다이 D1을 인식한다. 여기서, 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.And, as shown in FIG. 11(c), like step S24 in the comparative example, the wafer recognition camera 24 recognizes the die D1 that failed to be picked up. Here, the first pickup head 21A and the second pickup head 21B are located in the waiting area.

(스텝 S37)(Step S37)

다음으로, 도 12의 (a)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S25와 마찬가지로, 제1 픽업 헤드(21A)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동하고 재 픽업 동작을 개시한다. 여기서, 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다.Next, as shown in FIG. 12(a), like step S25 in the comparative example, the first pickup head 21A moves to the pickup position of die D1 and starts a re-pickup operation. Here, the second pickup head 21B is located in the waiting area.

(스텝 S38)(Step S38)

그리고, 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S26과 마찬가지로, 제1 픽업 헤드(21A)는 다이 D1을 픽업 후, 제1 중간 스테이지(31A)에 이동을 개시한다. 여기서, 제2 픽업 헤드(21B)는 대기 장소에 위치한다. 픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D3의 픽업 위치로 이동한다.And, as shown in FIG. 12(b), similarly to step S26 in the comparative example, the first pickup head 21A starts moving to the first intermediate stage 31A after picking up the die D1. . Here, the second pickup head 21B is located in the waiting area. In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D3 at a timing when the pickup operation is considered to be completed.

제1 실시 형태에서는, 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이 스텝 S35에 있어서, 제2 픽업 헤드(21B)의 이동과 병행하여, 웨이퍼(11)는 픽업 실패한 다이 D1의 픽업 위치로 이동할(되돌아갈) 수 있으므로, 리커버리 동작이 발생한 경우라도, 비교예보다도 웨이퍼 처리 시간을 단축할 수 있다.In the first embodiment, as shown in FIG. 11 (b), in step S35, in parallel with the movement of the second pickup head 21B, the wafer 11 is moved to the pickup position of the die D1 that failed to be picked up ( Since the wafer processing time can be shortened compared to the comparative example, even when a recovery operation occurs.

다음으로, 제1 실시 형태의 다이 본더의 몇몇 다른 동작예에 대하여 설명한다. 제어부(8)에 저장하는 제어 프로그램에 의해 다이 본더(10)의 동작이 규정된다. 픽업하는 웨이퍼 위의 다이에는 전기적 특성에 의해 복수의 등급으로 변별되어, 제어부(8)의 메모리 위에 기억되고, 복수의 등급을 갖는 다이를 복수의 기판에 등급마다 실장하는 등급 처리가 있다. 등급 처리에 있어서는, 웨이퍼(11)에 배치되어 있는 순서로 다이가 픽업되지 않는 경우가 있지만, 상술한 리커버리 동작을 행할 수 있다.Next, several other operational examples of the die bonder of the first embodiment will be described. The operation of the die bonder 10 is regulated by a control program stored in the control unit 8. The dies on the wafer to be picked up are classified into multiple grades based on their electrical characteristics and stored in the memory of the control unit 8, and there is a grading process in which dies with multiple grades are mounted on multiple substrates for each grade. In grading processing, there are cases where dies are not picked up in the order in which they are placed on the wafer 11, but the recovery operation described above can be performed.

(제1 동작예)(First operation example)

반송 레인별로 등급 분류 본딩하는 제1 동작예에 대하여 도 13을 이용하여 설명한다. 도 13은 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제1 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.A first operation example of grade classification bonding for each conveyance lane will be described using FIG. 13. FIG. 13 is a schematic top view explaining a first example of operation in the die bonder shown in FIG. 1.

제1 동작예에서는, 2개로 등급의 다이를 갖는 웨이퍼(11)로부터 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)에 의해 교대로 픽업하고, 제1 반송 레인(52a)에 의해 반송되는 제1 분류의 기판 S1에 제1 분류의 다이 Da를 본딩하고, 제2 반송 레인(52b)에 의해 반송되는 제2 분류의 기판 S2에 제2 분류의 다이 Db를 본딩한다. 수량이 적은 분류의 다이의 픽업이 완료될 때까지는, 제1 픽업 헤드(21A)는 제2 분류의 다이 Db만을 픽업하고, 제2 픽업 헤드(21B)는 제1 분류의 다이 Da만을 픽업한다.In the first operation example, from a wafer 11 having two classes of dies, the first class of dies Da and the second class of dies Db are alternated by the first pickup head 21A and the second pickup head 21B. and bonding the first class die Da to the first class substrate S1 conveyed by the first conveyance lane 52a, and to the second class substrate S2 conveyed by the second conveyance lane 52b. The die Db of the second category is bonded. Until the pickup of the dies of the small quantity category is completed, the first pickup head 21A picks up only the dies Db of the second category, and the second pickup head 21B picks up only the dies Da of the first category.

즉, 제1 픽업 헤드(21A)는 제2 분류의 다이 Db를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제1 중간 스테이지(31A)에 적재하고, 제1 본딩 헤드(41A)는 제1 중간 스테이지(31A)에 적재된 제2 분류의 다이 Db를 픽업하여 제1 본딩부(4A)의 제1 본딩 스테이지(45bA)에 있어서 제2 분류의 기판 S2에 적재한다. 제2 픽업 헤드(21B)는 제2 분류의 다이 Da를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제2 중간 스테이지(31B)에 적재하고, 제2 본딩 헤드(41B)는 제2 중간 스테이지(31B)에 적재된 제1 분류의 다이 Da를 픽업하여 제2 본딩부(4B)의 제1 본딩 스테이지(45aB)에 있어서 제1 분류의 기판 S1에 적재한다.That is, the first pickup head 21A picks up the die Db of the second class from the wafer 11 and loads it on the first intermediate stage 31A, and the first bonding head 41A operates on the first intermediate stage 31A. The die Db of the second category loaded is picked up and placed on the substrate S2 of the second category in the first bonding stage 45bA of the first bonding portion 4A. The second pickup head 21B picks up the second sort of die Da from the wafer 11 and places it on the second intermediate stage 31B, and the second bonding head 41B loads it on the second intermediate stage 31B. The die Da of the first class is picked up and placed on the substrate S1 of the first class in the first bonding stage 45aB of the second bonding portion 4B.

또한, 일반적으로, 등급이 높은 양품은 가장 수가 많고，등급이 떨어짐에 따라서 그 수는 급격하게 떨어진다. 여기서, 제1 분류의 다이 Da의 쪽이 제2 분류의 다이 Db보다 등급이 높다고 하면, 제1 분류의 다이 Da의 수는 제2 분류의 다이 Db보다 많다. 예를 들어, 제1 분류의 다이 Da는 90％ 정도인 데 비하여, 제2 분류의 다이 Db는 10％ 정도이다.Additionally, in general, high-grade good products are the most numerous, and their number drops rapidly as the grade decreases. Here, if the die Da of the first classification is of a higher grade than the die Db of the second classification, the number of dies Da of the first classification is greater than the die Db of the second classification. For example, the die Da of the first category is about 90%, while the die Db of the second category is about 10%.

제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db는 무작위로 위치하므로, 다음에 픽업하는 다이는 픽업한 다이와는 반드시 인접하지 않는다. 이 경우, 웨이퍼(11)의 이동량은 커지게 된다. 한쪽의 픽업 헤드가 픽업 실패를 했을 때는, 상술한 실시 형태의 동작과 마찬가지로, 다른 쪽의 픽업 헤드가 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 웨이퍼(11)를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 픽업 실패한 픽업 헤드로 재 픽업을 행한다.Since the first category die Da and the second category die Db are located randomly, the next picked up die is not necessarily adjacent to the picked up die. In this case, the amount of movement of the wafer 11 becomes large. When one pickup head fails to pick up, similarly to the operation of the above-described embodiment, the other pickup head picks up the die scheduled to be picked up, then returns the wafer 11 to the position of the die that failed to be picked up, and picks up the die. Perform re-pickup with the failed pickup head.

또한, 수량이 적은 분류의 픽업이 완료되고 나서는, 상술한 실시 형태의 동작과 마찬가지의 픽업 및 본딩 방법을 실시한다. 즉, 제1 픽업 헤드(21A)는 제1 분류의 다이 Da를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제1 중간 스테이지(31A)에 적재하고, 제1 본딩 헤드(41A)는 제1 중간 스테이지(31A)에 적재된 제1 분류의 다이 Da를 픽업하여 제1 본딩부(4A)의 제1 본딩 스테이지(45aA)에 있어서 제1 분류의 기판 S1에 적재한다. 제2 픽업 헤드(21B)는 제1 분류의 다이 Da를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제2 중간 스테이지(31B)에 적재하고, 제2 본딩 헤드(41B)는 제2 중간 스테이지(31B)에 적재된 제1 분류의 다이 Da를 픽업하여 제2 본딩부(4B)의 제2 본딩 스테이지(45bB)에 있어서 제1 분류의 기판 S1에 적재한다.Additionally, after the pickup of the small-quantity classification is completed, the pickup and bonding method similar to the operation of the above-described embodiment is performed. That is, the first pickup head 21A picks up the first class of dies Da from the wafer 11 and loads them on the first intermediate stage 31A, and the first bonding head 41A operates on the first intermediate stage 31A. The die Da of the first category loaded on is picked up and placed on the substrate S1 of the first category in the first bonding stage 45aA of the first bonding portion 4A. The second pickup head 21B picks up the first sort of die Da from the wafer 11 and places it on the second intermediate stage 31B, and the second bonding head 41B loads it on the second intermediate stage 31B. The die Da of the first class is picked up and placed on the substrate S1 of the first class in the second bonding stage 45bB of the second bonding portion 4B.

(제2 동작예)(Second operation example)

반송 레인별로 등급 분류 본딩을 행하고, 수량이 많은 등급의 반송 레인에 있어서 기판을 순차 이송 반송하는 제2 동작예에 대하여 도 14를 이용하여 설명한다. 도 14는 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제2 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.A second operation example in which grade bonding is performed for each transfer lane and substrates are sequentially transferred in transfer lanes with a large number of grades will be described using FIG. 14. FIG. 14 is a schematic top view illustrating a second example of operation in the die bonder shown in FIG. 1.

제2 동작예에서는, 2개로 등급의 다이를 갖는 웨이퍼(11)로부터 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)에 의해 교대로 픽업하고, 제1 반송 레인(52a)에 의해 반송되는 제1 분류의 기판 S1A, S1B에 제1 분류의 다이 Da를 본딩하고, 제2 반송 레인(52b)에 의해 반송되는 제2 분류의 기판 S2에 제2 분류의 다이 Db를 본딩한다. 제1 픽업 헤드(21A)는, 픽업하는 다이의 위치로 이동하는 거리가 적어지도록 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 픽업한다. 제2 픽업 헤드(21B)는 제1 분류의 다이 Da만을 픽업한다. 여기서, 예를 들어 수량이 많은 분류의 다이를 제1 분류의 다이 Da로 한다.In the second operation example, from the wafer 11 having two classes of dies, the first class die Da and the second class die Db are alternated by the first pickup head 21A and the second pickup head 21B. and bonding the first class of die Da to the first class of substrates S1A and S1B conveyed by the first conveyance lane 52a, and the second class of substrates conveyed by the second conveyance lane 52b. The die Db of the second category is bonded to S2. The first pickup head 21A picks up the first class of dies Da and the second class of dies Db so that the distance to move to the position of the die to be picked up is short. The second pickup head 21B picks up only the dies Da of the first category. Here, for example, the die classified with a large quantity is referred to as the die Da of the first classification.

즉, 제1 픽업 헤드(21A)는 제1 분류의 다이 Da를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제1 중간 스테이지(31A)에 적재하고, 제1 본딩 헤드(41A)는 제1 중간 스테이지(31A)에 적재된 제1 분류의 다이 Da를 픽업하여 제1 본딩부(4A)의 제1 본딩 스테이지(45aA)에 있어서 제1 분류의 기판 S1A에 적재한다. 또한, 제1 픽업 헤드(21A)는 제2 분류의 다이 Db를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제1 중간 스테이지(31A)에 적재하고, 제1 본딩 헤드(41A)는 제1 중간 스테이지(31A)에 적재된 제2 분류의 다이 Db를 픽업하여 제1 본딩부(4A)의 제2 본딩 스테이지(45bA)에 있어서 제2 분류의 기판 S2에 적재한다. 제2 픽업 헤드(21B)는 제1 분류의 다이 Da를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제2 중간 스테이지(31B)에 적재하고, 제2 본딩 헤드(41B)는 제2 중간 스테이지(31B)에 적재된 제1 분류의 다이 Da를 픽업하여 제2 본딩부(4B)의 제1 본딩 스테이지(45aB)에 있어서 반송되는 제1 분류의 기판 S1B에 적재한다.That is, the first pickup head 21A picks up the first class of dies Da from the wafer 11 and loads them on the first intermediate stage 31A, and the first bonding head 41A operates on the first intermediate stage 31A. The die Da of the first category loaded on is picked up and placed on the substrate S1A of the first category in the first bonding stage 45aA of the first bonding portion 4A. In addition, the first pick-up head 21A picks up the second class of die Db from the wafer 11 and places it on the first intermediate stage 31A, and the first bonding head 41A operates on the first intermediate stage 31A. The die Db of the second category loaded on is picked up and placed on the substrate S2 of the second category in the second bonding stage 45bA of the first bonding portion 4A. The second pickup head 21B picks up the first sort of die Da from the wafer 11 and places it on the second intermediate stage 31B, and the second bonding head 41B loads it on the second intermediate stage 31B. The die Da of the first class is picked up and placed on the substrate S1B of the first class transported on the first bonding stage 45aB of the second bonding section 4B.

제1 픽업 헤드(21A)는 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db의 위치가 가까운 개소의 다이를 픽업하지만, 그 위치는 무작위이므로, 다음에 픽업하는 다이는 픽업한 다이와 인접하는 경우는 희박하며, 웨이퍼(11)의 이동량은 크다. 한쪽의 픽업 헤드가 픽업 실패를 했을 때는, 실시 형태와 마찬가지로, 다른 쪽의 픽업 헤드가 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 웨이퍼 위치를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 픽업 실패한 픽업 헤드로 재 픽업을 행한다.The first pickup head 21A picks up dies where the positions of the first-class die Da and the second-class die Db are close to each other, but since the positions are random, the next die picked up is adjacent to the picked die. is sparse, and the amount of movement of the wafer 11 is large. When one pick-up head fails to pick up, as in the embodiment, the other pick-up head picks up the die scheduled to be picked up, then returns the wafer position to the position of the die that failed to pick up, and picks up again with the pick-up head that failed. Do.

제2 본딩 헤드(41B)에 의한 제1 분류의 다이 Da의 제2 본딩부(4B)의 제1 본딩 스테이지(45aB)에 있어서의 제1 분류의 기판 S1B에 대한 본딩이 종료된 경우, 그 제1 분류의 기판 S1B를 반출시킨 후, 제1 본딩부(4A)의 제1 본딩 스테이지(45aA)에 있어서의 제1 분류의 기판 S1A는 본딩이 전부 완료되지 않더라도, 그 제1 분류의 기판 S1A를 제2 본딩부(4B)의 제1 본딩 스테이지(45aB)의 본딩 위치로 이동시킨다. 이때, 제1 반송 레인(52a)에 있어서의 제1 분류의 기판 S1A의 이동 중에는, 제1 픽업 헤드(21A)와 제1 본딩 헤드(41A)는 선택적으로 제2 분류의 다이 Db의 처리를 계속한다. 이 시점에서 픽업 에러가 발생한 경우에는, 다음의 제2 분류의 다이 Db의 처리를 실시한 후, 제2 분류의 다이 Db의 리커버리 동작을 실행한다.When bonding of the die Da of the first class by the second bonding head 41B to the substrate S1B of the first class on the first bonding stage 45aB of the second bonding portion 4B is completed, After unloading the first category of substrate S1B, even if bonding of the first category of substrate S1A on the first bonding stage 45aA of the first bonding portion 4A is not completely completed, the first category of substrate S1A is It is moved to the bonding position of the first bonding stage 45aB of the second bonding portion 4B. At this time, while the first class substrate S1A is moving in the first transfer lane 52a, the first pickup head 21A and the first bonding head 41A selectively continue processing the second class die Db. do. If a pickup error occurs at this point, the following processing of the second-class die Db is performed, and then a recovery operation of the second-class die Db is performed.

(제3 동작예)(Third operation example)

반송 레인별로 등급 분류 본딩을 행하고, 양쪽 반송 레인에 있어서 기판을 순차 이송 반송하는 제3 동작예의 동작에 대하여 도 15 및 도 16을 이용하여 설명한다. 도 15 및 도 16은 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 제3 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.The operation of the third operation example in which graded bonding is performed for each conveyance lane and substrates are sequentially transferred in both conveyance lanes will be described using FIGS. 15 and 16. 15 and 16 are schematic top views illustrating a third operation example of the die bonder shown in FIG. 1.

제3 동작예에서는, 2개로 등급의 다이를 갖는 웨이퍼(11)로부터 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)에 의해 교대로 픽업하고, 제1 반송 레인(52a)에 의해 반송되는 제1 분류의 기판 S1A 및 기판 S1B에 제1 분류의 다이 Da를 본딩하고, 제2 반송 레인(52b)에 의해 반송되는 제2 분류의 기판 S2A 및 기판 S2B에 제2 분류의 다이 Db를 본딩한다. 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는, 픽업하는 다이의 위치로 이동하는 거리가 적어지도록 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 픽업한다. 여기서, 예를 들어 수량이 많은 분류의 다이를 제1 분류의 다이 Da로 한다.In the third operation example, from the wafer 11 having two grades of die, the first grade Da and the second grade die Db are alternated by the first pick-up head 21A and the second pick-up head 21B. and bonding the first class of dies Da to the first class of substrates S1A and S1B conveyed by the first conveyance lane 52a, and the second class of dies Da conveyed by the second conveyance lane 52b. A second type of die Db is bonded to the substrate S2A and the substrate S2B. The first pickup head 21A and the second pickup head 21B pick up the first class of dies Da and the second class of dies Db so that the distance traveled to the position of the die to be picked up is short. Here, for example, the die classified with a large quantity is referred to as the die Da of the first classification.

즉, 제1 픽업 헤드(21A)는 제1 분류의 다이 Da를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제1 중간 스테이지(31A)에 적재하고, 제1 본딩 헤드(41A)는 제1 중간 스테이지(31A)에 적재된 제1 분류의 다이 Da를 픽업하여 제1 본딩부(4A)의 제1 본딩 스테이지(45aA)에 있어서 제1 분류의 기판 S1A에 적재한다. 또한, 제1 픽업 헤드(21A)는 제2 분류의 다이 Db를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제1 중간 스테이지(31A)에 적재하고, 제1 본딩 헤드(41A)는 제1 중간 스테이지(31A)에 적재된 제2 분류의 다이 Db를 픽업하여 제1 본딩부(4A)의 제2 본딩 스테이지(45bA)에 있어서 제2 분류의 기판 S2A에 적재한다.That is, the first pickup head 21A picks up the first class of dies Da from the wafer 11 and loads them on the first intermediate stage 31A, and the first bonding head 41A operates on the first intermediate stage 31A. The die Da of the first category loaded on is picked up and placed on the substrate S1A of the first category in the first bonding stage 45aA of the first bonding portion 4A. In addition, the first pick-up head 21A picks up the second class of die Db from the wafer 11 and places it on the first intermediate stage 31A, and the first bonding head 41A operates on the first intermediate stage 31A. The die Db of the second category loaded is picked up and placed on the substrate S2A of the second category in the second bonding stage 45bA of the first bonding portion 4A.

그리고, 제2 픽업 헤드(21B)는 제1 분류의 다이 Da를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제2 중간 스테이지(31B)에 적재하고, 제2 본딩 헤드(41B)는 제2 중간 스테이지(31B)에 적재된 제1 분류의 다이 Da를 픽업하여 제2 본딩부(4B)의 제1 본딩 스테이지(45aB)에 있어서 반송되는 제1 분류의 기판 S1B에 적재한다. 또한, 제2 픽업 헤드(21B)는 제2 분류의 다이 Db를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제2 중간 스테이지(31B)에 적재하고, 제2 본딩 헤드(41B)는 제2 중간 스테이지(31B)에 적재된 제2 분류의 다이 Db를 픽업하여 제2 본딩부(4B)의 제2 본딩 스테이지(45bB)에 있어서 반송되는 제2 분류의 기판 S2B에 적재한다.Then, the second pickup head 21B picks up the dies Da of the first class from the wafer 11 and places them on the second intermediate stage 31B, and the second bonding head 41B performs the second intermediate stage 31B. The dies Da of the first class loaded on are picked up and placed on the substrate S1B of the first class transported on the first bonding stage 45aB of the second bonding section 4B. In addition, the second pick-up head 21B picks up the second class of die Db from the wafer 11 and loads it on the second intermediate stage 31B, and the second bonding head 41B performs the second intermediate stage 31B. The die Db of the second category loaded is picked up and placed on the substrate S2B of the second category transported on the second bonding stage 45bB of the second bonding portion 4B.

제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db의 위치가 가까운 개소의 다이를 픽업하지만, 그 위치는 무작위이므로, 다음에 픽업하는 다이는 픽업한 다이와 인접하는 경우는 희박하며, 웨이퍼(11)의 이동량은 크다. 한쪽의 픽업 헤드가 픽업 실패를 했을 때는, 실시 형태와 마찬가지로, 다른 쪽의 픽업 헤드가 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 웨이퍼 위치를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 픽업 실패한 픽업 헤드로 재 픽업 동작을 행한다.The first pick-up head 21A and the second pick-up head 21B pick up dies where the positions of the first-class die Da and the second-class die Db are close, but the positions are random, so the next pick-up head 21B The die is rarely adjacent to the picked die, and the amount of movement of the wafer 11 is large. When one pick-up head fails to pick up, as in the embodiment, the other pick-up head picks up the die scheduled to be picked up, then returns the wafer position to the position of the die that failed to pick up, and picks up again with the pick-up head that failed. perform the action

또한, 제1 반송 레인(52a) 및 제2 반송 레인(52b) 모두, 제2 본딩 헤드(41B)측의 제1 분류의 기판 S1B 또는 제2 분류의 기판 S2B의 본딩이 종료된 경우, 그 제1 분류의 기판 S1B 또는 제2 분류의 기판 S2B를 반출시킨 후, 제1 본딩 헤드(41A)측의 제1 분류의 기판 S1A 또는 제2 분류의 기판 S2A는 본딩이 전부 완료되지 않더라도, 그 제1 분류의 기판 S1A 또는 제2 분류의 기판 S2A를 제2 본딩 헤드(41B)의 본딩 위치로 이동시킨다.Additionally, in both the first transfer lane 52a and the second transfer lane 52b, when bonding of the first class substrate S1B or the second class substrate S2B on the second bonding head 41B side is completed, the first class substrate S1B or the second class substrate S2B is completed. After the first classification substrate S1B or the second classification substrate S2B is unloaded, the first classification substrate S1A or the second classification substrate S2A on the side of the first bonding head 41A is bonded to the first classification even if bonding is not fully completed. The substrate S1A of the class or the substrate S2A of the second class is moved to the bonding position of the second bonding head 41B.

이때, 제1 반송 레인(52a)의 제1 분류의 기판 S1A의 이동 중에는, 제1 픽업 헤드(21A)와 제1 본딩 헤드(41A)는 선택적으로 제2 분류의 다이 Db의 처리를 계속한다. 이 시점에서 픽업 에러가 발생한 경우에는, 다음의 제2 분류의 다이 Db의 처리를 실시한 후, 제2 분류의 다이 Db의 리커버리 동작을 실행한다.At this time, while the first class substrate S1A is moving in the first conveyance lane 52a, the first pickup head 21A and the first bonding head 41A selectively continue processing the second class die Db. If a pickup error occurs at this point, the following processing of the second-class die Db is performed, and then a recovery operation of the second-class die Db is performed.

또한, 제2 반송 레인(52b)의 제2 분류의 기판 S2A의 이동 중에는, 제1 픽업 헤드(21A)와 제1 본딩 헤드(41A)는 선택적으로 제1 분류의 다이 Da의 처리를 계속한다. 이 시점에서 에러가 발생한 경우에는, 다음의 제1 분류의 다이 Da의 처리를 실시한 후, 제1 분류의 다이 Da의 리커버리 동작을 실행한다.Additionally, while the second class of substrate S2A is moving in the second conveyance lane 52b, the first pickup head 21A and the first bonding head 41A selectively continue processing the first class of dies Da. If an error occurs at this point, the following processing is performed on the die Da of the first category, and then a recovery operation is performed on the die Da of the first category.

[제2 실시 형태][Second Embodiment]

제1 실시 형태에 있어서의 다이 본더는 2개의 제1 반송부(5a)(제1 반송 레인(52a)) 및 제2 반송부(5b)(제2 반송 레인(52b))를 구비하고 있지만, 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본더(10)는, 1개의 반송부(5)(반송 레인(52))만을 구비하고 있다. 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본더(10)의 다른 구성 및 그 동작은 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 또한, 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법도 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 또한, 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본더(10)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 등급 처리도 실시 가능하며, 그 동작예에 대하여 이하 설명한다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 등급 처리 이외의 처리도 가능한 것은 물론이다.The die bonder in the first embodiment is provided with two first conveyance sections 5a (first conveyance lane 52a) and two second conveyance sections 5b (second conveyance lane 52b). The die bonder 10 in the second embodiment has only one transfer section 5 (transfer lane 52). Other configurations and operations of the die bonder 10 in the second embodiment are the same as those in the first embodiment. Additionally, the method of manufacturing a semiconductor device using a die bonder in the second embodiment is the same as that in the first embodiment. In addition, the die bonder 10 in the second embodiment can also perform grading processing as in the first embodiment, and an example of its operation will be described below. Additionally, as in the first embodiment, it goes without saying that processing other than grading processing is also possible.

(제1 동작예)(First operation example)

제2 실시 형태에 있어서의 다이 본더에 있어서 본드 포인트마다 등급 분류 본딩하고, 기판을 순차 이송 반송하는 제1 동작예에 대하여 도 17을 이용하여 설명한다. 도 17은 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본더의 제1 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.In the die bonder in the second embodiment, a first operation example in which graded bonding is performed at each bond point and substrates are sequentially transferred is explained using FIG. 17. Fig. 17 is a schematic top view explaining a first example of operation of the die bonder in the second embodiment.

제1 동작예에서는, 2개로 등급의 다이를 갖는 웨이퍼(11)로부터 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)에 의해 교대로 픽업하고, 제1 본딩부(4A)의 본딩 스테이지(45A)에 있어서 기판 SA의 지정 위치에 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 본딩하고, 제2 본딩부(4B)의 본딩 스테이지(45B)에 있어서 기판 SB의 지정 위치에 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 본딩한다. 여기서, 기판 SA, SB 내의 지정 위치는 호스트 컴퓨터로부터의 지정에 의해 지정된다. 그 지정된 기판의 본딩순에 기초하여 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는, 지정 등급의 픽업을 행한다.In the first operation example, from a wafer 11 having two classes of dies, the first class of dies Da and the second class of dies Db are alternated by the first pickup head 21A and the second pickup head 21B. , and bond the first class die Da and the second class die Db to a designated position on the substrate SA on the bonding stage 45A of the first bonding section 4A, and On the bonding stage 45B, the first-class die Da and the second-class die Db are bonded to a designated position on the substrate SB. Here, the designated positions within the boards SA and SB are designated by designation from the host computer. Based on the bonding order of the designated substrate, the first pickup head 21A and the second pickup head 21B perform pickup of the designated grade.

즉, 제1 픽업 헤드(21A)는 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제1 중간 스테이지(31A)에 적재하고, 제1 본딩 헤드(41A)는 제1 중간 스테이지(31A)에 적재된 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 픽업하여 제1 본딩부(4A)의 본딩 스테이지(45A)에 있어서 기판 SA에 적재한다. 제2 픽업 헤드(21B)는 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제2 중간 스테이지(31B)에 적재하고, 제2 본딩 헤드(41B)는 제2 중간 스테이지(31B)에 적재된 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 픽업하여 제2 본딩부(4B)의 본딩 스테이지(45B)에 있어서 반송되는 기판 SB에 적재한다.That is, the first pickup head 21A picks up the first classification die Da and the second classification die Db from the wafer 11 and places them on the first intermediate stage 31A, and the first bonding head 41A The first class dies Da and the second class dies Db loaded on the first intermediate stage 31A are picked up and placed on the substrate SA on the bonding stage 45A of the first bonding portion 4A. The second pick-up head 21B picks up the first-class die Da and the second-class die Db from the wafer 11 and places them on the second intermediate stage 31B, and the second bonding head 41B picks up the first class die Da and the second class die Db. The first class of dies Da and the second class of dies Db loaded on the intermediate stage 31B are picked up and placed on the substrate SB conveyed on the bonding stage 45B of the second bonding section 4B.

제1 픽업 헤드(21A) 또는 제2 픽업 헤드(21B) 중 어느 것이 픽업 실패를 했을 때, 실시 형태와 마찬가지로, 실패를 한 픽업 헤드와 다른 픽업 헤드가 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 웨이퍼(11)를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 픽업 실패한 픽업 헤드로 재 픽업을 행한다.When either the first pickup head 21A or the second pickup head 21B fails to pick up, as in the embodiment, after the pickup head that failed and the other pickup head pick up the die scheduled to be picked up, the wafer (11) is returned to the position of the die that failed to be picked up, and pickup is performed again with the pickup head that failed to be picked up.

또한, 제2 본딩부(4B)의 본딩 스테이지(45B)측의 기판 SB의 본딩이 종료된 경우, 그 기판 S1B를 반출시킨 후, 제1 본딩부(4A)의 본딩 스테이지(45A)측의 기판 SA는 본딩이 모두 완료되지 않더라도, 그 기판 SA를 제2 본딩부(4B)의 본딩 스테이지(45B)의 본딩 위치로 이동시킨다.Additionally, when bonding of the substrate SB on the bonding stage 45B side of the second bonding portion 4B is completed, after the substrate S1B is unloaded, the substrate on the bonding stage 45A side of the first bonding portion 4A is Even if the bonding of SA is not completely completed, the substrate SA is moved to the bonding position of the bonding stage 45B of the second bonding portion 4B.

(제2 동작예)(Second operation example)

제2 실시 형태에 있어서의 다이 본더에 있어서 본드 포인트마다 등급 분류 본딩하고, 기판을 되돌리고 반송하는 제2 동작예에 대하여 도 18을 이용하여 설명한다. 도 18은 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본더의 제2 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.A second example of operation in which the die bonder in the second embodiment performs graded bonding at each bond point and returns and transports the substrate will be described using FIG. 18. Fig. 18 is a schematic top view explaining a second operation example of the die bonder in the second embodiment.

제2 동작예에서는, 2개로 등급의 다이를 갖는 웨이퍼(11)로부터 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)에 의해 교대로 픽업하고, 제1 본딩부(4A)의 본딩 스테이지(45A)에 있어서 기판 SA의 지정 위치에 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 본딩하고, 제2 본딩부(4B)의 본딩 스테이지(45B)에 있어서 기판 SB의 지정 위치에 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 본딩한다. 여기서, 기판 SA, SB 내의 지정 위치는 호스트 컴퓨터로부터의 지정에 의해 지정된다. 그 지정된 기판의 본딩순에 기초하여 제1 픽업 헤드(21A) 및 제2 픽업 헤드(21B)는, 지정 등급의 픽업을 행한다.In the second operation example, from the wafer 11 having two classes of dies, the first class die Da and the second class die Db are alternated by the first pickup head 21A and the second pickup head 21B. , and bond the first class die Da and the second class die Db to a designated position on the substrate SA on the bonding stage 45A of the first bonding section 4A, and On the bonding stage 45B, the first type die Da and the second type die Db are bonded to a designated position on the substrate SB. Here, the designated positions within the boards SA and SB are designated by designation from the host computer. Based on the bonding order of the designated substrate, the first pickup head 21A and the second pickup head 21B perform pickup of the designated grade.

즉, 제1 픽업 헤드(21A)는 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제1 중간 스테이지(31A)에 적재하고, 제1 본딩 헤드(41A)는 제1 중간 스테이지(31A)에 적재된 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 픽업하여 제1 본딩부(4A)의 본딩 스테이지(45A)에 있어서 기판 SA에 적재한다. 제2 픽업 헤드(21B)는 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 제2 중간 스테이지(31B)에 적재하고, 제2 본딩 헤드(41B)는 제2 중간 스테이지(31B)에 적재된 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 픽업하여 제2 본딩부(4B)의 본딩 스테이지(45B)에 있어서 반송되는 기판 SB에 적재한다.That is, the first pickup head 21A picks up the first classification die Da and the second classification die Db from the wafer 11 and places them on the first intermediate stage 31A, and the first bonding head 41A The first class dies Da and the second class dies Db loaded on the first intermediate stage 31A are picked up and placed on the substrate SA on the bonding stage 45A of the first bonding portion 4A. The second pick-up head 21B picks up the first-class die Da and the second-class die Db from the wafer 11 and places them on the second intermediate stage 31B, and the second bonding head 41B picks up the first class die Da and the second class die Db. The first class of dies Da and the second class of dies Db loaded on the intermediate stage 31B are picked up and placed on the substrate SB conveyed on the bonding stage 45B of the second bonding section 4B.

제1 픽업 헤드(21A) 또는 제2 픽업 헤드(21B) 중 어느 것이 픽업 실패를 했을 때, 실시 형태와 마찬가지로, 실패를 한 픽업 헤드와 다른 픽업 헤드가 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 웨이퍼(11)를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 픽업 실패한 픽업 헤드로 재 픽업 동작을 행한다.When either the first pickup head 21A or the second pickup head 21B fails to pick up, as in the embodiment, after the pickup head that failed and the other pickup head pick up the die scheduled to be picked up, the wafer (11) is returned to the position of the die that failed to be picked up, and a pick-up operation is performed again with the pick-up head that failed to be picked up.

또한, 제2 본딩부(4B)의 본딩 스테이지(45B)측의 기판 SB의 본딩이 종료된 경우, 그 기판 SB를 기판 반출부로 반송하여 반출시킨다. 그리고, 제1 본딩부(4A)의 본딩 스테이지(45A)측의 기판 SA의 본딩이 종료된 경우, 그 기판 SA를 기판 공급부로 되돌리는 반송을 하여 반출시킨다.Additionally, when bonding of the substrate SB on the bonding stage 45B side of the second bonding section 4B is completed, the substrate SB is transported to the substrate carrying section and unloaded. Then, when bonding of the substrate SA on the bonding stage 45A side of the first bonding section 4A is completed, the substrate SA is transported back to the substrate supply section and unloaded.

[제3 실시 형태][Third Embodiment]

우선, 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본더의 구성에 대하여 도 19 및 도 20을 이용하여 설명한다. 도 19는 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본더의 개략 상면도이다. 도 20은 도 19에 도시한 다이 본더에 있어서의 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.First, the structure of the die bonder in the third embodiment will be explained using FIGS. 19 and 20. Fig. 19 is a schematic top view of a die bonder in the third embodiment. FIG. 20 is a schematic front view around the die supply section in the die bonder shown in FIG. 19.

제3 실시 형태에 있어서의 다이 본더(10)는, 크게 구별하여, 다이 공급부(1)와, 픽업부(2)와, 중간 스테이지부(3)와, 본딩부(4)와, 반송부(5)와, 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 제어부(8)를 갖는다. 즉, 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본더(10)는, 실시 형태에 있어서의 제1 픽업부(2A), 제1 중간 스테이지부(3A), 제1 본딩부(4A) 및 제1 반송부(5a)와 마찬가지의 것을 구비하고 있으며, 그 동작은 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 또한, 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법도 제1 실시 형태와 마찬가지이다.The die bonder 10 in the third embodiment is roughly divided into a die supply unit 1, a pickup unit 2, an intermediate stage unit 3, a bonding unit 4, and a transfer unit ( 5) and a control unit 8 that monitors and controls the operation of each unit. That is, the die bonder 10 in the third embodiment includes the first pickup section 2A, the first intermediate stage section 3A, the first bonding section 4A, and the first transport section in the embodiment. It has the same thing as (5a), and its operation is the same as in the first embodiment. Additionally, the method of manufacturing a semiconductor device using a die bonder in the third embodiment is the same as that in the first embodiment.

제3 실시 형태에 있어서의 픽업 공정(스텝 S12)의 상세에 대하여 이하 설명한다.Details of the pickup process (step S12) in the third embodiment will be described below.

우선, 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본더를 보다 명확하게 하기 위해서, 픽업 헤드에 의해 웨이퍼 위의 다이를 픽업할 때의 문제점에 대하여 도 19 내지 도 23을 이용하여 설명한다. 도 21 내지 도 23은 비교예에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.First, in order to make the die bonder in the third embodiment more clear, problems when picking up the die on the wafer by the pickup head will be explained using FIGS. 19 to 23. 21 to 23 are schematic front views of the vicinity of the die supply unit for explaining the operation in the comparative example.

제1 실시 형태에서는 2개의 픽업 헤드에 의해 교대로 웨이퍼 위의 다이를 픽업하는 경우의 문제점에 대하여 설명하였지만, 1개의 픽업 헤드로부터 웨이퍼 위의 다이를 픽업하는 경우도 마찬가지의 문제가 있다.In the first embodiment, the problem in the case of alternately picking up the die on the wafer by two pickup heads was explained, but the same problem also exists in the case of picking up the die on the wafer with one pickup head.

픽업 헤드(21)는, 도 20에 도시한 웨이퍼(11)로부터 다이 D1을 픽업하고, X축 방향으로 이동하여 중간 스테이지(31)에 다이 D1을 적재한다. 그리고, 다이 공급부(1)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 X축 방향으로 이동함으로써 웨이퍼(11)를 X축 방향으로 이동하고, 픽업하는 다이 D2를 밀어올림 유닛(13)(웨이퍼 인식 카메라(24))의 위치로 이동한다. 비교예에 있어서의 동작의 상세를 이하 설명한다.The pickup head 21 picks up the die D1 from the wafer 11 shown in FIG. 20 and moves in the X-axis direction to place the die D1 on the intermediate stage 31. Then, the die supply unit 1 moves the wafer 11 in the X-axis direction by moving in the )) Move to the location. Details of the operation in the comparative example are described below.

(스텝 S40)(Step S40)

우선, 도 19 및 도 20에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(11)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동한다. 그 후, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 다이 D1을 인식한다. 여기서, 픽업 헤드(21)는 대기 장소에 위치한다.First, as shown in FIGS. 19 and 20, the wafer 11 moves to the pickup position of die D1. Afterwards, the wafer recognition camera 24 recognizes die D1. Here, the pickup head 21 is located in the waiting area.

(스텝 S41)(Step S41)

다음으로, 도 21의 (a)에 도시한 바와 같이, 픽업 헤드(21)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동하고 픽업 동작을 개시한다.Next, as shown in (a) of FIG. 21, the pickup head 21 moves to the pickup position of die D1 and starts the pickup operation.

(스텝 S42)(Step S42)

그리고, 도 21의 (b)에 도시한 바와 같이, 픽업 헤드(21)는 다이 D1을 픽업 후, 중간 스테이지(31)에 이동을 개시한다. 여기서, 픽업 헤드(21)는 다이 D1의 픽업을 실패하고 있다. 픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D2의 픽업 위치로 이동한다. 그 후, 제어부(8)는 픽업 실패를 검출한다.And, as shown in (b) of FIG. 21, the pickup head 21 starts moving to the intermediate stage 31 after picking up the die D1. Here, the pickup head 21 is failing to pick up die D1. In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D2 at a timing when the pickup operation is considered to be completed. Afterwards, the control unit 8 detects pickup failure.

(스텝 S43)(Step S43)

그리고, 도 21의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(11)는 픽업 실패한 다이 D1의 픽업 위치로 이동한다(되돌아간다). 여기서, 픽업 헤드(21)는 대기 장소로 이동한다.And, as shown in (c) of FIG. 21, the wafer 11 moves (returns) to the pickup position of the die D1 that failed to be picked up. Here, the pickup head 21 moves to the waiting location.

(스텝 S44)(Step S44)

다음으로, 도 22의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 픽업 실패한 다이 D1을 인식한다. 여기서, 픽업 헤드(21)는 대기 장소에 위치한다.Next, as shown in (a) of FIG. 22, the wafer recognition camera 24 recognizes the die D1 that failed to be picked up. Here, the pickup head 21 is located in the waiting area.

(스텝 S45)(Step S45)

그리고, 도 22의 (b)에 도시한 바와 같이, 픽업 헤드(21)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동하고 재 픽업 동작을 개시한다.Then, as shown in (b) of FIG. 22, the pickup head 21 moves to the pickup position of die D1 and starts a re-pickup operation.

(스텝 S46)(Step S46)

그리고, 도 22의 (c)에 도시한 바와 같이, 픽업 헤드(21)는 다이 D1을 픽업 후, 중간 스테이지(31)에 이동을 개시한다. 픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D2의 픽업 위치로 이동한다.And, as shown in (c) of FIG. 22, the pickup head 21 starts moving to the intermediate stage 31 after picking up the die D1. In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D2 at a timing when the pickup operation is considered to be completed.

(스텝 S47)(Step S47)

다음으로, 도 23의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 다음의 다이 D2를 인식한다. 여기서, 픽업 헤드(21)는 대기 장소에 위치한다.Next, as shown in (a) of FIG. 23, the wafer recognition camera 24 recognizes the next die D2. Here, the pickup head 21 is located in the waiting area.

(스텝 S48)(Step S48)

그리고, 도 23의 (b)에 도시한 바와 같이, 픽업 헤드(21)는 다이 D2의 픽업 위치로 이동하고 픽업 동작을 개시한다.Then, as shown in (b) of FIG. 23, the pickup head 21 moves to the pickup position of die D2 and starts the pickup operation.

(스텝 S49)(Step S49)

그리고, 도 23의 (c)에 도시한 바와 같이, 픽업 헤드(21)는 다이 D2를 픽업 후, 중간 스테이지(31)에 이동을 개시한다. 픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D3의 픽업 위치로 이동한다.And, as shown in (c) of FIG. 23, the pickup head 21 starts moving to the intermediate stage 31 after picking up the die D2. In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D3 at a timing when the pickup operation is considered to be completed.

픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D2의 픽업 위치로 이동하고 있기 때문에, 도 21의 (c)에 도시한 스텝 S43과 같이, 픽업 실패한 다이 D1의 위치로 웨이퍼(11)를 되돌릴 필요가 있다. 그리고, 재 픽업(리트라이)이 성공하였는지 여부에 관계없이, 또한 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D2의 픽업 위치로 이동하고, 픽업 실패가 계속되었을 때는 소정의 횟수, 이 동작을 반복한다.In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D2 at the timing when the pickup operation is considered to be completed, so as in step S43 shown in (c) of FIG. 21, the die that failed to be picked up is It is necessary to return the wafer 11 to the position D1. Then, regardless of whether the re-pickup (retry) is successful, the wafer 11 moves to the pick-up position of the next die D2, and when pick-up failure continues, this operation is repeated a predetermined number of times.

이와 같이, 다이 픽업에 실패한 후의 리커버리 동작에 불필요한 동작이 있다. 그 때문에 리커버리 동작이 발생한 경우, 웨이퍼 처리 시간이 증가한다.In this way, there is unnecessary operation in the recovery operation after die pickup fails. Therefore, when a recovery operation occurs, wafer processing time increases.

제3 실시 형태에서는, 픽업 헤드가 픽업 실패를 했을 때, 그 픽업 헤드가 다음에 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 웨이퍼의 위치를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 그 픽업 헤드로 재 픽업 동작을 행한다. 제3 실시 형태에 있어서의 동작의 상세에 대하여 도 19, 도 20, 도 24 내지 도 26을 이용하여 설명한다. 도 24 내지 도 26은 제3 실시 형태에 있어서의 동작을 설명하기 위한 다이 공급부 주변의 개략 정면도이다.In the third embodiment, when the pickup head fails to pick up, the pickup head picks up the die scheduled to be picked up next, then returns the position of the wafer to the position of the die that failed to be picked up, and picks up again with the pickup head. Do. Details of the operation in the third embodiment will be explained using FIGS. 19, 20, and 24 to 26. 24 to 26 are schematic front views around the die supply unit for explaining the operation in the third embodiment.

(스텝 S50)(Step S50)

우선, 도 19 및 도 20에 도시한 스텝 S40과 마찬가지로, 웨이퍼(11)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동한다. 그 후, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 다이 D1을 인식한다. 여기서, 픽업 헤드(21)는 대기 장소에 위치한다.First, similarly to step S40 shown in FIGS. 19 and 20, the wafer 11 moves to the pickup position of die D1. Afterwards, the wafer recognition camera 24 recognizes die D1. Here, the pickup head 21 is located in the waiting area.

(스텝 S51)(Step S51)

다음으로, 도 24의 (a)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S41과 마찬가지로, 픽업 헤드(21)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동하고 픽업 동작을 개시한다.Next, as shown in Fig. 24(a), similarly to step S41 in the comparative example, the pickup head 21 moves to the pickup position of die D1 and starts the pickup operation.

(스텝 S52)(Step S52)

그리고, 도 24의 (b)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S42와 마찬가지로, 픽업 헤드(21)는 다이 D1을 픽업 후, 중간 스테이지(31)에 이동을 개시한다. 여기서, 픽업 헤드(21)는 다이 D1의 픽업을 실패하고 있다. 픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D2의 픽업 위치로 이동한다. 그 후, 제어부(8)는 픽업 실패를 검출한다.And, as shown in FIG. 24(b), similarly to step S42 in the comparative example, the pickup head 21 starts moving to the intermediate stage 31 after picking up the die D1. Here, the pickup head 21 is failing to pick up die D1. In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D2 at a timing when the pickup operation is considered to be completed. Afterwards, the control unit 8 detects pickup failure.

(스텝 S53)(Step S53)

그리고, 도 24의 (c)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S47과 마찬가지로, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 다음의 다이 D2를 인식한다. 여기서, 픽업 헤드(21)는 대기 장소에 위치한다.And, as shown in (c) of FIG. 24, like step S47 in the comparative example, the wafer recognition camera 24 recognizes the next die D2. Here, the pickup head 21 is located in the waiting area.

(스텝 S54)(Step S54)

다음으로, 도 25의 (a)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S48과 마찬가지로, 픽업 헤드(21)는 다이 D2의 픽업 위치로 이동하고 픽업 동작을 개시한다.Next, as shown in FIG. 25(a), similarly to step S48 in the comparative example, the pickup head 21 moves to the pickup position of die D2 and starts the pickup operation.

(스텝 S55)(Step S55)

그리고, 도 25의 (b)에 도시한 바와 같이, 픽업 헤드(21)는 다이 D2를 픽업 후, 중간 스테이지(31)로 이동을 개시한다. 이것에 병행하여, 웨이퍼(11)는 픽업 실패한 다이 D1의 픽업 위치로 이동한다(되돌아간다).And, as shown in (b) of FIG. 25, the pickup head 21 starts moving to the intermediate stage 31 after picking up die D2. In parallel with this, the wafer 11 moves (returns) to the pickup position of the die D1 that failed to be picked up.

(스텝 S56)(Step S56)

그리고, 도 25의 (c)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S44와 마찬가지로, 웨이퍼 인식 카메라(24)는 픽업 실패한 다이 D1을 인식한다. 여기서, 픽업 헤드(21)는 대기 장소에 위치한다.And, as shown in Figure 25(c), like step S44 in the comparative example, the wafer recognition camera 24 recognizes the die D1 that failed to be picked up. Here, the pickup head 21 is located in the waiting area.

(스텝 S57)(Step S57)

다음으로, 도 26의 (a)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S45와 마찬가지로, 픽업 헤드(21)는 다이 D1의 픽업 위치로 이동하고 재 픽업 동작을 개시한다.Next, as shown in (a) of FIG. 26, similarly to step S45 in the comparative example, the pickup head 21 moves to the pickup position of die D1 and starts a re-pickup operation.

(스텝 S58)(Step S58)

그리고, 도 26의 (b)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서의 스텝 S46과 마찬가지로, 픽업 헤드(21)는 다이 D1을 픽업 후, 중간 스테이지(31)에 이동을 개시한다. 픽업 고속화를 위해서, 픽업 동작이 완료되었다고 생각되는 타이밍에, 웨이퍼(11)는 다음의 다이 D3의 픽업 위치로 이동한다.And, as shown in FIG. 26(b), similarly to step S46 in the comparative example, the pickup head 21 starts moving to the intermediate stage 31 after picking up the die D1. In order to speed up the pickup, the wafer 11 is moved to the pickup position of the next die D3 at a timing when the pickup operation is considered to be completed.

제3 실시 형태에서는, 도 25의 (b)에 도시한 스텝 S55와 같이, 픽업 헤드(21)의 이동과 병행하여, 웨이퍼(11)는 픽업 실패한 다이 D1의 픽업 위치로 이동할(되돌릴) 수 있으므로, 리커버리 동작이 발생한 경우, 비교예보다도 웨이퍼 처리 시간을 단축할 수 있다.In the third embodiment, as in step S55 shown in (b) of FIG. 25, in parallel with the movement of the pickup head 21, the wafer 11 can be moved (returned) to the pickup position of the die D1 that failed to be picked up. , when a recovery operation occurs, the wafer processing time can be shortened compared to the comparative example.

(동작예)(operation example)

제3 실시 형태에 있어서의 다이 본더(10)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 등급 처리도 실시 가능하며, 그 동작예에 대하여 이하 설명한다. 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본더에 있어서 본드 포인트마다 등급 분류 본딩하는 동작예에 대하여 도 27을 이용하여 설명한다. 도 27은 도 19에 도시한 다이 본더의 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.The die bonder 10 in the third embodiment can also perform grading processing as in the first embodiment, and an example of its operation will be described below. An operation example of graded bonding for each bond point in the die bonder in the third embodiment will be described using FIG. 27. FIG. 27 is a schematic top view explaining an example of operation of the die bonder shown in FIG. 19.

동작예에서는, 2개로 등급의 다이를 갖는 웨이퍼(11)로부터 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 픽업 헤드(21)에 의해 픽업하고, 본딩 스테이지(45)에 있어서 기판 S의 지정 위치에 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 본딩한다. 여기서, 기판 S 내의 지정 위치는 호스트 컴퓨터로부터의 지정에 의해 지정된다. 그 지정된 기판의 본딩순에 기초하여 픽업 헤드(21)는, 지정 등급의 픽업을 행한다.In the operation example, the first class die Da and the second class die Db are picked up from the wafer 11 having two classes of die by the pickup head 21, and the substrate S is picked up on the bonding stage 45. The first type die Da and the second type die Db are bonded at a designated position. Here, the designated position within the substrate S is designated by designation from the host computer. Based on the bonding order of the specified substrate, the pickup head 21 performs pickup of the specified grade.

즉, 픽업 헤드(21)는 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 중간 스테이지(31)에 적재하고, 본딩 헤드(41)는 중간 스테이지(31)에 적재된 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 픽업하여 본딩 스테이지(45)에 있어서 기판 S에 적재한다.That is, the pickup head 21 picks up the first class die Da and the second class die Db from the wafer 11 and loads them on the middle stage 31, and the bonding head 41 places them on the middle stage 31. The loaded first-class dies Da and second-class dies Db are picked up and placed on the substrate S in the bonding stage 45.

픽업 헤드(21)가 픽업 실패를 했을 때, 그 픽업 헤드가 다음에 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 웨이퍼(11)를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 픽업 실패한 픽업 헤드로 재 픽업을 행한다.When the pickup head 21 fails to pick up, the pickup head picks up the die scheduled to be picked up next, then returns the wafer 11 to the position of the die that failed to pick up, and picks up again with the pickup head that failed to pick up. .

[제4 실시 형태][Fourth Embodiment]

제3 실시 형태에 있어서의 다이 본더는 1개의 반송부(5)(반송 레인(52))만을 구비하고 있지만, 제4 실시 형태에 있어서의 다이 본더(10)는, 2개의 제1 반송부(5a)(제1 반송 레인(52a)) 및 제2 반송부(5b)(제2 반송 레인(52b))를 구비하고 있다. 제4 실시 형태에 있어서의 다이 본더(10)의 다른 구성 및 그 동작은 제3 실시 형태와 마찬가지이다.The die bonder in the third embodiment has only one transport part 5 (transfer lane 52), but the die bonder 10 in the fourth embodiment has two first transport parts ( 5a) (first conveyance lane 52a) and a second conveyance section 5b (second conveyance lane 52b). Other configurations and operations of the die bonder 10 in the fourth embodiment are the same as those in the third embodiment.

(동작예)(operation example)

제4 실시 형태에 있어서의 다이 본더(10)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 등급 처리도 실시 가능하며, 그 동작예에 대하여 이하 설명한다. 반송 레인별로 등급 분류 본딩하는 동작예에 대하여 도 28을 이용하여 설명한다. 도 28은 제4 실시 형태에 있어서의 다이 본더에 있어서의 동작예를 설명하는 개략 상면도이다.The die bonder 10 in the fourth embodiment can also perform grading processing as in the first embodiment, and an example of its operation will be described below. An operation example of grade classification bonding for each conveyance lane will be described using FIG. 28. Fig. 28 is a schematic top view explaining an operation example of the die bonder in the fourth embodiment.

동작예에서는, 2개로 등급의 다이를 갖는 웨이퍼(11)로부터 제1 분류의 다이 Da 및 제2 분류의 다이 Db를 픽업 헤드(21)에 의해 픽업하고, 제1 반송 레인(52a)에 의해 반송되는 제1 분류의 기판 S1에 제1 분류의 다이 Da를 본딩하고, 제2 반송 레인(52b)에 의해 반송되는 제2 분류의 기판 S2에 제2 분류의 다이 Db를 본딩한다.In the operation example, the first class die Da and the second class die Db are picked up from the wafer 11 having two grades of die by the pickup head 21 and conveyed by the first transfer lane 52a. The first class of die Da is bonded to the first class of substrate S1, and the second class of die Db is bonded to the second class of substrate S2 transported by the second transfer lane 52b.

즉, 픽업 헤드(21)는 제1 분류의 다이 Da를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 중간 스테이지(31)에 적재하고, 본딩 헤드(41)는 중간 스테이지(31)에 적재된 제1 분류의 다이 Da를 픽업하여 제1 반송 레인(52a)측의 본딩 스테이지(45a)에 있어서 제1 분류의 기판 S1에 적재한다. 픽업 헤드(21)는 제2 분류의 다이 Db를 웨이퍼(11)로부터 픽업하여 중간 스테이지(31)에 적재하고, 본딩 헤드(41)는 중간 스테이지(31)에 적재된 제2 분류의 다이 Db를 픽업하여 제2 반송 레인(52b)측의 본딩 스테이지(45b)에 있어서 제2 분류의 기판 S2에 적재한다.That is, the pickup head 21 picks up the first class of dies Da from the wafer 11 and loads them on the middle stage 31, and the bonding head 41 picks up the first class of dies Da loaded on the middle stage 31. Da is picked up and placed on the first classification substrate S1 on the bonding stage 45a on the first transfer lane 52a side. The pick-up head 21 picks up the second-class die Db from the wafer 11 and places it on the intermediate stage 31, and the bonding head 41 picks up the second-class die Db loaded on the intermediate stage 31. It is picked up and placed on the second classification substrate S2 on the bonding stage 45b on the second transfer lane 52b side.

한쪽의 픽업 헤드가 픽업 실패를 했을 때는, 제3 실시 형태와 마찬가지로, 그 픽업 헤드가 다음에 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 웨이퍼(11)를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 픽업 헤드로 재 픽업을 행한다.When one pick-up head fails to pick up, as in the third embodiment, after the pick-up head picks up the die scheduled to be picked up next, the wafer 11 is returned to the position of the die that failed to be picked up, and then returned to the pick-up head. Perform re-pickup.

본 실시 형태에 따르면, 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과가 얻어진다.According to this embodiment, one or more effects shown below are obtained.

(1) 픽업 실패한 다이의 위치로 이동(되돌리는 동작)을 다른 동작과 병행하여 행하기 위하여, 픽업 실패했을 때의 불필요한 동작이 없어진다. 이에 의해, 리커버리 동작이 발생한 경우라도, 웨이퍼 처리 시간의 저하를 방지하는 것이 가능하다.(1) Since the movement (return operation) to the position of the die that has failed to be picked up is performed in parallel with other operations, unnecessary operations when pickup fails are eliminated. Thereby, even when a recovery operation occurs, it is possible to prevent a decrease in wafer processing time.

(2) 다이 등급 분류 본딩 시에 있어서 리커버리 동작이 발생한 경우라도, 웨이퍼 처리 시간의 저하를 방지하는 것이 가능하다.(2) Even when a recovery operation occurs during die grading bonding, it is possible to prevent a decrease in wafer processing time.

(3) 통상의 픽업 동작 시의 픽업 속도는 유지함과 함께, 일정한 비율로 발생하는 픽업 실패 시에 스루풋의 저하를 최소한으로 하는 것이 가능하다.(3) It is possible to maintain the pickup speed during normal pickup operation and minimize the decrease in throughput when pickup failure occurs at a certain rate.

이상, 본 개시자에 의해 이루어진 개시를 실시 형태에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 개시는, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.As mentioned above, the disclosure made by the present initiator has been described in detail based on the embodiments. However, the present disclosure is not limited to the above embodiments and, of course, can be modified in various ways.

예를 들어, 실시 형태에서는, 다이 공급부로부터 다이를 픽업 헤드로 픽업하여 중간 스테이지에 적재하고, 중간 스테이지에 적재된 다이를 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 다이 본더에 대하여 설명하였지만, 중간 스테이지와 픽업 헤드가 없어, 다이 공급부의 다이를 본딩 헤드로 픽업하여 기판에 본딩하도록 해도 된다.For example, in the embodiment, a die bonder that picks up a die from a die supply unit with a pickup head, loads it on an intermediate stage, and bonds the die loaded on the intermediate stage to a substrate with a bonding head has been described, but the intermediate stage and the pickup head Therefore, the die from the die supply unit may be picked up by a bonding head and bonded to the substrate.

또한, 실시 형태에서는 웨이퍼의 이면에 DAF가 첩부되어 있지만, DAF는 없어도 된다.Additionally, in the embodiment, DAF is attached to the back side of the wafer, but DAF may not be present.

또한, 실시 형태에서는 다이의 표면을 위로 하여 본딩되지만, 다이를 픽업 후 다이의 표리를 반전시켜서, 다이의 이면을 위로 하여 본딩해도 된다. 이 경우, 중간 스테이지는 마련하지 않아도 된다. 이 장치는 플립 칩 본더라고 한다.Additionally, in the embodiment, bonding is performed with the surface of the die facing up, but after picking up the die, the front and back of the die may be reversed and bonding may be performed with the back surface of the die facing up. In this case, there is no need to provide an intermediate stage. This device is called a flip chip bonder.

또한, 실시 형태에서는 픽업 헤드 및 본딩 헤드는, 2개 또는 1개의 예를 설명하고 있지만, 이것에 한정되지 않고 픽업 헤드 및 본딩 헤드는, 3개 이상(복수)이어도 된다.In addition, in the embodiment, an example of two or one pickup head and one bonding head is explained, but the present invention is not limited to this and three or more (plural) pickup heads and bonding heads may be used.

8: 제어부
10: 다이 본더(다이 본딩 장치)
11: 웨이퍼
12: 웨이퍼 보유 지지대
21A: 제1 픽업 헤드(헤드)
D: 다이8: Control unit
10: Die bonder (die bonding device)
11: wafer
12: wafer holding support
21A: First pickup head (head)
D: die

Claims (14)

웨이퍼를 보유 지지하고 수평 방향으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대와,
상기 웨이퍼로부터 다이를 픽업하는 헤드와,
상기 웨이퍼 보유 지지대와 상기 헤드를 제어하는 제어부
를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 헤드가 상기 다이를 픽업하는 동작을 행한 후이며, 상기 웨이퍼를 다음에 픽업할 예정의 다이 위치로 이동하는 도중 또는 이동 후에 있어서, 상기 헤드의 상기 다이의 픽업 실패를 검출했을 때, 상기 픽업할 예정의 다이를 픽업한 후, 상기 웨이퍼를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 상기 픽업 실패한 다이를 픽업하는 동작을 행하도록 구성되는 다이 본딩 장치.a wafer holding support that holds the wafer and moves in a horizontal direction;
a head for picking up a die from the wafer;
A control unit that controls the wafer holding support and the head
Equipped with
When the control unit detects failure of the head to pick up the die after the head has performed an operation to pick up the die and during or after moving the wafer to a die position scheduled to be picked up next , After picking up the die scheduled to be picked up, returning the wafer to the position of the die that failed to be picked up, and performing an operation of picking up the die that failed to be picked up. 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼로부터 다이를 픽업하는 제2 헤드를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 헤드가 상기 다이를 픽업하는 동작을 행한 후이며, 상기 웨이퍼를 다음에 픽업할 예정의 다이 위치로 이동하는 도중 또는 이동 후에 있어서, 상기 헤드의 상기 다이의 픽업 실패를 검출했을 때, 상기 제2 헤드에 의해 상기 픽업할 예정의 다이를 픽업하고 나서, 상기 웨이퍼를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 상기 헤드에 의해 상기 픽업 실패한 다이를 픽업하는 동작을 행하도록 구성되는 다이 본딩 장치.According to paragraph 1,
further comprising a second head for picking up die from the wafer,
When the control unit detects failure of the head to pick up the die after the head has performed an operation to pick up the die and during or after moving the wafer to a die position scheduled to be picked up next , A die bonding device configured to perform an operation of picking up the die scheduled to be picked up by the second head, then returning the wafer to the position of the die that has failed to be picked up, and picking up the die that has failed to be picked up by the head. 제2항에 있어서,
상기 제어부에 의해 동작을 행하도록 구성되고, 상기 웨이퍼로부터 다이를 픽업하는 상기 헤드 또는 상기 제2 헤드와는 다른 헤드를 구비하는 다이 본딩 장치.According to paragraph 2,
A die bonding device configured to perform operations by the control unit and including a head different from the head or the second head that picks up a die from the wafer. 제2항 또는 제3항에 있어서,
제1 등급의 다이가 적재되는 제1 기판을 반송하는 제1 반송 레인과,
제2 등급의 다이가 적재되는 제2 기판을 반송하는 제2 반송 레인과,
상기 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제1 중간 스테이지와,
상기 제2 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제2 중간 스테이지와,
상기 제1 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제1 기판에 적재하는 제1 본딩 헤드와,
상기 제2 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제2 기판에 적재하는 제2 본딩 헤드
를 더 구비하고,
상기 제어부는,
상기 헤드에 의해 상기 제1 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하고,
상기 제2 헤드에 의해 상기 제2 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하도록 구성되는 다이 본딩 장치.According to paragraph 2 or 3,
a first transport lane for transporting a first substrate loaded with a first grade of die;
a second transport lane for transporting a second substrate loaded with a second grade of die;
a first intermediate stage on which the die picked up by the head is loaded,
a second intermediate stage on which the die picked up by the second head is loaded,
a first bonding head for picking up a die loaded on the first intermediate stage and loading it on the first substrate;
A second bonding head that picks up the die loaded on the second intermediate stage and places it on the second substrate.
It is further provided with,
The control unit,
picking up the first grade of die from the wafer by the head;
A die bonding device configured to pick up the second grade of die from the wafer by the second head. 제2항 또는 제3항에 있어서,
제1 등급의 다이가 적재되는 제1 기판 및 제3 기판을 반송하는 제1 반송 레인과,
제2 등급의 다이가 적재되는 제2 기판을 반송하는 제2 반송 레인과,
상기 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제1 중간 스테이지와,
상기 제2 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제2 중간 스테이지와,
상기 제1 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 적재하는 제1 본딩 헤드와,
상기 제2 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제3 기판에 적재하는 제2 본딩 헤드
를 더 구비하고,
상기 제어부는,
상기 헤드에 의해 상기 제1 등급의 다이 및 상기 제2 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하고,
상기 제2 헤드에 의해 상기 제1 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하고,
상기 제3 기판에 대한 본딩이 종료되면, 상기 제3 기판을 배출함과 함께, 상기 제1 기판에 대한 본딩의 종료를 기다리지 않고 상기 제1 기판을 상기 제3 기판측으로 반송하도록 구성되는 다이 본딩 장치.According to paragraph 2 or 3,
a first transport lane for transporting first and third substrates on which a first grade of die is loaded;
a second transport lane for transporting a second substrate loaded with a second grade of die;
a first intermediate stage on which the die picked up by the head is loaded,
a second intermediate stage on which the die picked up by the second head is loaded,
a first bonding head for picking up a die loaded on the first intermediate stage and loading it on the first substrate and the second substrate;
A second bonding head that picks up the die loaded on the second intermediate stage and places it on the third substrate.
It is further provided with,
The control unit,
picking up the first grade of die and the second grade of die from the wafer by the head;
picking up the first grade of die from the wafer by the second head;
A die bonding device configured to discharge the third substrate when bonding to the third substrate is completed and to transfer the first substrate to the third substrate without waiting for the end of bonding to the first substrate. . 제2항 또는 제3항에 있어서,
제1 등급의 다이가 적재되는 제1 기판 및 제3 기판을 반송하는 제1 반송 레인과,
제2 등급의 다이가 적재되는 제2 기판 및 제4 기판을 반송하는 제2 반송 레인과,
상기 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제1 중간 스테이지와,
상기 제2 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제2 중간 스테이지와,
상기 제1 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 적재하는 제1 본딩 헤드와,
상기 제2 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제3 기판 및 상기 제4 기판에 적재하는 제2 본딩 헤드
를 더 구비하고,
상기 제어부는,
상기 헤드에 의해 상기 제1 등급의 다이 및 상기 제2 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하고,
상기 제2 헤드에 의해 상기 제1 등급 및 상기 제2 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하고,
상기 제3 기판에 대한 본딩이 종료되면, 상기 제3 기판을 배출함과 함께, 상기 제1 기판에 대한 본딩의 종료를 기다리지 않고 상기 제1 기판을 상기 제3 기판측으로 반송하고,
상기 제4 기판에 대한 본딩이 종료되면, 상기 제4 기판을 배출함과 함께, 상기 제2 기판에 대한 본딩의 종료를 기다리지 않고 상기 제2 기판을 상기 제4 기판측으로 반송하도록 구성되는 다이 본딩 장치.According to paragraph 2 or 3,
a first transport lane for transporting first and third substrates on which a first grade of die is loaded;
a second transport lane for transporting second and fourth substrates on which a second grade of die is loaded;
a first intermediate stage on which the die picked up by the head is loaded,
a second intermediate stage on which the die picked up by the second head is loaded,
a first bonding head for picking up a die loaded on the first intermediate stage and loading it on the first substrate and the second substrate;
A second bonding head that picks up the die loaded on the second intermediate stage and places it on the third substrate and the fourth substrate.
It is further provided with,
The control unit,
picking up the first grade of die and the second grade of die from the wafer by the head;
picking up the first grade and the second grade of die from the wafer by the second head;
When bonding to the third substrate is completed, the third substrate is discharged and the first substrate is returned to the third substrate without waiting for bonding to the first substrate to end,
A die bonding device configured to discharge the fourth substrate when bonding to the fourth substrate is completed and to convey the second substrate to the fourth substrate without waiting for the end of bonding to the second substrate. . 제2항 또는 제3항에 있어서,
제1 등급 및 제2 등급의 다이가 적재되는, 제1 기판 및 제2 기판을 반송하는 제1 반송 레인과,
상기 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제1 중간 스테이지와,
상기 제2 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제2 중간 스테이지와,
상기 제1 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제1 기판에 적재하는 제1 본딩 헤드와,
상기 제2 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제2 기판에 적재하는 제2 본딩 헤드
를 더 구비하고,
상기 제어부는,
상기 헤드에 의해 상기 제1 등급의 다이 및 상기 제2 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하고,
상기 제2 헤드에 의해 상기 제1 등급 및 상기 제2 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하고,
상기 제2 기판에 대한 본딩이 종료되면, 상기 제2 기판을 배출함과 함께, 상기 제1 기판에 대한 본딩의 종료를 기다리지 않고 상기 제1 기판을 상기 제2 기판측으로 반송하도록 구성되는 다이 본딩 장치.According to paragraph 2 or 3,
a first transport lane for transporting first and second substrates, on which first and second grades of die are loaded;
a first intermediate stage on which the die picked up by the head is loaded,
a second intermediate stage on which the die picked up by the second head is loaded,
a first bonding head for picking up a die loaded on the first intermediate stage and loading it on the first substrate;
A second bonding head that picks up the die loaded on the second intermediate stage and places it on the second substrate.
It is further provided with,
The control unit,
picking up the first grade of die and the second grade of die from the wafer by the head;
picking up the first grade and the second grade of die from the wafer by the second head;
When bonding to the second substrate is completed, the die bonding device is configured to discharge the second substrate and transfer the first substrate to the second substrate without waiting for the end of bonding to the first substrate. . 제2항 또는 제3항에 있어서,
제1 등급 및 제2 등급의 다이가 적재되는, 제1 기판 및 제2 기판을 반송하는 제1 반송 레인과,
상기 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제1 중간 스테이지와,
상기 제2 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제2 중간 스테이지와,
상기 제1 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제1 기판에 적재하는 제1 본딩 헤드와,
상기 제2 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제2 기판에 적재하는 제2 본딩 헤드
를 더 구비하고,
상기 제어부는,
상기 헤드에 의해 상기 제1 등급의 다이 및 상기 제2 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하고,
상기 제2 헤드에 의해 상기 제1 등급 및 상기 제2 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하고,
상기 제2 기판에 대한 본딩이 종료되면, 상기 제2 기판을 배출하고,
상기 제1 기판에 대한 본딩이 종료되면, 상기 제1 기판을 배출하도록 구성되는 다이 본딩 장치.According to paragraph 2 or 3,
a first transport lane for transporting first and second substrates, on which first and second grades of die are loaded;
a first intermediate stage on which the die picked up by the head is loaded,
a second intermediate stage on which the die picked up by the second head is loaded,
a first bonding head for picking up a die loaded on the first intermediate stage and loading it on the first substrate;
A second bonding head that picks up the die loaded on the second intermediate stage and places it on the second substrate.
It is further provided with,
The control unit,
picking up the first grade of die and the second grade of die from the wafer by the head;
picking up the first grade and the second grade of die from the wafer by the second head;
When bonding to the second substrate is completed, the second substrate is discharged,
A die bonding device configured to discharge the first substrate when bonding to the first substrate is completed. 제1항에 있어서,
제1 등급 및 제2 등급의 다이가 적재되는 제1 기판을 반송하는 제1 반송 레인과,
상기 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제1 중간 스테이지와,
상기 제1 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제1 기판에 적재하는 제1 본딩 헤드
를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 헤드에 의해 상기 제1 등급 및 상기 제2 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하도록 구성되는 다이 본딩 장치. According to paragraph 1,
a first transport lane for transporting first substrates loaded with first and second grade dies;
a first intermediate stage on which the die picked up by the head is loaded,
A first bonding head that picks up the die loaded on the first intermediate stage and places it on the first substrate.
It is further provided with,
The control unit is configured to pick up the first grade and the second grade die from the wafer by the head. 제1항에 있어서,
제1 등급의 다이가 적재되는 제1 기판을 반송하는 제1 반송 레인과,
제2 등급의 다이가 적재되는 제2 기판을 반송하는 제2 반송 레인과,
상기 헤드가 픽업하는 다이가 적재되는 제1 중간 스테이지와,
상기 제1 중간 스테이지에 적재되는 다이를 픽업하고, 상기 제1 기판에 적재하는 제1 본딩 헤드
를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 헤드에 의해 상기 제1 등급 및 상기 제2 등급의 다이를 상기 웨이퍼로부터 픽업하도록 구성되는 다이 본딩 장치.According to paragraph 1,
a first transport lane for transporting a first substrate loaded with a first grade of die;
a second transport lane for transporting a second substrate loaded with a second grade of die;
a first intermediate stage on which the die picked up by the head is loaded,
A first bonding head that picks up the die loaded on the first intermediate stage and places it on the first substrate.
It is further provided with,
The control unit is configured to pick up the first grade and the second grade die from the wafer by the head. 웨이퍼를 보유 지지하고 수평 방향으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대와, 상기 웨이퍼로부터 다이를 픽업하는 헤드를 구비하는 다이 본딩 장치에 웨이퍼를 반입하는 반입 공정과,
상기 웨이퍼로부터 상기 다이를 픽업하는 픽업 공정과,
픽업한 상기 다이를 기판에 적재하는 본딩 공정
을 갖고,
상기 픽업 공정은,
(a) 상기 헤드가 상기 다이를 픽업하는 동작을 행하는 공정과,
(b) 상기 (a) 공정 후, 상기 헤드를 이동시키는 공정과,
(c) 상기 (b) 공정과 병행하여, 상기 웨이퍼를 다음에 픽업할 예정의 다이 위치로 이동하는 공정과,
(d) 상기 (c) 공정 후, 또는 상기 (c) 공정과 병행하여, 상기 헤드의 상기 다이의 픽업 실패를 검출하는 공정과,
(e) 상기 (d) 공정에 있어서 상기 헤드의 상기 다이의 픽업 실패를 검출한 경우에, 상기 픽업할 예정의 다이를 픽업하는 공정과,
(f) 상기 (e) 공정 후, 상기 웨이퍼를 픽업 실패한 다이의 위치로 되돌리고, 상기 픽업 실패한 다이를 픽업하는 공정
을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.A loading process of loading a wafer into a die bonding device including a wafer holding support that holds the wafer and moves in a horizontal direction, and a head that picks up the die from the wafer;
a pickup process of picking up the die from the wafer;
Bonding process to load the picked up die onto the substrate
With
The pickup process is,
(a) a process in which the head performs an operation of picking up the die,
(b) a process of moving the head after the process (a);
(c) in parallel with the process (b) above, a process of moving the wafer to a die position scheduled to be picked up next;
(d) after the process (c) or in parallel with the process (c), detecting failure of the head to pick up the die;
(e) a step of picking up the die scheduled to be picked up when failure of the head to pick up the die is detected in the step (d);
(f) After the process (e), returning the wafer to the position of the die that failed to be picked up, and picking up the die that failed to be picked up.
A method of manufacturing a semiconductor device having a. 제11항에 있어서,
상기 다이 본딩 장치는, 상기 웨이퍼로부터 다이를 픽업하는 제2 헤드를 더 구비하고,
상기 (e) 공정은 상기 제2 헤드에 의해 상기 픽업할 예정의 다이를 픽업하는 반도체 장치의 제조 방법.According to clause 11,
The die bonding device further includes a second head for picking up a die from the wafer,
The process (e) is a method of manufacturing a semiconductor device in which the die to be picked up is picked up by the second head. 제12항에 있어서,
상기 다이 본딩 장치는, 상기 웨이퍼로부터 다이를 픽업하는 상기 헤드 또는 제2 헤드와는 다른 헤드를 더 구비하고,
상기 (e) 또는 (f) 공정은 상기 다른 헤드에 의해 다이를 픽업하는 반도체 장치의 제조 방법.According to clause 12,
The die bonding device further includes a head different from the head or the second head that picks up the die from the wafer,
The process (e) or (f) is a method of manufacturing a semiconductor device in which the die is picked up by the other head. 제11항에 있어서,
상기 픽업 공정은, 픽업한 상기 다이를 중간 스테이지에 적재하고,
상기 본딩 공정은, 상기 중간 스테이지에 적재된 다이를 픽업하는 반도체 장치의 제조 방법.According to clause 11,
In the pick-up process, the picked-up die is loaded on an intermediate stage,
The bonding process is a method of manufacturing a semiconductor device in which the die loaded on the intermediate stage is picked up.
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