KR102658168B1 - 성막 방법 - Google Patents

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마사토 요네자와
다케히로 후카다
요시타카 에노키
유지 사와다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

회전 테이블과 함께 회전하는 기판이 통과하는 플라스마 처리 영역에 희가스와 첨가 가스를 포함하는 착화용 가스를 공급하는 공정과, 상기 플라스마 처리 영역에 유도 자계를 형성하는 안테나에 정합기를 거쳐 전기적으로 접속되는 고주파 전원의 출력 전력을 제1 설정값으로 높여, 상기 착화용 가스를 플라스마화하는 공정과, 상기 고주파 전원의 출력 전력을 상기 제1 설정값으로부터 제2 설정값으로 높이는 공정과, 상기 착화용 가스의 플라스마화 후에, 상기 플라스마 처리 영역으로의 상기 첨가 가스의 공급을 정지하는 공정과, 상기 플라스마 처리 영역에서 플라스마화되는 가스를 성막용 가스로 전환하는 공정과, 상기 고주파 전원의 출력 전력이 상기 제2 설정값으로 상승한 후에, 상기 안테나의 회전 중심선과는 반대측의 단부의 높이를 유지하면서 상기 안테나의 상기 회전 중심선측의 단부를 들어 올리는 공정을 갖는 성막 방법.

Description

성막 방법{FILM FORMING METHOD}
본 개시는, 성막 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 서로 반응하는 적어도 2종류의 반응 가스를 기판에 대하여 교대로 공급함으로써, 반응 생성물을 기판에 성막하는 ALD(Atomic Layer Deposition)법이 기재되어 있다. 특허문헌 1에서는, 회전 테이블의 회전 중심의 주위로 수평하게 배치되는 기판을, 회전 테이블과 함께 회전시킴으로써, 제1 처리 영역과, 제2 처리 영역과, 플라스마 처리 영역에 보낸다. 제1 처리 영역에서는, 실리콘 함유 가스(예를 들어, 유기 아미노실란 가스)가 기판에 공급되어, 실리콘 함유 가스가 기판에 흡착된다. 제2 처리 영역에서는, 산화용 가스(예를 들어, 오존 가스)가 기판에 공급되어, 기판에 미리 흡착된 유기 아미노실란 가스가 산화되어, 산화 실리콘막이 기판에 형성된다. 플라스마 처리 영역에서는, 개질용 가스(예를 들어, 아르곤 가스와 산소 가스의 혼합 가스)가 기판에 공급되어, 기판에 미리 형성된 산화 실리콘막이 개질된다.
일본 특허 공개 제2013-135154호 공보
본 개시의 일 형태는, 기판의 대미지를 억제할 수 있고, 또한 플라스마를 안정적으로 발생시킬 수 있는, 기술을 제공한다.
본 개시의 일 형태에 관한 성막 방법은,
회전 테이블과 함께 회전하는 기판이 통과하는 플라스마 처리 영역에, 희가스와, 당해 희가스로의 첨가에 의해 패닝 효과를 발생시키는 첨가 가스를 포함하는 착화용 가스를 공급하는 공정과,
상기 플라스마 처리 영역에 유도 자계를 형성하는 안테나에 정합기를 거쳐 전기적으로 접속되는 고주파 전원의 출력 전력을 제1 설정값으로 높여, 상기 착화용 가스를 플라스마화하는 공정과,
상기 고주파 전원의 출력 전력을 상기 제1 설정값으로부터 제2 설정값으로 높이는 공정과,
상기 착화용 가스의 플라스마화 후에, 상기 플라스마 처리 영역으로의 상기 첨가 가스의 공급을 정지하는 공정과,
상기 고주파 전원의 출력 전력이 상기 제2 설정값으로 상승한 후이고 또한 상기 첨가 가스의 공급이 정지한 후에, 상기 플라스마 처리 영역에서 플라스마화되는 가스를, 상기 기판에 막을 형성하는 데 사용하는 성막용 가스로 전환하는 공정과,
상기 고주파 전원의 출력 전력이 상기 제2 설정값으로 상승한 후에, 상기 안테나의 회전 중심선과는 반대측의 단부의 높이를 유지하면서 상기 안테나의 상기 회전 중심선측의 단부를 들어 올리는 공정을 갖는다.
본 개시의 일 형태에 의하면, 기판의 대미지를 억제할 수 있고, 또한 플라스마를 안정적으로 발생시킬 수 있다.
도 1은 일 실시 형태에 관한 성막 장치의 단면도이다.
도 2는 일 실시 형태에 관한 처리 용기의 내부 구조를 도시하는 평면도이다.
도 3은 일 실시 형태에 관한 제1 처리 영역, 분리 영역 및 제2 처리 영역을 회전 테이블의 회전 방향을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 일 실시 형태에 관한 플라스마 발생기의 단면도이다.
도 5는 일 실시 형태에 관한 플라스마 발생기의 분해 사시도이다.
도 6은 일 실시 형태에 관한 플라스마 발생기의 개략 평면도이다.
도 7은 일 실시 형태에 관한 플라스마 처리 영역을 회전 테이블의 회전 방향을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 일 실시 형태에 관한 성막 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 9는 일 실시 형태에 관한 플라스마를 발생시키는 공정을 도시하는 흐름도이다.
도 10은 2회째의 출력 전력의 상승에 필요로 하는 소요 시간과, 반사파의 크기의 관계의 실험 데이터의 일례를 도시하는 도면이다.
도 11은 안테나의 회전 중심선측의 단부를 들어 올리는 속도와, 반사파의 크기의 관계의 실험 데이터의 일례를 도시하는 도면이다.
이하, 본 개시의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 또는 대응하는 구성에는 동일한 또는 대응하는 부호를 붙여, 설명을 생략하는 경우가 있다.
(성막 장치)
도 1은, 일 실시 형태에 관한 성막 장치의 단면도이다. 도 2는, 일 실시 형태에 관한 처리 용기의 내부 구조를 도시하는 평면도이다. 도 3은, 일 실시 형태에 관한 제1 처리 영역, 분리 영역 및 제2 처리 영역을 회전 테이블의 회전 방향을 따라 절단한 단면도이다.
성막 장치는, ALD(Atomic Layer Deposition)법에 의해, 기판(W)에 막을 형성한다. 기판(W)은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판이다. 기판(W)은, 하지막을 포함해도 된다. 성막 장치에 의해 형성하는 막은, 예를 들어 산화 실리콘막이다. 산화 실리콘막은, 실리콘 함유 가스(예를 들어, 유기 아미노실란 가스)와, 산화용 가스(예를 들어, 오존 가스)를 교대로 기판(W)에 공급함으로써, 기판(W) 위에 형성된다. 성막 장치는, 기판(W)에 형성되는 산화 실리콘막을, 개질용 가스로 개질한다.
성막 장치는, 대략 원형의 평면 형상을 갖는 편평한 처리 용기(1)와, 이 처리 용기(1) 내에 마련되어, 처리 용기(1)의 중심에 회전 중심선(2Z)을 갖는 회전 테이블(2)을 구비한다. 처리 용기(1)는, 바닥이 있는 원통 형상을 갖는 용기 본체(12)와, 용기 본체(12)의 상면에 대하여, 예를 들어 O링 등의 시일 부재(13)를 거쳐 기밀하게 착탈 가능하게 배치되는 천장판(11)을 갖는다.
처리 용기(1)의 측벽에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(W)의 반송구(15)가 형성된다. 외부의 반송 암(10)은, 반송구(15)를 통해, 회전 테이블(2)의 상방에서 대기한다. 회전 테이블(2)의 상면에는, 그 회전 중심선(2Z)의 주위로 복수(예를 들어, 5개)의 오목부(24)가 마련된다. 오목부(24)는, 원형으로 형성된다. 오목부(24)의 직경은, 기판(W)의 직경보다도 크다. 오목부(24)의 내저면에는, 기판(W)이 수평하게 설치된다. 설치된 기판(W)의 상면과, 회전 테이블(2)의 상면은, 동일 평면이다. 오목부(24)의 내저면에는 3개의 핀 구멍이 형성되고, 3개의 핀 구멍의 각각에 승강 핀이 배치된다. 3개의 승강 핀은, 기판(W)을 하방으로부터 지지하면서 승강함으로써, 반송 암(10)과 회전 테이블(2) 사이에서 기판(W)을 전달한다. 반송구(15)는, 게이트 밸브(G)에 의해 개폐된다.
회전 테이블(2)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 중심부에서 원통 형상의 코어부(21)에 고정된다. 코어부(21)는, 회전축(22)의 상단부에 고정된다. 회전축(22)은, 연직 방향 하방으로 연장되어, 처리 용기(1)의 저부(14)를 관통하여, 구동부(23)와 접속된다. 회전축(22) 및 구동부(23)는, 통상의 케이스체(20) 내에 수납된다. 케이스체(20)는, 처리 용기(1)의 저부(14)의 하면에 기밀하게 설치된다. 구동부(23)가 회전 테이블(2)을 회전시키면, 회전 테이블(2)의 회전 중심선(2Z)을 중심으로 오목부(24)가 회전하고, 오목부(24)에 적재된 기판(W)이 회전한다.
회전 테이블(2)의 하방에는, 히터(7)가 마련된다. 히터(7)는, 회전 테이블(2)을 가열함으로써, 회전 테이블(2) 위의 기판(W)을 가열한다. 기판(W)의 온도는, 예를 들어 450℃이다. 히터(7)는, 처리 용기(1)의 저부(14)와, 처리 용기(1)의 저부(14)로부터 상방으로 돌출되는 내측 링부(12a)와, 내측 링부(12a)와 동심원상으로 배치되는 외측 링부(17)와, 덮개부(18)로 둘러싸이는 공간에 배치된다.
회전 테이블(2)의 상방에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 처리 가스 노즐(31, 32), 플라스마 처리 가스 노즐(33) 및 분리 가스 노즐(41, 42)이 방사상으로 배치된다. 도 2에서는, 시계 방향(회전 테이블(2)의 회전 방향)으로, 플라스마 처리 가스 노즐(33), 분리 가스 노즐(41), 처리 가스 노즐(31), 분리 가스 노즐(42) 및 처리 가스 노즐(32)이 이 순번으로 배열된다. 이들 노즐(31, 32, 33, 41, 42)은, 용기 본체(12)의 외주벽을 관통하여 용기 본체(12)의 중앙부까지, 용기 본체(12)의 직경 방향에 수평으로 연장된다. 또한, 플라스마 처리 가스 노즐(33)의 상방에는, 플라스마 발생기(80)가 마련된다. 플라스마 발생기(80)에 대해서는 후술한다.
처리 가스 노즐(31)은, 그 길이 방향으로 간격을 두고 배열되는 복수의 토출 구멍을 갖고, 복수의 토출 구멍으로부터 회전 테이블(2)을 향해 제1 처리 가스를 토출한다. 제1 처리 가스는, 예를 들어 실리콘을 함유하는 실리콘 함유 가스이다. 실리콘 함유 가스로서는, 예를 들어 유기 아미노실란 가스가 사용된다. 실리콘 함유 가스를 기판(W)에 흡착시키는 영역이, 제1 처리 영역(P1)이다. 처리 가스 노즐(31)은, 제1 처리 영역(P1)에 배치된다.
처리 가스 노즐(32)은, 그 길이 방향으로 간격을 두고 배열되는 복수의 토출 구멍을 갖고, 복수의 토출 구멍으로부터 회전 테이블(2)을 향해, 제2 처리 가스를 토출한다. 제2 처리 가스는, 기판(W)에 흡착된 실리콘 함유 가스를 산화하는 산화용 가스이다. 산화용 가스로서는, 예를 들어 오존(O3) 가스가 사용된다. 기판(W)에 흡착된 실리콘 함유 가스를 산화시켜 산화 실리콘막을 형성하는 영역이, 제2 처리 영역(P2)이다. 처리 가스 노즐(32)은, 제2 처리 영역(P2)에 배치된다.
플라스마 처리 가스 노즐(33)은, 그 길이 방향으로 간격을 두고 배열되는 복수의 토출 구멍을 갖고, 복수의 토출 구멍으로부터 회전 테이블(2)을 향해, 개질용 가스를 토출한다. 개질용 가스는, 플라스마화되어, 산화 실리콘막을 개질한다. 개질용 가스는, 예를 들어 아르곤(Ar) 가스와, 산소(O2) 가스를 포함한다. 개질용 가스는, 아르곤 가스와 산소 가스에다가, 수소(H2) 가스를 더 포함한다. 플라스마를 발생시키는 영역이, 플라스마 처리 영역(P3)이다. 플라스마 처리 가스 노즐(33)은, 플라스마 처리 영역(P3)에 배치된다.
또한, 플라스마 처리 영역(P3)에는, 플라스마 처리 가스 노즐(33)과는 별도로 노즐이 더 배치되어도 된다. 별도의 노즐로서는, 회전 테이블(2)의 회전 중심선(2Z)측의 부분에 선택적으로 개질용 가스를 공급하는 노즐, 회전 테이블(2)의 외주측의 부분에 선택적으로 개질용 가스를 공급하는 노즐을 들 수 있다. 플라스마 처리 영역(P3)에 복수의 노즐이 배치되는 경우, 복수의 노즐은 다른 가스를 토출해도 되고, 동일한 가스를 토출해도 된다.
분리 가스 노즐(42)은, 그 길이 방향으로 간격을 두고 배열되는 복수의 토출 구멍을 갖고, 복수의 토출 구멍으로부터 회전 테이블(2)을 향해, 분리 가스를 토출한다. 분리 가스는, 실리콘 함유 가스와 산화용 가스의 혼합을 억제하고, 이들 가스를 배기구(61, 62)에 흘러가게 한다. 예를 들어, 실리콘 함유 가스는 주로 배기구(61)로부터 배기되고, 산화용 가스는 주로 배기구(62)로부터 배기된다. 분리 가스로서는, 예를 들어 질소(N2) 가스가 사용된다. 실리콘 함유 가스와 산화용 가스의 혼합을 억제하는 영역이, 분리 영역(D2)이다. 분리 가스 노즐(42)은, 분리 영역(D2)에 배치된다.
분리 영역(D2)에 있어서 분리 가스의 압력을 실리콘 함유 가스의 압력이나 산화용 가스의 압력보다도 높이고, 실리콘 함유 가스나 산화용 가스의 분리 영역(D2)으로의 침입을 억제하기 위해, 분리 영역(D2)의 천장면(44)은, 도 3에 도시한 바와 같이 제1 처리 영역(P1)의 천장면(45)이나 제2 처리 영역(P2)의 천장면보다도 낮게 형성된다. 분리 영역(D2)의 천장면(44)은, 천장판(11)으로부터 회전 테이블(2)을 향해 하방으로 돌출되는 볼록형부(4)의 하면으로 형성된다. 볼록형부(4)의 주위 방향 중앙부에는, 홈부(43)가 형성된다. 홈부(43)는, 용기 본체(12)의 직경 방향으로 연장된다. 홈부(43)의 내부에, 분리 가스 노즐(42)이 수용된다.
분리 가스 노즐(41)은, 그 길이 방향으로 간격을 두고 배열되는 복수의 토출 구멍을 갖고, 복수의 토출 구멍으로부터 회전 테이블(2)을 향해, 분리 가스를 토출한다. 분리 가스는, 실리콘 함유 가스와 개질용 가스의 혼합을 억제하고, 이들 가스를 배기구(61, 62)에 흘러가게 한다. 실리콘 함유 가스는 주로 배기구(61)로부터 배기되고, 개질용 가스는 주로 배기구(62)로부터 배기된다. 분리 가스로서는, 예를 들어 질소(N2) 가스가 사용된다. 실리콘 함유 가스와 개질용 가스의 혼합을 억제하는 영역이, 분리 영역(D1)이다. 분리 가스 노즐(41)은, 분리 영역(D1)에 배치된다.
분리 영역(D1)에 있어서 분리 가스의 압력을 실리콘 함유 가스의 압력이나 개질용 가스의 압력보다도 높여, 실리콘 함유 가스나 개질용 가스의 분리 영역(D1)로의 침입을 억제하기 위해, 분리 영역(D1)의 천장면도, 분리 영역(D2)의 천장면(44)과 마찬가지로 낮게 형성된다. 즉, 분리 영역(D1)의 천장면도, 천장판(11)으로부터 회전 테이블(2)을 향해 하방으로 돌출되는 볼록형부(4)의 하면으로 형성된다. 볼록형부(4)의 주위 방향 중앙부에는, 홈부(43)가 형성된다. 홈부(43)는, 용기 본체(12)의 직경 방향으로 연장된다. 홈부(43)의 내부에, 분리 가스 노즐(41)이 수용된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 플라스마 처리 영역(P3), 분리 영역(D1), 제1 처리 영역(P1), 분리 영역(D2) 및 제2 처리 영역(P2)은, 중앙 영역 C의 주위에 배치되고, 시계 방향(회전 테이블(2)의 회전 방향)으로 이 순번으로 배열된다. 중앙 영역 C는, 실리콘 함유 가스와 산화용 가스와 개질용 가스의 혼합을 억제하는 영역이다. 중앙 영역 C에는, 도 1에 도시한 바와 같이 분리 가스 공급관(51)에 의해, 상방으로부터 분리 가스가 공급된다. 분리 가스는, 중앙 영역 C로부터 직경 방향 외측을 향해 흐르게 됨으로써, 중앙 영역 C에서의 실리콘 함유 가스와 산화용 가스와 개질용 가스의 혼합을 억제한다. 분리 가스로서는, 예를 들어 질소(N2) 가스가 사용된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 플라스마 처리 영역(P3), 분리 영역(D1), 제1 처리 영역(P1), 분리 영역(D2) 및 제2 처리 영역(P2)은, 링상의 배기 영역 E의 직경 방향 내측에 배치된다. 배기 영역 E는, 처리 용기(1)의 내부에 공급된 가스를, 용기 본체(12)의 측벽을 따라 배기구(61, 62)로 유도하는 영역이다. 배기구(61, 62)는, 각각, 도 1에 도시한 바와 같이 배기관(63)을 거쳐 진공 펌프(64)에 접속된다. 배기관(63)의 도중에는, 압력 제어기(65)가 마련된다. 압력 제어기(65)는, 처리 용기(1)의 내부의 기압을 제어한다.
도 4는, 일 실시 형태에 관한 플라스마 발생기의 단면도이다. 도 5는, 일 실시 형태에 관한 플라스마 발생기의 분해 사시도이다. 도 6은, 일 실시 형태에 관한 플라스마 발생기의 개략 평면도이다. 도 7은, 일 실시 형태에 관한 플라스마 처리 영역을 회전 테이블의 회전 방향을 따라 절단한 단면도이다.
플라스마 발생기(80)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 처리 용기(1)의 천장판(11)을 연직 방향으로 관통하는 개구부(11a)에 마련된다. 개구부(11a)는, 평면으로 보아 대략 부채상으로 형성된다. 개구부(11a)는, 원반상의 천장판(11)의 직경 방향 외측을 향할수록, 천장판(11)의 주위 방향으로 넓어진다. 개구부(11a)의 개구 직경이 연직 하방을 향함에 따라 단계적으로 작아지도록, 단차부(11b)가 형성된다. 플라스마 발생기(80)는, 안테나(83)와, 하우징(90)과, 패러데이 실드(95)와, 절연판(94)을 구비한다.
하우징(90)은, 예를 들어 석영 등의 유전체로 형성되고, 자력을 투과시키는 성질을 갖는다. 하우징(90)은, 천장판(11)의 개구부(11a)를 막도록 평면으로 보아 부채상으로 형성된다. 하우징(90)은, 부채상의 수평판(90a)과, 수평판(90a)의 외주부로부터 상방측으로 연장되는 측벽(90b)과, 측벽(90b)의 상부 에지로부터 수평으로 돌출되는 플랜지부(90c)를 갖는다. 하우징(90)을 개구부(11a) 내에 꽂으면, 도 4에 도시한 바와 같이, 플랜지부(90c)가 단차부(11b)에 의해 지지된다. 플랜지부(90c)는, 링 부재(91)에 의해 단차부(11b)를 향해 눌린다. 플랜지부(90c)와 단차부(11b) 사이는 시일 부재(11c)로 시일되어, 처리 용기(1)의 내부는 기밀하게 유지된다.
수평판(90a)의 하면에는, 수평판(90a)의 주연부를 따라 돌기부(92)가 형성된다. 돌기부(92)와 수평판(90a)과 회전 테이블(2)은, 플라스마 처리 영역(P3)을 둘러싸도록 배치된다. 돌기부(92)는, 플라스마 처리 영역(P3)에 N2 가스 및 O3 가스가 유입되는 것을 저지하여, NOx 가스가 생성되는 것을 방지한다. 또한, 돌기부(92)는, 시일 부재(11c)가 플라스마에 노출되는 것을 억제하여, 파티클의 발생을 억제한다. 플라스마는, 시일 부재(11c)에 이르기까지, 돌기부(92)를 돌아 들어가게 되므로, 도중에 실활된다.
플라스마 처리 가스 노즐(33)은, 돌기부(92)에 마련된 절결을 거쳐 플라스마 처리 영역(P3)으로 연장되어 있다. 도 7에 도시한 바와 같이, 플라스마 처리 가스 노즐(33)의 가스 토출 구멍은, 회전 방향 상류측을 향해, 비스듬히 하방향으로 개구된다. 돌기부(92)와 회전 테이블(2)의 간극으로부터 플라스마 처리 영역(P3)으로 O3 가스나 N2 가스가 유입되는 것을 억제할 수 있다.
플라스마 처리 가스 노즐(33)은, 도 4에 도시한 바와 같이 주관 및 주관으로부터 분기되는 복수의 지관을 거쳐, 아르곤 가스의 공급원(120), 수소 가스의 공급원(121), 산소 가스의 공급원(122) 및 암모니아 가스의 공급원(123)과 접속된다. 복수의 지관의 각각의 도중에는, 유량 제어기(124)가 배치된다. 플라스마 처리 가스 노즐(33)은, 아르곤 가스, 수소 가스, 산소 가스 및 암모니아 가스에서 선택되는 1종류 이상의 가스를, 임의의 조합으로, 또한 임의의 혼합비로, 플라스마 처리 영역(P3)으로 토출할 수 있다.
하우징(90)의 내부에는, 패러데이 실드(95)가 설치된다. 패러데이 실드(95)는 금속판이고, 접지된다. 금속판은, 예를 들어 구리(Cu)판 또는 동판에, 니켈(Ni)막과 금(Au)막을 이 순번으로 성막한 적층판이다. 패러데이 실드(95)는, 상측이 개방된 상자상으로 형성된다. 패러데이 실드(95)는, 하우징(90)의 수평판(90a)에 적층되는 수평판(95a)과, 수평판(95a)의 외주부로부터 상방측으로 연장되는 수직판(95b)을 구비한다. 수직판(95b)의 상단에는, 도 5에 도시한 바와 같이 좌우 한 쌍의 에지판(96, 96)이 마련된다. 패러데이 실드(95)와 하우징(90) 사이에는, 에지판(96, 96)을 하방으로부터 지지하는 프레임상체(99)가 마련된다. 프레임상체(99)는, 하우징(90)에 지지된다.
패러데이 실드(95)의 수평판(95a)에는, 도 6에 도시한 바와 같이 복수의 슬릿(97)이 마련된다. 복수의 슬릿(97)은, 안테나(83)를 구성하는 코일상으로 권회된 금속선의 신장 방향과 직교하도록 형성되고, 당해 금속선의 신장 방향을 따라 간격을 두고 배열된다. 복수의 슬릿(97)은, 회전 테이블(2)의 직경 방향으로 잡아 늘인 팔각 형상으로 배열된다. 또한, 패러데이 실드(95)의 수평판(95a)에는, 개구부(98)가 형성된다. 개구부(98)는, 복수의 슬릿(97)으로 둘러싸이도록 배치된다.
패러데이 실드(95)는, 안테나(83)의 주위에 발생하는 전계 및 자계(전자계) 중 전계 성분이 기판(W)에 하방을 향하는 것을 저지한다. 이로써, 기판(W)에 미리 형성된 전기 배선의 대미지를 방지할 수 있다. 또한, 패러데이 실드(95)는, 슬릿(97)을 통해 자계 성분을 하방으로 통과시킨다. 이로써, 플라스마 처리 영역(P3)에 플라스마를 형성할 수 있다. 개구부(98)는, 슬릿(97)과 마찬가지로, 자계 성분을 통과시킨다.
패러데이 실드(95)의 수평판(95a) 상에는, 도 4에 도시한 바와 같이 수평판(95a)을 덮도록 판상의 절연판(94)이 적층된다. 이 절연판(94)은, 안테나(83)와 패러데이 실드(95)를 절연한다. 절연판(94)은, 예를 들어 두께 치수가 2㎜ 정도인 석영판이다.
안테나(83)는, 예를 들어 금속선을 코일상으로 권회하여 형성된다. 금속선은, 예를 들어 연직축 주위로 3중으로 권회된다. 금속선은, 중공이어도 된다. 금속선의 내부에는, 금속선을 냉각하기 위한 냉각수가 흐르게 된다. 안테나(83)의 양단부에는, 금속선을 연직 상방으로 연장시켜 형성되는 전극 막대(86, 86)가 마련된다. 전극 막대(86, 86)는, 전극판(87, 87)에 의해 보유 지지된다.
안테나(83)는, 도 2에 도시한 바와 같이 정합기(84)를 거쳐 고주파 전원(85)에 전기적으로 접속된다. 고주파 전원(85)의 최대 출력 전력은, 예를 들어 5000W이고, 고주파 전원(85)의 주파수는, 예를 들어 13.56㎒이다. 고주파 전원(85)으로부터 안테나(83)에 고주파 전력을 공급함으로써, 안테나(83)의 주위에 유도 전계 및 유도 자계가 형성된다. 그 결과, 플라스마 처리 영역(P3)에, 유도 결합 플라스마가 형성된다.
안테나(83)는, 도 4에 도시한 바와 같이 절연판(94) 위에 마련되어, 패러데이 실드(95)의 수직판(95b)으로 둘러싸인다. 안테나(83)는, 회전 테이블(2)에 대향하여 마련된다. 안테나(83)는, 기판(W) 전체를 플라스마 처리할 수 있도록, 평면으로 보아 링상의 기판 통과 영역을 가로지르도록 배치된다. 기판 통과 영역은, 회전 테이블(2)의 회전에 수반하여 기판(W)이 통과하는 영역이다. 기판 통과 영역의 폭은, 기판(W)의 직경과 동등하다.
그런데, 기판(W)의 면 내에 있어서, 회전 중심선(2Z)측의 단부는, 회전 중심선(2Z)과는 반대측의 단부에 비해, 주속이 느리므로, 플라스마에 노출되는 시간이 길다.
그래서, 플라스마 발생기(80)는, 안테나(83)를 도 4에 이점 쇄선으로 나타낸 바와 같이 경사지게 하는 경사 기구(70)를 갖는다. 경사 기구(70)는, 안테나(83)의 회전 중심선(2Z)과는 반대측의 단부(83b)의 높이를 유지하면서, 안테나(83)의 회전 중심선(2Z)측의 단부(83a)를 들어 올린다. 안테나(83)의 하면은, 회전 중심선(2Z)에 가까울수록 상방으로 경사진다. 안테나(83)와 기판(W)의 거리는, 회전 중심선(2Z)에 가까울수록 커진다.
안테나(83)와 기판(W)의 거리가 커질수록, 기판(W)에 도달할 때까지의 자계 성분의 감쇠량이 크다. 따라서, 기판(W)의 면 내에 있어서, 회전 중심선(2Z)측의 단부는, 회전 중심선(2Z)과는 반대측의 단부에 비해, 플라스마의 강도가 약하다. 플라스마의 강도 분포에 의해 플라스마에 노출되는 시간의 차를 메울 수 있어, 기판(W)의 면 내를 균일하게 플라스마 처리할 수 있다.
경사 기구(70)는, 예를 들어 안테나(83)의 회전 중심선(2Z)측의 단부(83a)를 상하 이동시키는 액추에이터(71)를 갖는다. 액추에이터(71)는, 예를 들어 모터와, 모터의 회전 운동을 안테나(83)의 회전 중심선(2Z)측의 단부(83a)의 직선 운동으로 변환하는 운동 변환 기구를 갖는다. 운동 변환 기구로서는, 예를 들어 볼 나사가 사용된다.
성막 장치는, 도 1에 도시한 바와 같이 제어부(100)를 구비한다. 제어부(100)는, 예를 들어 컴퓨터로 구성되어, CPU(Central Processing Unit)(101)와, 메모리 등의 기억 매체(102)를 구비한다. 기억 매체(102)에는, 성막 장치에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(100)는, 기억 매체(102)에 기억된 프로그램을 CPU(101)에 실행시킴으로써, 성막 장치의 동작을 제어한다. 또한, 제어부(100)는, 입력 인터페이스(103)와, 출력 인터페이스(104)를 구비한다. 제어부(100)는, 입력 인터페이스(103)에서 외부로부터의 신호를 수신하고, 출력 인터페이스(104)에서 외부로 신호를 송신한다.
이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기억되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어부(100)의 기억 매체(102)로 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 데스크(MO), 메모리 카드 등을 들 수 있다. 또한, 프로그램은, 인터넷을 통해 서버로부터 다운로드되어, 제어부(100)의 기억 매체(102)에 인스톨되어도 된다.
(성막 방법)
도 8은, 일 실시 형태에 관한 성막 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 8에 도시하는 공정 S101 내지 S107은, 제어부(100)에 의한 제어 하에서 실시된다.
성막 방법은, 처리 용기(1)의 내부에 기판(W)을 반입하는 공정 S101을 갖는다. 이 공정 S101에서는, 우선 게이트 밸브(G)가 반송구(15)를 개방한다. 계속해서, 반송 암(10)이, 반송구(15)를 통해, 회전 테이블(2)의 상방에서 대기한다. 이어서, 승강 핀이, 반송 암(10)으로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 회전 테이블(2)의 오목부(24) 내에 적재한다. 반송 암(10)으로부터 회전 테이블(2)로의 기판(W)의 전달은, 회전 테이블(2)을 간헐적으로 회전시키면서, 반복해서 행해진다. 그 결과, 회전 테이블(2)에는, 예를 들어 5매의 기판(W)이 적재된다.
그 후, 게이트 밸브(G)가 반송구(15)를 폐쇄한다. 계속해서, 진공 펌프(64)가 처리 용기(1)의 내부를 배기하고, 처리 용기(1)의 내부의 기압이 설정 기압에 도달하면, 분리 가스 노즐(41, 42)이 N2 가스를 소정의 유량으로 토출함과 함께, 분리 가스 공급관(51)도 N2 가스를 소정의 유량으로 토출한다. 이에 수반하여, 압력 제어기(65)가 처리 용기(1)의 내부의 기압을 설정 기압으로 제어한다. 이어서, 구동부(23)가 회전 테이블(2)을 설정 회전수로 회전시킴과 함께, 히터(7)가 기판(W)을 설정 온도로 가열한다.
이어서, 처리 가스 노즐(31)은 제1 처리 영역(P1)에 실리콘 함유 가스를 공급하고, 처리 가스 노즐(32)은 제2 처리 영역(P2)에 산화용 가스를 공급한다. 또한, 상세하게는 후술하지만, 플라스마 처리 가스 노즐(33)은, 플라스마 처리 영역(P3)에, 착화용 가스와 개질용 가스를 이 순번으로 공급한다. 또한, 상세하게는 후술하지만, 고주파 전원(85)은, 안테나(83)에 고주파 전력을 공급함으로써, 플라스마 처리 영역(P3)에 유도 결합 플라스마를 형성한다.
성막 방법은, 기판(W)이 제1 처리 영역(P1), 제2 처리 영역(P2) 및 플라스마 처리 영역(P3)을 이 순번으로 통과하도록, 회전 테이블(2)을 설정 회전수로 회전시키는 공정 S102를 갖는다.
성막 방법은, 제1 처리 영역(P1)에 있어서, 실리콘 함유 가스를 기판(W)에 흡착시키는 공정 S103을 갖는다. 실리콘 함유 가스로서는, 예를 들어 유기 아미노실란 가스가 사용된다.
성막 방법은, 제2 처리 영역(P2)에 있어서, 산화 실리콘막을 기판(W)에 형성하는 공정 S104를 갖는다. 산화 실리콘막은, 실리콘 함유 가스와 산화용 가스의 반응 생성물이다. 산화용 가스로서는, 예를 들어 오존 가스가 사용된다.
성막 방법은, 플라스마 처리 영역(P3)에 있어서, 산화 실리콘막을 개질하는 공정 S105를 갖는다. 개질용 가스로서는, 예를 들어 아르곤 가스와 산소 가스와 수소 가스의 혼합 가스가 사용된다. 개질용 가스는, 플라스마화되어, 산화 실리콘막을 개질한다. 예를 들어, 산화 실리콘막으로부터 유기물 등의 불순물이 방출된다. 또한, 산화 실리콘막의 원소가 재배열되어, 산화 실리콘막의 치밀화(고밀도화)가 진행된다. 또한, 플라스마화된 산소 가스에 의해, 제2 처리 영역(P2)에서 미산화의 실리콘 함유 가스가 산화된다. 개질용 가스가 산소 가스에다가 수소 가스를 포함하는 경우, 산화 실리콘막의 표면에 OH기가 형성된다. OH기는, 차회의 공정 S103에 있어서, 실리콘 함유 가스의 흡착 사이트의 역할을 한다.
산화 실리콘막의 막 두께가 목표 두께 미만인 경우(공정 S106, 아니오), 제어부(100)는 공정 S102 이후의 처리를 다시 실시한다. 산화 실리콘막의 막 두께가 목표 두께인지 여부는, 처리 시간 등에 기초하여 판단된다. 한편, 산화 실리콘막의 막 두께가 목표 두께인 경우(공정 S106, 예), 제어부(100)는 공정 S107의 처리를 실시한다.
성막 방법은, 처리 용기(1)의 외부로 기판(W)을 반출하는 공정 S107을 갖는다. 이 공정 S107에서는, 우선 게이트 밸브(G)가 반송구(15)를 개방한다. 계속해서, 반송 암(10)이, 반송구(15)를 통해, 회전 테이블(2)의 상방에서 대기한다. 이어서, 승강 핀이, 회전 테이블(2)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 반송 암(10)에 전달한다. 회전 테이블(2)로부터 반송 암(10)으로의 기판(W)의 전달은, 회전 테이블(2)을 간헐적으로 회전시키면서, 반복해서 행해진다.
도 9는, 일 실시 형태에 관한 플라스마를 발생시키는 공정을 도시하는 흐름도이다. 플라스마를 발생시키는 공정은, 예를 들어 도 9에 도시한 바와 같이, 하기의 공정 S201 내지 S206을 갖는다. 하기의 공정 S201 내지 S206은, 도 8에 도시하는 기판(W)의 반입(공정 S101) 후, 산화 실리콘막의 성막(공정 S103 내지 S105)의 개시 전에, 제어부(100)에 의한 제어 하에서 실시된다. 하기의 공정 S201 내지 S206에서는, 회전 테이블(2)은, 설정 회전수로 계속해서 회전한다. 또한, 하기의 공정 S201 내지 S206에서는, 처리 용기(1)의 내부의 기압은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 2Torr로 유지된다.
착화용 가스의 공급(공정 S201)에서는, 플라스마 처리 가스 노즐(33)이 플라스마 처리 영역(P3)에 착화용 가스를 공급한다. 착화용 가스는, 희가스와, 희가스로의 첨가에 의해 패닝 효과를 발생시키는 첨가 가스를 포함한다. 패닝 효과에 의해, 플라스마의 착화(생성)에 필요로 하는 고주파 전원(85)의 출력 전력을 저감시킬 수 있다. 저에너지의 플라스마를 생성할 수 있고, 플라스마에 의한 기판(W)의 대미지를 저감시킬 수 있다.
예를 들어, 착화용 가스는, 희가스로서 아르곤(Ar) 가스를 포함하고, 첨가 가스로서 암모니아(NH3) 가스를 포함한다. 아르곤 가스의 유량은 예를 들어 15slm이고, 암모니아 가스의 유량은 예를 들어 50sccm이다.
또한, 희가스와 첨가 가스의 조합은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 착화용 가스는, 희가스로서 헬륨(He) 가스를 포함하고, 첨가 가스로서 아르곤 가스, 질소 가스 또는 암모니아 가스를 포함해도 된다.
1회째의 출력 전력의 상승(공정 S202)에서는, 제어부(100)가 고주파 전원(85)의 출력 전력을 제1 설정값으로 높인다. 제1 설정값은, 착화용 가스를 플라스마화할 수 있도록, 착화용 가스의 종류에 따라 결정된다. 제1 설정값은, 예를 들어 1000W이다.
첨가 가스의 공급 정지(공정 S203)와, 2회째의 출력 전력의 상승(공정 S204)은, 처리 시간의 단축을 위해, 즉, 생산성의 향상을 위해, 동시에 행해진다. 첨가 가스의 공급 정지(공정 S203)와, 2회째의 출력 전력의 상승(공정 S204)은, 완전히 동시에 행해지지 않아도 되고, 부분적으로 동시에 행해져도 된다.
또한, 첨가 가스의 공급 정지(공정 S203)와, 2회째의 출력 전력의 상승(공정 S204)은, 어느 쪽이 먼저 행해져도 된다. 이 경우, 첨가 가스의 공급 정지(공정 S203)가 먼저 행해져도 되고, 2회째의 출력 전력의 상승(공정 S204)이 먼저 행해져도 된다.
첨가 가스의 공급 정지(공정 S203)에서는, 유량 제어기(124)가 첨가 가스인 암모니아 가스의 유량을 50sccm으로부터 0sccm으로 낮춘다. 그 소요 시간은, 예를 들어 1초 정도이다. 암모니아 가스의 공급을 정지함으로써, 암모니아 가스에 의한 산화 실리콘막의 질화를 억제할 수 있다.
첨가 가스의 공급 정지(공정 S203) 후에도, 플라스마가 실화(소실)되는 경우는 없다. 플라스마 처리 영역(P3)에는, 첨가 가스가 약간 잔류하고 있기 때문이다. 또한, 고주파 전원(85)의 출력 전력이 제1 설정값으로부터 제2 설정값으로 높여지기 때문이다.
2회째의 출력 전력의 상승(공정 S204)에서는, 제어부(100)가 고주파 전원(85)의 출력 전력을 제1 설정값으로부터 제2 설정값으로 높인다. 이로써, 고주파 전원(85)으로부터 정합기(84)를 통해 안테나(83)로 공급되는 전력이 상승한다. 제2 설정값은, 플라스마화된 개질용 가스로 산화 실리콘막을 충분히 개질할 수 있도록 결정된다. 제2 설정값은, 예를 들어 4000W이다.
그런데, 정합기(84)는, 가변 용량 콘덴서와, 가변 용량 콘덴서의 용량을 변화시키는 모터를 포함한다. 모터는, 고주파 전원(85)의 출력 임피던스와 안테나(83)의 입력 임피던스가 정합하도록, 가변 용량 콘덴서의 용량을 변화시킨다.
도 10은, 2회째의 출력 전력의 상승에 필요로 하는 소요 시간과, 반사파의 크기의 관계의 실험 데이터의 일례를 도시하는 도면이다. 소요 시간이 짧고, 고주파 전원(85)의 출력 전력이 급격하게 변화되면, 가변 용량 콘덴서의 용량의 변화가 따라 붙지 않고, 반사파가 발생하여, 고주파 전원(85)의 출력 전력의 일부밖에 안테나(83)에 공급되지 않는다.
그래서, 제어부(100)는, 2회째의 출력 전력의 상승(공정 S204)을, 0.5초 이상 2초 이하의 시간에서 실시한다. 공정 S204의 소요 시간이 0.5초 이상이면, 반사파의 크기를 작게 할 수 있어, 플라스마의 실화를 억제할 수 있다. 또한, 공정 S204의 소요 시간이 2초 이하이면, 처리 시간이 짧아, 생산성이 양호하다. 공정 S204의 소요 시간이 2초를 초과하여 길어져도, 반사파의 저감 폭은 약간이다.
개질용 가스로의 전환(공정 S205)과, 안테나(83)의 경사(공정 S206)는, 처리 시간의 단축을 위해, 즉, 생산성 향상을 위해, 동시에 행해진다. 개질용 가스로의 전환(공정 S205)과, 안테나(83)의 경사(공정 S206)는, 완전히 동시에 행해지지 않아도 되고, 부분적으로 동시에 행해져도 된다.
또한, 개질용 가스로의 전환(공정 S205)과, 안테나(83)의 경사(공정 S206)는, 동시에 행해지지 않아도 된다. 이 경우, 개질용 가스로의 전환(공정 S205)이 먼저 행해진다. 안테나(83)의 경사(공정 S206)는, 안테나(83)의 입력 임피던스를 변화시키므로 플라스마의 실화를 초래하는 경우가 있다. 그 때문에, 안테나(83)의 경사(공정 S206)는, 2회째의 출력 전력의 상승(공정 S204) 이후에 행한다. 출력 전력이 제2 설정값으로 상승 완료되면, 안테나(83)의 경사에 따라 안테나(83)의 입력 임피던스가 변화되어도, 실화의 리스크가 낮기 때문이다.
개질용 가스로의 전환(공정 S205)에서는, 플라스마 처리 영역(P3)에서 플라스마화되는 가스를 개질용 가스로 전환한다. 구체적으로는, 유량 제어기(124)가, 플라스마 처리 가스 노즐(33)로부터 토출되는 가스의 종류를, 개질용 가스로 전환한다. 예를 들어, 유량 제어기(124)는, 산소 가스의 유량을 0sccm으로부터 150sccm으로 증가시킴과 함께, 수소 가스의 유량을 0sccm으로부터 100sccm으로 증가시킨다. 유량 제어기(124)는, 아르곤 가스의 유량을 15slm으로 유지한다.
안테나(83)의 경사(공정 S206)에서는, 경사 기구(70)가, 안테나(83)의 회전 중심선(2Z)과는 반대측의 단부(83b)의 높이를 유지하면서, 안테나(83)의 회전 중심선(2Z)측의 단부(83a)를 들어 올린다. 안테나(83)의 하면은, 회전 중심선(2Z)에 가까울수록 상방으로 경사진다. 안테나(83)와 기판(W)의 거리는, 회전 중심선(2Z)에 가까울수록 커진다.
안테나(83)와 기판(W)의 거리가 커질수록, 기판(W)에 도달할 때까지의 자계 성분의 감쇠량이 크다. 따라서, 기판(W)의 면 내에 있어서, 회전 중심선(2Z)측의 단부는, 회전 중심선(2Z)과는 반대측의 단부에 비해, 플라스마의 강도가 약하다. 플라스마의 강도 분포에 의해 플라스마에 노출되는 시간의 차를 메울 수 있어, 기판(W)의 면 내를 균일하게 플라스마 처리할 수 있다.
도 11은, 안테나의 회전 중심선측의 단부를 들어 올리는 속도와, 반사파의 크기의 관계의 실험 데이터의 일례를 도시하는 도면이다. 안테나(83)의 회전 중심선(2Z)측의 단부(83a)를 급격하게 들어 올리면, 안테나(83)의 입력 임피던스가 급격하게 변화되어 버린다. 그렇게 하면, 가변 용량 콘덴서의 용량의 변화가 따라붙지 않아, 큰 반사파가 발생하고, 고주파 전원(85)의 출력 전력의 일부밖에 안테나(83)에 공급되지 않는다.
제어부(100)는, 안테나(83)의 회전 중심선(2Z)측의 단부(83a)를 들어 올리는 속도를, 8㎜/초 이상 12㎜/초 이하로 제어한다. 들어 올리는 속도가 12㎜/초 이하이면, 반사파의 크기를 작게 할 수 있어, 플라스마의 실화를 억제할 수 있다. 들어 올리는 속도가 8㎜/초 이상이면, 처리 시간이 짧아, 생산성이 양호하다.
이상, 본 개시에 관한 성막 방법의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태 등에 한정되지 않는다. 특허 청구범위에 기재된 범주 내에 있어서, 각종 변경, 수정, 치환, 부가, 삭제 및 조합이 가능하다. 그것들에 대해서도 당연히 본 개시의 기술적 범위에 속한다.
예를 들어, 성막하는 막은, 산화 실리콘막에 한정되지는 않는다. 산화 실리콘막 이외의 산화 금속막이어도 된다. 또한, 성막하는 막은, 질화 금속막이어도 된다.
또한, 착화용 가스와 치환되는 성막용 가스는, 개질용 가스에 한정되지는 않는다. 성막용 가스는, 플라스마화되는 것이면 되고, 예를 들어 산화용 가스 또는 질화용 가스여도 된다.
기판(W)은, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판에는 한정되지 않고, 유리 기판 등이어도 된다.

Claims (9)

  1. 회전 테이블과 함께 회전하는 기판이 통과하는 플라스마 처리 영역에, 희가스와, 당해 희가스로의 첨가에 의해 패닝 효과를 발생시키는 첨가 가스를 포함하는 착화용 가스를 공급하는 공정과,
    상기 플라스마 처리 영역에 유도 자계를 형성하는 안테나에 정합기를 거쳐 전기적으로 접속되는 고주파 전원의 출력 전력을 제1 설정값으로 높여, 상기 착화용 가스를 플라스마화하는 공정과,
    상기 고주파 전원의 출력 전력을 상기 제1 설정값으로부터 제2 설정값으로 높이는 공정과,
    상기 착화용 가스의 플라스마화 후에, 상기 플라스마 처리 영역으로의 상기 첨가 가스의 공급을 정지하는 공정과,
    상기 고주파 전원의 출력 전력이 상기 제2 설정값으로 상승한 후이고 또한 상기 첨가 가스의 공급이 정지한 후에, 상기 플라스마 처리 영역에서 플라스마화되는 가스를, 상기 기판에 막을 형성하는 데 사용하는 성막용 가스로 전환하는 공정과,
    상기 고주파 전원의 출력 전력이 상기 제2 설정값으로 상승한 후에, 상기 안테나의 회전 중심선과는 반대측의 단부의 높이를 유지하면서 상기 안테나의 상기 회전 중심선측의 단부를 들어 올리는 공정을 갖는, 성막 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 안테나의 상기 회전 중심선측의 단부를 들어 올리는 속도가, 8㎜/초 이상 12㎜/초 이하인, 성막 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고주파 전원의 출력 전력을 상기 제1 설정값으로부터 상기 제2 설정값으로 높이는 시간이, 0.5초 이상 2초 이하인, 성막 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고주파 전원의 출력 전력을 상기 제1 설정값으로부터 상기 제2 설정값으로 높이는 공정과, 상기 첨가 가스의 공급을 정지하는 공정이 동시에 행해지는, 성막 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 성막용 가스로 전환하는 공정과, 상기 안테나의 상기 회전 중심선측의 단부의 높이를 높이는 공정이 동시에 행해지는, 성막 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판이 제1 처리 영역, 제2 처리 영역 및 상기 플라스마 처리 영역을 이 순번으로 통과하도록, 상기 기판을 보유 지지하는 상기 회전 테이블을 회전시키는 공정과,
    상기 제1 처리 영역에서, 제1 처리 가스를 상기 기판에 흡착시키는 공정과,
    상기 제2 처리 영역에서, 상기 제1 처리 가스와 제2 처리 가스의 반응 생성물의 막을 상기 기판에 형성하는 공정과,
    상기 플라스마 처리 영역에서, 플라스마화된 개질용 가스에 의해 상기 반응 생성물의 막을 개질하는 공정을 갖고,
    상기 성막용 가스는, 상기 개질용 가스인, 성막 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 처리 가스는, 실리콘 함유 가스이고,
    상기 제2 처리 가스는, 상기 기판에 흡착된 실리콘 함유 가스를 산화하는 산화용 가스이고,
    상기 반응 생성물은, 산화 실리콘막인, 성막 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 개질용 가스는, 희가스와, 산소 가스와, 수소 가스를 포함하는, 성막 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 착화용 가스는, 상기 희가스로서 아르곤 가스를 포함하고, 상기 첨가 가스로서 암모니아 가스를 포함하는, 성막 방법.
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