KR102646636B1 - Field Emission X-ray Source - Google Patents

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KR102646636B1
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윤덕환
심소라
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주식회사바텍
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Abstract

본 발명은 고밀도의 집중된 엑스선을 생성 및 조사하는 전계방출 엑스선 소스에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 절연재질로 이루어진 튜브 형상의 스페이서와, 상기 스페이서의 일측에 결합되고 에미터를 갖는 캐소드 전극과, 상기 스페이서의 타측에 결합되고 상기 에미터와 대향하는 타겟을 갖는 애노드 전극과, 상기 에미터와 상기 타겟 사이에 배치되는 게이트 전극을 포함하는 엑스선 소스에 있어서, 상기 애노드 전극은 상기 스페이서 내부로 실장되는 제 1 애노드 전극과 상기 스페이서 외부로 노출되는 제 2 애노드 전극을 포함하고, 상기 제 1 애노드 전극과 상기 스페이서 간 최단 거리는 5~10mm이며, 상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극 사이의 관전압은 50~120kV인 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a field emission X-ray source that generates and irradiates high-density, focused X-rays. More specifically, the present invention relates to a tube-shaped spacer made of an insulating material, a cathode electrode coupled to one side of the spacer and having an emitter, and an anode electrode coupled to the other side of the spacer and having a target facing the emitter. , In the X-ray source including a gate electrode disposed between the emitter and the target, the anode electrode includes a first anode electrode mounted inside the spacer and a second anode electrode exposed to the outside of the spacer, The shortest distance between the first anode electrode and the spacer is 5 to 10 mm, and the tube voltage between the cathode electrode and the anode electrode is 50 to 120 kV.

Description

전계방출 엑스선 소스{Field Emission X-ray Source}Field Emission X-ray Source

본 발명은 전계 에미터의 전계방출을 이용하여 엑스선을 생성 및 조사하는 전계방출 엑스선 소스에 관한 것이다. The present invention relates to a field emission X-ray source that generates and irradiates X-rays using the field emission of an electric field emitter.

엑스선 소스는 엑스선을 생성 및 조사하는 것으로, 엑스선 영상을 위한 엑스선 촬영 등 다양한 분야에서 사용되고 있다. 최근에는 전계 에미터의 전계방출을 이용하여 엑스선을 생성 및 조사하는 전계방출 엑스선 소스가 소개되었는데, 아직은 기존의 열전자 에미터 기반의 열전자 엑스선 소스 대비 엑스선 방출효율이 낮아 일례로 치과부문에서는 상대적으로 저 선량의 포터블 엑스선 촬영 장치 등에 제한적으로 적용되고 있다. An X-ray source generates and irradiates X-rays, and is used in various fields such as X-ray imaging for X-ray images. Recently, a field emission X-ray source that generates and irradiates X-rays using the field emission of an electric field emitter has been introduced, but its It has limited application to portable X-ray imaging devices.

이와 같은 전계방출 엑스선 소스와 관련하여 특허문헌(한국등록특허공보 제10-1916711호)에 공지된 것이 게재된 것이 있다.In relation to such a field emission

도 4를 참조하면 특허문헌의 전계방출 엑스선 소스(1)는, 절연재질로 이루어진 튜브형의 스페이서(10)와, 스페이서(10)의 일단에 결합된 애노드 전극(20)과, 애노드 전극(20)의 반대편인 스페이서(10)의 타단에 결합된 캐소드 전극(40)을 포함한다. 애노드 전극(20)을 향하는 캐소드 전극(40)의 일면 상에 전자 방출원(emitter)가 배치되는데, 전자 방출원은 별도의 에미터 기판(41)에 마련되어 캐소드 전극(40)에 결합될 수도 있고, 캐소드 전극(40) 표면에 직접 형성될 수도 있다. 전자 방출원은 예컨대 카본나노튜브(CNT)와 같은 나노 구조물로 이루어질 수 있다. 카본나노튜브(CNT)를 이용한 전자 방출원의 경우 에미터 기판(41) 또는 캐소드 전극(40) 표면에 카본나노튜브를 직접 성장시키거나, 카본나노튜브 페이스트를 도포한 후 소성하는 등의 방법으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4, the field emission It includes a cathode electrode 40 coupled to the other end of the spacer 10, which is opposite to. An electron emitter is disposed on one side of the cathode electrode 40 facing the anode electrode 20. The electron emitter may be provided on a separate emitter substrate 41 and coupled to the cathode electrode 40. , may be formed directly on the surface of the cathode electrode 40. For example, the electron emission source may be made of a nanostructure such as carbon nanotubes (CNTs). In the case of an electron emission source using carbon nanotubes (CNTs), carbon nanotubes are grown directly on the surface of the emitter substrate 41 or the cathode electrode 40, or carbon nanotube paste is applied and then fired. can be formed.

전자 방출원과 애노드 전극(20)의 사이에는 게이트 전극(50)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(50)은 전자 방출원에 가깝게 배치되어 전자 방출원으로부터 전자를 방출시킨다. 게이트 전극(50)의 일부는 전자 방출원에서 방출된 전자 빔(E)이 통과할 수 있도록 다수의 게이트 홀(51)이 형성된 얇은 금속판 또는 금속 메쉬(mesh)의 형태를 나타낼 수 있다. A gate electrode 50 may be disposed between the electron emission source and the anode electrode 20. The gate electrode 50 is disposed close to the electron emission source and emits electrons from the electron emission source. A portion of the gate electrode 50 may take the form of a thin metal plate or metal mesh in which a plurality of gate holes 51 are formed to allow the electron beam E emitted from the electron emission source to pass through.

애노드 전극(20)은 전자 방출원이 배치된 캐소드 전극(40)과 수십에서 수백 kV의 높은 전위차를 형성하여 가속 전극으로서 역할을 수행함과 동시에 전자 방출원으로부터 방출되어 가속된 전자의 충돌에 의해 엑스선을 생성하는 엑스선 타켓의 역할을 겸한다. 이를 위해 캐소드 전극(40)을 향하는 애노드 전극(20)의 일면은 스페이서(10)의 내부에서 전자 빔(E)이 진행하는 방향에 대해 비스듬하게 경사진 타겟면을 형성할 수 있고, 타겟면에는 전자 방출원과 대향하는 텅스텐 등의 타겟(21)이 구비될 수 있다.The anode electrode 20 serves as an accelerating electrode by forming a high potential difference of tens to hundreds of kV with the cathode electrode 40 on which the electron emission source is disposed, and at the same time generates X-rays by collision of electrons emitted from the electron emission source and accelerated. It also serves as an X-ray target that generates For this purpose, one surface of the anode electrode 20 facing the cathode electrode 40 can form a target surface inclined at an angle with respect to the direction in which the electron beam E travels inside the spacer 10, and the target surface has A target 21 such as tungsten may be provided facing the electron emission source.

위와 같은 구성에 의하면, 게이트 전극에 의해 전자 방출원에서 전자빔이 방출되고, 전자빔은 게이트 전극(50)을 통과한 후 애노드 전극(50)의 타겟(21)에 충돌해서 엑스선이 방출될 수 있다. According to the above configuration, an electron beam is emitted from the electron emission source by the gate electrode, and after passing through the gate electrode 50, the electron beam collides with the target 21 of the anode electrode 50 to emit X-rays.

그런데 종래의 전계방출 엑스선 소스(1)는 엑스선의 세기를 결정짓는 관전압이 50㎸ 미만의 한계를 보이는 바, 용도가 제한적이라는 문제가 있다.However, the conventional field emission X-ray source 1 has a problem in that the tube voltage, which determines the intensity of

한국등록특허공보 제10-1916711호Korean Patent Publication No. 10-1916711

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 엑스선 영상의 선예도를 높이고 컨트라스트(대조도)를 향상시킬 수 있는 고 관전압의 전계방출 엑스선 소스를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention was developed to solve the above-described problem, and its purpose is to provide a field emission X-ray source with a high tube voltage that can increase the sharpness of X-ray images and improve contrast.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 전계 방출 엑스선 소스는, 절연재질로 이루어진 튜브 형상의 스페이서와, 상기 스페이서의 일측에 결합되고 에미터를 갖는 캐소드 전극과, 상기 스페이서의 타측에 결합되고 상기 에미터와 대향하는 타겟을 갖는 애노드 전극과, 상기 에미터와 상기 타겟 사이에 배치되는 게이트 전극을 포함하는 엑스선 소스에 있어서, 상기 애노드 전극은 상기 스페이서 내부로 실장되는 제 1 애노드 전극과 상기 스페이서 외부로 노출되는 제 2 애노드 전극을 포함하고, 상기 제 1 애노드 전극과 상기 스페이서 간 최단 거리는 5~10mm이며, 상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극 사이의 관전압은 50~120kV인 것을 특징으로 한다. To achieve the above-described object, the field emission X-ray source of the present invention includes a tube-shaped spacer made of an insulating material, a cathode electrode coupled to one side of the spacer and having an emitter, and a cathode electrode coupled to the other side of the spacer and In the It includes a second anode electrode exposed to, the shortest distance between the first anode electrode and the spacer is 5 to 10 mm, and the tube voltage between the cathode electrode and the anode electrode is 50 to 120 kV.

본 발명의 전계방출 엑스선 소스는 엑스선 영상의 세기를 결정짓는 관전압을 50~120㎸ 범위로 제어할 수 있어 엑스선 영상의 선예도를 높이고 컨트라스트(대조도)를 향상할 수 있는 장점이 있다. 특히 본 발명에 따른 전계방출 엑스선 소스의 관전압은 치과용 구강 외 엑스선 촬영에 적합한 범위로서, 전계방출 엑스선 소스의 활용범위를 크게 개선할 수 있다.The field emission X-ray source of the present invention has the advantage of being able to control the tube voltage, which determines the intensity of the In particular, the tube voltage of the field emission

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계방출 엑스선 소스의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 에미터 도트의 직경, 배열, 피치를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 캐소드 전극과 집속 전극을 도시한 외관 사시도이다.
도 4는 종래 전계방출 엑스선 소스의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.Figure 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a field emission X-ray source according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing the diameter, arrangement, and pitch of the emitter dots in FIG. 1.
FIG. 3 is an external perspective view showing the cathode electrode and the focusing electrode of FIG. 1.
Figure 4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a conventional field emission X-ray source.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the attached drawings. However, identical or similar components will be assigned the same reference numbers regardless of reference numerals, and duplicate descriptions thereof will be omitted. The suffixes “module” and “part” for components used in the following description are given or used interchangeably only for the ease of preparing the specification, and do not have distinct meanings or roles in themselves. Additionally, in describing the embodiments disclosed in this specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in this specification, the detailed descriptions will be omitted. In addition, the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed in this specification is not limited by the attached drawings, and all changes included in the spirit and technical scope of the present invention are not limited. , should be understood to include equivalents or substitutes.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms containing ordinal numbers, such as first, second, etc., may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is said to be "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected to or connected to the other component, but that other components may exist in between. It should be. On the other hand, when it is mentioned that a component is “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that there are no other components in between.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In this application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들의 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the sizes of components may be exaggerated or reduced for convenience of explanation. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are shown arbitrarily for convenience of explanation, so the present invention is not necessarily limited to what is shown.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계방출 엑스선 소스(100)의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다. Figure 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a field emission X-ray source 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 전계방출 엑스선 소스(100)는, 튜브 형상의 스페이서(110)와, 스페이서(110)의 양단에 설치되는 애노드 전극(120)과 캐소드 전극(130)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the field emission You can.

본 실시예의 전계방출 엑스선 소스(100)는, 스페이서(110)를 포함할 수 있다. 스페이서(110)는, 세라믹, 유리 또는 실리콘 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면 스페이서(110)는, 알루미나(Al2O3) 세라믹스와 같은 기밀성(진공)과 절연성의 소재로 만들어질 수 있다. 스페이서(110)가 절연 물질로 이루어짐에 따라 전계방출 엑스선 소스(100)는, 애노드 전극(120)과 캐소드 전극(130)이 서로 전기적으로 절연될 수 있다. The field emission X-ray source 100 of this embodiment may include a spacer 110. The spacer 110 may be made of an insulating material such as ceramic, glass, or silicon. For example, the spacer 110 may be made of an airtight (vacuum) and insulating material such as alumina (Al2O3) ceramics. As the spacer 110 is made of an insulating material, the anode electrode 120 and the cathode electrode 130 of the field emission X-ray source 100 may be electrically insulated from each other.

스페이서(110)는, 제1 스페이서(111)를 포함할 수 있다. 제1 스페이서(111)의 양단에는 애노드 전극(120)과 게이트 전극(150)이 각각 설치될 수 있다. The spacer 110 may include a first spacer 111. An anode electrode 120 and a gate electrode 150 may be installed at both ends of the first spacer 111, respectively.

스페이서(110)는, 제2 스페이서(113)를 포함할 수 있다. 제2 스페이서(113)의 양단에는 게이트 전극(150)과 캐소드 전극(130)이 각각 설치될 수 있다. The spacer 110 may include a second spacer 113. A gate electrode 150 and a cathode electrode 130 may be installed at both ends of the second spacer 113, respectively.

제1 스페이서(111)와 제2 스페이서(113) 사이에는 게이트 전극(150)의 일부가 노출될 수 있다.A portion of the gate electrode 150 may be exposed between the first spacer 111 and the second spacer 113.

제1 스페이서(111)의 길이(L1)는, 제2 스페이서(113)의 길이(L2)보다 상대적으로 길 수 있다. The length L1 of the first spacer 111 may be relatively longer than the length L2 of the second spacer 113.

본 실시예의 전계방출 엑스선 소스(100)는, 애노드 전극(120)을 포함할 수 있다. 애노드 전극(120)은, 에미터(141)가 구비된 캐소드 전극(130)과 높은 전위차를 형성하여 가속 전극으로서 역할을 수행함과 동시에 에미터(141)로부터 방출되어 가속된 전자의 충돌에 의해 엑스선을 방출하는 타겟의 역할을 겸할 수 있다. 이를 위해 애노드 전극(120)은, 전자 빔이 진행하는 방향에 대해 비스듬하게 경사진 타겟면(124)을 제공하고, 타겟면(124)에는 타겟(125)이 구비될 수 있다.The field emission X-ray source 100 of this embodiment may include an anode electrode 120. The anode electrode 120 forms a high potential difference with the cathode electrode 130 equipped with the emitter 141 and serves as an accelerating electrode. At the same time, X-rays are generated by collision of electrons emitted from the emitter 141 and accelerated. It can also serve as a target that emits . To this end, the anode electrode 120 may provide a target surface 124 that is inclined at an angle with respect to the direction in which the electron beam travels, and a target 125 may be provided on the target surface 124.

애노드 전극(120)은, 열전도가 우수한 OFC(Oxygen-Free Copper) 재질로 구성될 수 있다. The anode electrode 120 may be made of OFC (Oxygen-Free Copper) material, which has excellent heat conduction.

애노드 전극(120)은, 스페이서(110) 즉 제1 스페이서(111)의 일단에 설치될 수 있다. 애노드 전극(120)은, 제1 스페이서(111)의 내부에 내장되는 제1 애노드 전극(121)과, 외부에 노출되는 제2 애노드 전극(123)을 포함할 수 있다. 제2 애노드 전극(123)은, 제1 애노드 전극(121)에서 발생된 열을 외부로 방출하는 히트싱크의 역할을 할 수 있다. 이를 위해 제2 애노드 전극(123)은 그 외주면을 따라 날개의 형태로 둘러 붙여진 복수의 방열플레이트를 포함할 수 있다. The anode electrode 120 may be installed at one end of the spacer 110, that is, the first spacer 111. The anode electrode 120 may include a first anode electrode 121 built into the first spacer 111 and a second anode electrode 123 exposed to the outside. The second anode electrode 123 may function as a heat sink that radiates heat generated in the first anode electrode 121 to the outside. To this end, the second anode electrode 123 may include a plurality of heat dissipation plates attached in the shape of wings along its outer peripheral surface.

제1 애노드 전극(121)의 하단에는 타겟면(124)이 형성될 수 있다. 타겟면(124)에는 타겟(125)이 설치될 수 있다. 타겟(125)은, 가속된 전자의 타격에 의해 엑스선을 방출할 수 있다. 타겟(125)은 텅스텐(W)등의 재질일 수 있다. A target surface 124 may be formed at the bottom of the first anode electrode 121. A target 125 may be installed on the target surface 124. The target 125 may emit X-rays by being struck by accelerated electrons. The target 125 may be made of a material such as tungsten (W).

타겟(125)에서 발생된 엑스선은 타겟(125)과 가까운 제1 스페이서(111)의 일 측을 투과하여 외부로 조사될 수 있다. X-rays generated from the target 125 may pass through one side of the first spacer 111 close to the target 125 and be irradiated to the outside.

본 실시예의 전계방출 엑스선 소스(100)는, 캐소드 전극(130)을 포함할 수 있다. 캐소드 전극(130)은, 스페이서(110) 즉 제2 스페이서(113)의 타단에 설치될 수 있다. 따라서 제1, 2 스페이서(111,113) 내에서 애노드 전극(120)의 타겟(125)과 캐소드 전극(130)의 에미터(141)는 서로 마주볼 수 있다. The field emission X-ray source 100 of this embodiment may include a cathode electrode 130. The cathode electrode 130 may be installed at the other end of the spacer 110, that is, the second spacer 113. Therefore, within the first and second spacers 111 and 113, the target 125 of the anode electrode 120 and the emitter 141 of the cathode electrode 130 may face each other.

본 실시예의 전계방출 엑스선 소스(100)는, 에미터(141)를 포함할 수 있다. 에미터(141)는, 별도의 기판에 형성되어 캐소드 전극(130)에 결합되거나 캐소드 전극(130)에 직접 형성될 수 있다. 에미터(141)는 나노 구조물로 이루어진 복수의 에미터 도트를 포함할 수 있다. 에미터(141)로 카본나노튜브(CNT)를 이용한 경우 에미터 기판(140) 또는 캐소드 전극(130) 표면에 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 다수의 카본나노튜브를 직접 성장시키거나, 에미터 기판(140) 또는 캐소드 전극(130) 표면에 카본나노튜브 페이스트를 도포한 후 소성하는 등의 방법으로 형성될 수 있다. 본 실시예의 따른 에미터(141)는, 캐소드 전극(130) 상의 에미터 기판(140)에 형성된 것으로 설명될 수 있다. The field emission X-ray source 100 of this embodiment may include an emitter 141. The emitter 141 may be formed on a separate substrate and coupled to the cathode electrode 130, or may be formed directly on the cathode electrode 130. The emitter 141 may include a plurality of emitter dots made of nanostructure. When carbon nanotubes (CNTs) are used as the emitter 141, a number of carbon nanotubes can be grown directly on the surface of the emitter substrate 140 or the cathode electrode 130 using chemical vapor deposition (CVD), or It may be formed by applying carbon nanotube paste to the surface of the electrode substrate 140 or the cathode electrode 130 and then firing it. The emitter 141 according to this embodiment can be described as being formed on the emitter substrate 140 on the cathode electrode 130.

도 2는 도 1의 에미터 도트의 직경, 배열, 피치를 나타내는 도면이다. FIG. 2 is a diagram showing the diameter, arrangement, and pitch of the emitter dots in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 에미터 도트는 에미터 기판(140) 상에 복수의 열을 따라 배치될 수 있다. 특히 에미터 도트 패턴은, 삼각형 단위 구조를 이루며 2~3열로 배열되되, 이웃한 열 별로 서로 엇갈려 배치될 수 있다. Referring to FIG. 2, emitter dots may be arranged along a plurality of rows on the emitter substrate 140. In particular, the emitter dot patterns form a triangular unit structure and are arranged in 2 to 3 columns, but may be arranged alternately in adjacent columns.

다시 도 1을 참조하면, 본 실시예의 전계방출 엑스선 소스(100)는, 게이트 전극(150)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(150)은, 에미터(141)에 가깝게 배치되어 에미터(141)의 전자 방출을 활성화할 수 있다. 게이트 전극(150)은, 게이트 메쉬(mesh)(151)를 포함할 수 있다. 게이트 메쉬(mesh)(151)는, 에미터(141)에서 방출된 전자 빔이 통과할 수 있도록 에미터 도트와 일대일 대응되는 게이트 홀이 관통된 얇은 판 형태를 나타낼 수 있다. 게이트 홀은 후술하는 에미터 도트와 일대일 대응되는 수, 형상, 배치관계를 나타낼 수 있다. Referring again to FIG. 1, the field emission X-ray source 100 of this embodiment may include a gate electrode 150. The gate electrode 150 may be disposed close to the emitter 141 to activate electron emission of the emitter 141. The gate electrode 150 may include a gate mesh 151. The gate mesh 151 may take the form of a thin plate through which gate holes corresponding one-to-one with the emitter dots can pass through the electron beam emitted from the emitter 141. The gate hole may have a number, shape, and arrangement relationship that corresponds one-to-one with the emitter dots, which will be described later.

본 실시예의 전계방출 엑스선 소스(100)는, 집속 전극(160)을 포함할 수 있다. 집속 전극(160)은, 게이트 전극(150)과 애노드 전극(120) 사이에 배치될 수 있다. 집속 전극(160)은, 게이트 전극(150)을 통과한 전자 빔을 집속하기 위한 전계를 형성할 수 있다. The field emission X-ray source 100 of this embodiment may include a focusing electrode 160. The focusing electrode 160 may be disposed between the gate electrode 150 and the anode electrode 120. The focusing electrode 160 can form an electric field to focus the electron beam that has passed through the gate electrode 150.

도 3은 도 1의 캐소드 전극(130)과 게이트 전극(150)과 집속 전극(160)을 도시한 외관 사시도이다. 도 1 및 도 2와 함께 참조한다. FIG. 3 is an external perspective view showing the cathode electrode 130, gate electrode 150, and focusing electrode 160 of FIG. 1. See also Figures 1 and 2.

도 3을 참조하면, 집속 전극(160)은 집속홀(161)을 포함할 수 있다. 집속홀(161)은, 사각형 또는 직사각형의 슬롯 형태로 구비될 수 있다. 집속홀(161)의 크기는 타겟(125)에 타격되는 전자의 초점 사이즈(FSS)를 결정할 수 있다. Referring to FIG. 3, the focusing electrode 160 may include a focusing hole 161. The focusing hole 161 may be provided in a square or rectangular slot shape. The size of the focusing hole 161 can determine the focus size (FSS) of electrons hitting the target 125.

집속 전극(160)은 게이트 전극(150)과 일체형일 수 있다.The focusing electrode 160 may be integrated with the gate electrode 150.

위와 같은 구성을 갖는 본 실시예의 엑스선 소스(100)는 관전류 범위가 4~16㎃, 타겟(125)의 초점 사이즈(FSS) 범위가 0.4~0.7mm를 나타낼 수 있다. 해당 범위는 치과용 구강 외 엑스선 촬영을 위한 것일 수 있다. 치과용 구강 외 엑스선 촬영은 파노라마, CT(Computed Tomography), 세팔로(Cephalo, 두부계측) 촬영일 수 있다. The X-ray source 100 of this embodiment having the above configuration may have a tube current range of 4 to 16 mA and a focal spot size (FSS) range of the target 125 of 0.4 to 0.7 mm. The range may be for dental extra-oral X-ray imaging. Dental extra-oral X-ray imaging may be panoramic, CT (Computed Tomography), or cephalometry.

즉, 관전류 범위 4~16㎃, 타겟(125)의 초점 사이즈(FSS) 범위 0.4~0.7mm를 위해 에미터 도트의 피치는 400~600㎛을 나타낼 수 있다. 에미터 도트의 피치가 400㎛ 미만일 경우 타겟(125)의 초점 사이즈가 0.4mm 미만으로 지나치게 작아지는 것은 물론 게이트 메쉬의 게이트 홀을 그와 대응되는 미세 패턴으로 구현하기 어렵고, 에미터 도트의 피치가 600㎛ 초과일 경우 전류밀도가 낮고 타겟의 초점 사이즈가 0.7mm를 초과할 수 있다.That is, for a tube current range of 4 to 16 mA and a focus size (FSS) range of 0.4 to 0.7 mm of the target 125, the pitch of the emitter dot may be 400 to 600 μm. If the pitch of the emitter dot is less than 400㎛, the focal size of the target 125 becomes too small (less than 0.4mm), and it is difficult to implement the gate hole of the gate mesh with a corresponding fine pattern, and the pitch of the emitter dot is If it exceeds 600㎛, the current density is low and the target's focal spot size may exceed 0.7mm.

또한, 에미터 도트의 직경은 200~300㎛, 에미터 도트의 수는 25~100개, 바람직하게는 50~95개, 에미터 도트의 배열은 삼각형 단위 구조로 2~3열을 따라 배치될 수 있다.In addition, the diameter of the emitter dots is 200 to 300㎛, the number of emitter dots is 25 to 100, preferably 50 to 95, and the array of emitter dots is arranged in 2 to 3 rows in a triangular unit structure. You can.

이때, 에미터 도트 직경 범위가 200㎛ 미만인 경우 전류밀도가 지나치게 낮고, 300㎛ 초과의 경우 전류누설현상이 발생할 수 있다. 또한 에미터 도트의 수가 25개 미만일 경우 전류밀도가 지나치게 낮고, 300개 초과의 경우 타겟(125)의 초점 사이즈가 0.7mm를 초과할 수 있다. 또한 에미터 도트가 삼각형 단위 구조로 2~3열을 따라 배치되지 않을 경우 원하는 전류밀도를 구현하기 어렵다.At this time, if the emitter dot diameter range is less than 200㎛, the current density is too low, and if it is more than 300㎛, current leakage may occur. Additionally, if the number of emitter dots is less than 25, the current density is too low, and if the number of emitter dots is more than 300, the focal spot size of the target 125 may exceed 0.7 mm. Additionally, if the emitter dots are not arranged along 2 to 3 rows in a triangular unit structure, it is difficult to achieve the desired current density.

또한, 게이트 메쉬(151)와 타겟(125) 간 거리는 25~45mm, 에미터(141)와 게이트 메쉬(151) 간 거리(D1)는 0.2~0.6mm, 게이트 메쉬(151)의 두께는 0.1~0.3mm, 집속홀(161)의 사이즈(W*L)는 (8~15mm)*(20~25mm), 게이트 메쉬(151)와 집속홀(161) 간 거리(D2)는 10~20mm, 집속홀(161)과 타겟(125) 간 거리(D3)는 15~23mm로 형성할 수 있다. In addition, the distance between the gate mesh 151 and the target 125 is 25 to 45 mm, the distance D1 between the emitter 141 and the gate mesh 151 is 0.2 to 0.6 mm, and the thickness of the gate mesh 151 is 0.1 to 0.1 mm. 0.3mm, the size (W*L) of the focusing hole (161) is (8~15mm)*(20~25mm), the distance (D2) between the gate mesh (151) and the focusing hole (161) is 10~20mm, focusing The distance D3 between the hole 161 and the target 125 can be set to 15 to 23 mm.

이때, 게이트 메쉬(151)와 타겟(125) 간 거리가 25mm 미만이거나 45mm 초과일 경우 타겟(125)의 초점 사이즈를 만족시키기 어렵고, 에미터(141)와 게이트 메쉬(151) 간 거리(D1)가 0.2mm 미만일 경우에는 자칫 쇼트의 우려가 있으며, 0.6mm 초과의 경우 게이트 전압이 불필요하게 높아져 에미터를 열화시킬 수 있다. 또한 게이트 메쉬(151)의 두께가 0.1mm 미만일 경우 전계의 충돌에 따른 물리적 변형이 나타날 수 있고, 0.3mm 초과의 경우 전류누설 현상이 나타낼 수 있다. 또한 집속홀(161) 사이즈(W*L)가 해당범위 미만이거나 초과일 경우 타겟(125)의 초점 사이즈를 만족시킬 수 없고, 게이트 메쉬(151)와 집속홀(161) 간 거리(D2)가 100mm 미만이거나 20mm 초과일 경우, 집속홀(161)과 타겟(125) 간 거리(D3)가 15mm 미만이거나 23mm 초과의 경우에도 타겟(125)의 초점사이즈를 만족시키기 어렵다.At this time, if the distance between the gate mesh 151 and the target 125 is less than 25 mm or more than 45 mm, it is difficult to satisfy the focus size of the target 125, and the distance between the emitter 141 and the gate mesh 151 (D1) If it is less than 0.2mm, there is a risk of short circuit, and if it is more than 0.6mm, the gate voltage may become unnecessarily high and deteriorate the emitter. Additionally, if the thickness of the gate mesh 151 is less than 0.1 mm, physical deformation may occur due to collision of electric fields, and if it is more than 0.3 mm, current leakage may occur. In addition, if the size (W*L) of the focusing hole 161 is below or exceeding the corresponding range, the focus size of the target 125 cannot be satisfied, and the distance (D2) between the gate mesh 151 and the focusing hole 161 is If it is less than 100 mm or more than 20 mm, it is difficult to satisfy the focal size of the target 125 even if the distance D3 between the focusing hole 161 and the target 125 is less than 15 mm or more than 23 mm.

마찬가지로, 본 실시예의 엑스선 소스(100)가 구강 외 엑스선을 위해서는 관전압이 50~120㎸일 수 있다. Likewise, the tube voltage of the X-ray source 100 of this embodiment may be 50 to 120 kV for extra-oral X-rays.

즉 관전압 50~120㎸을 구현하기 위해서는, 제1 스페이서(111)와 제1 애노드 전극(121) 간 최단 수평 거리(Air Gap 또는 에어 갭)(G)는 5~10mm의 범위로 형성할 수 있다. That is, in order to implement a tube voltage of 50 to 120 kV, the shortest horizontal distance (Air Gap or air gap) (G) between the first spacer 111 and the first anode electrode 121 can be formed in the range of 5 to 10 mm. .

이때, 제1 스페이서(111)와 제1 애노드 전극(121) 간 거리(G)가 5m 미만일 경우 전계의 제어가 어려워져 자칫 아킹 등의 현상이 나타날 수 있고, 10mm 초과일 경우 엑스선 소스의 사이즈 등이 지나치게 커지는 문제가 발생한다. At this time, if the distance (G) between the first spacer 111 and the first anode electrode 121 is less than 5m, control of the electric field becomes difficult and phenomena such as arcing may occur, and if it exceeds 10mm, the size of the X-ray source, etc. This problem of excessive growth arises.

또한, 관전압 50~120㎸을 구현하기 위해서, 제1 애노드 전극(121)의 직경(d)은 22~26mm, 제1 애노드 전극(121)의 내장 길이(A1)는 40~60mm의 범위로 형성할 수 있다. 이 경우 제1 스페이서(111)는 알루미나 세라믹스 재질이고, 제1 애노드 전극(121)은 코바 재질일 수 있다. In addition, in order to implement a tube voltage of 50 to 120 kV, the diameter (d) of the first anode electrode 121 is in the range of 22 to 26 mm, and the built-in length (A1) of the first anode electrode 121 is in the range of 40 to 60 mm. can do. In this case, the first spacer 111 may be made of alumina ceramics, and the first anode electrode 121 may be made of KOVA material.

이때 제2 애노드 전극(123)의 노출 길이(A2)는 방열 효과와 스페이서(110) 사이즈에 따르는데, 본 실시예에서는 23mm로 형성할 수 있다. 따라서 애노드 전극(120)의 총 길이(A1+A2)는 70~80mm의 범위로 형성할 수 있다. At this time, the exposed length A2 of the second anode electrode 123 depends on the heat dissipation effect and the size of the spacer 110, and in this embodiment, it can be formed to be 23 mm. Therefore, the total length (A1 + A2) of the anode electrode 120 can be formed in the range of 70 to 80 mm.

이때, 제1 애노드 전극(121)의 직경(d)이 22mm 미만일 경우 열 용량의 한계로 인해 온도가 과다 상승할 수 있고, 26mm 초과일 경우 엑스선 소스의 사이즈가 지나치게 커질 수 있다. 또한, 제1 애노드 전극(121)의 내장 길이(A1)가 40mm 미만일 경우는 열 용량의 문제와 더불어 타겟(125)의 초점 사이즈를 원하는 범위로 만족시킬 수 없고, 60mm 초과일 경우에도 타겟(125)의 초점 사이즈를 원하는 범위로 조절할 수 없다. 이는 애노드 전극(120)의 총 길이(A1+A2)가 70mm 미만이거나 80mm 초과일 경우에도 마찬가지이다.At this time, if the diameter d of the first anode electrode 121 is less than 22 mm, the temperature may increase excessively due to limitations in heat capacity, and if it exceeds 26 mm, the size of the X-ray source may be excessively large. In addition, if the built-in length (A1) of the first anode electrode 121 is less than 40 mm, the focal size of the target 125 cannot be satisfied in the desired range in addition to the problem of heat capacity, and even if it is more than 60 mm, the target 125 ) cannot be adjusted to the desired range. This is the same even when the total length (A1+A2) of the anode electrode 120 is less than 70 mm or more than 80 mm.

또한 스페이서(110)는 그 두께가 2~4mm, 직경은 41~51mm의 범위로 형성할 수 있다. Additionally, the spacer 110 can be formed to have a thickness ranging from 2 to 4 mm and a diameter ranging from 41 to 51 mm.

이때, 스페이서(110)의 두께가 2mm 미만일 경우 절연파괴 현상이 나타날 수 있고, 4mm 초과일 경우에는 타겟(125)에서 발생된 엑스선이 스페이서(110)의 일측을 투과하는 과정 중에 엑스선의 감쇄로 인해 엑스선의 밀도를 떨어뜨릴 수 있다. 또한 스페이서(110)의 직경이 41mm 미만일 경우에도 절연파괴 현상이 나타날 수 있고, 51mm 초과일 경우에는 불필요하게 엑스선 소스의 사이즈를 증가시킬 수 있다.At this time, if the thickness of the spacer 110 is less than 2 mm, insulation breakdown may occur, and if it is more than 4 mm, the It can reduce the density of X-rays. Additionally, if the diameter of the spacer 110 is less than 41 mm, insulation breakdown may occur, and if the diameter of the spacer 110 is more than 51 mm, the size of the X-ray source may be unnecessarily increased.

앞에서 설명된 본 발명의 어떤 실시예 또는 다른 실시예들은 서로 배타적이거나 구별되는 것이 아니다. 앞서 설명된 본 발명의 어떤 실시예들 또는 다른 실시예들은 각각의 구성 또는 기능이 병용되거나 조합될 수 있다.Any or other embodiments of the present invention described above are not exclusive or distinct from each other. In certain embodiments or other embodiments of the present invention described above, each configuration or function may be used in combination or combined.

본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음을 당업자에게 자명하다. 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니 되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다. It is obvious to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit and essential features of the present invention. The above detailed description should not be construed as restrictive in any respect and should be considered illustrative. The scope of the present invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the present invention are included in the scope of the present invention.

100: 전계방출 엑스선 소스
110: 스페이서 120: 애노드 전극
130: 캐소드 전극 140: 에미터 기판
141: 에미터 150: 게이트 전극
151: 게이트 메쉬 160: 집속 전극
161: 집속홀100: Field emission X-ray source
110: spacer 120: anode electrode
130: cathode electrode 140: emitter substrate
141: Emitter 150: Gate electrode
151: gate mesh 160: focusing electrode
161: Focusing hole

Claims (7)

절연재질로 이루어진 튜브 형상의 스페이서와, 상기 스페이서의 일측에 결합되고 에미터를 갖는 캐소드 전극과, 상기 스페이서의 타측에 결합되고 상기 에미터와 대향하는 타겟을 갖는 애노드 전극과, 상기 에미터와 상기 타겟 사이에 배치되는 게이트 전극을 포함하는 엑스선 소스에 있어서,
상기 애노드 전극은, 상기 스페이서의 내면과 일정간격을 유지하며 상기 스페이서 내부로 연장되고 말단에 상기 타겟이 구비되는 제 1 애노드 전극과 상기 스페이서의 외부로 노출되는 제 2 애노드 전극을 포함하고,
상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극 사이의 관전압 50~120kV에 대해,
상기 제 1 애노드 전극은 코바 재질이고, 직경은 22~26mm, 상기 스페이서 일측으로부터의 길이는 40~60mm이고,
상기 스페이서는 세라믹스 재질이고 두께는 2~4mm, 직경은 41~51mm이며,
상기 제 1 애노드 전극과 상기 스페이서 간 수평 이격거리는 5~10mm인 전계 방출 엑스선 소스.A tube-shaped spacer made of an insulating material, a cathode electrode coupled to one side of the spacer and having an emitter, an anode electrode coupled to the other side of the spacer and having a target facing the emitter, the emitter and the In the X-ray source including a gate electrode disposed between targets,
The anode electrode includes a first anode electrode that maintains a certain distance from the inner surface of the spacer and extends inside the spacer and is provided with the target at an end, and a second anode electrode that is exposed to the outside of the spacer,
For a tube voltage of 50 to 120 kV between the cathode electrode and the anode electrode,
The first anode electrode is made of covar material, the diameter is 22 to 26 mm, and the length from one side of the spacer is 40 to 60 mm,
The spacer is made of ceramics, has a thickness of 2 to 4 mm and a diameter of 41 to 51 mm,
A field emission X-ray source wherein the horizontal separation distance between the first anode electrode and the spacer is 5 to 10 mm. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 애노드 전극을 포함한 상기 애노드 전극의 전체 길이는 70~80mm인 전계 방출 엑스선 소스. According to paragraph 1,
A field emission X-ray source wherein the total length of the anode electrodes, including the first and second anode electrodes, is 70 to 80 mm. 제3항에 있어서,
상기 제 2 애노드 전극은 방열구조를 포함하는 전계 방출 엑스선 소스. According to paragraph 3,
The second anode electrode is a field emission X-ray source including a heat dissipation structure. 삭제delete 제1항, 제3항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 엑스선 소스는 치과용 구강 외 촬영을 위한 전계 방출 엑스선 소스. According to any one of paragraphs 1, 3, and 4,
The X-ray source is a field emission X-ray source for dental imaging outside the oral cavity. 제6항에 있어서
상기 치과용 구강 외 촬영은 파노라마, CT, 세팔로 촬영 중 적어도 하나인 전계 방출 엑스선 소스. In paragraph 6
The dental extra-oral imaging is a field emission X-ray source that is at least one of panoramic, CT, and cephaloscopic imaging.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014232579A (en) * 2013-05-28 2014-12-11 株式会社日立メディコ X-ray tube device
KR20160118637A (en) * 2015-04-02 2016-10-12 주식회사바텍 Field Emission X-Ray Source Device
KR101916711B1 (en) 2017-07-21 2019-01-24 주식회사 바텍 X-Ray Generating Device Using Field Emission X-Ray Source
KR20200116337A (en) * 2019-04-01 2020-10-12 주식회사 디알텍 Apparatus for generating radiation

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014232579A (en) * 2013-05-28 2014-12-11 株式会社日立メディコ X-ray tube device
KR20160118637A (en) * 2015-04-02 2016-10-12 주식회사바텍 Field Emission X-Ray Source Device
KR101916711B1 (en) 2017-07-21 2019-01-24 주식회사 바텍 X-Ray Generating Device Using Field Emission X-Ray Source
KR20200116337A (en) * 2019-04-01 2020-10-12 주식회사 디알텍 Apparatus for generating radiation

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