KR102654289B1 - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 53
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 221
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 38
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 31
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 220
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
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- H—ELECTRICITY
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 연결된 발광 소자, 상기 트랜지스터와 발광 소자 사이에 위치하는 절연막, 상기 제1 기판과 중첩하는 제2 기판, 상기 제2 기판에 위치하는 색변환층을 포함하고, 상기 절연막은 제1 절연막 및 제2 절연막을 포함하고, 상기 제1 절연막은 상기 제2 절연막보다 제1 기판에 가깝게 위치하며, 상기 제1 절연막은 광차단 물질을 포함한다.
Description
본 개시는 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 발광 소자에 의한 트랜지스터의 손상을 방지한 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 소자는, 양극(anode)으로부터 공급되는 정공(hole)과 음극(cathode)으로부터 공급되는 전자(electron)가 양극과 음극 사이에 형성된 발광층 내에서 결합하여 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 안정화되면서 광을 방출하는 소자이다.
발광 소자는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가지기 때문에 텔레비전, 모니터, 휴대폰 등의 다양한 전기 및 전자 장치들에 널리 적용되고 있다.
최근 고효율의 표시 장치를 구현하기 위하여 색변환층을 포함하는 표시 장치가 제안되고 있다.
실시예들은 발광 소자층 및 색변환층으로부터 입사된 광에 의한 트랜지스터의 문턱 전압 이동을 예방한 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 연결된 발광 소자, 상기 트랜지스터와 발광 소자 사이에 위치하는 절연막, 상기 제1 기판과 중첩하는 제2 기판, 상기 제2 기판에 위치하는 색변환층을 포함하고, 상기 절연막은 제1 절연막 및 제2 절연막을 포함하고, 상기 제1 절연막은 상기 제2 절연막보다 제1 기판에 가깝게 위치하며, 상기 제1 절연막은 광차단 물질을 포함한다.
상기 제2 기판과 상기 색변환층 사이에 위치하는 컬러 필터층을 더 포함할 수 있다.
상기 발광 소자는 청색광을 발광할 수 있다.
상기 발광 소자에서 방출된 광은 색변환층 및 컬러 필터층을 차례로 투과하여 표시 장치 외부로 방출될 수 있다.
상기 제1 절연막의 두께는 2㎛ 내지 4㎛이고, 상기 제2 절연막의 두께는 2㎛ 내지 4㎛일 수 있다.
상기 절연막의 두께는 4㎛ 내지 8㎛일 수 있다.
상기 제1 기판은 비표시 영역을 포함하고, 상기 비표시 영역에 트랜지스터가 위치하며, 상기 절연막은 상기 비표시 영역의 상기 트랜지스터 상에도 위치할 수 있다.
상기 발광 소자는 제1 전극, 발광 소자층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 투명 전도성 산화물층, 금속층, 투명 전도성 산화물층이 차례로 적층된 3중충 구조를 가지며, 상기 금속층의 두께는 500Å 내지 1500Å일 수 있다.
상기 절연막은 개구부를 포함하고, 상기 개구부에서 상기 제1 전극과 상기 트랜지스터가 접촉하고, 상기 제1 전극은 상기 개구부에서 단차를 가지며, 상기 제1 전극의 상기 단차 영역에 평탄화층이 위치할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판에 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 트랜지스터 상에 광차단 물질을 포함하는 제1 절연막을 증착하는 단계, 상기 제1 절연막 상에 광을 투과하는 제2 절연막을 증착하는 단계, 상기 제1 절연막 및 제2 절연막을 하나의 마스크를 이용하여 패터닝하여 개구부를 형성하는 단계, 상기 개구부를 통해 상기 트랜지스터와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 절연막의 두께는 2㎛ 내지 4㎛이고, 상기 제2 절연막의 두께는 2㎛ 내지 4㎛일 수 있다.
상기 절연막 상에 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 격벽을 형성하는 단계에서, 상기 개구부와 중첩하는 제1 전극의 단차부에 평탄화층이 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판에 위치하는 반도체층, 상기 반도체층에 위치하는 층간 절연막, 상기 층간 절연막에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 위치하는 절연막, 상기 절연막에 위치하는 제1 전극을 포함하고, 상기 층간 절연막 및 상기 절연막 중 하나 이상이 광차단 물질을 포함한다.
상기 절연막이 제1 절연막 및 제2 절연막을 포함하고, 상기 제1 절연막은 상기 제2 절연막보다 제1 기판에 가깝게 위치하며, 상기 제1 절연막은 광차단 물질을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연막이 광차단 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 층간 절연막이 광차단 물질을 포함하고 상기 절연막은 광차단 물질을 포함하지 않을 수 있다.
상기 층간 절연막이 광차단 절연막 및 광투과 절연막을 포함하고, 상기 광차단 절연막은 상기 광투과 절연막보다 상기 제1 기판에 더 가까이 위치할 수 있다.
상기 절연막 상에 위치하는 연결 전극, 상기 연결 전극과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 화소 절연막을 더 포함하고, 상기 층간 절연막, 상기 절연막 및 상기 화소 절연막 중 하나 이상이 광차단 물질을 포함할 수 있다.
상기 화소 절연막은 제1 화소 절연막 및 제2 화소 절연막을 포함하고, 상기 제1 화소 절연막은 상기 제2 화소 절연막보다 제1 기판에 가깝게 위치하며, 상기 제1 화소 절연막은 광차단 물질을 포함할 수 있다.
상기 화소 절연막은 상기 연결 전극과 중첩하는 개구부를 포함하고, 상기 개구부에서 상기 연결 전극과 상기 제1 전극이 접촉하고, 상기 제1 전극은 상기 개구부에서 단차를 가지며, 상기 제1 전극의 상기 단차 영역에 평탄화층이 위치할 수 있다.
실시예들에 따르면, 전극과 트랜지스터 사이에 광차단 절연막을 포함함으로써, 발광 소자층 및 색변환층으로부처 입사된 광에 의한 트랜지스터의 문턱 전압 이동을 예방한 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 도시한 것이다.
도 2는 광 노출 시간에 따른 문턱 전압의 변화량(△Vth)을 나타낸 것이다.
도 3은 광의 색깔에 따른 문턱 전압의 변화량(△Vth)을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V’선을 따라 잘라 도시한 단면도이다,
도 6은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 7은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 6과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 8은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 9는 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면을 도시한 것이다.
도 10 내지 도 15는 도 9의 표시 패널을 제조하기 위한 공정 단면도이다.
도 2는 광 노출 시간에 따른 문턱 전압의 변화량(△Vth)을 나타낸 것이다.
도 3은 광의 색깔에 따른 문턱 전압의 변화량(△Vth)을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V’선을 따라 잘라 도시한 단면도이다,
도 6은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 7은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 6과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 8은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 9는 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면을 도시한 것이다.
도 10 내지 도 15는 도 9의 표시 패널을 제조하기 위한 공정 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
그럼 이하에서 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 도시한 것이다.
도 1을 참고로 하면 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(110) 및 제1 기판(110)과 중첩하는 제2 기판(210)을 포함한다. 제1 기판(110)은 발광 소자층(370)을 포함하여 표시 패널(100)을 구성하고, 제2 기판(210)은 컬러 필터(230) 및 색변환층(330)을 포함하여 색변환 패널(300)을 구성한다.
먼저 표시 패널(100)에 대하여 설명한다. 제1 기판(110)에 트랜지스터(TFT) 및 이와 연결된 제1 전극(191)이 위치하고, 제1 전극(191)과 제1 기판(110) 사이에 절연막(180)이 위치한다. 절연막(180)은 유기물을 포함할 수 있다.
절연막(180)은 제1 절연막(181) 및 제2 절연막(182)을 포함하며, 제1 절연막(181)은 광을 투과하지 않는 물질을 포함한다. 일례로, 제1 절연막(181)은 블랙 매트릭스 물질을 포함할 수 있다. 이후 자세하게 설명하겠지만, 광을 차단하는 제1 절연막(181)은 발광 소자층(370)에서 방출되는 광에 의한 트랜지스터(TFT)의 손상을 막을 수 있다.
도 1을 참고하면, 제1 전극(191)에는 개구부를 포함하는 격벽(380)이 위치하고, 격벽(380)에 제2 전극(270)이 위치한다. 격벽(380)의 개구부에는 발광 소자층(370)이 위치한다. 발광 소자층(370)은 제1 전극(191)과 제2 전극(270)의 전압 공급에 의해 발광한다.
제1 전극(191)과 트랜지스터(TFT)가 접촉하는 영역은 절연막(180)이 제거되어 개구부가 형성되어 있다. 절연막(180)의 개구부에 위치하는 제1 전극(191)은 다른 부분에 비하여 움푹 들어가 위치하며 단차가 발생한다. 상기 단차 영역에 평탄화층(381)이 위치할 수 있다. 평탄화층(381)은 격벽(380)과 동일 물질을 포함하며 격벽(380)과 동일 공정으로 형성될 수 있다. 평탄화층(381)은 제1 전극(191)의 단차를 보상하여 발광 소자층(370)이 평평한 면 위에 위치하도록 한다. 평탄화층(381)이 없는 경우 발광 소자층(370)의 상면이 평탄하지 않을 수 있다. 그러나 이는 일 예시일 뿐이며 평탄화층(381)은 생략될 수 도 있다.
제2 전극(270)에 봉지층(390)이 위치할 수 있다. 봉지층(390)은 교대로 적층된 유기층 및 무기층을 포함할 수 있다.
이하에서는 색변환 패널(200)에 대하여 설명한다. 제2 기판(210)에 컬러 필터(230)가 위치한다. 이때 컬러 필터(230)는 제1 기판(110)과 제2 기판(210) 사이에 위치한다. 컬러 필터(230)과 제2 기판(210) 사이에 차광 부재(220)가 위치하며, 차광 부재(220)와 컬러 필터(230)는 일부 중첩할 수 있다.
컬러 필터(230)와 차광 부재(220)에 컬러 필터 절연막(250)이 위치한다. 컬러 필터 절연막(250)에 색변환층(330)이 위치한다. 즉, 컬러 필터 절연막(250)은 색변환층(330)과 컬러 필터(230) 사이에 위치한다. 색변환층(330)은 컬러 필터(230)와 중첩하여 위치할 수 있다.
색변환층(330)은 양자점을 포함하며 입사된 광을 다른 색으로 변환시킨다. 색변환층(330)은 각각 녹색 색변환층, 적색 색변환층 및 투과층을 포함할 수 있으며, 발광 소자층(370)에서 발광된 청색광을 각각 녹색, 적색으로 색변환하거나 청색광을 그대로 투과할 수 있다.
도 1에 도시하지는 않았으나, 녹색 색변환층은 녹색 컬러 필터와 중첩하여 위치하고, 적색 색변환층은 적색 컬러 필터와 중첩하여 위치하며, 투과층은 청색 컬러 필터와 중첩하여 위치할 수 있다.
색변환층(330)에 평탄화막(350)이 위치할 수 있다. 평탄화막(350)은 봉지층(390)과 접할 수 있다.
즉, 도 1의 실시예에 따른 표시 장치는 발광 소자층(390)을 포함하는 표시 패널(100)과 색변환층(330)을 포함하는 색변환 패널(200)이 결합되어 있다. 발광 소자층(390)에서는 청색광을 발광한다. 청색광은 색변환층(330)을 통과하면서 각각의 색변환층에서 적색, 녹색으로 색변환되거나 투과층에서 청색으로 투과된다.
색변환층(330)을 투과한 빛은 각각의 컬러필터를 다시 통과하면서 색 순도가 개선된다. 또한 컬러 필터(230)는 외부로부터 입사된 광에 의해 색변환층(330)에서 색변환이 일어나지 않도록 방지한다.
이렇게 도 1의 실시예에 따른 표시 장치는 발광층에서 발광된 청색광이 색변환층 및 컬러 필터를 통과하면서 외부로 방출되고, 보다 색순도가 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
다만, 색변환층(330)에서 색변환된 광은 모든 방향으로 방출된다. 따라서 색변환된 광 중 일부는 표시 장치의 외부가 아닌 내부로 방출되고 이러한 광이 트랜지스터에 입사되는 경우 트랜지스터의 문턱 전압에 영향을 미칠 수 있다.
도 2는 광 노출 시간에 따른 문턱 전압의 변동 폭을 나타낸 것이다. 도 2를 참고하면 스위칭 트랜지스터(SW_TR)에서 광 노출 시간이 증가할수록 문턱 전압의 변화량(△Vth)이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 또한 도 3은 광의 색깔에 따른 문턱 전압의 변화량(△Vth)을 나타낸 것이다. 도 3을 참고로 하면 청색광이 입사되었을 때 문턱 전압의 변화량(△Vth)이 가장 크게 나타나는 것을 확인할 수 있다.
색변환층을 포함하지 않는 통상적인 유기 발광 표시 장치의 경우, 발광 소자층(370)에서 발광된 광은 주로 전면(제1 기판과 멀어지는 방향)으로 방출된다. 후면(제1 기판과 가까워지는 방향)으로 방출된 광은 제1 전극(191)에 의해 반사되어 다시 전면으로 방출된다. 따라서 발광 소자층(370)에서 방출되는 광에 의해 트랜지스터가 큰 영향을 받지 않는다.
그러나, 색변환층을 포함하는 표시 장치의 경우, 발광 소자층(370)에서 발광된 광은 주로 전면으로 방출되지만, 색변환층(330)에서 색변화된 광은 전면 후면을 포함하는 모든 방향으로 방출된다. 따라서 색변환층(330)에서 방출된 광은 트랜지스터에 입사될 수 있고 이는 트랜지스터의 문턱 전압을 변화시켜 소자의 신뢰성을 감소시킬 수 있다.
그러나 본 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 전극(191)과 제1 기판(110) 사이에 위치하는 절연막(180)이 제1 절연막(181) 및 제2 절연막(182)을 포함하며, 제1 절연막(181)은 광을 투과하지 않는 물질을 포함한다. 따라서 색변환층(330)에서 후면으로 방출된 빛은 제1 절연막(181)에 의해 차단되어 트랜지스터(TFT)에 도달하지 않는다. 따라서 트랜지스터(TFT)의 문턱 전압 이동을 막을 수 있다.
제1 절연막(181)의 두께는 2㎛ 내지 4㎛일 수 있다. 또한 제2 절연막(182)의 두께는 2㎛ 내지 4㎛일 수 있다. 절연막(180)의 두께는 4㎛ 내지 8㎛일 수 있다.
절연막은 코팅을 통해 형성되는바 두께가 두꺼워지면 균일한 코팅이 어려우며, 따라서 절연막을 일정 두께 이상으로 형성하기 어렵다. 통상적으로, 단일층인 절연막의 두께는 약 3㎛ 수준이다.
그러나, 본 실시예에 따른 표시 장치의 경우 절연막(180)이 제1 절연막(181) 및 제2 절연막(182)의 이중층 구조이다. 따라서 절연막(180)이 두 번의 코팅 공정을 통해 형성되기 때문에 절연막(180)을 두껍게 형성할 수 있다. 이렇게 절연막(180)을 두껍게 형성하는 경우, 제1 전극(191)과 하부 구조물 사이에 정전용량을 감소시켜서 설계 자유도를 증가시킬 수 있다.
도 1에서는 표시 장치를 간단하게 도시하여, 제1 기판(110)과 제1 전극(191) 사이에 위치하는 절연막(180)이 광을 차단하는 구성을 도시하였다. 그러나 광차단층이 절연막(180)에 한정되는 것은 아니다. 제1 전극(191)과 제1 기판(110) 사이에 위치하며 트랜지스터(TFT)의 반도체층보다 제1 기판(110)으로부터 멀리 위치하는 절연층이라면 제한 없이 광차단 물질을 포함할 수 있다.
또한, 도 1에서는 절연막(180)이 광을 차단하는 제1 절연막(181)과 광을 투과하는 제2 절연막(182)을 포함하는 구성을 도시하였다. 그러나 절연막(180) 전체가 광을 차단하는 제1 절연막(181)으로만 이루어질 수도 있다. 다만, 광을 투과하는 제2 절연막(182)을 포함하는 구조가 제1 전극(191)과의 표면 특성이 더 우수할 수 있다. 절연막이 광차단 물질을 포함하게 되면, 표면 접착 특성이 달라질 수 있으나 광차단 물질을 포함하지 않는 통상의 절연막은 표면 접착 특성이 감소되지 않기 때문이다.
그러면 이하에서, 구체적인 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에 대하여 보다 상세하게 설명한다. 이하에서는 표시 패널(100)의 구성을 설명하며, 색변환 패널(200)의 구성은 도 1에서와 동일하다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 5는 도 4의 V-V’선을 따라 잘라 도시한 단면도이다,
도면에서는 표시 영역의 각 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(T1, T2)와 하나의 축전 소자(C1)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(activematrix, AM)형 발광 표시 장치를 도시하고 있으나, 본 발명 및 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 가질 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 영역은 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 표시 장치는 기판(110)에 위치하는 복수의 화소 각각에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 구동 박막 트랜지스터(T2), 축전 소자(C1), 그리고 발광 소자(E1)를 포함한다. 기판(110)에는 일 방향을 따라 배치되는 게이트선(121)과, 게이트선(121)과 절연 교차되는 데이터선(171) 및 공통 전원선(172)이 위치한다. 여기서, 각 화소는 게이트선(121), 데이터선(171) 및 공통 전원선(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
유기 발광 소자(E1)는, 제1 전극(191)과, 제1 전극(191) 상에 형성된 발광 소자층(370)과, 이 발광 소자층(370) 상에 형성된 제2 전극(270)을 포함한다.
여기서 제1 전극(191)이 정공 주입 전극인 양극이며, 제2 전극(270)이 전자 주입 전극인 음극이 된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라 제1 전극(191)이 음극이 되고, 제2 전극(270)이 양극이 될 수도 있다. 제1 전극(191)은 화소 전극일 수 있고, 제2 전극(270)은 공통 전극일 수 있다.
발광 소자층(370)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 이 중 발광층은 유기 발광층을 포함할 수 있으며, 주입된 정공과 전자가 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다. 또는 발광층은 양자점을 포함할 수도 있다.
축전 소자(C1)는 층간 절연막(160)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(158, 178)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(160)은 유전체가 된다. 축전 소자(C1)에 축적된 전하와 한 쌍의 축전판(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(T1)는, 스위칭 반도체층(151), 스위칭 게이트 전극(122), 스위칭 소스 전극(176), 및 스위칭 드레인 전극(177)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(T2)는 구동 반도체층(155), 구동 게이트 전극(124), 구동 소스 전극(173) 및 구동 드레인 전극(175)을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(122)은 게이트선(121)에 연결되고, 스위칭 소스 전극(176)은 데이터선(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(177)은 스위칭 소스 전극(176)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(158)과 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(T2)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(E1)의 발광 소자층(370)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(191)에 인가한다. 구동 게이트 전극(124)은 스위칭 드레인 전극(177)과 연결된 축전판(158)에 연결된다. 구동 소스 전극(173) 및 다른 한 축전판(178)은 각각 공통 전원선(172)에 연결된다.
구동 드레인 전극(175)이 접촉 구멍(185)을 통해 제1 전극(191)에 연결된다.
도 4와 함께 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.
제1 기판(110)위에 버퍼층(111)이 위치한다. 기판(110)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘옥시나이트라이드(SiOxNy) 등으로 이루어질 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 x,y는 각각 1 내지 5일 수 있다.
버퍼층(111) 위에 구동 반도체층(155)이 위치한다. 구동 반도체층(155)은 다결정 실리콘막, 비정질 실리콘막 등의 다양한 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 구동 반도체층(155)은 소스 영역(152), 채널 영역(153) 및 드레인 영역(154)을 포함할 수 있다.
구동 반도체층(155) 위에 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드 등으로 이루어진 게이트 절연막(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140) 위에 구동 게이트 전극(124) 및 제1 축전판(158)이 위치한다. 이때, 구동 게이트 전극(124)은 구동 반도체층(155)의 적어도 일부, 구체적으로 채널 영역(153)과 중첩하여 위치한다.
게이트 절연막(140) 상에는 구동 게이트 전극(124)을 덮는 층간 절연막 (160)이 위치한다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드 등으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)은 구동 반도체층(155)의 소스 영역(152) 및 드레인 영역(154)을 드러내는 제1 접촉 구멍(163) 및 제2 접촉 구멍(165)을 갖는다.
층간 절연막 (160) 위에 구동 소스 전극(173) 및 구동 드레인 전극(175), 데이터선(171), 공통 전원선(172), 제2 축전판(178)이 위치한다. 구동 소스 전극(173) 및 구동 드레인 전극(175)은 각각 제1 접촉 구멍(163) 및 제2 접촉 구멍(165)을 통해 구동 반도체층(155)의 소스 영역(152) 및 드레인 영역(154)과 연결된다.
층간 절연막(160) 상에는 구동 소스 전극(173), 구동 드레인 전극(175)을 덮는 절연막(180)이 위치한다. 절연막(180)은 폴리아크릴계, 폴리이미드계 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
절연막(180)은 제1 절연막(181) 및 제2 절연막(182)을 포함하며, 제1 절연막(181)은 광을 투과하지 않는 물질을 포함한다. 일례로, 제1 절연막(181)은 블랙 매트릭스 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연막(182)은 투명하여 광을 투과할 수 있다.
제1 절연막(181)이 제2 절연막(182)보다 제1 기판(110)에 가깝게 위치한다. 제1 절연막(181)이 광을 투과하지 않기 때문에 이후 발광 소자층(370)에서 발광된 광 및 색변환 패널(300)에 위치하는 색변환층(330)에서 방출된 광이 구동 반도체층(155) 및 스위칭 반도체층(151)으로 입사되는 것을 막을 수 있다. 따라서, 구동 반도체층(155) 및 스위칭 반도체층(151)의 광 노출에 의한 문턱 전압 이동을 예방할 수 있다.
절연막(180)은 접촉 구멍(185)을 갖는다. 제1 전극(191)은 절연막(180)상에 위치한다. 제1 전극(191)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 구동 드레인 전극(175)과 연결되어 있다.
격벽(380)은 절연막(180) 상에 위치하며, 격벽(380)의 일부는 제거되어 개구부를 갖는다. 상기 개구부에 제1 전극(191)과 중첩하여 발광 소자층(370)이 위치하고, 발광 소자층(370)과 중첩하도록 제2 전극(270)이 위치한다. 발광 소자층(370)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 제2 전극(270)은 공통 전극일 수 있다. 발광 소자(E1)는 제1 전극(191), 발광 소자층(370) 및 제2 전극(270)을 포함한다.
제1 전극(191)은 투명 전도성 산화물/ 금속/ 투명 전도성 산화물의 3중층 구조를 가질 수 있다. 이렇게 제1 전극(191)이 금속을 포함하는 경우 발광 소자층(370)에서 방출된 광이 제1 전극(191)에 의해 반사되어 전면으로 방출된다. 일례로. 제1 전극(191)은 ITO/Ag/ITO의 구조를 가질 수 있다.
이때 Ag 층의 두께는 500Å 내지 1500Å 일 수 있다. Ag층의 두께가 두꺼워지는 경우 제1 전극(191)이 광을 차단하여 반도체층으로 입사되는 광량을 감소시킬 수 있으나, Ag층의 두께가 두꺼워질수록 표면 거칠기가 증가하고 반사량이 감소하는바 바람직하지 않다. 실험 결과, Ag의 두께가 1000Å인경우 반사량은 296700 cd/m2 이었으나, Ag의 두께가 3000Å인 경우 반사량은 276400 cd/m2로 감소하였다.
따라서 Ag층의 두께가 1500 Å 이상인 경우 표면 거칠기 증가에 의하여 반사량이 감소하고 표시 장치의 효율이 감소한다. 그러나 Ag층의 두께를 1500 Å 이하로 하는 경우 발광 소자층(370)에서 방출된 광이 제1 전극(191)을 투과하여 반도체층으로 입사될 수 있다. 이 경우 반도체층의 문턱 전압이 변화하고 소자의 신뢰성이 문제된다.
그러나 본 실시예에 따른 표시 장치의 경우 제1 전극(191)과 반도체층 사이에 위치하는 절연막(180)이 광을 차단하는 제1 절연막(181)을 포함하는바 제1 전극(191)을 통과한 빛이 반도체층에 입사되는 것을 막을 수 있다.
그러면 이하에서 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 6은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 6을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연막(180) 및 광차단 절연막(161)의 구성을 제외하고는 도 5의 실시예에 따른 표시 장치와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생력한다.
도 6을 참고로 하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연막(180)이 단일층이다. 다만, 도 5의 층간 절연막(160) 대신 도 6의 실시예는 광차단 절연막(161)이 위치한다. 광차단 절연막(161)의 경우 광차단 물질을 포함하며, 따라서 발광 소자층(370) 및 색변환층(330)에서 방출되는 광이 반도체층에 입사하는 것을 차단한다.
본 실시예에서 절연막(180)은 광차단 물질을 포함할 수도 있고 포함하지 않을 수도 있다. 절연막(180)이 광차단 물질을 포함하는 경우 광차단 효과가 높아지며, 절연막(180)이 광차단 물질을 포함하지 않는 경우 제1 전극(191)과의 표면 접착 특성이 우수할 수 있다.
도 5의 실시예에 따른 표시 패널은 층간 절연막(160)이 무기물을 포함하지만, 도 6의 실시예에 따른 표시 패널은 무기물인 층간 절연막(160) 대신에 유기물인 광차단 절연막(161)을 포함한다. 따라서 표시 패널을 플렉서블 표시 장치등에 적용하는 경우 광차단 절연막(161)이 깨지지 않고 유연하게 구부러질 수 있다.
도 7은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 6과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 7을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 층간 절연막(160)의 구성을 제외하고는 도 6의 실시예에 따른 표시 장치와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 7을 참고로 하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 층간 절연막(160)이 광차단 절연막(161)과 광투과 절연막(162)의 이중층이다. 광차단 절연막(161)은 도 6에서와 동일하게 발광 소자층(370) 및 색변환층(330)으로부터 입사되는 광을 차단한다. 또한 광투과 절연막(162)은 광을 투과하며, 이후 위치하는 데이터선(171) 및 공통 전원선(172)과의 표면 접착 특성을 개선한다.
도 8은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 8을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 광차단 절연막(161)의 구성을 제외하고는 도 5의 실시예에 따른 표시 장치와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 8의 실시예에 따른 표시 패널은 도 5의 층간 절연막(160) 대신 광차단 절연막(161)이 위치한다. 광차단 절연막(161)의 경우 광차단 물질을 포함하며, 따라서 발광 소자층(370) 및 색변환층(330)에서 방출되는 광이 반도체층에 입사하는 것을 차단한다. 도 8의 실시예의 경우 발광 소자층(370) 및 색변환층(330)에서 방출되는 광이 제1 절연막(181)에 의해 한번 차단되고, 광차단 절연막(161)에 의하여 다시 차단되는바 반도체층에 광이 입사되는 것을 효과적으로 막을 수 있다.
그러면 이하에서 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 패널에 대하여 도 9를 참고로 하여 상세하게 설명한다. 도 9의 실시예에 따른 표시 패널의 주요 특징은 도 4 내지 도 8의 실시예에 따른 표시 패널의 특징과 유사하다. 다만, 도 9는 표시 패널의 적층 구조가 도 4 내지 도 8의 구조와 일부 상이하다. 이하에서는 도 9의 실시예에 대하여, 도 4 내지 도 8의 차이점과 다른 점을 중심으로 하여 설명한다.
도 9를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(110), 버퍼층(111), 구동 반도체층(155) 및 스위칭 반도체층(151), 게이트 절연막(140), 구동 게이트 전극(124), 스위칭 게이트 전극(122) 및 축전판(158)을 포함하는 게이트 도전체, 구동 소스 전극(173), 구동 드레인 전극(175), 스위칭 소스 전극(176), 및 스위칭 드레인 전극(177)을 포함하는 데이터 도전체를 포함하며, 이에 대한 설명은 도 4 내지 도 8에서와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 9를 참고로 하면, 구동 소스 전극(173), 구동 드레인 전극(175), 스위칭 소스 전극(176), 및 스위칭 드레인 전극(177)을 포함하는 데이터 도전체 위에 전압 전달 도전체가 위치한다.
전압 전달 도전체는 구동 소스 전극(173)과 중첩하여 서로 연결되어 있는 ELVDD선(173a), 스위칭 소스 전극(176)과 중첩하여 서로 연결되어 있는 데이터 전압선(171a), 구동 드레인 전극(175)과 중첩하여 서로 연결되어 있는 연결 전극(178a)을 포함한다.
전압 전달 도전체 상에 화소 절연막(280)이 위치한다. 화소 절연막(280)은 제1 화소 절연막(281) 및 제2 화소 절연막(282)을 포함하며, 제1 화소 절연막(281)은 제2 화소 절연막(282)보다 제1 기판(110)에 더 가깝게 위치한다.
제1 화소 절연막(281)의 두께는 2㎛ 내지 4㎛일 수 있다. 또한 제2 화소 절연막(282)의 두께는 2㎛ 내지 4㎛일 수 있다. 화소 절연막(280)의 전체 두께는 4㎛ 내지 8㎛일 수 있다.
제1 화소 절연막(281)은 광을 투과하지 않는 물질을 포함한다. 따라서, 이후 발광 소자층(370)에서 방출되는 광이 반도체층으로 입사되는 것을 막는다. 제2 화소 절연막(282)은 광을 투과할 수 있다. 제2 화소 절연막(282)은 이후 위치하는 제1 전극(191)과의 표면 접착 특성을 개선한다.
연결 전극(178a)과 중첩하는 영역의 화소 절연막(280)은 제거되어, 연결 전극(178a)의 일부는 화소 절연막(280)에 의해 덮여있지 않다.
연결 전극(178a)은 3중층 구조의 금속을 포함할 수 있다. 일례로, TiAlTi 구조의 금속을 포함할 수 있으며, 각각의 층의 두께는 300Å/6000Å/700Å일 수 있다. 다만 이는 일 예시일 뿐으로, 이에 제한되는 것은 아니다. 연결 전극(178a)은 7000Å 이상의 두께를 가질 수 있다. 따라서 연결 전극(178a)은 화소 절연막(280)에 의해 덮여있지 않더라도 광을 차단할 수 있다.
다음, 화소 절연막(280)에 제1 전극(191)이 위치한다. 제1 전극(191)은 화소 절연막(280)에 의해 덮여있지 않는 영역의 연결 전극(178a)와 접촉하여 전압을 전달받는다. 제1 전극(191)은 화소 전극일 수 있다.
제1 전극(191)에는 격벽(380)이 위치한다. 제1 전극(191)과 연결 전극(178a)이 접촉하는 영역은 화소 절연막(280)이 제거되어 오목한 홈이 위치한다. 이러한 홈의 화소 전극(191) 상에 격벽(380)과 동일한 물질을 포함하는 평탄화층(381)이 위치한다. 평탄화층(381)은 제1 전극(191)의 단차를 보상하여 발광 소자층(370)이 평탄한 면 위에 위치하도록 한다.
제1 전극(191)에 발광 소자층(370)이 위치한다. 발광 소자층(370)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
발광 소자층(370)에 제2 전극(270)이 위치한다. 제2 전극(270)은 공통 전극일 수 있다.
즉 도 9의 실시예에 따른 표시 장치의 경우 절연막(180) 상에 전압 전달 도전체층이 위치하며, 전압 전달 도전체층과 제1 전극(191) 사이에 화소 절연막(280)이 위치하고, 화소 절연막(280)이 광을 차단하는 제1 화소 절연막(281)을 포함한다. 따라서 발광 소자층(370) 및 색변환층(330)으로부터 방출되는 빛이 반도체층으로 입사되는 것을 막을 수 있다. 도 9에서는 화소 절연막(280)이 광차단층을 포함하는 구성만을 도시하였으나, 이에 추가하여 절연막(180), 층간 절연막(160) 또한 광차단층을 포함할 수 있다.
그럼 이하에서, 도 10 내지 도 15를 참고로 하여 본 실시예에 따른 표시 패널의 제조 과정을 화소 절연막(280)의 형성 공정을 중점으로 하여 설명한다. 도 10 내지 도 15는 도 9의 표시 패널을 제조하기 위한 공정 단면도이다.
도 10을 참고로 하면, 먼저 제1 기판(110), 버퍼층(111), 구동 반도체층(155) 및 스위칭 반도체층(151)을 포함하는 반도체층, 게이트 절연막(140), 구동 게이트 전극(124), 스위칭 게이트 전극(122) 및 축전판(158)을 포함하는 게이트 도전체; 구동 소스 전극(173), 구동 드레인 전극(175), 스위칭 소스 전극(176), 및 스위칭 드레인 전극(177)을 포함하는 데이터 도전체; 구동 소스 전극(173)과 중첩하여 서로 연결되어 있는 ELVDD 선(173a), 스위칭 소스 전극(176)과 중첩하여 서로 연결되어 있는 데이터 전압선(171a) 및 구동 드레인 전극(175)과 중첩하여 서로 연결되어 있는 연결 전극(178a)을 포함하는 전압 전달 도전체를 형성한다. 도 10의 표시 패널 제조 공정은 당업계에서 일반적인 방법으로 제조될 수 있다.
다음 도 11을 참고로 하면, 광차단 물질을 포함하는 제1 화소 절연막(281)을 표시 패널 전면에 도포한다. 이 제1 화소 절연막(281)은 차광 부재와 동일한 물질을 포함할 수도 있다.
다음 도 12를 참고로 하면, 광을 투과하는 제2 화소 절연막(282)을 형성한다. 제2 화소 절연막(282)은 투명할 수 있다.
다음 도 13을 참고로 하면, 마스크(800)를 이용하여 화소 절연막(280)을 패터닝한다. 제1 화소 절연막(281)과 제2 화소 절연막(282)이 하나의 마스크를 이용한 단일 공정으로 패터닝 된다. 패터닝 공정을 통해 연결 전극(178a)과 중첩하는 화소 절연막(280)이 제거되고, 연결 전극(178a)이 노출된다. 제1 화소 절연막(281)과 제2 화소 절연막(282)이 하나의 마스크를 이용한 단일 공정으로 패터닝되기 때문에, 개구부에서 제1 화소 절연막(281)의 가장자리와 제2 화소 절연막(282)의 가장자리가 같은 선상에 위치할 수 있다.
다음, 도 14를 참고로 하면 화소 절연막(280) 상에 제1 전극(191)을 형성한다. 제1 전극(191)은 화소 절연막(280)의 개구부에서 연결 전극(178a)과 접촉한다.
다음, 도 15를 참고하면 격벽(380) 및 평탄화층(381)을 형성한다. 격벽(380)은 제1 전극(191)과 일부 중첩하며, 제1 전극(191)이 형성되지 않은 영역에 주로 형성된다. 평탄화층(381)은 화소 절연막(280) 하부의 화소 절연막(280)의 개구부와 중첩하여 위치하면서 개구부에 의한 단차를 평탄화한다. 격벽(380) 및 평탄화층(381)은 격벽 물질을 전체에 도포한 후, 한번의 패터닝 공정을 통해 단일 공정으로 형성될 수 있다.
이 후, 도 9에서와 같이 발광 소자층(370) 및 제2 전극(270)을 형성하여 표시 패널이 제조된다.
도 10 내지 도 15에서는 화소 절연막(280)이 제1 화소 절연막(281) 및 제2 화소 절연막(282)을 포함하는 표시 패널을 제조하는 방법에 대하여 설명하였으나, 상기 화소 절연막(280)의 제조 방법과 유사한 방법으로 절연막(180), 층간 절연막(160) 등이 제조될 수 있다. 즉 절연막(180)이 제1 절연막(181) 및 제2 절연막(182)의 이중층 구조를 갖는 경우, 도 10 내지 도 15에서와 같이 제1 절연막(181) 및 제2 절연막(182)을 차례로 도포하고 하나의 마스크를 이용한 페터닝 공정으로 형성할 수 있다. 마찬가지로, 층간 절연막(160)이 광차단 절연막(161)과 광투과 절연막(162)의 이중층 구조를 갖는 경우에도, 광차단 절연막(161)과 광투과 절연막(162)을 차례로 도포하고 하나의 마스크를 이용한 페터닝 공정으로 형성할 수 있다.
따라서, 별도의 패터닝 공정이 요구되지 않는바 제조 공정을 간소화할 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 발광 소자를 포함하는 표시 패널; 및 컬러 필터, 색변환층이 위치하는 색변환 패널을 포함한다. 따라서 발광 소자에서 방출된 광이 색변환층 및 컬러 필터를 투과하여 방출되면서 표시 장치의 색순도를 높일 수 있다.
다만, 색변환층에서 변환된 빛은 모든 방향으로 방출되며, 발광 소자에서는 에너지가 높은 청색광이 방출되는바 이러한 빛이 반도체층에 입사되어 반도체층의 문턱 전압을 변동시키는 문제가 있을 수 있다. 그러나 본 실시예에 따른 표시 장치는 반도체층과 제1 전극 사이에 위치하는 절연막이 광차단 절연막을 포함함으로써, 발광 소자층이나 색변환층에서 방출된 빛이 반도체층으로 입사되는 것을 막는다. 따라서 문턱 전압의 변동을 막을 수 있고 표시 장치의 신뢰도를 높일 수 있다.
이상에서는 표시 장치의 표시 영역에 위치하는 트랜지스터를 위주로 하여 설명하였으나, 상기 광차단 절연막을 포함하는 절연막은 비표시 영역에 위치하는 ASG 트랜지스터나 ESD 방지용 트랜지스터에도 적용될 수 있다. 비표시 영역의 트랜지스터는 상부에 발광 소자층이나 색변환층이 위치하지는 않지만, 표시 영역에 위치하는 발광 소자층이나 색변환층에서 방출된 빛이 측면에서 입사될 수 있다. 따라서 이러한 빛으로 인해 비표시 영역에 위치하는 트랜지스터에서도 문턱 전압이 변동되는 현상이 발생할 수 있다. 그러나, 본 실시예에서와 같이 비표시 영역에 위치하는 트랜지스터 상부에 광차단 절연막을 포함하는 절연막이 위치하는 경우, 이러한 문턱 전압의 변동을 막을 수 있고 표시 장치를 안정적으로 구동할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 기판 111: 버퍼층
121: 게이트선 124: 게이트 전극
171: 데이터선 180: 절연막
181: 제1 절연막 182: 제2 절연막
280: 화소 절연막 281: 제1 화소 절연막
282: 제2 화소 절연막 160: 층간 절연막
161: 광차단 절연막 162: 광투과 절연막
191: 제1 전극 270: 제2 전극
370: 발광 소자층 380: 격벽
381: 평탄화층 350: 평탄화막
230: 컬러 필터 330: 색변환층
121: 게이트선 124: 게이트 전극
171: 데이터선 180: 절연막
181: 제1 절연막 182: 제2 절연막
280: 화소 절연막 281: 제1 화소 절연막
282: 제2 화소 절연막 160: 층간 절연막
161: 광차단 절연막 162: 광투과 절연막
191: 제1 전극 270: 제2 전극
370: 발광 소자층 380: 격벽
381: 평탄화층 350: 평탄화막
230: 컬러 필터 330: 색변환층
Claims (20)
- 제1 기판;
상기 제1 기판에 위치하는 트랜지스터;
상기 트랜지스터와 연결된 발광 소자;
상기 트랜지스터와 발광 소자 사이에 위치하는 절연막;
상기 제1 기판과 중첩하는 제2 기판;
상기 제2 기판에 위치하는 색변환층;을 포함하고,
상기 절연막은 제1 절연막 및 제2 절연막을 포함하고,
상기 제1 절연막은 상기 제2 절연막보다 제1 기판에 가깝게 위치하며,
상기 제1 절연막은 광차단 물질을 포함하고,
상기 제1 절연막은 상기 트랜지스터의 상면을 커버하고,
상기 발광 소자는 제1 전극, 발광 소자층 및 제2 전극을 포함하고,
상기 절연막은 개구부를 포함하고,
상기 개구부에서 상기 제1 전극과 상기 트랜지스터가 접촉하고.
상기 제1 전극은 상기 개구부에서 단차를 가지며,
상기 제1 전극의 상기 단차 영역에 평탄화층이 위치하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제2 기판과 상기 색변환층 사이에 위치하는 컬러 필터층을 더 포함하는 표시 장치. - 제2항에서,
상기 발광 소자는 청색광을 발광하는 표시 장치. - 제3항에서,
상기 발광 소자에서 방출된 광은 색변환층 및 컬러 필터층을 차례로 투과하여 표시 장치 외부로 방출되는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 절연막의 두께는 2㎛ 내지 4㎛이고,
상기 제2 절연막의 두께는 2㎛ 내지 4㎛인 표시 장치. - 제1항에서,
상기 절연막의 두께는 4㎛ 내지 8㎛인 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 기판은 비표시 영역을 포함하고,
상기 비표시 영역에 트랜지스터가 위치하며,
상기 절연막은 상기 비표시 영역의 상기 트랜지스터 상에도 위치하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 전극은 투명 전도성 산화물층, 금속층, 투명 전도성 산화물층이 차례로 적층된 3중충 구조를 가지며,
상기 금속층의 두께는 500 Å 내지 1500Å인 표시 장치.
- 삭제
- 제1 기판에 트랜지스터를 형성하는 단계:
상기 트랜지스터 상에 광차단 물질을 포함하는 제1 절연막을 증착하는 단계:
상기 제1 절연막 상에 광을 투과하는 제2 절연막을 증착하는 단계:
상기 제1 절연막 및 제2 절연막을 하나의 마스크를 이용하여 패터닝 하여 개구부를 형성하는 단계:
상기 개구부를 통해 상기 트랜지스터와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 절연막은 상기 트랜지스터의 상면을 커버하고,
상기 제2 절연막 상에 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 격벽을 형성하는 단계에서, 상기 개구부와 중첩하는 제1 전극의 단차부에 평탄화층이 동시에 형성되는 표시 장치의 제조 방법. - 제10항에서,
상기 제1 절연막의 두께는 2㎛ 내지 4㎛이고, 상기 제2 절연막의 두께는 2㎛ 내지 4㎛인 표시 장치의 제조 방법. - 삭제
- 제1 기판;
상기 제1 기판에 위치하는 반도체층;
상기 반도체층에 위치하는 층간 절연막;
상기 층간 절연막에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극;
상기 소스 전극 및 드레인 전극에 위치하는 절연막;
상기 절연막에 위치하는 제1 전극;
상기 절연막 상에 위치하는 연결 전극;
상기 연결 전극과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 화소 절연막을 포함하고,
상기 층간 절연막 및 상기 절연막 중 하나 이상이 광차단 물질을 포함하고,
상기 절연막이 제1 절연막 및 제2 절연막을 포함하고,
상기 제1 절연막은 상기 제2 절연막보다 제1 기판에 가깝게 위치하며,
상기 제1 절연막은 광차단 물질을 포함하고,
상기 제1 절연막은 트랜지스터의 상면을 커버하고,
상기 화소 절연막은 상기 연결 전극과 중첩하는 개구부를 포함하고,
상기 개구부에서 상기 연결 전극과 상기 제1 전극이 접촉하고,
상기 제1 전극은 상기 개구부에서 단차를 가지며,
상기 제1 전극의 상기 단차 영역에 평탄화층이 위치하는 표시 장치.
- 삭제
- 제13항에서,
상기 층간 절연막이 광차단 물질을 더 포함하는 표시 장치.
- 삭제
- 제13항에서,
상기 층간 절연막이 광차단 절연막 및 광투과 절연막을 포함하고,
상기 광차단 절연막은 상기 광투과 절연막보다 상기 제1 기판에 더 가까이 위치하는 표시 장치. - 제13항에서,
상기 층간 절연막, 상기 절연막 및 상기 화소 절연막 중 하나 이상이 광차단 물질을 포함하는 표시 장치. - 제18항에서,
상기 화소 절연막은 제1 화소 절연막 및 제2 화소 절연막을 포함하고,
상기 제1 화소 절연막은 상기 제2 화소 절연막보다 제1 기판에 가깝게 위치하며,
상기 제1 화소 절연막은 광차단 물질을 포함하는 표시 장치. - 삭제
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180118767A KR102654289B1 (ko) | 2018-10-05 | 2018-10-05 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US16/539,648 US11963403B2 (en) | 2018-10-05 | 2019-08-13 | Display device having a light-blocking material in an insulating layer between a transistor and a light-emitting element and manufacturing method thereof |
| CN201910942845.5A CN111009558A (zh) | 2018-10-05 | 2019-09-30 | 显示装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180118767A KR102654289B1 (ko) | 2018-10-05 | 2018-10-05 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200039865A KR20200039865A (ko) | 2020-04-17 |
| KR102654289B1 true KR102654289B1 (ko) | 2024-04-03 |
Family
ID=70051025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180118767A KR102654289B1 (ko) | 2018-10-05 | 2018-10-05 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11963403B2 (ko) |
| KR (1) | KR102654289B1 (ko) |
| CN (1) | CN111009558A (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2018
- 2018-10-05 KR KR1020180118767A patent/KR102654289B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-08-13 US US16/539,648 patent/US11963403B2/en active Active
- 2019-09-30 CN CN201910942845.5A patent/CN111009558A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111009558A (zh) | 2020-04-14 |
| KR20200039865A (ko) | 2020-04-17 |
| US20200111853A1 (en) | 2020-04-09 |
| US11963403B2 (en) | 2024-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| E601 | Decision to refuse application | ||
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