KR102657119B1 - Lighting apparatus for stepper - Google Patents
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- 210000001316 polygonal cell Anatomy 0.000 claims abstract description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 69
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 14
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 2
- -1 white resist Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L Zinc carbonate Chemical compound [Zn+2].[O-]C([O-])=O FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910000010 zinc carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011667 zinc carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000004416 zinc carbonate Nutrition 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
실시 예는, 노광기용 조명 장치에 관한 것으로, 다수의 다각형 셀 영역을 갖는 회로 기판과, 회로 기판의 다각형 셀 영역에 각각 형성되는 다수의 금속 패드들과, 회로 기판의 다각형 셀 영역에 대응되어 배치되고 금속 패드에 전기적으로 연결되는 발광 소자 패키지를 포함하고, 회로 기판은, 다수의 단위 기판으로 분리되고, 단위 기판의 에지(edge)는, 평면상에서, 제1 방향을 따라 다수의 변곡부를 포함하는 제1 요철 형상을 가지고, 제2 방향을 따라 다수의 변곡부를 포함하는 제2 요철 형상을 가질 수 있다.The embodiment relates to a lighting device for an exposure machine, which includes a circuit board having a plurality of polygonal cell areas, a plurality of metal pads formed respectively in the polygonal cell areas of the circuit board, and disposed to correspond to the polygonal cell areas of the circuit board. and a light emitting device package electrically connected to a metal pad, wherein the circuit board is divided into a plurality of unit substrates, and an edge of the unit substrate includes a plurality of inflection portions along a first direction in a plane. It may have a first concave-convex shape and a second concave-convex shape including a plurality of bends along the second direction.
Description
실시 예는 노광기용 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a lighting device for an exposure machine.
일반적으로, 디스플레이 및 반도체 분야에서 요구되는 UV 파장 노광기는, 매우 높은 광량과 균일도를 요구한다.In general, UV wavelength exposure machines required in the display and semiconductor fields require very high light quantity and uniformity.
이러한 이유로, 최근 UV 파장 노광기는, 기존의 UV 램프 광원을 UV LED 광원으로 대체하고 있다.For this reason, recent UV wavelength exposure machines are replacing existing UV lamp light sources with UV LED light sources.
UV LED 광원을 노광기에 적용하기 위해서는, UV LED 패키지들 사이의 간격을 최소화하여 밀집화된 배치가 필요하다.In order to apply a UV LED light source to an exposure machine, a dense arrangement is required by minimizing the gap between UV LED packages.
대형 노광기에 적용되는 조명 장치는, 약 5000개 정도의 UV LED가 배치되는 광원이 필요하다.A lighting device applied to a large exposure machine requires a light source in which approximately 5,000 UV LEDs are arranged.
하지만, 일반적인 구조의 UV LED는, 기존 UV 램프보다 광량이 저하되는 단점이 있으므로, 최근에는 6각형 모양인 헥사(Hexa) 구조와 같이 다각형 UV LED 패키지 적용을 검토하고 있다.However, UV LEDs with a general structure have the disadvantage of lower light intensity than existing UV lamps, so the application of polygonal UV LED packages such as the hexagonal hexa structure is currently being considered.
그러나, 다각형 UV LED 패키지를 적용하여 회로 기판 설계를 하기 위해서는, 많은 기술적인 어려움이 존재한다.However, there are many technical difficulties in designing a circuit board by applying a polygonal UV LED package.
먼저, 약 5,000개의 다각형 UV LED 패키지를 1장의 회로 기판에 실장할 경우, 공정 난이도가 높아지고 수율이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.First, when mounting approximately 5,000 polygonal UV LED packages on one circuit board, problems may arise such as increased process difficulty and reduced yield.
또한, 다각형 UV LED 패키지들 사이에는, 불필요한 빈 공간이 존재함으로써, 회로 기판의 손실 영역으로 작용하여 공간 낭비를 초래하게 되고, 이로 인해 전체적인 광량이 저하되고 광 집적도도 저하되는 문제가 발생할 수 있다.In addition, unnecessary empty space exists between polygonal UV LED packages, which acts as a loss area on the circuit board, resulting in waste of space, which may cause problems such as lowering the overall light amount and reducing light integration.
따라서, 다각형 UV LED 패키지들의 고밀도 배치가 가능하면서도 광량의 균일도를 높일 수 있는 노광기용 조명 장치의 개발이 요구되고 있다.Therefore, there is a need for the development of a lighting device for an exposure machine that can enable high-density arrangement of polygonal UV LED packages and increase uniformity of light amount.
실시 예는, 다수의 다각형 셀 영역을 갖는 회로 기판이 다수의 단위 기판으로 분리되고, 단위 기판의 에지가 다수의 변곡부를 포함하는 요철 형상을 가지도록 형성됨으로써, 발광 소자 패키지들의 고밀도 배치가 가능하면서도 회로 배선이 연결이 수월하며, 광량의 균일도를 높일 수 있는 노광기용 조명 장치를 제공한다.In an embodiment, a circuit board having a plurality of polygonal cell areas is divided into a plurality of unit boards, and the edges of the unit boards are formed to have a concavo-convex shape including a plurality of inflection portions, thereby enabling high-density arrangement of light emitting device packages. Provides a lighting device for an exposure machine that allows easy circuit wiring connection and increases the uniformity of light quantity.
실시 예에 따른 노광기용 조명 장치는, 다수의 다각형 셀 영역을 갖는 회로 기판과, 회로 기판의 다각형 셀 영역에 각각 형성되는 다수의 금속 패드들과, 회로 기판의 다각형 셀 영역에 대응되어 배치되고 금속 패드에 전기적으로 연결되는 발광 소자 패키지를 포함하고, 회로 기판은, 다수의 단위 기판으로 분리되고, 단위 기판의 에지(edge)는, 평면상에서, 제1 방향을 따라 다수의 변곡부를 포함하는 제1 요철 형상을 가지고, 제2 방향을 따라 다수의 변곡부를 포함하는 제2 요철 형상을 가질 수 있다.A lighting device for an exposure machine according to an embodiment includes a circuit board having a plurality of polygonal cell areas, a plurality of metal pads respectively formed in the polygonal cell areas of the circuit board, and metal pads disposed to correspond to the polygonal cell areas of the circuit board. A first circuit comprising a light emitting device package electrically connected to a pad, the circuit board is divided into a plurality of unit substrates, and an edge of the unit substrate includes a plurality of bending portions along a first direction in a plane. It may have a concave-convex shape and a second concave-convex shape including a plurality of bends along the second direction.
여기서, 제1, 제2 요철 형상의 변곡부는, 서로 동일한 곡률 반경을 가질 수 있다.Here, the first and second uneven-shaped inflection parts may have the same radius of curvature.
그리고, 제1, 제2 요철 형상은, 서로 다른 요철 형상을 가질 수 있는데, 제1 요철 형상은, 사다리꼴 형상을 가지고, 제2 요철 형상은, 삼각형 형상을 가질 수 있다.And, the first and second uneven shapes may have different uneven shapes. The first uneven shape may have a trapezoidal shape, and the second uneven shape may have a triangular shape.
여기서, 제1 요철 형상이 형성되는 제1 방향은, 제2 요철 형상이 형성되는 제2 방향에 대해 수직할 수 있고, 제1, 제2 요철 형상의 에지를 가지는 단위 기판의 평면 형상은, 사각형일 수 있다.Here, the first direction in which the first concavo-convex shape is formed may be perpendicular to the second direction in which the second concavo-convex shape is formed, and the planar shape of the unit substrate having the edges of the first and second concavo-convex shapes is square. It can be.
경우에 따라, 제1, 제2 요철 형상은, 서로 동일한 요철 형상을 가질 수 있는데, 제1, 제2 요철 형상은, 삼각형 형상을 가질 수 있다.In some cases, the first and second uneven shapes may have the same uneven shape, and the first and second uneven shapes may have a triangular shape.
여기서, 제1 요철 형상이 형성되는 제1 방향은, 제2 요철 형상이 형성되는 제2 방향에 대해 소정 각도 경사질 수 있고, 제1, 제2 요철 형상의 에지를 가지는 단위 기판의 평면 형상은, 삼각형일 수 있다.Here, the first direction in which the first concave-convex shape is formed may be inclined at a predetermined angle with respect to the second direction in which the second concavo-convex shape is formed, and the planar shape of the unit substrate having the edges of the first and second concave-convex shapes is , may be a triangle.
다음, 제1, 제2 요철 형상은, 서로 인접하는 상기 단위 기판들을 연결하기 위한 적어도 하나의 나사 체결부를 포함할 수 있다.Next, the first and second concavo-convex shapes may include at least one screw fastening portion for connecting the unit substrates adjacent to each other.
여기서, 제1 요철 형상은, 인접하는 단위 기판과의 연결을 위해 외부 방향을 향해 돌출되는 철부 형상의 나사 체결부를 포함하고, 제2 요철 형상은, 인접하는 단위 기판과의 연결을 위해 내부 방향을 향해 오목한 요부 형상의 나사 체결부를 포함할 수 있다.Here, the first concavo-convex shape includes a convex-shaped screw fastening portion that protrudes toward the outside for connection to an adjacent unit substrate, and the second concavo-convex shape includes an inward direction for connection to an adjacent unit substrate. It may include a screw fastening part in the shape of a concave concave towards.
또한, 회로 기판은, 평면 형상이 사각형인 다수의 단위 기판이 연결되어 사각형의 평면 형상을 이루거나 또는, 평면 형상이 삼각형인 다수의 단위 기판이 연결되어 육각형의 평면 형상을 이룰 수 있다.In addition, the circuit board may be formed by connecting a plurality of unit substrates having a rectangular planar shape to form a square planar shape, or a plurality of unit boards having a triangular planar shape can be connected to form a hexagonal planar shape.
그리고, 회로 기판은, 평면 형상이 육각형인 다수의 셀 영역을 포함할 수 있다.Additionally, the circuit board may include a plurality of cell regions having a hexagonal planar shape.
다음, 금속 패드는, 단위 기판의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부를 가질 수 있다.Next, the metal pad may have at least one curved portion along a side facing the edge of the unit substrate.
여기서, 금속 패드의 변곡부는, 단위 기판의 변곡부에 대응하여 배치될 수 있는데, 금속 패드의 변곡부는, 단위 기판의 변곡부의 곡률 반경과 동일한 곡률 반경을 가지거나 또는 단위 기판의 변곡부의 곡률 반경보다 더 큰 곡률 반경을 가질 수 있다.Here, the inflection portion of the metal pad may be disposed to correspond to the inflection portion of the unit substrate, and the inflection portion of the metal pad may have a radius of curvature equal to the radius of curvature of the inflection portion of the unit substrate or greater than the radius of curvature of the inflection portion of the unit substrate. It can have a larger radius of curvature.
또한, 금속 패드는, 다각형 셀 영역의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부를 가질 수 있다.Additionally, the metal pad may have at least one inflection portion along a side facing an edge of the polygonal cell area.
여기서, 금속 패드의 변곡부는, 다각형 셀 영역의 꼭지점에 대응하여 배치되는데, 금속 패드의 변곡부는, 단위 기판의 변곡부의 곡률 반경과 동일한 곡률 반경을 가지거나 또는 단위 기판의 변곡부의 곡률 반경보다 더 큰 곡률 반경을 가질 수 있다.Here, the inflection portion of the metal pad is disposed corresponding to the vertex of the polygonal cell area, and the inflection portion of the metal pad has a radius of curvature that is the same as the radius of curvature of the inflection portion of the unit substrate or is larger than the radius of curvature of the inflection portion of the unit substrate. It can have a radius of curvature.
그리고, 금속 패드는, 발광 소자 패키지의 제1, 제2 전극 패드에 각각 전기적으로 연결되는 제1, 제2 배선 패드와, 제1, 제2 배선 패드 사이에 배치되고 발광 소자 패키지의 방열 패드에 연결되는 제3 배선 패드를 포함할 수 있다.In addition, the metal pad is disposed between first and second wiring pads, which are electrically connected to the first and second electrode pads of the light emitting device package, respectively, and the first and second wiring pads, and is connected to the heat dissipation pad of the light emitting device package. It may include a connected third wiring pad.
여기서, 제1, 제2, 제3 배선 패드는, 다각형 셀 영역의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부를 각각 가지고, 제1, 제2, 제3 배선 패드의 변곡부는, 서로 동일한 곡률 반경을 가질 수 있다.Here, the first, second, and third wiring pads each have at least one curved portion along the side facing the edge of the polygonal cell area, and the curved portions of the first, second, and third wiring pads have the same curvature. It can have a radius.
이어, 제1 배선 패드는, 인접하는 다각형 셀 영역의 제2 배선 패드에 회로 배선에 의해 전기적으로 연결되거나 또는, 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드에 회로 배선에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.Subsequently, the first wiring pad may be electrically connected to a second wiring pad in an adjacent polygon cell area by a circuit wire, or may be electrically connected to a first wiring pad in an adjacent polygon cell area by a circuit wire.
경우에 따라, 제2 배선 패드는, 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드에 회로 배선에 의해 전기적으로 연결되거나 또는, 인접하는 다각형 셀 영역의 제2 배선 패드에 회로 배선에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.In some cases, the second wiring pad may be electrically connected to the first wiring pad of an adjacent polygon cell area by a circuit wiring, or may be electrically connected to a second wiring pad of an adjacent polygon cell area by a circuit wiring. there is.
이어, 단위 기판의 에지는, 다각형 셀 영역의 에지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Next, the edge of the unit substrate may be spaced a predetermined distance away from the edge of the polygonal cell area.
또한, 다각형 셀 영역의 에지는, 인접하는 다각형 셀 영역의 에지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Additionally, the edge of a polygonal cell area may be spaced a predetermined distance from the edge of an adjacent polygonal cell area.
또한, 제1 단위 기판의 가장자리 영역에 위치하는 다각형 셀 영역의 에지는, 제1 단위 기판에 인접하여 배치되는 제2 단위 기판의 가장 자리 영역에 위치하는 다각형 셀 영역의 에지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Additionally, the edge of the polygonal cell area located at the edge area of the first unit substrate may be spaced a predetermined distance from the edge of the polygonal cell area located at the edge area of the second unit substrate disposed adjacent to the first unit substrate. there is.
다음, 서로 인접하는 제1 단위 기판의 다각형 셀 영역의 에지와 제2 단위 기판의 다각형 셀 영역의 에지 사이의 이격 거리는, 제1 단위 기판 또는 제2 단위 기판 내에서 서로 인접하는 다각형 셀 영역의 에지들 사이의 이격 거리와 동일할 수 있다.Next, the separation distance between the edges of the adjacent polygonal cell regions of the first unit substrate and the edges of the polygonal cell regions of the second unit substrate is equal to the edges of the polygonal cell regions adjacent to each other within the first unit substrate or the second unit substrate. It may be equal to the separation distance between them.
그리고, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Additionally, the light emitting device package disposed corresponding to the polygonal cell area may be spaced a predetermined distance from the light emitting device package disposed adjacent to it.
또한, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 단위 기판의 에지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Additionally, the light emitting device package disposed corresponding to the polygonal cell area may be spaced a predetermined distance from the edge of the unit substrate.
이어, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지로부터 소정 각도로 회전하여 배치될 수 있다.Next, the light emitting device package disposed corresponding to the polygonal cell area may be rotated at a predetermined angle from the light emitting device package disposed adjacent to it.
경우에 따라, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지의 배치 방향과 동일한 방향으로 배치될 수도 있다.In some cases, the light emitting device package disposed corresponding to the polygonal cell area may be disposed in the same direction as the arrangement direction of the light emitting device package disposed adjacent to it.
다음, 발광 소자 패키지는, 캐비티를 갖는 몸체와, 캐비티 내에 배치되는 발광 칩과, 몸체의 하면에 배치되는 다수의 패드를 포함하고, 다수의 패드는, 발광 칩에 각각 전기적으로 연결되는 제1, 제2 전극 패드와, 제1, 제2 전극 패드 사이에 배치되는 방열 패드를 포함할 수 있다.Next, the light emitting device package includes a body having a cavity, a light emitting chip disposed in the cavity, and a plurality of pads disposed on the lower surface of the body, wherein the plurality of pads are each electrically connected to the light emitting chip. It may include a second electrode pad and a heat dissipation pad disposed between the first and second electrode pads.
여기서, 캐비티를 갖는 몸체의 평면 형상은, 6각형 형상을 가질 수 있다.Here, the planar shape of the body having the cavity may have a hexagonal shape.
실시 예는, 다수의 다각형 셀 영역을 갖는 회로 기판이 다수의 단위 기판으로 분리되고, 단위 기판의 에지가 다수의 변곡부를 포함하는 요철 형상을 가지도록 형성됨으로써, 발광 소자 패키지들의 고밀도 배치가 가능하면서도 회로 배선이 연결이 수월하며, 광량의 균일도를 높일 수 있다.In an embodiment, a circuit board having a plurality of polygonal cell areas is divided into a plurality of unit boards, and the edges of the unit boards are formed to have a concavo-convex shape including a plurality of inflection portions, thereby enabling high-density arrangement of light emitting device packages. Circuit wiring is easy to connect and the uniformity of light quantity can be improved.
도 1은 실시 예에 따른 노광기용 조명 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 회로 기판으로부터 분리되는 단위 기판을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 단위 기판에 형성되는 요철 형상을 보여주는 평면도이다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 노광기용 조명 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 도 4의 회로 기판으로부터 분리되는 단위 기판을 보여주는 평면도이다.
도 6은 회로 기판 에지의 변곡부를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 회로 기판 에지의 변곡부와 금속 패드의 변곡부를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 다각형 셀 영역의 금속 패드의 변곡부를 설명하기 위한 도면이다.
도 9 내지 도 11은 서로 인접하는 다각형 셀 영역의 금속 패드들의 배선 연결을 설명하기 위한 도면이다.
도 12 내지 도 14는 다각형 셀 영역들 사이의 이격 거리 및 다각형 셀 영역과 회로 기판 에지 사이의 이격 거리를 설명하기 위한 도면이다,
도 15는 다각형 셀 영역에 배치되는 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 하부 평면도이다.
도 16은 발광 소자 패키지의 배열 방향을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view for explaining a lighting device for an exposure machine according to an embodiment.
FIG. 2 is a plan view showing a unit board separated from the circuit board of FIG. 1.
FIG. 3 is a plan view showing the uneven shape formed on the unit substrate of FIG. 2.
Figure 4 is a plan view for explaining a lighting device for an exposure machine according to another embodiment.
FIG. 5 is a plan view showing a unit board separated from the circuit board of FIG. 4.
Figure 6 is a diagram for explaining an inflection portion of a circuit board edge.
Figure 7 is a diagram for explaining the inflection part of the edge of the circuit board and the inflection part of the metal pad.
FIG. 8 is a diagram for explaining an inflection portion of a metal pad in a polygonal cell area.
9 to 11 are diagrams for explaining wiring connections of metal pads in adjacent polygonal cell areas.
12 to 14 are diagrams for explaining the separation distance between polygonal cell areas and the separation distance between the polygonal cell area and the edge of the circuit board.
FIG. 15 is a lower plan view illustrating a light emitting device package disposed in a polygonal cell area.
Figure 16 is a plan view for explaining the arrangement direction of the light emitting device package.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention that can specifically realize the above object will be described with reference to the attached drawings.
실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 개의 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment, in the case where each element is described as being formed “on or under”, “on or under” means This includes both elements that are in direct contact with each other or one or more other elements that are formed (indirectly) between the two elements. Additionally, when expressed as "on or under", it can include not only the upward direction but also the downward direction based on one element.
또한, 이하에서 이용되는 “제1” 및 “제2”, “상/상부/위” 및 “하/하부/아래” 등과 같은 관계적 용어들은 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다. 또한 동일한 참조 번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.In addition, relational terms such as “first” and “second”, “top/top/top” and “bottom/bottom/bottom” used below refer to any physical or logical relationship or order between such entities or elements. It does not necessarily require or imply, and may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element. Additionally, the same reference numerals indicate the same elements throughout the description of the drawings.
또한, 이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다", 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 또한 이상에서 기재된 "대응하는" 등의 용어는 "대향하는" 또는 "중첩되는" 의미들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, terms such as “include,” “comprise,” or “have” as used above mean that the corresponding component may be included, unless specifically stated to the contrary, and thus exclude other components. It should be interpreted as being able to include other components. Additionally, terms such as “corresponding” described above may include at least one of the meanings of “opposite” or “overlapping.”
도 1은 실시 예에 따른 노광기용 조명 장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1의 회로 기판으로부터 분리되는 단위 기판을 보여주는 평면도이며, 도 3은 도 2의 단위 기판에 형성되는 요철 형상을 보여주는 평면도이다.FIG. 1 is a plan view for explaining a lighting device for an exposure machine according to an embodiment, FIG. 2 is a plan view showing a unit substrate separated from the circuit board of FIG. 1, and FIG. 3 is a concavo-convex shape formed on the unit substrate of FIG. 2. This is a floor plan showing.
그리고, 도 4는 다른 실시 예에 따른 노광기용 조명 장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 5는 도 4의 회로 기판으로부터 분리되는 단위 기판을 보여주는 평면도이다.Additionally, FIG. 4 is a plan view for explaining a lighting device for an exposure machine according to another embodiment, and FIG. 5 is a plan view showing a unit substrate separated from the circuit board of FIG. 4 .
도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 조명 장치는, 다수의 다각형 셀 영역(110)을 갖는 회로 기판(10), 회로 기판(10)의 다각형 셀 영역(110)에 각각 형성되는 다수의 금속 패드(140)들, 그리고 회로 기판(10)의 다각형 셀 영역(110)에 대응되어 배치되고 금속 패드(140)에 전기적으로 연결되는 발광 소자 패키지(미도시)를 포함할 수 있다.1 to 5, the lighting device according to the embodiment includes a
여기서, 회로 기판(10)은, 다수의 단위 기판(100)으로 분리될 수 있다.Here, the
그 이유는, 많은 수의 발광 소자 패키지를 회로 기판(10) 1장에 실장할 경우, 공정 난이도가 상승하고 수율에 문제가 발생할 수 있지만, 회로 기판(100)을 다수의 단위 기판(100)으로 분리하여 발광 소자 패키지를 단위 기판(100) 별로 실장할 경우, 공정 난이도가 낮아지고 수율이 상승하기 때문이다.The reason is that when mounting a large number of light emitting device packages on one
일 예로, 약 5,000여 개의 발광 소자 패키지를 회로 기판(10) 1판에 실장하게 되면, 공정 난이도 상승 및 수율 문제가 발생할 수 있지만, 각 구역을 분할하여 약 500개 ~ 약 1,000여 개의 발광 소자 패키지로 회로 기판(10)을 다수 개로 블럭화하여 구성하는 것이 유리할 수 있다.For example, if about 5,000 light emitting device packages are mounted on one
하지만, PCB 분할을 시도하는 경우, 기존 4각형 발광 소자 패키지의 경우, 회로 기판(10)의 에지가 맞닿는 영역이 직선이기 때문에 별다른 문제가 발생하지 않을 수 있지만, 헥사 구조와 같이 다각형의 발광 소자 패키지를 적용하는 경우, 회로 기판 에지를 직선으로 만들려고 하면 공간 손실이 발생하는 영역이 발생하기 때문에 효율적이지 못하다.However, when attempting to divide the PCB, in the case of an existing quadrilateral light emitting device package, no particular problem may arise because the area where the edges of the
따라서, 다각형의 발광 소자 패키지를 4각형의 회로 기판(10)에 배치할 경우, 공간 낭비가 발생하여 전체 광량 및 광집적도가 저하될 수 있으므로, 다각형 발광 소자 패키지를 밀도 있게 배치하기 위해서는 회로 기판(10)의 에지를 다른 형태로 가공할 필요가 있다.Therefore, when the polygonal light emitting device package is placed on the
즉, 다각형 발광 소자 패키지를 밀집도 있게 배치하면서 노광기 광량의 균일도를 위해 발광 소자 패키지들 간의 간격을 일정하게 유지시키려면, 회로 기판(10)의 에지를 직선이 아닌 톱니 바퀴 형상으로 가공할 필요가 있다.That is, in order to densely arrange polygonal light emitting device packages and maintain constant spacing between light emitting device packages for uniformity of the light amount of the exposure machine, it is necessary to process the edge of the
이처럼, 다각형 발광 소자 패키지를 밀집시켜 실장하는 경우, 회로 기판(10)의 에지가 톱니 모양으로 돌출하게 된다.In this way, when the polygonal light emitting device packages are densely mounted, the edges of the
노광기는, 매우 높은 수준의 집광이 필요하기 때문에, 성능을 위해 발광 소자 패키지를 최대한 밀집시켜 배치하는 것이 필요하다.Since the exposure machine requires a very high level of light collection, it is necessary to arrange the light emitting device packages as densely as possible for performance.
회로 기판(10)의 에지를 톱니 모양 돌출 가공을 위해서 고려할 사항이 있다.There are things to consider in order to process the edge of the
먼저, 발열 문제를 최소화하기 위해 회로 기판(10)을 메탈 코어 회로 기판(Metal Core PCB)를 적용할 수 있다.First, in order to minimize heat generation problems, the
하지만, 메탈 코어 회로 기판의 에지를 자유 형상으로 가공하기 위해 레이저 컷팅(Laser Cutting) 진행하는 경우, 녹아버린 부분에서 블러(Burr) 현상이 발생할 수 있다.However, when laser cutting is performed to process the edge of a metal core circuit board into a free shape, a burr phenomenon may occur in the melted portion.
따라서, 드릴(Drill)로 회로 기판(10)의 라우팅 공정을 진행하는것이 유리하다.Therefore, it is advantageous to perform the routing process of the
회로 기판(10)의 에지를 톱니 모양으로 드릴로 가공하기 위해서는, 설계 단계에서 하기 2가지 사항을 고려하여 설계하는 것이 필요하다.In order to drill the edge of the
먼저, 드릴을 통해 회로 기판(10)의 에지를 톱니 모양으로 가공하기 위해 모따기 적용이 필요하는데, 모따기 사이즈는, 드릴 사이즈에 비례할 수 있다.First, a chamfer needs to be applied to process the edge of the
일 예로, 회로 기판(10)의 에지 가공 시, 지름 2 파이 드릴을 적용하는 경우, 모따기 사이즈는, 모든 변곡부에 대해 약 1R(반지름 약 1mm) 적용할 수 있다.For example, when processing the edge of the
또한, 광 밀집도를 높이기 위해서는, 발광 소자 패키지를 최대한 촘촘하게 배치하는 것이 필요하다.Additionally, in order to increase light density, it is necessary to arrange the light emitting device packages as closely as possible.
하지만, 대형 사이즈 노광기를 제작하는 경우, 회로 기판(10) 1판으로 제작하는 것이 난해한 경우가 있기 때문에, 회로 기판(10)을 블럭(Block)화 제작하는 것이 필요하다.However, when manufacturing a large-sized exposure machine, it may be difficult to manufacture the
여기서, 회로 기판의 블럭화의 최대 난제는, 회로 기판 에지의 공정 마진 확보이다.Here, the biggest challenge in blocking the circuit board is securing the process margin at the edge of the circuit board.
공정 마진을 크게 확보하는 경우, 발광 조사 패키지들 간의 이격 거리가 틀어질 수 있고, 이는 노광기의 성능 저하로 이어질 수 있다.If a large process margin is secured, the separation distance between the light emitting irradiation packages may vary, which may lead to a decrease in the performance of the exposure machine.
따라서, 최소한의 공정 마진을 유지하는 것이 필요하며, 이를 위해서는 회로 기판(10)의 금속 패드(140) 설계를 회로 기판 에지의 모따기와 맞춤 설계가 필요하다.Therefore, it is necessary to maintain a minimum process margin, and for this, the design of the
즉, 회로 기판(10)의 금속 패드의 변곡부 부분에도, 회로 기판 에지와 동일하게 모따기 1R 적용이 필요하다.In other words, the same chamfering 1R as the circuit board edge needs to be applied to the inflection portion of the metal pad of the
이러한 이유로 인하여, 실시 예에서, 단위 기판(100)의 에지(edge)는, 평면상에서, 제1 방향을 따라 다수의 변곡부를 포함하는 제1 요철 형상(120)을 가지고, 제2 방향을 따라 다수의 변곡부를 포함하는 제2 요철 형상(130)을 가질 수 있다.For this reason, in the embodiment, the edge of the
여기서, 단위 기판(100)의 에지가 요철 형상을 가지는 이유는, 다각형 구조의 발광 소자 패키지를 최대로 밀집하여 배치할 수 있기 때문이다.Here, the reason why the edge of the
이어, 제1, 제2 요철 형상(120, 130)의 변곡부는, 서로 동일한 곡률 반경을 가질 수 있다.Next, the inflection portions of the first and second
그 이유는, 다각형 구조의 발광 소자 패키지를 최대로 밀집하여 배치하기 위하여 공정 마진이 필요하기 때문이다.The reason is that a process margin is required to arrange the polygonal light emitting device packages as densely as possible.
일 예로, 곡률 반경은, 약 0.5mm ~ 약 1.5mm일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.As an example, the radius of curvature may be about 0.5 mm to about 1.5 mm, but is not limited thereto.
경우에 따라, 제1, 제2 요철 형상(120, 130)은, 서로 다른 요철 형상을 가질 수 있다.In some cases, the first and second
일 예로, 도 5와 같이, 제1 요철 형상(120)은, 사다리꼴 형상을 가지고, 제2 요철 형상(130)은, 삼각형 형상을 가질 수도 있다.For example, as shown in FIG. 5 , the first
여기서, 제1 요철 형상(120)이 형성되는 제1 방향은, 제2 요철 형상(130)이 형성되는 제2 방향에 대해 수직할 수 있다.Here, the first direction in which the first
그리고, 제1, 제2 요철 형상(120, 130)의 에지를 가지는 단위 기판(100)의 평면 형상은, 사각형일 수 있다.Additionally, the planar shape of the
다른 경우로서, 도 3과 같이, 제1, 제2 요철 형상(120, 130)은, 서로 동일한 요철 형상을 가질 수도 있다.In another case, as shown in FIG. 3, the first and second
일 예로, 제1, 제2 요철 형상(120, 130)은, 삼각형 형상을 가질 수 있다.As an example, the first and second
여기서, 제1 요철 형상(120)이 형성되는 제1 방향은, 제2 요철 형상(130)이 형성되는 제2 방향에 대해 소정 각도 경사질 수 있다.Here, the first direction in which the first
일 예로, 소정 각도는, 약 10도 ~ 약 80도일 수 있는데 이에 제한되지는 않는다.For example, the predetermined angle may be about 10 degrees to about 80 degrees, but is not limited thereto.
그리고, 제1, 제2 요철 형상(120, 130)의 에지를 가지는 단위 기판(100)의 평면 형상은, 삼각형일 수 있다.Additionally, the planar shape of the
또한, 도 3과 같이, 제1, 제2 요철 형상(120, 130)은, 서로 인접하는 단위 기판(100)들을 연결하기 위한 적어도 하나의 나사 체결부(150)를 포함할 수 있다.Additionally, as shown in FIG. 3 , the first and second
일 예로, 제1 요철 형상(120)은, 인접하는 단위 기판(100)과의 연결을 위해 외부 방향을 향해 돌출되는 철부 형상의 제1 나사 체결부(152)를 포함하고, 제2 요철 형상(130)은, 인접하는 단위 기판(100)과의 연결을 위해 내부 방향을 향해 오목한 요부 형상의 제2 나사 체결부(154)를 포함할 수 있다.As an example, the first concavo-
그리고, 단위 기판(100)의 꼭지점 영역에는, 제3 나사 체결부(156)를 더 포함할 수 있다.Additionally, a third
여기서, 제1, 제2 나사 체결부(152, 154)는, 나사홀을 1/2만 생성하여 1개의 나사로 2개의 단위 기판(100)을 체결할 수 있다.Here, the first and second
그리고, 제3 나사 체결부(156)는, 나사홀을 1/6만 생성하여 1개의 나사로 6개의 단위 기판(100)을 체결할 수 있다.In addition, the third
이처럼, 회로 기판(10)을 단위 기판(100)으로 블럭화 설계 시, 발광 소자 패키지들 간의 갭(Gap)이 충분히 넓거나 균일도(Uniformity)가 크게 중요하지 않은 경우, 나사 배치는 비교적 자율적으로 진행할 수 있다.In this way, when designing the
하지만, UV LED 노광기의 경우, 절대적인 광량이 충분하지 않기 때문에 발광 소자 패키지들간의 갭(Gap)은, 최소한으로 유지하고 균일도(Uniformity)는 최대한 높은 수준을 유지할 필요가 있다.However, in the case of a UV LED exposure machine, since the absolute amount of light is not sufficient, the gap between light emitting device packages needs to be kept to a minimum and uniformity needs to be maintained at the highest level possible.
이로 인해, 회로 기판(PCB)와 LCP(Liquid Cooling Plate)를 고정 및 방열 성능 향상을 위해 밀착시켜주는 나사 개수 또한 최소한으로 유지해야 한다.For this reason, the number of screws that tightly adhere the circuit board (PCB) and LCP (Liquid Cooling Plate) to improve fixation and heat dissipation performance must be kept to a minimum.
이를 위해, 나사를 회로 기판의 에지에 배치하는 방안도 고려할 필요성이 있다.To this end, it is necessary to consider placing screws on the edge of the circuit board.
예를 들어, 6 조각으로 PCB를 분할하는 경우, 정중앙 위치의 나사 1개로 6개의 PCB를 눌러주어서 LCP와 이격 없이 밀착되도록 할 수 있다.For example, when dividing a PCB into 6 pieces, you can press the 6 PCBs with one screw at the center position so that they are in close contact with the LCP without separation.
또한, 2개 PCB의 접선 부분의 나사 1개를 통해 2개 PCB를 모두 눌러주어서 LCP와 이격 없이 밀착시키는 방안도 가능하다.In addition, it is also possible to press both PCBs together through one screw on the tangential part of the two PCBs so that they are in close contact with the LCP without separation.
한편, 회로 기판(10)은, MCPCB(Metal Core PCB)일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.Meanwhile, the
이어, 회로 기판(10)은, 도 4 및 도 5와 같이, 평면 형상이 사각형인 다수의 단위 기판이 연결되어 사각형의 평면 형상을 이루거나 또는, 도 1 및 도 2와 같이, 평면 형상이 삼각형인 다수의 단위 기판이 연결되어 육각형의 평면 형상을 이룰 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.Next, the
그리고, 회로 기판(10)은, 평면 형상이 육각형인 다수의 셀 영역(110)을 포함할 수 있다.Additionally, the
다음, 금속 패드(140)는, 단위 기판(100)의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부를 가질 수 있다.Next, the
여기서, 금속 패드(140)의 변곡부는, 단위 기판(100)의 변곡부에 대응하여 배치될 수 있다.Here, the curved portion of the
일 예로, 금속 패드(140)의 변곡부는, 단위 기판(100)의 변곡부의 곡률 반경과 동일한 곡률 반경을 가질 수 있다.For example, the curved portion of the
금속 패드(140)의 변곡부의 곡률 반경은, 약 0.5mm ~ 약 1.5mm일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.The radius of curvature of the inflection portion of the
경우에 따라, 금속 패드(140)의 변곡부는, 단위 기판(100)의 변곡부의 곡률 반경보다 더 큰 곡률 반경을 가질 수 있다.In some cases, the curved portion of the
여기서, 금속 패드(140)는, 다각형 셀 영역(110)의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부를 가질 수 있다.Here, the
그리고, 금속 패드(140)의 변곡부는, 다각형 셀 영역(110)의 꼭지점에 대응하여 배치될 수 있다.Additionally, the inflection portion of the
이어, 금속 패드(140)의 변곡부는, 단위 기판(100)의 변곡부의 곡률 반경과 동일한 곡률 반경을 가질 수도 있다.Next, the curved portion of the
여기서, 금속 패드(140)의 변곡부의 곡률 반경은, 약 0.5mm ~ 약 1.5mm일 수 있다.Here, the radius of curvature of the inflection portion of the
경우에 따라, 금속 패드(140)의 변곡부는, 단위 기판(100)의 변곡부의 곡률 반경보다 더 큰 곡률 반경을 가질 수도 있다.In some cases, the curved portion of the
또한, 금속 패드(140)는, 발광 소자 패키지의 제1, 제2 전극 패드에 각각 전기적으로 연결되는 제1, 제2 배선 패드와, 제1, 제2 배선 패드 사이에 배치되고 발광 소자 패키지의 방열 패드에 연결되는 제3 배선 패드를 포함할 수 있다.In addition, the
여기서, 제1, 제2, 제3 배선 패드는, 다각형 셀 영역의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부를 각각 가지고, 제1, 제2, 제3 배선 패드의 변곡부는, 서로 동일한 곡률 반경을 가질 수 있다.Here, the first, second, and third wiring pads each have at least one curved portion along the side facing the edge of the polygonal cell area, and the curved portions of the first, second, and third wiring pads have the same curvature. It can have a radius.
그리고, 제3 배선 패드는, 인접하는 제1 배선 패드 또는 제2 배선 패드로부터 소정 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.Additionally, the third wiring pad may be arranged to be spaced apart from the adjacent first or second wiring pad at a predetermined interval.
이어, 제3 배선 패드는, 제1 배선 패드 또는 제2 배선 패드의 면적보다 더 큰 면적을 가질 수 있다.Next, the third wiring pad may have a larger area than the area of the first or second wiring pad.
또한, 제1 배선 패드는, 인접하는 다각형 셀 영역(110)의 제2 배선 패드에 회로 배선에 의해 전기적으로 연결되거나 또는, 인접하는 다각형 셀 영역(110)의 제1 배선 패드에 회로 배선에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the first wiring pad is electrically connected to the second wiring pad of the adjacent
여기서, 회로 배선은, 제1 배선 패드의 장변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제2 배선 패드의 장변 또는 제1 배선 패드의 장변에 전기적으로 연결될 수 있다.Here, the circuit wiring may be electrically connected to the long side of the second wiring pad or the long side of the first wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the long side of the first wiring pad.
다른 경우로서, 회로 배선은, 제1 배선 패드의 단변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제2 배선 패드의 단변 또는 제1 배선 패드의 단변에 전기적으로 연결될 수도 있다.In another case, the circuit wiring may be electrically connected to the short side of the second wiring pad or the short side of the first wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the short side of the first wiring pad.
또 다른 경우로서, 회로 배선은, 제1 배선 패드의 장변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제2 배선 패드의 단변 또는 제1 배선 패드의 단변에 전기적으로 연결될 수 있다.As another case, the circuit wiring may be electrically connected to the long side of the first wiring pad and the short side of the second wiring pad or the short side of the first wiring pad in the adjacent polygonal cell area.
또 다른 경우로서, 회로 배선은, 제1 배선 패드의 단변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제2 배선 패드의 장변 또는 제1 배선 패드의 장변에 전기적으로 연결될 수 있다.As another case, the circuit wiring may be electrically connected to the long side of the second wiring pad or the long side of the first wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the short side of the first wiring pad.
그리고, 제2 배선 패드는, 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드에 회로 배선에 의해 전기적으로 연결되거나 또는, 인접하는 다각형 셀 영역의 제2 배선 패드에 상기 회로 배선에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second wiring pad may be electrically connected to the first wiring pad of an adjacent polygon cell area by a circuit wire, or may be electrically connected to a second wiring pad of an adjacent polygon cell area by the circuit wire. .
여기서, 회로 배선은, 제2 배선 패드의 장변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드의 장변 또는 제2 배선 패드의 장변에 전기적으로 연결될 수 있다.Here, the circuit wiring may be electrically connected to the long side of the first wiring pad or the long side of the second wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the long side of the second wiring pad.
다른 경우로서, 회로 배선은, 제2 배선 패드의 단변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드의 단변 또는 제2 배선 패드의 단변에 전기적으로 연결될 수 있다.As another case, the circuit wiring may be electrically connected to the short side of the first wiring pad or the short side of the second wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the short side of the second wiring pad.
또 다른 경우로서, 회로 배선은, 제2 배선 패드의 장변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드의 단변 또는 제2 배선 패드의 단변에 전기적으로 연결될 수 있다.As another case, the circuit wiring may be electrically connected to the short side of the first wiring pad or the short side of the second wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the long side of the second wiring pad.
또 다른 경우로서, 회로 배선은, 제2 배선 패드의 단변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드의 장변 또는 제2 배선 패드의 장변에 전기적으로 연결될 수 있다.As another case, the circuit wiring may be electrically connected to the long side of the first wiring pad or the long side of the second wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the short side of the second wiring pad.
이와 같이, 회로 배선을 다양하게 배치하는 이유는 다음과 같다.The reason for arranging the circuit wiring in various ways is as follows.
발광 소자 패키지들 사이의 갭을 최소로 유지하기 위해서는, 회로 배선을 연결하기 위한 공간이 매우 부족하게 된다.In order to keep the gap between light emitting device packages to a minimum, there is very little space for connecting circuit wiring.
따라서, 기존과 같이 획일화된 발광 소자 패키지를 배치할 경우, 회로 배선만으로는 정상 동작을 보장할 수 없으므로, 헥사 구조의 발광 소자 패키지와 같이 다각형 발광 소자 패키지를 배치할 때, 회로 배선을 완벽하게 구현하기 위해서는 하기와 같은 조건을 만족시켜야 한다.Therefore, when placing a uniform light emitting device package as before, normal operation cannot be guaranteed with circuit wiring alone, so when placing a polygonal light emitting device package such as a hexa-structure light emitting device package, circuit wiring must be perfectly implemented. To do this, the following conditions must be satisfied.
실시 예는, 회로 배선을 용이하게 하기 위한 발광 소자 패키지의 방향 회전 배치가 가능하여 연결해야 하는 애노드 패드와 캐소드 패드 사이의 거리를 최소로 유지할 수 있다.In the embodiment, the direction of the light emitting device package can be rotated to facilitate circuit wiring, and the distance between the anode pad and cathode pad to be connected can be kept to a minimum.
또한, 실시 예는, 금속 패드의 장변과 다른 금속 패드의 장변을 연결하거나, 또는 금속 패드의 단변과 다른 금속 패드의 단변을 연결하거나, 또는 금속 패드의 장변과 다른 금속 패드의 단변을 연결하는 혼합형 배선 구현이 가능하여 회로 배선 연결 공간을 최소화할 수 있다.Additionally, the embodiment may be a mixed type in which the long side of a metal pad is connected to the long side of another metal pad, the short side of a metal pad is connected to the short side of another metal pad, or the long side of a metal pad is connected to the short side of another metal pad. Wiring can be implemented to minimize circuit wiring connection space.
또한, 실시 예는, 발광 소자 패키지의 형상에 따라 독특한 형태의 회로 배선 패턴이 발생하여도 쉽고 간단하게 최소 공간에서 배선 연결을 수행할 수 있다.Additionally, in the embodiment, wiring connections can be easily and simply performed in a minimum space even if a unique circuit wiring pattern is generated depending on the shape of the light emitting device package.
이어, 단위 기판(100)의 에지는, 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Next, the edge of the
일 예로, 단위 기판(100)의 에지는, 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 약 0.1mm ~ 약 0.2mm의 거리로 이격될 수 있다.For example, the edge of the
그 이유는, 공정 마진을 확보하기 위함이다.The reason is to secure the process margin.
그리고, 다각형 셀 영역(110)의 에지는, 인접하는 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Additionally, the edge of the
일 예로, 다각형 셀 영역(110)의 에지는, 인접하는 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 약 0.2mm ~ 약 0.4mm의 거리로 이격될 수 있다.For example, the edge of the
그 이유는, 공정 마진을 확보하기 위함이다.The reason is to secure the process margin.
또한, 제1 단위 기판의 가장자리 영역에 위치하는 다각형 셀 영역(110)의 에지는, 제1 단위 기판에 인접하여 배치되는 제2 단위 기판의 가장 자리 영역에 위치하는 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.In addition, the edge of the
일 예로, 제1 단위 기판의 가장자리 영역에 위치하는 다각형 셀 영역(110)의 에지는, 제1 단위 기판에 인접하여 배치되는 제2 단위 기판의 가장 자리 영역에 위치하는 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 약 0.2mm ~ 약 0.4mm의 거리로 이격될 수 있다.For example, the edge of the
그 이유는, 공정 마진을 확보하기 위함이다.The reason is to secure the process margin.
경우에 따라, 서로 인접하는 제1 단위 기판의 다각형 셀 영역의 에지와 제2 단위 기판의 다각형 셀 영역의 에지 사이의 이격 거리는, 제1 단위 기판 또는 제2 단위 기판 내에서 서로 인접하는 다각형 셀 영역의 에지들 사이의 이격 거리와 동일할 수 있다.In some cases, the separation distance between the edges of the polygonal cell regions of the first unit substrate and the edges of the polygonal cell regions of the second unit substrate is the polygonal cell regions adjacent to each other within the first unit substrate or the second unit substrate. It may be equal to the separation distance between the edges of .
그리고, 발광 소자 패키지의 평면 형상은, 다각형 셀 영역의 평면 형상과 동일할 수 있다.Additionally, the planar shape of the light emitting device package may be the same as the planar shape of the polygonal cell area.
일 예로, 발광 소자 패키지의 평면 형상은, 다각형 셀 영역의 평면 형상이 6각형일 때, 6각형 형상을 가질 수 있다.For example, the planar shape of the light emitting device package may have a hexagonal shape when the planar shape of the polygonal cell area is hexagonal.
또한, 발광 소자 패키지의 하부 면적은, 다각형 셀 영역(110)의 면적과 동일할 수 있다.Additionally, the lower area of the light emitting device package may be equal to the area of the
이어, 다각형 셀 영역(110)에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Next, the light emitting device package disposed corresponding to the
일 예로, 다각형 셀 영역(110)에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지로부터 약 0.2mm ~ 약 0.4mm의 거리로 이격될 수 있다.For example, a light emitting device package disposed corresponding to the
그리고, 다각형 셀 영역(110)에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 단위 기판(100)의 에지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Additionally, the light emitting device package disposed corresponding to the
일 예로, 다각형 셀 영역(110)에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 단위 기판(100)의 에지로부터 약 0.1mm ~ 약 0.2mm의 거리로 이격될 수 있다.As an example, the light emitting device package disposed corresponding to the
또한, 다각형 셀 영역(110)에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지로부터 소정 각도로 회전하여 배치될 수 있다.Additionally, the light emitting device package disposed corresponding to the
일 예로, 다각형 셀 영역(110)에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지로부터 약 60도 각도로 회전하여 배치될 수 있다.For example, a light emitting device package disposed corresponding to the
경우에 따라, 다각형 셀 영역(110)에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지의 배치 방향과 동일한 방향으로 배치될 수 있다.In some cases, the light emitting device package disposed corresponding to the
그리고, 발광 소자 패키지는, 캐비티를 갖는 몸체, 캐비티 내에 배치되는 발광 칩, 그리고 몸체의 하면에 배치되는 다수의 패드를 포함할 수 있다.Additionally, the light emitting device package may include a body having a cavity, a light emitting chip disposed within the cavity, and a plurality of pads disposed on a lower surface of the body.
여기서, 다수의 패드는, 발광 칩에 각각 전기적으로 연결되는 제1, 제2 전극 패드와, 제1, 제2 전극 패드 사이에 배치되는 방열 패드를 포함할 수 있다.Here, the plurality of pads may include first and second electrode pads each electrically connected to the light emitting chip, and a heat dissipation pad disposed between the first and second electrode pads.
이때, 캐비티를 갖는 몸체의 평면 형상은, 6각형 형상을 가질 수 있다.At this time, the planar shape of the body having the cavity may have a hexagonal shape.
이와 같이, 구성되는 실시 예는, 다수의 다각형 셀 영역을 갖는 회로 기판이 다수의 단위 기판으로 분리되고, 단위 기판의 에지가 다수의 변곡부를 포함하는 요철 형상을 가지도록 형성됨으로써, 발광 소자 패키지들의 고밀도 배치가 가능하면서도 회로 배선이 연결이 수월하며, 광량의 균일도를 높일 수 있다.In the embodiment configured in this way, the circuit board having a plurality of polygonal cell areas is divided into a plurality of unit boards, and the edges of the unit boards are formed to have a concavo-convex shape including a plurality of inflection portions, thereby forming the light emitting device packages. High-density deployment is possible, circuit wiring is easy to connect, and uniformity of light quantity can be improved.
도 6은 회로 기판 에지의 변곡부를 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 회로 기판 에지의 변곡부와 금속 패드의 변곡부를 설명하기 위한 도면이며, 도 8은 다각형 셀 영역의 금속 패드의 변곡부를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a diagram for explaining the inflection part of the circuit board edge, FIG. 7 is a diagram for explaining the inflection part of the circuit board edge and the inflection part of the metal pad, and FIG. 8 is a diagram for explaining the inflection part of the metal pad in the polygonal cell area. This is a drawing for
도 6에 도시된 바와 같이, 단위 기판(100)의 에지(edge)는, 평면상에서, 제1 방향을 따라 다수의 변곡부(160)를 포함하는 제1 요철 형상(120)을 가지고, 제2 방향을 따라 다수의 변곡부(160)를 포함하는 제2 요철 형상(130)을 가질 수 있다.As shown in FIG. 6, the edge of the
여기서, 단위 기판(100)의 에지가 요철 형상을 가지는 이유는, 다각형 구조의 발광 소자 패키지를 최대로 밀집하여 배치할 수 있기 때문이다.Here, the reason why the edge of the
이어, 제1, 제2 요철 형상(120, 130)의 변곡부(160)는, 서로 동일한 곡률 반경 R을 가질 수 있다.Next, the
그 이유는, 다각형 구조의 발광 소자 패키지를 최대로 밀집하여 배치하기 위하여 공정 마진이 필요하기 때문이다.The reason is that a process margin is required to arrange the polygonal light emitting device packages as densely as possible.
일 예로, 곡률 반경 R은, 약 0.5mm ~ 약 1.5mm일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.As an example, the radius of curvature R may be about 0.5 mm to about 1.5 mm, but is not limited thereto.
경우에 따라, 제1, 제2 요철 형상(120, 130)은, 서로 다른 요철 형상을 가질 수 있다.In some cases, the first and second
일 예로, 제1 요철 형상(120)은, 사다리꼴 형상을 가지고, 제2 요철 형상(130)은, 삼각형 형상을 가질 수도 있다.As an example, the first
여기서, 제1 요철 형상(120)이 형성되는 제1 방향은, 제2 요철 형상(130)이 형성되는 제2 방향에 대해 수직할 수 있다.Here, the first direction in which the first
그리고, 제1, 제2 요철 형상(120, 130)의 에지를 가지는 단위 기판(100)의 평면 형상은, 사각형일 수 있다.Additionally, the planar shape of the
이와 같이, 실시 예는, 메탈 코어 회로 기판의 에지를 자유 형상으로 가공하기 위해 레이저 컷팅(Laser Cutting) 진행하는 경우, 녹아버린 부분에서 블러(Burr) 현상이 발생할 수 있다.As such, in the embodiment, when laser cutting is performed to process the edge of a metal core circuit board into a free shape, a burr phenomenon may occur in the melted portion.
따라서, 드릴(Drill)로 회로 기판(10)의 라우팅 공정을 진행하는 것이 유리하다.Therefore, it is advantageous to perform the routing process of the
회로 기판(10)의 에지를 톱니 모양으로 드릴로 가공하기 위해서는, 설계 단계에서 하기 2가지 사항을 고려하여 설계하는 것이 필요하다.In order to drill the edge of the
먼저, 드릴을 통해 회로 기판(10)의 에지를 톱니 모양으로 가공하기 위해 모따기 적용이 필요하는데, 모따기 사이즈는, 드릴 사이즈에 비례할 수 있다.First, a chamfer needs to be applied to process the edge of the
일 예로, 회로 기판(10)의 에지 가공 시, 지름 2 파이 드릴을 적용하는 경우, 모따기 사이즈는, 모든 변곡부에 대해 약 1R(반지름 약 1mm) 적용할 수 있다.For example, when processing the edge of the
또한, 광 밀집도를 높이기 위해서는, 발광 소자 패키지를 최대한 촘촘하게 배치하는 것이 필요하다.Additionally, in order to increase light density, it is necessary to arrange the light emitting device packages as closely as possible.
하지만, 대형 사이즈 노광기를 제작하는 경우, 회로 기판(10) 1판으로 제작하는 것이 난해한 경우가 있기 때문에, 회로 기판(10)을 블럭(Block)화 제작하는 것이 필요하다.However, when manufacturing a large-sized exposure machine, it may be difficult to manufacture the
여기서, 회로 기판의 블럭화의 최대 난제는, 회로 기판 에지의 공정 마진 확보이다.Here, the biggest challenge in blocking the circuit board is securing the process margin at the edge of the circuit board.
공정 마진을 크게 확보하는 경우, 발광 조사 패키지들 간의 이격 거리가 틀어질 수 있고, 이는 노광기의 성능 저하로 이어질 수 있다.If a large process margin is secured, the separation distance between the light emitting irradiation packages may vary, which may lead to a decrease in the performance of the exposure machine.
따라서, 최소한의 공정 마진을 유지하는 것이 필요하며, 이를 위해서는 회로 기판(10)의 금속 패드(140) 설계를 회로 기판 에지의 모따기와 맞춤 설계가 필요하다.Therefore, it is necessary to maintain a minimum process margin, and for this, the design of the
즉, 회로 기판(10)의 금속 패드의 변곡부 부분에도, 회로 기판 에지와 동일하게 모따기 1R 적용이 필요하다.In other words, the same chamfering 1R as the circuit board edge needs to be applied to the inflection portion of the metal pad of the
한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 금속 패드(140)는, 회로 기판(10)의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부(140-1)를 가질 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 7 , the
여기서, 금속 패드(140)의 변곡부(140-1)는, 회로 기판(10)의 변곡부(160)에 대응하여 배치될 수 있다.Here, the curved portion 140 - 1 of the
일 예로, 금속 패드(140)의 변곡부(140-1)는, 회로 기판(10)의 변곡부(160)의 곡률 반경과 동일한 곡률 반경을 가질 수 있다.For example, the curved portion 140 - 1 of the
금속 패드(140)의 변곡부(140-1)의 곡률 반경은, 약 0.5mm ~ 약 1.5mm일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.The radius of curvature of the inflection portion 140-1 of the
경우에 따라, 금속 패드(140)의 변곡부는, 회로 기판(10)의 변곡부(160)의 곡률 반경보다 더 큰 곡률 반경을 가질 수 있다.In some cases, the curved portion of the
금속 패드(140)는, 다각형 셀 영역(110)의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부(140-1)를 가질 수 있다.The
그리고, 금속 패드(140)의 변곡부는, 다각형 셀 영역(110)의 꼭지점에 대응하여 배치될 수 있다.Additionally, the inflection portion of the
이어, 금속 패드(140)의 변곡부는, 단위 기판(100)의 변곡부의 곡률 반경과 동일한 곡률 반경을 가질 수도 있다.Next, the curved portion of the
여기서, 금속 패드(140)의 변곡부의 곡률 반경은, 약 0.5mm ~ 약 1.5mm일 수 있다.Here, the radius of curvature of the inflection portion of the
경우에 따라, 금속 패드(140)의 변곡부는, 단위 기판(100)의 변곡부의 곡률 반경보다 더 큰 곡률 반경을 가질 수도 있다.In some cases, the curved portion of the
도 7에 도시된 바와 같이, 금속 패드(140)는, 발광 소자 패키지의 제1, 제2 전극 패드에 각각 전기적으로 연결되는 제1, 제2 배선 패드(142, 144)와, 제1, 제2 배선 패드(142, 144) 사이에 배치되고 발광 소자 패키지의 방열 패드에 연결되는 제3 배선 패드(146)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 7, the
여기서, 제1, 제2, 제3 배선 패드(142, 144, 146)는, 다각형 셀 영역(110)의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부(142-1, 144-1, 146-1)를 각각 가지고, 제1, 제2, 제3 배선 패드(142, 144, 146)의 변곡부(142-1, 144-1, 146-1)는, 서로 동일한 곡률 반경을 가질 수 있다.Here, the first, second, and
그리고, 제3 배선 패드(146)는, 인접하는 제1 배선 패드(142) 또는 제2 배선 패드(144)로부터 소정 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.Additionally, the
이어, 제3 배선 패드(146)는, 제1 배선 패드(142) 또는 제2 배선 패드(144)의 면적보다 더 큰 면적을 가질 수 있다.Next, the
도 9 내지 도 11은 서로 인접하는 다각형 셀 영역의 금속 패드들의 배선 연결을 설명하기 위한 도면이다.9 to 11 are diagrams for explaining wiring connections of metal pads in adjacent polygonal cell areas.
도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 배선 패드(142)는, 인접하는 다각형 셀 영역(110)의 제2 배선 패드(142)에 회로 배선(170)에 의해 전기적으로 연결되거나 또는, 인접하는 다각형 셀 영역(110)의 제1 배선 패드(142)에 회로 배선(170)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.As shown in FIGS. 9 to 11, the
여기서, 도 9와 같이, 회로 배선(170)은, 제1 배선 패드(142)의 장변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제2 배선 패드(144)의 장변 또는 제1 배선 패드의 장변에 전기적으로 연결될 수 있다.Here, as shown in FIG. 9, the
다른 경우로서, 도 10과 같이, 회로 배선(170)은, 제1 배선 패드(142)의 단변과 인접하는 다각형 셀 영역(110)의 제2 배선 패드(144)의 단변 또는 제1 배선 패드의 단변에 전기적으로 연결될 수도 있다.In another case, as shown in FIG. 10, the
또 다른 경우로서, 도 11과 같이, 회로 배선(170)은, 제1 배선 패드(142)의 장변과 인접하는 다각형 셀 영역(110)의 제2 배선 패드(144)의 단변 또는 제1 배선 패드의 단변에 전기적으로 연결될 수 있다.As another case, as shown in FIG. 11, the
또 다른 경우로서, 회로 배선(170)은, 제1 배선 패드의 단변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제2 배선 패드의 장변 또는 제1 배선 패드의 장변에 전기적으로 연결될 수 있다.As another case, the
그리고, 제2 배선 패드는, 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드에 회로 배선에 의해 전기적으로 연결되거나 또는, 인접하는 다각형 셀 영역의 제2 배선 패드에 상기 회로 배선에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second wiring pad may be electrically connected to the first wiring pad of an adjacent polygon cell area by a circuit wire, or may be electrically connected to a second wiring pad of an adjacent polygon cell area by the circuit wire. .
여기서, 회로 배선은, 제2 배선 패드의 장변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드의 장변 또는 제2 배선 패드의 장변에 전기적으로 연결될 수 있다.Here, the circuit wiring may be electrically connected to the long side of the first wiring pad or the long side of the second wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the long side of the second wiring pad.
다른 경우로서, 회로 배선은, 제2 배선 패드의 단변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드의 단변 또는 제2 배선 패드의 단변에 전기적으로 연결될 수 있다.As another case, the circuit wiring may be electrically connected to the short side of the first wiring pad or the short side of the second wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the short side of the second wiring pad.
또 다른 경우로서, 회로 배선은, 제2 배선 패드의 장변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드의 단변 또는 제2 배선 패드의 단변에 전기적으로 연결될 수 있다.As another case, the circuit wiring may be electrically connected to the short side of the first wiring pad or the short side of the second wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the long side of the second wiring pad.
또 다른 경우로서, 회로 배선은, 제2 배선 패드의 단변과 인접하는 다각형 셀 영역의 제1 배선 패드의 장변 또는 제2 배선 패드의 장변에 전기적으로 연결될 수 있다.As another case, the circuit wiring may be electrically connected to the long side of the first wiring pad or the long side of the second wiring pad in the polygonal cell area adjacent to the short side of the second wiring pad.
이와 같이, 회로 배선을 다양하게 배치하는 이유는 다음과 같다.The reason for arranging the circuit wiring in various ways is as follows.
발광 소자 패키지들 사이의 갭을 최소로 유지하기 위해서는, 회로 배선을 연결하기 위한 공간이 매우 부족하게 된다.In order to keep the gap between light emitting device packages to a minimum, there is very little space for connecting circuit wiring.
따라서, 기존과 같이 획일화된 발광 소자 패키지를 배치할 경우, 회로 배선만으로는 정상 동작을 보장할 수 없으므로, 헥사 구조의 발광 소자 패키지와 같이 다각형 발광 소자 패키지를 배치할 때, 회로 배선을 완벽하게 구현하기 위해서는 하기와 같은 조건을 만족시켜야 한다.Therefore, when placing a uniform light emitting device package as before, normal operation cannot be guaranteed with circuit wiring alone, so when placing a polygonal light emitting device package such as a hexa-structure light emitting device package, circuit wiring must be perfectly implemented. To do this, the following conditions must be satisfied.
실시 예는, 회로 배선을 용이하게 하기 위한 발광 소자 패키지의 방향 회전 배치가 가능하여 연결해야 하는 애노드 패드와 캐소드 패드 사이의 거리를 최소로 유지할 수 있다.In the embodiment, the direction of the light emitting device package can be rotated to facilitate circuit wiring, and the distance between the anode pad and cathode pad to be connected can be kept to a minimum.
또한, 실시 예는, 금속 패드의 장변과 다른 금속 패드의 장변을 연결하거나, 또는 금속 패드의 단변과 다른 금속 패드의 단변을 연결하거나, 또는 금속 패드의 장변과 다른 금속 패드의 단변을 연결하는 혼합형 배선 구현이 가능하여 회로 배선 연결 공간을 최소화할 수 있다.Additionally, the embodiment may be a mixed type in which the long side of a metal pad is connected to the long side of another metal pad, the short side of a metal pad is connected to the short side of another metal pad, or the long side of a metal pad is connected to the short side of another metal pad. Wiring can be implemented to minimize circuit wiring connection space.
또한, 실시 예는, 발광 소자 패키지의 형상에 따라 독특한 형태의 회로 배선 패턴이 발생하여도 쉽고 간단하게 최소 공간에서 배선 연결을 수행할 수 있다.Additionally, in the embodiment, wiring connections can be easily and simply performed in a minimum space even if a unique circuit wiring pattern is generated depending on the shape of the light emitting device package.
도 12 내지 도 14는 다각형 셀 영역들 사이의 이격 거리 및 다각형 셀 영역과 회로 기판 에지 사이의 이격 거리를 설명하기 위한 도면이다.12 to 14 are diagrams for explaining the separation distance between polygonal cell areas and the separation distance between the polygonal cell area and the edge of the circuit board.
도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 회로 기판(10)의 에지는, 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 소정 거리 d1 이격될 수 있다.As shown in FIGS. 12 to 14 , the edge of the
일 예로, 회로 기판(10)의 에지는, 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 약 0.1mm ~ 약 0.2mm의 거리로 이격될 수 있다.For example, the edge of the
그 이유는, 공정 마진을 확보하기 위함이다.The reason is to secure the process margin.
그리고, 다각형 셀 영역(110)의 에지는, 인접하는 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 소정 거리 d2 이격될 수 있다.Additionally, the edge of the
일 예로, 다각형 셀 영역(110)의 에지는, 인접하는 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 약 0.2mm ~ 약 0.4mm의 거리로 이격될 수 있다.For example, the edge of the
그 이유는, 공정 마진을 확보하기 위함이다.The reason is to secure the process margin.
또한, 제1 단위 기판의 가장자리 영역에 위치하는 다각형 셀 영역(110)의 에지는, 제1 단위 기판에 인접하여 배치되는 제2 단위 기판의 가장 자리 영역에 위치하는 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.In addition, the edge of the
일 예로, 제1 단위 기판의 가장자리 영역에 위치하는 다각형 셀 영역(110)의 에지는, 제1 단위 기판에 인접하여 배치되는 제2 단위 기판의 가장 자리 영역에 위치하는 다각형 셀 영역(110)의 에지로부터 약 0.2mm ~ 약 0.4mm의 거리로 이격될 수 있다.For example, the edge of the
그 이유는, 공정 마진을 확보하기 위함이다.The reason is to secure the process margin.
경우에 따라, 서로 인접하는 제1 단위 기판의 다각형 셀 영역의 에지와 제2 단위 기판의 다각형 셀 영역의 에지 사이의 이격 거리는, 제1 단위 기판 또는 제2 단위 기판 내에서 서로 인접하는 다각형 셀 영역의 에지들 사이의 이격 거리와 동일할 수 있다.In some cases, the separation distance between the edges of the polygonal cell regions of the first unit substrate and the edges of the polygonal cell regions of the second unit substrate is the polygonal cell regions adjacent to each other within the first unit substrate or the second unit substrate. It may be equal to the separation distance between the edges of .
도 15는 다각형 셀 영역에 배치되는 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 하부 평면도이고, 도 16은 발광 소자 패키지의 배열 방향을 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 15 is a lower plan view illustrating a light emitting device package disposed in a polygonal cell area, and FIG. 16 is a plan view illustrating the arrangement direction of the light emitting device package.
도 15에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(20)의 평면 형상은, 다각형 셀 영역의 평면 형상과 동일할 수 있다.As shown in FIG. 15, the planar shape of the light emitting
일 예로, 발광 소자 패키지(20)의 평면 형상은, 다각형 셀 영역의 평면 형상이 6각형일 때, 6각형 형상을 가질 수 있다.For example, the planar shape of the light emitting
또한, 도 16에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(20)의 하부 면적은, 다각형 셀 영역의 면적과 동일할 수 있다.Additionally, as shown in FIG. 16, the lower area of the light emitting
이어, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지(20)는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지(20)로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Next, the light emitting
일 예로, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지(20)는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지(20)로부터 약 0.2mm ~ 약 0.4mm의 거리로 이격될 수 있다.For example, the light emitting
그리고, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지(20)는, 단위 기판의 에지로부터 소정 거리 이격될 수 있다.Additionally, the light emitting
일 예로, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지(20)는, 단위 기판의 에지로부터 약 0.1mm ~ 약 0.2mm의 거리로 이격될 수 있다.For example, the light emitting
또한, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지(20-1)는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지(20-2)로부터 소정 각도로 회전하여 배치될 수 있다.Additionally, the light emitting device package 20-1 disposed corresponding to the polygonal cell area may be rotated at a predetermined angle from the adjacent light emitting device package 20-2.
일 예로, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지(20-1)는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지(20-2)로부터 약 60도 각도로 회전하여 배치될 수 있다.For example, the light emitting device package 20-1 disposed corresponding to the polygonal cell area may be rotated at an angle of about 60 degrees from the light emitting device package 20-2 disposed adjacent to it.
경우에 따라, 다각형 셀 영역에 대응하여 배치되는 발광 소자 패키지(20-1)는, 인접하여 배치되는 발광 소자 패키지(20-3)의 배치 방향과 동일한 방향으로 배치될 수 있다.In some cases, the light emitting device package 20-1 disposed corresponding to the polygonal cell area may be disposed in the same direction as the arrangement direction of the light emitting device package 20-3 disposed adjacent to it.
그리고, 도 15와 같이, 발광 소자 패키지(20)는, 캐비티를 갖는 몸체, 캐비티 내에 배치되는 발광 칩, 그리고 몸체의 하면에 배치되는 다수의 패드를 포함할 수 있다.And, as shown in FIG. 15, the light emitting
여기서, 다수의 패드는, 발광 칩에 각각 전기적으로 연결되는 제1, 제2 전극 패드(210, 220)와, 제1, 제2 전극 패드(210, 220) 사이에 배치되는 방열 패드(230)를 포함할 수 있다.Here, the plurality of pads include first and
이때, 캐비티를 갖는 몸체의 평면 형상은, 6각형 형상을 가질 수 있다.At this time, the planar shape of the body having the cavity may have a hexagonal shape.
여기서, 몸체는, 광 반사도가 높은 수지 재질, 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), EMC 수지, PC 수지, 또는 PCT 수지로 형성될 수 있지만, 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되지 않는다.Here, the body may be formed of a resin material with high light reflectivity, such as polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), EMC resin, PC resin, or PCT resin, but the embodiment is limited to the material, structure, and It is not limited to shape.
또한, 몸체는, 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN), Al2O3, GaN, ZnO, SiO2, Au, Si3N4, AuSn 등과 같이 절연성 또는 열전도율이 좋은 기판으로 형성될 수 있으며, 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다.In addition, the body is a silicon-based wafer level package, silicon substrate, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), Al 2 O 3 , GaN, ZnO, SiO 2 , Au, Si It may be formed of a substrate with good insulation or thermal conductivity, such as 3N 4 or AuSn, and may have a structure in which a plurality of substrates are stacked.
위에서 바라본 몸체의 상부면의 형상은, 발광 소자 패키지의 용도 및 설계에 따라 다각형(예컨대, 사각형, 또는 팔각형)이거나, 또는 원형, 타원형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.The shape of the upper surface of the body when viewed from above may be polygonal (eg, square or octagonal) or may have various shapes such as circular or oval, depending on the purpose and design of the light emitting device package.
여기서, 몸체의 상부면의 모서리는 곡선일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Here, the edge of the upper surface of the body may be curved, but is not limited thereto.
또한, 몸체는, 캐비티(cavity)(12)를 구비할 수 있다.Additionally, the body may be provided with a cavity (12).
여기서, 캐비티는, 몸체의 상부면에서 함몰된 컵 형상, 또는 오목한 용기 형상일 수 있다.Here, the cavity may have a cup shape recessed in the upper surface of the body, or a concave container shape.
일 예로, 캐비티를 위에서 바라본 형상은, 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형, 또는 팔각형)일 수 있다.For example, the shape of the cavity when viewed from above may be circular, oval, or polygonal (eg, square, or octagon).
그리고, 캐비티의 모서리는, 곡선일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예로서, 각진 형상일 수도 있다.Additionally, the edge of the cavity may be curved, but is not limited thereto, and as another example, may have an angular shape.
또한, 캐비티는, 몸체를 관통하는 관통 홀 또는 관통 홈 형태일 수 있다.Additionally, the cavity may be in the form of a through hole or through groove that penetrates the body.
예컨대, 캐비티의 상부는, 몸체 상부면으로 개방될 수 있고, 캐비티의 하부는, 몸체의 하부면으로 개방될 수 있다.For example, the upper part of the cavity may be open to the upper surface of the body, and the lower part of the cavity may be open to the lower surface of the body.
경우에 따라, 캐비티의 하부는, 제1 및 제2 리드 프레임들의 상부면에 의하여 닫힌 구조일 수도 있다.In some cases, the lower part of the cavity may be closed by the upper surfaces of the first and second lead frames.
이어, 발광 칩은, 몸체의 캐비티 내에 배치될 수 있다.Next, the light emitting chip can be placed within the cavity of the body.
여기서, 발광 칩은, 발광 다이오드(light emitting diode)일 수 있는데, 자외선 파장대의 빛을 발생하는 UV LED일 수 있고, 청색 파장대의 빛을 발생하는 Blue LED일 수 있으며, 녹색 파장대의 빛을 발생하는 Green LED일 수 있고, 적색 파장대의 빛을 발생하는 Red LED일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Here, the light emitting chip may be a light emitting diode, which may be a UV LED that generates light in the ultraviolet wavelength range, a Blue LED that generates light in the blue wavelength range, or a light emitting diode that generates light in the green wavelength range. It may be a Green LED or a Red LED that generates light in the red wavelength range, but is not limited thereto.
경우에 따라, 발광 칩은, 수평형 LED, 수직형 LED, 또는 플립칩 LED일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In some cases, the light emitting chip may be a horizontal LED, a vertical LED, or a flip chip LED, but is not limited thereto.
또한, 발광 칩은, 제1 및 제2 리드 프레임들과 전기적으로 연결될 수 있으며, 제1, 제2 리드 프레임은, 몸체의 하부에 배치되는 제1, 제2 전극 패드(210,220)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.Additionally, the light emitting chip may be electrically connected to the first and second lead frames, and the first and second lead frames may be electrically connected to the first and
일 예로, 캐비티의 바닥면에는, 제1 리드 프레임과, 제1 리드 프레임으로부터 소정 간격으로 이격되어 발광 칩의 제2 전극에 연결되는 제2 리드 프레임을 포함할 수 있고, 발광 칩의 제1 전극과 제1 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 와이어를 포함할 수도 있다.For example, the bottom surface of the cavity may include a first lead frame and a second lead frame spaced apart from the first lead frame at a predetermined interval and connected to the second electrode of the light-emitting chip, and the first electrode of the light-emitting chip. and a wire electrically connecting the first lead frame.
또한, 캐비티의 측면에는, 리플렉터(reflrctor)가 형성될 수 있다.Additionally, a reflector may be formed on the side of the cavity.
여기서, 리플렉터는, 캐비티의 측면 전면을 덮는 코팅층(coating layer) 또는 반사 시트(reflective sheet) 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Here, the reflector may be in the form of a coating layer or a reflective sheet that covers the entire side surface of the cavity, but is not limited thereto.
경우에 따라, 리플렉터는, 캐비티의 측면 전면에 직접 코팅되거나 또는 별도의 접착 물질에 의하여 캐비티의 측면 전면에 부착될 수도 있다.In some cases, the reflector may be coated directly on the side surface of the cavity or may be attached to the side surface of the cavity by a separate adhesive material.
일 예로, 리플렉터는, 절연성 반사 물질, 예컨대, 백색 실리콘, 백색 레지스트(white resist), 또는 백색 안료를 분산 함유하는 합성 수지 등으로 이루어질 수 있다.As an example, the reflector may be made of an insulating reflective material, such as white silicon, white resist, or synthetic resin containing dispersed white pigment.
이때, 백색 안료는, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화아연, 탄산아연, 황산바륨, 또는 탄산 칼슘 등이 이용될 수 있다.At this time, the white pigment may be titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, zinc carbonate, barium sulfate, or calcium carbonate.
또한, 리플렉터는, 전도성 반사 물질로 이루어질 수 있다.Additionally, the reflector may be made of a conductive reflective material.
일 예로, 리플렉터는, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금일 수 있으며, 단층, 또는 복층 형태일 수 있다.As an example, the reflector may be a metal or alloy containing at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, or Hf, and may be in the form of a single layer or a double layer. there is.
또한, 리플렉터는, 전도성 산화물, 예컨대, IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide) 등을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.In addition, the reflector is a conductive oxide, such as indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), AZO It can be formed as a single layer or multilayer using aluminum zinc oxide (aluminum zinc oxide), antimony tin oxide (ATO), etc.
경우에 따라, 몸체의 캐비티 내에는, 발광 칩을 밀봉하도록 수지층이 채워질 수 있는데, 외부 환경으로부터 발광 칩을 보호하는 역할을 수행할 수 있다.In some cases, the cavity of the body may be filled with a resin layer to seal the light-emitting chip, which may serve to protect the light-emitting chip from the external environment.
여기서, 수지층은, 투광성 재질의 수지, 예컨대, 실리콘 또는 에폭시로 이루어질 수 있는데, 이에 한정되지 않는다.Here, the resin layer may be made of a light-transmitting resin, for example, silicone or epoxy, but is not limited thereto.
또한, 수지층은, 발광 칩으로부터 조사되는 광의 파장을 변환시킬 수 있도록 형광체를 포함할 수 있다.Additionally, the resin layer may include a phosphor to convert the wavelength of light emitted from the light emitting chip.
일 예로, 수지층은, 황색 형광체, 적색 형광체, 또는 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 발광 칩로부터 조사되는 빛의 파장을 변환시켜, 백색광을 구현할 수 있으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.As an example, the resin layer may include at least one of a yellow phosphor, a red phosphor, or a green phosphor, and may convert the wavelength of light emitted from the light emitting chip to implement white light, but the embodiment is not limited thereto. .
다른 경우로서, 수지층의 굴절률은, 몸체의 굴절률과 다를 수 있다.In other cases, the refractive index of the resin layer may be different from that of the body.
일 예로, 수지층의 굴절률은, 몸체의 상단부 굴절률보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the refractive index of the resin layer may be greater than the refractive index of the top of the body, but is not limited to this.
다른 예로서, 수지층의 굴절률은, 몸체의 상단부 굴절률보다 작거나 동일할 수 있다.As another example, the refractive index of the resin layer may be less than or equal to the refractive index of the top of the body.
이와 같이, 실시 예는, 다수의 다각형 셀 영역을 갖는 회로 기판이 다수의 단위 기판으로 분리되고, 단위 기판의 에지가 다수의 변곡부를 포함하는 요철 형상을 가지도록 형성됨으로써, 발광 소자 패키지들의 고밀도 배치가 가능하면서도 회로 배선이 연결이 수월하며, 광량의 균일도를 높일 수 있다.In this way, in the embodiment, a circuit board having a plurality of polygonal cell areas is divided into a plurality of unit boards, and the edges of the unit boards are formed to have a concavo-convex shape including a plurality of inflections, thereby enabling high-density arrangement of light emitting device packages. It is possible to connect circuit wiring easily, and the uniformity of light quantity can be improved.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified and implemented in other embodiments by a person with ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.
10: 회로 기판
20: 발광 소자 패키지
100: 단위 기판
110: 다각형 셀 영역
120: 제1 요철 형상
130: 제2 요철 형상
140: 금속 패드10: circuit board
20: Light-emitting device package
100: unit board
110: Polygonal cell area
120: First uneven shape
130: Second uneven shape
140: metal pad
Claims (10)
상기 회로 기판의 다각형 셀 영역에 각각 형성되는 다수의 금속 패드들; 그리고,
상기 회로 기판의 다각형 셀 영역에 대응되어 배치되고 상기 금속 패드에 전기적으로 연결되는 발광 소자 패키지를 포함하고,
상기 회로 기판은,
다수의 단위 기판으로 분리되고,
상기 단위 기판의 에지(edge)는,
평면상에서, 제1 방향을 따라 다수의 변곡부를 포함하는 제1 요철 형상을 가지고, 제2 방향을 따라 다수의 변곡부를 포함하는 제2 요철 형상을 가지고,
상기 제1, 제2 요철 형상은,
서로 인접하는 상기 단위 기판들을 연결하기 위한 적어도 하나의 나사 체결부를 포함하고,
상기 나사 체결부는
상기 다수의 단위 기판의 꼭지점 영역에 배치되어 상기 다수의 단위 기판들을 연결하는 제3 나사 체결부를 포함하는 노광기용 조명 장치.A circuit board having a plurality of polygonal cell areas;
a plurality of metal pads each formed in a polygonal cell area of the circuit board; and,
A light emitting device package disposed corresponding to a polygonal cell area of the circuit board and electrically connected to the metal pad,
The circuit board is,
Separated into multiple unit boards,
The edge of the unit substrate is,
On a plane, it has a first concave-convex shape including a plurality of inflections along a first direction, and a second concave-convex shape including a plurality of inflections along a second direction,
The first and second uneven shapes are,
At least one screw fastening part for connecting the adjacent unit boards to each other,
The screw fastening part
A lighting device for an exposure machine including a third screw fastening part disposed at a vertex area of the plurality of unit substrates and connecting the plurality of unit substrates.
서로 동일한 곡률 반경을 갖는 노광기용 조명 장치.The method of claim 1, wherein the first and second concavo-convex inflection parts are:
Lighting devices for exposure machines having the same radius of curvature.
0.5mm ~ 1.5mm인 노광기용 조명 장치.The method of claim 2, wherein the radius of curvature is:
Lighting device for exposure machines from 0.5mm to 1.5mm.
상기 단위 기판의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부를 가지는 노광기용 조명 장치.The method of claim 1, wherein the metal pad is:
A lighting device for an exposure machine having at least one inflection portion along a side facing an edge of the unit substrate.
상기 단위 기판의 변곡부에 대응하여 배치되는 노광기용 조명 장치.The method of claim 5, wherein the inflection portion of the metal pad is:
A lighting device for an exposure machine disposed corresponding to an inflection portion of the unit substrate.
상기 다각형 셀 영역의 에지를 마주하는 변을 따라 적어도 하나의 변곡부를 가지는 노광기용 조명 장치.The method of claim 1, wherein the metal pad is:
An illumination device for an exposure machine having at least one inflection portion along a side facing an edge of the polygonal cell area.
상기 다각형 셀 영역의 꼭지점에 대응하여 배치되는 노광기용 조명 장치.The method of claim 7, wherein the inflection portion of the metal pad is:
A lighting device for an exposure machine disposed corresponding to a vertex of the polygonal cell area.
상기 다각형 셀 영역의 에지로부터 0.1mm ~ 0.2mm의 거리로 이격되는 노광기용 조명 장치.The method of claim 1, wherein the edge of the unit substrate is:
A lighting device for an exposure machine spaced apart from the edge of the polygonal cell area at a distance of 0.1 mm to 0.2 mm.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180133325A KR102657119B1 (en) | 2018-11-02 | 2018-11-02 | Lighting apparatus for stepper |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200050574A KR20200050574A (en) | 2020-05-12 |
KR102657119B1 true KR102657119B1 (en) | 2024-04-15 |
Family
ID=70679543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102657119B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030193789A1 (en) | 2002-04-16 | 2003-10-16 | Gelcore, Llc | Close packing LED assembly with versatile interconnect architecture |
US20120320595A1 (en) | 2010-02-22 | 2012-12-20 | Integrated Micro-Electronics Bulgaria | Light source having led arrays for direct operation in alternating current network and production method therefor |
JP2015088310A (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Light source module and lighting device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100082394A (en) * | 2008-12-29 | 2010-07-19 | 서울반도체 주식회사 | Pcb block and led module comprising the same |
KR20120116037A (en) * | 2011-04-12 | 2012-10-22 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting unit module, light emitting module array and backlight unit having the same |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030193789A1 (en) | 2002-04-16 | 2003-10-16 | Gelcore, Llc | Close packing LED assembly with versatile interconnect architecture |
US20120320595A1 (en) | 2010-02-22 | 2012-12-20 | Integrated Micro-Electronics Bulgaria | Light source having led arrays for direct operation in alternating current network and production method therefor |
JP2015088310A (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Light source module and lighting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200050574A (en) | 2020-05-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |