KR102642533B1 - Apparatus and method for optimizing process recipe for measuring thickness and OCD in semiconductor process - Google Patents

Abstract

최적화 장치가 제공된다. 상기 최적화 장치는 기초 자료를 획득하는 획득부; 상기 기초 자료에 기초하여, 상기 측정 장비에 적용될 파라미터를 결정하는 결정부;를 포함할 수 있다.An optimization device is provided. The optimization device includes an acquisition unit that acquires basic data; It may include a determination unit that determines a parameter to be applied to the measurement equipment based on the basic data.

Description

반도체 공정에서 두께 및 OCD 계측을 위한 공정 레시피 최적화 장치 및 방법{Apparatus and method for optimizing process recipe for measuring thickness and OCD in semiconductor process}Apparatus and method for optimizing process recipe for measuring thickness and OCD in semiconductor process}

본 발명은 반도체 공정에 두께 및 OCD(Optical Critical Dimension) 계측을 수행하는 공정에 관한 것이다.The present invention relates to a process for performing thickness and OCD (Optical Critical Dimension) measurement in a semiconductor process.

반도체 제조 공정에서 두께나 CD(Critical Dimension)를 광학적으로 계측할 때, 공정의 정상 상태와 이상 상태를 탐지할 수 있어야 한다. 또한, 공정의 정밀도와 안정성이 확보되는지 지속적으로 모니터링되어야 한다.When optically measuring thickness or CD (Critical Dimension) in the semiconductor manufacturing process, it must be possible to detect normal and abnormal states of the process. In addition, it must be continuously monitored to ensure that the precision and stability of the process are ensured.

이에 따라, 웨이퍼의 공정 상태를 비파괴적으로 계측할 수 있는 광학적인 계측 방법이 활용된다.Accordingly, an optical measurement method that can non-destructively measure the processing state of the wafer is utilized.

반도체 제조 공정의 정밀도와 안정성에 대한 모니터링을 위해서는 광학적으로 계측되는 스펙트럼의 정확도 및 안정성과 광학적 물리 모델의 안정성과 신뢰도에 의해서 그 분석 결과가 크게 영향을 받을 수 있다. 따라서, 이러한 것들을 고려하여 광학적 물리 모델을 최적화하여야 하며, 이를 위한 절차가 필요하다.In order to monitor the precision and stability of the semiconductor manufacturing process, the analysis results can be greatly influenced by the accuracy and stability of the optically measured spectrum and the stability and reliability of the optical physical model. Therefore, the optical physical model must be optimized by taking these things into consideration, and a procedure for this is necessary.

한국공개특허공보 제2022-0110538호에는 계측 레시피들을 이용하여 특정 측정 애플리케이션에서 계측 시스템의 측정 성능을 정량적으로 특성화하는 기술이 개시되고 있다.Korean Patent Publication No. 2022-0110538 discloses a technology for quantitatively characterizing the measurement performance of a measurement system in a specific measurement application using measurement recipes.

한국공개특허공보 제2022-0110538호Korean Patent Publication No. 2022-0110538

본 발명은 반도체 제조 공정에서 광학적으로 측정된 스펙트럼과 광학적 물리 모델로부터 계산된 스펙트럼의 회귀 분석을 통해 반도체 박막의 두께나 패턴의 CD(Critical Dimension) 계측을 하고자 할 때, 필요한 모델의 최적화 과정을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides an optimization process for the model required when measuring the CD (Critical Dimension) of the thickness or pattern of a semiconductor thin film through regression analysis of the spectrum calculated from the optically measured spectrum and the optical physical model in the semiconductor manufacturing process. It is for this purpose.

측정 장비에 의해 계측된 DOE(Design of Experiments) 웨이퍼의 측정 스펙트럼, 정답에 해당되는 참조 데이터, 허용 범위에 해당되는 기준 데이터 중 적어도 하나를 포함하는 기초 자료가 정의될 때,When basic data including at least one of the measurement spectrum of a DOE (Design of Experiments) wafer measured by a measurement equipment, reference data corresponding to the correct answer, and reference data corresponding to the allowable range are defined,

본 발명의 최적화 장치는 기초 자료를 획득하는 획득부; 상기 기초 자료에 기초하여, 상기 측정 장비에 적용될 파라미터를 결정하는 결정부;를 포함할 수 있다.The optimization device of the present invention includes an acquisition unit that acquires basic data; It may include a determination unit that determines a parameter to be applied to the measurement equipment based on the basic data.

상기 획득부로부터 상기 결정부의 사이에는 상기 파라미터를 테스트하는 복수의 과정이 추가될 수 있다.A plurality of processes for testing the parameter may be added between the acquisition unit and the determination unit.

특정 과정에서 테스트에 불합격한 오류 파라미터를 조정하거나, 상기 특정 과정보다 먼저 수행된 이전 과정으로 상기 오류 파라미터의 조정 과정을 되돌리는 조정부가 마련될 수 있다.An adjustment unit may be provided to adjust error parameters that fail the test in a specific process or to return the error parameter adjustment process to a previous process performed before the specific process.

상기 조정부는 상기 오류 파라미터의 상위 파라미터를 조정하고, 상기 상위 파라미터를 테스트한 상위 과정에 상기 상위 파라미터의 테스트를 재요청할 수 있다.The adjustment unit may adjust the upper parameter of the error parameter and request a retest of the upper parameter from the upper process that tested the higher parameter.

상기 획득부와 상기 결정부의 사이에는 상기 파라미터를 테스트하는 복수의 처리 모듈이 마련될 수 있다.A plurality of processing modules that test the parameters may be provided between the acquisition unit and the determination unit.

특정 처리 모듈에서 테스트에 불합격한 오류 파라미터를 상기 특정 처리 모듈의 상류에 마련된 상류 처리 모듈로 되돌리는 조정부가 마련될 수 있다.An adjustment unit may be provided that returns error parameters that fail the test in a specific processing module to an upstream processing module provided upstream of the specific processing module.

상기 획득부와 상기 결정부의 사이에는 상기 파라미터를 테스트하는 복수의 처리 모듈이 마련될 수 있다.A plurality of processing modules that test the parameters may be provided between the acquisition unit and the determination unit.

특정 처리 모듈에서 테스트에 불합격한 오류 파라미터를 조정하는 조정부가 마련될 수 있다.An adjustment unit may be provided to adjust error parameters that fail the test in a specific processing module.

상기 조정부는 상기 오류 파라미터가 조정된 조정 파라미터의 테스트를 상기 특정 처리 모듈에 재요청할 수 있다.The adjustment unit may re-request the specific processing module to test the adjustment parameter for which the error parameter has been adjusted.

상기 오류 파라미터가 조정된 조정 파라미터의 테스트가 상기 조정부의 재요청에 의해 상기 특정 처리 모듈에서 재수행되는 자체 테스트가 정의될 수 있다.A self-test may be defined in which a test of an adjustment parameter in which the error parameter is adjusted is re-performed in the specific processing module upon a re-request from the adjustment unit.

상기 조정부는 상기 자체 테스트에도 불구하고 상기 조정 파라미터의 테스트 결과가 제1 설정값을 만족하면, 상기 특정 처리 모듈의 상류에 마련된 상류 처리 모듈에게 상기 조정 파라미터의 위임 테스트를 요청할 수 있다.If the test result of the adjustment parameter satisfies the first set value despite the self-test, the adjustment unit may request a delegated test of the adjustment parameter from an upstream processing module provided upstream of the specific processing module.

상기 획득부와 상기 결정부의 사이에는 상기 파라미터를 테스트하는 복수의 처리 모듈이 마련될 수 있다.A plurality of processing modules that test the parameters may be provided between the acquisition unit and the determination unit.

특정 처리 모듈의 테스트 결과가 제1 설정값을 만족하는 여부를 파악하는 조정부가 마련될 수 있다.An adjustment unit may be provided to determine whether the test result of a specific processing module satisfies the first set value.

상기 조정부는 상기 파라미터의 테스트 결과가 상기 제1 설정값을 만족하면, 상기 특정 처리 모듈의 상류에 마련된 상류 처리 모듈에게 상기 파라미터가 조정된 조정 파라미터의 위임 테스트를 요청할 수 있다.If the test result of the parameter satisfies the first set value, the adjustment unit may request an upstream processing module provided upstream of the specific processing module to perform a delegated test of the adjustment parameter for which the parameter has been adjusted.

상기 조정부는 상기 파라미터의 테스트 결과가 상기 제1 설정값을 불만족하면, 상기 특정 처리 모듈에게 상기 조정 파라미터의 테스트를 재요청할 수 있다.If the test result of the parameter does not satisfy the first set value, the adjustment unit may request the specific processing module to retest the adjustment parameter.

상기 획득부와 상기 결정부의 사이에는 상기 파라미터를 테스트하는 제1 처리 모듈, 제2 처리 모듈, 제3 처리 모듈이 순서대로 마련될 수 있다.A first processing module, a second processing module, and a third processing module that test the parameter may be provided in order between the acquisition unit and the determination unit.

제3 처리 모듈의 테스트 결과가 설정값을 만족하는 여부를 파악하는 조정부가 마련될 수 있다.An adjustment unit may be provided to determine whether the test result of the third processing module satisfies the set value.

상기 조정부는 상기 제3 처리 모듈의 테스트 결과가 제1 설정값을 만족하면, 상기 제2 처리 모듈에게 상기 파라미터가 제1 조정된 제1 조정 파라미터의 위임 테스트를 요청할 수 있다.If the test result of the third processing module satisfies the first setting value, the adjustment unit may request the second processing module to perform a delegated test of the first adjustment parameter in which the parameter has been first adjusted.

상기 조정부는 상기 제3 처리 모듈의 테스트 결과가 제2 설정값을 만족하면, 상기 제1 처리 모듈에게 상기 파라미터가 제2 조정된 제2 조정 파라미터의 위임 테스트를 요청할 수 있다.If the test result of the third processing module satisfies a second set value, the adjustment unit may request a delegated test of the second adjustment parameter in which the parameter is second adjusted from the first processing module.

상기 설정값은 테스트 점수와 합격 점수 사이의 차이값을 포함할 수 있다.The set value may include a difference value between the test score and the passing score.

상기 제2 설정값은 상기 제1 설정값보다 더 큰 차이값을 가질 수 잇다.The second set value may have a larger difference than the first set value.

상기 획득부와 상기 결정부의 사이에는 생성부, 매칭부, 제1 검사부, 제2 검사부 중 적어도 하나의 처리 모듈이 마련될 수 있다.At least one processing module among a generation unit, a matching unit, a first inspection unit, and a second inspection unit may be provided between the acquisition unit and the determination unit.

상기 생성부는 상기 측정 스펙트럼을 이용하여 상기 DOE 웨이퍼의 기본 광학적 모델을 생성할 수 있다.The generator may generate a basic optical model of the DOE wafer using the measured spectrum.

상기 매칭부는 상기 참조 데이터에 대한 상기 기본 광학적 모델의 매칭 여부를 테스트할 수 있다.The matching unit may test whether the basic optical model matches the reference data.

상기 제1 검사부는 상기 기본 광학적 모델의 정밀성, 반복성, 안정성 중 적어도 하나를 테스트할 수 있다.The first inspection unit may test at least one of precision, repeatability, and stability of the basic optical model.

상기 제2 검사부는 상기 측정 장비의 장비 간 일치성을 테스트할 수 있다.The second inspection unit may test inter-device consistency of the measurement equipment.

상기 결정부는 상기 처리 모듈의 테스트를 모두 통과한 파라미터를 상기 측정 장비에 적용될 파라미터로 결정할 수 있다.The determination unit may determine parameters that have passed all tests of the processing module as parameters to be applied to the measurement equipment.

상기 생성부, 상기 매칭부, 상기 제1 검사부, 상기 제2 검사부의 순서대로 파라미터에 대한 테스트가 수행될 수 있다.Tests on parameters may be performed in the order of the generation unit, the matching unit, the first inspection unit, and the second inspection unit.

특정 처리 모듈에서 테스트에 불합격한 오류 파라미터를 조정하는 조정부가 마련될 수 있다.An adjustment unit may be provided to adjust error parameters that fail the test in a specific processing module.

상기 조정부는 상기 오류 파라미터가 조정된 조정 파라미터의 테스트를 상기 특정 처리 모듈의 상류에 마련된 상류 처리 모듈에게 요청할 수 있다.The adjustment unit may request an upstream processing module provided upstream of the specific processing module to test an adjustment parameter for which the error parameter has been adjusted.

상기 DOE 웨이퍼 내 값의 경향성을 테스트하는 보조 검사부가 마련될 수 있다.An auxiliary inspection unit may be provided to test the tendency of values within the DOE wafer.

상기 보조 검사부는 상기 매칭부와 상기 제1 검사부의 사이에 배치되거나, 상기 제1 검사부와 상기 제2 검사부의 사이에 배치되거나, 상기 제2 검사부와 상기 결정부의 사이에 배치될 수 있다.The auxiliary inspection unit may be disposed between the matching unit and the first inspection unit, between the first inspection unit and the second inspection unit, or between the second inspection unit and the determination unit.

본 발명의 최적화 방법은 기초 자료를 획득하는 획득 단계; 상기 기초 자료에 기초하여, 상기 측정 장비에 적용될 파라미터를 테스트하는 테스트 단계; 테스트가 완료된 파라미터를 상기 측정 장비에 적용될 파라미터로 결정하는 결정 단계; 결정된 파라미터를 상기 측정 장비에 제공하는 적용 단계;를 포함할 수 있다.The optimization method of the present invention includes an acquisition step of acquiring basic data; A test step of testing parameters to be applied to the measurement equipment based on the basic data; A decision step of determining a tested parameter as a parameter to be applied to the measuring equipment; It may include an application step of providing the determined parameter to the measurement equipment.

측정 장비 또는 측정 대상물(시료)의 측정에 있어, 측정 장비, 측정 대상물의 물리적 모델링 등에 사용되는 파라미터가 최적화될 필요가 있다.In measuring measurement equipment or measurement objects (samples), the parameters used in the measurement equipment, physical modeling of the measurement object, etc. need to be optimized.

이때의 파라미터는 최적의 측정 결과물을 도출하기 위해, 측정 장비 또는 측정 대상물에 따라 달라지는 것이 유리하다. 측정 장비 또는 측정 대상물, 해당 장비, 대상물에 적용되는 최적의 측정 조건과 분석 파라미터들을 한데 묶은 것 또는 정보가 측정 레시피 또는 계측 레시피라고 지칭될 수 있다.At this time, it is advantageous for the parameters to vary depending on the measurement equipment or measurement object in order to derive optimal measurement results. Measurement equipment or a measurement object, a bundle of optimal measurement conditions and analysis parameters applied to the equipment or object, or information may be referred to as a measurement recipe or measurement recipe.

레시피에 포함된 파라미터들 중에 반도체 공정 관리에서 모니터링이 필요한 타겟 파라미터들은 측정 결과물의 개선을 위해, 참조 데이터 또는 허용 기준 데이터와의 매칭성, 정밀성, 반복성, 안정성, 일치성, 경향성 등의 성능 테스트를 통과하여야 한다. 이와 같은 각종 테스트를 통과한 레시피가 최적화된 계측 레시피라 지칭될 수 있다.Among the parameters included in the recipe, the target parameters that require monitoring in semiconductor process management are performance tests such as matching with reference data or acceptance criteria data, precision, repeatability, stability, consistency, and tendency to improve measurement results. Must pass. A recipe that passes these various tests can be referred to as an optimized measurement recipe.

본 발명의 최적화 장치는 구체화된 레시피 최적화 과정의 수행을 통해, 반도체 제조 공정에서 광학적 계측 등을 통한 박막의 두께 또는 패턴의 CD(Critical Dimension) 계측 레시피가 효과적으로 마련될 수 있다.The optimization device of the present invention can effectively prepare a CD (Critical Dimension) measurement recipe for the thickness or pattern of a thin film through optical measurement, etc. in a semiconductor manufacturing process by performing a specific recipe optimization process.

도 1은 본 발명의 최적화 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 최적화 장치에 의해 최적화된 레시피의 활용처를 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명의 최적화 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른, 컴퓨팅 장치를 나타내는 도면이다.1 is a schematic diagram showing the optimization device of the present invention.
Figure 2 is a schematic diagram showing the use of a recipe optimized by an optimization device.
Figure 3 is a flowchart showing the optimization method of the present invention.
4 is a diagram illustrating a computing device according to an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. Below, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In order to clearly explain the present invention in the drawings, parts that are not related to the description are omitted, and similar parts are given similar reference numerals throughout the specification.

본 명세서에서, 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.In this specification, duplicate descriptions of the same components are omitted.

또한 본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 '연결되어' 있다거나 '접속되어' 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에 본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 '직접 연결되어' 있다거나 '직접 접속되어' 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.Also, in this specification, when a component is mentioned as being 'connected' or 'connected' to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but may be connected to the other component in the middle. It should be understood that may exist. On the other hand, in this specification, when it is mentioned that a component is 'directly connected' or 'directly connected' to another component, it should be understood that there are no other components in between.

또한, 본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용되는 것으로써, 본 발명을 한정하려는 의도로 사용되는 것이 아니다.Additionally, the terms used in this specification are merely used to describe specific embodiments and are not intended to limit the present invention.

또한 본 명세서에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. Also, in this specification, singular expressions may include plural expressions, unless the context clearly dictates otherwise.

또한 본 명세서에서, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품, 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것일 뿐, 하나 또는 그 이상의 다른 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.In addition, in this specification, terms such as 'include' or 'have' are only intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, and one or more It should be understood that this does not exclude in advance the presence or addition of other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

또한 본 명세서에서, '및/또는' 이라는 용어는 복수의 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. 본 명세서에서, 'A 또는 B'는, 'A', 'B', 또는 'A와 B 모두'를 포함할 수 있다.Also, in this specification, the term 'and/or' includes a combination of a plurality of listed items or any of the plurality of listed items. In this specification, 'A or B' may include 'A', 'B', or 'both A and B'.

또한 본 명세서에서, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략될 것이다.Additionally, in this specification, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted.

도 1은 본 발명의 최적화 장치를 나타낸 개략도이다.1 is a schematic diagram showing the optimization device of the present invention.

측정 장비에 의해 계측된 DOE(Design of Experiments) 웨이퍼의 측정 스펙트럼, 정답에 해당되는 참조 데이터, 허용 범위에 해당되는 기준 데이터 중 적어도 하나를 포함하는 기초 자료가 정의될 수 있다.Basic data may be defined that includes at least one of the measurement spectrum of the Design of Experiments (DOE) wafer measured by the measurement equipment, reference data corresponding to the correct answer, and reference data corresponding to the allowable range.

정답에 해당되는 참조 데이터는 측정을 통해 파악하고자 하는 값으로, 타겟으로 하는 측정 장비가 아닌 다른 수단을 통해 획득된 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어, 해당 측정 장비를 다층 박막 구조의 반도체, 웨이퍼에서 각 박막 층의 두께를 측정하는 것을 목표로 할 수 있다. 이때, 실험을 위해 제작된 DOE 웨이퍼의 각 박막의 두께는 다양한 방법을 통해 이미 결정된 상태일 수 있다. 이렇게 결정된 박막 두께 정보가 참조 데이터에 해당될 수 있다.The reference data corresponding to the correct answer is the value to be determined through measurement and may include information obtained through means other than the targeted measurement equipment. For example, the measurement equipment may be aimed at measuring the thickness of each thin film layer in a semiconductor wafer with a multi-layer thin film structure. At this time, the thickness of each thin film of the DOE wafer produced for the experiment may have already been determined through various methods. The thin film thickness information determined in this way may correspond to reference data.

기준 데이터는 측정 장비의 측정값과 참조 데이터 간의 허용 오차, 허용 범위 또는 표준 편차 등의 통계적인 기준값들을 포함할 수 있다.Reference data may include statistical reference values such as tolerance, tolerance, or standard deviation between the measured values of the measuring equipment and reference data.

도 1에 도시된 최적화 장치는 획득부(110), 결정부(170), 조정부(190)를 포함할 수 있다.The optimization device shown in FIG. 1 may include an acquisition unit 110, a determination unit 170, and an adjustment unit 190.

획득부(110)는 기초 자료를 획득할 수 있다.The acquisition unit 110 may acquire basic data.

일 예로, 획득부(110)는 측정 장비와 통신하고, 측정 장비로부터 측정 스펙트럼을 유무선 수신할 수 있다. 획득부(110)는 참조 데이터를 제공하는 서버, 입력 장치와 통신하고, 해당 서버, 입력 장치로부터 참조 데이터를 입수할 수 있다. 획득부(110)는 기준 데이터를 제공하는 서버, 입력 장치로부터 기준 데이터를 입수할 수 있다.As an example, the acquisition unit 110 may communicate with the measurement equipment and receive the measurement spectrum from the measurement equipment wired or wirelessly. The acquisition unit 110 may communicate with a server and an input device that provide reference data, and obtain reference data from the server and the input device. The acquisition unit 110 may obtain reference data from a server or input device that provides the reference data.

결정부(170)는 측정 스펙트럼, 참조 데이터, 기준 데이터 중 적어도 하나가 포함된 기초 자료에 기초하여, 측정 장비에 적용될 파라미터(적용 파라미터)를 결정할 수 있다.The determination unit 170 may determine parameters (application parameters) to be applied to the measurement equipment based on basic data including at least one of a measurement spectrum, reference data, and reference data.

일 예로, 결정부(170)는 기초 자료에 기초한 각종 테스트의 수행 결과를 이용하여 적용 파라미터를 결정할 수 있다.As an example, the decision unit 170 may determine application parameters using results of various tests based on basic data.

획득부(110)로부터 결정부(170)의 사이에는 파라미터를 얻어내는 레시피의 성능을 테스트하는 복수의 과정이 추가될 수 있다.A plurality of processes may be added between the acquisition unit 110 and the determination unit 170 to test the performance of the recipe for obtaining parameters.

조정부(190)는 특정 성능 테스트 과정에서 타겟 파라미터에 대한 성능 테스트가 참조값 또는 기준값을 만족하지 못하여 불합격한 경우에, 복수의 과정에 공통적으로 적용된 측정 조건, 분석 조건, 광학적 물리 모델 등의 레시피 파라미터를 조정할 수 있다. 예를 들어, 측정 조건 파라미터는 편광자 또는 위상 지연자의 방위각, 회전 속도, 회전 회수, 입사각, 광원의 세기(intensity) 등을 포함할 수 있다. 분석 조건 파라미터는 회귀 분석(Levenberg-Marquardt)에서 스펙트럼 가중치, 파장 범위, 스펙트럼 종류 등을 포함할 수 있다. 광학적 물리 모델 파라미터는 두께, 굴절률, 소광 계수 등을 포함할 수 있다. 특정 성능 테스트 과정에서 타겟 파라미터에 대한 성능 테스트가 참조값 또는 기준값을 만족하지 못하여 불합격한 경우, 해당 과정에서 공통적으로 적용된 파라미터가 오류 파라미터로 정의될 수 있다. 본 명세서에 기재된 오류 파라미터는 특별하게 에러가 존재하는 파라미터를 지칭하는 것이 아니라, 성능 테스트의 불합격을 야기한 파라미터 정도의 의미로 활용될 수 있다. 테스트에 불합격하였다는 것은 타겟 파라미터에 대한 성능 테스트가 참조값 또는 기준값을 만족하지 못하였음을 의미할 수 있다.If the performance test for the target parameter fails in a specific performance test process because it does not satisfy the reference value or standard value, the adjuster 190 sets recipe parameters such as measurement conditions, analysis conditions, and optical physical models commonly applied to a plurality of processes. It can be adjusted. For example, measurement condition parameters may include the azimuth of the polarizer or phase retarder, rotation speed, number of rotations, angle of incidence, intensity of the light source, etc. Analysis condition parameters may include spectral weight, wavelength range, spectrum type, etc. in regression analysis (Levenberg-Marquardt). Optical physical model parameters may include thickness, refractive index, extinction coefficient, etc. If the performance test for the target parameter fails in a specific performance test process because it does not satisfy the reference value or standard value, a parameter commonly applied in the process may be defined as an error parameter. The error parameters described in this specification do not specifically refer to parameters in which errors exist, but can be used to mean parameters that cause failure in a performance test. Failing the test may mean that the performance test for the target parameter did not satisfy the reference value or standard value.

레시피 파라미터를 조정할 수 있다는 것은 초기값의 직접 조정을 의미하거나, 해당 값의 고정 여부 결정을 의미할 수 있다.Being able to adjust recipe parameters may mean direct adjustment of the initial value, or it may mean determining whether or not to fix the value.

조정부(190)에 의해 파라미터가 조정된 이후에, 해당 성능 테스트 또는 이전의 다른 성능 테스트 과정을 통해 레시피가 테스트될 수 있다.After the parameters are adjusted by the adjuster 190, the recipe may be tested through the corresponding performance test or another previous performance test process.

현 특정 성능 테스트 과정에서의 파라미터들의 조정으로는 현재 과정의 기준 성능을 맞추기 어려운 경우가 존재할 수 있다. 이 경우에는, 그 이전의 상위 성능 테스트의 성능 기준이 만족되는 범위 내에서, 상위 성능 테스트 과정에서 조정한 파라미터의 재조정을 통해서, 현재의 성능 테스트를 만족하도록 최적화 시도할 수 있다. There may be cases where it is difficult to meet the standard performance of the current process by adjusting the parameters in the current specific performance test process. In this case, an optimization attempt can be made to satisfy the current performance test by readjusting the parameters adjusted in the upper performance test process, within the range where the performance criteria of the previous upper performance test are satisfied.

조정부(190)는 상위 과정에서의 파라미터를 조정하고, 타겟 파라미터들에 대해서 상위 과정의 테스트를 재요청할 수 있다. 상위 과정에서 재조정한 파라미터 또는 해당 상위 파라미터로부터 파생, 도출된 파라미터를 성능 기준을 만족하지 못했던 기존의 현재 과정으로 제공할 수 있다. 현재 과정은 기존에 성능 테스트를 통과하지 못했던 파라미터 설정을 대신해서 상위 과정으로부터 제공된 새로운 파라미터 설정 아래에서 타겟 파라미터에 대한 레시피 성능 테스트를 수행할 수 있다.The adjustment unit 190 may adjust parameters in the upper process and re-request a test in the upper process for the target parameters. Parameters readjusted in the upper process or parameters derived or derived from the upper level parameters can be provided to the existing current process that did not meet the performance criteria. The current process can perform a recipe performance test for the target parameters under the new parameter settings provided from the upper process instead of the parameter settings that did not pass the performance test previously.

복수의 테스트 과정을 각각 담당하는 처리 모듈이 획득부(110)와 결정부(170)의 사이에 마련될 수 있다. 복수의 처리 모듈은 획득부(110)와 결정부(170)의 사이에서 타겟 파라미터에 대한 레시피의 성능을 테스트할 수 있다. 이때, 조정부(190)는 특정 처리 모듈에서 레시피 테스트에 불합격한 레시피의 최적화를 상류 처리 모듈로 되돌릴 수 있다. 상류 처리 모듈은 타겟 파라미터의 값을 조정한 후 재테스트하거나, 해당 성능 기준에 미달한 타겟 파라미터를 파생, 도출, 유발한 상위 파라미터의 값을 조정한 후 재테스트할 수 있다. 그리고, 해당 결과를 특정 처리 모듈에 제공할 수 있다. 현재 과정에서의 성능 개선을 위한 레시피 파라미터의 값 조정 및 상위 과정에서의 파라미터의 값 조정은 조정부(190)에 의해 수행될 수도 있다.Processing modules each responsible for a plurality of test processes may be provided between the acquisition unit 110 and the determination unit 170. A plurality of processing modules may test the performance of the recipe for the target parameter between the acquisition unit 110 and the determination unit 170. At this time, the adjuster 190 may return the optimization of a recipe that fails the recipe test in a specific processing module to the upstream processing module. The upstream processing module may retest after adjusting the value of the target parameter, or may retest after adjusting the value of the upper parameter that derives, derives, or causes the target parameter that falls short of the relevant performance standard. And, the results can be provided to a specific processing module. Adjusting the values of recipe parameters to improve performance in the current process and adjusting the values of parameters in the upper process may be performed by the adjustment unit 190.

다른 실시예로, 조정부(190)는 설정값의 만족 여부에 따라 처음부터 자체 테스트를 수행할지, 특정 테스트를 수행할지를 결정할 수 있다. 이때, 설정값은 레시피의 성능 테스트의 합격 기준값이나 그 변화율 등을 포함할 수 있다.In another embodiment, the adjuster 190 may decide whether to perform a self-test from the beginning or a specific test depending on whether the set value is satisfied. At this time, the set value may include a passing standard value or change rate of the recipe performance test.

조정부(190)는 타겟 파라미터에 대한 특정 처리 모듈의 레시피 테스트 결과가 제1 설정값을 만족하는 여부를 파악할 수 있다.The adjustment unit 190 may determine whether the recipe test result of a specific processing module for the target parameter satisfies the first set value.

조정부(190)는 레시피의 테스트 결과가 제1 설정값을 만족하면, 특정 처리 모듈의 상류에 마련된 상류 처리 모듈에게 레시피 파라미터의 조정 및 레시피의 테스트를 요청할 수 있다.If the recipe test result satisfies the first set value, the adjuster 190 may request an upstream processing module provided upstream of a specific processing module to adjust recipe parameters and test the recipe.

조정부(190)는 파라미터의 테스트 결과가 제1 설정값을 불만족하면, 특정 처리 모듈에게 타겟 파라미터의 성능 테스트를 재요청할 수 있다.If the parameter test result does not satisfy the first set value, the adjustment unit 190 may request a specific processing module to retest the performance of the target parameter.

한편, 복수의 처리 모듈이 마련된 경우, 바로 이전의 상위 처리 모듈 또는 더 이전의 상위 처리 모듈에 파라미터 최적화 및 테스트를 요청할지 결정할 필요가 있다.Meanwhile, when a plurality of processing modules are provided, it is necessary to decide whether to request parameter optimization and testing from the immediately previous upper processing module or the previous higher processing module.

예를 들어, 획득부(110)와 결정부(170)의 사이에는, 타겟 파라미터에 대한 성능 테스트 모듈에 해당하는 제1 처리 모듈, 제2 처리 모듈, 제3 처리 모듈이 데이터의 흐름 상으로 순서대로 마련될 수 있다.For example, between the acquisition unit 110 and the determination unit 170, the first processing module, the second processing module, and the third processing module corresponding to the performance test module for the target parameter are arranged in order in the data flow. It can be arranged as is.

조정부(190)는 제3 처리 모듈에 의한 레시피 테스트 결과가 설정값을 만족하는 여부를 파악할 수 있다.The adjustment unit 190 may determine whether the recipe test result by the third processing module satisfies the set value.

조정부(190)는 제3 처리 모듈의 테스트 결과가 제1 설정값을 만족하면, 제2 처리 모듈에게 파라미터가 제1 조정된 제1 조정 파라미터의 위임 테스트를 요청할 수 있다.If the test result of the third processing module satisfies the first set value, the adjustment unit 190 may request the second processing module to perform a delegated test of the first adjustment parameter whose parameters were first adjusted.

조정부(190)는 제3 처리 모듈의 테스트 결과가 제2 설정값을 만족하면, 제1 처리 모듈에게 파라미터가 제2 조정된 제2 조정 파라미터의 위임 테스트를 요청할 수 있다. 설정값이 테스트 점수와 합격 점수 사이의 차이값을 포함하면, 제2 설정값은 제1 설정값보다 더 큰 차이값을 가질 수 있다.If the test result of the third processing module satisfies the second set value, the adjustment unit 190 may request a delegated test of the second adjustment parameter whose parameters have been adjusted to the first processing module. If the set value includes a difference value between the test score and the passing score, the second set value may have a larger difference value than the first set value.

획득부(110)와 결정부(170)의 사이에는 생성부(120), 매칭부(130), 제1 검사부(140), 제2 검사부(160) 중 적어도 하나의 처리 모듈이 마련될 수 있다.At least one processing module among the generation unit 120, matching unit 130, first inspection unit 140, and second inspection unit 160 may be provided between the acquisition unit 110 and the determination unit 170. .

생성부(120)는 회귀 분석(regression analysis) 등을 활용하여 DOE 웨이퍼들의 각각의 대표적인 몇 개의 측정 스펙트럼들에 대하여 잘 수렴하는 기본 광학적 모델을 생성할 수 있다. 측정 스펙트럼은 함축적 정보가 복잡하게 얽힌 상태일 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 내의 대상 위치를 측정한 측정 스펙트럼에는 대상 위치에서의 구조적 정보와 광학적 물성 정보 및 그 변화 요소들, 각종 노이즈, 공정 변화 요소가 포함될 수 있다. 기본 광학적 물리 모델은 실제 대상물의 구조적 표현이나 계측 장비의 특성을 표현할 수 있는 각종 계수의 제한적 사용으로 인해 완전한 정확도로 형성되지 못하고 일부 미비한 상태로 생성될 수 있지만, 모델과 측정 스펙트럼의 최소제곱오차(MSE) 등의 오차 함수를 최소화하여, 간접적으로 비교되는 대상물의 구조 및 광학적 특성을 표현하는 정확도를 높일 수 있다.The generator 120 may use regression analysis or the like to generate a basic optical model that converges well for several representative measurement spectra of DOE wafers. The measurement spectrum may be a complex tangle of implicit information. For example, the measurement spectrum that measures the target position within the wafer may include structural information at the target location, optical property information and change factors thereof, various noises, and process change factors. The basic optical physical model cannot be formed with complete accuracy due to the limited use of various coefficients that can express the structural expression of the actual object or the characteristics of the measurement equipment and may be generated with some imperfections, but the least square error of the model and the measurement spectrum ( By minimizing error functions such as MSE), the accuracy of expressing the structure and optical properties of indirectly compared objects can be increased.

매칭부(130)는 DOE 웨이퍼의 특성 몇몇 위치에서의 타겟 파라미터의 참조 데이터에 대한 기본 광학적 모델로부터 얻은 결과의 매칭 여부를 테스트할 수 있다. 매칭성은 측정 장비를 통해서 획득된 각종 타겟 파라미터와 파라미터의 참조 데이터 간의 상관 관계(correlation)를 통해 어느 정도 일치하는가를 나타낼 수 있다. DOE 웨이퍼들에 대한 매칭성 테스트를 통과했다는 것은, 해당 측정 레시피에 의해 타겟 파라미터의 값들이 DOE 웨이퍼 간에 구분되는 공정 조건을 탐지할 수 있는 구분성을 가졌음을 의미하고, 이러한 목적으로 계측에 사용될 수 있음을 의미할 수 있다. 예를 들어, 매칭성 테스트를 통과한 경우, 해당 파라미터가 서로 다른 공정 조건을 가진 DOE 웨이퍼를 구분할 수 있음을 의미할 수 있다.The matching unit 130 may test whether the results obtained from the basic optical model match reference data of target parameters at several locations of the DOE wafer characteristics. Matchability can indicate the degree of agreement through correlation between various target parameters obtained through measurement equipment and their reference data. Passing the matchability test for DOE wafers means that the values of the target parameters according to the measurement recipe have the ability to detect distinct process conditions between DOE wafers, and can be used for measurement for this purpose. It can mean that there is. For example, passing a matchability test may mean that the parameter can distinguish between DOE wafers with different processing conditions.

제1 검사부(140)는 기본 광학적 모델의 정밀성, 반복성, 안정성 중 적어도 하나를 테스트할 수 있다. 정밀성은 광학적 계측 장치가 발생시키는 노이즈 등에 의한 영향 아래에서 반복적인 타겟 파라미터의 측정값이 얼마나 잘 일치하는지를 나타낼 수 있다. 반복성은 장치의 자동화 시스템의 반복 정밀도의 영향 아래에서 웨이퍼의 반복적인 로딩(loading)/언로딩(unloading)을 통한 계측에서, 레시피에 의한 타겟 파라미터의 측정값의 일관성이 얼마나 잘 유지되는지를 나타낼 수 있다. 안정성은 온도 변화나 부품들의 노화, 기기 조립 상태 등에 의한 장기간의 영향 아래 얼마나 정상적으로 동작하는지를 나타낼 수 있다. 이에 대해 조정부(190)에서는 시간에 따른 장치의 변화에 달라지는 장비 측정 스펙트럼의 변화를 감안하여 그 영향을 줄이도록 파장 범위이나 파라미터 등의 가중치를 줄이는 최적화를 수행할 수 있다.The first inspection unit 140 may test at least one of precision, repeatability, and stability of the basic optical model. Precision can indicate how well measured values of repetitive target parameters match under the influence of noise generated by an optical measurement device. Repeatability refers to how well the consistency of measurements of target parameters by recipe is maintained in measurements through repeated loading/unloading of wafers under the influence of the repeatability of the device's automation system. there is. Stability can indicate how normally a device operates under long-term influences such as temperature changes, aging of components, or device assembly conditions. In response, the adjustment unit 190 may perform optimization to reduce the weight of the wavelength range or parameters to reduce the impact by taking into account changes in the equipment measurement spectrum that vary due to changes in the device over time.

노이즈 등의 외부 간섭에도 불구하고 얼마나 정상적으로 동작하는지를 나타낼 수 있다.It can indicate how normally it operates despite external interference such as noise.

제2 검사부(160)는 측정 장비의 장비 간 일치성을 테스트할 수 있다. 일치성은 동일한 종류의 측정 장비의 경우에, 기기가 바뀌어도 얼마만큼 동일한 측정 결과가 나오는지를 나타낼 수 있다. 예를 들어, DOE 웨이퍼들 각각에서 수십 군데의 이상의 대상 위치에서 측정한 측정 스펙트럼들에 대해서 레시피에 의한 오차 함수값이 허용 범위 내에 있는지와 각 장비에서 측정된 타겟 파라미터의 차이값의 표준 편차 등이 기준이 될 수 있다.The second inspection unit 160 may test the consistency between measuring devices. In the case of the same type of measuring equipment, consistency can indicate how much the same measurement results are obtained even if the equipment is changed. For example, for measurement spectra measured at dozens of target locations on each of the DOE wafers, whether the error function value according to the recipe is within the allowable range and the standard deviation of the difference value of the target parameter measured by each equipment, etc. It can become a standard.

결정부(170)는 처리 모듈의 테스트를 모두 통과한 계측 레시피의 파라미터를 측정 장비에 적용될 적용 파라미터로 결정할 수 있다.The decision unit 170 may determine parameters of a measurement recipe that has passed all tests of the processing module as application parameters to be applied to the measurement equipment.

DOE 웨이퍼 내 값의 경향성을 테스트하는 보조 검사부(150)가 추가로 마련될 수 있다. 경향성은 웨이퍼 간의 공정 조건이 얼마나 일치하는지를 나타낼 수 있다. 예를 들어, 계측 레시피로 분석한 결과가 웨이퍼의 가장자리로 갈수록 웨이퍼의 중심보다 얇아지는 특성이 모든 DOE 웨이퍼에서 나타나면 경향성의 테스트 점수가 높게 책정될 수 있다.An auxiliary inspection unit 150 may be additionally provided to test the tendency of values within the DOE wafer. The trend can indicate how consistent the process conditions are between wafers. For example, if the analysis results from the measurement recipe show that all DOE wafers have the characteristic that the edge of the wafer becomes thinner than the center of the wafer, the test score for the tendency may be set high.

보조 검사부(150)는 매칭부(130)와 제1 검사부(140)의 사이에 배치되거나, 제1 검사부(140)와 제2 검사부(160)의 사이에 배치되거나, 제2 검사부(160)와 결정부(170)의 사이에 배치될 수 있다.The auxiliary inspection unit 150 is disposed between the matching unit 130 and the first inspection unit 140, between the first inspection unit 140 and the second inspection unit 160, or between the second inspection unit 160 and the second inspection unit 160. It may be placed between the decision units 170.

생성부(120), 매칭부(130), 제1 검사부(140), 제2 검사부(160)의 순서대로 파라미터에 대한 테스트가 수행될 수 있다. 이때, 조정부(190)는 앞에서 설명된 바와 같이, 특정 처리 모듈에서 성능 테스트에서 불합격을 야기하는 파라미터를 조정할 수 있다.Tests on parameters may be performed in the order of the generation unit 120, the matching unit 130, the first inspection unit 140, and the second inspection unit 160. At this time, as described above, the adjustment unit 190 may adjust parameters that cause failure in a performance test in a specific processing module.

조정부(190)는 파라미터가 조정된 이후에 현재 테스트를 재수행하거나, 이전의 테스트를 특정 처리 모듈의 상류에 마련된 상류 처리 모듈에게 요청할 수 있다.The adjustment unit 190 may re-perform the current test after the parameters are adjusted, or may request a previous test from an upstream processing module provided upstream of a specific processing module.

모든 성능 테스트를 통과한 레시피의 파라미터들은 결정부(170)에 의해 측정 장비에 적용될 수 있다. 최적화 장치에는 적용 파라미터를 사용자 단말기에 출력하거나 측정 장비에 제공하는 적용부(180)가 추가로 마련될 수 있다.Recipe parameters that have passed all performance tests can be applied to the measurement equipment by the decision unit 170. The optimization device may be additionally provided with an application unit 180 that outputs application parameters to a user terminal or provides them to measurement equipment.

도 2는 최적화 장치에 의해 최적화된 레시피의 활용처를 나타낸 개략도이다.Figure 2 is a schematic diagram showing the use of a recipe optimized by an optimization device.

CD(Critical Dimension) 계측 장비에 공정 웨이퍼가 로딩될 수 있다(S 10).A process wafer may be loaded into CD (Critical Dimension) measurement equipment (S 10).

게측 장비는 공정 웨이퍼를 대상으로 스펙트럼을 측정할 수 있다(S 20).The measurement equipment can measure the spectrum of the process wafer (S 20).

최적화된 계측 레시피(최적화 장치에 의해 테스트를 통과한 파라미터 포함)로, 스펙트럼 측정과 분석이 수행될 수 있다(S 30).With the optimized measurement recipe (including parameters tested by the optimizer), spectral measurements and analysis can be performed (S 30).

레시피의 파라미터를 적용한 측정값이 사용자에게 보고될 수 있다(S 40).Measured values that apply the parameters of the recipe can be reported to the user (S 40).

도 3은 본 발명의 최적화 방법을 나타낸 흐름도이다.Figure 3 is a flowchart showing the optimization method of the present invention.

도 3의 최적화 방법은 도 1에 도시된 최적화 장치에 의해 수행될 수 있다.The optimization method of FIG. 3 can be performed by the optimization device shown in FIG. 1.

최적화 방법은 획득 단계(S 510), 테스트 단계(S 590), 결정 단계(S 570), 적용 단계(S 580)를 포함할 수 있다.The optimization method may include an acquisition step (S 510), a test step (S 590), a decision step (S 570), and an application step (S 580).

획득 단계(S 510)는 DOE 웨이퍼의 측정 스펙트럼, 참조 데이터, 기준 데이터 중 적어도 하나가 포함된 기초 자료를 획득할 수 있다. 획득 단계(S 510)는 획득부(110)에 의해 수행될 수 있다.In the acquisition step (S510), basic data including at least one of the measurement spectrum of the DOE wafer, reference data, and reference data may be acquired. The acquisition step (S510) may be performed by the acquisition unit 110.

테스트 단계(S 590)는 기초 자료에 기초하여, 측정 장비에 적용될 파라미터를 테스트할 수 있다. 테스트 단계(S 590)는 생성부(120), 매칭부(130), 제1 검사부(140), 보조 검사부(150), 제2 검사부(160), 조정부(190)에 의해 수행될 수 있다.The test step (S 590) may test parameters to be applied to the measurement equipment based on basic data. The test step (S 590) may be performed by the generation unit 120, the matching unit 130, the first inspection unit 140, the auxiliary inspection unit 150, the second inspection unit 160, and the adjustment unit 190.

구체적으로, 테스트 단계(S 590)는 생성 단계(S 520), 매칭 단계(S 530), 제1 검사 단계(S 540), 보조 검사 단계(S 550), 제2 검사 단계(S 560)를 포함할 수 있다.Specifically, the test step (S 590) includes a creation step (S 520), a matching step (S 530), a first test step (S 540), an auxiliary test step (S 550), and a second test step (S 560). It can be included.

생성 단계(S 520)는 측정 스펙트럼을 이용하여 DOE 웨이퍼의 기본 광학적 모델을 생성할 수 있다. 생성 단계(S 520)는 생성부(120)에 의해 수행될 수 있다.The generation step (S520) may generate a basic optical model of the DOE wafer using the measured spectrum. The generation step (S520) may be performed by the generation unit 120.

매칭 단계(S 530)는 참조 데이터에 대한 기본 광학적 모델의 매칭 여부를 테스트할 수 있다. 매칭 단계(S 530)는 매칭부(130)에 의해 수행될 수 있다.The matching step (S530) may test whether the basic optical model matches the reference data. The matching step (S530) may be performed by the matching unit 130.

제1 검사 단계(S 540)는 기본 광학적 모델의 정밀성, 반복성, 안정성 중 적어도 하나를 테스트할 수 있다. 제1 검사 단계(S 540)는 제1 검사부(140)에 의해 수행될 수 있다.The first inspection step (S540) may test at least one of precision, repeatability, and stability of the basic optical model. The first inspection step (S540) may be performed by the first inspection unit 140.

보조 검사 단계(S 550)는 DOE 웨이퍼 내 값의 경향성을 테스트할 수 있다. 보조 검사 단계(S 550)는 보조 검사부(150)에 의해 수행될 수 있다.A secondary inspection step (S 550) may test trends in values within the DOE wafer. The auxiliary inspection step (S550) may be performed by the auxiliary inspection unit 150.

제2 검사 단계(S 560)는 측정 장비의 장비 간 일치성을 테스트할 수 있다. 제2 검사 단계(S 560)는 제2 검사부(160)에 의해 수행될 수 있다.The second inspection step (S 560) may test the consistency between measuring devices. The second inspection step (S560) may be performed by the second inspection unit 160.

최적화 방법은 매칭 단계(S 530), 제1 검사 단계(S 540), 보조 검사 단계(S 550), 제2 검사 단계(S 560) 중 어느 하나의 테스트가 불합격하면, 불합격한 테스트 단계의 상류 단계, 상위 단계로 되돌아간 후 파라미터에 대한 테스트를 재수행할 수 있다.In the optimization method, if any one of the matching step (S 530), the first test step (S 540), the auxiliary test step (S 550), or the second test step (S 560) fails, the upstream of the failed test step After going back to the next step, you can re-perform the test for the parameters.

결정 단계(S 570)는 테스트가 완료된 파라미터를 측정 장비에 적용될 파라미터로 결정할 수 있다. 결정 단계(S 570)는 결정부(170)에 의해 수행될 수 있다.In the decision step (S570), the parameter for which the test has been completed may be determined as the parameter to be applied to the measurement equipment. The decision step (S570) may be performed by the decision unit 170.

적용 단계(S 580)는 결정 단계(S 570)에서 결정된 파라미터(적용 파라미터)를 측정 장비에 제공할 수 있다. 적용 단계(S 580)는 적용부(180)에 의해 수행될 수 있다.The application step (S 580) may provide the parameters (application parameters) determined in the decision step (S 570) to the measurement equipment. The application step (S580) may be performed by the application unit 180.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른, 컴퓨팅 장치를 나타내는 도면이다. 도 4의 컴퓨팅 장치(TN100)는 본 명세서에서 기술된 장치(예, 최적화 장치 등) 일 수 있다. 4 is a diagram illustrating a computing device according to an embodiment of the present invention. Computing device TN100 of FIG. 4 may be a device (e.g., optimization device, etc.) described herein.

도 4의 실시예에서, 컴퓨팅 장치(TN100)는 적어도 하나의 프로세서(TN110), 송수신 장치(TN120), 및 메모리(TN130)를 포함할 수 있다. 또한, 컴퓨팅 장치(TN100)는 저장 장치(TN140), 입력 인터페이스 장치(TN150), 출력 인터페이스 장치(TN160) 등을 더 포함할 수 있다. 컴퓨팅 장치(TN100)에 포함된 구성 요소들은 버스(bus)(TN170)에 의해 연결되어 서로 통신을 수행할 수 있다.In the embodiment of FIG. 4 , the computing device TN100 may include at least one processor TN110, a transceiver device TN120, and a memory TN130. Additionally, the computing device TN100 may further include a storage device TN140, an input interface device TN150, an output interface device TN160, etc. Components included in the computing device TN100 are connected by a bus TN170 and may communicate with each other.

프로세서(TN110)는 메모리(TN130) 및 저장 장치(TN140) 중에서 적어도 하나에 저장된 프로그램 명령(program command)을 실행할 수 있다. 프로세서(TN110)는 중앙 처리 장치(CPU: central processing unit), 그래픽 처리 장치(GPU: graphics processing unit), 또는 본 발명의 실시예에 따른 방법들이 수행되는 전용의 프로세서를 의미할 수 있다. 프로세서(TN110)는 본 발명의 실시예와 관련하여 기술된 절차, 기능, 및 방법 등을 구현하도록 구성될 수 있다. 프로세서(TN110)는 컴퓨팅 장치(TN100)의 각 구성 요소를 제어할 수 있다.The processor TN110 may execute a program command stored in at least one of the memory TN130 and the storage device TN140. The processor TN110 may refer to a central processing unit (CPU), a graphics processing unit (GPU), or a dedicated processor on which methods according to embodiments of the present invention are performed. Processor TN110 may be configured to implement procedures, functions, and methods described in connection with embodiments of the present invention. The processor TN110 may control each component of the computing device TN100.

메모리(TN130) 및 저장 장치(TN140) 각각은 프로세서(TN110)의 동작과 관련된 다양한 정보를 저장할 수 있다. 메모리(TN130) 및 저장 장치(TN140) 각각은 휘발성 저장 매체 및 비휘발성 저장 매체 중에서 적어도 하나로 구성될 수 있다. 예를 들어, 메모리(TN130)는 읽기 전용 메모리(ROM: read only memory) 및 랜덤 액세스 메모리(RAM: random access memory) 중에서 적어도 하나로 구성될 수 있다. Each of the memory TN130 and the storage device TN140 can store various information related to the operation of the processor TN110. Each of the memory TN130 and the storage device TN140 may be comprised of at least one of a volatile storage medium and a non-volatile storage medium. For example, the memory TN130 may be comprised of at least one of read only memory (ROM) and random access memory (RAM).

송수신 장치(TN120)는 유선 신호 또는 무선 신호를 송신 또는 수신할 수 있다. 송수신 장치(TN120)는 네트워크에 연결되어 통신을 수행할 수 있다.The transceiving device TN120 can transmit or receive wired signals or wireless signals. The transmitting and receiving device (TN120) can be connected to a network and perform communication.

한편, 본 발명의 실시예는 지금까지 설명한 장치 및/또는 방법을 통해서만 구현되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하는 프로그램 또는 그 프로그램이 기록된 기록 매체를 통해 구현될 수도 있으며, 이러한 구현은 상술한 실시예의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 기술자라면 쉽게 구현할 수 있는 것이다. Meanwhile, the embodiments of the present invention are not only implemented through the apparatus and/or method described so far, but may also be implemented through a program that realizes the function corresponding to the configuration of the embodiment of the present invention or a recording medium on which the program is recorded. This implementation can be easily implemented by anyone skilled in the art from the description of the above-described embodiments.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 통상의 기술자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements made by those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also possible. It falls within the scope of invention rights.

110...획득부 120...생성부
130...매칭부 140...제1 검사부
150...보조 검사부 160...제2 검사부
170...결정부 180...적용부
190...조정부110...Acquisition Department 120...Creation Department
130...Matching Department 140...First Inspection Department
150...Auxiliary inspection department 160...Second inspection department
170...decision part 180...application part
190...Coordination Department

Claims (12)

측정 장비에 의해 계측된 DOE(Design of Experiments) 웨이퍼의 측정 스펙트럼, 정답에 해당되는 참조 데이터, 허용 범위에 해당되는 기준 데이터 중 적어도 하나를 포함하는 기초 자료가 정의될 때,
상기 기초 자료를 획득하는 획득부;
상기 기초 자료에 기초하여, 상기 측정 장비에 적용될 파라미터를 결정하는 결정부;를 포함하고,
상기 획득부와 상기 결정부의 사이에는 상기 파라미터를 테스트하는 제1 처리 모듈, 제2 처리 모듈, 제3 처리 모듈이 순서대로 마련되고,
상기 제3 처리 모듈의 테스트 결과가 설정값을 만족하는 여부를 파악하는 조정부가 마련되며,
상기 조정부는 상기 제3 처리 모듈의 테스트 결과가 제1 설정값을 만족하면, 상기 제2 처리 모듈에게 상기 파라미터가 제1 조정된 제1 조정 파라미터의 위임 테스트를 요청하고,
상기 조정부는 상기 제3 처리 모듈의 테스트 결과가 제2 설정값을 만족하면, 상기 제1 처리 모듈에게 상기 파라미터가 제2 조정된 제2 조정 파라미터의 위임 테스트를 요청하는 최적화 장치.
When basic data including at least one of the measurement spectrum of a DOE (Design of Experiments) wafer measured by a measurement equipment, reference data corresponding to the correct answer, and reference data corresponding to the allowable range are defined,
an acquisition unit that acquires the basic data;
It includes a determination unit that determines a parameter to be applied to the measurement equipment based on the basic data,
A first processing module, a second processing module, and a third processing module for testing the parameter are provided in that order between the acquisition unit and the determination unit,
An adjustment unit is provided to determine whether the test result of the third processing module satisfies the set value,
If the test result of the third processing module satisfies the first set value, the adjustment unit requests the second processing module to perform a delegated test of the first adjustment parameter in which the parameter is first adjusted,
The adjustment unit requests the first processing module to perform a delegated test of a second adjustment parameter in which the parameter is second adjusted when the test result of the third processing module satisfies a second set value.
제1항에 있어서,
상기 획득부로부터 상기 결정부의 사이에는 상기 파라미터를 테스트하는 복수의 과정이 추가되고,
특정 과정에서 테스트에 불합격한 오류 파라미터를 조정하거나, 상기 특정 과정보다 먼저 수행된 이전 과정으로 상기 오류 파라미터의 조정 과정을 되돌리는 상기 조정부가 마련된 최적화 장치.
According to paragraph 1,
A plurality of processes for testing the parameters are added between the acquisition unit and the determination unit,
An optimization device provided with the adjustment unit that adjusts error parameters that fail the test in a specific process or returns the error parameter adjustment process to a previous process performed before the specific process.
제2항에 있어서,
상기 조정부는 상기 오류 파라미터의 상위 파라미터를 조정하고, 상기 상위 파라미터를 테스트한 상위 과정에 상기 상위 파라미터의 테스트를 재요청하는 최적화 장치.
According to paragraph 2,
The adjustment unit adjusts a higher-order parameter of the error parameter and requests a higher-order process that tested the upper-level parameter to retest the upper-level parameter.
제1항에 있어서,
각 처리 모듈은 상기 획득부와 상기 결정부의 사이에 마련되는 생성부, 매칭부, 제1 검사부, 제2 검사부 중 적어도 하나를 포함하는 최적화 장치.
According to paragraph 1,
Each processing module includes at least one of a generation unit, a matching unit, a first inspection unit, and a second inspection unit provided between the acquisition unit and the determination unit.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 설정값은 테스트 점수와 합격 점수 사이의 차이값을 포함하고,
상기 제2 설정값은 상기 제1 설정값보다 더 큰 차이값을 갖는 최적화 장치.
According to paragraph 1,
The set value includes the difference between the test score and the passing score,
An optimization device wherein the second set value has a larger difference than the first set value.
측정 장비에 의해 계측된 DOE(Design of Experiments) 웨이퍼의 측정 스펙트럼, 정답에 해당되는 참조 데이터, 허용 범위에 해당되는 기준 데이터 중 적어도 하나를 포함하는 기초 자료가 정의될 때,
상기 기초 자료를 획득하는 획득부;
상기 기초 자료에 기초하여, 상기 측정 장비에 적용될 파라미터를 결정하는 결정부;를 포함하고,
상기 획득부와 상기 결정부의 사이에는 생성부, 매칭부, 제1 검사부, 제2 검사부 중 적어도 하나의 처리 모듈이 마련되고,
상기 생성부는 상기 측정 스펙트럼을 이용하여 상기 DOE 웨이퍼의 기본 광학적 모델을 생성하며,
상기 매칭부는 상기 참조 데이터에 대한 상기 기본 광학적 모델의 매칭 여부를 테스트하고,
상기 제1 검사부는 상기 기본 광학적 모델의 정밀성, 반복성, 안정성 중 적어도 하나를 테스트하며,
상기 제2 검사부는 상기 측정 장비의 장비 간 일치성을 테스트하고,
상기 결정부는 상기 처리 모듈의 테스트를 모두 통과한 파라미터를 상기 측정 장비에 적용될 파라미터로 결정하는 최적화 장치.
When basic data including at least one of the measurement spectrum of a DOE (Design of Experiments) wafer measured by a measurement equipment, reference data corresponding to the correct answer, and reference data corresponding to the allowable range are defined,
an acquisition unit that acquires the basic data;
It includes a determination unit that determines a parameter to be applied to the measurement equipment based on the basic data,
At least one processing module of a generation unit, a matching unit, a first inspection unit, and a second inspection unit is provided between the acquisition unit and the determination unit,
The generator generates a basic optical model of the DOE wafer using the measured spectrum,
The matching unit tests whether the basic optical model matches the reference data,
The first inspection unit tests at least one of precision, repeatability, and stability of the basic optical model,
The second inspection unit tests inter-equipment consistency of the measuring equipment,
The determination unit is an optimization device that determines parameters that have passed all tests of the processing module as parameters to be applied to the measurement equipment.
제8항에 있어서,
상기 생성부, 상기 매칭부, 상기 제1 검사부, 상기 제2 검사부의 순서대로 파라미터에 대한 테스트가 수행되고,
특정 처리 모듈에서 테스트에 불합격한 오류 파라미터를 조정하는 조정부가 마련되며,
상기 조정부는 상기 오류 파라미터가 조정된 조정 파라미터의 테스트를 상기 특정 처리 모듈의 상류에 마련된 상류 처리 모듈에게 요청하는 최적화 장치.
According to clause 8,
Tests on parameters are performed in the order of the generation unit, the matching unit, the first inspection unit, and the second inspection unit,
An adjustment unit is provided to adjust error parameters that fail the test in a specific processing module,
The adjustment unit is an optimization device that requests an upstream processing module provided upstream of the specific processing module to test an adjustment parameter in which the error parameter has been adjusted.
제8항에 있어서,
상기 DOE 웨이퍼 내 값의 경향성을 테스트하는 보조 검사부가 마련되고,
상기 보조 검사부는 상기 매칭부와 상기 제1 검사부의 사이에 배치되거나, 상기 제1 검사부와 상기 제2 검사부의 사이에 배치되거나, 상기 제2 검사부와 상기 결정부의 사이에 배치되는 최적화 장치.
According to clause 8,
An auxiliary inspection unit is provided to test the tendency of values within the DOE wafer,
The auxiliary inspection unit is disposed between the matching unit and the first inspection unit, between the first inspection unit and the second inspection unit, or between the second inspection unit and the determination unit.
최적화 장치에 의해 수행된 최적화 방법에 있어서,
측정 장비에 의해 계측된 DOE(Design of Experiments) 웨이퍼의 측정 스펙트럼, 정답에 해당되는 참조 데이터, 허용 범위에 해당되는 기준 데이터 중 적어도 하나를 포함하는 기초 자료가 정의될 때,
상기 기초 자료를 획득하는 획득 단계;
상기 기초 자료에 기초하여, 상기 측정 장비에 적용될 파라미터를 테스트하는 테스트 단계;
테스트가 완료된 파라미터를 상기 측정 장비에 적용될 파라미터로 결정하는 결정 단계;
결정된 파라미터를 상기 측정 장비에 제공하는 적용 단계;를 포함하고,
상기 테스트 단계는,
상기 파라미터를 테스트하는 제1 처리 모듈, 제2 처리 모듈, 제3 처리 모듈이 순서대로 마련될 때,
상기 제3 처리 모듈의 테스트 결과가 설정값을 만족하는 여부를 파악하며,
상기 제3 처리 모듈의 테스트 결과가 제1 설정값을 만족하면, 상기 제2 처리 모듈에게 상기 파라미터가 제1 조정된 제1 조정 파라미터의 위임 테스트를 요청하고,
상기 제3 처리 모듈의 테스트 결과가 제2 설정값을 만족하면, 상기 제1 처리 모듈에게 상기 파라미터가 제2 조정된 제2 조정 파라미터의 위임 테스트를 요청하는 최적화 방법.
In an optimization method performed by an optimization device,
When basic data including at least one of the measurement spectrum of a DOE (Design of Experiments) wafer measured by a measurement equipment, reference data corresponding to the correct answer, and reference data corresponding to the allowable range are defined,
An acquisition step of acquiring the basic data;
A test step of testing parameters to be applied to the measurement equipment based on the basic data;
A decision step of determining a tested parameter as a parameter to be applied to the measuring equipment;
It includes an application step of providing the determined parameters to the measuring equipment,
The test step is,
When the first processing module, second processing module, and third processing module for testing the above parameters are provided in order,
Determine whether the test result of the third processing module satisfies the set value,
If the test result of the third processing module satisfies the first set value, requesting the second processing module to perform a delegated test of the first adjustment parameter in which the parameter is first adjusted,
If the test result of the third processing module satisfies a second set value, an optimization method of requesting a delegated test of a second adjustment parameter in which the parameter is second adjusted from the first processing module.
제11항에 있어서,
상기 테스트 단계는,
상기 측정 스펙트럼을 이용하여 상기 DOE 웨이퍼의 기본 광학적 모델을 생성하는 생성 단계,
상기 참조 데이터에 대한 상기 기본 광학적 모델의 매칭 여부를 테스트하는 매칭 단계,
상기 기본 광학적 모델의 정밀성, 반복성, 안정성 중 적어도 하나를 테스트하는 제1 검사 단계,
상기 측정 장비의 장비 간 일치성을 테스트하는 제2 검사 단계를 포함하고,
상기 매칭 단계, 상기 제1 검사 단계, 상기 제2 검사 단계 중 어느 하나의 테스트가 불합격하면, 불합격한 테스트 단계의 상류 단계로 되돌아간 후 파라미터에 대한 테스트를 재수행하는 최적화 방법.According to clause 11,
The test step is,
A generation step of generating a basic optical model of the DOE wafer using the measured spectrum,
A matching step of testing whether the basic optical model matches the reference data,
A first inspection step of testing at least one of precision, repeatability, and stability of the basic optical model,
A second inspection step of testing inter-equipment consistency of the measuring equipment,
If any one of the matching step, the first test step, and the second test step fails, the optimization method returns to the upstream step of the failed test step and then re-performs the test on the parameter.

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